JPH0525171B2 - - Google Patents

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JPH0525171B2
JPH0525171B2 JP59000763A JP76384A JPH0525171B2 JP H0525171 B2 JPH0525171 B2 JP H0525171B2 JP 59000763 A JP59000763 A JP 59000763A JP 76384 A JP76384 A JP 76384A JP H0525171 B2 JPH0525171 B2 JP H0525171B2
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exposure
light source
time
input power
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Keiichiro Sakado
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Nippon Kogaku KK
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は光源制御装置、更に詳しくは高密度半
導体集積回路の製造工程において半導体ウエハま
たはフオトマスク上に回路パターン等を繰返し露
光する装置の露光用光源に好適な光源の変光動作
の制御装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a light source control device, and more specifically to an exposure light source for a device that repeatedly exposes a circuit pattern or the like on a semiconductor wafer or a photomask in the manufacturing process of high-density semiconductor integrated circuits. The present invention relates to a control device for controlling the light variation operation of a light source suitable for.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

半導体集積回路、特にLSIの製造において、近
年ますます回路パターンの微細化が要求され、ウ
エハ上に1μm以下の線幅を有するパターンを焼付
けるための露光装置にも極めて高精度な露光制御
が望まれている。このような高精度な露光制御を
行なう露光方式のひとつに、シヤツターの開閉動
作に同期して光源の発光強度を強弱に変光させる
所謂フラツシユ露光方式が提案されている。この
方式では、光源として入力電力のステツプ変化に
対する発光強度変化の応答が速い水銀放電灯を用
い、シヤツターを閉じている期間には水銀放電灯
の発光強度が露光に必要なレベルより低いレベル
となるような入力電力(例えば水銀放電灯の定格
電力)を与え、シヤツターを開いて露光する期間
には水銀放電灯の発光強度が露光に必要なレベル
となるような入力電力(例えば水銀放電灯の定格
電力の2〜3倍の電力)を与え、これをステツプ
アンドリピート動作に合わせて交互に行なうもの
である。
In recent years, in the production of semiconductor integrated circuits, especially LSIs, there has been a demand for increasingly finer circuit patterns, and extremely high-precision exposure control is also required for exposure equipment that prints patterns with line widths of 1 μm or less on wafers. It is rare. As one of the exposure methods that performs such highly accurate exposure control, a so-called flash exposure method has been proposed in which the intensity of the light emitted by the light source is varied in intensity in synchronization with the opening and closing operations of the shutter. This method uses a mercury discharge lamp as a light source, which has a quick response to changes in emission intensity in response to step changes in input power, and during the period when the shutter is closed, the emission intensity of the mercury discharge lamp is lower than the level required for exposure. The input power (for example, the rated power of a mercury discharge lamp) is such that the emission intensity of the mercury discharge lamp is at the level required for exposure during the exposure period when the shutter is opened. (2 to 3 times the electric power) and alternately performs this in accordance with the step-and-repeat operation.

このような露光方式においては、シヤツターが
閉じている非露光期間とシヤツターが開いている
露光期間との入力電力の比は変光動作中にわたつ
て一定である。このため露光時間および繰返し周
期を変えると平均入力電力が変化し、水銀放電灯
の発光効率の低下や寿命の低下などの不都合を招
くことがあつた。すなわち、第1図によりこれを
説明すれば、まず第1図aにおいて横軸は時間、
縦軸は水銀放電灯への入力電力であり、シヤツタ
ーが開いている露光期間te1はパワーアツプした
入力電力PUで、シヤツターが閉じている非露光
期間tS1には定格入力電力値PNで水銀放電灯を点
灯して周期的に変光動作させると、平均入力電力
PA1は破線で示すようになり、そのときのデユー
テイー比Dr1は Dr1=te1/(te1+tS1) で表わされる。ここで非露光期間tS1はウエハス
テージの移動や位置決めなど、次の露光のための
準備期間であり、また露光期間te1の長さは、所
定の露光量を得るためにウエハ或いはフオトマス
ク上に塗布されたフオトレジストの種類、厚さ、
下地の反射率などにより適宜定められる。
In such an exposure method, the ratio of input power between the non-exposure period when the shutter is closed and the input power during the exposure period when the shutter is open is constant throughout the light changing operation. For this reason, when the exposure time and repetition period are changed, the average input power changes, resulting in disadvantages such as a reduction in luminous efficiency and a reduction in the life of the mercury discharge lamp. That is, to explain this with reference to Fig. 1, first of all, in Fig. 1 a, the horizontal axis is time;
The vertical axis is the input power to the mercury discharge lamp, the exposure period t e1 when the shutter is open is the input power P U that is powered up, and the non-exposure period t S1 when the shutter is closed is the rated input power value P N. When a mercury discharge lamp is turned on and operated to change its light periodically, the average input power is
P A1 is now shown by a broken line, and the duty ratio Dr 1 at that time is expressed as Dr 1 =te 1 /(te 1 +t S1 ). Here, the non-exposure period t S1 is a preparation period for the next exposure, such as movement and positioning of the wafer stage, and the length of the exposure period te 1 is determined by the length of the exposure period te 1, which is a preparatory period for the next exposure such as movement and positioning of the wafer stage. Type, thickness, and type of photoresist applied
It is determined as appropriate depending on the reflectance of the base.

今、第1図aの場合に対して露光期間と非露光
期間との各入力電力は変えずに両期間のデユーテ
イー比を変えて第1図bのようにした場合を考え
る。第1図bにおいて露光期間te2はte2>te1であ
り、非露光期間tSS2はtS2<ts1であり、デユーテイ
ー比Dr2は Dr2=te2/(te2+tsS2)>Dr1 となつている。
Now, let us consider a case where the input power for the exposure period and the non-exposure period is unchanged, but the duty ratio for both periods is changed, as shown in FIG. 1b, compared to the case shown in FIG. 1a. In FIG. 1b, the exposure period te 2 is te 2 >te 1 , the non-exposure period t SS2 is t S2 <ts 1 , and the duty ratio Dr 2 is Dr 2 =te 2 /(te 2 +ts S2 )> It is named Dr 1 .

このようにデユーテイー比が第1図bのように
大きくなると、入力電力PuとPNが変らなくても
平均入力電力は第1図aのPA1に比べて第1図b
のPA2のほうが大きくなる。この結果、水銀放電
灯の電極の温度上昇による発光効率の低下のみな
らず、水銀放電灯の内部封入ガス圧力の上昇及び
管壁の温度上昇により思わぬ事故を引起す恐れが
生じる。
In this way, when the duty ratio increases as shown in Figure 1b, even if the input powers Pu and P N do not change, the average input power will be lower than P A1 in Figure 1a, as shown in Figure 1b.
P A2 of is larger. As a result, not only does luminous efficiency decrease due to an increase in the temperature of the electrodes of the mercury discharge lamp, but also an unexpected accident may occur due to an increase in the pressure of the gas sealed inside the mercury discharge lamp and an increase in the temperature of the tube wall.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は、露光期間と非露光期間とのデ
ユーテイー比が変化されても、光源への平均入力
電力が一定値に保たれるようにした光源の制御装
置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a light source control device that maintains the average input power to the light source at a constant value even if the duty ratio between the exposure period and the non-exposure period is changed.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

前述の目的を達成するため、本発明の光源制御
装置では、光源への入力電力を周期的に変化させ
ることにより、光源の発光強度を第1の発光強度
とそれより低い第2の発光強度との間で周期的に
繰返し発光する動作、すなわち変光動作を行なう
光源装置に、その発光(変光)動作中の光源への
平均入力電力を予じめ定められた値に保つよう
に、光源が第1の発光強度となる第1の期間また
は第2の発光強度となる第2の期間中の光源への
入力電力を制御する電力制御装置を装備させ、こ
れによつて前述の従来技術の問題点を解決したも
のである。
In order to achieve the above-mentioned object, the light source control device of the present invention changes the light emission intensity of the light source into a first light emission intensity and a lower second light emission intensity by periodically changing the input power to the light source. A light source device that performs a light emission operation that repeatedly emits light between is equipped with a power control device that controls the input power to the light source during the first period in which the light emission intensity is the first emission intensity or the second period in which the light emission intensity is the second emission intensity. This solves the problem.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

本発明を縮小投影型露光装置の光源の変光動作
の制御に適用した場合の実施例につき以下に図面
と共に詳述する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which the present invention is applied to control of light variation operation of a light source of a reduction projection exposure apparatus will be described in detail below with reference to the drawings.

第2図は縮小投影型露光装置の概略構成を示す
光路図、第3図はそのシヤツターの拡大平面図で
ある。まず第2図と第3図によつてこの露光装置
について説明する。
FIG. 2 is an optical path diagram showing a schematic configuration of a reduction projection type exposure apparatus, and FIG. 3 is an enlarged plan view of the shutter. First, this exposure apparatus will be explained with reference to FIGS. 2 and 3.

第2図において、水銀放電灯1からの光は楕円
ミラー2の第二焦点fに集光する。第二焦点fに
はロータリーシヤツター3が配置され、パルスモ
ータ4により一定角度ずつ回転して光束の透過・
遮断を行なう。シヤツター3は第3図に示すよう
にブレード部3aと切欠き部3bとが等角度間隔
で形成されており、切欠き部3bによつて光束を
透過させ、ブレード部3aによつて光束を遮断す
る。
In FIG. 2, light from a mercury discharge lamp 1 is focused on a second focal point f of an elliptical mirror 2. In FIG. A rotary shutter 3 is arranged at the second focal point f, and is rotated by a constant angle by a pulse motor 4 to transmit and transmit the light beam.
Perform a cutoff. As shown in Fig. 3, the shutter 3 has a blade portion 3a and a cutout portion 3b formed at equal angular intervals, and the cutout portion 3b allows the light beam to pass through, while the blade portion 3a blocks the light beam. do.

尚、第2図の例では、シヤツター3は光路中に
45゜に傾けて設けられており、ブレード部3aの
光源側の面がミラー面となつていて、このミラー
面で光源からの光束を別の方向に反射し、装置内
の別の照明、例えばウエハおよびマスクの位置決
め光学系(アライメント顕微鏡)の照明用に利用
するようにしてある。
In the example shown in Figure 2, the shutter 3 is in the optical path.
The blade portion 3a is provided at an angle of 45 degrees, and the light source side surface of the blade portion 3a is a mirror surface, and this mirror surface reflects the light flux from the light source in a different direction, so that it can be used for other lighting in the device, e.g. It is used for illuminating a wafer and mask positioning optical system (alignment microscope).

シヤツター3を透過した光は、第1コンデンサ
レンズ5に入射して平行光束になり、さらにフラ
イ・アイ・レンズや露光波長(λ=436mm)を選
択する干渉フイルタ等からなる光学部材6を通過
して、強度分布の均一な平行光束lとなる。この
光束lはさらに第2コンデンサレンズ7を通り、
所定のパターンが描かれたレチクルRを均一に照
明する。レチクルRのパターン光像は縮小投影レ
ンズ8によつてウエハW上に縮小投影される。レ
チクルRを照明する光のうち、レチクルRのパタ
ーン領域外に到来する光を受光するようにレチク
ルR上方に配置された受光素子9は、レチクルR
を照明する光の強度に応じた光電信号を出力し、
シヤツター3の開閉のタイミングを検出するため
の露光量を計測するのに利用される。
The light that has passed through the shutter 3 enters the first condenser lens 5 and becomes a parallel beam of light, and then passes through the optical member 6, which includes a fly-eye lens, an interference filter that selects the exposure wavelength (λ = 436 mm), etc. As a result, a parallel light beam l with a uniform intensity distribution is obtained. This light flux l further passes through the second condenser lens 7,
A reticle R on which a predetermined pattern is drawn is uniformly illuminated. The pattern light image of the reticle R is reduced and projected onto the wafer W by the reduction projection lens 8 . A light receiving element 9 disposed above the reticle R so as to receive light arriving outside the pattern area of the reticle R out of the light illuminating the reticle R
Outputs a photoelectric signal according to the intensity of the light illuminating the
It is used to measure the amount of exposure to detect the timing of opening and closing of the shutter 3.

尚、ウエハWは二次元移動ステージ10に載置
され、このステージ10を歩進させることにより
レチクルRのパターンの縮小像をウエハWの表面
の所定領域を埋めるようにステツプアンドリピー
ト方式で順次露光するものである。
The wafer W is placed on a two-dimensional moving stage 10, and by moving the stage 10, a reduced image of the pattern on the reticle R is sequentially exposed in a step-and-repeat manner so as to fill a predetermined area on the surface of the wafer W. It is something to do.

以上のような露光装置の全体の制御系は第4図
に示されている。第4図において、受光素子9か
らの光電信号S1はアンプ20で増幅されたのち、
測光回路21に入力される。ウエハWへの適正な
露光量に対応した露光時間(前述の露光期間te1
またはte2に相当するシヤツター開放時間)を設
定するためにデジタル設定スイツチ22が設けら
れ、またステージ10の歩進(ステツピング)の
移動量を設定するためにデジタルスイツチ23が
設けられている。光源制御回路24は、水銀放電
灯(光源)1の発光強度の強弱変更動作を制御す
る入力電力制御装置であり、またシヤツタ駆動回
路25は前記測光回路21やマイクロコンピユー
タ(CPU)30からの信号によつてパルスモー
タ4を角度θだけ回転させるためのドライブパル
スを出力する。ステージ10には、その二次元位
置を測定するために、例えばレーザ干渉計のよう
に内部にレーザ光の干渉縞の移動を計数するカウ
ンタを備えた高精度の装長装置が付設され、また
CPU30からの指令に従つてステージ10を二
次元移動させるためにステージドライバー27が
設けられている。
The entire control system of the exposure apparatus as described above is shown in FIG. In FIG. 4, the photoelectric signal S1 from the light receiving element 9 is amplified by the amplifier 20, and then
It is input to the photometry circuit 21. The exposure time corresponding to the appropriate amount of exposure to the wafer W (the exposure period te 1 described above)
A digital setting switch 22 is provided to set the shutter opening time (or shutter opening time corresponding to te 2 ), and a digital switch 23 is provided to set the amount of stepping of the stage 10. The light source control circuit 24 is an input power control device that controls the intensity change operation of the light emission intensity of the mercury discharge lamp (light source) 1, and the shutter drive circuit 25 receives signals from the photometry circuit 21 and the microcomputer (CPU) 30. A drive pulse is outputted to rotate the pulse motor 4 by an angle θ. In order to measure its two-dimensional position, the stage 10 is equipped with a high-precision lengthening device, such as a laser interferometer, which is equipped with an internal counter that counts the movement of the interference fringes of the laser beam.
A stage driver 27 is provided to move the stage 10 two-dimensionally according to commands from the CPU 30.

以上の測光回路21、デジタルスイツチ22お
よび23、光源制御回路24、シヤツター駆動回
路25、測長回路26、およびステージドライバ
ー27は、インターフエイスバス29を介して
CPU30と各種情報のやりとりを行ない、CPU
30によつて装置全体のシーケンスがプログラム
制御される。
The photometry circuit 21, digital switches 22 and 23, light source control circuit 24, shutter drive circuit 25, length measurement circuit 26, and stage driver 27 are connected via an interface bus 29.
Exchanges various information with the CPU 30,
30 programmatically controls the sequence of the entire device.

第5図は前図の光源制御回路24の具体例を示
す回路ブロツク図で、商用交流電源40からの電
流は、整流器41で整流され、コンデンサ42に
よつて平滑されて直流電圧に変えられる。コンデ
ンサ42で平滑された直流電圧は制御トランジス
タ43のコレクタ・エミツタ回路からブリーダ抵
抗44を介して水銀放電灯1の一方の電極に印加
され、他方の電極は接地される。
FIG. 5 is a circuit block diagram showing a specific example of the light source control circuit 24 shown in the previous figure. Current from a commercial AC power supply 40 is rectified by a rectifier 41, smoothed by a capacitor 42, and converted into a DC voltage. The DC voltage smoothed by the capacitor 42 is applied from the collector-emitter circuit of the control transistor 43 to one electrode of the mercury discharge lamp 1 via the bleeder resistor 44, and the other electrode is grounded.

ブリーダ抵抗44の両端に生じる電圧降下は放
電灯1に流れる電流の大きさに比例しており、こ
の電圧降下はアンプ45を介して乗算器47の一
方の入力端に入力される。この乗算器47の他方
の入力端には、アンプ46を介して水銀放電灯1
の両端電圧が入力され、この結果、乗算器47は
アンプ45の出力電圧とアンプ46の出力電圧と
の積、つまり水銀放電灯1の入力電力値に相当す
る出力を生じる。乗算器47の出力は誤差増幅器
48の一方の入力端に入力され、この誤差増幅器
48の他方の入力端にはCPU30からのデジタ
ルデータD0がデジタル・アナログ変換器(DAC)
49でアナログ値に変換されたうえで入力され、
誤差増幅器48で両入力信号間の偏差が検出され
る。この偏差に対応した誤差増幅器48の出力は
前記制御トランジスタ43のベースに印加され、
この偏差出力によつて制御トランジスタ43のコ
レクタ電流を制御するようになつている。誤差増
幅器48を含むトランジスタ43の電流制御ルー
プは、乗算器47とDAC49との出力の偏差が
常に零となるように動作するので、CPU30か
らのデータD0に応じて水銀放電灯1の入力電力
が可変となつている。
The voltage drop occurring across the bleeder resistor 44 is proportional to the magnitude of the current flowing through the discharge lamp 1, and this voltage drop is input to one input terminal of the multiplier 47 via the amplifier 45. The other input terminal of this multiplier 47 is connected to the mercury discharge lamp 1 via an amplifier 46.
As a result, the multiplier 47 produces an output corresponding to the product of the output voltage of the amplifier 45 and the output voltage of the amplifier 46, that is, the input power value of the mercury discharge lamp 1. The output of the multiplier 47 is input to one input terminal of an error amplifier 48, and the digital data D0 from the CPU 30 is input to the other input terminal of the error amplifier 48.
49, it is converted to an analog value and then input,
An error amplifier 48 detects the deviation between the two input signals. The output of the error amplifier 48 corresponding to this deviation is applied to the base of the control transistor 43,
The collector current of the control transistor 43 is controlled by this deviation output. The current control loop of the transistor 43 including the error amplifier 48 operates so that the deviation between the outputs of the multiplier 47 and the DAC 49 is always zero, so the input power of the mercury discharge lamp 1 is adjusted according to the data D0 from the CPU 30. is variable.

このようにして水銀放電灯1の電源に対して、
データD0で設定した電力が放電灯1に入力され
るようなフイードバツク制御系が組まれている。
In this way, for the power supply of the mercury discharge lamp 1,
A feedback control system is set up so that the power set by data D0 is input to the discharge lamp 1.

一方、前記測光回路21は露光制御回路の機能
を担い、その具体例は第6図に示されている。第
6図において受光素子9からの光電信号S1は、電
圧−周波数変換器(VFC)60に入力され、光
電信号S1の電圧値に対応した周波数のパルス信号
S2に変換され、カウンタ61に入力される。カウ
ンタ61は、CPU30からのクリア信号CLに応
答してその計数内容をクリアした後に前記パルス
信号S2のパルス数を順次計数する。カウンタ61
の計数データD1はCPU30から与えられる目標
値データD2と比較器(CP)62によつて比較さ
れ、両データDAとD2とが一致したときに比較器
62がストツプ信号SPを出力する。この場合、
目標値データD2は適正露光量に対応した値であ
る。
On the other hand, the photometry circuit 21 has the function of an exposure control circuit, a specific example of which is shown in FIG. In FIG. 6, the photoelectric signal S1 from the light receiving element 9 is input to a voltage-frequency converter (VFC) 60, and a pulse signal having a frequency corresponding to the voltage value of the photoelectric signal S1 is input.
It is converted into S 2 and input to the counter 61. The counter 61 responds to a clear signal CL from the CPU 30, clears its counting contents, and then sequentially counts the number of pulses of the pulse signal S2 . counter 61
The count data D1 is compared with target value data D2 given from the CPU 30 by a comparator (CP) 62, and when both data DA and D2 match, the comparator 62 outputs a stop signal SP. . in this case,
The target value data D2 is a value corresponding to the appropriate exposure amount.

シヤツター駆動回路25は、前記クリア信号
CLに応答してシヤツター3を開放するためのド
ライブパルスをモータ4に出力し、また前記スト
ツプ信号SPに応答してシヤツター3を閉じるた
めのドライブパルスをモータ4に出力する。
The shutter drive circuit 25 receives the clear signal.
A drive pulse for opening the shutter 3 is output to the motor 4 in response to CL, and a drive pulse for closing the shutter 3 is output to the motor 4 in response to the stop signal SP.

尚CPU30は、クリア信号CLを出力するま
で、すなわち露光動作を開始するまでは、DAC
49にランプ1の定格入力電力PNに対応したデ
ータD0を与えており、このためランプ1は定格
入力電力、例えば500Wで点灯している。
Note that the CPU 30 does not control the DAC until it outputs the clear signal CL, that is, until it starts the exposure operation.
49 is given data D 0 corresponding to the rated input power P N of the lamp 1, and therefore the lamp 1 is lit at the rated input power, for example 500W.

さて、次に、以上の構成を有する露光装置の光
源制御動作を第7および8図のフローチヤートと
共に説明する。
Next, the light source control operation of the exposure apparatus having the above configuration will be explained with reference to the flowcharts of FIGS. 7 and 8.

第7図は、光源制御の主要プログラムフローを
示し、最初のステツプ100はイニシヤライズを行
なうためのものである。ステツプ100においては
ステツプアンドリピート方式の露光動作の露光時
間teとステツプ(移動)時間tSおよび光源パワー
ダウンの減少電力値Pdとを求めるが、このステ
ツプ100の詳細を第8図のサブルーチンプログラ
ムフローと共に詳述すれば以下の通りである。
FIG. 7 shows the main program flow for light source control, the first step 100 being for initialization. In step 100, the exposure time te of the step-and-repeat exposure operation, the step (movement) time tS , and the reduced power value Pd of the light source power down are determined. The details are as follows.

<ステツプ200> イニシヤライズの最初のステツプとして、ラン
プ1の入力電力の増加の程度、すなわち定格入力
電力に対してどれくらいアツプさせるかというパ
ワーアツプ率Cをセツトする。例えばパワーアツ
プ率Cは0C1の値をとり、露光時間teを短
かくするためにはC=1、すなわち定格入力電力
に対して100%のパワーアツプを指定して、パワ
ーアツプ時にランプ1への入力電力を定格の2倍
に増加させるようにする。
<Step 200> As the first step of initialization, the degree of increase in the input power of the lamp 1, that is, the power up rate C, which indicates how much the input power is increased relative to the rated input power, is set. For example, the power-up rate C takes a value of 0C1, and in order to shorten the exposure time te, specify C=1, that is, 100% power-up with respect to the rated input power, and reduce the input power to lamp 1 at power-up. Increase it to twice the rating.

<ステツプ201> ステツプ200でセツトされたパワーアツプ率C
とランプ1の定格入力電力値PNとから、パワー
アツプ時の入力電力値Puを求める。すなわちこ
のステツプでは、 Pu=PN(1+C) の演算を行なう。
<Step 201> Power up rate C set in step 200
and the rated input power value P N of lamp 1, calculate the input power value Pu at power-up. That is, in this step, the calculation Pu=P N (1+C) is performed.

<ステツプ202> 前記ステツプ201で求めたパワーアツプ電力Pu
が、ランプ1の最大許容瞬時入力電力Pumより
も小さいか否かを判断する。Pu>Pumの場合は
ステツプ203で進み、PuPumの場合はPuの値
をそのままセツトして次のステツプ204へ進む。
<Step 202> Power-up electric power Pu obtained in step 201
is smaller than the maximum allowable instantaneous input power Pum of the lamp 1. If Pu>Pum, proceed to step 203; if PuPum, set the value of Pu as is and proceed to the next step 204.

<ステツプ203> ステツプ202でPu>Pumと判断された場合であ
り、この場合はステツプ201で演算されたPuの値
の代りにPumの値をPuとしてセツトし、次のス
テツプ204へ進む。
<Step 203> This is a case where it is determined in step 202 that Pu>Pum. In this case, the value of Pum is set as Pu instead of the value of Pu calculated in step 201, and the process proceeds to the next step 204.

<ステツプ204> デジタルスイツチ22にセツトされた適正露光
量に対応したデータをCPU30で読込む。
<Step 204> The CPU 30 reads data corresponding to the appropriate exposure amount set in the digital switch 22.

<ステツプ205> ステツプ204で読込んだデータに基づいてCPU
30からデータD2を比較器62へ与える。
<Step 205> Based on the data read in step 204, the CPU
30 provides data D 2 to a comparator 62 .

<ステツプ206> CPU30からクリア信号CLを出力してシヤツ
ター駆動回路25によりシヤツター3を開放させ
る。
<Step 206> The CPU 30 outputs a clear signal CL to cause the shutter drive circuit 25 to open the shutter 3.

<ステツプ207> ステツプ206でクリア信号CLの発生と同時にデ
ータD0の内容を定格入力電力値PNからパワーア
ツプ電力値Puに変更し、制御回路24を介して
ランプ1の光強度を増大させる。
<Step 207> At the same time as the clear signal CL is generated in step 206, the content of data D0 is changed from the rated input power value P N to the power-up power value Pu, and the light intensity of the lamp 1 is increased via the control circuit 24.

<ステツプ208> ステツプ206でのクリア信号CLの発生と同時に
CPU30の内のタイマーカウンタ(図示せず)
を作動させ、実際にシヤツター3が開いている時
間を計時する。
<Step 208> At the same time as the clear signal CL is generated in step 206
Timer counter in CPU 30 (not shown)
and measure the time that shutter 3 is actually open.

<ステツプ209> このステツプでは、ストツプ信号SPをモニタ
ーし、ストツプ信号SPがカウンタ61から出力
されたときに次のステツプ210へ進む。
<Step 209> In this step, the stop signal SP is monitored, and when the stop signal SP is output from the counter 61, the process proceeds to the next step 210.

<ステツプ210> ここではカウンタ61からのストツプ信号SP
の到来と同時にCPU30内の前記タイマーカウ
ンタの計時動作を停止する。このときシヤツター
3はストツプ信号SPによりシヤツター駆動回路
25が応動するので閉じられることになる。
<Step 210> Here, the stop signal SP from the counter 61
At the same time, the timer counter in the CPU 30 stops clocking. At this time, the shutter 3 is closed because the shutter drive circuit 25 responds to the stop signal SP.

<ステツプ211> ストツプ信号SPの到来と同時にCPU30がデ
ータD0の内容をPuから再びPNに戻す。
<Step 211> Simultaneously with the arrival of the stop signal SP, the CPU 30 returns the contents of the data D0 from Pu to PN again.

以上に述べた動作によつて露光対象のウエハW
に適正露光量を与えるために必要なシヤツター3
の開放時間、すなわち露光時間teが計測される。
By the operation described above, the wafer W to be exposed is
Shutter 3 necessary to give proper exposure to
The opening time, that is, the exposure time te is measured.

尚、以上の動作はシステムの起動時のみに限ら
ず、ランプ1の劣化によつて光強度が低下した場
合に正確な露光時間teを知るためにも必要であ
る。例えば、ランプ1が新しい場合には、定格入
力電力500W、パワーアツプ時の入力電力1000w
とすると、定格時の光強度Iに対してパワーアツ
プ時は概ね2Iの光強度になる。ところがランプの
劣化により定格入力電力での光強度がI′(但しI′<
I)になるとパワーアツプ時の光強度は概ね
2I′となり、ウエハWに同一の露光量を与えるに
必要な露光時間は前記teより長くなる。またラン
プ1の劣化により、パワーアツプ時に500Wから
1000Wに入力電力を増加したとしても、光強度が
I′から2I′になるものとは限らず、露光時間teはラ
ンプ1の入力電力からは正確に算定できない。こ
のためステツプ200〜211の動作を適宜行なつてウ
エハWの露光動作前に予じめ正確な露光時間teを
求める必要がある。
Note that the above operation is necessary not only when starting up the system, but also in order to know the accurate exposure time te when the light intensity decreases due to deterioration of the lamp 1. For example, if lamp 1 is new, the rated input power is 500W, and the input power at power-up is 1000W.
Assuming this, the light intensity is approximately 2I when the power is increased compared to the light intensity I at the rated time. However, due to deterioration of the lamp, the light intensity at the rated input power decreases to I′ (where I′<
When it comes to I), the light intensity when the power is turned up is approximately
2I', and the exposure time required to give the same amount of exposure to the wafer W is longer than te. Also, due to the deterioration of lamp 1, the power is lower than 500W when the power is turned on.
Even if the input power is increased to 1000W, the light intensity will still be
The exposure time te cannot be calculated accurately from the input power of the lamp 1, as the value does not necessarily change from I' to 2I'. For this reason, it is necessary to perform the operations of steps 200 to 211 as appropriate to obtain an accurate exposure time te in advance before the exposure operation of the wafer W.

さてステツプ211でランプ1への入力電力を定
格値PNに戻したのち、次のステツプ212へ進む。
Now, in step 211, the input power to the lamp 1 is returned to the rated value PN, and then the process proceeds to the next step 212.

<ステツプ212> このステツプでは、CPU30はデジタルスイ
ツチ23にセツトされている値、すなわちステツ
プアンドリピート動作のウエハW上の露光フイー
ルドから次の露光フイールドまでのステージ移動
量(ステツピング量)DLを続込む。
<Step 212> In this step, the CPU 30 continues the value set in the digital switch 23, that is, the amount of stage movement (stepping amount) DL from one exposure field to the next exposure field on the wafer W in step-and-repeat operation. .

<ステツプ213> このステツプから以降は、移動量DLに基づい
てステツピング時間tSとパワーダウン電力Pdとを
求めるものであり、第9図も参照して説明すれ
ば、以下の通りである。
<Step 213> From this step onwards, the stepping time t S and the power down power Pd are determined based on the movement amount DL, and will be explained with reference to FIG. 9 as follows.

第9図はステージ10の移動距離と時間との関
係を示しており、ステージ10は等加速度制御さ
れるものとして示してある。
FIG. 9 shows the relationship between the moving distance of the stage 10 and time, and the stage 10 is shown as being subjected to constant acceleration control.

第9図において、ステージ10が位置P0から
距離DL1だけ離れた位置P1まで移動する場合は、
P0から加速特性LA(加速度a)に従つて一定の
傾きで速度が上昇し、P0からDL1/2だけ離れた
位置からは減速特性LB(加速度−a)に従つて一
定の傾きで速度が低下し、位置P1で速度がO1
なわち停止する。そこで、この場合のステツピン
グ時間tSを求める。
In FIG. 9, when the stage 10 moves from position P 0 to position P 1 which is a distance DL 1 away,
From P 0 , the speed increases at a constant slope according to the acceleration characteristic LA (acceleration a), and from a position DL 1 /2 away from P 0 , the speed increases at a constant slope according to the deceleration characteristic LB (acceleration - a). The speed decreases and at position P 1 the speed reaches O 1 or stops. Therefore, the stepping time t S in this case is determined.

ステージ10がP0からDL1/2だけ移動する時
間は、P0からP1まで移動するに要する時間の丁
度半分であることはこの特性LA、LBから明らか
であるから、ステージ10の初速度が零の条件下
で、 DL1/2=at2/2(t:時間) 従つて t=√1 となり、結局、位置P0からP1までのステツピン
グ時間tSは、 tS=2√1 ……(1) となる。
It is clear from these characteristics LA and LB that the time it takes for stage 10 to move by DL 1 /2 from P 0 is exactly half the time it takes to move from P 0 to P 1 , so the initial velocity of stage 10 Under the condition that is zero, DL 1 /2 = at 2 /2 (t: time) Therefore, t = √ 1 , and in the end, the stepping time t S from position P 0 to P 1 is t S = 2√ 1 ...(1).

一方、加速特性LAは無限に上昇するわけでは
なく、最高速度Vmで制限される。このためDL
がDL2のように長くなると、ステージ10は、加
速特性LA→定速特性LC→減速特性LDの順に制
御されることになる。
On the other hand, the acceleration characteristic LA does not increase infinitely, but is limited by the maximum speed Vm. For this reason, DL
When becomes as long as DL 2 , the stage 10 is controlled in the order of acceleration characteristic LA → constant speed characteristic LC → deceleration characteristic LD.

そこで位置P0からDL2だけ離れた位置P2までス
テージ10が移動するときは、加速特性LAと減
速特性LDとのそれぞれの間に進む距離dmと、そ
れに要する時間tmとが予じめステージ10に固
有の特性値として判つているので、定速特性LC
中での移動時間tcを、 tc=(DL2−2dm)/Vm によつて求める。これにより合計のステツピング
時間tSは、 tS=2tm+(DL−2dm)/Vm ……(2) として演算により求めることができる。
Therefore, when the stage 10 moves from the position P 0 to the position P 2 which is DL 2 apart, the distance dm to be traveled between the acceleration characteristic LA and the deceleration characteristic LD and the time tm required for it are determined in advance on the stage. Since it is known as a characteristic value specific to 10, the constant speed characteristic LC
The travel time tc inside is determined by tc=(DL 2 −2dm)/Vm. As a result, the total stepping time tS can be calculated as tS =2tm+(DL-2dm)/Vm (2).

このようにしてこのステツプ213では移動量DL
がDL>2dmかどうかを判断し、DL>2dmが真な
らばステツプ214へ、DL2dmなら215へ進む。
In this way, in this step 213, the movement amount DL is
It is determined whether or not DL>2dm, and if DL>2dm is true, proceed to step 214, and if DL2dm, proceed to step 215.

<ステツプ214> DL>2dmの場合に式(2)によつてtSを求める。<Step 214> If DL>2dm, calculate tS using equation (2).

<ステツプ215> DL2dmの場合に式(1)によつてtSを求める。<Step 215> In the case of DL2dm, t S is determined using equation (1).

<ステツプ216> ステツプ214または215で求められたtSとステツ
プ210までで計時した露光時間teに基づいてパワ
ーダウン時の減少電力値Pdを演算する。すなわ
ち、1枚のウエハW上での露光の繰返し数をm回
とすると、パワーダウンは各露光タイミングの間
のステツピング時に行なわれるのでその回数は
(m−1)回である。このパワーダウン電力値Pd
の算定について第10図を共に説明すれば次の通
りである。
<Step 216> Based on t S obtained in step 214 or 215 and the exposure time te measured up to step 210, a reduced power value Pd during power down is calculated. That is, if the number of repetitions of exposure on one wafer W is m times, the power down is performed during stepping between each exposure timing, so the number of times is (m-1). This power down power value Pd
The calculation of , with reference to FIG. 10, is as follows.

第10図において、1枚のウエハWに対する最
初の露光開始から最後の露光終了までの時間Tk
においてランプ1に入力される平気電力PAは、 PA={m・te・Pu+(m−1)・tS}/Tk この平均電力PAを定格入力電力PNと等しく定
めるとすれば、上式よりパワーダウン電力Pdは Pd={PN・Tk−m・te・Pu}/{(m−1)・
tS} ここでTk=m・te+(m−1)tSであるから Pd=Pk−{m・te(Pu−PN)/(m−1)tS
……(3) となる。
In FIG. 10, the time T k from the start of the first exposure to the end of the last exposure for one wafer W
The normal power P A input to the lamp 1 at For example, from the above formula, the power down power Pd is Pd={P N・T k −m・te・Pu}/{(m−1)・
t S } Here, T k =m・te+(m−1)t S , so Pd=Pk−{m・te(Pu−P N )/(m−1)t S }
...(3) becomes.

例えばPN=500W、Pu=1000Wとしたとき、te
=0.3sec、tS=0.8secと算定されて、m=50とす
ると、Pdは、 Pd=500−50×0.3×(1000−500)/49×0.8 ≒309W と算出される。
For example, when P N = 500W and Pu = 1000W, te
=0.3sec, tS =0.8sec, and if m=50, Pd is calculated as Pd=500-50×0.3×(1000-500)/49×0.8≈309W.

尚、mが大きければ式(3)は Pd=PN−te(Pu−PN)/tS ……(3a) と近似してもよい。 Note that if m is large, equation (3) may be approximated as Pd=P N -te(Pu-P N )/t S (3a).

<ステツプ217> このステツプでは、前ステツプで算出されたパ
ワーダウン電力Pdが瞬間最低入力電力Pdmより
も大きいか否かを判断する。Pdmより小さい入
力電力ではランプ1が点灯を維持できる、再点灯
のためのランプ起動操作が必要となつてしまう。
従つてこのステツプ217でPdとPdmを比較し、
PdPdmならそのまま元の第7図のプログラム
に戻つてステツプ101へ進み、Pd<Pdmから次の
ステツプ218を経由してからステツプ101へ進む。
<Step 217> In this step, it is determined whether the power-down power Pd calculated in the previous step is larger than the instantaneous minimum input power Pdm. If the input power is lower than Pdm, the lamp 1 can remain lit, but a lamp starting operation is required to restart the lamp.
Therefore, in this step 217, Pd and Pdm are compared,
If PdPdm, the program returns to the original program shown in FIG. 7 and proceeds to step 101, and if Pd<Pdm, the program proceeds to step 101 after passing through the next step 218.

<ステツプ218> ステツプ217でPd<Pdmと判断された場合であ
り、この場合はPdとしてPdmの値を用いるよう
セツトする。すなわちここでパワーダウン電力値
の下限を制限している。
<Step 218> This is a case where it is determined in step 217 that Pd<Pdm, and in this case, the value of Pdm is set to be used as Pd. That is, the lower limit of the power-down power value is limited here.

以上の第8図のサブルーチン、すなわちイニシ
ヤライズステツプ100が終了すると第7図のフロ
ーに戻つてウエハWへの露光動作に入る。第7図
においてイニシヤルライズ後の最初のステツプは
ウエハWのアライメントのためのステツプ101で
ある。
When the subroutine shown in FIG. 8, ie, the initialization step 100, is completed, the process returns to the flow shown in FIG. 7 and starts the exposure operation on the wafer W. In FIG. 7, the first step after initialization is step 101 for alignment of the wafer W.

<ステツプ101> ステージ10にウエハWを搬送し、ウエハWを
露光位置に正確に位置決め(アライメント)す
る。このアライメント後の動作では、ステツプア
ンドリピート露光のためのステージ10の動作に
同期して光源制御動作が第10図に示すようなラ
ンプ入力電力パターンで行なわれ、以下のステツ
プ102以降が順次実行される。
<Step 101> The wafer W is transferred to the stage 10, and the wafer W is accurately positioned (aligned) at the exposure position. In the operation after this alignment, the light source control operation is performed in synchronization with the operation of the stage 10 for step-and-repeat exposure using a lamp input power pattern as shown in FIG. Ru.

<ステツプ102> ステージ10のステツピング移動によつてウエ
ハW上の所定位置にレチクルRのパターン像の投
影位置を合わせる。
<Step 102> The projection position of the pattern image of the reticle R is adjusted to a predetermined position on the wafer W by stepping movement of the stage 10.

<ステツプ103> CPU30からクリア信号CLを出力してシヤツ
タ3を開く。
<Step 103> The CPU 30 outputs a clear signal CL to open the shutter 3.

<ステツプ104> ステツプ103でのクリア信号CLの出力と同時に
CPU30からDAC49に与えるデータD0をパワ
ーアツプ電力値Puに対応した内容にし、定格電
力PNで点灯しているランプ1の入力電力をパワ
ーアツプ電力Puに増加する。
<Step 104> At the same time as the clear signal CL is output in step 103
The data D0 given from the CPU 30 to the DAC 49 is made to correspond to the power-up power value Pu, and the input power of the lamp 1, which is lit at the rated power P N , is increased to the power-up power Pu.

<ステツプ105> ストツプ信号SPの到来をモニターし、比較器
CPからのストツプ信号SPがCPU30に入力され
たときにはステツプ106へ進む。尚、このときの
シヤツター3の開放時間は前述ステツプ204およ
び205で既にセツトされた露光時間teである。
<Step 105> The arrival of the stop signal SP is monitored, and the comparator
When the stop signal SP from the CP is input to the CPU 30, the process advances to step 106. Incidentally, the opening time of the shutter 3 at this time is the exposure time te already set in steps 204 and 205 described above.

<ステツプ106> ウエハW上への露光回撰をチエツクし、所定数
m以下のときはステツプ107へ、mに達したとき
はステツプ108へ進む。
<Step 106> Check the exposure number on the wafer W, and if it is less than a predetermined number m, proceed to step 107, and if it reaches m, proceed to step 108.

<ステツプ107> ステツプ106で露光回数がmに達していないと
判断された場合であり、このときはCPU30に
よるデータD0の内容をパワーダウン電力値Pdに
対応したものにしてランプ1の入力電力をPdに
下げ、ステツピング時間tSの後に再びステツプ
102へ戻つ露光を繰返す。
<Step 107> This is a case where it is determined in step 106 that the number of exposures has not reached m, and in this case, the input power of the lamp 1 is changed by changing the contents of the data D0 by the CPU 30 to correspond to the power down power value Pd. to Pd and step again after stepping time t S.
Repeat exposure returning to step 102.

<ステツプ108> ステツプ106で露光回数がmに達したことが検
出されると、ランプ1の入力電力を定格値PN
戻し、一枚のウエハに対する露光動作を終了す
る。
<Step 108> When it is detected in step 106 that the number of exposures has reached m, the input power of the lamp 1 is returned to the rated value P N and the exposure operation for one wafer is completed.

以上でウエハ1枚についての露光時の光源制御
動作が終了するが、次のウエハの露光が引き続き
行なう場合にはステツプ101から同様に繰り返せ
ばよい。第10図において時間Tkが1枚のウエ
ハについての露光に要する時間、Tcは露光終了
後にウエハを搬出し次のウエハの搬入・アライメ
ントを行なうに要する時間である。またフオトレ
ジストの違いや、その厚さの違い等、ウエハの種
類が変つた場合、或いは露光時間の変更の場合
は、ステツプ100でイニシヤライズが実行される。
This completes the light source control operation during exposure for one wafer, but if the next wafer is to be exposed subsequently, the same steps can be repeated from step 101. In FIG. 10, time Tk is the time required to expose one wafer, and Tc is the time required to carry out the wafer after exposure and carry in and align the next wafer. Further, if the type of wafer changes, such as a difference in photoresist or thickness, or if the exposure time changes, initialization is executed in step 100.

以上に述べた実施例において、第8図のステツ
プ217と218はパワーダウン時の下限入力電力を制
限するものであるが、露光時間te、ステツピング
時間tS、およびパワーアツプ電力Puの値によつて
はPd<Pdmとなる場合もある。例えばPN=500W
のときにPu=1000W、te=tSとするとm=50の場
合に式(3)に従えばPd≒0になつてしまう。
In the embodiment described above, steps 217 and 218 in FIG. 8 limit the lower limit input power during power down, but depending on the values of exposure time te, stepping time t S and power up power Pu. In some cases, Pd<Pdm. For example, P N =500W
When Pu=1000W and te= tS , if m=50 and formula (3) is followed, Pd≈0.

一般に水銀放電灯の瞬間最低入力電力Pdmは
定格電力PNの1/2〜1/3程度であり、従つて上記
の場合、PdとしてPdmの値がセツトされるが、
この状態で露光動作を行なうと平均入力電力PA
は定格電力PNより大きくなることになる。
Generally, the instantaneous minimum input power Pdm of a mercury discharge lamp is about 1/2 to 1/3 of the rated power P N. Therefore, in the above case, the value of Pdm is set as Pd.
If an exposure operation is performed in this state, the average input power P A
will be larger than the rated power P N.

そこでこのような場合にステツプ217でPd<
Pdmと判断されたときにステツプ200でパワーア
ツプ率Cを小さくするように補正して再演算を行
なわせ、パワーアツプ電力Puの最適値を求める
ようにしてもよい。またそれでもだめなときには
警報を生じるか、或いはフラツシユ(変光動作)
させない通常の露光に切替えるようにするのがよ
い。
Therefore, in such a case, in step 217, Pd<
When it is determined that Pdm, the power-up rate C may be corrected to be smaller in step 200 and recalculation may be performed to determine the optimum value of the power-up power Pu. If that doesn't work, it will issue an alarm or flash (variable light operation).
It is better to switch to normal exposure, which does not allow exposure.

また、パワーアツプ時の電力Puは、パワーア
ツプ率Cで入力するようにして電力に比例した入
力値を与えていたが、露光時の光強度を定格電力
PNでの光強度の何倍にするかなどの入力方式に
してもよい。この場合、定格電力PNのときの光
強度とパワーアツプ時の光強度とを比較してその
比が入力した設定値になるようにデータD0をい
ろいろ変えて入力し、その設定した光強度になつ
たときのデータD0をパワーアツプ時の電力Puの
値とするようにする。尚、このためには例えばラ
ンプ1とシヤツター3との間に、シヤツター3の
動作とは無関係にランプ1の光を常時受光する受
光素子を設けておくと便利である。
In addition, the power Pu at power-up was inputted at the power-up rate C to give an input value proportional to the power, but the light intensity at the time of exposure was calculated using the rated power.
An input method such as how many times the light intensity at P N may be used may be used. In this case, compare the light intensity when the rated power is P N and the light intensity when the power is turned up, change the data D 0 in various ways so that the ratio becomes the input setting value, and input the data D 0 to the set light intensity. Set the data D 0 at the time of power-up to be the value of the power Pu at power-up. For this purpose, it is convenient to provide, for example, between the lamp 1 and the shutter 3 a light receiving element that always receives the light from the lamp 1 regardless of the operation of the shutter 3.

また本実施例では平均入力電力PAが定格入力
電力PNと等しくなるようにしたが、平均入力電
力PAは定格入力電力値PNより大きくしてもよく、
その量はランプ1の特性によつて支配され、連続
して入力できる最大電力が定格入力電力PNより
もどれだけ大きく許容され得るかによつて定ま
る。水銀放電灯の場合、その許容値は比較的小さ
く、また使用条件、特に冷却条件によつても変化
する。好ましくは水銀放電灯を強制空冷し、露光
動作中の空冷フアンの送風量を増すなどの工夫を
するのがよい。
Furthermore, in this embodiment, the average input power P A is set to be equal to the rated input power P N , but the average input power P A may be larger than the rated input power value P N.
The amount is governed by the characteristics of the lamp 1 and is determined by how much larger the maximum power that can be continuously input can be allowed to be than the rated input power P N. In the case of mercury discharge lamps, the tolerances are relatively small and also vary depending on the conditions of use, especially the cooling conditions. Preferably, the mercury discharge lamp is forcedly air-cooled, and the amount of air blown by the air-cooling fan during exposure operation is increased.

例えばPN=500W、Pu=1000W、te=0.3sec、
tS=0.5secの条件でmが大きいとPdは約200W程
度になることが考えられ、このときPdm=250W
とすると、Pdは250Wにセツトされるから平均入
力電力PAは531Wになる。そこで、この平均入力
電力PAの定格入力電力PNからの上昇分に応じて
空冷フアンの送風量を増加するように制御系を組
んでもよい。
For example, P N = 500W, Pu = 1000W, te = 0.3sec,
If m is large under the condition of t S = 0.5 sec, Pd may be approximately 200 W, and in this case Pdm = 250 W.
Then, since Pd is set to 250W, the average input power P A is 531W. Therefore, a control system may be configured to increase the amount of air blown by the air cooling fan in accordance with the increase in average input power PA from rated input power P N.

尚、上記の例において、逆にPd=250W(=
Pdm)となるようにパワーアツプ電力Puと露光
時間teとを定めることも前述のように可能であ
り、例えばPN=500W、tS=0.5sec、を与えて、
式(3)の近似式(3a)を用い、te=0.3secでPu=
1000Wとなる関係が近似的に反比例するものと
し、露光量K=Pu・te=300と仮定して求めてみ
ると、 250=500−te(Pu−500)/0.5 従つてte=0.35sec、Pu=857Wが求まる。
In addition, in the above example, conversely, Pd=250W (=
As mentioned above, it is also possible to set the power-up power Pu and the exposure time te so that Pdm). For example, by giving P N = 500 W and t S = 0.5 sec,
Using approximation formula (3a) of formula (3), when te=0.3sec, Pu=
Assuming that the relationship of 1000W is approximately inversely proportional, and assuming that the exposure amount K=Pu・te=300, we get: 250=500−te(Pu−500)/0.5 Therefore, te=0.35sec, Find Pu=857W.

さらに前述の実施例では、ウエハの露光動作に
入る前に一度シヤツター3を開き、露光時間teを
予備計測したが、必ずしもその必要のない場合も
ある。例えばウエハへの最初の露光シヨツト時に
teを計時し、その値に基づいて次の露光時までに
第8図に示した演算を済ませてパワーダウン電力
Pdを求めておき、2回目の露光シヨツト以降で
パワーダウンさせるようにすることも可能であ
る。この場合、第1シヨツトと第2シヨツトとの
間では、パワーダウンが行なわれないか、或いは
行なつたとしても例えばPdmにパワーダウンす
るかであるが、露光回数mが多ければ多いほど時
間TK内での平均入力電力PAと定格入力電力PN
の差は小さくなり、実用上は大差ないことにな
る。
Further, in the above-described embodiment, the shutter 3 was opened once and the exposure time te was preliminarily measured before starting the wafer exposure operation, but this may not necessarily be necessary. For example, during the first exposure shot on a wafer.
te is measured, and based on that value, the calculation shown in Figure 8 is completed before the next exposure, and the power is turned down.
It is also possible to calculate Pd in advance and power down after the second exposure shot. In this case, between the first shot and the second shot, power down is either not performed, or even if it is, the power is down to, for example, Pdm, but the greater the number of exposures m, the shorter the time T. The difference between the average input power P A and the rated input power P N within K becomes small, and there is not much difference in practical use.

第11図は本発明の第2実施例に係る測光回路
系のブロツク図で、測光回路21としてアナログ
−デジタル変換器(ADC)65を用い、VFC6
0とカウンタ61による光量積分の代りに、シヤ
ツター3の時間制御を行なうようにしたものであ
る。
FIG. 11 is a block diagram of a photometric circuit system according to a second embodiment of the present invention, in which an analog-to-digital converter (ADC) 65 is used as the photometric circuit 21, and a VFC6
0 and the light amount integral by the counter 61, the shutter 3 is time-controlled.

第11図において、ADC65は光電信号S1
レベルをデジタルデータD3に変換する。この場
合、ADC65は、CPU30からの信号S3に応答
してそのときの光電信号S1のレベルを変換するも
のである。発振器(OSC)66は一定周期のク
ロツク信号CLKをCPU30に与え、CPU30は
シヤツター3の開放信号(クリア信号)CLとシ
ヤツター3を閉じるためのストツプ信号SPとを
シヤツター駆動回路25に与える。
In FIG. 11, the ADC 65 converts the level of the photoelectric signal S1 into digital data D3 . In this case, the ADC 65 responds to the signal S 3 from the CPU 30 and converts the level of the photoelectric signal S 1 at that time. An oscillator (OSC) 66 supplies a constant cycle clock signal CLK to the CPU 30, and the CPU 30 supplies the shutter drive circuit 25 with an open signal (clear signal) CL for the shutter 3 and a stop signal SP for closing the shutter 3.

この第11図の例の動作を第12図のフローチ
ヤートにより説明する。尚、この第12図はウエ
ハ1枚分の露光動作について示してある。
The operation of the example shown in FIG. 11 will be explained with reference to the flowchart shown in FIG. Note that FIG. 12 shows the exposure operation for one wafer.

最初のステツプ150は、第7図の場合のステツ
プ102と同様のステージのステツピングを行なう
ステツプである。
The first step 150 is a stepping step similar to step 102 in FIG.

ところで、シヤツター3は、開放信号CLが生
じてから全開に達するまで、またはストツプ信号
SPが生じてから全閉にするまで、それぞれ動作
時間が必要である。ウエハに対する光強度変化と
してのシヤツター3の動作特性について第13図
と共に少し説明すると、第13図でシヤツター3
の開放信号CLが時点t1で出力されるとシヤツタ
ー全開になるのはその後の時点t2であり、その作
動時間は(t2−t1)である。またストツプ信号SP
が時点t3で出力されると全閉になるのは時点t4
あり、その作動時間は(t4−t3)である。一般に
この作動時間はシヤツター3の開動作と閉動作と
で等しい。前述の第6図に関する実施例では時点
t1からt4までの間はランプ1のパワーアツプ動作
を行なうものとしたが、実際にはこの例のように
シヤツター3の閉成と同時、すなわち時点t3でパ
ワーダウンを開始(つまり時点t1〜t3間でパワー
アツプ)するものとする。従つてウエハ上での光
強度特性は第14図のように制御されることにな
り、例えば時点t1からt3まではパワーアツプ電力
1000Wが入力され、時点t3からはパワーダウンで
定格電力500Wの半分の250Wが入力され、このよ
うにしてシヤツター閉動作時の露光量(t4
t3)・I2/2が極めて小さくなるように制御され
得るものである。
By the way, the shutter 3 is operated from the time when the open signal CL is generated until it reaches full open, or when the stop signal is
Each operation time is required from when SP occurs until fully closed. The operating characteristics of the shutter 3 as a result of changes in light intensity with respect to the wafer will be briefly explained with reference to FIG. 13.
When the release signal CL is output at time t1 , the shutter becomes fully open at time t2 , and the operating time is ( t2 - t1 ). Also, stop signal SP
is output at time t3 , it becomes fully closed at time t4 , and its operating time is ( t4 - t3 ). Generally, this operating time is equal for the opening and closing operations of the shutter 3. In the embodiment related to FIG. 6 above, the time point
Although it is assumed that the lamp 1 is powered up from t1 to t4 , in reality, as in this example, the power down is started at the same time as shutter 3 is closed, that is, at time t3 (that is, at time t3). 1 to t3 ). Therefore , the light intensity characteristics on the wafer are controlled as shown in FIG .
1000W is input, and from time t3 , 250W, half of the rated power of 500W, is input with power down, and in this way, the exposure amount when the shutter is closed ( t4
t 3 )·I 2 /2 can be controlled to be extremely small.

従つて本実施例においては時点t1からt3までの
露光量を適正露光量にし、その量(t2−t1)I1
2+(t3−t2)I1から全開時間(t3−t2)を演算し、
シヤツター3を閉じるものとする。この場合、
(t2−t1)はシヤツター自体に固有の一定値であ
るからこれをTaとし、また(t3−t2)をTx、適
正露光量をEとすると、 (Ta/2+Tx)I=KE(但しKは定数) 従つてTx=KE/I−Ta/2となる。ここで
光強度IはADC65からのデータD2で判るから、
Txは、 Tx=KE/D3−Ta/2 ……(4) として求められる。
Therefore, in this embodiment, the exposure amount from time t 1 to t 3 is set as the appropriate exposure amount, and the amount (t 2 - t 1 )I 1 /
2 + (t 3 − t 2 )I 1 to calculate the full open time (t 3 − t 2 ),
Assume that shutter 3 is closed. in this case,
Since (t 2t 1 ) is a constant value unique to the shutter itself, let it be Ta, and let (t 3 − t 2 ) be Tx and the appropriate exposure amount be E, then (Ta/2+Tx)I=KE (However, K is a constant) Therefore, Tx=KE/I-Ta/2. Here, the light intensity I can be determined from the data D2 from the ADC65, so
Tx is obtained as Tx=KE/D 3 −Ta/2 (4).

さてステツプ151ではシヤツター3の作動時間
すなわちTaに応じた値がCPU30の内部カウン
タTM1(図示せず)にセツトされる。ステツプ
152でパワーアツプし、ステツプ153でシヤツター
3を閉じる。
At step 151, a value corresponding to the operating time of the shutter 3, that is, Ta, is set in the internal counter TM1 (not shown) of the CPU 30. step
Power up at step 152 and close shutter 3 at step 153.

ステツプ154ではクロツク信号CLKの有無を判
断し、CLKがあればステツプ155でカウンタTM1
の値が0かどうか判断し、TM1≠0ならステツ
プ156のTM1の値から1クロツク分、すなわち1
を減算し、再びステツプ154に戻る。これを繰返
してTM1=0になると(第14図の時点t2)、ス
テツプ157でCPU30が信号S3を出力し、ADC6
5の変換動作を行なつてステツプ158でその変換
データD3を読込む。
In step 154, the presence or absence of the clock signal CLK is determined. If CLK is present, the counter TM1 is set in step 155.
If the value of TM1 is 0, then the value of TM1 in step 156 is changed by one clock, that is, 1
, and return to step 154 again. When this is repeated and TM1 becomes 0 (time t 2 in FIG. 14), the CPU 30 outputs the signal S 3 in step 157, and the ADC 6
5 is performed, and the converted data D3 is read in step 158.

ステツプ159で前述の式(4)に基づいてTxを求
め、CPU30の別の内部カウンタTM2(図示せ
ず)にそのTxの値をセツトする。尚、Eは予じ
めデジタルスイツチ22から与えておくことは述
べるまでもない。またTa/2はシヤツター自体
の特性値であつて通常は10〜数msecである。
In step 159, Tx is determined based on the above equation (4), and the value of Tx is set in another internal counter TM2 (not shown) of the CPU 30. It goes without saying that E is given in advance from the digital switch 22. Further, Ta/2 is a characteristic value of the shutter itself, and is usually 10 to several milliseconds.

ステツプ160ではクロツク信号CLKの有無をモ
ニターし、CLKがあればステツプ161でカウンタ
TM2が0か否かを判断し、TM2≠0ならステツ
プ162でカウンタTM2の値をデイクリメント(−
1)してステツプ160から繰返す。
In step 160, the presence or absence of the clock signal CLK is monitored, and if CLK is present, the counter is activated in step 161.
It is determined whether TM2 is 0 or not, and if TM2≠0, the value of counter TM2 is decremented (-
1) and repeat from step 160.

ステツプ161でTM2=0になると第(14図の
時点T3)、ステツプ163でCPU30がストツプ信
号SPを出力し、シヤツター3の閉動作を開始す
ると同時に、ステツプ164でパワーダウンを開始
する。ちなみに、水銀放電灯の場合、パワーアツ
プ、パワーダウンの応答時間は一般に極めて短か
く、1msec程度である。
When TM2 becomes 0 in step 161 (time T 3 in FIG. 14), the CPU 30 outputs a stop signal SP in step 163 and starts the closing operation of the shutter 3, and simultaneously starts power down in step 164. By the way, in the case of mercury discharge lamps, the response time for power up and power down is generally extremely short, about 1 msec.

ステツプ165でウエハ上にm回の露光が行なわ
れたか否かを判断し、m回未満ならステツプ150
から繰返し、m回に達したならばステツプ166で
ランプ入力電力を定格値PNに戻して終了する。
In step 165, it is determined whether m exposures have been performed on the wafer, and if it is less than m, step 150 is performed.
The process is repeated from 1 to 3, and when the process reaches m times, the lamp input power is returned to the rated value P N in step 166, and the process ends.

この実施例によれば、シヤツター3の閉動作時
の作動遅れによる露光量が極めて小さくなるの
で、シヤツターの閉成が始つたら直ちにステージ
10のステツピングを開始してもウエハ上に与え
る不要露光量は小さく、パターン像の流れを生じ
ることがない。このためステツピング動作の開始
時期を早めることができ、1枚のウエハに対する
m回の露光処理の全体時間を短縮できる利点があ
る。
According to this embodiment, the amount of exposure due to the delay in the closing operation of the shutter 3 is extremely small, so even if stepping of the stage 10 is started immediately after the closing of the shutter 3 starts, the amount of unnecessary exposure given to the wafer is is small and does not cause pattern image flow. Therefore, there is an advantage that the stepping operation can be started earlier, and the overall time for exposure processing m times for one wafer can be shortened.

本発明のその他の変形例として、ランプ1の定
格入力電力での露光時間teを求めたのち、予備露
光等によつて、パワーアツプによる露光動作中の
露光時間teを所定値にするために必要なパワーア
ツプ電力Puを演算し、そのPu、te、tSに基づい
てパワーダウン電力Pdを演算してからウエハの
露光を開始するようにしてもよい。
As another modification of the present invention, after determining the exposure time te at the rated input power of the lamp 1, the exposure time te required for setting the exposure time te during the power-up exposure operation to a predetermined value is determined by preliminary exposure or the like. The exposure of the wafer may be started after calculating the power-up power Pu and calculating the power-down power Pd based on Pu, te, and tS .

さらにまた本発明によつて露光量を制御する場
合、ランプ1からは供給電力に応じた光強度が得
られるので、各露光毎の露光量を、例えばVFC
とカウンタの如き積分手段などで測定して制御す
る必要は必ずしもなく、繰返し露光の開始前に定
常時の光強度を一度計測しておくだけでも露光量
の制御が充分可能である。
Furthermore, when controlling the exposure amount according to the present invention, the light intensity corresponding to the supplied power is obtained from the lamp 1, so the exposure amount for each exposure can be controlled by, for example,
It is not necessarily necessary to measure and control using an integrating means such as a counter, and it is sufficient to control the exposure amount by simply measuring the light intensity at a steady state once before starting repeated exposure.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のように本発明によれば、ランプに供給さ
れる平均電力は一定であるから、ランプ内のガス
圧、電極温度をほぼ一定に保つことができ、繰返
し露光の断続的なパワーアツプに対しても、その
最初と最後で発光効率の変化による光強度の変化
は生じることがない。またこのように制御するこ
とでランプに対する過大入力の防止、ランプ寿命
低下の防止、ランプ破損事故の防止が達成される
ものである。
As described above, according to the present invention, since the average power supplied to the lamp is constant, the gas pressure inside the lamp and the electrode temperature can be kept almost constant, and the intermittent power increase due to repeated exposure can be avoided. However, there is no change in light intensity due to a change in luminous efficiency between the beginning and the end. Furthermore, by controlling in this manner, it is possible to prevent excessive input to the lamp, to prevent shortening of lamp life, and to prevent lamp breakage accidents.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図a,bは光源への入力電力の経時変化パ
ターンを示す線図、第2図は本発明の適用対象例
としての縮小投影型露光装置の概略構成を示す光
路図、第3図はそのシヤツターの拡大平面図、第
4図は同じく露光装置の全体の制御系を示すブロ
ツク図、第5図は光源制御回路の具体例を示すブ
ロツク図、第6図は測光回路の第1実施例を示す
ブロツク図、第7図は光源制御動作の一例を示す
フローチヤート図、第8図は第7図のイニシヤラ
イズステツプのサブルーチンを示すフローチヤー
ト図、第9図はステージのステツピング移動の速
度対距離線図、第10図は露光動作中のランプへ
の入力電力変化パターンを示す線図、第11図は
測光回路の第2実施例を示すブロツク図、第12
図はその動作説明用のフローチヤート図、第13
図はシヤツターの動特性線図、第14図はウエハ
上の露光特性を示す線図である。 1:光源ランプ、3:シヤツター、R:レチク
ル、9:受光素子、10:ステージ、W:ウエ
ハ、21:測光回路、22,23:デジタルスイ
ツチ、24:光源制御回路、25:シヤツター駆
動回路、26:測長装置、27:ステージドライ
バー、30:CPU、60:VFC、61:カウン
タ、62:比較器、65:デジタル−アナログ変
換器、66:発振器。
1A and 1B are diagrams showing the temporal change pattern of the input power to the light source, FIG. An enlarged plan view of the shutter, FIG. 4 is a block diagram showing the overall control system of the exposure apparatus, FIG. 5 is a block diagram showing a specific example of the light source control circuit, and FIG. 6 is a first embodiment of the photometry circuit. 7 is a flowchart showing an example of the light source control operation, FIG. 8 is a flowchart showing the subroutine of the initialization step in FIG. 7, and FIG. 9 is a flowchart showing the speed of stepping movement of the stage. 10 is a diagram showing the change pattern of the input power to the lamp during exposure operation, FIG. 11 is a block diagram showing the second embodiment of the photometry circuit, and FIG.
The figure is a flowchart for explaining the operation, No. 13.
This figure is a dynamic characteristic diagram of the shutter, and FIG. 14 is a diagram showing exposure characteristics on a wafer. 1: light source lamp, 3: shutter, R: reticle, 9: light receiving element, 10: stage, W: wafer, 21: photometry circuit, 22, 23: digital switch, 24: light source control circuit, 25: shutter drive circuit, 26: Length measuring device, 27: Stage driver, 30: CPU, 60: VFC, 61: Counter, 62: Comparator, 65: Digital-analog converter, 66: Oscillator.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 光源を第1の発光強度による発光とそれより
低い第2の発光強度による発光とで周期的に繰り
返して発光動作させる光源制御装置において、前
記発光動作中の光源への平均入力電力を予じめ定
められた値に保つように、光源が第1の発光強度
となる第1の期間または第2の発光強度となる第
2の期間中の光源への入力電力を制御する電力制
御装置を備えたことを特徴とする光源制御装置。 2 前記発光動作中の光源への平均入力電力を光
源の定格入力電力値に保持するようにした特許請
求の範囲第1項に記載の光源制御装置。 3 第1の期間と第2の期間との発光動作のデユ
ーテイー比と、第1の期間中の光源への入力電力
値とに基づいて第2の期間中の光源への入力電力
を制御するようにした特許請求の範囲第1項また
は第2項のいずれかに記載の光源制御装置。
[Scope of Claims] 1. In a light source control device that causes a light source to periodically and repeatedly emit light with a first light emission intensity and a second light emission intensity that is lower than the first light emission intensity, Controlling the input power to the light source during the first period when the light source has a first emission intensity or during the second period when the light source has a second emission intensity so as to maintain the average input power at a predetermined value. 1. A light source control device comprising a power control device. 2. The light source control device according to claim 1, wherein the average input power to the light source during the light emission operation is maintained at the rated input power value of the light source. 3. Control the input power to the light source during the second period based on the duty ratio of the light emission operation between the first period and the second period and the input power value to the light source during the first period. A light source control device according to claim 1 or 2.
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