JPH05251400A - Ito dry etching method - Google Patents
Ito dry etching methodInfo
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- JPH05251400A JPH05251400A JP5063192A JP5063192A JPH05251400A JP H05251400 A JPH05251400 A JP H05251400A JP 5063192 A JP5063192 A JP 5063192A JP 5063192 A JP5063192 A JP 5063192A JP H05251400 A JPH05251400 A JP H05251400A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えば液晶表示デバイ
スのための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をガラス基板上
に作成するにあたり形成したＩＴＯ（Indium Tin Oxid
e) 膜をドライエッチングして透明電極を得る等に採用
できるＩＴＯのドライエッチング方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to an ITO (Indium Tin Oxid) formed when a thin film transistor (TFT) for a liquid crystal display device is formed on a glass substrate.
e) The present invention relates to a dry etching method for ITO that can be used for dry etching a film to obtain a transparent electrode.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、ＩＴＯのエッチングにはエッチン
グ液によるウエットエッチングが採用されていたが、こ
のウエットエッチング法は、エッチングが等方的に行わ
れるため、得ようとするパターン乃至電極にいわゆるア
ンダーカットが発生したり、異常エッチングが発生する
など、様々の難点があることから、最近ではドライエッ
チングが注目されている。2. Description of the Related Art Conventionally, wet etching using an etching solution has been employed for etching ITO. However, this wet etching method isotropic because the etching is carried out, and so-called under etching is applied to the pattern or electrode to be obtained. Recently, dry etching has attracted attention because it has various problems such as cutting and abnormal etching.
【０００３】ＩＴＯのドライエッチングとして現在提案
されている代表的なものは、ヨウ化水素ガス（ＨＩ）を
用いる反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）と、メタンガ
ス（ＣＨ4 ）及び水素ガス（Ｈ2 ）を用いる反応性イオ
ンエッチング（ＲＩＥ）である。このうちＨＩガスを用
いるＲＩＥ法では、ＲＩＥ装置へのＨＩガスの導入によ
り、 Ｉｎ＋３Ｉ→ＩｎＩ3 Ｓｎ＋４Ｉ→ＳｎＩ4 Ｏ＋２Ｈ→Ｈ2 Ｏ の反応性を起こさせ、ＩｎＩ3 、ＳｎＩ4 、Ｈ2 Ｏを蒸
散させることでエッチングを行う。Representatives currently proposed as dry etching of ITO are reactive ion etching (RIE) using hydrogen iodide gas (HI) and methane gas (CH 4 ) and hydrogen gas (H 2 ). The reactive ion etching (RIE) used. Among them, in the RIE method using the HI gas, the introduction of the HI gas into the RIE device causes the reactivity of In + 3I → InI 3 Sn + 4I → SnI 4 O + 2H → H 2 O to be generated, and InI 3 , SnI 4 , and H 2 O are generated. Etching is performed by evaporating.
【０００４】このＨＩガスを用いるＲＩＥ法は、メタン
ガス（ＣＨ4 ）及び水素ガス（Ｈ2）を用いるＲＩＥ法
に比べ、エッチング速度が速いという利点がある。The RIE method using HI gas has an advantage that the etching rate is faster than the RIE method using methane gas (CH 4 ) and hydrogen gas (H 2 ).
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなＨＩガスによるＲＩＥ法は、ＩＴＯの膜質によりエ
ッチング速度が大きく変動し、実用に供し難いという問
題がある。すなわち、ＩＴＯにおいてスズ（Ｓｎ）−酸
素（Ｏ）結合が偏析している部位では、エッチング速度
が低下するためと考えられる。However, the RIE method using the HI gas has a problem that the etching rate varies greatly depending on the quality of the ITO film and it is difficult to put it to practical use. That is, it is considered that the etching rate decreases at the site where the tin (Sn) -oxygen (O) bond is segregated in ITO.
【０００６】これは、Ｓｎ−Ｏ結合が偏析している部位
では、インジウム（Ｉｎ）によるヨウ素（Ｉ）の消費が
少なくなる一方、ＳｎとＩとの結合反応が進み、比較的
蒸気圧の低いＳｎ−Ｉ結合物質が被エッチング面を覆
い、このためエッチングが進行し難くなることによると
考えられる。そこで本発明は、ＨＩガスを用いるＩＴＯ
のドライエッチング方法であって、ＩＴＯの膜質に拘ら
ず、エッチング速度の変動が少ない方法を提供すること
を課題とする。[0006] This means that at the site where the Sn-O bond is segregated, the consumption of iodine (I) by indium (In) is reduced, while the bonding reaction between Sn and I proceeds, and the vapor pressure is relatively low. It is considered that the Sn-I binding substance covers the surface to be etched, which makes it difficult for the etching to proceed. Therefore, the present invention provides ITO using HI gas.
It is an object of the present invention to provide a dry etching method, which has a small fluctuation in etching rate regardless of the film quality of ITO.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明者は前記課題解決
に向け研究を重ねたところ、ヨウ化水素とともに水素ガ
スを用いれば、ＩＴＯにおけるスズ−酸素結合の分離を
促進させるとともにスズとヨウ素との結合を抑制してス
ズとヨウ素との結合物質より蒸気圧の高いスズ化合物を
生成させることができることを見出し、本発明を完成し
た。Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted extensive research to solve the above problems. When hydrogen gas is used together with hydrogen iodide, the separation of tin-oxygen bond in ITO is promoted and tin and iodine are separated. The inventors have found that it is possible to generate a tin compound having a higher vapor pressure than that of a binding substance of tin and iodine by suppressing the binding of the compound (1) to complete the present invention.
【０００８】すなわち本発明は、ヨウ化水素とエッチン
グ種及び還元種としての水素ガスとを含むガスのプラズ
マによりＩＴＯをドライエッチングすることを特徴とす
るＩＴＯのドライエッチング方法を提供するものであ
る。前記ヨウ化水素（ＨＩ）とエッチング種及び還元種
としての水素ガス（Ｈ2 ）とを含むガスは水素ガス以外
の還元性ガスを含んでいてもよい。このような還元性ガ
スとしては、一酸化炭素（ＣＯ）、一二酸化窒素（Ｎ2
Ｏ）、二酸化窒素（ＮＯ2 ）等が考えられる。That is, the present invention provides a dry etching method for ITO, characterized in that the ITO is dry-etched by plasma of a gas containing hydrogen iodide and hydrogen gas as an etching species and a reducing species. The gas containing hydrogen iodide (HI) and hydrogen gas (H 2 ) as an etching species and a reducing species may contain a reducing gas other than hydrogen gas. Such reducing gases include carbon monoxide (CO), nitrogen monoxide (N 2
O), nitrogen dioxide (NO 2 ) and the like are considered.
【０００９】エッチング時のＩＴＯの温度は８０℃〜２
５０℃程度に制御することが望ましい。８０℃より低い
とエッチング反応が進行し難く、２５０℃以上ではＩＴ
Ｏ上に通常設けられるパターン形成のためのレジスト膜
が耐えられなくなる。The temperature of ITO during etching is 80 ° C. to 2
It is desirable to control the temperature to about 50 ° C. If the temperature is lower than 80 ° C, it is difficult for the etching reaction to proceed.
The resist film for forming a pattern, which is usually provided on O, cannot withstand.
【００１０】[0010]
【作用】本発明ＩＴＯドライエッチング方法によると、
エッチング用ガスとしてＨＩガスと、Ｈ2 やＣＯ等の還
元性ガスとを含むガスが採用され、該ガスがプラズマ化
され、このプラズマのもとでＩＴＯがドライエッチング
される。ＩＴＯ中にＳｎ−Ｏ結合が偏析する部位があっ
て、これがエッチング中に露出してきても、プラズマ化
された水素ガス、或いはプラズマ化された水素ガス及び
前記還元性ガスのため、Ｓｎ−Ｏが偏析する部位におい
てＳｎ−Ｏ結合の分離が促進され、また、ＳｎとＨＩか
ら発生するヨウ素（Ｉ）との結合が抑制されることで比
較的蒸気圧の低いＳｎ−Ｉ結合物の生成が抑制される一
方、これより蒸気圧の高いスズ化合物が生成されること
で、エッチング速度の実用に供し難い低下乃至変動は避
けられる。According to the ITO dry etching method of the present invention,
A gas containing a HI gas and a reducing gas such as H 2 or CO is adopted as an etching gas, the gas is turned into plasma, and the ITO is dry-etched under the plasma. Even if there is a site where the Sn—O bond is segregated in the ITO and it is exposed during etching, the Sn—O is converted to plasma hydrogen gas or plasma hydrogen gas and the reducing gas as described above. The separation of Sn-O bond is promoted at the segregated site, and the bond between Sn and iodine (I) generated from HI is suppressed, thereby suppressing the formation of Sn-I bond having a relatively low vapor pressure. On the other hand, by producing a tin compound having a higher vapor pressure than this, it is possible to avoid a decrease or fluctuation in the etching rate that is difficult to put to practical use.
【００１１】[0011]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明方法の実施に使用する反応性イオン
エッチング装置（ＲＩＥ装置）の概略構成を示してい
る。このＲＩＥ装置は、真空容器１を備えており、その
中にはＩＴＯを形成した被加工物８を支持するホルダ２
が設置され、該ホルダには高周波電圧印加装置２０が接
続されている。ホルダ２には、被加工物のエッチング温
度を制御するためのヒータ２１が付設されている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a schematic configuration of a reactive ion etching apparatus (RIE apparatus) used for carrying out the method of the present invention. This RIE apparatus comprises a vacuum container 1 in which a holder 2 for supporting a work 8 having ITO formed therein is supported.
Is installed, and the high frequency voltage applying device 20 is connected to the holder. The holder 2 is provided with a heater 21 for controlling the etching temperature of the workpiece.
【００１２】また、ホルダ２の上方にはエッチング用ガ
スの導入部３が設けられ、これには開閉弁４１、４２、
その間の流量制御部４３を介してＨＩガスボンベ４が接
続され、開閉弁５１、５２、その間の流量制御部５３を
介してＨ2 ガスボンベ５が接続され、さらに、開閉弁６
１、６２、その間の流量制御部６３を介してＣＯガスボ
ンベ６が接続されている。Further, an etching gas introducing portion 3 is provided above the holder 2, and the opening / closing valves 41, 42,
The HI gas cylinder 4 is connected via the flow rate control unit 43 between them, the open / close valves 51 and 52, the H 2 gas cylinder 5 is connected via the flow rate control unit 53 between them, and the open / close valve 6
The CO gas cylinder 6 is connected via 1, 62 and a flow rate control unit 63 between them.
【００１３】また、真空容器１には、この中を所定真空
度に排気するための排気装置７が接続されている。前記
ＲＩＥ装置によると、先ずホルダ２上に、レジスト膜に
より所定パターンが描かれたＩＴＯを有する被加工物８
が設置され、しかるのち真空容器１が排気装置７にて所
定真空度まで真空引き開始され、次いで弁４１、４２の
開成と流量制御部４３の流量制御のもとにボンベ４から
所定量のＨ１ガスが容器１内へ導入される。還元性のガ
スとしてＨ2 ガスのみを用いるときは、弁５１、５２の
開成と流量制御部５３による流量制御のもとに、ボンベ
５から所定量のＨ2 ガスが容器１内へ導入される。還元
性ガスとしてさらにＣＯガスも用いるときは、同様にし
て、ボンベ６から所定量のＣＯガスも容器１内へ導入さ
れる。Further, the vacuum container 1 is connected with an exhaust device 7 for exhausting the inside of the vacuum container 1 to a predetermined vacuum degree. According to the RIE apparatus, first, the workpiece 8 having the ITO on which the predetermined pattern is drawn by the resist film is formed on the holder 2.
After that, the vacuum container 1 is evacuated to a predetermined vacuum degree by the exhaust device 7, and then a predetermined amount of H1 is discharged from the cylinder 4 under the control of the opening of the valves 41 and 42 and the flow rate control of the flow rate control unit 43. Gas is introduced into the container 1. When only H 2 gas is used as the reducing gas, a predetermined amount of H 2 gas is introduced into the container 1 from the cylinder 5 under the control of the opening of the valves 51 and 52 and the flow rate control by the flow rate control unit 53. . When CO gas is also used as the reducing gas, a predetermined amount of CO gas is similarly introduced into the container 1 from the cylinder 6.
【００１４】このようにして、容器１内にＨＩガス及び
還元性ガスが導入され、且つ、所定のエッチング真空度
に維持された状態で、さらにヒータ２１にて被加工物８
が所定エッチング温度に制御された状態で、高周波電圧
印加装置２０からホルダ２へ、従って被加工物８に所定
の高周波電圧が印加されると、ＨＩガス及び還元性ガス
がプラズマ化され、このプラズマのもとに被加工物８に
おける露出ＩＴＯがドライエッチングされる。In this way, with the HI gas and the reducing gas introduced into the container 1 and the predetermined etching vacuum degree is maintained, the workpiece 21 is further heated by the heater 21.
When a predetermined high-frequency voltage is applied from the high-frequency voltage applying device 20 to the holder 2, and thus to the workpiece 8 in a state where is controlled to a predetermined etching temperature, the HI gas and the reducing gas are turned into plasma, and this plasma The exposed ITO in the work piece 8 is dry-etched under the condition.
【００１５】以下、ＩＴＯ膜質の異なる二つの被加工物
８（８Ａ、８Ｂ）におけるＩＴＯの本発明によるドライ
エッチングの具体的実施例と、水素ガスその他の還元性
ガスを用いない比較例について説明する。 実施例 ａ．エッチング条件 容器１内のエッチング真空度：６０ｍｍＴｏｒｒ 高周波電圧電源 ：１３．５６ＭＨｚ ２９０Ｗ ＨＩガス ：６０ｓｃｃｍ Ｈ2 ガス ：２０ｓｃｃｍ ＩＴＯのエッチング温度 ：１８０℃ ｂ．ＩＴＯのエッチング速度 被加工物８Ａ ：４５０Å／ｍｉｎ 被加工物８Ｂ ：５００Å／ｍｉｎ 比較例 ａ．エッチング条件 容器１内のエッチング真空度：６０ｍｍＴｏｒｒ 高周波電圧電源 ：１３．５６ＭＨｚ ２９０Ｗ ＨＩガス ：６０ｓｃｃｍ 水素ガスその他の還元性ガス使用せず。A specific example of dry etching of ITO in two workpieces 8 (8A, 8B) having different ITO film qualities according to the present invention and a comparative example using no hydrogen gas or other reducing gas will be described below. . Example a. Etching conditions Etching vacuum degree in container 1: 60 mmTorr High frequency voltage power source: 13.56 MHz 290 W HI gas: 60 sccm H 2 gas: 20 sccm ITO etching temperature: 180 ° C. b. Etching rate of ITO Workpiece 8A: 450 Å / min Workpiece 8B: 500 Å / min Comparative Example a. Etching condition Degree of etching vacuum in the container 1: 60 mmTorr High frequency voltage power source: 13.56 MHz 290 W HI gas: 60 sccm Hydrogen gas or other reducing gas was not used.
【００１６】 ＩＴＯのエッチング温度 ：１８０℃ ｂ．ＩＴＯのエッチング速度 被加工物８Ａ ：２１０Å／ｍｉｎ 被加工物８Ｂ ：４５０Å／ｍｉｎ 以上説明した実施例及び比較例のそれぞれにおける二つ
の被加工物８Ａ、８ＢのＩＴＯエッチング速度から分か
るように、エッチングガスとしてＨＩガスに加え、水素
ガスも採用すると、ＩＴＯの膜質に拘らずエッチング速
度の変動が少なくなっており、実用に供し得ることが分
かる。ITO etching temperature: 180 ° C. b. Etching rate of ITO Processed object 8A: 210Å / min Worked object 8B: 450Å / min As can be seen from the ITO etching rate of the two processed objects 8A and 8B in each of the examples and comparative examples described above, the etching gas As a result, when hydrogen gas is used in addition to HI gas, the fluctuation of the etching rate is small regardless of the film quality of ITO, and it can be seen that it can be put to practical use.
【００１７】Ｈ2 ガスの添加によりエッチング速度の変
動が少なくなるのは、Ｈ2 ガスの添加により、ＩＴＯ中
のＳｎ−Ｏ結合が偏析している部位でもＳｎとＯの分離
が促進され、ＳｎとＨＩから発生したＩとの結合が抑制
されて比較的蒸気圧の低いＳｎ−Ｉ結合物の生成が抑制
される一方、Ｈ2 の使用によりＳｎ−Ｉ結合物より蒸気
圧の高いＳｎとＨとの結合物が活発に生成されるからと
考えられる。The addition of H 2 gas reduces the fluctuation of the etching rate because the addition of H 2 gas promotes the separation of Sn and O even in the region where the Sn--O bond in ITO is segregated. Of the Sn and I generated from HI is suppressed to suppress the production of Sn-I bond having a relatively low vapor pressure, while the use of H 2 causes Sn and H to have a higher vapor pressure than the Sn-I bond. It is considered that the binding product with and is actively generated.
【００１８】なお、以上説明した実施例ではＲＩＥ法を
説明したが、本発明はこの方法に限らず、プラズマを利
用したその他の各種ドライエッチング法、例えば、電子
サイクロトロン共鳴エッチング（ＥＣＲ）、マグネトロ
ンエッチング等にも適用できる。Although the RIE method has been described in the above-described embodiments, the present invention is not limited to this method, and various other dry etching methods using plasma, such as electron cyclotron resonance etching (ECR) and magnetron etching. Etc. can also be applied.
【００１９】[0019]
【発明の効果】以上説明したように本発明によると、Ｈ
Ｉガスを用いるＩＴＯのドライエッチング方法であっ
て、ＩＴＯの膜質に拘らず、エッチング速度の変動が少
ないＩＴＯのドライエッチング方法を提供することがで
きる。As described above, according to the present invention, H
It is possible to provide a dry etching method for ITO using I gas, which has a small fluctuation in etching rate regardless of the film quality of ITO.
【図１】本発明方法の実施に用いるエッチング装置例で
あるＲＩＥ装置の概略構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of an RIE apparatus which is an example of an etching apparatus used for carrying out a method of the present invention.
１ 真空容器 ２ 被加工物ホルダ ２０ 高周波電圧印加装置 ３ エッチング用ガス導入部 ４ ＨＩガスボンベ ５ Ｈ2 ガスボンベ ６ ＣＯガスボンベ ７ 排気装置 ８ 被加工物1 Vacuum Container 2 Workpiece Holder 20 High Frequency Voltage Applying Device 3 Etching Gas Introducing Section 4 HI Gas Cylinder 5 H 2 Gas Cylinder 6 CO Gas Cylinder 7 Exhaust Device 8 Workpiece
Claims (3)
しての水素ガスとを含むガスのプラズマによりＩＴＯを
ドライエッチングすることを特徴とするＩＴＯのドライ
エッチング方法。1. A dry etching method for ITO, which comprises dry etching the ITO by plasma of a gas containing hydrogen iodide and hydrogen gas as an etching species and a reducing species.
種としての水素ガスとを含むガスが水素ガス以外の還元
性ガスを含んでいる請求項１記載のＩＴＯのドライエッ
チング方法。2. The dry etching method for ITO according to claim 1, wherein the gas containing hydrogen iodide and hydrogen gas as an etching species and a reducing species contains a reducing gas other than hydrogen gas.
度を８０℃〜２５０℃の範囲に制御する請求項１、２又
は３記載のＩＴＯのドライエッチング方法。3. The method of dry etching ITO according to claim 1, 2 or 3, wherein the temperature of the ITO to be etched is controlled within a range of 80 ° C. to 250 ° C. during etching.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5063192A JPH05251400A (en) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | Ito dry etching method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5063192A JPH05251400A (en) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | Ito dry etching method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251400A true JPH05251400A (en) | 1993-09-28 |
Family
ID=12864324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5063192A Withdrawn JPH05251400A (en) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | Ito dry etching method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05251400A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5843277A (en) * | 1995-12-22 | 1998-12-01 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Dry-etch of indium and tin oxides with C2H5I gas |
| WO1998059379A1 (en) * | 1997-06-25 | 1998-12-30 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Dry-etching of indium and tin oxides |
| EP0896373A2 (en) * | 1997-08-08 | 1999-02-10 | Mitsui Chemicals, Inc. | Dry etching method of metal oxide/photoresist film laminate |
| JP2003068155A (en) * | 2001-08-30 | 2003-03-07 | Ulvac Japan Ltd | Dry etching method for transparent conductive film |
-
1992
- 1992-03-09 JP JP5063192A patent/JPH05251400A/en not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5843277A (en) * | 1995-12-22 | 1998-12-01 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Dry-etch of indium and tin oxides with C2H5I gas |
| WO1998059379A1 (en) * | 1997-06-25 | 1998-12-30 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Dry-etching of indium and tin oxides |
| EP0896373A2 (en) * | 1997-08-08 | 1999-02-10 | Mitsui Chemicals, Inc. | Dry etching method of metal oxide/photoresist film laminate |
| EP0896373A3 (en) * | 1997-08-08 | 2001-01-17 | Mitsui Chemicals, Inc. | Dry etching method of metal oxide/photoresist film laminate |
| JP2003068155A (en) * | 2001-08-30 | 2003-03-07 | Ulvac Japan Ltd | Dry etching method for transparent conductive film |
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