JPH05250630A - Magnetic head - Google Patents

Magnetic head

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JPH05250630A
JPH05250630A JP4930592A JP4930592A JPH05250630A JP H05250630 A JPH05250630 A JP H05250630A JP 4930592 A JP4930592 A JP 4930592A JP 4930592 A JP4930592 A JP 4930592A JP H05250630 A JPH05250630 A JP H05250630A
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JP
Japan
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magnetic
interlayer insulating
magnetic head
insulating film
film
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Application number
JP4930592A
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Japanese (ja)
Inventor
Tsukasa Ohata
司 大畑
Yasuyuki Arikawa
康之 有川
Ikuo Shinoda
郁夫 信太
Shigeki Yamamura
茂樹 山村
Hideki Gunji
秀樹 郡司
Akira Kato
加藤  明
Takashi Namekawa
滑川  孝
Takashi Naito
内藤  孝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPH05250630A publication Critical patent/JPH05250630A/en
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Abstract

PURPOSE:To mass-produce magnetic heads in a high yield even in the case of <=0.4mum effective gap length and to commercially provide high performance magnetic heads in large quantities at a low cost. CONSTITUTION:A pair of magnetic cores obtd. by forming multilayered films 10, 10' consisting of alternately laminated magnetic alloy films 11, 11' having high saturation magnetic flux density and inter-laminar insulating films 12, 12' on substrates 13, 13' are placed opposite to each other with a narrow magnetic gap (g) in-between to form a magnetic path. The insulating films 12, 12' are formed with a multiple oxide or an oxide mixture contg. at least vanadium.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、VTR等の磁気再生装
置に搭載される磁気ヘッドに係り、特に量産性,信頼性
に優れる高性能の磁気ヘッドに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic head mounted on a magnetic reproducing apparatus such as a VTR, and more particularly to a high performance magnetic head excellent in mass productivity and reliability.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、磁気記録再生装置の高密度記録化
を図るために、情報記録媒体の高保持力化、記録再生周
波数の広帯域化、記録テープやディスクの高速化等が進
められるようになり、従来のフェライトヘッドでは追随
が不可能となってきている。このため、磁気コアにフェ
ライトより飽和磁束密度が高いCo系非晶質合金,セン
ダスト系合金,Fe−C系材,Fe−N系材等の磁性膜
が使用又は注目されるようになった。これらの磁性膜の
飽和磁束密度はフェライトの約2倍以上で、このような
磁性膜を用いた磁気ヘッドは短い記録波長で、高保磁力
の磁気記録媒体を有効に磁化し、広帯域の磁気記録を行
なうことができる。
2. Description of the Related Art In recent years, in order to increase the recording density of magnetic recording / reproducing apparatus, it has become possible to increase the holding power of information recording media, widen the recording / reproducing frequency, and speed up recording tapes and disks. Therefore, it is becoming impossible to follow the conventional ferrite head. For this reason, magnetic films made of Co-based amorphous alloys, sendust-based alloys, Fe-C-based materials, Fe-N-based materials, or the like, which have higher saturation magnetic flux densities than ferrite, have come to be used or attracted attention. The saturation magnetic flux density of these magnetic films is about twice as high as that of ferrite. A magnetic head using such a magnetic film effectively magnetizes a magnetic recording medium having a high coercive force at a short recording wavelength, thereby achieving wide band magnetic recording. Can be done.

【0003】このような磁気ヘッドは、実用面を考慮し
て、磁気的飽和が問題となるヘッドコアの作動ギャップ
近傍のみを飽和磁束密度Bsの大きい磁性合金膜によっ
て構成し、ヘッドコアの他の部分は耐摩耗性に優れたフ
ェライト等によって構成した複合材からなる磁気ヘッド
が提案されているが、磁性合金膜は電気抵抗が小さいた
めに、高周波領域において漏電流損失による再生出力の
低下が起きるという問題が生じる。この問題を解決する
ために、特開昭60−234209号公報に開示されて
いる如く、前記磁性合金膜を層間絶縁膜を介した多層膜
とした磁気ヘッドが提案されている。
In consideration of practical use, such a magnetic head is constructed by a magnetic alloy film having a large saturation magnetic flux density Bs only in the vicinity of the working gap of the head core where magnetic saturation is a problem, and other parts of the head core are A magnetic head made of a composite material composed of ferrite or the like, which has excellent wear resistance, has been proposed, but since the magnetic alloy film has a low electric resistance, there is a problem that the reproduction output is reduced due to leakage current loss in the high frequency range. Occurs. In order to solve this problem, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-234209, there has been proposed a magnetic head in which the magnetic alloy film is a multilayer film with an interlayer insulating film interposed therebetween.

【0004】その第一の例を図1に示す。図1の(a)
は上面図、図1の(b)は側面図である。すなわちこの
磁気ヘッドの主な磁気回路をなす磁性合金多層膜10,
10′は高誘磁率、高飽和磁束密度の磁性合金膜11,
11′と層間絶縁膜12,12′を非磁性保持材13,
13′上に交互に積層した多層構造となっており、作動
ギャップgを介して突き合わされ、磁路Cを形成する。
なお、前記磁性合金膜の材料としてCo系アモルファス
膜やセンダスト合金膜などが一層あたり数μmから十数
μmの厚さで用いられ、また前記層間絶縁膜にはSiO
2やAl23の膜が一層あたり数百Åから数μmの厚さ
で用いられる。
The first example is shown in FIG. Figure 1 (a)
Is a top view, and FIG. 1B is a side view. That is, the magnetic alloy multilayer film 10 forming the main magnetic circuit of this magnetic head,
10 'is a magnetic alloy film 11 having a high magnetic permeability and a high saturation magnetic flux density,
11 'and the interlayer insulating films 12 and 12' are connected to the non-magnetic holding material 13,
It has a multi-layered structure in which it is alternately laminated on 13 ', and is abutted via an operating gap g to form a magnetic path C.
As the material of the magnetic alloy film, a Co-based amorphous film, a sendust alloy film, or the like is used with a thickness of several μm to several tens of μm per layer, and the interlayer insulating film is formed of SiO 2.
A film of 2 or Al 2 O 3 is used with a thickness of several hundred Å to several μm per layer.

【0005】さらに第二の例を図2に示す。図2の
(a)は上面図、図2の(b)は側面図である。この磁
気ヘッドはV字形に形成された高誘磁率フェライトまた
は非磁性保持材13,13′上に磁性合金多層膜10,
10′を形成して磁気コア半体とし、作動ギャップgを
介して前記磁気コア半体を突き合わせ、低融点ガラス1
4,14′にて接合した構造となっている。
A second example is shown in FIG. 2A is a top view and FIG. 2B is a side view. This magnetic head has a magnetic alloy multilayer film 10, on a high magnetic susceptibility ferrite or non-magnetic holding material 13, 13 'formed in a V shape.
10 'is formed into a magnetic core half body, and the magnetic core half bodies are butted against each other through an operating gap g, and the low melting glass 1
The structure is such that they are joined at 4, 14 '.

【0006】上記第一,第二のいずれの例も、磁性合金
膜を多層とすることにより高周波特性の良い磁気ヘッド
が得られる。
In both the first and second examples, a magnetic head having good high frequency characteristics can be obtained by forming the magnetic alloy film in multiple layers.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術による磁
気ヘッドは、作動ギャップgを形成する際に磁気コア半
体を突き合わせ接合するが、高精度な作動ギャップgを
得るために突き合わせ面、すなわち磁性合金多層膜の断
面を平面ラップする必要がある。ところが従来技術によ
る磁性合金多層膜の層間絶縁膜にはSiO2やAl23
といった合金膜よりも硬度の高い材料が用いられている
ために、平面ラップを行なうとラップ面に露出している
層間絶縁膜部が他の合金膜部よりも突出してしまい、磁
気コア突き合わせ時に障害物となるため、高精度な実効
ギャップ長が得られないという問題があった。
In the magnetic head according to the above-mentioned prior art, the magnetic core halves are butted and joined together when the working gap g is formed. It is necessary to lap the cross section of the alloy multilayer film. However, SiO 2 or Al 2 O 3 is used for the interlayer insulating film of the magnetic alloy multilayer film according to the conventional technique.
Since a material having a hardness higher than that of the alloy film is used, when the flat lap is performed, the interlayer insulating film exposed on the wrap surface protrudes more than other alloy film, which causes a problem when the magnetic cores are butted against each other. However, there is a problem that a highly accurate effective gap length cannot be obtained.

【0008】上記問題点を以下にさらに詳しく説明す
る。
The above problems will be described in more detail below.

【0009】図3に示す図は図2の(a)におけるA部
の拡大図である。判り易くするために片方の磁気コアの
みを示した。本図においてB面は平面ラップ面を示して
いるが、ラップ終了後にB面を粗さ計にて測定したとこ
ろ層間絶縁膜12が磁性合金膜11よりもtだけ突出し
ていることが判った。tの値は100Å〜500Åとば
らつきが大きく、測定場所によっても製造ロットによっ
ても変化し、実効ギャップ長不良の原因となることが明
らかになった。層間絶縁膜が磁性合金膜よりも突出する
原因はそれぞれのビッカース硬度の差にある。表1に磁
性合金膜(たとえばCo−Nb−Zrアモルファス膜
等)と層間絶縁膜(たとえばSiO2やAl23)のビ
ッカース硬度を示した。
The view shown in FIG. 3 is an enlarged view of the portion A in FIG. Only one magnetic core is shown for clarity. In this figure, the B surface shows a flat lap surface, but when the B surface was measured with a roughness meter after the wrapping was completed, it was found that the interlayer insulating film 12 protruded from the magnetic alloy film 11 by t. It has been revealed that the value of t varies widely from 100Å to 500Å and varies depending on the measurement location and the manufacturing lot, which causes defective effective gap length. The cause of the interlayer insulating film protruding beyond the magnetic alloy film is the difference in Vickers hardness. Table 1 shows the Vickers hardness of the magnetic alloy film (eg, Co—Nb—Zr amorphous film) and the interlayer insulating film (eg, SiO 2 or Al 2 O 3 ).

【0010】[0010]

【表1】 [Table 1]

【0011】磁性合金膜のビッカース硬度は約700〜
800であるが層間絶縁膜は約900〜1100であ
り、平面ラップ時にビッカース硬度の小さい磁性合金膜
が先にラップされ層間絶縁膜が突出した状態となる。突
出量tの値は100Å〜500Åであるので実効ギャッ
プ長の大きい磁気ヘッドの場合はそれほど問題はない
が、実効ギャップ長の小さいヘッドの場合は重大な問題
となる。
The Vickers hardness of the magnetic alloy film is about 700-
Although it is 800, the interlayer insulating film is about 900 to 1100, and the magnetic alloy film having a small Vickers hardness is first lapped during the planar wrapping, and the interlayer insulating film is in a protruding state. Since the value of the protrusion amount t is 100 Å to 500 Å, there is not much problem in the case of a magnetic head having a large effective gap length, but it becomes a serious problem in the case of a head having a small effective gap length.

【0012】実際に磁気ヘッドを試作し、目標の実効ギ
ャップ長と試作品の実効ギャップ長の不良率との関係を
調べた結果を図4に示す。ここで、試作した磁気ヘッド
の形状は図2に示したものを用い、また不良率は目標と
する実効ギャップ長に対して±10%以内に入るものを
良品と判定し、それ以外のものを不良品と判定した。図
4によると、実効ギャップ長が0.4μm以下になると
不良率が急激に増大することが明らかとなった。
FIG. 4 shows the results of examining the relationship between the target effective gap length and the defect rate of the effective gap length of the prototype, in which a magnetic head was actually manufactured as a prototype. Here, the shape of the prototype magnetic head used is that shown in FIG. 2, and the defect rate is judged to be non-defective if it is within ± 10% of the target effective gap length, and other than that. It was judged to be defective. According to FIG. 4, it became clear that the defective rate drastically increases when the effective gap length becomes 0.4 μm or less.

【0013】このことは、今後高密度記録用磁気ヘッド
を提供する上で重大な問題となる。すなわち、高密度記
録を行なうためには実効ギャップを小さくし、短波長信
号の記録再生を可能としなければならないからである。
具体的に言うと、現状のNTSC−VHSビデオヘッド
の実効ギャップ長は0.5μm前後であるが、さらに高
密度記録化されたNTSC−VHSビデオヘッドの実効
ギャップ長は0.3μm前後である。またNTSC8m
/mVTR用ヘッドの実効ギャップ長は0.25μm前
後、さらに高密度記録化されたNTSC−ハイバンド8
m/mVTR用ヘッドやPAL−ハイバンド8m/mV
TR用ヘッドの実効ギャップ長などは0.2μm以下が
必要となっている。
This will be a serious problem in providing a magnetic head for high density recording in the future. That is, in order to perform high-density recording, it is necessary to reduce the effective gap to enable recording / reproducing of short wavelength signals.
More specifically, the current NTSC-VHS video head has an effective gap length of about 0.5 μm, while the higher density recording of an NTSC-VHS video head has an effective gap length of about 0.3 μm. Also NTSC 8m
/ MVTR head has an effective gap length of around 0.25 μm, and NTSC-high band 8 with higher density recording
Head for m / mVTR and PAL-high band 8m / mV
The effective gap length of the TR head needs to be 0.2 μm or less.

【0014】以上のことをまとめると、従来技術による
磁気ヘッドでは、実効ギャップ長が0.4μm以下の磁
気ヘッドを歩留まり良く量産することは困難であり、高
密度記録が可能な磁気ヘッドを安価でかつ大量に市場に
提供することは不可能であることが明らかとなった。
To summarize the above, it is difficult to mass-produce magnetic heads having an effective gap length of 0.4 μm or less with a high yield in the magnetic head according to the prior art, and a magnetic head capable of high density recording is inexpensive. And it became clear that it is impossible to provide a large amount to the market.

【0015】本発明の目的は、実効ギャップ長が0.4
μm以下の磁気ヘッドであっても歩留まり良く量産し、
高性能な磁気ヘッドを安価かつ大量に市場に提供するこ
とにある。
An object of the present invention is that the effective gap length is 0.4.
Mass production with a good yield even for magnetic heads of μm or less,
It is to provide a high-performance magnetic head to the market inexpensively and in large quantities.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では層間絶縁膜の材料としてバナジウム元素
を含む複合酸化物又は酸化物混合体を用いた。これによ
り層間絶縁膜のビッカース硬度を磁性合金膜のそれより
も小さくすることができ、平面ラップ時に層間絶縁膜の
突出を防止し、実効ギャップ長が0.4μm以下の磁気
ヘッドでも歩留まり良く製造することが可能となる。
In order to achieve the above object, in the present invention, a complex oxide or oxide mixture containing vanadium element is used as a material for the interlayer insulating film. As a result, the Vickers hardness of the interlayer insulating film can be made smaller than that of the magnetic alloy film, the protrusion of the interlayer insulating film can be prevented during flat lapping, and a magnetic head having an effective gap length of 0.4 μm or less can be manufactured with high yield. It becomes possible.

【0017】なお本発明による前記層間絶縁膜には更に
少なくともリン元素を含むことが好ましい。更に、前記
層間絶縁膜には少なくともアンチモン,鉛,テルル,バ
リウム,タリウム及び砒素の元素のうち一種以上を含む
ことが好ましい。
The interlayer insulating film according to the present invention preferably further contains at least phosphorus element. Further, it is preferable that the interlayer insulating film contains at least one element selected from the group consisting of antimony, lead, tellurium, barium, thallium and arsenic.

【0018】[0018]

【作用】本発明は、層間絶縁膜を少なくともバナジウム
元素を含む複合酸化物又は酸化物混合体とすることによ
って、前記層間絶縁膜のビッカース硬度を磁性合金膜の
ビッカース硬度より小さくし、平面ラップ時の層間絶縁
膜の突出を防止することができる。これによって磁気コ
ア突合わせ時の障害物が無くなり、実効ギャップ長が
0.4μm以下の磁気ヘッドでも安定して得ることが可
能となる。
The present invention makes the interlayer insulating film a composite oxide or an oxide mixture containing at least vanadium element so that the Vickers hardness of the interlayer insulating film is smaller than the Vickers hardness of the magnetic alloy film, and when the surface is lapped. It is possible to prevent the interlayer insulating film from protruding. This eliminates obstacles when the magnetic cores are butted, and a magnetic head having an effective gap length of 0.4 μm or less can be stably obtained.

【0019】ここで前記複合酸化物又は酸化物混合体に
は、前記バナジウム元素の他に他の酸化物を含むのが好
ましい。その理由はビッカース硬度が小さくなり過ぎな
いようにするためである。具体的に言えば、例えば従来
から層間絶縁膜として使用されているSiO2と前記元
素の酸化物との複合酸化物又は酸化物混合体である。た
だし、SiO2にこだわる必要はなく、信頼性がある層
間絶縁膜ができればどんな物質でもよい。すなわち、S
iO2並み又はそれ以上の融点と硬度を持つ物質であれ
ば使用可能であり、例えば、Al23やZrO2等が挙
げられる。
Here, it is preferable that the complex oxide or the oxide mixture contains another oxide in addition to the vanadium element. The reason is to prevent the Vickers hardness from becoming too small. Specifically, for example, it is a composite oxide or an oxide mixture of SiO 2 and an oxide of the above-mentioned element which has been conventionally used as an interlayer insulating film. However, it is not necessary to be particular about SiO 2, and any substance may be used as long as it can form a reliable interlayer insulating film. That is, S
Any substance having a melting point and hardness equal to or higher than that of iO 2 can be used, and examples thereof include Al 2 O 3 and ZrO 2 .

【0020】本発明により得られた層間絶縁膜はビッカ
ース硬度が400〜600程度となり、磁性合金膜のビ
ッカース硬度に較べて適度に小さい値を示す。この程度
のビッカース硬度であれば平面ラップ時の膜突出も発生
せず、また磁気テープ摺動時において不必要な偏摩耗も
発生しないため、良好な層間絶縁膜が得られる。
The Vickers hardness of the interlayer insulating film obtained by the present invention is about 400 to 600, which is a value that is appropriately smaller than the Vickers hardness of the magnetic alloy film. With a Vickers hardness of this level, no film protrusion occurs during flat lapping, and unnecessary uneven wear does not occur during sliding of the magnetic tape, so that a good interlayer insulating film can be obtained.

【0021】なお前記層間絶縁膜にはリン元素を含むこ
とが好ましい。その理由はバナジウム元素のガラス化促
進と結晶化防止のためである。
The interlayer insulating film preferably contains phosphorus element. The reason is to promote vitrification of vanadium element and prevent crystallization.

【0022】また更に、前記層間絶縁膜には少なくとも
アンチモン,鉛,テルル,バリウム,タリウム及び砒素
の元素のうち一種以上を含むことが好ましい。その理由
は、これらの元素のうち耐水性の向上にはアンチモン,
タリウム、砒素の元素ガラス化安定性の向上には鉛,テ
ルル,バリウムの元素、化学的安定性の向上には鉛,バ
リウム,砒素、機械的性質の向上にはバリウムの元素、
熱膨張係数の制御には鉛,テルル,タリウムの元素がそ
れぞれ有効だからである。
Furthermore, it is preferable that the interlayer insulating film contains at least one element selected from the group consisting of antimony, lead, tellurium, barium, thallium and arsenic. The reason is that among these elements, antimony is used to improve water resistance,
Elemental elements of thallium and arsenic Lead, tellurium and barium elements to improve vitrification stability, lead and barium and arsenic elements to improve chemical stability, barium element to improve mechanical properties,
This is because the elements of lead, tellurium, and thallium are effective in controlling the coefficient of thermal expansion.

【0023】[0023]

【実施例】本発明を実施例により説明する。EXAMPLES The present invention will be described with reference to examples.

【0024】まず、層間絶縁膜に使用する材料をいくつ
か試作した。これらの組成を表2に示す。
First, several materials used for the interlayer insulating film were made as prototypes. The compositions of these are shown in Table 2.

【0025】[0025]

【表2】 [Table 2]

【0026】表中の組成は層間絶縁膜そのものではな
く、これを組成するためのスパッタ用ターゲットのもの
である。表2のNo.1の層間絶縁膜のスパッタ用ターゲ
ットには、溶融成形したSiO2ガラス(石英ガラス)
を用いた。このターゲットを用いて形成するスパッタ膜
は、磁気ヘッドの層間絶縁膜として従来から頻繁に用い
られているものであり、他の材料との比較用とした。そ
の他のNo.2〜No.5の層間絶縁膜の場合には、SiO2
ガラス(石英ガラス)粉末、Al23粉末又はZrO2
粉末と、V25粉末とSb23粉末とPbO粉末とを混
合成形し、ホットプレスにより焼結したターゲットを用
いた。このようなターゲットを用いて成形したスパッタ
膜は、ターゲットを構成する各元素からなる複合酸化物
又は酸化物混合体の状態で存在する。これらのスパッタ
膜の耐熱性は、750℃まで良好であり、表1で示した
磁性合金膜の耐熱温度より高いため、安定な層間絶縁膜
形成が可能である。またこれらのスパッタターゲットの
ビッカース硬度を測定したところNo.1のSiO2が10
50と大きい値を示したのに対し、本発明によるNo.2
〜No.5のターゲットのビッカース硬度は420〜58
0の値を示し、磁性合金膜のビッカース硬度に較べて適
度に小さい値となった。
The composition in the table is not the interlayer insulating film itself, but the target for sputtering for forming this. The target for sputtering the No. 1 interlayer insulating film in Table 2 was melt-formed SiO 2 glass (quartz glass).
Was used. The sputtered film formed using this target has been frequently used conventionally as an interlayer insulating film of a magnetic head, and is used for comparison with other materials. For other No. 2 to No. 5 interlayer insulating films, SiO 2
Glass (quartz glass) powder, Al 2 O 3 powder or ZrO 2
The powder, the V 2 O 5 powder, the Sb 2 O 3 powder, and the PbO powder were mixed and molded, and a target obtained by sintering by hot pressing was used. The sputtered film formed by using such a target exists in the state of a complex oxide or an oxide mixture composed of each element constituting the target. The heat resistance of these sputtered films is good up to 750 ° C., which is higher than the heat resistant temperature of the magnetic alloy film shown in Table 1, so that a stable interlayer insulating film can be formed. When the Vickers hardness of these sputter targets was measured, the SiO 2 of No. 1 was 10
Although it showed a large value of 50, No. 2 according to the present invention
~ No.5 target has Vickers hardness of 420 ~ 58
The value was 0, which was an appropriately smaller value than the Vickers hardness of the magnetic alloy film.

【0027】次に上記No.1〜No.5の材料を層間絶縁膜
に使用した磁気ヘッドを試作し、目標の実効ギャップ長
と試作品の実効ギャップ長の不良率との関係を調べた結
果を図5に示す。ここで、試作した磁気ヘッドの形状は
図2に示したものを用い、また不良率は、目標とする実
効ギャップ長に対して±10%以内に入るものを良品と
判定し、それ以外のものを不良品と判定した。それによ
ると、No.1すなわち従来の材料を層間絶縁膜に用いた
磁気ヘッドは、実効ギャップ長が0.4μm以下になる
と不良率が急激に増大するが、本発明によるNo.2〜No.
5の材料を層間絶縁膜に用いた磁気ヘッドは、実効ギャ
ップ長が0.4μm以下になっても不良率はそれほど増
加しないことが明らかとなった。さらに前記各試作磁気
ヘッドの製造工程途中において、平面ラップ面、すなわ
ち図3のB面を粗さ計にておのおの測定したところ、N
o.1すなわち従来の材料を層間絶縁膜に用いた磁気ヘッ
ドは、図3におけるtの値が100Å〜500Åを示し
たが、本発明におけるNo.2〜No.5の材料を層間絶縁膜
に用いた磁気ヘッドは、tの値がいずれもほぼ0を示し
た。このことは、前記各試作磁気ヘッドの0.4μm以
下の実効ギャップ長不良率と定性的に一致する。
Next, a magnetic head using the above No. 1 to No. 5 materials for the interlayer insulating film was manufactured as a prototype, and the relationship between the target effective gap length and the defective rate of the effective gap length of the prototype was examined. Is shown in FIG. Here, the shape of the prototype magnetic head used is that shown in FIG. 2, and the defect rate is judged to be non-defective if it falls within ± 10% of the target effective gap length, and other than that. Was determined to be defective. According to it, in the magnetic head using No. 1 or the conventional material for the interlayer insulating film, the defective rate sharply increases when the effective gap length becomes 0.4 μm or less, but No. 2 to No.
In the magnetic head using the material of No. 5 as the interlayer insulating film, it has been clarified that the defective rate does not increase so much even when the effective gap length is 0.4 μm or less. Further, in the middle of the manufacturing process of each of the prototype magnetic heads, the flat lap surface, that is, the surface B in FIG.
In the magnetic head using the conventional material for the interlayer insulating film, the value of t in FIG. 3 was 100Å to 500Å, but the materials of No. 2 to No. 5 in the present invention were used for the interlayer insulating film. The magnetic heads used each had a value of t of almost 0. This qualitatively agrees with the effective gap length defect rate of 0.4 μm or less of each of the prototype magnetic heads.

【0028】またさらに前記各試作磁気ヘッドを回転ド
ラムに取付け、VHS方式のVTRに実装して磁気テー
プ走行試験を行なったが、No.1〜No.5の材料を層間絶
縁膜として用いたいずれの磁気ヘッドも、走行途中にお
いて不必要な偏摩耗や出力劣化やヘッド摺動面のキズ付
き等は全く発生しなかった。従って、本発明による磁気
ヘッドは、従来技術による磁気ヘッドと較べても実使用
上何ら問題ないことが明らかとなった。
Further, each of the prototype magnetic heads was attached to a rotary drum and mounted on a VHS type VTR to carry out a magnetic tape running test. No. 1 to No. 5 materials were used as an interlayer insulating film. The magnetic head of No. 1 did not cause unnecessary uneven wear, output deterioration, scratches on the head sliding surface, etc. at all during traveling. Therefore, it has been clarified that the magnetic head according to the present invention has no problem in practical use as compared with the magnetic head according to the prior art.

【0029】[0029]

【発明の効果】本発明によれば、支持体に高飽和磁束密
度の磁性合金膜と層間絶縁膜を交互に介在させた多層膜
を形成した一対の磁気コアを、微小な磁気ギャップを介
して対向させることにより磁路を形成して成る磁気ヘッ
ドにおいて、前記層間絶縁膜が少なくともバナジウム元
素を含む複合酸化物又は酸化物混合体とすることによ
り、前記層間絶縁膜のビッカース硬度を前記磁性合金膜
のビッカース硬度より小さくし、平面ラップ時の層間絶
縁膜の突出を防止することができる。これによって磁気
コア突合わせ時の障害物が無くなり、実効ギャップ長が
0.4μm以下の磁気ヘッドでも安定して得ることが可
能となる。またこうして得られた磁気ヘッドはVTRに
よる実装上も何らの問題も発生せず、従来磁気ヘッドと
同等の信頼性を備えている。
According to the present invention, a pair of magnetic cores having a multilayer film in which a magnetic alloy film having a high saturation magnetic flux density and an interlayer insulating film are alternately interposed are formed on a support through a minute magnetic gap. In a magnetic head having a magnetic path formed by facing each other, the interlayer insulating film is made of a complex oxide or an oxide mixture containing at least a vanadium element, so that the Vickers hardness of the interlayer insulating film is made to be the magnetic alloy film. It is possible to prevent the interlayer insulating film from projecting when the flat surface is lapped by making the hardness smaller than the Vickers hardness of. This eliminates obstacles when the magnetic cores are butted, and a magnetic head having an effective gap length of 0.4 μm or less can be stably obtained. Further, the magnetic head thus obtained does not cause any problem in mounting by the VTR, and has the same reliability as the conventional magnetic head.

【0030】以上のように、本発明によれば従来技術で
は量産が困難であった高密度記録が可能な高性能ヘッド
を、安価かつ大量に市場に提供することが可能となる。
As described above, according to the present invention, a high-performance head capable of high-density recording, which has been difficult to mass-produce by the prior art, can be provided to the market inexpensively and in large quantities.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】従来技術及び本発明共通の磁気ヘッドの第一の
例を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a first example of a magnetic head common to the prior art and the present invention.

【図2】従来技術及び本発明共通の磁気ヘッドの第二の
例を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a second example of a magnetic head common to the prior art and the present invention.

【図3】図2における磁気ヘッドのA部の拡大図であ
る。
FIG. 3 is an enlarged view of a portion A of the magnetic head in FIG.

【図4】従来技術による磁気ヘッドの目標実効ギャップ
長と不良率の関係を示したグラフである。
FIG. 4 is a graph showing the relationship between the target effective gap length and the defect rate of a conventional magnetic head.

【図5】本発明による実施例で用いた磁気ヘッドの目標
実効ギャップ長と不良率の関係を示したグラフである。
FIG. 5 is a graph showing the relationship between the target effective gap length and the defect rate of the magnetic head used in the example according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10,10′…磁性合金多層膜、11,11′…高飽和
磁束密度の磁性合金膜、12,12′…層間絶縁膜、1
3,13′…磁性合金膜を形成するための支持体、1
4,14′…磁気コア接合用ガラス、g…作動ギャッ
プ、A…作動ギャップ部近傍を示す、C…磁路を示す。
10, 10 '... Magnetic alloy multilayer film, 11, 11' ... High saturation magnetic flux density magnetic alloy film, 12, 12 '... Interlayer insulating film, 1
3, 13 '... Support for forming magnetic alloy film, 1
4, 14 '... Glass for joining magnetic cores, g ... Working gap, A ... Working gap vicinity, C ... Magnetic path.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山村 茂樹 茨城県勝田市大字稲田1410番地株式会社日 立製作所東海工場内 (72)発明者 郡司 秀樹 茨城県勝田市大字稲田1410番地株式会社日 立製作所東海工場内 (72)発明者 加藤 明 茨城県日立市久慈町4026番地株式会社日立 製作所日立研究所内 (72)発明者 滑川 孝 茨城県日立市久慈町4026番地株式会社日立 製作所日立研究所内 (72)発明者 内藤 孝 茨城県日立市久慈町4026番地株式会社日立 製作所日立研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Shigeki Yamamura Inventor 1410 Inada, Katsuta City, Ibaraki Pref., Inside the Tokai Plant, Niitsu Seisakusho Co., Ltd. Tokai Plant (72) Inventor Akira Kato 4026 Kuji Town, Hitachi City, Hitachi, Ibaraki Prefecture Hitachi Research Laboratory, Ltd. (72) Inventor Takashi Namerikawa 4026 Kuji Town, Hitachi City, Ibaraki Prefecture Hitachi Research Laboratory, Ltd. (72) Inventor Takashi Naito 4026 Kuji Town, Hitachi City, Ibaraki Prefecture Hitachi Ltd. Hitachi Research Laboratory

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】支持体に高飽和磁束密度の磁性合金膜と層
間絶縁膜を交互に介在させた多層膜を形成した一対の磁
気コアを、微小な磁気ギャップを介して対向させること
により磁路を形成して成る磁気ヘッドにおいて、前記層
間絶縁膜が少なくともバナジウム元素を含む複合酸化物
又は酸化物混合体であることを特徴とする磁気ヘッド。
Claim: What is claimed is: 1. A magnetic path comprising a pair of magnetic cores, each having a multi-layered film in which a magnetic alloy film having a high saturation magnetic flux density and an interlayer insulating film are alternately interposed on a support, facing each other through a minute magnetic gap. A magnetic head having the above-mentioned structure, wherein the interlayer insulating film is a complex oxide or an oxide mixture containing at least a vanadium element.
【請求項2】請求項1記載の磁気ヘッドにおいて、層間
絶縁層が更に少なくともリン元素を含むことを特徴とす
る磁気ヘッド。
2. The magnetic head according to claim 1, wherein the interlayer insulating layer further contains at least phosphorus element.
【請求項3】請求項2記載の磁気ヘッドにおいて、層間
絶縁層が更に少なくともアンチモン,鉛,テルル,バリ
ウム,タリウム及び砒素の元素のうち一種以上を含むこ
とを特徴とする磁気ヘッド。
3. The magnetic head according to claim 2, wherein the interlayer insulating layer further contains at least one element selected from the group consisting of antimony, lead, tellurium, barium, thallium and arsenic.
【請求項4】請求項1〜3のいずれかに記載の磁気ヘッ
ドにおいて、前記磁気ギャップの実効ギャップ長が0.
4μm以下であることを特徴とする磁気ヘッド。
4. The magnetic head according to claim 1, wherein the magnetic gap has an effective gap length of 0.
A magnetic head having a thickness of 4 μm or less.
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