JPH0524005Y2 - - Google Patents

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JPH0524005Y2
JPH0524005Y2 JP10592687U JP10592687U JPH0524005Y2 JP H0524005 Y2 JPH0524005 Y2 JP H0524005Y2 JP 10592687 U JP10592687 U JP 10592687U JP 10592687 U JP10592687 U JP 10592687U JP H0524005 Y2 JPH0524005 Y2 JP H0524005Y2
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wafer
displacement sensors
pair
thickness
guide
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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本考案は、ウエーハの厚さを測定する装置に関
するものである。さらに具体的には、測定対象で
あるウエーハの位置を自在に変えることができる
とともに、ウエーハの位置決めをするための治具
を交換したりあるいはその取付位置を変えること
なく数種の大きさのウエーハの厚さ測定ができ、
しかも精度の高い測定を可能とした測定台を提供
せんとするものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to an apparatus for measuring the thickness of a wafer. More specifically, it is possible to freely change the position of the wafer that is the object of measurement, and to measure wafers of several sizes without having to change the jig for positioning the wafer or change its mounting position. It is possible to measure the thickness of
Furthermore, the present invention aims to provide a measuring stand that enables highly accurate measurements.

[従来の技術] たとえば静電容量を測定することにより被測定
物との間の距離を測定するための変位センサを用
いてIC基板用ウエーハ等の厚さを、これに接触
することなく測定する従来の装置を第7図に示
し、説明する。aは側面図、bは平面図である。
定盤21上にウエーハ22を置きストツパ23を
用いてその位置を決めて、上部変位センサ25お
よび下部変位センサ26でウエーハ22を非接触
で挟むようにしてその厚さを測定していた。
[Prior art] For example, the thickness of an IC board wafer, etc. is measured without touching the object using a displacement sensor that measures the distance between the object and the object by measuring capacitance. A conventional device is shown in FIG. 7 and will be explained. A is a side view, and b is a plan view.
A wafer 22 is placed on a surface plate 21, its position is determined using a stopper 23, and the thickness of the wafer 22 is measured by sandwiching the wafer 22 between an upper displacement sensor 25 and a lower displacement sensor 26 without contact.

第8図には他の従来例を示しており、aは側面
図、bは平面図である。定盤21上に設けられた
三球座24にウエーハ22を載せて、上部および
下部変位センサ25,26でウエーハ22を挟む
ようにして、その厚さを測定していた。
FIG. 8 shows another conventional example, in which a is a side view and b is a plan view. The thickness of the wafer 22 was measured by placing the wafer 22 on a three-ball seat 24 provided on the surface plate 21 and sandwiching the wafer 22 between the upper and lower displacement sensors 25 and 26.

[考案が解決しようとする問題点] このような従来の測定装置にあつては、ウエー
ハを複数箇所の測定点にわたつて厚さ測定をする
場合には、その都度ウエーハをピンセツト等によ
り挟んでその位置を変えなければならず、たとえ
ば5箇所の厚さを測定する場合には、5回上記作
業を反覆しなければならなかつた。
[Problems to be solved by the invention] With such conventional measuring devices, when measuring the thickness of a wafer at multiple measurement points, it is necessary to pinch the wafer with tweezers each time. The position had to be changed, and for example, when measuring the thickness at five locations, the above operation had to be repeated five times.

そのために、多くの測定工数を要し、測定に長
時間を費やさざるをえず測定上作業の能率が悪か
つた。したがつて被測定物であるウエーハにピン
セツトなどを用いて触れる機会が多くなり、傷を
付け易く、品質面での問題が生じていた。
Therefore, a large number of measurement steps were required, and a long time was required for measurement, resulting in poor measurement efficiency. Therefore, there are many opportunities to touch the wafer, which is the object to be measured, using tweezers or the like, which makes it easy to scratch, resulting in quality problems.

また、ウエーハの移動に伴つて、定盤上のチリ
の存在や、ウエーハの反りやその凹凸などによつ
てウエーハの定盤に対する平行度が得にくく、真
空吸着等の他の装置がさらに必要であつた。
In addition, as the wafer moves, it is difficult to obtain parallelism of the wafer to the surface plate due to the presence of dust on the surface plate, warpage of the wafer, and its unevenness, and other equipment such as vacuum suction is required. It was hot.

このようにウエーハの定盤に対する平行度が得
にくいことから、ウエーハの上下に設けた変位セ
ンサの対向面に対する平行度も得難く、そのため
に測定上の再現性に乏しく、十分な測定精度が得
られないという問題点があつた。
Since it is difficult to obtain parallelism of the wafer to the surface plate, it is also difficult to obtain parallelism to the opposing surfaces of the displacement sensors installed above and below the wafer, resulting in poor measurement reproducibility and insufficient measurement accuracy. There was a problem that it could not be done.

このような測定を迅速に、しかもウエーハに傷
を付けることなく行うためには、相当の熟練度を
必要とし、これを欠く場合には能率的かつ精度の
高い測定は実現し難かつた。
In order to carry out such measurements quickly and without damaging the wafer, a considerable level of skill is required, and without this skill it is difficult to achieve efficient and highly accurate measurements.

さらに、大きさの異なるウエーハの各点の厚さ
測定をする場合には、ウエーハを直接定盤に載せ
て測定する装置(第7図)にあつては、変位セン
サとの位置関係を調節するためストツパの位置を
その都度変えなければならなかつた。また、ウエ
ーハを三球座に載せて測定する装置(第8図)に
あつては、三球座自体もその都度ウエーハの大き
さに適合したものに交換しなければならないた
め、多くの測定工数を要し、測定能率が悪い上
に、ウエーハの大きさに対応したサイズの三球座
が必要となり、これを別途に用意しておかなけれ
ばならなかつた。
Furthermore, when measuring the thickness of each point on a wafer of different size, if the device is one that places the wafer directly on a surface plate (Fig. 7), the positional relationship with the displacement sensor must be adjusted. Therefore, the position of the stopper had to be changed each time. In addition, in the case of a device that measures the wafer by placing it on a three-ball holder (Figure 8), the three-ball holder itself must be replaced each time with one that is compatible with the size of the wafer, which requires a large amount of measurement man-hours. In addition to the poor measurement efficiency, a three-ball seat of a size corresponding to the size of the wafer was required, which had to be prepared separately.

このように、変位センサを用いた従来の厚さ測
定装置においては、測定上の能率が悪く、しかも
測定ごとの測定値のバラツキや大きな誤差がみら
れ、精密な厚さ測定を期し難いという問題点があ
つた。
As described above, conventional thickness measuring devices using displacement sensors have problems in that they are inefficient in measurement, and have large errors and variations in measured values for each measurement, making it difficult to achieve accurate thickness measurements. The dot was hot.

[問題点を解決するための手段] 本考案は、このような問題点を解決するため
に、ウエーハの移動手段を設けることによつて、
ウエーハの厚さ測定を能率的にしかも精度良く行
なおうとするものである。
[Means for solving the problem] In order to solve the problem, the present invention provides a means for moving the wafer.
The purpose is to efficiently and accurately measure the thickness of a wafer.

そのために上下の取付手段にそれぞれ支持され
た一対の変位センサと、その変位センサにより厚
さ測定を行う各種サイズのウエーハを置くための
各種サイズのウエーハの周辺部のみをホールドす
る複数の案内部を設けた90°ステツプで回転する
ことのできる旋回台と、その旋回台を載せた前後
(または左右)に自由に移動することのできる移
動台と、その移動台をスライドさせるための案内
手段を設けた基台とを、組み合わせる構造にし
た。
For this purpose, a pair of displacement sensors supported by upper and lower mounting means, and a plurality of guide parts that hold only the peripheral portions of wafers of various sizes are used to place wafers of various sizes whose thickness is to be measured by the displacement sensors. A swivel base that can rotate in 90° steps, a movable base that can freely move back and forth (or left and right) on which the swivel base is placed, and a guide means for sliding the movable base are provided. The structure is such that it can be combined with a base.

[作用] このように構成したことから、旋回台および移
動台はその操作の組み合わせによつて、ウエーハ
に触れることなくウエーハ自体の案内手段の案内
面に対する位置関係は変えずに、ウエーハ全体の
位置を同一平面上に置いて任意に設定できるよう
にするとともに、旋回台には数種の大きさのウエ
ーハをマウントすることができるようにした。
[Function] With this structure, the swivel table and the moving table can change the position of the entire wafer by a combination of their operations without touching the wafer and without changing the positional relationship of the wafer itself with respect to the guide surface of the guide means. The wafers can be placed on the same plane so that they can be set as desired, and the swivel table can mount wafers of several sizes.

[実施例] 以下、本考案の一実施例の構成を第1図ないし
第5図に示し説明する。
[Embodiment] Hereinafter, the configuration of an embodiment of the present invention will be described as shown in FIGS. 1 to 5.

第1図は側面図、第2図は平面図、第3図およ
び第4図は部分側断面図である。
FIG. 1 is a side view, FIG. 2 is a plan view, and FIGS. 3 and 4 are partial side sectional views.

25は上部変位センサ、26は下部変位センサ
で、上部取付部2Aおよび下部取付部2Bに取り
つけられている。上部および下部取付部2A,2
Bには、ピニオン3とラツク4とを噛み合わせて
あり、ピニオン3を回転することにより上下動を
することができ、上部および下部変位センサ2
5,26の上下方向の測定位置を調節する。この
ようなピニオン3とラツク4との組合せによる上
下に微調整する機構は、たとえば顕微鏡の鏡筒を
上下せしめる機構と同じである。
25 is an upper displacement sensor, and 26 is a lower displacement sensor, which are attached to the upper mounting part 2A and the lower mounting part 2B. Upper and lower mounting parts 2A, 2
B has a pinion 3 and a rack 4 engaged with each other, and can move up and down by rotating the pinion 3, and upper and lower displacement sensors 2
Adjust the measurement positions in the vertical direction of 5 and 26. The mechanism for making fine adjustments up and down using the combination of the pinion 3 and the rack 4 is the same as, for example, the mechanism for moving the lens barrel of a microscope up and down.

5はウエーハ22を搭載する旋回台で、第2図
が示すように円板状に形成されており、その構造
をさらに詳しく説明すれば、数種類の径で同心円
状のかつ第4図が拡大して示すように段差状の案
内部6a,6b,6c,6dを設けるとともに、
最大径の案内部6aの径より大きい十字形状の中
空部7を上部および下部変位センサ25,26を
避けるために形成している。
Reference numeral 5 denotes a turning table on which the wafer 22 is mounted, and as shown in Fig. 2, it is formed into a disk shape. As shown in FIG.
A cross-shaped hollow portion 7 larger than the maximum diameter of the guide portion 6a is formed to avoid the upper and lower displacement sensors 25 and 26.

さらに下面にはボール27を3点において有す
る3点支持ボール・ベアリング座10用の軌道溝
8を円環状に設けている。
Further, on the lower surface, a raceway groove 8 for a three-point support ball bearing seat 10 having balls 27 at three points is provided in an annular shape.

数種類の径の案内部6a,6b,6c,6dを
設けていることにより、径の異なるウエーハ22
の厚さ測定に各々対処することができ、また最大
径の案内部6aの径より大きい十字形状の中空部
7(第2図)を形成しているので、この中空部7
にピンセツトなどを差し入れて、案内部6a〜6
dにマウントされているウエーハ22(第4図に
おいては案内部6aにマウントされている)を容
易に取り出すことができる。第2図において旋回
台5の周辺の4個所に旋回台5の回転をスムーズ
にするための旋回台ガイド15が設けられてい
る。
By providing guide portions 6a, 6b, 6c, and 6d with several different diameters, wafers 22 with different diameters can be
Since a cross-shaped hollow part 7 (FIG. 2) larger than the maximum diameter of the guide part 6a is formed, this hollow part 7
Insert tweezers etc. into the guide parts 6a-6.
The wafer 22 mounted on the guide portion 6a (in FIG. 4) can be easily taken out. In FIG. 2, swivel base guides 15 are provided at four locations around the swivel base 5 to ensure smooth rotation of the swivel base 5.

9は前記旋回台5を載せて前後動をする移動台
で、第3図に示すごとく方形状に形成されており
その上面に第5図に示す三点支持ボール・ベアリ
ング座10を設置し、これと旋回台5の下面の軌
道溝8とが嵌合するような状態で旋回台5を搭載
する。このように旋回台5を三点支持ボール・ベ
アリング座10によつて支持しているので、旋回
台5は90°のステツプで自由に左右の回転をする
ことができる。
Reference numeral 9 denotes a movable table on which the swivel table 5 is placed and moves back and forth, which is formed into a rectangular shape as shown in FIG. 3, and a three-point support ball bearing seat 10 shown in FIG. The swivel base 5 is mounted in such a state that this and the raceway groove 8 on the lower surface of the swivel base 5 fit together. Since the swivel base 5 is thus supported by the three-point support ball bearing seat 10, the swivel base 5 can freely rotate left and right in 90° steps.

さらに、第3図に示すように移動台9の下部に
は、2本の案内レール13用の2本の軌道溝11
を設けている。
Furthermore, as shown in FIG.
has been established.

12は測定装置の基台で、その上面には第3図
に示すように2本の案内レール13を平行に設置
し、これに移動台9がその下部に設けられた軌道
溝11を案内レール13に嵌めて置かれる。案内
レール13によつて移動台9を支持しているの
で、旋回台5を搭載した移動台9の位置を、第3
図において前後に自由に変えることができる。
Reference numeral 12 denotes a base of the measuring device, on the top of which two guide rails 13 are installed in parallel as shown in FIG. It is placed in 13. Since the movable base 9 is supported by the guide rail 13, the position of the movable base 9 on which the swivel base 5 is mounted is adjusted to the third position.
You can freely change it forward or backward in the diagram.

操作手順を説明すると、第1図において最初に
移動台12の左端部に位置させ、第4図に示すよ
うに測定するウエーハ22の径に対応した径の案
内部6aにウエーハ22を置く。
To explain the operating procedure, the wafer 22 is first positioned at the left end of the moving stage 12 in FIG. 1, and then placed on the guide portion 6a having a diameter corresponding to the diameter of the wafer 22 to be measured as shown in FIG.

つぎに、移動台9を第1図の図面上を右方向に
移動して第6図に示したウエーハ22の中心点A
が上部変位センサ25の直下にくるように位置を
とる。位置が決まれば、上部および下部変位セン
サ25,26の測定位置を上部および下部取付部
のピニオン3を回転せしめて適宜調整して、ウエ
ーハ22と上部および下部変位センサ25,26
とのギヤツプを適正値にする。これにより測定の
準備は完了する。
Next, move the moving table 9 rightward on the drawing of FIG. 1 to move the center point A of the wafer 22 shown in FIG.
is positioned directly below the upper displacement sensor 25. Once the positions are determined, the measurement positions of the upper and lower displacement sensors 25 and 26 are adjusted appropriately by rotating the pinions 3 of the upper and lower mounting parts, and the measurement positions of the wafer 22 and the upper and lower displacement sensors 25 and 26 are adjusted as appropriate.
Set the gap between the two to an appropriate value. This completes the preparation for measurement.

かりに、測定点が第6図に示すようにウエーハ
22のA〜Eの5箇所である場合には、 イ 先ず、ウエーハ22の中心点であるA点の厚
さ測定をする。
If the measurement points are five points A to E on the wafer 22 as shown in FIG.

ロ つぎに、移動台9を第1図上右方向に移動さ
せ、ウエーハ22のB点が上部変位センサ25
の直下にくるように位置させ、B点の厚さ測定
をする。
(b) Next, move the moving table 9 to the right in FIG.
, and measure the thickness at point B.

ハ さらに、移動台9を第1図の図面上左方向に
移動させ、ウエーハ22のC点が上部変位セン
サ25の直下にくるように位置させて、C点の
厚さ測定をする。
(c) Further, the movable stage 9 is moved to the left in the drawing of FIG. 1, and the thickness of the wafer 22 at the point C is measured by positioning the wafer 22 so that the point C is directly below the upper displacement sensor 25.

ニ ついで、移動台9を第1図の図面上右方向に
移動させウエーハ22の中心点(A点)が上部
変位センサ25の直下にくるように位置させた
上で、旋回台5を右方向あるいは左方向に90°
回転させ、それぞれD点およびE点の厚さ測定
を行う。
(d) Next, move the movable table 9 to the right in the drawing of FIG. 1, position it so that the center point (point A) of the wafer 22 is directly below the upper displacement sensor 25, and then move the swivel table 5 to the right. or 90° to the left
Rotate and measure the thickness at point D and point E, respectively.

ホ 各点の厚さ測定が完了すれば、移動台9を第
1図の図面上左端部に移動させ、旋回台5の中
空部7にピンセツトを差し入れてウエーハ22
を旋回台5から取り出し、当該ウエーハ22の
測定作業は終了する。
(e) Once the thickness measurement at each point is completed, move the movable table 9 to the left end in the drawing of FIG.
The wafer 22 is taken out from the rotating table 5, and the measurement work for the wafer 22 is completed.

以上においては、上下一対の変位センサ1,2
の取付手段としてピニオン3とラツク4を噛み合
せたもの、旋回台5の支持部として三点支持ボー
ル・ベアリング座10、移動台9の案内手段とし
てレール13を用いたものを各々適例として説明
したが、本考案はこれらに限定されるものではな
い。
In the above, a pair of upper and lower displacement sensors 1, 2
As suitable examples, the pinion 3 and rack 4 are engaged as a mounting means, the three-point ball bearing seat 10 is used as a support for the swivel base 5, and the rail 13 is used as a guide means for the movable base 9. However, the present invention is not limited to these.

[考案の効果] 以上説明したように、本考案によれば、旋回台
と移動台との各操作の組合せによつて、ウエーハ
の位置を自在に、しかもピンセツト等の傷の原因
となる手段を用いることなく変えることができる
とともに、旋回台に数種の大きさの案内部を設け
てサイズの異なるウエーハに対処し、さらにはウ
エーハ自体の案内面に対する位置関係を変えるこ
となく厚さ測定を行うことができるので、 イ 従来の測定装置と比較して、測定工数の大幅
削減を実現することができ、高い測定上の能率
が得られる。
[Effects of the invention] As explained above, according to the invention, the wafer can be positioned freely by combining the operations of the rotating table and the moving table, and it is possible to avoid means such as tweezers that cause scratches. In addition, the swivel table can be equipped with guides of several sizes to handle wafers of different sizes, and the thickness can be measured without changing the positional relationship of the wafer itself with respect to the guide surface. (a) Compared to conventional measuring devices, it is possible to significantly reduce the number of measurement steps, resulting in high measurement efficiency.

ロ ウエーハの表面に傷を付けることなく測定を
することができ、品質管理上の要請に応えるこ
とがでる。
Measurements can be made without damaging the wafer surface, meeting quality control requirements.

ハ 何ら特別の装置、付属品等を必要とすること
なく数種の大きさのウエーハの測定が容易にで
き、操作性の向上と管理工数の削減がはかれ
る。
C. Wafers of several sizes can be easily measured without the need for any special equipment or accessories, improving operability and reducing management man-hours.

ニ つねにウエーハ全体を平行に回転あるいは移
動でき、測定精度が大幅に向上し、測定上の再
現性も高められる。
(2) The entire wafer can be rotated or moved in parallel at all times, greatly improving measurement accuracy and reproducibility.

ホ 簡単に操作できる結果、格別の操作上の熟練
を必要とせず、測定者間の測定値のバラツキが
少なく、測定装置としての精密さを得ることが
できる。
e) As a result of being easy to operate, no particular skill in operation is required, there is little variation in measured values between operators, and a high level of precision as a measuring device can be obtained.

したがつて、本考案の効果は極めて大きい。 Therefore, the effects of the present invention are extremely large.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本考案の実施例の構成を示す一部を切
り欠いた右側面図、第2図は同実施例の平面図、
第3図は同じく正面から見た部分断面図、第4図
は同実施例におけるウエーハを搭載した状態の旋
回台および三点支持ボールベアリング座の断面
図、第5図は同じく三点支持ボール・ベアリング
座の平面図、第6図はウエーハの測定点を示す
図、第7図は従来例を示す側面図および平面図、
第8図は他の従来例を示す側面図および平面図で
ある。 2A……上部取付部、2B……下部取付部、3
……ピニオン、4……ラツク、5……旋回台、6
a,6b,6c,6d……案内部、7……中空
部、8……軌道溝、9……移動台、10……三点
支持ボール・ベアリング座、11……軌道溝、1
2……基台、13……案内レール、15……旋回
台ガイド、21……定盤、22……ウエーハ、2
3……ストツパ、24……三球座、25……上部
変位センサ、26……下部変位センサ、27……
ボール。
Fig. 1 is a partially cutaway right side view showing the configuration of an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a plan view of the embodiment,
FIG. 3 is a partial cross-sectional view as seen from the front, FIG. 4 is a cross-sectional view of the swivel table and three-point support ball bearing seat with a wafer mounted in the same embodiment, and FIG. A plan view of the bearing seat, FIG. 6 is a diagram showing measurement points on a wafer, FIG. 7 is a side view and a plan view of a conventional example,
FIG. 8 is a side view and a plan view showing another conventional example. 2A...Top mounting part, 2B...Bottom mounting part, 3
...Pinion, 4...Rack, 5...Swivel base, 6
a, 6b, 6c, 6d...Guiding part, 7...Hollow part, 8...Race groove, 9...Moving table, 10...Three-point support ball bearing seat, 11...Race groove, 1
2...Base, 13...Guide rail, 15...Swivel table guide, 21...Surface plate, 22...Wafer, 2
3...Stopper, 24...Three ball seat, 25...Upper displacement sensor, 26...Lower displacement sensor, 27...
ball.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】 (1) 上下方向で対向した一対の変位センサを有
し、これら一対の変位センサの間にウエーハを
置いてウエーハに接触することなく前記一対の
変位センサによりウエーハの各点で厚さ測定を
行う装置において、 それぞれ取付手段によつて支持された一対の
変位センサと、 その変位センサにより厚さ測定を行う各種の
サイズのウエーハを置くための前記ウエーハの
周辺部を支持するための複数案内部を設けた回
転可能な旋回手段と、 前記旋回手段を載せて平面上を直線状に移動
可能な直線移動手段と、 前記直線移動手段をスライドさせて支持する
ための案内手段を設けた基台と を具備することを特徴としたウエーハの厚さ測
定台。 (2) 前記一対の変位センサの取付手段が、 ピニオンとラツクとを噛合わせたものであつ
て、前記ピニオンを回転し調整することによつ
て、それぞれの変位センサを上下方向に摺動で
きるものである実用新案登録請求の範囲第1項
記載のウエーハの厚さ測定台。 (3) 前記旋回台が、 段差状に設けた同心円状の複数の案内部を有
するものである実用新案登録請求の範囲第1項
記載のウエーハの厚さ測定台。 (4) 前記旋回台が、 三点支持ボール・ベアリングによつて支持さ
れるものである実用新案登録請求の範囲第1項
記載のウエーハの厚さ測定台。
[Claims for Utility Model Registration] (1) It has a pair of displacement sensors facing each other in the vertical direction, and a wafer is placed between the pair of displacement sensors and the wafer is moved by the pair of displacement sensors without touching the wafer. An apparatus for measuring thickness at each point includes a pair of displacement sensors each supported by a mounting means, and a peripheral portion of the wafer on which wafers of various sizes are placed for thickness measurement by the displacement sensors. a rotatable turning means provided with a plurality of guide parts for support; a linear movement means capable of linearly moving on a plane with the turning means placed thereon; and a guide for sliding and supporting the linear movement means. A wafer thickness measuring stand comprising: a base provided with means; (2) The mounting means for the pair of displacement sensors is one in which a pinion and a rack are meshed together, and each displacement sensor can be slid in the vertical direction by rotating and adjusting the pinion. A wafer thickness measuring table according to claim 1 of the utility model registration claim. (3) The wafer thickness measuring table according to claim 1, wherein the rotating table has a plurality of concentric guide portions provided in a stepped manner. (4) The wafer thickness measuring table according to claim 1, wherein the swivel table is supported by a three-point ball bearing.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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