JPH05239646A - Manufacture of diamond coated member - Google Patents

Manufacture of diamond coated member

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Publication number
JPH05239646A
JPH05239646A JP4122592A JP4122592A JPH05239646A JP H05239646 A JPH05239646 A JP H05239646A JP 4122592 A JP4122592 A JP 4122592A JP 4122592 A JP4122592 A JP 4122592A JP H05239646 A JPH05239646 A JP H05239646A
Authority
JP
Japan
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diamond
substrate
base material
laser
diamond film
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP4122592A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Atsuhiko Masuda
敦彦 増田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Idemitsu Petrochemical Co Ltd
Original Assignee
Idemitsu Petrochemical Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Idemitsu Petrochemical Co Ltd filed Critical Idemitsu Petrochemical Co Ltd
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Publication of JPH05239646A publication Critical patent/JPH05239646A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/009After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/50Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
    • C04B41/5001Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with carbon or carbonisable materials
    • C04B41/5002Diamond

Abstract

PURPOSE:To manufacture a coated member having a long service life and high performance by executing surface treatment of emitting laser and thereafter forming a diamond film by a vapor phase synthesizing method. CONSTITUTION:Fine pores of several to several hundreds mum size are regularly formed on the surface of a WC series sintered hard allay, as a substrate, suitable for a cutting machine or the like by YAG laser or TEA type CO2 laser having 10 to 50W pulse output and about 1 to 10KHz cyclic frequency Nd<3->. The substrate is brought into contact with a mixed gas of carbon monoxide and hydrogen at 450 to 950 deg.C under 1 to 800 Torr to form a diamond film on the prescribed surface of the substrate. The film thickness of the diamond film is selected to 5 to 50mum under severe using conditions such as ones in a cutting tool or the like.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明はダイヤモンド被覆部材
の製造方法に関し、さらに詳しく言うと、基材とこれを
被覆するダイヤモンド類膜との密着性に優れ、実用に際
し、高い性能および優れた耐久性を発揮し、使用寿命が
著しく改善されたダイヤモンド被覆部材を製造する方法
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a diamond-coated member, and more specifically, it has excellent adhesion between a base material and a diamond film for coating the same, and has high performance and excellent durability in practical use. And a method for producing a diamond-coated member having a significantly improved service life.

【0002】[0002]

【従来の技術と発明が解決しようとする課題】従来、切
削工具、研磨工具、ダイスなど高い硬度や耐摩耗性が要
求される工具類や摺動部材、耐摩耗部材には超硬合金、
燒結ダイヤモンド、単結晶ダイヤモンドなどが用いられ
ている。これらの中で、ダイヤモンドは、硬度、耐摩耗
性などに著しく優れていることから特に好まれている。
2. Description of the Related Art Conventionally, tools such as cutting tools, polishing tools, and dies, which require high hardness and wear resistance, sliding members, wear-resistant members made of cemented carbide,
Sintered diamond and single crystal diamond are used. Among these, diamond is particularly preferred because it is remarkably excellent in hardness and wear resistance.

【0003】こうしたダイヤモンド工具は、従来、超硬
合金や高硬度の金属等からなる基材の表面に燒結ダイヤ
モンドや単結晶ダイヤモンドをろう付け等により装着す
ることにより構成されていた。しかし、この種のダイヤ
モンド工具の場合、ダイヤモンド自体が高価であり、ま
た、ダイヤモンドの基材への装着などの面倒な製造工程
を必要とすることなどにより、量産性が悪く、製造コス
トが高いという問題があった。このほか、ダイヤモンド
が基材から脱落しやすいので耐久性が悪く、さらには、
ダイヤモンド面の面積を大きくすることは事実上制限が
あるなどの理由によって、その応用範囲が狭く限定され
るなど種々の欠点があった。
Conventionally, such a diamond tool has been constructed by mounting sintered diamond or single crystal diamond on the surface of a base material made of a cemented carbide or a metal having a high hardness by brazing or the like. However, in the case of this kind of diamond tool, the diamond itself is expensive, and since a troublesome manufacturing process such as mounting the diamond on the base material is required, mass productivity is poor and the manufacturing cost is high. There was a problem. In addition, since diamond easily falls off the base material, durability is poor.
Due to the fact that there is a practical limit to increasing the area of the diamond surface, there are various drawbacks such as its application range being narrowly limited.

【0004】このような情勢の中で、近年に至って、C
VD法やPVD法などの気相法ダイヤモンド合成技術を
用いて、超硬合金や高硬度の金属やセラミックス等から
なる基材の表面にダイヤモンド膜(ダイヤモンド類膜)
を析出形成させることによって、各種のダイヤモンド被
覆部材を製造する技術が注目されてきた。この気相合成
法によるダイヤモンド被覆部材の場合、製造コストの低
減及び量産化が容易であり、また、広い面積の基材面に
対してもダイヤモンド被覆を均一に行い得るので、切削
工具、研磨工具等の超硬工具のみならず各種の摺動部材
や耐摩耗性部材、さらにはダイヤモンド半導体デバイス
等の電子・電気機器分野における各種の素材などへの広
範囲の用途が期待される。
Under these circumstances, in recent years, C
A diamond film (diamond film) is formed on the surface of a substrate made of cemented carbide, high-hardness metal or ceramics, etc. by using a vapor phase diamond synthesis technique such as VD method or PVD method.
Attention has been focused on a technique for producing various diamond-coated members by depositing and forming. In the case of the diamond-coated member by the vapor phase synthesis method, it is easy to reduce the manufacturing cost and mass-produce it, and the diamond coating can be uniformly applied to the substrate surface of a large area. It is expected to have a wide range of applications not only for cemented carbide tools such as the above but also for various sliding members and wear resistant members, and various materials in the field of electronic and electrical equipment such as diamond semiconductor devices.

【0005】このような種々の利点を現実化すべく、ダ
イヤモンド被覆部材について、極めて多様な技術が提案
されてきた。ところが、この種のダイヤモンド被覆部材
においては、一般に、超硬合金やセラミックス等の基材
とダイヤモンド膜との密着性が悪いという基本的な問題
があり、このため、特に切削工具、研磨工具等の超硬工
具類や摺動部材、耐摩耗性部材として用いた時にダイヤ
モンド被覆が剥離したり、損傷を起こしやすく、実用に
際して十分な性能及び耐久性が得られず、使用寿命が短
いという重大な問題が生じていた。
In order to realize such various advantages, a great variety of techniques have been proposed for diamond-coated members. However, in this type of diamond-coated member, there is generally a basic problem that the adhesion between the base material such as cemented carbide or ceramics and the diamond film is poor, and therefore, especially for cutting tools, polishing tools, etc. A serious problem that the diamond coating easily peels off or is damaged when used as carbide tools, sliding members, and wear resistant members, sufficient performance and durability cannot be obtained in practical use, and the service life is short. Was occurring.

【0006】そこで、従来、こうした基材とダイヤモン
ド膜の密着性の向上を図ることを課題とし、基材とダイ
ヤモンド膜との間に中間層を設けたり、あるいは、極め
て特殊な材質の基材を用いるなどのさまざまの工夫が行
われてきた。それにもかかわらず、これら従来の技術に
よるダイヤモンド被覆部材のうちの多くは、密着性の改
善が不十分であり、いまだ実用レベルに達していなかっ
た。また、最近、ダイヤモンド類被覆部材が工具や耐摩
耗部材として市販されるようになっては来たが、これら
の市販品においても、基材とダイヤモンド類膜との密着
性は、なお十分とは言い難く、使用寿命が短いと言う問
題点があった。
[0006] Therefore, conventionally, it has been a problem to improve the adhesion between the base material and the diamond film, and an intermediate layer is provided between the base material and the diamond film, or a base material of an extremely special material is used. Various innovations such as use have been made. Nevertheless, many of these conventional diamond-coated members have insufficient improvement in adhesion and have not yet reached a practical level. Further, recently, although diamond-coated members have come to be marketed as tools and wear-resistant members, the adhesiveness between the base material and the diamond film is still insufficient in these commercially available products. It was difficult to say, and there was a problem that the service life was short.

【0007】すなわち、ダイヤモンド被覆部材は、すで
に実用化の段階に入ってはいるものの、さらに長寿命化
を図るためにも、基材とダイヤモンド類膜との密着性を
さらに大きく向上させることが要望されているのであ
る。このような要望に応えるべく、前記中間層を設ける
技術の改良案として、たとえば、各種の材質の基材の面
上にその基材成分と炭素成分とからなる中間層を形成さ
せ、該中間層の面上に気相合成法によってダイヤモンド
膜(ダイヤモンド類膜)を形成させ、その中間層によっ
て基材とダイヤモンド膜の密着性を向上させようとする
試みが提案されている(特開昭60−208473号公
報、特開昭61−106478号公報、特開昭61−1
06493号公報、特開昭61−106494号公報な
ど)。
That is, although the diamond-coated member is already in the stage of practical application, it is desired to further greatly improve the adhesion between the base material and the diamond film in order to further prolong the life. It has been done. In order to meet such a demand, as an improvement plan of the technique of providing the intermediate layer, for example, an intermediate layer made of the base material component and the carbon component is formed on the surface of the base material of various materials, and the intermediate layer is formed. There has been proposed an attempt to form a diamond film (diamond film) on the surface of the substrate by a vapor phase synthesis method and to improve the adhesion between the base material and the diamond film by an intermediate layer thereof (JP-A-60- 208473, JP 61-106478, JP 61-1
No. 06493, JP-A No. 61-106494, etc.).

【0008】しかしながら、中間層を用いる技術におい
ては、中間層は基材とダイヤモンド類膜の双方に対し
て高い密着性を保持することが求められ、しかも、中
間層自体の強度も十分に高くなければならない、という
厳しい要求を満たす必要があるので、その最適な材質の
選定は極めて難しい。実際、上記例示の従来法のように
中間層の材質の選定やその形成法等に種々の工夫がなさ
れてきているが、従来法によって得られるところの、中
間層を有するダイヤモンド被覆部材は、いずれの場合
も、上記およびを共に十分に満足するに至ってはお
らず、特に、切削工具や摺動部材等の過酷な条件で使用
に供する場合、十分な耐久性や使用寿命が得られないと
いう問題点があった。
However, in the technique using the intermediate layer, the intermediate layer is required to maintain high adhesion to both the substrate and the diamond-like film, and the strength of the intermediate layer itself must be sufficiently high. It is extremely difficult to select the optimum material because it is necessary to meet the strict requirement that it must be done. Actually, although various ideas have been made in the selection of the material of the intermediate layer and the formation method thereof as in the conventional method illustrated above, the diamond-coated member having the intermediate layer, which is obtained by the conventional method, is In the case of, the above and both have not been sufficiently satisfied, and especially when used under severe conditions such as cutting tools and sliding members, sufficient durability and service life cannot be obtained. was there.

【0009】一方、基材とダイヤモンド類膜との密着性
を改善することとして、基材の表面状態を改変する方法
も提案されている。たとえば、特開平3−183774
号公報には、基材を電解研磨する方法が開示されてい
る。しかしながら、この方法においては、操作が煩雑で
ある外に、導電性を有する基材にしか適用することがで
きないので、基材の種類が限定されてしまうという問題
がある。
On the other hand, a method of modifying the surface condition of the substrate has also been proposed to improve the adhesion between the substrate and the diamond film. For example, JP-A-3-183774
The publication discloses a method of electrolytically polishing a substrate. However, this method has a problem that the type of the base material is limited because the method can be applied only to the conductive base material in addition to the complicated operation.

【0010】この発明は、前記事情を鑑みてなされたも
のである。この発明の目的は、超硬合金及びセラミック
スのいずれの材質からなる基材であっても、換言すると
基材の種類に制限なくその表面にダイヤモンド類膜を密
着性良く形成することができ、たとえば切削工具等の超
硬工具や摺動部材、耐摩耗性部材等として十分な実用性
能及び耐久性を発揮して大幅な長寿命化を達成すること
ができる、高性能のダイヤモンド被覆部材を簡単な工程
で効率よく製造する方法を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances. An object of the present invention is to form a diamond film on the surface of a base material made of cemented carbide or ceramics, that is, regardless of the type of the base material. A high-performance diamond-coated member that can achieve a significantly long life by exerting sufficient practical performance and durability as a carbide tool such as a cutting tool, a sliding member, a wear resistant member, etc. It is to provide a method of efficiently manufacturing in a process.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】前記問題点を解決するこ
の発明は、基材における、超硬合金及びセラミックスよ
りなる群から選択される少なくとも一種からなる表面に
パルス発振レーザーを照射する表面処理をした後に、こ
の表面処理後の基材の表面に気相合成法によってダイヤ
モンド類膜を形成することを特徴とするダイヤモンド被
覆部材の製造方法である。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention which solves the above-mentioned problems involves a surface treatment of irradiating a pulse oscillation laser on the surface of at least one selected from the group consisting of cemented carbide and ceramics in a substrate. After that, the diamond-based film is formed on the surface of the substrate after the surface treatment by a vapor phase synthesis method.

【0012】以下にこの発明を詳述する。この発明にお
ける基材は、超硬合金およびセラミックスからなる群か
ら選択される少なくとも一種で形成することができる。
この場合、基材の少なくともその表面が超硬合金及びセ
ラミックスからなる群から選択される少なくとも一種で
形成されている。したがって、この発明における基材
は、超硬合金あるいはセラミックスだけで形成されてい
ても良く、又、基材の内部は超硬合金で形成され、基材
の表面部はセラミックスで形成されていても良く、又、
この逆の構造であっても良い。又、この基材としては、
基材の内部が、ダイヤモンド類膜の形成時の高温に耐え
る程度の耐熱性を有するところの、超硬合金及びセラミ
ックスとは異なる適宜の部材で形成され、基材の表面部
が超硬合金またはセラミックスで形成されてなる、その
ような基材を使用することもできる。基材の表面は、超
硬合金だけあるいはセラミックスだけからなっていても
良く、超硬合金で形成された部分とそれ以外の部分はセ
ラミックスで形成されてなる部分とからなっていても良
い。
The present invention will be described in detail below. The base material in the present invention can be formed of at least one selected from the group consisting of cemented carbide and ceramics.
In this case, at least the surface of the base material is formed of at least one selected from the group consisting of cemented carbide and ceramics. Therefore, the base material in the present invention may be formed only of cemented carbide or ceramics, or the inside of the base material may be formed of cemented carbide and the surface portion of the base material may be formed of ceramics. Good again
The reverse structure may be used. Also, as this base material,
The inside of the base material is formed of an appropriate member different from cemented carbide and ceramics, which has heat resistance to withstand the high temperature at the time of forming the diamond film, and the surface portion of the base material is cemented carbide or It is also possible to use such a substrate formed of ceramics. The surface of the base material may be made of only cemented carbide or ceramics, and the portion made of cemented carbide and the other portion may be made of ceramics.

【0013】この発明の方法にどのような構造の基材を
採用するかは、ダイヤモンド類膜被覆部材の用途に応じ
て適宜に決定することができる。もっとも、ダイヤモン
ド類膜被覆部材を、切削工具、研磨工具、ダイスなど高
い硬度や耐摩耗性が要求される工具類や摺動部材、耐摩
耗部材等の用途に用いるのであると、基材自体に大きな
力が作用することがあるので、そのような用途における
基材としては、基材自体が超硬合金またはセラミックス
で形成されているのが望ましい。
The structure of the substrate used in the method of the present invention can be appropriately determined according to the application of the diamond film coating member. However, if the diamond film coating member is used for cutting tools, polishing tools, tools such as dies that require high hardness and wear resistance, sliding members, wear resistant members, etc. Since a large force may act, it is desirable that the base material itself be formed of cemented carbide or ceramics as a base material in such applications.

【0014】前記超硬合金としては、特に制限はなく、
一般に知られているものなど各種の種類および組成もの
が使用可能であり、たとえば、W、Mo、Cr、Co、
Ni、Fe、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Al、
B、Ga、Siなどの一種または二種以上の金属からな
る超硬合金類、これらの金属一種または二種以上と、炭
素、窒素酸素および/またはホウ素等からなる各種の組
成の超硬合金類(具体的には、たとえば、WC、W−W
C、WC−C、W−WC−C等のW−C系、Co−C
系、Co−WC、Co−W−WC、Co−WC−C、C
o−W−WC−C等のCo−W−C系、TaCx 等のT
a−C系、TiC等のTi−C系、MoCx、Mo−M
oCx 、MoCx −C系等のMo−C系、SiC等のS
i−C系、Fe−FeCx 系等のFe−C系、Al2
3 −Fe系等のAl−Fe−O系、TiC−Ni系等の
Ti−Ni−C系、TiC−Co系等のTi−Co−C
系、BN系、B4 C−Fe系等のFe−B−C系、Ti
N系等のTi−N系、AlNx系等のAl−N系、Ta
x 系等のTa−N系、WC−TaC−Co−C系等の
W−Ta−Co−C系、WC−TiC−Co−C系等の
W−Ti−Co−C系、WC−TiC−TaC−Co−
C系等のW−Ti−Ta−Co−C系、W−Ti−C−
N系、W−Co−Ti−C−N系など)など多種多様の
超硬合金を挙げることができる。これらの中でも、特に
好ましい例として、たとえば、切削工具用などに好適な
WC系超硬合金(具体的には、たとえば、JIS B
4104において使用分類記号P01、P10、P2
0、P30、P40、P50等のPシリーズ、M10、
M20、M30、M40等のMシリーズ、K01、K1
0、K20、K30、K40等のKシリーズなどの切削
工具用等の超硬合金チップ、V1、V2、V3等のVシ
リーズなどの線引ダイス用、センタ用、切削工具用等の
超硬合金チップなどのWC−Co系等のW−Co−C系
超硬合金、WC−TiC−TaC−Co系等のW−Ti
−Ta−Co−C系超硬合金、あるいはこれらのTaの
一部をNbに変えたもの等々)などを挙げることができ
る。なお、これらには、上記以外の他の元素や添加成分
を含有しているものであってもよい。どのような材質お
よび形状の超硬合金を採用するかは、使用目的等に応じ
て適宜に選択すればよい。
The cemented carbide is not particularly limited,
Various types and compositions such as those generally known can be used, and for example, W, Mo, Cr, Co,
Ni, Fe, Ti, Zr, Hf, Nb, Ta, Al,
Cemented carbides composed of one or more metals such as B, Ga and Si, and cemented carbides of various compositions consisting of one or more of these metals and carbon, nitrogen oxygen and / or boron, etc. (Specifically, for example, WC, WW
WC system such as C, WC-C, W-WC-C, Co-C
System, Co-WC, Co-W-WC, Co-WC-C, C
o-W-WC-C or the like of the Co-WC system, T such as TaC x
a-C system, TiC system such as TiC, MoC x, Mo-M
oC x, MoC x -C system, and the like MoC system, S such as SiC
i-C system, Fe-FeC x system, etc. FeC system, Al 2 O
Al—Fe—O system such as 3- Fe system, Ti—Ni—C system such as TiC—Ni system, Ti—Co—C system such as TiC—Co system
System, BN system, B 4 C-Fe system or the like of Fe-B-C system, Ti
Ti-N type such as N type, Al-N type such as AlN x type, Ta
N x system or the like of the Ta-N system, WC-TaC-Co-C system, etc. of the W-Ta-Co-C system, WC-TiC-Co-C system, etc. of the W-Ti-Co-C system, WC TiC-TaC-Co-
C-based W-Ti-Ta-Co-C-based, W-Ti-C-
N-type, W-Co-Ti-C-N type, etc.) can be mentioned. Among these, as a particularly preferable example, for example, a WC-based cemented carbide suitable for a cutting tool or the like (specifically, for example, JIS B
4104: use classification symbols P01, P10, P2
0, P30, P40, P50 and other P series, M10,
M series such as M20, M30, M40, K01, K1
Cemented carbide chips for cutting tools such as K series such as 0, K20, K30 and K40, cemented carbides for drawing dies such as V series such as V1, V2 and V3, for centers, cutting tools, etc. W-Co-C type cemented carbide such as WC-Co type such as chip, W-Ti such as WC-TiC-TaC-Co type
-Ta-Co-C type cemented carbide, or those in which a part of Ta is changed to Nb) and the like. In addition, these may contain elements other than the above and additive components. The material and shape of the cemented carbide to be adopted may be appropriately selected according to the purpose of use and the like.

【0015】前記セラミックスとしては、たとえばS
i、Al、Ti、W、Mo、Co、Ge、ZrおよびC
rなどの金属の酸化物、窒化物、炭化物及びこれらの混
合物ないし組成物等を挙げることができる。これらの具
体例としては、アルミナ、β−アルミナ、ムライト、シ
リカ、コーディエライト、スポジュメン、ジルコニア、
炭化タングステン、チタニア、酸化モリブデン、酸化ク
ロム、酸化ジルコニウム、炭化ケイ素、炭化タングステ
ン、炭化チタン、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、サイ
アロン等を挙げることができる。
Examples of the ceramics include S
i, Al, Ti, W, Mo, Co, Ge, Zr and C
Examples thereof include oxides, nitrides, and carbides of metals such as r, and mixtures or compositions thereof. Specific examples of these include alumina, β-alumina, mullite, silica, cordierite, spodumene, zirconia,
Examples thereof include tungsten carbide, titania, molybdenum oxide, chromium oxide, zirconium oxide, silicon carbide, tungsten carbide, titanium carbide, aluminum nitride, silicon nitride and sialon.

【0016】基材の形状についても特に制限がなく、円
盤状、方形状、あるいは工具や耐摩耗性部材の形状をし
ていても良い。この発明においては、基材の表面にパル
ス発振レーザーを照射する表面処理をまず行う。
The shape of the base material is not particularly limited, and may be a disk shape, a rectangular shape, or the shape of a tool or a wear resistant member. In the present invention, the surface treatment of irradiating the surface of the substrate with the pulsed laser is first performed.

【0017】この場合のレーザーとしては、レーザービ
ームをできるだけ細く絞ることができ、例えば0.25
μm程度にまでビーム径を絞ることができ、パルス照射
することのできるレーザーであれば特に問題はなく、種
々の発振装置から発振されるレーザーを採用することが
できる。具体的には、気体レーザー、固体レーザー、半
導体レーザーを使用することができる。この気体レーザ
ーとしては、例えば、CO2 レーザー、I2 レーザー等
を挙げることができ、固体レーザーとしては、Nd3+
YAGレーザー、Nd3+:GGGレーザー等のネオジム
レーザー、アレクサンドライトレーザー等を挙げること
ができる。
As the laser in this case, the laser beam can be narrowed down as much as possible, for example, 0.25.
There is no particular problem as long as the laser is capable of narrowing the beam diameter to about μm and capable of performing pulse irradiation, and lasers oscillated from various oscillators can be adopted. Specifically, a gas laser, a solid laser, and a semiconductor laser can be used. Examples of the gas laser include CO 2 laser and I 2 laser, and examples of the solid-state laser include Nd 3+ :
Examples thereof include YAG laser, Nd 3+ : Neodymium laser such as GGG laser, and Alexandrite laser.

【0018】レーザーの出力としては、前記基材の表面
に穴を設けることができるに十分な値で良く、好適なレ
ーザー出力値は、基材の材質等により相違するから一般
的に規定することはできず、基材の材質に応じて個別的
に、かつ実験的に決定するのが良い。一例を挙げると、
基材がWC−TiC−Co系であるときには、例えば、
パルス出力10〜50W、繰り返し周波数1〜10KH
z程度のNd3+:YAGレーザーや、TEA(transver
sely excited atmospheric pressure )型CO2 レーザ
ーを好適例として挙げることができる。
The output of the laser may be a value sufficient to form a hole in the surface of the base material, and a suitable laser output value varies depending on the material of the base material and the like. However, it may be determined individually and experimentally according to the material of the base material. To give an example,
When the base material is a WC-TiC-Co system, for example,
Pulse output 10-50W, repetition frequency 1-10KH
zd Nd 3+ : YAG laser, TEA (transver
A preferable example is a sely excited atmospheric pressure type CO 2 laser.

【0019】基材表面に照射されるレーザービームは、
基材表面におけるダイヤモンド形成領域を走査すること
が望ましい。基材の所定面をレーザービームで走査する
ことにより、基材の所定面に微細な穴を多数開設し、こ
れによって基材表面に微細な凹凸が形成される。ここ
で、この微細な穴は、その平均直径が小さければ小さい
程好ましいのであるが、通常は数μm〜数100μmで
ある。又、形成される穴は規則正しく配列されているの
が良く、そうすることによって、基板表面に対するダイ
ヤモンド類膜の密着性が向上する。したがって、例えば
一列に配列された穴と穴との間隔は、レーザービームス
ポットの1/10〜10倍程度であるのが望ましい。こ
のように、レーザービームスポットにより基板表面に開
設された穴が所定の平均直径を有すると共に穴と穴との
間隔が適切に選択されていることにより、基板に対する
ダイヤモンド類膜の密着性がより一層向上する。穴と穴
との間隔が広すぎるとダイヤモンド類膜の基材に対する
密着性に劣ることがあり、穴と穴との間隔が狭すぎると
レーザーによる表面処理の効率が低くなることがある。
The laser beam applied to the substrate surface is
It is desirable to scan the diamond formation area on the substrate surface. By scanning the predetermined surface of the base material with a laser beam, a large number of fine holes are formed in the predetermined surface of the base material, whereby fine irregularities are formed on the surface of the base material. Here, the smaller the average diameter of the fine holes, the more preferable, but it is usually several μm to several hundred μm. Further, it is preferable that the holes to be formed are regularly arranged, and by doing so, the adhesion of the diamond film to the substrate surface is improved. Therefore, for example, the distance between holes arranged in a line is preferably about 1/10 to 10 times the laser beam spot. Thus, the holes formed on the surface of the substrate by the laser beam spot have a predetermined average diameter and the distance between the holes is appropriately selected, so that the adhesion of the diamond film to the substrate is further improved. improves. If the distance between the holes is too wide, the adhesion of the diamond film to the substrate may be poor, and if the distance between the holes is too narrow, the efficiency of the surface treatment by laser may be low.

【0020】以上のようなレーザーによる表面処理をす
るレーザー装置として、例えば、日本電気(株)製のY
AGレーザー、Lambda Physik 社製のエキシマレーザー
マーカ、Lasertechnics 社製のTEA CO2 レーザー
マーカを挙げることができる。この発明では、基材表面
につき上記したレーザーによる表面処理をしてから、表
面処理後の基材表面にダイヤモンド類膜を形成する。
As a laser device for performing the above-mentioned laser surface treatment, for example, Y manufactured by NEC Corporation is used.
Examples thereof include AG laser, excimer laser marker manufactured by Lambda Physik, and TEA CO 2 laser marker manufactured by Lasertechnics. In this invention, the surface of the substrate is subjected to the above-mentioned laser surface treatment, and then a diamond film is formed on the surface of the substrate after the surface treatment.

【0021】前記ダイヤモンド類膜の形成は、従来の気
相合成法等の各種の気相合成法によって行うことがで
き、中でも、CVD法による方法が好適に採用される。
こうしたダイヤモンド類膜の気相合成法としてのCVD
法としては、たとえば、マイクロ波プラズマCVD法、
高周波プラズマCVD法、熱フィラメントCVD法、D
CアークプラズマCVD法等の多種多様の方法が知られ
ている。この発明の方法においては、これらのいずれの
方法も適用することができるが、中でも、特に、マイク
ロ波プラズマCVD法、高周波プラズマCVD法や熱フ
ィラメントCVD法などが好適に適用される。
The diamond film can be formed by various vapor phase synthesis methods such as the conventional vapor phase synthesis method, and among them, the CVD method is preferably adopted.
CVD as a vapor phase synthesis method for diamond films
Examples of the method include a microwave plasma CVD method,
High frequency plasma CVD method, hot filament CVD method, D
A wide variety of methods are known, such as the C-arc plasma CVD method. Any of these methods can be applied to the method of the present invention, and among them, a microwave plasma CVD method, a high frequency plasma CVD method, a hot filament CVD method, and the like are particularly preferably applied.

【0022】また、こうしたプラズマCVD法によるダ
イヤモンド類膜の気相合成法においては、原料ガスとし
て、少なくとも炭素源ガスを含む各種の種類および組成
の原料ガスを使用することのできることが、知られてい
る。原料ガスとして、たとえば、CH4 とH2 の混合ガ
ス等のように炭化水素を炭素源ガスとして含有する原料
ガス、COとH2 の混合ガス等のように炭化水素以外の
炭素化合物を炭素源ガスとして含有する原料ガスなど、
各種の原料ガスを挙げることができる。
Further, it is known that in the vapor phase synthesis method of the diamond type film by the plasma CVD method, various kinds and compositions of raw materials containing at least a carbon source gas can be used as the raw material gas. There is. As the raw material gas, for example, a raw material gas containing a hydrocarbon as a carbon source gas such as a mixed gas of CH 4 and H 2 , or a carbon compound other than a hydrocarbon such as a mixed gas of CO and H 2 as a carbon source. Raw material gas contained as gas,
Various source gases can be mentioned.

【0023】この発明の方法においては、ダイヤモンド
類膜の形成が可能であれば、上記の原料ガス等を初めと
する従来法で使用されている原料ガスなどの各種の原料
ガスを適宜に使用してダイヤモンド類膜を形成させるこ
とができる。中でも、COとH2 との混合ガス、あるい
はCH4 とH2 との混合ガスが好ましい。特に、COと
2 との混合ガスを原料ガスとして使用すると、炭化水
素を用いた場合に比べてダイヤモンド類の堆積速度が速
くて、効率よく製膜することができるなどの点で優れて
いる。
In the method of the present invention, if it is possible to form a diamond film, various source gases such as the source gases used in the conventional methods such as the source gases described above are appropriately used. To form a diamond film. Of these, a mixed gas of CO and H 2 or a mixed gas of CH 4 and H 2 is preferable. In particular, when a mixed gas of CO and H 2 is used as a raw material gas, the deposition rate of diamonds is higher than that when a hydrocarbon is used, and it is excellent in that a film can be efficiently formed. ..

【0024】以下に、この特に好ましいダイヤモンド類
膜の形成方法の例として、COとH2 を原料ガスとして
用いる方法について、その好適な方法の例を説明する。
すなわち、この発明の方法においては、前記ダイヤモン
ド類膜の形成は、下記の一酸化炭素と水素ガスとの混合
ガスを原料ガスとして用いる方法(以下、この方法を、
方法Iと称すことがある。)によって特に好適に行うこ
とができる。
As an example of the method for forming the diamond film, which is particularly preferable, a method of using CO and H 2 as raw material gases will be described below.
That is, in the method of the present invention, the formation of the diamond film is a method of using a mixed gas of the following carbon monoxide and hydrogen gas as a source gas (hereinafter, this method,
Sometimes referred to as Method I. ) Particularly preferably.

【0025】すなわち、この方法Iは、一酸化炭素と水
素とを、一酸化炭素ガスが1容量%以上となる割合で、
含有する混合ガスを励起して得られるガスを、基板に接
触させることを特長とする。
That is, in this method I, carbon monoxide and hydrogen were added at a ratio of carbon monoxide gas of 1% by volume or more.
It is characterized in that the gas obtained by exciting the mixed gas contained therein is brought into contact with the substrate.

【0026】この方法Iにおいて、使用に供する前記一
酸化炭素としては特に制限がなく、たとえば石炭、コー
クスなどと空気または水蒸気を熱時反応させて得られる
発生炉ガスや水性ガスを充分に精製したものを用いるこ
とができる。使用に供する前記水素について特に制限が
なく、たとえば石油類のガス化、天然ガス、水性ガスな
どの変成、水の電解、鉄と水蒸気との反応、石炭の完全
ガス化などにより得られるものを充分に精製したものを
用いることができる。
In this method I, the carbon monoxide to be used is not particularly limited, and, for example, the generator gas or water gas obtained by reacting coal or coke with air or steam at the time of heat is sufficiently purified. Any thing can be used. There is no particular limitation on the hydrogen to be used, for example, those obtained by gasification of petroleum, transformation of natural gas, water gas, electrolysis of water, reaction of iron and steam, complete gasification of coal, etc. are sufficient. What was refine | purified can be used.

【0027】この方法Iにおいては、原料ガスとして一
酸化炭素と前記水素とを、一酸化炭素ガスの含有量が1
容量%以上、好ましくは3容量%以上、さらに好ましく
は5容量%以上となる割合で、含有する混合ガスを励起
して得られるガスを、前記基材に接触させることによ
り、その所定の面上にダイヤモンド類を堆積させる。前
記混合ガス中の一酸化炭素ガスの含有量が1容量%より
も少ないとダイヤモンドが生成しなかったり、ダイヤモ
ンドがたとえ生成してもその堆積速度が著しく小さい。
In this method I, carbon monoxide and hydrogen are used as raw material gases, and the content of carbon monoxide gas is 1
By contacting a gas obtained by exciting the mixed gas contained therein at a ratio of not less than 3% by volume, preferably not less than 5% by volume, and more preferably not less than 5% by volume on the predetermined surface. Diamonds are deposited on. When the content of carbon monoxide gas in the mixed gas is less than 1% by volume, diamond is not produced, or even if diamond is produced, the deposition rate is extremely low.

【0028】前記原料ガスを励起して励起状態の炭素を
含有する前記原料ガスを得る手段としては、たとえばプ
ラズマCVD法、スパッタ法、イオン化蒸着法、イオン
ビーム蒸着法、熱フィラメント法、化学輸送法などの従
来より公知の方法を用いることができる。
Means for exciting the source gas to obtain the source gas containing excited carbon includes, for example, plasma CVD method, sputtering method, ionization deposition method, ion beam deposition method, hot filament method, chemical transport method. A conventionally known method such as the above can be used.

【0029】前記プラズマCVD法を用いる場合には、
前記水素は高周波またはマイクロ波の照射によってプラ
ズマを形成し、前記化学輸送法および熱フィラメント法
などのCVD法を用いる場合には、前記水素は熱または
放電により原子状水素を形成する。この原子状水素は、
ダイヤモンドの析出と同時に析出する黒鉛構造の炭素を
除去する作用を有する。
When the plasma CVD method is used,
The hydrogen forms plasma by irradiation with high frequency waves or microwaves, and when the CVD method such as the chemical transport method and the hot filament method is used, the hydrogen forms atomic hydrogen by heat or discharge. This atomic hydrogen is
It has a function of removing carbon having a graphite structure which is deposited at the same time as the deposition of diamond.

【0030】この方法Iにおいては、前記原料ガスのキ
ャリヤーとして、不活性ガスを用いることもできる。不
活性ガスの具体例としては、アルゴンガス、ネオンガ
ス、ヘリウムガス、キセノンガス、窒素ガスなどが挙げ
られる。これらは、1種単独で用いてもよいし、2種以
上を組合わせて用いてもよい。
In this method I, an inert gas may be used as a carrier for the raw material gas. Specific examples of the inert gas include argon gas, neon gas, helium gas, xenon gas, nitrogen gas and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

【0031】この方法Iにおいては、以下の条件下に反
応が進行して、基材上にダイヤモンド類が析出する。す
なわち、前記基材の表面の温度は、前記原料ガスの励起
手段によって異なるので、一概に決定することはできな
いが、たとえばプラズマCVD法を用いる場合には、通
常、400℃〜1,000℃、好ましくは450℃〜9
50℃である。この温度が400℃より低い場合には、
ダイヤモンドの堆積速度が遅くなったり、励起状態の炭
素が生成しないことがある。一方、1,000℃より高
い場合には、基材上に堆積したダイヤモンドがエッチン
グにより削られてしまい、堆積速度の向上が見られない
ことがある。反応圧力は、通常、10-3〜103 tor
r、好ましくは1〜800torrである。反応圧力が
10-3torrよりも低い場合には、ダイヤモンドの堆
積速度が遅くなったり、ダイヤモンドが析出しなくなっ
たりする。一方、103 torrより高くしてもそれに
相当する効果は得られない。
In this method I, the reaction proceeds under the following conditions to deposit diamonds on the substrate. That is, the temperature of the surface of the substrate cannot be unconditionally determined because it varies depending on the excitation means of the raw material gas, but when the plasma CVD method is used, it is usually 400 ° C to 1,000 ° C. Preferably 450 ° C-9
It is 50 ° C. If this temperature is below 400 ° C,
The deposition rate of diamond may be slow, or excited carbon may not be generated. On the other hand, if the temperature is higher than 1,000 ° C., the diamond deposited on the substrate may be scraped off by etching, and the deposition rate may not be improved. The reaction pressure is usually 10 −3 to 10 3 torr.
r, preferably 1 to 800 torr. When the reaction pressure is lower than 10 −3 torr, the diamond deposition rate becomes slow, or the diamond does not precipitate. On the other hand, even if it is higher than 10 3 torr, the effect equivalent to that cannot be obtained.

【0032】以上のようにして、前記基材の所定の面上
に、ダイヤモンド類膜を好適に形成することができる。
この発明の方法においては、前記ダイヤモンド類膜の形
成は、もちろん、上記の方法I以外の方法を適用して行
ってもよい。
As described above, a diamond film can be suitably formed on the predetermined surface of the base material.
In the method of the present invention, the diamond type film may of course be formed by applying a method other than the above method I.

【0033】形成させる前記ダイヤモンド類膜の膜厚
は、使用目的等に応じて適宜に適当な膜厚にすればよ
く、この意味で特に制限はないが、通常は、1〜100
μmの範囲に選定するのがよい。この膜厚が、あまり薄
すぎると、ダイヤモンド類膜による被覆効果が十分に得
られないことがあり、一方、あまり厚すぎると、使用条
件によっては、ダイヤモンド類膜の剥離等の離脱が生じ
ることがある。なお、切削工具等の過酷な条件で使用す
る場合には、通常、この厚みを、5〜50μmの範囲に
選定するのが好適である。
The thickness of the diamond film to be formed may be appropriately set according to the purpose of use and the like, and there is no particular limitation in this sense, but usually 1 to 100.
It is preferable to select in the range of μm. If this film thickness is too thin, the coating effect of the diamond film may not be sufficiently obtained, while if it is too thick, separation such as peeling of the diamond film may occur depending on the use conditions. is there. When used under severe conditions such as a cutting tool, it is usually preferable to select the thickness in the range of 5 to 50 μm.

【0034】以上のように前記各種の基材を前記所定の
条件で熱処理した後、ダイヤモンド類膜を形成すること
によって、基材とダイヤモンド類膜との密着性を著しく
向上させることができ、高性能のダイヤモンド被覆部材
を得ることができる。また、この発明の方法によれば、
基材のベースとして各種の超硬合金を使用することがで
き、特に、たとえば切削工具用等として適切なWC系超
硬合金等の機械的強度等に優れた超硬合金も好適に使用
することができ、その面上に設けられているチタンコー
ト層自体の機械的強度も十分に高いので、この点からも
ダイヤモンド被覆部材全体に高い機械的強度および高い
耐久性を与えることができる。さらに、この方法は、製
造が著しく簡単であるなどの製造上の利点も有してい
る。
As described above, the adhesion between the base material and the diamond film can be remarkably improved by forming the diamond film after heat treating the various base materials under the predetermined conditions. A high performance diamond coated member can be obtained. Further, according to the method of the present invention,
Various cemented carbides can be used as the base of the base material, and in particular, cemented carbides having excellent mechanical strength, such as WC-based cemented carbide suitable for cutting tools, etc., can also be suitably used. Since the mechanical strength of the titanium coating layer itself provided on the surface is sufficiently high, the diamond coating member as a whole can also be provided with high mechanical strength and high durability. Furthermore, this method also has manufacturing advantages such as being extremely simple to manufacture.

【0035】すなわち、この発明の方法によって製造さ
れた各種のダイヤモンド被覆部材は、その基材とダイヤ
モンド類膜の特性を生かした広範囲の用途に有利に利用
することができ、中でも基材の高い機械的強度および基
材とダイヤモンド類膜の高い密着性が要求される切削工
具、研磨工具等の超硬工具部材、摺動部材、耐摩耗性部
材をはじめとする各種の製品または部材として特に有利
に使用することができる。
That is, the various diamond-coated members produced by the method of the present invention can be advantageously used in a wide range of applications utilizing the characteristics of the base material and the diamond-like film, and the machine having a high base material among them. Especially advantageous as various products or members such as cutting tools, cemented carbide tool members such as polishing tools, sliding members, and wear resistant members that require high strength and high adhesion between the base material and diamond film Can be used.

【0036】[0036]

【実施例】以下、この発明の実施例およびその比較例に
よってこの発明をさらに具体的に説明するが、この発明
はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以
下の実施例および比較例におけるダイヤモンド類膜の基
材との密着性の評価は、次のようにして行った。
The present invention will be described in more detail below with reference to examples of the present invention and comparative examples thereof, but the present invention is not limited to these examples. The evaluation of the adhesion of the diamond type film to the base material in the following examples and comparative examples was performed as follows.

【0037】ダイヤモンド類膜の密着性の評価法(イン
デンテーション法) ピラミッド型のダイヤモンドビッカース圧子を、荷重3
0kg・f、保持時間30秒間の条件で、試験片(ダイ
ヤモンド類膜被覆基材)のダイヤモンド類膜面から基材
に押し込み、該圧子によるそのダイヤモンド類膜の剥離
面積を求め、この測定値の大小によってダイヤモンド類
膜の基材に対する密着性の良否(大小)を評価した。
Evaluation method of adhesion of diamond film (
(Dentation method) Pyramid type diamond Vickers indenter, load 3
Under the conditions of 0 kg · f and a holding time of 30 seconds, the test piece (diamond film-coated substrate) was pressed into the substrate from the diamond film surface, and the peeling area of the diamond film by the indenter was obtained. The quality (largeness) of the adhesion of the diamond film to the substrate was evaluated by the size.

【0038】(実施例1)基材として、炭化タングステ
ン94重量%と炭化チタン1重量%とコバルト5重量%
とからなる超硬合金で作成した一辺の長さが12.7m
m四方の基板を用いた。この基板表面に、レーザーマー
カーによりパルス発振レーザーをスポット間隔が50μ
mになるように照射して、微細な凹凸を形成した。基材
には、その上面だけでなく側面にも直線状にレーザー照
射処理を施した。
Example 1 As a base material, 94% by weight of tungsten carbide, 1% by weight of titanium carbide and 5% by weight of cobalt
The length of one side made of cemented carbide consisting of 12.7m
An m-square substrate was used. On the surface of this substrate, a pulsed laser with a laser marker was used with a spot spacing of 50μ
Irradiation was performed so as to have a thickness of m to form fine unevenness. The substrate was linearly laser-irradiated not only on its upper surface but also on its side surface.

【0039】このような表面処理をした基材を、ダイヤ
モンド合成反応管内の基材支持台上に載せ、反応管に一
酸化炭素ガス含有割合が15容量%の一酸化炭素と水素
との混合ガスを導入し、40Torrの圧力において、
基材温度を900℃にして5時間かけてマイクロ波プラ
ズマCVD法によってダイヤモンド合成反応を行った。
The base material subjected to such a surface treatment is placed on a base material support in a diamond synthesis reaction tube, and a mixed gas of carbon monoxide and hydrogen containing 15% by volume of carbon monoxide gas is contained in the reaction tube. Is introduced at a pressure of 40 Torr,
The base material temperature was set to 900 ° C. and the diamond synthesis reaction was performed by the microwave plasma CVD method over 5 hours.

【0040】このようにして得られたダイヤモンド類薄
膜の密着性を前記インデンテンテーション法により評価
した。その結果、剥離面積は0.05mm2 であり、非
常に小さな剥離面積であるから、基材に対する密着性の
優れていることが明らかになった。
The adhesion of the diamond thin film thus obtained was evaluated by the indentation method. As a result, it was revealed that the peeled area was 0.05 mm 2 , which was a very small peeled area, and therefore the adhesiveness to the substrate was excellent.

【0041】[0041]

【発明の効果】この発明の方法によると、特に、切削工
具、摺動部材等が遭遇する過酷な条件で使用しても、優
れた性能と十分な耐久性とを発揮し、使用寿命を大幅に
改善することができるなどの利点を有する、基材に対す
る密着性に優れたダイヤモンド被覆部材を得ることがで
きる。
EFFECTS OF THE INVENTION According to the method of the present invention, excellent performance and sufficient durability are exhibited even when used under severe conditions encountered by cutting tools, sliding members, etc., and the service life is greatly extended. It is possible to obtain a diamond-coated member having excellent adhesiveness to a base material, which has the advantage of being improved.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基材における、超硬合金及びセラミック
スよりなる群から選択される少なくとも一種からなる表
面にパルス発振レーザーを照射する表面処理をした後
に、この表面処理後の基材の表面に気相合成法によって
ダイヤモンド類膜を形成することを特徴とするダイヤモ
ンド被覆部材の製造方法。
1. A surface of a base material, which is made of at least one selected from the group consisting of cemented carbide and ceramics, is irradiated with a pulsed laser, and then the surface of the base material after the surface treatment is exposed to air. A method for producing a diamond-coated member, which comprises forming a diamond film by a phase synthesis method.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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