JPH0523013B2 - - Google Patents
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- JPH0523013B2 JPH0523013B2 JP60061670A JP6167085A JPH0523013B2 JP H0523013 B2 JPH0523013 B2 JP H0523013B2 JP 60061670 A JP60061670 A JP 60061670A JP 6167085 A JP6167085 A JP 6167085A JP H0523013 B2 JPH0523013 B2 JP H0523013B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はイオン打込装置に関するものである。[Detailed description of the invention] [Field of application of the invention] The present invention relates to an ion implantation device.
第２図から第４図にはイオン打込装置の従来例
が示されている。同図に示されているようにイオ
ン打込装置はイオンを生成し、これをイオンビー
ム１として加速放出するイオン源部２、イオンビ
ーム１を打込みに必要な特定の打込みイオンビー
ム３に分離する分離用電磁石４、打込みイオンビ
ーム３を２方向に交互に偏向する偏向用電磁石
５、打込みイオンビーム３が夫々打込まれる２ケ
の打込み室部６，６Ｒ，６Ｌ等を備えている。そ
してイオンビーム１の系は排気系７によつて真空
に保持されると共に、打込み室部６は打込みベー
ス側チヤンバ８ａと、この打込みベース側チヤン
バ８ａに真空パツキング９を介して連結された所
定方向に開放自在な円板側チヤンバ８ｂとで構成
され、この円板側チヤンバ８ｂにはその外周側に
打込みイオンビーム３が打込まれる複数個の着脱
自在なウエハ１０を装着した回転、かつ上下移動
自在な回転円板１１，１１Ｒ，１１Ｌが設けられ
ている。なお第４図において９ａはシールパツキ
ング、１２はスライドベース、１３は真空回転シ
ール、１４は回転用モータ、１５は走査用モータ
である。
2 to 4 show conventional examples of ion implantation devices. As shown in the figure, the ion implantation device generates ions, accelerates and emits them as an ion beam 1, has an ion source section 2, and separates the ion beam 1 into a specific implantation ion beam 3 necessary for implantation. It includes a separating electromagnet 4, a deflecting electromagnet 5 that alternately deflects the implanting ion beam 3 in two directions, and two implanting chambers 6, 6R, 6L into which the implanting ion beam 3 is implanted, respectively. The system of the ion beam 1 is maintained in a vacuum by the exhaust system 7, and the implantation chamber 6 is connected to the implantation base side chamber 8a and the implantation base side chamber 8a via a vacuum packing 9 in a predetermined direction. The disk-side chamber 8b is configured with a rotatable and vertically movable wafer 10 on which a plurality of removable wafers 10, into which the implanted ion beam 3 is implanted, are mounted on the outer periphery of the disk-side chamber 8b. Freely rotating disks 11, 11R, 11L are provided. In FIG. 4, 9a is a seal packing, 12 is a slide base, 13 is a vacuum rotary seal, 14 is a rotation motor, and 15 is a scanning motor.
このように構成されたイオン打込装置において
イオン源部２でガスをイオン化し、生成したイオ
ンを高圧でイオンビーム１として加速引き出す。
このイオンビーム１を分離用電磁石４により特定
の打込みイオンビーム３（例えばP+イオン）に
分離し、これを偏向用電磁石５の極性を変えて２
方向に交互に偏向し、夫々の打込み室部６Ｒ，６
Ｌに打込み、夫々のウエハ１０に打込んでいた。
ウエハ１０は上述のように回転円板１１上の周辺
に装着されており、回転円板１１は回転用モータ
１４により高速に回転する。回転円板１１は更に
打込みイオンビーム３を横切る方向に走査用モー
タ１５により並進運動し、ウエハ１０の温度上昇
を防ぎ乍ら打込みイオンビーム３が均一に打込ま
れるように制御される。そして偏向用電磁石５で
２方向に交互に偏向することにより右側の打込み
室部６Ｒに打込みイオンビーム３が打込まれてい
る間に、左側の打込み室部６Ｌに新しいウエハ１
０を交換準備し、次の打込みイオンビーム３の打
込みに待機するようにしてある。このように打込
みイオンビーム３の打込みとウエハ１０の交換と
を交互に繰り返すことにより、ウエハ１０の打込
み処理数を大きくするようにしている。なおウエ
ハ１０の交換は次のようにして行なわれる。すな
わち夫々の打込み室部６Ｒ，６Ｌの回転円板１１
Ｒ，１１Ｌが所定方向すなわち直角に開いて水平
に設置されるが、この水平に設置される回転円板
１１Ｒ，１１Ｌと夫々対応した位置に設けられた
ウエハ自動交換装置１６，１６Ｒ，１６Ｌによつ
て自動交換される。 In the ion implantation apparatus configured as described above, gas is ionized in the ion source section 2, and the generated ions are accelerated and extracted as an ion beam 1 at high pressure.
This ion beam 1 is separated into a specific implanted ion beam 3 (for example, P + ions) by a separating electromagnet 4, and this is divided into two by changing the polarity of a deflecting electromagnet 5.
The driving chamber portions 6R, 6 are alternately deflected in the direction.
L was implanted, and each wafer 10 was implanted.
The wafer 10 is mounted around the rotating disk 11 as described above, and the rotating disk 11 is rotated at high speed by the rotation motor 14. The rotating disk 11 is further translated in a direction across the implantation ion beam 3 by a scanning motor 15, and is controlled so that the implantation ion beam 3 is uniformly implanted while preventing the temperature of the wafer 10 from rising. While the implanting ion beam 3 is being implanted into the right implanting chamber 6R by being alternately deflected in two directions by the deflecting electromagnet 5, a new wafer 1 is being implanted into the left implanting chamber 6L.
0 is prepared for replacement and is ready for the next implantation of the ion beam 3. In this way, by alternately repeating the implantation of the implantation ion beam 3 and the exchange of the wafer 10, the number of implantations of the wafer 10 is increased. Note that the wafer 10 is replaced as follows. That is, the rotating disks 11 of the respective driving chambers 6R and 6L
The rotating disks 11R and 11L are opened horizontally in a predetermined direction, that is, at right angles, and are installed horizontally. It will be replaced automatically.
ところでこの打込装置では次に述べるような不
具合があつた。第３図の打込み室部６Ｒ，６Ｌに
おけるウエハ１０交換の場合の回転円板１１Ｒ，
１１Ｌの配置から明らかなように、回転円板１１
Ｒ，１１Ｌが開いて水平に設置される角度が広く
なつているため、ウエハ自動交換装置１６Ｒ，１
６Ｌを含めた配置が広くなつている。また従来、
ウエハ１０に対する打込みイオンビーム３の打込
み角度はチヤネリングを防ぐため７度に固定され
ていたが、この斜め打込みによるパターンの影が
問題となり、０度（垂直）打込みの要望が出てき
た。このように打込み角度を変更した場合は打込
み室部６そのものの配置変えをしなければならな
いのみならず、ウエハ自動交換装置１６もそれに
伴つて再配置、再調整しなければならないが、数
トンもある打込み室部６の移動、ウエハ自動交換
装置１６の再設定はこれらが設置されているクリ
ーンルーム内では殆んど不可能である。 However, this driving device had the following problems. The rotating disk 11R in the case of exchanging the wafer 10 in the implanting chambers 6R and 6L in FIG.
As is clear from the arrangement of 11L, the rotating disk 11
Since the angle at which R, 11L is opened and installed horizontally is wide, the automatic wafer exchange device 16R, 1
The layout including 6L is becoming wider. Also, conventionally,
The implantation angle of the implantation ion beam 3 with respect to the wafer 10 was fixed at 7 degrees to prevent channeling, but the pattern shadow caused by this oblique implantation became a problem, and a request for 0 degree (vertical) implantation arose. When the implantation angle is changed in this way, not only the implantation chamber 6 itself must be rearranged, but also the automatic wafer exchange device 16 must be relocated and readjusted accordingly, which requires several tons of work. It is almost impossible to move a certain implanting chamber section 6 or to reset the automatic wafer exchange device 16 within the clean room where these devices are installed.
第５１図にはイオン打込装置の他の従来例が示
されている。これは打込みイオンビーム３の打込
み角度を調整する角度調整用電磁石１７，１７
Ｒ，１７Ｌを備えており、特開昭56−48052号公
報に示されているVarian社の120−10型イオン打
込装置である。この装置は市販されているが打込
みイオンビーム３の均一打込みのため回転円板１
１は回転のみで、横方向の並進運動はせず、打込
みイオンビーム３を走査するようにしている。偏
向用電磁石５で打込みイオンビーム３を偏向走査
しているので、打込みイオンビーム３が広がらず
平行ビームとなるように２ケの角度調整用電磁石
１７Ｒ，１７Ｌで角度を調整する。この角度調整
用電磁石１７Ｒ，１７Ｌは特殊な形状の磁極をし
ていて打込みイオンビーム３が走査されるので大
形であるが、打込みイオンビーム３を平行に揃
え、ウエハ１０に対する打込み角度を一定に保つ
機能を有している。しかし一般に打込みイオンビ
ーム３を広範囲に走査するこの装置は打込みイオ
ンビーム３が両端でくずれるので、打込み均一性
は打込みイオンビーム３を固定して回転円板１１
を並進運動させるのに比べ劣つている。そしてこ
の打込装置も打込みイオンビーム３の打込み角度
を変更するには、打込み室部６を打込みイオンビ
ーム３に対して配置変更しなければならず、前述
の場合と同様に困難な作業が必要である。 FIG. 51 shows another conventional example of an ion implantation device. This is an angle adjustment electromagnet 17, 17 that adjusts the implantation angle of the implantation ion beam 3.
This is a 120-10 type ion implantation device manufactured by Varian and disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 56-48052. This device is commercially available, but in order to uniformly implant the implanted ion beam 3, a rotating disk 1 is used.
1 rotates only, does not translate in the lateral direction, and scans the implanted ion beam 3. Since the implantation ion beam 3 is deflected and scanned by the deflection electromagnet 5, the angle is adjusted by the two angle adjustment electromagnets 17R and 17L so that the implantation ion beam 3 does not spread and becomes a parallel beam. The angle adjustment electromagnets 17R and 17L have special shaped magnetic poles and are large because the implantation ion beam 3 is scanned, but they align the implantation ion beam 3 in parallel and keep the implantation angle with respect to the wafer 10 constant. It has the function of maintaining However, in general, in this device that scans the implantation ion beam 3 over a wide range, the implantation ion beam 3 breaks down at both ends, so the implantation uniformity cannot be improved by fixing the implantation ion beam 3 and using the rotating disk 11.
This is inferior to translational motion. Also, in this implantation device, in order to change the implantation angle of the implantation ion beam 3, the implantation chamber 6 must be relocated with respect to the implantation ion beam 3, which requires difficult work as in the case described above. It is.
本発明は以上の点に鑑みなされたものであり、
打込み室部周りの設置場所を縮小し、かつ打込み
室部の配置変更をしなくてもイオンビームの打込
み角度を変更することを可能としたイオン打込装
置を提供することを目的とするものである。
The present invention has been made in view of the above points,
The object of the present invention is to provide an ion implantation device that can reduce the installation space around the implantation chamber and change the implantation angle of the ion beam without changing the layout of the implantation chamber. be.
すなわち本発明はイオンを生成し、これをイオ
ンビームとして加速放出するイオン源部と、前記
イオンビームを打込みに必要な特定の打込みイオ
ンビームに分離する分離用電磁石と、前記打込み
イオンビームを２方向に交互に偏向する偏向用電
磁石と、前記偏向された夫々の打込みイオンビー
ムの打込み角度を夫々調整する２ケの角度調整用
電磁石と、前記打込み角度が調整された打込みイ
オンビームが夫々打込まれる２ケの打込み室部と
を備え、前記イオンビームの系は排気系によつて
真空に保持されると共に、前記打込み室部は打込
みベース側チヤンバと、この打込みベース側チヤ
ンバに真空パツキングを介して連結された所定方
向に開放自在な円板側チヤンバとを有し、この円
板側チヤンバにはその外周側に前記打込みイオン
ビームが打込まれる複数個の着脱自在なウエハを
装着した回転、かつ上下移動自在な回転円板が設
けられているイオン打込装置において、前記角度
調整用電磁石を前記打込みイオンビームの打込み
角度が調整自在に形成し、かつ前記２ケの打込み
室部を夫々の打込み室部の円板側チヤンバを所定
方向に開放して前記夫々の回転円板が水平に設置
される位置が同位置にくるように配置したことを
特徴とするものであり、これによつて打込み室部
周りの設置場所が小さくなり、かつ打込み室部の
配置変更をしなくても打込み角度を変えたイオン
ビームを打込むことができるようになる。
That is, the present invention includes an ion source that generates ions and accelerates and emits them as an ion beam, a separation electromagnet that separates the ion beam into a specific implantation ion beam necessary for implantation, and a separation electromagnet that divides the implantation ion beam in two directions. a deflection electromagnet that alternately deflects the beams, two angle adjustment electromagnets that adjust the implantation angles of the respective deflected implantation ion beams, and the implantation ion beams whose implantation angles have been adjusted are implanted, respectively. The ion beam system is maintained in a vacuum by an exhaust system, and the implantation chamber includes a chamber on the implantation base side and a chamber on the implantation base side through vacuum packing. a rotating chamber having a connected disc-side chamber that can be opened in a predetermined direction, and a plurality of removable wafers into which the implantation ion beam is implanted are mounted on the outer periphery of the disc-side chamber; In an ion implantation apparatus provided with a rotary disk that can freely move up and down, the angle adjustment electromagnet is formed so that the implantation angle of the implantation ion beam can be adjusted freely, and the two implantation chambers are arranged so that the implantation angle of the implantation ion beam can be freely adjusted. The disc-side chamber of the chamber is opened in a predetermined direction so that each of the rotating discs is placed horizontally at the same position. The installation space around the chamber becomes smaller, and ion beams can be implanted at different implantation angles without changing the arrangement of the implantation chamber.
以下、図示した実施例に基づいて本発明を説明
する。第１図には本発明の一実施例が示されてい
る。なお従来と同じ部品には同じ符号を付したの
で説明を省略する。本実施例では角度調整用電磁
石１７ａ，１７aR，１７aLを打込みイオンビー
ム３の打込み角度が調整自在に形成し、かつ打込
み室部６Ｒ，６Ｌを打込み室部６Ｒ，６Ｌの円板
側チヤンバを所定方向に開放して回転円板１１
Ｒ，１１Ｌが水平に配置される位置が同位置にく
るように配置した。このようにすることにより、
打込み室部６周りの設置場所が小さくなり、かつ
打込み室部６の配置変更をしなくても打込み角度
を変えたイオンビーム３を打込むことができるよ
うになつて、打込み室部６周りの設置場所を縮小
し、かつ打込み室部６の配置変更をしなくてもイ
オンビームの打込み角度を変更することを可能と
したイオン打込装置を得ることができる。
The present invention will be explained below based on the illustrated embodiments. FIG. 1 shows an embodiment of the invention. Note that parts that are the same as those in the conventional system are given the same reference numerals, and therefore their explanations will be omitted. In this embodiment, the angle adjustment electromagnets 17a, 17aR, 17aL are formed so that the implantation angle of the ion beam 3 can be freely adjusted, and the disc-side chambers of the implantation chambers 6R, 6L are moved in a predetermined direction. The rotating disk 11 is opened to
R and 11L were arranged so that the horizontal positions were at the same position. By doing this,
The installation space around the implantation chamber 6 has become smaller, and the ion beam 3 can be implanted at different implantation angles without changing the layout of the implantation chamber 6. It is possible to obtain an ion implantation device that can reduce the installation space and change the implantation angle of the ion beam without changing the arrangement of the implantation chamber 6.
すなわち角度調整用電磁石１７ａ，１７aR，
１７aLを電磁的に打込みイオンビーム３の打込
み角度が変えられるようにしたので、例えば右側
の角度調整用電磁石１７aRではその磁場強度を
変えることにより打込みイオンビーム３を、打込
みイオンビーム３R1，３R2のようにその打込み
角度を変えることができる。左側の角度調整用電
磁石１７aLも同様にその磁場強度を変えること
により打込みイオンビーム３を、打込みイオンビ
ーム３L1，３L2のようにその打込み角度を変え
ることができる。この場合に同図から明らかなよ
うに打込みイオンビーム３R1，３L1は３R2，３
L2よりも打込みイオンビーム３の角度変更が大
きいが、これは角度調整用電磁石１７ａの磁場強
度を打込みイオンビーム３R2，３L2のそれより
も大きくしたからである。このように角度調整用
電磁石１７ａを形成し、２ケの打込み室部６Ｒ，
６Ｌを夫々の回転円板１１Ｒ，１１Ｌを所定方向
の直角に開いた場合に、夫々の回転円板１１Ｒ，
１１Ｌが同じ位置にくるように、打込み室部６
Ｒ，６Ｌを同図に記載されているように直交する
ように配置した。このようにすれば回転円板１１
Ｒ，１１Ｌは直角に開かれるので、同位置に位置
するようになる（回転円板１１Ｒが開いている場
合は上述のように回転円板１１Ｌは打込まれてい
るので、支障なく同位置へ位置させることができ
る）。このように角度調整用電磁石１７aR，１７
aLと打込み室部６Ｒ，６Ｌとの配置を適当に設
定したので、ウエハ１０への打込み角度を７度か
ら０度に変える場合は角度調整用電磁石１７aR，
１７aLの磁場強度を変えればよくなつて、従来
のように打込み室部６Ｒ，６Ｌの位置を変える要
がなく、ウエハ自動交換装置１６の再配置、再調
整の要がなくなり、ウエハ１０への打込み角度の
変更を容易にすることができ、稼動率が大幅に向
上する。そして打込み室部６Ｒ，６Ｌは直交する
ように配置され、その間の同位置に夫夫の回転円
板１１Ｒ，１１Ｌが開かれるようになるので、打
込み室部６周辺の設置場所が縮小するのみなら
ず、従来のように２ケのウエハ自動交換装置１６
を設ける要がなく、１ケのウエハ自動交換装置１
６を共用できるようになる。 That is, the angle adjustment electromagnets 17a, 17aR,
Since the implantation angle of the implantation ion beam 3 can be changed electromagnetically, for example, the angle adjustment electromagnet 17aR on the right side can change the implantation ion beam 3 by changing its magnetic field strength . The driving angle can be changed as follows. Similarly, by changing the magnetic field strength of the left angle adjusting electromagnet 17aL, the implantation angle of the implantation ion beam 3 can be changed like the implantation ion beams 3L 1 and 3L 2 . In this case, as is clear from the figure, the implanted ion beams 3R 1 , 3L 1 are replaced by 3R 2 , 3
The angle change of the implanted ion beam 3 is larger than that of L 2 , but this is because the magnetic field strength of the angle adjustment electromagnet 17a is made larger than that of the implanted ion beams 3R 2 and 3L 2 . In this way, the angle adjustment electromagnet 17a is formed, and the two driving chamber parts 6R,
6L, when the respective rotating disks 11R, 11L are opened at right angles to a predetermined direction, the respective rotating disks 11R,
11L in the same position,
R and 6L were arranged orthogonally as shown in the figure. In this way, the rotating disk 11
Since R and 11L are opened at right angles, they will be located in the same position (if the rotating disc 11R is open, the rotating disc 11L is driven in as described above, so they will be in the same position without any problem) ). In this way, the angle adjustment electromagnets 17aR, 17
Since the arrangement of aL and the implantation chambers 6R and 6L has been set appropriately, when changing the implantation angle into the wafer 10 from 7 degrees to 0 degrees, the angle adjustment electromagnet 17aR,
17aL, it is no longer necessary to change the positions of the implantation chambers 6R and 6L as in the past, and there is no need to relocate or readjust the automatic wafer exchange device 16. The angle can be changed easily, greatly improving the operating rate. The driving chambers 6R and 6L are disposed perpendicularly to each other, and the husband's rotating discs 11R and 11L are opened at the same position between them, so the installation space around the driving chamber 6 is only reduced. First, there are two automatic wafer exchange devices 16 as in the past.
There is no need to install one wafer automatic exchange device.
6 can be shared.
なお本実施例では打込み角度を７度から０度に
変える場合について説明したが、これのみに限る
ものでないことは云うまでもない。 In this embodiment, a case has been described in which the driving angle is changed from 7 degrees to 0 degrees, but it goes without saying that the driving angle is not limited to this.
上述のように本発明は打込み室部周りの設置場
所を縮小し、かつ打込み室部の配置変更をしなく
ても打込み角度を変えたイオンビームを打込むこ
とができるようになつて、打込み室部周りの設置
場所を縮小し、かつ打込み室部の配置変更をしな
くてもイオンビームの打込み角度を変更すること
を可能としたイオン打込装置を得ることができ
る。
As described above, the present invention reduces the installation space around the implantation chamber, and enables implantation of ion beams with different implantation angles without changing the layout of the implantation chamber. It is possible to obtain an ion implantation device that can reduce the installation space around the part and change the implantation angle of the ion beam without changing the arrangement of the implantation chamber.
第１図は本発明のイオン打込装置の一実施例の
平面図、第２図は従来のイオン打込装置の側面
図、第３図は第２図の平面図、第４図は従来のイ
オン打込装置の打込み室部の概略縦断側面図、第
５図は従来のイオン打込装置の他の例の平面図で
ある。
１……イオンビーム、２……イオン源部、３，
３R1，３R2，３R3，３L1，３L2，３L3……打込
みイオンビーム、４……分離用電磁石、５……偏
向用電磁石、６，６Ｒ，６Ｌ……打込み室部、７
……排気系、８ａ……打込みベース側チヤンバ、
８ｂ……円側板チヤンバ、９……真空パツキン
グ、１０……ウエハ、１１，１１Ｒ，１１Ｌ……
回転円板、１４……回転用モータ、１５……走査
用モータ、１６，１６Ｒ，１６Ｌ……ウエハ自動
交換装置、１７ａ，１７aR，１７aL……角度調
整用電磁石。
Fig. 1 is a plan view of an embodiment of the ion implantation device of the present invention, Fig. 2 is a side view of a conventional ion implantation device, Fig. 3 is a plan view of Fig. 2, and Fig. 4 is a plan view of a conventional ion implantation device. FIG. 5 is a schematic longitudinal sectional side view of the implantation chamber of the ion implantation device, and a plan view of another example of the conventional ion implantation device. 1...Ion beam, 2...Ion source section, 3,
3R 1 , 3R 2 , 3R 3 , 3L 1 , 3L 2 , 3L 3 ... implantation ion beam, 4 ... separation electromagnet, 5 ... deflection electromagnet, 6, 6R, 6L ... implantation chamber section, 7
... Exhaust system, 8a ... Driving base side chamber,
8b...Circular side plate chamber, 9...Vacuum packing, 10...Wafer, 11, 11R, 11L...
Rotating disk, 14...Rotation motor, 15...Scanning motor, 16, 16R, 16L...Wafer automatic exchange device, 17a, 17aR, 17aL...Angle adjustment electromagnet.
Claims (1)
加速放出するイオン源部と、前記イオンビームを
打込みに必要な特定の打込みイオンビームに分離
する分離用電磁石と、前記打込みイオンビームを
２方向に交互に偏向する偏向用電磁石と、前記偏
向された夫々の打込みイオンビームの打込み角度
を夫々調整する２ケの角度調整用電磁石と、前記
打込み角度が調整された打込みイオンビームが
夫々打込まれる２ケの打込み室部とを備え、前記
イオンビームの系は排気系によつて真空に保持さ
れると共に、前記打込み室部は打込みベース側チ
ヤンバと、この打込みベース側チヤンバに真空パ
ツキングを介して連結された所定方向に開放自在
な円板側チヤンバとを有し、この円板側チヤンバ
にはその外周側に前記打込みイオンビームが打込
まれる複数個の着脱自在なウエハを装着した回
転、かつ上下移動自在な回転円板が設けられてい
るイオン打込装置において、前記角度調整用電磁
石を前記打込みイオンビームの打込み角度が調整
自在に形成し、かつ前記２ケの打込み室部を夫々
の打込み室部の円板側チヤンバを所定方向に開放
して前記夫々の回転円板が水平に設置される位置
が同位置にくるように配置したことを特徴とする
イオン打込装置。 ２ 前記角度調整用電磁石が、その磁場強度を変
えて前記打込みイオンビームの打込み角度を変え
るように形成されたものである特許請求の範囲第
１項記載のイオン打込装置。[Scope of Claims] 1. An ion source that generates ions and accelerates and emits them as an ion beam, a separation electromagnet that separates the ion beam into a specific implantation ion beam necessary for implantation, and the implantation ion beam. a deflection electromagnet that alternately deflects the beam in two directions, two angle adjustment electromagnets that adjust the implantation angle of each of the deflected implantation ion beams, and implantation ion beams whose implantation angles have been adjusted, respectively. The ion beam system is maintained in a vacuum by an exhaust system, and the implantation chamber includes a chamber on the implanting base side and a chamber on the implanting base side with vacuum packing. and a disc side chamber that can be opened in a predetermined direction and connected via a disc side chamber, and a plurality of removable wafers into which the implantation ion beam is implanted are mounted on the outer peripheral side of the disc side chamber. In an ion implantation apparatus provided with a rotary disk that can rotate and move up and down, the angle adjustment electromagnet is formed so that the implantation angle of the implantation ion beam can be adjusted, and the two implantation chambers are arranged so that the implantation angle of the implantation ion beam can be adjusted. An ion implantation apparatus characterized in that a disc-side chamber of each implantation chamber is opened in a predetermined direction so that the respective rotary discs are arranged horizontally at the same position. 2. The ion implantation apparatus according to claim 1, wherein the angle adjusting electromagnet is formed to change the implantation angle of the implantation ion beam by changing its magnetic field strength.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6167085A JPS61220264A (en) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | Ion implanting apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6167085A JPS61220264A (en) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | Ion implanting apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61220264A JPS61220264A (en) | 1986-09-30 |
| JPH0523013B2 true JPH0523013B2 (en) | 1993-03-31 |
Family
ID=13177901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6167085A Granted JPS61220264A (en) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | Ion implanting apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61220264A (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2699170B2 (en) * | 1986-04-09 | 1998-01-19 | イクリプス・イオン・テクノロジー・インコーポレイテッド | Ion beam scanning method and apparatus |
| JPH0821355B2 (en) * | 1992-12-24 | 1996-03-04 | 株式会社日立製作所 | High energy ion implanter |
| JP7256712B2 (en) * | 2019-07-29 | 2023-04-12 | 株式会社アルバック | Ion implantation method and ion implantation apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5648052A (en) * | 1979-09-17 | 1981-05-01 | Varian Associates | Method of double deflecting and scanning charged particle beam and condenser |
| JPS59184443A (en) * | 1983-04-01 | 1984-10-19 | Hitachi Ltd | Ion implantation device |
-
1985
- 1985-03-26 JP JP6167085A patent/JPS61220264A/en active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5648052A (en) * | 1979-09-17 | 1981-05-01 | Varian Associates | Method of double deflecting and scanning charged particle beam and condenser |
| JPS59184443A (en) * | 1983-04-01 | 1984-10-19 | Hitachi Ltd | Ion implantation device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61220264A (en) | 1986-09-30 |
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