JPH05226459A - Device for determining position of semiconductor wafer - Google Patents

Device for determining position of semiconductor wafer

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JPH05226459A
JPH05226459A JP17630791A JP17630791A JPH05226459A JP H05226459 A JPH05226459 A JP H05226459A JP 17630791 A JP17630791 A JP 17630791A JP 17630791 A JP17630791 A JP 17630791A JP H05226459 A JPH05226459 A JP H05226459A
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JP
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wafer
direction
position
position detecting
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Application number
JP17630791A
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Japanese (ja)
Inventor
Takechika Nishi
健爾 西
Original Assignee
Nikon Corp
株式会社ニコン
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Abstract

PURPOSE: To detect the outer shape of a wafer in a reference position (corresponding to a point where a positioning pin comes into contact with a wafer) in noncontact manner.
CONSTITUTION: A semiconductor wafer position detecting device is equipped with a Y-direction position detecting device which detects different two points located on the O-F of the wafer 1 at scanning points 80 and 90 after the orientation flat (0-F) of a wafer 1 is nearly aligned with an X direction, an X-direction position detecting device which detects the circumferential point of the wafer 1 at a scanning point 120 separate from the O-F by a prescribed distance, and a correction means which makes the rotational corrections of the wafer 1 basing on the position of O-F detected by the Y-direction position detecting device and the correction of a scanning position 120 (moved to 120°) of the X-direction position detecting device.
COPYRIGHT: (C)1993,JPO&Japio

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェハの位置検出装置に関する。 The present invention relates to a position detecting apparatus for a semiconductor wafer.

【0002】 [0002]

【従来技術】半導体製造装置や測定装置では、製造あるいは測定の前に、位置合わせ装置で半導体ウェハのオリエンテーション・フラット(以下、O・Fと略す)を基準にして位置合わせを行っている。 DESCRIPTION OF THE PRIOR ART Semiconductor manufacturing equipment and measuring equipment, prior to manufacturing or measurement, the semiconductor wafer orientation flat (hereinafter referred to as O-F) at alignment system is performed alignment with respect to the. 図6に示すように、 As shown in FIG. 6,
従来の位置合わせ装置は、ウェハ1を保持するウェハ保持テーブル2と、前記テーブル2を回転させることによりウェハ1を回転させるモータ3と、回転するウェハ1 Conventional alignment device, the wafer holding table 2 for holding the wafer 1, a motor 3 for rotating the wafer 1 by rotating the table 2, the wafer 1 rotating
の周辺部が光軸を横切るように配置した一組以上の投光部4a,受光部4bからなる光電センサ4と、前記センサ4の光量変化によりウェハ1のO・Fを検出し、所定の向き(X方向)に対してO・Fがほぼ平行になった時にモータ3を停止(図示の状態)させるモータ制御装置(図2の15a,15bに相当)と、位置決めピン1 One or more sets of the light projecting portion 4a peripheral portion is arranged so as to cross the optical axis, a photoelectric sensor 4 made of a light receiving portion 4b, detects O · F of the wafer 1 by the light amount change of the sensor 4, a predetermined the direction (X direction) motor control device for stopping (the state shown in the figure) of the motor 3 when O · F becomes substantially parallel to (15a in FIG. 2, corresponding to 15b), the positioning pins 1
8,19,20及びハンマー21から構成され、ウェハ1のO・Fを所定の向きに合わせたのち、矢印方向に動作するハンマー21により、ウェハを位置決めピン1 Consists 8,19,20 and hammer 21, after combining the O · F of the wafer 1 in a predetermined orientation, the hammer 21 which operates in the arrow direction, positioning the wafer pin 1
8,19,20に押し当てて位置合わせする位置決め装置とから構成される。 Composed of press and against and positioning device for aligning the 8,19,20.

【0003】一方、半導体製造装置や測定装置は、前記位置合わせ装置で位置合わせした後で露光や測定を行う。 [0003] On the other hand, the semiconductor manufacturing equipment and measuring apparatus performs exposure and measurement after alignment by the alignment system. しかし、最終的な位置合わせ精度は極めて細かいものが要求されるため、半導体製造装置や測定装置は、最初の半導体製造装置のステージ上で回路パターンを露光する際に一緒に露光して形成した位置合わせマークを用いて、さらに細かく位置合わせしてから、製造や測定を行う。 However, since the final alignment accuracy is extremely fine is required, semiconductor manufacturing equipment and measuring apparatus, formed by exposure with the time of exposure, the circuit pattern on the stage of the first semiconductor manufacturing device location combined with a mark, after combined finer position, to manufacture and measurement. この位置合わせマークを用いて位置合わせする場合、まず、ウェハ1上で前記マークを探すマークサーチを行なったのち、基準位置(例えば、マスク上の位置合わせマーク等)に対して前記マークを位置合わせする。 When aligned using the alignment mark, first, after performing mark search to look for the mark on the wafer 1, the reference position (e.g., alignment marks or the like on the mask) alignment of the mark with respect to to.
前記マークサーチのサーチ範囲は、ウェハの製造誤差、 The search range of the mark search, wafer manufacturing error,
位置合わせ装置から露光装置(測定装置)のステージへの受渡し誤差等を考慮して決められる。 From the alignment device is determined in consideration of the transfer error of the stage of the exposure apparatus (measuring device).

【0004】 [0004]

【解決しようとする課題】上記のような従来の位置合わせ装置(図6参照)では、前記した位置決めピンとハンマーとによってウェハに機械的な力を加えてウェハを位置決めしていたため、ウェハに欠けを生じたり、ウェハの側面や位置決めピンに付着したフォトレジスト(感光材)などの細かいゴミ( particle )が剥離するなどによりウェハが汚染されてしまう欠点があった。 In [OBJECTS AND SUMMARY OF conventional alignment device as described above (see FIG. 6), because it was positioned wafer applying mechanical force onto the wafer with the locating pins and hammers mentioned above, the lack wafer occur or, the wafer is a defect that would be contaminated by such fine dust such as photoresist adhered on the side surface and the positioning pins of the wafer (photosensitive material) (particle) is peeled off.

【0005】さらにその他にも、製造誤差等により製造装置や測定装置などの装置間で位置合わせ装置の基準位置となる位置決めピンの配置位置にずれがある。 Furthermore Besides, there is a deviation in the position of the positioning pin serving as a reference position of the alignment system between devices such as manufacturing equipment and measuring apparatus due to a manufacturing error or the like. このずれがある製造装置間の位置合わせ装置において位置合わせした場合、たとえ製造誤差内であってもウェハの直径やO・F長が変動すると、ウェハ上のパターンの位置に差がでるという欠点がある。 If aligned at the alignment device between manufacturing apparatus with this shift, even if the diameter and O · F length of the wafer even within manufacturing error varies, the disadvantage that the difference is out the position of the pattern on the wafer is there. したがって、従来の製造装置や測定装置で行なう位置合わせの際に行なうウェハ上のマークサーチは、ウェハの製造誤差や位置合わせ装置からステージへの受渡し誤差以外にも、位置決めピンの配置位置のずれによる位置ずれを考慮して広い範囲でマークを探す必要があり、サーチ範囲を広げることによりマークサーチ時間が長くなることがあった。 Accordingly, the mark search on the wafer performed during alignment performed in conventional manufacturing apparatus and measuring apparatus, in addition to transfer error to the stage from the manufacturing error or alignment device wafer also due to the deviation of the position of the positioning pin positional deviation should look for a mark in a wide range in consideration of, mark search time by increasing the search range there can be lengthy. これに加えて、このマークサーチは実作業を行なう製造装置(測定装置)のステージ上で行なうため、スループットを低下させるという欠点があった。 In addition, the mark search to perform on stage of the manufacturing apparatus (measurement apparatus) that performs actual work, there is a disadvantage of reducing the throughput.

【0006】したがって、本発明では、ウェハの欠けや汚染を防ぎ、かつ、従来の位置合わせ装置の位置決めピンで位置決めしたようにウェハの外形に基づいて位置合わせができるように、基準位置に対するウェハのずれ量を検出する半導体ウェハの位置検出装置を提供することを目的とする。 Accordingly, the present invention prevents chipping and contamination of the wafer, and to allow alignment on the basis of the contour of the wafer as positioned by the positioning pins of a conventional alignment device, the wafer with respect to the reference position and to provide a position detecting apparatus of a semiconductor wafer to detect the shift amount.

【0007】 [0007]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決する為に本発明では以下のような構成とした。 Means for Solving the Problems] was in the present invention the following configurations in order to solve the above problems. 請求項1記載の発明の半導体ウェハの位置検出装置は、半導体ウェハ(1)のオリエンテーション・フラットを略X方向に合わせるオリエンテーション・フラット合わせ手段(2, Billing position detecting apparatus for a semiconductor wafer of the invention in claim 1, wherein the orientation flat alignment means (2 to adjust the orientation flat of the semiconductor wafer (1) in a substantially X-direction,
3,4,15a,15b)を有する半導体ウェハの位置検出装置において、前記略X方向に合わせたウェハのオリエンテーション・フラット上の異なる2点の位置を、 3,4,15A, in the position detecting apparatus of a semiconductor wafer having a 15b), the position of the two different points of orientation flat on a wafer tailored to the substantially X-direction,
基準位置からのずれ量として前記X方向に対して直交するY方向に沿って、非接触に検出するY方向位置検出手段(5a,5b,5c,6,7,8,9,10)と、前記略X方向に合わせたウェハのオリエンテーション・フラットからY方向に所定距離だけ離れた前記ウェハの円弧状周縁部の位置を、基準位置からのずれ量として前記X方向に沿って、非接触に検出するX方向位置検出手段(11a,11b,12,13)と、前記Y方向位置検出手段の出力に基づいて、前記X方向位置検出手段の検出位置を前記略X方向に合わせたウェハのオリエンテーション・フラットからY方向に所定距離だけ離れた位置に補正する補正手段(14,16)と、前記Y方向位置検出手段と前記X方向位置検出手段とで検出した位置に基づいて、前記ウ Along the Y direction perpendicular to the X direction deviation amount from the reference position, Y-direction position detecting means for detecting the non-contact (5a, 5b, 5c, 6,7,8,9,10) and, the position of the arcuate peripheral edge of the wafer from the orientation flat of the wafer tailored to the substantially X-direction spaced Y direction by a predetermined distance, along the X direction displacement amount from a reference position, detecting the non-contact the X-direction position detecting means for (11a, 11b, 12, 13), on the basis of the output of the Y-direction position detecting means, orientation of the wafer combined detection position of the X-direction position detecting means to the substantially X-direction and correction means for correcting a position apart by a predetermined distance from the flat in the Y-direction (14, 16), based on the detected position and the Y direction position sensing means and the X-direction position detecting means, said U ハの位置及び傾きを求めるずれ量演算手段(17)とを有する。 And a shift amount calculating means (17) for determining the position and inclination of the wafer.

【0008】また、請求項2記載の発明の半導体ウェハの位置検出装置は、ウェハ保持テーブル(2)の回転によってオリエンテーション・フラットを有する半導体ウェハ(1)を回転させ、前記ウェハの周縁部を非接触センサ(4)で走査し、前記非接触センサのオリエンテーション・フラット検出信号に基づいて前記テーブルの回転を停止させることにより、前記ウェハのオリエンテーション・フラットを略X方向に合わせるオリエンテーション・フラット合わせ手段(2,3,4,15a,15 Further, the position detecting apparatus for a semiconductor wafer of a second aspect of the present invention, by rotating the semiconductor wafer (1) having an orientation flat by the rotation of the wafer holding table (2), the peripheral edge of the wafer non scanning a contact sensor (4), wherein by stopping the rotation of the table based on the orientation flat detection signal of the non-contact sensor, orientation flat alignment means to align the orientation flat of the wafer in a substantially X-direction ( 2,3,4,15a, 15
b)を有する半導体ウェハの位置検出装置において、前記略X方向に合わせたウェハのオリエンテーション・フラット上の異なる2点の位置を、基準位置からのずれ量として前記略X方向に対して直交するY方向に沿って、 The position detecting apparatus of a semiconductor wafer having a b), Y orthogonal position of the two different points of orientation flat on a wafer tailored to the substantially X-direction, relative to the substantially X direction deviation amount from the reference position along the direction,
非接触に検出するY方向位置検出手段(5a,5b,5 Y-direction position detecting means for detecting the non-contact (5a, 5b, 5
c,6,7,8,9,10)と、前記Y方向位置検出手段の出力に基づいて、前記ウェハのオリエンテーション・フラットの方向と前記X方向とのなす角を求め、前記ウェハ保持テーブルを前記モータによって前記求めた角度だけ回転させることにより前記ウェハのオリエンテーション・フラットの傾きを補正する傾き補正手段(3, c, and 6,7,8,9,10), based on an output of the Y-direction position detecting means obtains the angle between the X-direction and orientation flat direction of the wafer, the wafer holding table inclination correcting means (3 for correcting the tilt of the orientation flat of the wafer by rotating by an angle determined the by the motor,
15b,15c)と、前記略X方向に合わせたウェハのオリエンテーション・フラットからY方向に所定距離だけ離れた前記ウェハの円弧状周縁部の位置を、基準位置からのずれ量として前記X方向に沿って、非接触で検出するX方向位置検出手段(11a,11b,12,1 15b, and 15c), along the position of the arc-shaped peripheral portion of the wafer a predetermined distance from the orientation flat of the wafer in the Y direction to suit the substantially X direction, the X direction displacement amount from a reference position Te, X-direction position detecting means (11a to be detected by non-contact, 11b, 12,1
3)と、前記Y方向位置検出手段の出力に基づいて、前記X方向位置検出手段の検出位置を前記略X方向に合わせたウェハのオリエンテーション・フラットからY方向に所定距離だけ離れた位置に補正する補正手段(14, And 3), on the basis of the output of the Y-direction position detecting means, correcting a position a predetermined distance detection position from the orientation flat of the wafer tailored to the substantially X-direction in the Y direction of the X-direction position detecting means correction means (14,
16)と、前記Y方向位置検出手段と前記X方向位置検出手段とで検出した位置に基づいて、前記ウェハの位置及び傾きを求めるずれ量演算手段(17)とを有する。 16), on the basis of the Y-direction position detecting means and said detected by the X-direction position detecting means position, and a displacement amount calculation means for obtaining the position and tilt of the wafer (17).

【0009】 [0009]

【作用】本発明の半導体ウェハの位置検出装置は、まず、半導体ウェハのリエンテーション・フラットのの向きを略X方向に合わせ、次に、Y方向位置検出手段によって前記ウェハのオリエンテーション・フラット上の異なる2点の位置を検出し、前記ウェハのオリエンテーション・フラットの傾きとY方向位置とを求める。 [Action] position detecting apparatus for a semiconductor wafer of the present invention, first, the combined Lien station flat in the direction of the semiconductor wafer in a substantially X-direction, then the Y-direction position detecting means on the orientation flat of the wafer different positions of the two points is detected and determined the slope and Y-direction position of the orientation flat of the wafer. さらに、前記求めたウェハのオリエンテーション・フラットの傾きが大きい場合は傾きを補正したのち、X方向位置検出手段の走査位置を略X方向に合わせたウェハのオリエンテーション・フラットからY方向に所定距離だけ離れた位置に補正し、X方向位置検出手段によってウェハの円弧状周縁部の位置をX方向に沿って検出することにより、ウェハの位置を検出する。 Further, when the inclination of the orientation flat of the obtained wafer is large After correcting the inclination, apart scanning positions in the X-direction position detecting means from the wafer orientation flat to match the substantially X-direction in the Y direction by a predetermined distance corrected to a position, by detecting along the position of the arc-shaped peripheral portion of the wafer in the X direction by the X-direction position detecting means for detecting the position of the wafer.

【0010】このようにウェハの位置を検出し、基準位置に対するウェハのずれ量を求める。 [0010] In this way detecting the position of the wafer, obtaining the deviation amount of the wafer with respect to the reference position.

【0011】 [0011]

【実施例】図面を参照して本発明の実施例を説明する。 EXAMPLES Referring to the accompanying drawings illustrating the embodiment of the present invention.
図1,図2に示すように、実施例の位置検出装置は、O As shown in FIGS. 1 and 2, the position detecting device of the embodiment, O
・F合わせ装置と、Y方向位置検出装置と、X方向位置検出装置と、傾き補正制御装置15a,15bと、Y位置補正制御装置16と、ずれ量演算装置17とから構成される。 - and F alignment device, and the Y-direction position detecting device, the X-direction position detecting device, the inclination correction controller 15a, and 15b, the Y position correction control apparatus 16, and a deviation amount calculation unit 17. それぞれ、O・F合わせ装置は、ウェハ1をその中心もしくは中心近傍を軸として回転可能に保持するウェハ保持テーブル2と、回転軸を介してテーブル2に接続されたモータ3と、テーブル2上に保持されたウェハ1の周縁部付近に配置した発光部4a,受光部4bからなる光電センサ4と、光電センサ4とモータ3とに接続され、光電センサ4の出力に基づいて、モータ3の回転を制御するモータ制御装置15のO・F合わせ制御部15a及びモータドライバ15bとからなり、Y方向位置検出装置は、微小スポット光をウェハ1の表面に対して平行なY方向に射出する光源5aと、光源5aからのスポット光を直進光(Y方向光)と直角光(X方向光) Each, O · F aligning apparatus includes a wafer holding table 2 for rotatably holding a shaft of the central or near the center of the wafer 1, a motor 3 connected to the table 2 via a rotating shaft, on the table 2 emitting portion 4a disposed in the vicinity of the peripheral edge portion of the wafer 1 held, a photoelectric sensor 4 made of a light receiving portion 4b, is connected to the photoelectric sensor 4 and the motor 3 based on the output of the photoelectric sensor 4, the rotation of the motor 3 consists of a O · F matching control unit 15a and motor driver 15b of the motor control device 15 for controlling, Y-direction position detecting device includes a light source 5a which emits a parallel Y-direction fine spot light to the surface of the wafer 1 If the spot light from the light source 5a straight light (Y-direction light) perpendicular light (X-direction light)
とに分光するハーフミラー6と、前記直角光を前記直進光と同方向に反射させるミラー7と、前記2つのスポット光をウェハ1に対して鉛直方向に反射させるミラー8,9と、ミラー8,9をスポット光の進行方向に走査可能に支持するYミラー駆動装置10と、ミラー8,9 A half mirror 6 for splitting the bets, a mirror 7 for reflecting the perpendicular light in the same direction as the straight light, and the mirror 8 and 9 for reflecting vertically the two spot beams to the wafer 1, the mirror 8 , and Y mirror driver 10 for scanning supporting the 9 in the traveling direction of the spot light, mirror 8,9
で反射した光のうち、ウェハ1によって遮られることなく通過した光を検出する受光部材5b,5cとからなり、X方向位置検出装置は、ウェハ1の表面に平行でかつ前記光源5aから射出された直進光に直交する方向(X方向)に微小スポット光を射出する光源11aと、 In of light reflected, the light receiving member 5b for detecting the light transmitted through without being blocked by the wafer 1, composed of a 5c, X-direction position detecting device is emitted from parallel to and the light source 5a to the surface of the wafer 1 a light source 11a for emitting a minute spot light in the direction (X direction) perpendicular to the straight light has,
光源11aからのスポット光をウェハ1に対して鉛直方向に反射させるミラー12と、ミラー12をX方向に走査可能に支持するXミラー駆動装置13とからなる。 A spot light from a light source 11a and a mirror 12 for reflecting in the vertical direction with respect to the wafer 1, an X mirror driver 13 for scanning supporting the mirror 12 in the X direction. また、傾き補正制御装置15a,15bは、前記Y方向位置検出装置の出力に基づいて基準方向に対するウェハ1 Further, inclination correction controller 15a, 15b has wafer 1 with respect to the reference direction based on the output of the Y-direction position detecting device
のO・Fの傾きΔθを補正し、Y位置補正制御装置16 O · F inclination Δθ is corrected in, Y position correction control apparatus 16
は、前記Y方向位置検出装置および前記傾き補正制御装置の出力に基づいて光源駆動装置14を制御し、ずれ量演算装置17は、前記Y方向位置検出装置,前記X方向位置検出装置及び前記Y位置補正制御装置の出力に基づいて基準位置に対するウェハの位置ずれ量を求める。 , The Y controls the light source drive device 14 based on the output of the position-detecting device and the inclination correction controller, the deviation amount calculation unit 17, the Y-direction position detecting device, the X-direction position detecting device and the Y based on the output of the position correction control apparatus obtains the position deviation amount of the wafer with respect to the reference position.

【0012】次に、実施例の位置検出装置における動作について説明する。 [0012] Next, the operation of the position detecting apparatus of the embodiment. 初めに行うO・F合わせは、まず、 O · F alignment to do in the beginning, first,
半導体ウェハ1がウェハ保持テーブル2に保持されると、モータ3がテーブル2を介してウェハ1を回転させる。 When the semiconductor wafer 1 is held by the wafer holding table 2, the motor 3 rotates the wafer 1 through the table 2. つぎに、光電センサ4は、前記回転するウェハ1の周縁部を検出し、図3に示すようなウェハ1のO・F部分で受光光量が変化するO・F検出信号を出力する。 Next, the photoelectric sensor 4 detects the peripheral portion of the wafer 1 to the rotating, outputs a O · F detection signal received light quantity changes in O · F portion of the wafer 1 as shown in FIG. モータ制御装置15のO・F合わせ制御部15aは、前記O・F検出信号に基づいて、前記O・F信号のピーク値を示す所でモータ3を停止させる。 O · F adjustment control unit 15a of the motor control device 15, on the basis of the O · F detection signal, the motor 3 is stopped where a peak value of said O · F signal. これにより、図1に示すようにウェハ1のO・Fが光電センサ4の位置にきた時にウェハ1の回転が停止し、ウェハ1のO・Fが略X方向に位置する。 Accordingly, the O · F of the wafer 1 as shown in FIG. 1 stops rotation of the wafer 1 when the come to the position of the photoelectric sensor 4, O · F of the wafer 1 is located substantially at the X direction.

【0013】前記O・F合わせが終わるとつぎに、Y方向位置検出装置及びX方向位置検出装置でウェハ1の位置検出を行う。 [0013] Then when the O · F adjustment is completed, it detects the position of the wafer 1 in the Y-direction position detecting device and the X-direction position detecting device. Y方向位置検出装置でウェハ1のO・F O · F of the wafer 1 in the Y-direction position detecting device
上の異なる2点を位置検出する場合、まず、Yミラー駆動装置10を駆動して、ミラー8、9をY方向に移動させる。 When located detect two different points on, first, by driving the Y mirror driver 10 to move the mirrors 8, 9 in the Y direction. これによって、図4に示すように、ウェハ1の表面に対して垂直な方向のスポット光となった光源5aから射出した光が、走査位置80,90のようにY方向にそって走査するように移動するので、光源5aからのスポット光がウェハ1のO・Fによって遮られた時に、ミラー8,9それぞれの位置をYミラー駆動装置10のエンコーダ10aで読み取り、ウェハ1のO・F上の異なる2点の位置Y8,Y9を検出する。 Thus, as shown in FIG. 4, to scan light emitted from the light source 5a became perpendicular direction of the spot light to the surface of the wafer 1 is, along the Y direction as in the scanning position 80, 90 since moving in, when the spot light from the light source 5a is interrupted by O · F of the wafer 1, reads the mirror 8 and 9 of each position encoders 10a of the Y-mirror driver 10, the O · F of the wafer 1 to detect different two points located Y8, Y9 of.

【0014】つぎに、X方向位置検出装置で前記略X方向に合わせたウェハ1のO・Fから所定距離Y0だけ離れたウェハ1の円弧状周縁の位置を検出する場合、前記Y方向位置検出装置と同様にして、Xミラー駆動装置1 [0014] Then, when detecting the position of the arcuate peripheral edge of the wafer 1 away from the O · F of the wafer 1 tailored to the substantially X-direction in the X-direction position detecting device by a predetermined distance Y0, the Y-direction position detecting apparatus and in the same manner, X mirror driver 1
3を駆動して、ミラー12をX方向に移動させる。 3 by driving the, moves the mirror 12 in the X direction. これによって、光源11aから射出したスポット光が、走査位置120のようにX方向にそって走査するように移動するので、前記スポット光がウェハ1の円弧状周縁によって遮られた時に、ミラー12の位置をXミラー駆動装置13のエンコーダ13aで読み取り、ウェハ1の円弧状周縁部の位置X12を検出する。 Thus, the spot light emitted from the light source 11a is, since the movement to scan along the X direction as a scanning position 120, when the spot light is blocked by the arcuate periphery of the wafer 1, the mirror 12 reading position with encoder 13a of the X mirror driver 13, detects the position X12 of the arcuate peripheral edge of the wafer 1.

【0015】ただし、図5に点線で示すウェハ1′ように、ウェハが傾いたり、Y方向に位置ずれした場合、X [0015] However, the wafer 1 'as indicated by a dotted line in FIG. 5, if the tilting is wafer was displaced in the Y direction, X
方向位置検出装置の走査位置120でX方向位置を検出すると誤差δを含んでしまい、正確なX方向位置X12 Upon detection of the X-direction position at a scanning position 120 of the position-detecting device will contain errors [delta], accurate X-direction position X12
を検出できないので、前記X方向位置検出装置でウェハ1の円弧状周縁を検出する際は、X方向位置検出装置の走査位置120を補正する必要がある。 Can not detect, when detecting an arcuate peripheral edge of the wafer 1 in the X-direction position detecting device, it is necessary to correct the scanning position 120 in the X-direction position detecting device. そこで、X方向位置検出装置で位置検出する場合は、事前に前記Y方向位置検出装置で検出したO・Fの位置に基づいて以下に説明するX方向位置検出装置の検出位置の補正を行う。 Therefore, when the position detection in the X-direction position detecting apparatus corrects the detection position of the X-direction position detecting apparatus described below with reference to previously the Y-direction position detecting device detected position of the O · F in.

【0016】つぎに、傾き補正制御装置15c及びY位置補正制御装置16で行う前記X方向位置検出装置の検出位置の補正について図5を用いて説明する。 [0016] Next, the correction of the detected position of the X-direction position detecting device performs an inclination correction controller 15c and the Y position correction control apparatus 16 will be described with reference to FIG. 尚、前記走査位置80,90は、ウェハ保持テーブル2の回転中心YCを含むY方向の対称軸から互いに等しい間隔だけ離れた位置に調整されているとする。 Note that the scanning position 80 and 90, and is adjusted to a position at a distance equal distance from each other in the Y direction of the symmetry axis including the rotation center YC of the wafer holding table 2. 傾き補正制御装置15cでは、まず、前記Y方向位置検出装置で検出したウェハ1のO・F上の2点の位置から、基準であるX方向に対するウェハ1のO・Fの傾きを数1で求める。 The tilt correction control unit 15c, first, the Y from the position of two points direction position detecting device on the O · F of the wafer 1 detected by the tilt of O · F of the wafer 1 with respect to the X direction which is the reference in number 1 Ask. ただし、前記Y方向位置検出装置のミラー8側,9側で検出したウェハ1のO・FのY位置をそれぞれY8、Y However, the Y-mirror 8 side of the position-detecting device, 9 respectively Y position of O · F of the wafer 1 detected by the side Y8, Y
9、及び前記Y8、Y9のX方向の間隔をYxとする。 9, and a Yx of the Y8, distance X direction Y9.

【0017】 [0017]

【数1】 Δθ=tan -1 {(Y8−Y9)/Yx} つぎに、求めた傾きΔθに応じて、モータドライバ15 [Number 1] Δθ = tan -1 {(Y8- Y9) / Yx} Next, according to the inclination [Delta] [theta] determined, the motor driver 15
aを介してモータ3を回転させることによりウェハ1の傾きを補正するが、Δθが補正するまでもなくΔθ= While correcting the tilt of the wafer 1 by rotating the motor 3 via a, needless to [Delta] [theta] is corrected [Delta] [theta] =
0、もしくはモータ3の回転分解能以下の傾きであるなどで無視できる程度の傾きΔθ≒0の場合は補正する必要がないので、つぎに、Y位置補正制御装置16で、ウェハ1のO・FのY位置ずれ量を数2を用いて計算する。 0, or it is not necessary to correct in the case of gradient [Delta] [theta] ≒ 0 negligible in such a rotational resolution following the inclination of the motor 3, then by Y position correction control apparatus 16, the wafer 1 O · F It is calculated using the number 2 and Y positional displacement amount.

【0018】 [0018]

【数2】 ΔY=(Y8+Y9)/2 ここで求めた値ΔYは、検出したO・F上の異なる2点の中心における基準位置からのY位置ずれ量であるが、 [Number 2] ΔY = (Y8 + Y9) / 2 value [Delta] Y determined here is the Y positional deviation amount from the reference position in the center of the two different points on the detected O · F,
前記傾き補正制御装置15cにおいて傾きΔθ=0もくしはΔθ≒0としたので、このΔYをO・FのY位置とみなすことができる。 The inclination [Delta] [theta] = 0 visually in the inclination correction controller 15c was [Delta] [theta] ≒ 0, can be regarded as the ΔY and Y position of the O · F.

【0019】一方、前記数1で求めたΔθの値が大きく補正する必要がある場合、前記傾き補正制御装置15c Meanwhile, when it is necessary that the value of Δθ obtained greatly corrected by the number 1, the inclination correction controller 15c
とモータドライバ15bとで、ウェハ1がΔθだけ回転するようにモータ3を制御して、ウェハ1を回転させて補正する。 And by the motor driver 15b, and controls the motor 3 to rotate the wafer 1 is only [Delta] [theta], is corrected by rotating the wafer 1. 補正するとつぎに、ウェハ1のO・FのY位置の基準位置からずれ量を求める。 After adjustment then determines the amount of deviation from the reference position in the Y position of the O · F of the wafer 1. ただし、ウェハ保持テーブル2の回転中心YCとウェハ1の中心WCがずれている場合、前記傾き補正制御装置で補正することによりO・Fの傾きΔθ=0になるとしても、前記X方向位置検出装置で検出した位置からウェハのO・FのY位置がずれてしまう(図5参照)。 However, if off-center WC center of rotation YC and the wafer 1 of the wafer holding table 2, even becomes inclination [Delta] [theta] = 0 of O · F by correcting by the inclination correction controller, the X-direction position detecting Y position of the O · F wafers from detected in device position is deviated (see FIG. 5). したがって、数2で求めるΔYではなく、回転させた後の位置ΔY′を求める必要がある。 Thus, instead of [Delta] Y determined by the number 2, it is necessary to determine the position [Delta] Y 'after rotating. ただし、YC=回転中心のY座標、ΔY=数2で求めた値、Δθは数1で求めた値である。 However, YC = Y-coordinate of the center of rotation, the value determined by [Delta] Y = number 2, [Delta] [theta] is the value determined by the number 1.

【0020】 [0020]

【数3】 ΔY′=YC−(YC−ΔY)・COSΔθ つぎに、Y位置補正制御装置は、このようにして数2もしくは数3で求めたΔYもしくはΔY′に基づいて、駆動装置14を用いて光源11aの光の射出位置をΔYもしくはΔY′だけ移動させる。 Equation 3] ΔY '= YC- (YC-ΔY) · COSΔθ Next, Y position correction control apparatus, [Delta] Y or [Delta] Y determined by the number 2 or number 3 in this way' based on the driving device 14 injection position of the light source 11a is moved by [Delta] Y or [Delta] Y 'using. これによって、X方向位置検出装置の走査位置120が、ほぼX方向に合わせたウェハ1のO・Fから所定距離だけ離れた走査位置12 Thus, the scanning position 120 in the X-direction position detecting device, scanning away from the O · F of the wafer 1 to fit substantially X direction by a predetermined distance position 12
0′に補正され、正確な位置でX方向位置X12を検出することができるようになる。 Is corrected to 0 ', it is possible to detect the X-direction position X12 at a precise location.

【0021】つぎに、ずれ量演算装置は、このようにして検出したウェハ1のO・F上の2点Y8,Y9と、円弧上の点X12と、Y位置補正制御装置16からのθ補正を行なったか否かの信号とに基づいて、数1,数2, Next, the deviation amount calculation unit, a two-point Y8, Y9 on this way O · the wafer 1 detected by F, a point X12 on the arc, theta correction from Y position correction control apparatus 16 based on the whether the signal was performed, number 1, number 2,
数3を用いてウェハ1の位置ずれθ,Y,Xを求める。 Positional deviation of the wafer 1 by using a number 3 θ, Y, obtaining the X.
求める位置ずれ量は、前記傾きΔθを補正した場合はθ Positional deviation amount for obtaining, if corrected for the inclination [Delta] [theta] theta
=0、数3を用いて求めるY=ΔY′、検出したX=X = 0 is obtained using equation 3 Y = [Delta] Y ', the detected X = X
12であり、前記傾きΔθを補正しない場合は、数1を用いて求めるθ=Δθ、数2を用いて求めるY=ΔY、 Is 12, if not correct the slope [Delta] [theta] is obtained using equation 1 theta = [Delta] [theta] is determined using equation 2 Y = [Delta] Y,
検出したX=X12である。 It is detected X = X12.

【0022】製造装置や測定装置は、以上のようにして求めたデータθ,Y,Xに基づいて、サーチ範囲を基準のサーチ範囲YAから、Y1′に補正し、位置合わせマークをサーチし、基準位置と位置合わせする。 The manufacturing apparatus and measuring apparatus, above manner determined data theta, Y, based on X, the search range YA reference search range corrects the Y1 ', searches the alignment mark, to align with the reference position. ただし、 However,
Δθを補正しない場合はY1に補正する。 If you do not want to correct the Δθ is corrected to Y1. 上記した実施例において、O・F合わせ装置は、所定の方向に対してウェハ1のO・Fがほぼ平行に位置するように構成されればよく、光電センサ4の配置や種類,所定の方向の決め方などは実施例に限定されない。 In the embodiment described above, O · F aligner may be made of such O · F of the wafer 1 is positioned substantially parallel to the predetermined direction, arrangement and type of the photoelectric sensor 4 in a predetermined direction such as how to determine is not limited to the embodiment. また、X,Y位置検出装置では、高精度な位置検出するために光源からのスポット光(レーザー光)で走査し、走査移動量をエンコーダで読み取る構成としたが、少なくとも走査位置においてウェハ1の表面と交差する位置においてスポット光となるように光源からの平行光束を集光する集光光学系を設けてもよいし、各々の受光部材5b,5c,11a Moreover, X, in Y position detecting device scans a spot light from a light source to detect highly accurate position (laser light), but the scan amount was configured to be read by the encoder, the wafer 1 at least scan position it a parallel beam from a light source may be provided focusing optical system for focusing light so as to be the spot light in a position intersecting the surface, each of the light receiving member 5b, 5c, 11a
にラインセンサを用いてエンコーダのかわりに位置を検出するなど、等価な構成に置き換えてもよい。 Etc. for detecting the position in place of the encoder using a line sensor, it may be replaced with equivalent configurations. また、位置検出の基準位置は、それぞれの走査位置80,90, The reference position of the detection positions, each of the scanning position 80, 90,
120の中心位置を基準位置に設定し、基準位置からのそれぞれの位置Y8,Y9,X12を検出してずれ量θ,Y,Xを求めたが、例えば、ウェハ保持テーブルの回転中心YCを基準位置としてもよい。 The center position of 120 is set to the reference position, each position from the reference position Y8, Y9, weight shift by detecting the X12 theta, Y, was determined for X, for example, reference by the rotational center YC of the wafer holding table it may be used as the position.

【0023】ウェハ1のO・Fと走査位置120との傾きを相対的に補正する方法には、ウェハを回転させる方法と走査位置120を回転させる方法とがあり、実施例ではウェハを回転させる方法を用いたが、走査位置12 [0023] How to tilt relatively correcting the O · F and the scan position 120 of the wafer 1, there is a method of rotating a method and a scanning position 120 to rotate the wafer, rotating the wafer in the embodiment While using the method, the scanning position 12
0を回転させることも可能である。 It is also possible to rotate the 0. この場合は傾きΔθ Slope Δθ In this case,
を求めておき、求めた傾きに応じて走査する際に、光源駆動装置14を用いて光源11aからの光をY方向に移動させながら、同時にXミラー駆動装置13でミラー1 The advance determined, when scanning in accordance with the inclination determined, the mirror 1 light from a light source 11a with the light source drive unit 14 while moving in the Y direction, with X mirror driver 13 simultaneously
2をX方向にそって移動させることにより、走査位置1 By moving along 2 in the X direction, the scanning position 1
20が斜めに設定されたようになることを利用することによって実現できる。 It can be achieved by utilizing the fact that 20 is so configured obliquely.

【0024】実施例の位置検出装置は、傾きΔθを補正する傾き補正補正装置15cを有するが,O・F合わせによって補正する必要のないように常にウェハのO・F The position detecting device of the embodiment has the inclination correction corrector 15c for correcting the inclination [Delta] [theta], always the wafer so as not to be corrected by O · F adjustment O · F
をX方向に合わせられる場合、もしくは傾いていない(Δθ=0)とみなす場合は、Δθを補正する傾き補正制御装置15cはなくてよい。 When it is combined in the X-direction, or if regarded as the non ([Delta] [theta] = 0) inclined, or rather inclination correction controller 15c for correcting the [Delta] [theta]. ただし、正確にはΔθ≠ However, to be exact Δθ ≠
0であるがΔθ=0と見なす場合には、X方向位置検出装置の走査位置120がΔθを正確に補正されていない状態であってもΔθだけ傾いていることに起因する誤差を含まないことが必要である。 If it is a 0 regarded as [Delta] [theta] = 0, it does not contain errors due to the scanning position 120 in the X-direction position detecting device is inclined by [Delta] [theta] even when not correctly corrected [Delta] [theta] is necessary. すなわち、前記誤差は回転中心YCとウェハ中心WCとが異なる場合に生じるものであるから、ウェハの製造誤差(SEMI規格の場合;直径で±1mm)に関わらず、回転中心YCに対してウェハ中心WCが一致している(図4の状態)かもしくはごく近傍に位置していて、回転するウェハがほとんど偏心してないことが条件となる。 That is, the since error is caused when the rotation center YC and wafer center WC is different, wafer manufacturing errors; regardless (for SEMI standard ± 1mm ​​in diameter), the wafer center relative to the center of rotation YC WC is situated in that (state in FIG. 4) to or near very consistent, that spinning wafer is hardly eccentric is a condition. 通常のウェハ搬送装置では、ある程度この中心を合わせるようになっているし、たとえば、中心を非接触で検出する手段を設け、ウェハをウェハ保持テーブルにのせる際に合わせるようにしてもよい。 In a typical wafer transfer unit, to adapted to align the center part, for example, a means for detecting the center in a non-contact, may be matched when put the wafer into the wafer holding table.

【0025】数3を用いた計算は、走査位置80,90 The calculation using the number 3, the scanning position 80, 90
が回転中心YCを含むY方向の対称軸から互いに等しい間隔だけ離れた位置に設けられているとしたが、Y8とY9との中心ΔYと、回転中心YCとが同軸(図4の対称軸)上になく、X方向に距離XCを持つ(前記対称軸上にΔYがない)場合、数3のかわりにつぎに示す数4 Although There was provided at a position separated by an equal distance from each other in the Y direction of the symmetry axis including the rotation center of YC, and the center ΔY between Y8 and Y9, the center of rotation YC and coaxial (axis of symmetry of FIG. 4) without the above, when having a distance XC in the X direction (there is no ΔY on the symmetry axis), the number following in place of 3 4
を用いて計算する。 Calculated using.

【0026】 [0026]

【数4】 ΔY′=YC−√{XC 2 +(YC−ΔY) Equation 4] ΔY '= YC-√ {XC 2 + (YC-ΔY)
2 } ずれ量演算装置17は、新たに数1,数2,数3を用いて求める構成としたが、ΔθやΔY,ΔY′は傾き補正制御装置15c,Y位置補正制御装置16にて一度求めたものなので、求めた値Δθ,ΔY,ΔY′を用いてもよい。 2} deviation calculation unit 17, a new number 1, number 2, a configuration obtained by using the number 3, [Delta] [theta] and [Delta] Y, [Delta] Y 'is inclination correction controller 15c, once with Y position correction control apparatus 16 since those determined, determined values ​​[Delta] [theta], [Delta] Y, it may be used [Delta] Y '. ただし、傾き補正制御装置を有しない位置検出装置の場合は、ずれ量演算装置17で数1を用いて傾きΔ However, if the position detecting device having no inclination correction controller, the slope Δ using equation 1 in deviation calculation unit 17
θを求める構成とする必要がある。 It is necessary to adopt a configuration for determining the theta. また、前記ずれ量θ Further, the deviation amount θ
は、傾きΔθを補正した場合、θ=0とみなしたが、もう一度Y方向位置検出装置で傾き補正後のウェハ1のO , When correcting the inclination [Delta] [theta], was regarded as theta = 0, but the wafer 1 after the inclination correction is again Y-direction position detecting device O
・Fの位置Y8,Y9を検出してΔθを求めるような構成としてもよいし、ΔYも新たに検出したY8,Y9から求めるようにしてもよい。 And position of the F Y8, Y9 may be detected as seek Δθ by constituting a may be obtained from Y8, Y9 where ΔY was also newly detected.

【0027】また、位置合わせ装置における走査位置1 Further, scanning in the positioning device positions 1
20の設定は、事前に調整して同一製造ラインを組む装置どうしの位置合わせ装置間で一定になるように固定してもよいし、前記位置決めピンや走査位置の配置位置データを記憶し、前記データに基づいて、駆動装置14を用いて走査位置のオフセット分ずらした位置を基準位置とするように設定する走査位置調整装置を設けて、どのようなラインの装置であっても対応できるようにしてもよい。 20 settings may be fixed to be constant between the alignment device of the device each other partnering the same production line by adjusting in advance, stores the position data of the positioning pin or the scanning position, the based on the data, a position shifted offset of the scanning position by using the driving device 14 provided with a scanning position adjusting device for setting as a reference position, also to accommodate a device of any line it may be. 後者の場合、図4に示すように、他の工程において用いられる位置決めピン配置位置18,19,20に応じて前記走査位置80,90,120を設定すると、 In the latter case, as shown in FIG. 4, setting the scanning position 80,90,120 according to the positioning pin positions 18, 19, 20 to be used in other processes,
位置決めピンを用いて位置合わせする位置合わせ装置と互換性をもつことができ、製造ラインを組む際の自由度が増す。 It can have an alignment device compatible aligned using positioning pins, increases the degree of freedom in Crossed production line. したがって、検査装置のようにあらゆる位置合わせ装置に対応できるほうがよい装置には便利である。 Therefore, it is useful for good device better accommodate any positioning device as the inspection device.
なぜなら、本発明の位置検出装置は、半導体製造装置や測定装置に付属して設けられる装置であり、半導体製造装置では、全製造工程において複数の装置が組み合わせされるため、異なった位置合わせ装置を有する製造装置どうしを組むことが考えられる。 This is because, the position detecting device of the present invention is a device which is provided comes in a semiconductor manufacturing equipment and measuring equipment, in a semiconductor manufacturing apparatus, since a plurality of devices are combined in the entire manufacturing process, different alignment device partnering the production apparatus each other with is considered. しかし、課題に述べたようにつぎに行うアライメントでウェハ上の位置合わせマークを探すのに時間を要し、スループットが低下することが考えられるので、たとえば、型版が異なる製造装置どうしで製造ラインを組みにくい。 However, it takes time to find an alignment mark on the wafer alignment performed next as mentioned problem, since it is considered that the throughput is reduced, producing, for example, manufacturing apparatus each other the mold plate is different lines a difficult combination. ましてや測定装置のように不特定多数の製造ラインで製造されたウェハを検査する装置の場合、製造ライン間に位置合わせ誤差があるとウェハ上のマークが探せずに時間がかかることが容易に考えられる。 Let alone the case of the apparatus for inspecting a wafer manufactured by the unspecified number of production line as the measuring device, readily occur can take when there is positioning error between the production line time without find the mark on the wafer It is.

【0028】また、非接触でウェハのエッジを検出して位置あわせする装置が他に提案されているが、それらの装置はウェハの円弧状周縁上の3点からウェハの中心を求めて、さらに前記ウェハ中心とウェハ保持テーブルの回転中心とを整合させる装置である。 Further, although the non-contact apparatus for positioning by detecting the edge of the wafer has been proposed in other, their device seeking center from three points of the wafer on an arc-shaped peripheral edge of the wafer, further a device for aligning the rotation center of the wafer center and the wafer holding table. この位置合わせ装置は、非接触で検出するから本発明のようにゴミの発生を防ぐことができるが、製造装置本体のステージとは別に位置合わせ装置でウェハ保持テーブルとX,Y,Δθ The alignment apparatus can prevent the generation of dust as in the present invention since for non-contact detection, the wafer holding table and X for separately aligning apparatus a stage of the manufacturing apparatus main body, Y, [Delta] [theta]
に移動するステージとを必要とするので大変大がかりな装置となる欠点を有し、また、位置決めピンによる位置合わせ装置の場合は位置ぎめピンに基づいて位置合わせするために位置決めピンの位置からウェハの中心までの距離はまちまちであり互換性を保つことが難しい。 Because it requires a stage for moving the has the disadvantage that a great scale apparatus, also from the position of the positioning pins to align based on positioning pins when the positioning device by the positioning pins of the wafer the distance to the center is that it is difficult to maintain compatibility mixed. このような位置合わせ装置とも互換性を保つことが必要な場合、実施例の位置検出装置に、非接触で円弧状周縁部の異なる3箇所の位置を検出する検出手段と、ウェハがウェハ中心を求める位置合わせ装置で位置合わせされたのか位置決めピンによる位置決め装置で位置合わせされたのかに応じて、演算過程で切り換えて検出するように制御する手段とを設けることにより可能である。 If such alignment devices also need to maintain compatibility, the position detecting device of the embodiment, a detecting means for detecting the position of the different three of arcuate periphery in a non-contact, the wafer is wafer center in the positioning device according aligned to or positioned pins alignment device for determining, depending on whether the aligned, it is possible by providing a means for controlling to detect switched operation process. このような構成にすると位置合わせ装置の種類を問わずラインが組めるようになるので、異なる位置合わせ装置で位置合わせされ、位置合わせマークが形成されたウェハの位置ずれ量を正確に求めることができるし、求めたウェハの位置ずれは位置検出装置でなく、製造装置(測定装置) Since such regardless of the type with a configuration registration unit lines comes to divided to, aligned in different alignment apparatus, it is possible to accurately determine the positional deviation amount of the wafer alignment mark is formed and, positional deviation of the wafer obtained is not the position detecting device, the manufacturing apparatus (measuring device)
のステージに受渡したのちにステージの走りのオフセットなどで補正するので、別のステージを必要としない。 Is corrected in such as running of the stage to then was passed to the stage of the offset, it does not require a separate stage.

【0029】 [0029]

【発明の効果】本発明の位置検出装置では、基準位置に対する半導体ウェハの位置ずれ量を非接触で検出するため、発塵による半導体ウェハの汚染を無くすことができる。 In the position detecting device of the present invention exhibits, for detecting the position deviation amount of the semiconductor wafer to the reference position in a non-contact, it is possible to eliminate contamination of the semiconductor wafer by dust. また、本発明の位置検出装置は位置を検出するだけであるが、ウェハの正確な位置が検出できれば、次の製造装置内で行うウェハ上の位置合わせマークを用いたアライメントの際に前記マークを探す位置を電気的,光学的に、或いはステージの走りで補正してやることで、位置決めピンで位置合わせされた場合と等価な位置合わせを行なうことができる。 Further, although the position detecting apparatus of the present invention is only to detect the position, if the detection is accurate position of the wafer, the mark upon alignment using the alignment mark on the wafer performed in the following manufacturing apparatus electrical where to find, optically, or by'll corrected by running the stage, it can be performed if equivalent alignment that is aligned with the positioning pin.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】 本発明の実施例の位置検出装置の概略構成を示す斜視図である。 1 is a perspective view showing a schematic configuration of a position detecting apparatus of the embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の実施例の位置検出装置の制御構成を示すブロック図である。 2 is a block diagram showing a control structure of a position detecting apparatus of the embodiment of the present invention.

【図3】 光電センサ4の出力信号を示す図である。 3 is a diagram showing an output signal of the photoelectric sensor 4.

【図4】 実施例の位置検出装置の走査位置の説明図である。 4 is an explanatory view of a scanning position of the position detecting apparatus of the embodiment.

【図5】 実施例の位置検出装置の補正方法の説明に用いる説明図である。 5 is an explanatory diagram used for explaining the method of correcting the position detecting device of the embodiment.

【図6】 従来の位置合わせ装置を示す斜視図である。 6 is a perspective view of a conventional alignment device.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1,1′…半導体ウェハ 2…ウェハ保持テーブル 3…モータ 4…光電センサ 15a…O・F合わせ制御部 15b…モータドライバ 5a,11a…光源 5b,5c,11b…受光部材 6…ハーフミラー 7…反射ミラー 8,9,12…走査ミラー 10,13…ミラー駆動装置 14…光源駆動装置 16…Y位置補正制御装置 15c…傾き補正制御部 17…ずれ量演算装置 1,1 '... semiconductor wafer 2 ... wafer holding table 3 ... motor 4 ... photoelectric sensors 15a ... O · F matching control unit 15b ... motor driver 5a, 11a ... light source 5b, 5c, 11b ... light-receiving member 6 ... half mirror 7 ... reflection mirrors 8, 9, 12 ... scanning mirror 10, 13 ... mirror driver 14 ... light source driver 16 ... Y position correction control apparatus 15c ... inclination correction controller 17 ... deviation calculation unit

Claims (2)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】半導体ウェハのオリエンテーション・フラットを略X方向に合わせるオリエンテーション・フラット合わせ手段を有する半導体ウェハの位置検出装置において、 前記略X方向に合わせたウェハのオリエンテーション・ 1. A position detecting apparatus for a semiconductor wafer having an orientation flat alignment means to align the orientation flat of the semiconductor wafer in a substantially X-direction, orientation of the wafer tailored to the substantially X-direction
    フラット上の異なる2点の位置を、基準位置からのずれ量として前記略X方向に対して直交するY方向に沿って、非接触に検出するY方向位置検出手段と、 前記略X方向に合わせたウェハのオリエンテーション・ The position of the two different points on the flat, along the Y direction perpendicular to the substantially X direction deviation amount from the reference position, and the Y-direction position detecting means for detecting the non-contact, fit the substantially X-direction orientation of the wafer
    フラットからY方向に沿ってウェハの中心側へ所定距離だけ離れた前記ウェハの円弧状周縁部の位置を、基準位置からのずれ量として前記X方向に沿って、非接触に検出するX方向位置検出手段と、 前記Y方向位置検出手段の出力に基づいて、前記X方向位置検出手段の検出位置を前記略X方向に合わせたウェハのオリエンテーション・フラットからY方向に沿ってウェハの中心方向へ所定距離だけ離れた位置に補正する補正手段と、 前記Y方向検出手段,X方向検出手段で検出した位置に基づき、前記基準位置に対する半導体ウェハの位置ずれを求めるずれ量演算手段と、 を有することを特徴とする半導体ウェハの位置検出装置。 The position of the arc-shaped peripheral portion of the wafer a predetermined distance along the flat in the Y-direction toward the center of the wafer, along the X direction deviation amount from the reference position, X-direction position detecting contactless detection means, on the basis of the output of the Y-direction position detecting means, the predetermined detection position in the X-direction position detecting means from the orientation flat of the wafer tailored to the substantially X-direction along the Y-direction toward the center of the wafer and correcting means for correcting the distance away, the Y-direction detecting means, based on the position detected by the X-direction detecting means, a deviation amount calculating means for calculating a positional deviation of the semiconductor wafer with respect to the reference position, to have a position detecting apparatus of a semiconductor wafer, characterized.
  2. 【請求項2】ウェハ保持テーブルの回転によってオリエンテーション・フラットを有する半導体ウェハを回転させ、前記ウェハの周縁部を非接触センサで走査し、前記非接触センサのオリエンテーション・フラット検出信号に基づいて前記テーブルの回転を停止させることにより、前記ウェハのオリエンテーション・フラットを略X Wherein rotating the semiconductor wafer having an orientation flat by the rotation of the wafer holding table, scans the peripheral portion of the wafer in a non-contact sensor, the table based on the orientation flat detection signal of the non-contact sensor by stopping the rotation, substantially X the orientation flat of the wafer
    方向に合わせるオリエンテーション・フラット合わせ手段を有する半導体ウェハの位置検出装置において、 前記略X方向に合わせたウェハのオリエンテーション・ The position detecting apparatus of a semiconductor wafer having an orientation flat alignment means to align in the direction, orientation of the wafer tailored to the substantially X-direction
    フラット上の異なる2点の位置を、基準位置からのずれ量として前記略X方向に対して直交するY方向に沿って、非接触に検出するY位置検出手段と、 前記Y方向位置検出手段の出力に基づいて、前記ウェハのオリエンテーション・フラットの方向と前記X方向とのなす角を求め、前記ウェハ保持テーブルを前記求めた角度だけ回転させることにより前記ウェハのオリエンテーション・フラットの傾きを補正する傾き補正手段と、 前記ウェハのオリエンテーション・フラットからY方向に沿ってウェハの中心側へ所定距離だけ離れた前記ウェハの円弧状周縁部の位置を、基準位置からのずれ量として前記X方向に沿って、非接触に検出するX方向位置検出手段と、 前記Y方向位置検出手段の出力に基づいて、前記X方向位置検出手段の検出 The position of the two different points on the flat, along the Y direction perpendicular to the substantially X direction deviation amount from the reference position, the Y position detecting means for detecting the non-contact, of the Y-direction position detecting means based on the output, determine the angle between the orientation flat direction and the X direction of the wafer, to correct the inclination of the orientation flat of the wafer by rotating only the angle determined the wafer holding table tilt a correction unit, the position of the arc-shaped peripheral portion of the wafer a predetermined distance from the orientation flat of the wafer in the Y direction toward the center of the wafer, along the X direction as the amount of deviation from the reference position , the X-direction position detecting means for detecting the non-contact, based on an output of the Y-direction position detecting means, detecting the X-direction position detecting means 置を前記ウェハのオリエンテーション・フラットからY方向に沿ってウェハの中心方向へ所定距離だけ離れた位置に補正する補正手段と、 前記Y方向検出手段,X方向検出手段で検出した位置に基づき、前記基準位置に対する半導体ウェハの位置ずれを求めるずれ量演算手段と、 を有することを特徴とする半導体ウェハの位置検出装置。 Based correction means for correcting a position apart by a predetermined distance toward the center of the wafer along a location from the orientation flat of the wafer in the Y direction, the Y-direction detecting means, the position detected by the X-direction detecting means, said position detecting apparatus for a semiconductor wafer characterized by having a a deviation amount calculating means for calculating a positional deviation of the semiconductor wafer with respect to the reference position.
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US6201603B1 (en) 1998-02-25 2001-03-13 Olympus Optical Co., Ltd. Position detecting apparatus for semiconductor wafer
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KR101300852B1 (en) * 2009-03-31 2013-08-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Method for appointing orientation flat, apparatus for detecting orientation flat, and recording medium having program for appointing orientation flat recorded therein
JP2015119070A (en) * 2013-12-19 2015-06-25 株式会社安川電機 Robot system and detection method

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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