JPH05226114A - Manufacture of ptc thermistor - Google Patents
Manufacture of ptc thermistorInfo
- Publication number
- JPH05226114A JPH05226114A JP8173991A JP8173991A JPH05226114A JP H05226114 A JPH05226114 A JP H05226114A JP 8173991 A JP8173991 A JP 8173991A JP 8173991 A JP8173991 A JP 8173991A JP H05226114 A JPH05226114 A JP H05226114A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ntc thermistor
- electrode
- molded body
- ceramic
- conductive paste
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、負特性サーミスタ（以
下、ＮＴＣサーミスタ）の製造方法に関し、特に、電極
形成工程が改良されたＮＴＣサーミスタの製造方法に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a negative characteristic thermistor (hereinafter referred to as NTC thermistor), and more particularly to a method for manufacturing an NTC thermistor having an improved electrode forming process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、ＮＴＣサーミスタは、以下の工程
を経て製造されていた。まず、ＮＴＣサーミスタ素体を
構成するためのセラミック材料に有機バインダを加えて
所望の形状の成形体を得る。次に、該成形体を焼成し、
焼結体を得る。しかる後、得られた焼結体をスライシン
グすることにより、薄い焼結体ウエハーを得る。次に、
該ウエハーを６００〜１２００℃の温度でアニールす
る。しかる後、ウエハーの主面にＡｇペーストのような
導電ペーストを塗布し、焼き付けることにより、ウエハ
ーの主面上に電極を形成する。最後に、電極が形成され
たウエハーを所定の大きさにスライシングすることによ
り、ＮＴＣサーミスタ素子を得る。なお、部品として完
成させるには、得られたＮＴＣサーミスタ素子に、適宜
リード線等が接合される。2. Description of the Related Art Conventionally, NTC thermistors have been manufactured through the following steps. First, an organic binder is added to a ceramic material for forming an NTC thermistor body to obtain a molded body having a desired shape. Next, the molded body is fired,
Obtain a sintered body. After that, a thin sintered body wafer is obtained by slicing the obtained sintered body. next,
The wafer is annealed at a temperature of 600-1200 ° C. Then, a conductive paste such as Ag paste is applied to the main surface of the wafer and baked to form electrodes on the main surface of the wafer. Finally, an NTC thermistor element is obtained by slicing the wafer on which the electrodes are formed into a predetermined size. To complete the component, a lead wire or the like is appropriately joined to the obtained NTC thermistor element.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
製造方法では、得られたＮＴＣサーミスタ素子の特性に
ばらつきが生じ易く、歩留りが十分でないという問題が
あった。これは、上記製造工程において得られた成形体
の密度のばらつきや、焼成温度のばらつきによるものと
考えられる。実際に顕微鏡にてウエハーの研磨表面を観
察したところ、図２に顕微鏡写真で示すように、スライ
シングされたウエハーの主面において、様々な大きさの
ポアが不規則に分布していることがわかった。また、ス
ライシングされたウエハーの抵抗値をウエハー内のさま
ざまな位置で測定したところ、図３に破線で示すよう
に、位置によって抵抗値がかなりの範囲でばらついてい
ることがわかった。なお、図３の破線は、図４に平面図
で示すように、ウエハー１の直径Ａ方向に等間隔に測定
点ａ1 〜ａn を設け、各測定点ａ1 〜ａn において抵抗
値を測定したものを継げたものである。However, the conventional manufacturing method has a problem that the characteristics of the obtained NTC thermistor element are likely to vary and the yield is not sufficient. It is considered that this is due to variations in the density of the molded body obtained in the above manufacturing process and variations in the firing temperature. When the polished surface of the wafer was actually observed with a microscope, it was found that pores of various sizes were irregularly distributed on the main surface of the sliced wafer, as shown in the micrograph in FIG. It was Further, when the resistance value of the sliced wafer was measured at various positions in the wafer, it was found that the resistance value varied in a considerable range depending on the position as shown by the broken line in FIG. The broken line in FIG. 3, as shown in plan view in FIG. 4, equal intervals provided measurement points a 1 ~a n diametrically A direction of the wafer 1, the resistance value at each measurement point a 1 ~a n It is a continuation of the measured one.
【０００４】本発明の目的は、上述したようなウエハー
の密度のばらつき等に起因する特性のばらつきが生じ難
いＮＴＣサーミスタの製造方法を提供することにある。An object of the present invention is to provide a method of manufacturing an NTC thermistor in which variations in characteristics due to variations in wafer density as described above are unlikely to occur.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明は、ＮＴＣサーミ
スタ素体と、該ＮＴＣサーミスタ素体上に形成された電
極とを備えるＮＴＣサーミスタの製造方法であり、前記
ＮＴＣサーミスタ素体を構成するためのセラミック材料
と有機バインダとを混練し、成形して得られた成形体を
用意し、前記成形体上に導電ペーストを塗布し、前記成
形体の焼成と同時に前記導電ペーストを焼き付けること
により電極を形成することを特徴とするものである。The present invention is a method for producing an NTC thermistor including an NTC thermistor element body and an electrode formed on the NTC thermistor element body. Kneading the ceramic material and the organic binder, prepare a molded body obtained by molding, apply a conductive paste on the molded body, by baking the conductive paste at the same time as firing the molded body to form an electrode. It is characterized by forming.
【０００６】すなわち、本発明では、図１に示すよう
に、ＮＴＣサーミスタを構成するためのセラミック材料
と有機バインダとがまず混練され、混練された材料を成
形することにより成形体が用意される。ＮＴＣサーミス
タ素体を構成するためのセラミック材料としては、従来
よりＮＴＣサーミスタを構成するために用いられている
種々のセラミック材料が用いられ、例えばＭｎ、Ｎｉ及
びＣｏ等の金属酸化物を８００〜１０００℃程度の温度
で仮焼し、しかる後粉砕することにより得られたセラミ
ック粉末が用いられる。That is, in the present invention, as shown in FIG. 1, a ceramic material for constituting an NTC thermistor and an organic binder are first kneaded, and a molded body is prepared by molding the kneaded material. As the ceramic material for forming the NTC thermistor body, various ceramic materials conventionally used for forming the NTC thermistor are used. For example, metal oxides such as Mn, Ni and Co are 800 to 1000. A ceramic powder obtained by calcining at a temperature of about ° C and then pulverizing is used.
【０００７】また、有機バインダとしては、酢酸ビニル
やポリビニルアルコール等が用いられる。有機バインダ
は、原料に成形性を付与するために添加されるものであ
るため、通常、セラミック材料に対して５〜１５％程度
の割合で混合される。セラミック材料と有機バインダと
の混合材料から成形体を得る方法については、（ａ）ド
クターブレード法等によりセラミックグリーンシートを
作製し、複数枚のセラミックグリーンシートを積層・圧
着する方法、（ｂ）押出成形法、並びに（ｃ）粉末成形
法等の任意の成形方法を用いることができ、いずれの成
形方法を用いた場合においても、後述の本発明の効果を
得ることができる。As the organic binder, vinyl acetate, polyvinyl alcohol, etc. are used. Since the organic binder is added to give the raw material moldability, it is usually mixed in a ratio of about 5 to 15% with respect to the ceramic material. As for a method for obtaining a molded body from a mixed material of a ceramic material and an organic binder, (a) a method of preparing a ceramic green sheet by a doctor blade method or the like, laminating and pressure bonding a plurality of ceramic green sheets, (b) extrusion Any molding method such as the molding method and (c) powder molding method can be used, and the effect of the present invention described below can be obtained by using any molding method.
【０００８】図１に示すように、本発明では、上記のよ
うにして得られた成形体上に、導電ペーストが塗布され
る。この導電ペーストは、電極を形成するために塗布さ
れるものであり、所望とする電極形状に応じた領域に塗
布される。また、多数のＮＴＣサーミスタを一枚のウエ
ハーから得る場合には、該ウエハーの主面の全面に導電
ペーストが塗布される。使用し得る導電ペーストとして
は、ＰｔもしくはＰｄ等の金属、またはＰｔ−Ａｕ、Ｐ
ｔ−Ｐｄ、Ａｕ−Ｐｄ、Ａｇ−ＰｄもしくはＰｔ−Ａｕ
−Ｐｄ等の合金を含む導電ペーストが挙げられる。As shown in FIG. 1, in the present invention, a conductive paste is applied on the molded body obtained as described above. This conductive paste is applied to form an electrode, and is applied to a region corresponding to a desired electrode shape. When a large number of NTC thermistors are obtained from one wafer, the conductive paste is applied to the entire main surface of the wafer. The conductive paste that can be used is a metal such as Pt or Pd, or Pt-Au, P
t-Pd, Au-Pd, Ag-Pd or Pt-Au
A conductive paste containing an alloy such as -Pd can be used.
【０００９】本発明においては、上述した導電ペースト
の塗布後に、成形体を焼成すると同時に、該焼成工程に
おいて導電ペーストが焼き付けられて電極が形成され
る。焼成は、使用するセラミック材料の種類によっても
異なるが、通常、１１００〜１３００℃程度の温度で行
われる。なお、必要に応じて、部品として完成するため
に、形成された電極にリード端子等を接合してもよい。In the present invention, after the above-mentioned conductive paste is applied, the molded body is baked, and at the same time, the conductive paste is baked in the baking step to form an electrode. The firing is usually performed at a temperature of about 1100 to 1300 ° C., though it depends on the type of ceramic material used. If necessary, a lead terminal or the like may be joined to the formed electrode in order to complete the component.
【００１０】[0010]
【作用】本発明の製造方法は、導電ペーストを塗布され
たセラミック成形体の焼成工程において、セラミックス
の焼成と同時に該導電ペーストを焼き付けることにより
電極を形成することを特徴とする。生のセラミック成形
体を焼成する際に同時に電極材料を焼き付けて電極を形
成する方法自体は、積層コンデンサの製造方法等におい
て用いられており、公知の技術である。しかしながら、
積層コンデンサの製造方法等においてセラミック成形体
と同時に焼成されるのは内部電極部分であり、これはセ
ラミックスの焼成後に内部電極部分のみを別途形成する
のが困難であることによる。The manufacturing method of the present invention is characterized in that, in the step of firing the ceramic compact coated with the conductive paste, the electrode is formed by burning the conductive paste at the same time as firing the ceramic. The method itself of baking an electrode material at the same time as firing a raw ceramic molded body to form an electrode is used in a method for manufacturing a multilayer capacitor and is a known technique. However,
In the manufacturing method of the multilayer capacitor and the like, it is the internal electrode portions that are fired at the same time as the ceramic molded body, and this is because it is difficult to separately form only the internal electrode portions after firing the ceramics.
【００１１】これに対して、ＮＴＣサーミスタのよう
に、セラミック焼結体の外側に露出している面に電極を
形成する場合には、セラミックスの焼成後に別途電極を
容易に形成し得るため、セラミックスの焼成工程におい
て同時に電極を形成する必要は無い。従って、従来、Ｎ
ＴＣサーミスタの製造方法において、セラミックスの焼
成に際し電極を同時に焼き付ける方法は採用されていな
かった。上記のように、本発明は、セラミックスを焼成
した後においても形成し得る電極を、敢えてセラミック
スの焼成工程においてセラミックスと同時焼成すること
により形成したことに特徴を有する。そして、本発明に
おいては、電極がセラミック成形体の焼成工程において
セラミックスと同時に焼成されるため、後述する実施例
から明らかなように電極とセラミックスとの界面が安定
化され、それによって特性のばらつきが低減される。On the other hand, when an electrode is formed on the surface exposed to the outside of the ceramic sintered body like an NTC thermistor, the electrode can be easily formed after firing the ceramics. It is not necessary to form the electrodes at the same time in the firing step. Therefore, conventionally, N
In the manufacturing method of the TC thermistor, the method of simultaneously baking the electrodes when firing the ceramics has not been adopted. As described above, the present invention is characterized in that the electrodes, which can be formed even after firing the ceramics, are formed by co-firing with the ceramics in the firing step of the ceramics. Further, in the present invention, since the electrodes are fired at the same time as the ceramics in the firing process of the ceramic molded body, the interface between the electrodes and the ceramics is stabilized, as will be apparent from the examples described later, which causes variations in characteristics. Will be reduced.
【００１２】[0012]
【実施例の説明】以下、本発明の実施例を説明すること
により、本発明をより一層明らかなものとする。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be further clarified by describing the embodiments of the present invention.
【００１３】実施例１ Ｍｎ、Ｎｉ及びＣｏの各酸化物を、それぞれ、５０重量
％、２０重量％及び３０重量％の比率で混合し、８００
〜１０００℃の温度で仮焼し、粉砕することによりセラ
ミック材料としてのセラミック粉末を得た。次に、該セ
ラミック粉末に有機バインダとして酢酸ビニルをセラミ
ック粉末に対して１３重量％の割合で添加し、混練し
た。混練された材料を用い、ドクターブレード法により
厚み５０μｍのグリーンシートを作製した。次に、得ら
れたグリーンシートを４５０μｍの厚みとなるように複
数枚積層し、しかる後厚み方向に圧着した。圧着された
成形体を複数個用意し、各成形体の主面にＰｔ、Ｐｔ−
Ａｕ、Ｐｔ−Ｐｄ、Ａｕ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｐｄ、ま
たはＰｔ−Ａｕ−Ｐｄを含有する導電ペーストを塗布
し、１１００〜１３００℃の温度で焼成し、セラミック
スを焼成すると共に、上記導電ペーストを焼き付けて、
厚み２７０μｍのＮＴＣサーミスタ素子用ウエハーを得
た。 Example 1 Mn, Ni and Co oxides were mixed at a ratio of 50% by weight, 20% by weight and 30% by weight to obtain 800
A ceramic powder as a ceramic material was obtained by calcining at a temperature of up to 1000 ° C. and pulverizing. Next, vinyl acetate as an organic binder was added to the ceramic powder at a ratio of 13% by weight with respect to the ceramic powder and kneaded. Using the kneaded material, a green sheet having a thickness of 50 μm was produced by the doctor blade method. Next, a plurality of the obtained green sheets were laminated so as to have a thickness of 450 μm, and then pressure-bonded in the thickness direction. A plurality of pressure-bonded molded bodies are prepared, and Pt and Pt- are formed on the main surface of each molded body.
A conductive paste containing Au, Pt-Pd, Au-Pd, Ag-Pd, Pd, or Pt-Au-Pd is applied and fired at a temperature of 1100 to 1300 ° C. to fire the ceramics and the above-mentioned conductive paste. Bake
A 270 μm thick wafer for NTC thermistor element was obtained.
【００１４】上記のようにして得られたウエハー内の比
抵抗のばらつきを確かめるために、図４を参照して説明
した比抵抗の測定方法に準じて、ウエハー内の各測定点
における比抵抗を測定した。結果を、図３に実線で示
す。図３の実線で示された特性から明らかなように、本
実施例の方法に従って用意されたウエハーでは、従来例
に比べてウエハー内の比抵抗のばらつきが非常に小さい
ことがわかる。また、この実施例で用意されたウエハー
の研磨表面を図６に顕微鏡写真で示す。図６を、前述し
た図２と比較すれば明らかなように、本実施例の製造方
法によれば、ウエハー内のポアの大きさ及び分布のばら
つきが従来例に比べて小さくされていることがわかる。In order to confirm the variation in the specific resistance in the wafer obtained as described above, the specific resistance at each measurement point in the wafer was measured according to the specific resistance measurement method described with reference to FIG. It was measured. The results are shown by the solid line in FIG. As is clear from the characteristics shown by the solid line in FIG. 3, in the wafer prepared according to the method of this embodiment, the variation in the specific resistance within the wafer is very small as compared with the conventional example. The polished surface of the wafer prepared in this example is shown in a micrograph in FIG. As is clear from the comparison of FIG. 6 with FIG. 2 described above, according to the manufacturing method of the present embodiment, the variation in the size and distribution of the pores in the wafer is smaller than that in the conventional example. Recognize.
【００１５】次に、上述のようにして得た各ウエハーを
ダイシングソーにより０．５ｍｍ×０．５ｍｍの大きさ
にカットし、ＮＴＣサーミスタ素子を得た。得られたＮ
ＴＣサーミスタ素子を、図５に示すように、ガラス封入
した。図５において、１はＮＴＣサーミスタ、２はＮＴ
Ｃサーミスタ素子を示す。ＮＴＣサーミスタ素子２は、
ＮＴＣサーミスタ素体２ａの両主面に電極２ｂ，２ｃが
形成された構造を有する。また、３，４はそれぞれジメ
ット線を示し、電極２ｂ，２ｃに電気的に接続されてい
る。また、５はガラス層を示し、ＮＴＣサーミスタ素子
２及びジメット線３，４の内側の大径部３ａ，４ａを封
入するために設けられている。Next, each wafer obtained as described above was cut into a size of 0.5 mm × 0.5 mm with a dicing saw to obtain an NTC thermistor element. Obtained N
The TC thermistor element was glass-encapsulated as shown in FIG. In FIG. 5, 1 is an NTC thermistor, 2 is an NT
A C thermistor element is shown. NTC thermistor element 2 is
It has a structure in which electrodes 2b and 2c are formed on both main surfaces of the NTC thermistor body 2a. Further, 3 and 4 respectively represent a Jimmet wire and are electrically connected to the electrodes 2b and 2c. Reference numeral 5 denotes a glass layer, which is provided for enclosing the large diameter portions 3a and 4a inside the NTC thermistor element 2 and the dimmed wires 3 and 4.
【００１６】上述のようにして構成されたＮＴＣサーミ
スタ１につき、比抵抗、抵抗のばらつき（３ＣＶ％）、
Ｂ（２５／５０℃における値）、Ｂのばらつき（３ＣＶ
％）、加工変化率を測定した。結果を表１に示す。ま
た、上述のようにして得られた各ＮＴＣサーミスタにつ
き、以下の要領でライフ・テストを行った。ライフ・テ
ストの結果を、表１に併せて示す。With respect to the NTC thermistor 1 configured as described above, the specific resistance and the resistance variation (3 CV%),
B (value at 25/50 ° C), variation of B (3 CV
%), And the processing change rate was measured. The results are shown in Table 1. Further, each NTC thermistor obtained as described above was subjected to a life test in the following manner. The results of the life test are also shown in Table 1.
【００１７】ライフ・テスト ＮＴＣサーミスタを３００℃の温度、並びに９５％の湿
度の下に１０００時間放置し、しかる後、比抵抗を測定
し、比抵抗の初期値Ｒ（２５℃）に対する変動率ΔＲ
（２５℃）（％）を計算した。また、比較のために、上
述したセラミックグリーンシートの積層体を圧着した後
焼成し、焼成されたウエハーの主面にＡｇペーストを塗
布し、焼き付けることにより電極を形成し、しかる後ダ
イシングソーにより０．５ｍｍ×０．５ｍｍの大きさに
カットすることにより得られたＮＴＣサーミスタ素子を
用い、実施例と同様にガラス封入し、ＮＴＣサーミスタ
を得た。この比較のために用意したＮＴＣサーミスタ
（比較例１）についても、実施例と同様に比抵抗等を測
定した。結果を、表１に併せて示す。 Life test The NTC thermistor was left at a temperature of 300 ° C. and a humidity of 95% for 1000 hours, after which the specific resistance was measured and the variation rate ΔR with respect to the initial value R (25 ° C.).
(25 ° C) (%) was calculated. In addition, for comparison, the above-mentioned ceramic green sheet laminate is pressure-bonded and then fired, Ag paste is applied to the principal surface of the fired wafer, and the electrode is formed by firing, and then the electrode is formed by a dicing saw. An NTC thermistor was obtained by using an NTC thermistor element obtained by cutting it into a size of 0.5 mm × 0.5 mm and encapsulating it in the same manner as in the example. Regarding the NTC thermistor (Comparative Example 1) prepared for this comparison, the specific resistance and the like were measured in the same manner as in the example. The results are also shown in Table 1.
【００１８】[0018]
【表１】 [Table 1]
【００１９】但し、＊印を付したペーストでは、金属に
対して４重量％の割合でガラスフリットを添加した。However, in the paste marked with *, glass frit was added at a ratio of 4% by weight with respect to the metal.
【００２０】表１から明らかなように、比較例１のＡｇ
電極が形成されたＮＴＣサーミスタに比べて、本実施例
のＮＴＣサーミスタでは、比抵抗及びＢのばらつきが非
常に小さくなっていることがわかる。また、加工変化率
も非常に小さく、さらにライフ・テストの結果も従来の
方法で得られた比較例１のＮＴＣサーミスタに比べて非
常に優れていることがわかる。As is clear from Table 1, Ag of Comparative Example 1
It can be seen that in the NTC thermistor of this embodiment, variations in the specific resistance and B are extremely small, as compared with the NTC thermistor in which the electrodes are formed. Further, it can be seen that the rate of change in processing is very small, and the result of the life test is very excellent as compared with the NTC thermistor of Comparative Example 1 obtained by the conventional method.
【００２１】実施例２ 実施例１で用意された０．５×０．５ｍｍの大きさのＮ
ＴＣサーミスタ素子を用い、図７に示すラジアル型のＮ
ＴＣサーミスタ６を構成した。図７において、ＮＴＣサ
ーミスタ６では、ＮＴＣサーミスタ素子２の両主面に設
けられている電極２ｂ，２ｃに、リード端子７，８が接
合されており、かつリード端子７，８が同一方向に延ば
されて引出されている。なお、９は封止ガラス層を示
す。上記のようにして構成されたラジアル型のＮＴＣサ
ーミスタ６の特性を実施例１と同様にして測定した。結
果を表２に示す。 Example 2 N having a size of 0.5 × 0.5 mm prepared in Example 1
Using a TC thermistor element, the radial type N shown in FIG.
A TC thermistor 6 was constructed. 7, in the NTC thermistor 6, the lead terminals 7 and 8 are joined to the electrodes 2b and 2c provided on both main surfaces of the NTC thermistor element 2, and the lead terminals 7 and 8 extend in the same direction. It has been pulled out and pulled out. In addition, 9 shows a sealing glass layer. The characteristics of the radial type NTC thermistor 6 configured as described above were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 2.
【００２２】[0022]
【表２】 [Table 2]
【００２３】但し、＊印を付したペーストでは、金属に
対して４重量％の割合でガラスフリットを添加した。ま
た、実施例１で比較のために用意したＡｇ電極が形成さ
れたＮＴＣサーミスタ素子を用い、上記実施例２と同様
にして図７に示すＮＴＣサーミスタを構成し比較例２と
し、各特性を測定した。この結果も、表２に示す。表２
から明らかなように、ラジアル型のＮＴＣサーミスタを
構成した場合においても、実施例２では、比較例２に比
べて比抵抗及びＢのばらつきが非常に小さく、加工変化
率及びライフテストの結果においても優れていることが
わかる。However, in the paste marked with *, the glass frit was added at a ratio of 4% by weight with respect to the metal. In addition, using the NTC thermistor element having the Ag electrode formed therein prepared for comparison in Example 1, the NTC thermistor shown in FIG. did. The results are also shown in Table 2. Table 2
As is clear from the above, even when the radial type NTC thermistor is constructed, the variation of the specific resistance and B is very small in Example 2 as compared with Comparative Example 2, and the machining change rate and the life test result are also shown. It turns out to be excellent.
【００２４】実施例３ 実施例１で用意したセラミック粉末を用い、下記の３種
類の成形方法を用いて成形体を得た。 （１）押出成形法…用意されたセラミック粉末に対し
て、酢酸ビニルを有機バインダとして５重量％、可塑剤
を３重量％及び水を３０重量％を加えて混練し、しかる
後押出成形した。 （２）ドクターブレード法…用意されたセラミック粉末
に、酢酸ビニルを１２重量％、可塑剤を３重量ｂ及び水
を４０重量％加え、ドクターブレード法によりシート成
形した。 （３）粉末成形法…用意されたセラミックス粉末に酢酸
ビニルを４重量％、可塑剤を０．５重量％、水を１００
重量％を加え、スプレードイヤで造粒した。成形は、直
径１０ｍｍ、厚み０．３５ｍｍとなるように、４ｔ／ｃ
ｍ2 の圧力を付加することにより加圧して行った。 Example 3 Using the ceramic powder prepared in Example 1, a molded body was obtained using the following three types of molding methods. (1) Extrusion molding method: 5% by weight of vinyl acetate as an organic binder, 3% by weight of a plasticizer and 30% by weight of water were added to the prepared ceramic powder, and the mixture was kneaded, followed by extrusion molding. (2) Doctor blade method: 12% by weight of vinyl acetate, 3% by weight of plasticizer and 40% by weight of water were added to the prepared ceramic powder, and a sheet was formed by the doctor blade method. (3) Powder molding method: 4% by weight of vinyl acetate, 0.5% by weight of a plasticizer and 100% of water are added to the prepared ceramic powder.
Weight% was added and the mixture was granulated by spray doier. Molding is 4t / c so that the diameter is 10mm and the thickness is 0.35mm.
The pressure was increased by applying a pressure of m 2 .
【００２５】上記のように３種類の成形方法で得られた
成形体の主面に、Ｐｔ含有導電ペーストを塗布し、１２
００℃の温度で焼成すると共に、該Ｐｔ含有導電ペース
トを焼き付けることにより電極を形成した。しかる後、
得られたウエハーを０．５×０．５ｍｍの大きさにカッ
トすることによりＮＴＣサーミスタ素子を得、図５に示
したようにガラス封入してＮＴＣサーミスタを得た。上
記のようにして各成形法により得られた成形体を用いて
構成された各ＮＴＣサーミスタにつき、実施例１と同様
に評価した。結果を、表３に示す。また、比較を容易と
するために、実施例１で用意した比較例１の特性を表３
に併せて示す。The Pt-containing conductive paste was applied to the main surface of the molded body obtained by the three types of molding methods as described above, and 12
An electrode was formed by baking at a temperature of 00 ° C. and baking the Pt-containing conductive paste. After that,
The obtained wafer was cut into a size of 0.5 × 0.5 mm to obtain an NTC thermistor element, and glass was encapsulated as shown in FIG. 5 to obtain an NTC thermistor. Each NTC thermistor constituted by using the molded body obtained by each molding method as described above was evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 3. In addition, the characteristics of Comparative Example 1 prepared in Example 1 are shown in Table 3 for easy comparison.
Is also shown.
【００２６】[0026]
【表３】 [Table 3]
【００２７】表３から明らかなように、いずれの成形方
法を用いて得られた成形体を利用したとしても、比抵
抗、Ｂのばらつきが比較例１に比べて非常に小さくされ
ており、また加工変化率も非常に小さくなることがわか
る。As is clear from Table 3, no matter which molding method is used, the variation in the specific resistance and B is much smaller than that in Comparative Example 1, and the moldings obtained are used. It can be seen that the machining change rate is also very small.
【００２８】[0028]
【発明の効果】本発明によれば、ＮＴＣサーミスタ素体
の主面に形成される電極が、セラミックス焼成時に導電
ペーストを同時に焼き付けることにより形成されるた
め、セラミックスと電極との界面が安定化され、それに
よって特性のばらつきの少ないＮＴＣサーミスタが得ら
れる。よって、ＮＴＣサーミスタの生産に際し、歩留り
を改善することが可能となる。また、導電ペーストの焼
付工程がなくなることで、生産期間が短くなり、コスト
ダウンになる。According to the present invention, the electrode formed on the main surface of the NTC thermistor body is formed by simultaneously baking the conductive paste during firing of the ceramic, so that the interface between the ceramic and the electrode is stabilized. As a result, an NTC thermistor with less variation in characteristics can be obtained. Therefore, it becomes possible to improve the yield in the production of the NTC thermistor. Further, since the step of baking the conductive paste is eliminated, the production period is shortened and the cost is reduced.
【図１】図１は本発明の方法を説明するための工程図FIG. 1 is a process diagram for explaining a method of the present invention.
【図２】図２は従来法により得られたウエハーの研磨表
面を顕微鏡写真で示す図FIG. 2 is a micrograph showing a polished surface of a wafer obtained by a conventional method.
【図３】図３は従来例及び実施例におけるウエハー内の
比抵抗のばらつきを説明するための図FIG. 3 is a diagram for explaining variations in specific resistance within a wafer in a conventional example and an example.
【図４】図４は図３の特性を測定する方法を説明するた
めの平面図FIG. 4 is a plan view for explaining a method for measuring the characteristics of FIG.
【図５】図５は実施例１で用意されるＮＴＣサーミスタ
の構造を説明するための断面図FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining the structure of the NTC thermistor prepared in Example 1.
【図６】図６は実施例１で用意されたウエハーの研磨表
面を顕微鏡写真で示す図6 is a micrograph showing the polished surface of the wafer prepared in Example 1. FIG.
【図７】図７は実施例２で用意されたＮＴＣサーミスタ
の断面図であるFIG. 7 is a sectional view of an NTC thermistor prepared in Example 2.
１…ＮＴＣサーミスタ ２…ＮＴＣサーミスタ素子 ２ａ…ＮＴＣサーミスタ素体 ２ｂ，２ｃ…電極 1 ... NTC thermistor 2 ... NTC thermistor element 2a ... NTC thermistor element body 2b, 2c ... electrode
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成５年３月２日[Submission date] March 2, 1993
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】図面の簡単な説明[Name of item to be corrected] Brief description of the drawing
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】図１は本発明の方法を説明するための工程図FIG. 1 is a process diagram for explaining a method of the present invention.
【図２】図２は従来法により得られたセラミックウエハ
ーの研磨表面のセラミック材料の組織を電子顕微鏡写真
で示す図FIG. 2 is an electron micrograph showing a structure of a ceramic material on a polished surface of a ceramic wafer obtained by a conventional method.
【図３】図３は従来例及び実施例におけるウエハー内の
比抵抗をばらつきを説明するための図FIG. 3 is a diagram for explaining variations in specific resistance within a wafer in a conventional example and an example.
【図４】図４は図３の特性を測定する方法を説明するた
めの平面図FIG. 4 is a plan view for explaining a method for measuring the characteristics of FIG.
【図５】図５は実施例１で用意されるＮＴＣサーミスタ
の構造を説明するための断面図FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining the structure of the NTC thermistor prepared in Example 1.
【図６】図６は実施例１で用意されたセラミックウエハ
ーの研磨表面のセラミック材料の組織を電子顕微鏡写真
で示す図FIG. 6 is an electron micrograph showing the structure of the ceramic material on the polished surface of the ceramic wafer prepared in Example 1.
【図７】図７は実施例２で用意されたＮＴＣサーミスタ
の断面図であるFIG. 7 is a sectional view of an NTC thermistor prepared in Example 2.
【符号の説明】 １…ＮＴＣサーミスタ ２…ＮＴＣサーミスタ素子 ２ａ…ＮＴＣサーミスタ素体 ２ｂ，２ｃ…電極[Explanation of Codes] 1 ... NTC thermistor 2 ... NTC thermistor element 2a ... NTC thermistor element body 2b, 2c ... Electrode
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坪川 武義 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Takeyoshi Tsubogawa 2-10-10 Tenjin, Nagaokakyo-shi, Kyoto Murata Manufacturing Co., Ltd.
Claims (1)
ミスタ素体上に形成された電極とを備えるＮＴＣサーミ
スタの製造方法であって、 前記ＮＴＣサーミスタ素体を構成するためのセラミック
材料に有機バインダを混練して成形することにより得ら
れた成形体を用意し、 前記成形体上に導電ペーストを塗布し、 前記成形体の焼成と同時に前記導電ペーストを焼き付け
ることにより電極を形成することを特徴とする、ＮＴＣ
サーミスタの製造方法。1. A method of manufacturing an NTC thermistor comprising an NTC thermistor body and an electrode formed on the NTC thermistor body, wherein an organic binder is added to a ceramic material forming the NTC thermistor body. A molded body obtained by kneading and molding is prepared, a conductive paste is applied onto the molded body, and an electrode is formed by baking the conductive paste simultaneously with firing of the molded body. , NTC
Manufacturing method of thermistor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8173991A JPH05226114A (en) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | Manufacture of ptc thermistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8173991A JPH05226114A (en) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | Manufacture of ptc thermistor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226114A true JPH05226114A (en) | 1993-09-03 |
Family
ID=13754808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8173991A Pending JPH05226114A (en) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | Manufacture of ptc thermistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05226114A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010141073A (en) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Mitsubishi Materials Corp | Method of manufacturing thermistor element, and thermistor element |
-
1991
- 1991-03-20 JP JP8173991A patent/JPH05226114A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010141073A (en) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Mitsubishi Materials Corp | Method of manufacturing thermistor element, and thermistor element |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4744609B2 (en) | Ceramic component element, ceramic component and manufacturing method thereof | |
| JPH05226114A (en) | Manufacture of ptc thermistor | |
| JP2011198818A (en) | Thermistor element and method for manufacturing the same | |
| JPH07263272A (en) | Manufacture of laminated electronic component | |
| JP3275739B2 (en) | Thermistor element and manufacturing method thereof | |
| JP3625053B2 (en) | Chip-type thermistor and manufacturing method thereof | |
| JP2000124008A (en) | Composite chip thermistor electronic component and its manufacture | |
| JPH09260107A (en) | Thermistor element and manufacturing method thereof | |
| JP2001135501A (en) | Chip type thermistor | |
| JPH03129810A (en) | Laminated type ceramic chip capacitor and manufacture thereof | |
| JPH05121211A (en) | Manufacture of laminated voltage non-linearity resistor | |
| JPH0547508A (en) | Laminated semiconductor porcelain and manufacture thereof | |
| JPH07106187A (en) | Manufacture of laminated ceramic electronic component | |
| JPH0722223A (en) | Production of resistor | |
| JP3245933B2 (en) | Resistor | |
| JP2003217905A (en) | Chip-type thermistor and method for manufacturing the same | |
| JPH10303004A (en) | Thermistor element and its manufacture | |
| JP2001237105A (en) | Chip type thermistor element | |
| JPH07201527A (en) | Manufacture of conductive chip-type ceramic device | |
| JPH08124706A (en) | Chip-shaped electronic component and manufacture thereof | |
| JPH05267004A (en) | Manufacture of chip type thermistor | |
| JPH0689803A (en) | Manufacture of voltage nonlinear resistor | |
| JPH04243173A (en) | Electrostrictive effect element | |
| JP2003059705A (en) | Nonlinear resistor | |
| JPH04150003A (en) | Manufacture of thermistor |