JPH05217232A - Magneto-optical recording medium and its production - Google Patents
Magneto-optical recording medium and its productionInfo
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- JPH05217232A JPH05217232A JP1997392A JP1997392A JPH05217232A JP H05217232 A JPH05217232 A JP H05217232A JP 1997392 A JP1997392 A JP 1997392A JP 1997392 A JP1997392 A JP 1997392A JP H05217232 A JPH05217232 A JP H05217232A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は熱磁気的に記録及び消去
を行ない、磁気光学的に再生を行なう光磁気記録媒体及
びその製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magneto-optical recording medium for recording and erasing thermomagnetically and reproducing magneto-optically, and a manufacturing method thereof.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、情報の大容量化に対応可能な記録
媒体として高密度光ディスクメモリーの開発が活発に行
われている。中でも、記録、消去、書換えが可能な光磁
気記録媒体は、実用性、用途の広さから最も注目されて
いる。2. Description of the Related Art In recent years, a high density optical disk memory has been actively developed as a recording medium capable of accommodating a large capacity of information. Among them, a magneto-optical recording medium capable of recording, erasing and rewriting has received the most attention due to its practicality and versatility.
【0003】光磁気記録媒体は、透明な基板(ガラスや
プラスチック)上にGdやTb等の重希土類とFeやC
o等の遷移金属とからなる非晶質合金膜をスパッタ法等
で形成した垂直磁化膜である。Magneto-optical recording media include heavy rare earths such as Gd and Tb and Fe and C on a transparent substrate (glass or plastic).
It is a perpendicular magnetization film formed by an amorphous alloy film made of a transition metal such as o by a sputtering method or the like.
【0004】記録の場合には、予め、この膜を外部磁界
によって一定の向きに磁化(イニシャライズ)してお
き、1μm程度まで絞った半導体レーザー光を光磁気記
録層に照射し、記録を行なう箇所の膜温度を150〜3
00℃(キュリー温度以上、又はフェリ磁性体の磁気補
償温度)に加熱すると同時にイニシャライズと反対の向
きに磁界をかけておくと温度上昇により、保磁力の小さ
くなった磁性膜の磁化の向きが反転する。そして磁化の
向きの変化は室温でも保たれる。つまり、この照射する
レーザー光の強度を信号で変調しておけば情報を記録す
ることができる。In the case of recording, this film is previously magnetized (initialized) in a fixed direction by an external magnetic field, and a semiconductor laser beam focused to about 1 μm is applied to the magneto-optical recording layer to perform recording. Film temperature of 150 to 3
When heated to 00 ° C (Curie temperature or higher, or magnetic compensation temperature of ferrimagnetic material) and at the same time a magnetic field is applied in the direction opposite to initialization, the temperature rises and the magnetization direction of the magnetic film with reduced coercive force is reversed. To do. And the change of the magnetization direction is maintained even at room temperature. That is, information can be recorded by modulating the intensity of the emitted laser light with a signal.
【0005】再生の場合には、直線偏光のレーザー光が
磁性膜に入射後反射するときに、磁化の向きによって光
の偏光面が回転する現象、すなわち光磁気効果(カー効
果)を利用する。実際の装置では、半導体レーザーの出
力を記録時より下げて光磁気記録層に照射し、反射光を
検光子により磁化の向きに応じた光の強度信号として検
出する。これをフォトディテクタで電気信号に変換し情
報として取り出す。In the case of reproduction, when a linearly polarized laser beam is incident on a magnetic film and then reflected, a phenomenon in which the plane of polarization of the light rotates depending on the direction of magnetization, that is, a magneto-optical effect (Kerr effect) is utilized. In an actual device, the output of the semiconductor laser is lowered from that at the time of recording to irradiate the magneto-optical recording layer, and the reflected light is detected by the analyzer as a light intensity signal according to the direction of magnetization. This is converted into an electric signal by a photo detector and taken out as information.
【0006】消去の場合には、外部磁界を記録時と反対
向きにして、半導体レーザーを連続照射して光磁気記録
層の磁化の向きをイニシャライズの時と同じ向きに合わ
せることにより、消去を行なうことができる。In the case of erasing, the external magnetic field is directed in the opposite direction to that at the time of recording, and the semiconductor laser is continuously irradiated to align the direction of magnetization of the magneto-optical recording layer with the same direction as at the time of initialization, thereby erasing. be able to.
【0007】以上の光磁気記録の原理から、光磁気記録
装置には記録媒体の入射光側の光学ヘッドの他に磁気ヘ
ッドが備えられている。記録装置の小型化、薄型化のた
めにはヘッドを小型化するのが効果的で、さらにヘッド
を小型化できればアクセススピードを上げることができ
る。特に磁気ヘッドを小型化するためには、記録・消去
時に必要な外部磁界が小さい程よい。すなわち、磁界感
度のよい記録媒体の開発が望まれている。さらに、磁界
変調方式のダイレクトオーバーライトでも磁界感度が良
く、かつ媒体の互換性を考慮すると磁界マージンが広い
ことが望ましく、これらは重要な研究項目になってい
る。しかしながら磁界感度を上げると磁界マージンが狭
くなるのが従来の媒体の傾向である。On the basis of the above-described principle of magneto-optical recording, the magneto-optical recording apparatus is provided with a magnetic head in addition to the optical head on the incident light side of the recording medium. It is effective to reduce the size of the head in order to reduce the size and thickness of the recording apparatus. If the size of the head can be reduced, the access speed can be increased. In particular, in order to miniaturize the magnetic head, it is better that the external magnetic field required for recording / erasing is smaller. That is, it is desired to develop a recording medium having a high magnetic field sensitivity. Furthermore, it is desirable that the magnetic field modulation type direct overwrite has a high magnetic field sensitivity and a wide magnetic field margin is taken into consideration in terms of medium compatibility, and these are important research items. However, when the magnetic field sensitivity is increased, the magnetic field margin is narrowed, which is a tendency of the conventional medium.
【0008】光磁気記録媒体は、基板上に誘電体層、光
磁気記録層、誘電体層、そして反射層の順にスパッタ法
で成膜されているものが多い。光磁気記録媒体の磁界感
度及びマージンを改善するために、これらの膜の組成・
膜厚・スパッタ条件を変えることで媒体の特性を改善す
ることが行われている。In many magneto-optical recording media, a dielectric layer, a magneto-optical recording layer, a dielectric layer, and a reflective layer are sequentially formed on a substrate by a sputtering method. In order to improve the magnetic field sensitivity and margin of the magneto-optical recording medium, the composition and composition of these films
The characteristics of the medium have been improved by changing the film thickness and sputtering conditions.
【0009】図1に、従来構造の光磁気記録媒体を示
す。そして、図2に、このような媒体の記録特性の測定
例を示す。光磁気記録層のスパッタ圧力を1.5mTo
rr以下とすると、磁界感度は良いが、マージンは狭く
なる。一方、光磁気記録層のスパッタ圧力を3mTor
r以上とすると、C/Nが良くなり、マージンも広くな
るが、磁界感度が悪くなる。また、中間のスパッタ圧力
では、どちらの特性も平均化されてしまう。このように
単独条件の光磁気記録層では、両方の要求を満足するこ
とは難しい。FIG. 1 shows a conventional magneto-optical recording medium. Then, FIG. 2 shows an example of measurement of recording characteristics of such a medium. The sputtering pressure of the magneto-optical recording layer is 1.5 mTo
If it is rr or less, the magnetic field sensitivity is good, but the margin becomes narrow. On the other hand, the sputtering pressure of the magneto-optical recording layer is set to 3 mTorr.
When it is more than r, the C / N is improved and the margin is widened, but the magnetic field sensitivity is deteriorated. Further, at an intermediate sputtering pressure, both characteristics will be averaged. As described above, it is difficult to satisfy both requirements in the magneto-optical recording layer under the single condition.
【0010】図2の測定条件は次の通りである。3.5
インチ光磁気ディスクを1800rpmで回転させ、内
周部24.1mmの位置を測定している。消去パワー7m
W、消去バイアス磁界600G、書き込みパワー(ピー
ク)7mW、書き込みパワー(ボトム)1mW、読み取りパ
ワー1mWである。また、ビデオバンドウィドス3.0K
Hz、書き込み周波数2.9MHz、パルス幅115ナ
ノ秒である。The measurement conditions of FIG. 2 are as follows. 3.5
The inch magneto-optical disk is rotated at 1800 rpm and the position of the inner peripheral portion 24.1 mm is measured. Erase power 7m
W, erase bias magnetic field 600 G, write power (peak) 7 mW, write power (bottom) 1 mW, read power 1 mW. Also, video band Wids 3.0K
Hz, writing frequency 2.9 MHz, pulse width 115 nanoseconds.
【0011】測定例について説明する。C/Nの最大値
は、スパッタガス圧が高い方が、低い(1.5mTor
r)場合よりも高い値を示している。A measurement example will be described. The maximum value of C / N is lower (1.5 mTorr) when the sputtering gas pressure is higher.
r) shows a higher value than the case.
【0012】書き込みバイアス磁界によるC/Nの値の
変化に注目すると、C/Nが最大となった後、低スパッ
タガス圧の場合には、バイアス磁界強度とともに低下す
る。高スパッタガス圧の場合には、その程度が非常に小
さく、C/Nは、ほぼ一定の値となっている。C/Nの
値が最大値から1dB低い値になるまでの磁界の範囲を
磁界マージンと呼ぶことにすれば、高スパッタガス圧の
場合、磁界マージンは200Gから500Gであると言
える。Focusing on the change in the C / N value due to the write bias magnetic field, after the C / N becomes maximum, it decreases with the bias magnetic field strength when the sputter gas pressure is low. In the case of high sputter gas pressure, the degree is very small, and C / N has a substantially constant value. If the range of the magnetic field from the maximum value of C / N to the value lower than the maximum value by 1 dB is called the magnetic field margin, it can be said that the magnetic field margin is 200 G to 500 G when the sputtering gas pressure is high.
【0013】また、バイアス磁界を小さい方から増加
し、C/Nが最大値をとる磁界を飽和バイアス磁界と呼
び、そしてC/Nがそれより1dB低いときのバイアス
磁界を磁界感度と呼ぶことにする。低スパッタガス圧の
場合には、磁界感度は125Gで、高スパッタガス圧の
場合には200Gになっている。Further, the magnetic field in which the bias magnetic field is increased from the smaller one and C / N has the maximum value is called a saturation bias magnetic field, and the bias magnetic field when C / N is 1 dB lower than that is called magnetic field sensitivity. To do. The magnetic field sensitivity is 125 G when the sputter gas pressure is low, and 200 G when the sputter gas pressure is high.
【0014】さらにバイアス磁界を減少させていくと書
き込みが不能となる磁界がある。この磁界をC/Nゼロ
磁界と呼べば、この絶対値も小さい方が特性上望まし
い。低スパッタガス圧の場合には−150Gで、高スパ
ッタガス圧の場合には−300Gとなり著しい差があ
る。There is a magnetic field in which writing becomes impossible as the bias magnetic field is further reduced. If this magnetic field is called a C / N zero magnetic field, it is desirable that its absolute value is small in terms of characteristics. When the sputter gas pressure is low, the value is −150 G, and when the sputter gas pressure is high, the value is −300 G, which is a significant difference.
【0015】[0015]
【発明が解決しようとする課題】以上のように、磁界感
度及び磁界マージンは光磁気記録媒体において重要な特
性であるが、研究の例は意外と少ない。例えば、特開昭
63−63154号公報では、保磁力の高い光磁気記録
層と保磁力の低い光磁気記録層を積層して、適度の大き
さのバイアス磁界で高感度に記録できる光磁気記録媒体
が提案されている。この発明では、高保磁力膜として、
TbCo、DyCo、DyFeCo、低保磁力膜として
はGdCo、GdCoFeが示されている。この場合、
いずれの膜を組み合わせるにしてもスパッタで成膜する
とき別のターゲットを用意しなければならない、そして
スパッタチャンバも2室必要になるなど設備が大がかり
になる等の問題点がある。As described above, the magnetic field sensitivity and the magnetic field margin are important characteristics in the magneto-optical recording medium, but the number of studies is surprisingly small. For example, in Japanese Unexamined Patent Publication No. 63-63154, a magneto-optical recording is possible in which a magneto-optical recording layer having a high coercive force and a magneto-optical recording layer having a low coercive force are stacked and highly sensitively recorded with a bias magnetic field of an appropriate size. A medium has been proposed. In this invention, as a high coercive force film,
TbCo, DyCo, DyFeCo and GdCo, GdCoFe are shown as the low coercive force film. in this case,
No matter which combination of the films is combined, another target must be prepared when the film is formed by sputtering, and two sputtering chambers are required, which causes a problem of large-scale equipment.
【0016】本発明が解決しようとする課題は、磁界感
度・磁界マージンとも良好な光磁気記録媒体を提供する
ことにある。An object of the present invention is to provide a magneto-optical recording medium having good magnetic field sensitivity and magnetic field margin.
【0017】[0017]
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、基板上に光磁気記録層を有する光磁気記録
媒体において、光磁気記録層が、多層構造を有し、かつ
多層構造の各層が同一ターゲットを用い、スパッタガス
圧を低圧から高圧に段階的に変化させながら蒸着成膜さ
れたものであることを特徴とする光磁気記録媒体を提供
する。In order to solve the above problems, the present invention provides a magneto-optical recording medium having a magneto-optical recording layer on a substrate, wherein the magneto-optical recording layer has a multi-layer structure and a multi-layer structure. A magneto-optical recording medium, wherein each layer is formed by vapor deposition while using the same target and gradually changing the sputtering gas pressure from a low pressure to a high pressure.
【0018】本発明の光磁気記録媒体の層構成は、基板
上に、少なくとも、誘電体層、スパッタ条件を変化させ
ることにより得られる多層構造の光磁気記録層、誘電体
層及び必要に応じて反射層からなる構造を有する。更
に、反射層の上に保護コート層を、基板の光磁気記録層
の反対側の面にハードコート層を夫々設けることもでき
る。The layer structure of the magneto-optical recording medium of the present invention has at least a dielectric layer on a substrate, a magneto-optical recording layer having a multi-layered structure obtained by changing the sputtering conditions, a dielectric layer, and if necessary. It has a structure including a reflective layer. Further, a protective coat layer may be provided on the reflective layer, and a hard coat layer may be provided on the surface of the substrate opposite to the magneto-optical recording layer.
【0019】本発明で使用する基板としては、例えば、
ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、アモル
ファスポリオレフィンのごとき樹脂又はガラスに直接案
内溝を形成した基板、ガラス又は樹脂の平板上にフォト
ポリマー法により案内溝を形成した基板などが挙げられ
る。The substrate used in the present invention is, for example,
Examples thereof include substrates such as polycarbonate, polymethylmethacrylate, and amorphous polyolefin in which guide grooves are directly formed in resin or glass, substrates in which guide grooves are formed on a flat plate of glass or resin by a photopolymer method, and the like.
【0020】誘電体層には透明性の高い無機誘電体が用
いられる。その材質としては、例えば、SiNx、Si
Ox、AlSiON、AlSiN、AlN、AlTi
N、Ta2O5、ZnSなどが挙げられるが、なかでもS
iNx が好ましい。これら誘電体層の屈折率は1.8〜
2.5の範囲が好ましい。An inorganic dielectric having high transparency is used for the dielectric layer. Examples of the material include SiN x and Si
O x , AlSiON, AlSiN, AlN, AlTi
N, Ta 2 O 5 , ZnS and the like can be mentioned, but among them, S
iN x is preferred. The refractive index of these dielectric layers is 1.8 to
A range of 2.5 is preferred.
【0021】誘電体層は、スパッタリング、イオンプレ
ーティングなどの物理蒸着法(PVD)、プラズマCV
Dなどの化学蒸着法(CVD)などによって形成する。The dielectric layer is formed by physical vapor deposition (PVD) such as sputtering or ion plating, or plasma CV.
It is formed by a chemical vapor deposition method (CVD) such as D.
【0022】本発明の光磁気記録層を構成する材質とし
ては、例えば、TbFeCo、DyFeCo、TbF
e、GdTbFeCo、NdDyFeCo、TbCo等
が挙げられ、これらの非晶質合金に耐酸化性の向上等の
目的でその他の金属を添加したものも使用できる。The material constituting the magneto-optical recording layer of the present invention is, for example, TbFeCo, DyFeCo, TbF.
e, GdTbFeCo, NdDyFeCo, TbCo, and the like. Those amorphous alloys to which other metals are added for the purpose of improving oxidation resistance can also be used.
【0023】光磁気記録層を形成させる際のスパッタ条
件としては、スパッタガス圧を変化させる。この場合、
同一のターゲットを用いるが、スパッタガス圧により成
膜速度が異なるので、膜厚を制御するためには、予め成
膜速度を求めておき、各々のガス圧でのスパッタ時間を
決めておく。As the sputtering conditions for forming the magneto-optical recording layer, the sputtering gas pressure is changed. in this case,
Although the same target is used, the film formation rate varies depending on the sputtering gas pressure. Therefore, in order to control the film thickness, the film formation rate is obtained in advance and the sputtering time at each gas pressure is determined.
【0024】光磁気記録層を2層化する場合、第1層側
に低スパッタガス圧の膜を成膜し、その後に高スパッタ
ガス圧の膜を成膜する。その逆の場合、効果は少ない。
また、低ガス圧層の層厚は、記録層全体の10〜70%
の範囲が好ましい。ここで、低スパッタガス圧として
は、1.5mTorr以下、高スパッタガス圧としては
3mTorr以上が好ましい。When the magneto-optical recording layer is formed into two layers, a film having a low sputtering gas pressure is formed on the first layer side, and then a film having a high sputtering gas pressure is formed. In the opposite case, the effect is small.
The layer thickness of the low gas pressure layer is 10 to 70% of the entire recording layer.
Is preferred. Here, the low sputtering gas pressure is preferably 1.5 mTorr or less, and the high sputtering gas pressure is preferably 3 mTorr or more.
【0025】光磁気記録層を3層以上に多層化する場合
も、第1層側に低スパッタガス圧の膜を成膜し、順次高
スパッタガス圧の膜を成膜する。また、この場合も低ス
パッタガス圧(1.5mTorr以下)の層厚は、記録
層全体の10〜70%の範囲が好ましい。In the case where the magneto-optical recording layer has three or more layers, a film having a low sputter gas pressure is formed on the first layer side, and a film having a high sputter gas pressure is sequentially formed. Also in this case, the layer thickness at low sputtering gas pressure (1.5 mTorr or less) is preferably in the range of 10 to 70% of the entire recording layer.
【0026】反射層の材質としては、Al、Alと他の
金属との合金などが挙げられるが、Al、Al−Ti合
金、Al−Cr合金が好ましい。Examples of the material of the reflective layer include Al and alloys of Al and other metals. Al, Al-Ti alloys and Al-Cr alloys are preferable.
【0027】反射層は、スパッタリング、イオンプレー
ティングなどの物理蒸着法(PVD)、プラズマCVD
などの化学蒸着法(CVD)などによって形成する。The reflective layer is formed by sputtering, physical vapor deposition (PVD) such as ion plating, or plasma CVD.
It is formed by a chemical vapor deposition method (CVD) or the like.
【0028】保護コート層の材料には有機系、無機系の
双方が用いられている。有機系の保護コート層を形成す
る場合には、ディッピング法、スピンコート法、ロール
コーター法、蒸着法等の手法が用いられている。一方、
無機系の保護コート層を形成する場合には、スパッタリ
ング法や蒸着法、含浸法等の手法が用いられる。Both organic and inorganic materials are used for the material of the protective coat layer. When forming an organic protective coat layer, methods such as a dipping method, a spin coat method, a roll coater method, and a vapor deposition method are used. on the other hand,
When forming the inorganic protective coat layer, a method such as a sputtering method, a vapor deposition method, an impregnation method or the like is used.
【0029】これらの保護コート法のうち、紫外線硬化
樹脂を用いたスピンコート法は簡便で迅速な方法である
ので好ましい。この方法は、ディスペンサーを用いて基
板上に紫外線硬化樹脂を吐出し、ディスクを高速回転し
て遠心力により樹脂を広げて塗布を行う。塗布された樹
脂は、その後、紫外線照射によって硬化させる。また、
スピンコート法は、紫外線硬化樹脂以外の樹脂に対して
も好適に用いることができる。いずれの場合において
も、保護コート層に用いる樹脂は、硬化後に鉛筆硬度で
H以上の硬度を有するものが好ましい。Of these protective coating methods, the spin coating method using an ultraviolet curable resin is preferable because it is a simple and quick method. In this method, an ultraviolet curable resin is discharged onto a substrate using a dispenser, a disk is rotated at a high speed, and the resin is spread by centrifugal force to apply the resin. The applied resin is then cured by UV irradiation. Also,
The spin coating method can be suitably used for resins other than the ultraviolet curable resin. In any case, the resin used for the protective coat layer preferably has a pencil hardness of H or higher after curing.
【0030】プラスチック製基板は、耐擦傷性が不十分
であり、このような欠点を克服するために、光磁気記録
層とは反対側の面に硬度の高い透明材質を用いてハード
コート層を設けることが望ましい。ハードコートの手段
としてはスピンコート法、2P法等により多官能ウレタ
ンアクリレート及び光重合開始剤を含有する紫外線硬化
樹脂等の有機高分子を塗布、硬化する方法、析出法やス
パッタリング法等により二酸化珪素等のセラミックハー
ドコート層を設ける方法が挙げられるが、セラミック製
のハードコート層は、生産性が悪いため、大量生産には
不向きであるので、紫外線硬化樹脂を用いたハードコー
ト層が好ましい。The plastic substrate has insufficient scratch resistance, and in order to overcome such a drawback, a hard coat layer is formed on the surface opposite to the magneto-optical recording layer by using a transparent material having high hardness. It is desirable to provide it. As a means for hard coating, a method of applying and curing an organic polymer such as a UV-curable resin containing a polyfunctional urethane acrylate and a photopolymerization initiator by a spin coating method, a 2P method or the like, a silicon dioxide by a precipitation method or a sputtering method, etc. And the like, a ceramic hard coat layer is not suitable for mass production due to poor productivity, and thus a hard coat layer using an ultraviolet curable resin is preferable.
【0031】このようにして成膜した光磁気記録媒体
は、単体で使用してもよく、2枚を基板が外側にくるよ
うに貼り合わせて使用してもよい。The magneto-optical recording medium thus formed may be used alone or may be used by laminating two substrates so that the substrates are on the outside.
【0032】図3に、以上の方法により製造した光磁気
媒体の膜構造の例を示した。FIG. 3 shows an example of the film structure of the magneto-optical medium manufactured by the above method.
【0033】[0033]
(実施例1)インラインスパッタ装置で光磁気記録層を
2層化した光磁気ディスクを製造した場合について述べ
る。インラインスパッタ装置は、仕込室、取出室、脱ガ
ス室及び4つのスパッタ室からなる。(Example 1) A case where a magneto-optical disk having two magneto-optical recording layers is manufactured by an in-line sputtering device will be described. The in-line sputtering device comprises a charging chamber, an extraction chamber, a degassing chamber and four sputtering chambers.
【0034】まず、第1スパッタ室でポリカーボネート
製基板に誘電体層としてSiNx をRFマグネトロンス
パッタにより、スパッタガス圧10mTorr、3KW
の条件で1000オングストローム成膜した。First, SiN x was used as a dielectric layer on a polycarbonate substrate in the first sputtering chamber by RF magnetron sputtering to produce a sputtering gas pressure of 10 mTorr and 3 KW.
A film having a thickness of 1000 angstroms was formed under the above condition.
【0035】次に、第2スパッタ室に基板を移動し、光
磁気記録層としてTbFeCoをDCマグネトロンスパ
ッタにより300オングストローム成膜するが、この膜
厚を2等分して成膜した。そして1、1.5、3mTo
rrのスパッタガスから2条件を選び、組合せて1.5
KWの条件で成膜した。スパッタ条件は途中で変更にな
るが、同一スパッタ室で同一ターゲットを用いArガス
流量だけを変更した。第3スパッタ室で、第1スパッタ
室と同一条件で再び誘電体層を250オングストローム
成膜した。Next, the substrate was moved to the second sputtering chamber, and TbFeCo was formed as a magneto-optical recording layer by DC magnetron sputtering to a film thickness of 300 angstroms. And 1, 1.5, 3mTo
Select 2 conditions from sputter gas of rr and combine them to 1.5
The film was formed under the KW condition. Although the sputtering conditions were changed on the way, only the Ar gas flow rate was changed using the same target in the same sputtering chamber. In the third sputtering chamber, a dielectric layer of 250 Å was formed again under the same conditions as in the first sputtering chamber.
【0036】更に、第4スパッタ室で反射層としてAl
をDCマグネトロンスパッタにより、スパッタガス圧
1.5mTorr、3KWの条件で600オングストロ
ーム成膜した。Further, Al is used as a reflective layer in the fourth sputtering chamber.
Was deposited by DC magnetron sputtering under the conditions of a sputtering gas pressure of 1.5 mTorr and 3 KW to 600 angstrom.
【0037】図4に上記の方法により製造した光磁気デ
ィスクの書き込みバイアス磁界依存性の測定結果を示し
た。FIG. 4 shows the measurement results of the write bias magnetic field dependence of the magneto-optical disk manufactured by the above method.
【0038】光磁気記録層第1層として、3mTorr
の高スパッタガス圧で成膜し、その後、光磁気記録層第
2層として、1.5mTorr及び1mTorrの低ス
パッタガス圧で成膜した場合には、磁界感度と磁界マー
ジンの改善はみられない。第1層として1mTorr、
第2層として3mTorrのスパッタガス圧を組合わせ
た場合、磁界感度80G、マージンが80Gから600
G、C/Nゼロ磁界−80Gとなった。また、第1層と
して、1.5mTorr、第2層として、3mTorr
のスパッタガス圧を組み合わせた場合、磁界感度100
G、マージンが100Gから600G、C/Nゼロ磁界
−130Gとなった。As the first layer of the magneto-optical recording layer, 3 mTorr
No improvement in magnetic field sensitivity and magnetic field margin is observed when the film is formed at a high sputtering gas pressure of 1 and then a second magneto-optical recording layer is formed at a low sputtering gas pressure of 1.5 mTorr and 1 mTorr. . 1mTorr as the first layer,
When the sputtering gas pressure of 3 mTorr is combined as the second layer, the magnetic field sensitivity is 80 G, and the margin is from 80 G to 600.
G, C / N zero magnetic field -80G. Further, the first layer is 1.5 mTorr, and the second layer is 3 mTorr.
Magnetic field sensitivity of 100 when combined with the sputtering gas pressure of
G, the margin was 100 G to 600 G, and the C / N zero magnetic field was -130 G.
【0039】以上のように、光磁気記録層とし低ガス圧
で成膜した上に高ガス圧で成膜した場合、単層膜では得
られなかった特性の改善が得られた。As described above, when the magneto-optical recording layer was formed at a low gas pressure and then at a high gas pressure, an improvement in characteristics not obtained by the single-layer film was obtained.
【0040】(実施例2)インラインスパッタ装置で光
磁気記録層を2層化し、その膜厚を変化させた光磁気デ
ィスクを製造した場合について述べる。光磁気記録層以
外の膜のスパッタ条件は実施例1と同じである。光磁気
記録層第1層のスパッタガス圧を1mTorr、第2層
を3mTorrとし、全体の膜厚を300オングストロ
ーム、パワー1.5KWで成膜した。(Embodiment 2) A case will be described in which a magneto-optical recording layer is made into two layers by an in-line sputtering device and a magneto-optical disk having different thicknesses is manufactured. The sputtering conditions for the films other than the magneto-optical recording layer are the same as in Example 1. The first layer of the magneto-optical recording layer had a sputtering gas pressure of 1 mTorr, the second layer had a thickness of 3 mTorr, and the total film thickness was 300 Å and the power was 1.5 KW.
【0041】表1に上記の方法により製造した光磁気デ
ィスクの書き込みバイアス磁界依存性の測定結果を示し
た。Table 1 shows the measurement results of the write bias magnetic field dependence of the magneto-optical disk manufactured by the above method.
【0042】[0042]
【表1】 [Table 1]
【0043】表1から、第1層の膜厚が光磁気記録層の
10%以上から効果が現れ、50%になったところで効
果が最高になる。50%以上では効果が低下するが70
%までは光磁気記録層を単層とした場合よりも特性は改
善されていることが理解できる。From Table 1, the effect appears when the film thickness of the first layer is 10% or more of that of the magneto-optical recording layer, and the effect is maximized when the film thickness reaches 50%. If the ratio is 50% or more, the effect is reduced, but 70
It can be understood that up to%, the characteristics are improved as compared with the case where the magneto-optical recording layer is a single layer.
【0044】(実施例3)インラインスパッタ装置で光
磁気記録層を3層化し光磁気ディスクを製造した。光磁
気記録層以外の膜のスパッタ条件は実施例1及び2と同
じである。Example 3 A magneto-optical disk was manufactured by forming the magneto-optical recording layer into three layers with an in-line sputtering device. The sputtering conditions for the films other than the magneto-optical recording layer are the same as in Examples 1 and 2.
【0045】図5に示した光磁気記録層を3層とした場
合では、3層合計の膜厚を300オングストローム、パ
ワー1.5KWで膜厚を3等分している。そして第1層
1mTorr、第2層1.5mTorr、第3層3mT
orrのスパッタガス圧で成膜した。この場合、磁界感
度70G、マージンが70Gから600G、C/Nゼロ
磁界−70Gとなった。When the magneto-optical recording layer shown in FIG. 5 is composed of three layers, the total film thickness of the three layers is 300 angstroms, and the film thickness is divided into three equal parts with a power of 1.5 KW. The first layer is 1 mTorr, the second layer is 1.5 mTorr, and the third layer is 3 mT
The film was formed at a sputtering gas pressure of orr. In this case, the magnetic field sensitivity was 70 G, the margin was 70 G to 600 G, and the C / N zero magnetic field was −70 G.
【0046】[0046]
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体は、磁界感度、
磁界マージンの両方の特性が同時に向上したものであ
る。従って、本発明の光磁気記録媒体を使用することに
より、光磁気記録装置の小型化及び薄型化が可能とな
る。また、本発明の光磁気記録媒体は、磁界変調方式の
ダイレクトオーバーライトでも磁界感度に優れているの
で、媒体の互換性にも優れている。The magneto-optical recording medium of the present invention has a magnetic field sensitivity,
Both characteristics of the magnetic field margin are improved at the same time. Therefore, by using the magneto-optical recording medium of the present invention, the magneto-optical recording device can be downsized and thinned. Further, the magneto-optical recording medium of the present invention is excellent in magnetic field sensitivity even in the direct overwrite of the magnetic field modulation method, and is therefore excellent in medium compatibility.
【図1】従来の光磁気記録媒体の膜構成の一例である。FIG. 1 is an example of a film structure of a conventional magneto-optical recording medium.
1 ハードコート 2 基板 3 誘電体層 4 光磁気記録層 5 誘電体層 6 反射層 7 保護コート 1 Hard Coat 2 Substrate 3 Dielectric Layer 4 Magneto-optical Recording Layer 5 Dielectric Layer 6 Reflective Layer 7 Protective Coat
【図2】従来の光磁気記録媒体の書き込み磁界とC/N
値との関係を示す図表である。FIG. 2 is a write magnetic field and C / N of a conventional magneto-optical recording medium.
It is a chart which shows the relationship with a value.
実線 記録層のスパッタガス圧が1.5mTorrの場
合 破線 記録層のスパッタガス圧が3.0mTorrの場
合Solid line When the sputter gas pressure of the recording layer is 1.5 mTorr Dashed line When the sputter gas pressure of the recording layer is 3.0 mTorr
【図3】本発明の光磁気記録媒体の膜構成の一例であ
る。FIG. 3 is an example of a film structure of a magneto-optical recording medium of the present invention.
1 ハードコート 2 基板 3 誘電体層 4a 光磁気記録層第1層 4b 光磁気記録層第2層 4c 光磁気記録層第3層 5 誘電体層 6 反射層 7 保護コート 1 Hard coat 2 Substrate 3 Dielectric layer 4a Magneto-optical recording layer 1st layer 4b Magneto-optical recording layer 2nd layer 4c Magneto-optical recording layer 3rd layer 5 Dielectric layer 6 Reflective layer 7 Protective coat
【図4】本発明の光磁気記録層を2層化した光磁気記録
媒体の書き込み磁界とC/N値との関係を示す図表であ
る。FIG. 4 is a chart showing the relationship between the write magnetic field and the C / N value of a magneto-optical recording medium having a magneto-optical recording layer of two layers according to the present invention.
(実線) 記録層のスパッタガス圧が3.0mTorr
と1.5mTorrの組み合わせの場合 (破線) 記録層のスパッタガス圧が3.0mTorr
と1.0mTorrの組み合わせの場合 (一点鎖線) 記録層のスパッタガス圧が1.0mTo
rrと3.0mTorrの組み合わせの場合 (二点鎖線) 記録層のスパッタガス圧が1.5mTo
rrと3.0mTorrの組み合わせの場合(Solid line) Sputtering gas pressure of the recording layer is 3.0 mTorr
And 1.5 mTorr (broken line) Sputtering gas pressure of the recording layer is 3.0 mTorr
And 1.0 mTorr (dashed line) The sputtering gas pressure of the recording layer is 1.0 mTorr.
In the case of a combination of rr and 3.0 mTorr (two-dot chain line), the sputtering gas pressure of the recording layer is 1.5 mTo
In case of combination of rr and 3.0 mTorr
【図5】本発明の光磁気記録層を多層化した光磁気記録
媒体の書き込み磁界とC/Nの関係を示す図表である。 (実線) 記録層のスパッタガス圧が1.0mTorr
(層厚比50%)と3.0mTorr(層厚比50%)
の組み合わせの場合 (破線) 記録層のスパッタガス圧が1.0mTorr
(層厚比33%)と1.5mTorr(層厚比33%)
と3.0mTorr(層厚比33%)の組み合わせの場
合FIG. 5 is a chart showing the relationship between the write magnetic field and C / N of a magneto-optical recording medium having a multi-layered magneto-optical recording layer according to the present invention. (Solid line) Sputtering gas pressure of the recording layer is 1.0 mTorr
(Layer thickness ratio 50%) and 3.0 mTorr (Layer thickness ratio 50%)
(Dashed line) Sputtering gas pressure of the recording layer is 1.0 mTorr
(Layer thickness ratio 33%) and 1.5 mTorr (Layer thickness ratio 33%)
And 3.0 mTorr (layer thickness ratio 33%) combination
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大和 正幸 東京都千代田区丸の内一丁目1番2号 日 本鋼管株式会社内 (72)発明者 鳫林 秀樹 千葉県佐倉市六崎24−1−A−210 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Masayuki Yamato Inventor Masayuki Yamato 1-2-1, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Nihon Kokan Co., Ltd. (72) Hideki Obayashi 24-1-1 Rokuzaki, Sakura City, Chiba Prefecture 210
Claims (2)
録媒体において、光磁気記録層が、多層構造を有し、か
つ多層構造の各層が同一ターゲットを用い、スパッタガ
ス圧を低圧から高圧に段階的に変化させながら蒸着成膜
されたものであることを特徴とする光磁気記録媒体。1. A magneto-optical recording medium having a magneto-optical recording layer on a substrate, wherein the magneto-optical recording layer has a multilayer structure, and each layer of the multilayer structure uses the same target, and the sputtering gas pressure is from low pressure to high pressure. A magneto-optical recording medium, characterized in that the magneto-optical recording medium is formed by vapor deposition while being changed stepwise.
形成する光磁気記録媒体の製造方法において、光磁気記
録層を形成する際に、同一ターゲットを用い、かつ、ス
パッタガスを低圧から高圧に段階的に変化させながら蒸
着成膜することを特徴とする多層構造を有する光磁気記
録層を有する光磁気記録媒体の製造方法。2. A method of manufacturing a magneto-optical recording medium in which a magneto-optical recording layer is formed on a substrate by a vapor deposition method, the same target is used when forming the magneto-optical recording layer, and the sputtering gas is supplied from a low pressure to a high pressure. A method for manufacturing a magneto-optical recording medium having a magneto-optical recording layer having a multi-layer structure, characterized in that the film is formed by vapor deposition while being changed stepwise.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1997392A JPH05217232A (en) | 1992-02-05 | 1992-02-05 | Magneto-optical recording medium and its production |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP1997392A JPH05217232A (en) | 1992-02-05 | 1992-02-05 | Magneto-optical recording medium and its production |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05217232A true JPH05217232A (en) | 1993-08-27 |
Family
ID=12014140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1997392A Pending JPH05217232A (en) | 1992-02-05 | 1992-02-05 | Magneto-optical recording medium and its production |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05217232A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003077245A1 (en) * | 2002-03-14 | 2003-09-18 | Sony Corporation | Magneto-optical recording medium and manufacturing method thereof |
JP2006503181A (en) * | 2002-10-15 | 2006-01-26 | ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト | Magnetron sputtering substrate manufacturing method and apparatus thereof |
-
1992
- 1992-02-05 JP JP1997392A patent/JPH05217232A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003077245A1 (en) * | 2002-03-14 | 2003-09-18 | Sony Corporation | Magneto-optical recording medium and manufacturing method thereof |
US7517436B2 (en) | 2002-03-14 | 2009-04-14 | Sony Corporation | Magneto-optical recording medium and manufacturing method thereof |
JP2006503181A (en) * | 2002-10-15 | 2006-01-26 | ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト | Magnetron sputtering substrate manufacturing method and apparatus thereof |
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