JPH05205252A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH05205252A JPH05205252A JP3257292A JP3257292A JPH05205252A JP H05205252 A JPH05205252 A JP H05205252A JP 3257292 A JP3257292 A JP 3257292A JP 3257292 A JP3257292 A JP 3257292A JP H05205252 A JPH05205252 A JP H05205252A
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- Japan
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- magnetic
- thin film
- ester
- ferromagnetic metal
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Abstract
(57)【要約】
【構成】非磁性支持体１上に強磁性金属薄膜２が形成さ
れ、パーフルオロアルキルカルボン酸エステル及びヒ素
化合物を含有する潤滑剤層３が前記強磁性金属薄膜上に
被着されている磁気記録媒体。 【効果】如何なる使用条件下においても密着性や潤滑性
が保たれ、かつ、長期に亘り潤滑効果が持続する磁気記
録媒体を提供することができる。
れ、パーフルオロアルキルカルボン酸エステル及びヒ素
化合物を含有する潤滑剤層３が前記強磁性金属薄膜上に
被着されている磁気記録媒体。 【効果】如何なる使用条件下においても密着性や潤滑性
が保たれ、かつ、長期に亘り潤滑効果が持続する磁気記
録媒体を提供することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空蒸着やスパッタリ
ング等の真空薄膜形成技術等の手法により非磁性支持体
上に強磁性金属薄膜を磁性層として形成した、いわゆる
強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体（例えば磁気テープ、
磁気ディスク）に関するものである。
ング等の真空薄膜形成技術等の手法により非磁性支持体
上に強磁性金属薄膜を磁性層として形成した、いわゆる
強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体（例えば磁気テープ、
磁気ディスク）に関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来より磁気記録媒体としては、非磁性支
持体上にγ−Fe2O3 、Coを含有するγ−Fe2O3 、Fe
3O4 、Coを含有するFe3O4 、γ−Fe2O3 とFe3O4 とのベ
ルトライド化合物、Coを含有するベルトライド化合物、
CrO2等の酸化物強磁性粉末、あるいはFe、Co、Ni等を主
成分とする合金磁性粉末等の粉末磁性材料を塩化ビニル
−酢酸ビニル系共重合体、ポリエステル樹脂、ポリウレ
タン樹脂等の有機バインダー中に分散せしめた磁性塗料
を塗布、乾燥することにより作製される塗布型の磁気記
録媒体が広く使用されている。
持体上にγ−Fe2O3 、Coを含有するγ−Fe2O3 、Fe
3O4 、Coを含有するFe3O4 、γ−Fe2O3 とFe3O4 とのベ
ルトライド化合物、Coを含有するベルトライド化合物、
CrO2等の酸化物強磁性粉末、あるいはFe、Co、Ni等を主
成分とする合金磁性粉末等の粉末磁性材料を塩化ビニル
−酢酸ビニル系共重合体、ポリエステル樹脂、ポリウレ
タン樹脂等の有機バインダー中に分散せしめた磁性塗料
を塗布、乾燥することにより作製される塗布型の磁気記
録媒体が広く使用されている。
【０００３】これに対して、高密度磁気記録への要求の
高まりとともに、Co−Ni合金等の強磁性金属材料を、メ
ッキや真空薄膜形成技術（真空蒸着法やスパッタリング
法、イオンプレーティング法等）によってポリエステル
フィルムやポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直
接被着した、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体
が提案され、注目を集めている。
高まりとともに、Co−Ni合金等の強磁性金属材料を、メ
ッキや真空薄膜形成技術（真空蒸着法やスパッタリング
法、イオンプレーティング法等）によってポリエステル
フィルムやポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直
接被着した、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体
が提案され、注目を集めている。
【０００４】この強磁性金属薄膜型磁気記録媒体は、抗
磁力や角形比等に優れ、短波長での電磁変換特性に優れ
るばかりでなく、磁性層の厚みを極めて薄くすることが
可能であるため、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく
小さいこと、磁性層中に非磁性材である有機バインダー
を混入する必要がないため、磁性材料の充填密度を高め
ることができること等、数々の利点を有している。
磁力や角形比等に優れ、短波長での電磁変換特性に優れ
るばかりでなく、磁性層の厚みを極めて薄くすることが
可能であるため、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく
小さいこと、磁性層中に非磁性材である有機バインダー
を混入する必要がないため、磁性材料の充填密度を高め
ることができること等、数々の利点を有している。
【０００５】しかしながら、上述の強磁性金属薄膜型の
磁気記録媒体では、磁性層表面の平滑性が極めて良好で
あるために、磁気ヘッド等に対する実質的な接触面積が
大きくなり、凝着現象（いわゆるはりつき）が起こり易
くなったり、摩擦係数が大きくなる等、耐久性や走行性
等に欠点が多く、その改善が大きな課題となっている。
磁気記録媒体では、磁性層表面の平滑性が極めて良好で
あるために、磁気ヘッド等に対する実質的な接触面積が
大きくなり、凝着現象（いわゆるはりつき）が起こり易
くなったり、摩擦係数が大きくなる等、耐久性や走行性
等に欠点が多く、その改善が大きな課題となっている。
【０００６】一般に、磁気記録媒体は、磁気信号の記録
・再生の過程で磁気ヘッドとの高速相対運動のもとにお
かれ、その際、走行が円滑に、かつ安定な状態で行われ
なければならない。また、磁気ヘッドとの接触による摩
耗や損傷はなるべく少ないほうがよい。
・再生の過程で磁気ヘッドとの高速相対運動のもとにお
かれ、その際、走行が円滑に、かつ安定な状態で行われ
なければならない。また、磁気ヘッドとの接触による摩
耗や損傷はなるべく少ないほうがよい。
【０００７】そこで例えば、上記磁気記録媒体の磁性
層、すなわち強磁性金属薄膜表面に潤滑剤を塗布して保
護膜を形成することにより、上記耐久性や走行性を改善
することが試みられている。
層、すなわち強磁性金属薄膜表面に潤滑剤を塗布して保
護膜を形成することにより、上記耐久性や走行性を改善
することが試みられている。
【０００８】ところで、上述のように潤滑剤を塗布して
保護膜を形成した場合には、この保護膜が磁性層である
強磁性金属薄膜に対して良好な密着性を示し、かつ高い
潤滑効果を発揮することが要求される。また、これら密
着性や潤滑効果は、熱帯、亜熱帯地方等のように高温多
湿の条件下でも、寒冷地のように低温の条件下でも優れ
たものでなければならない。
保護膜を形成した場合には、この保護膜が磁性層である
強磁性金属薄膜に対して良好な密着性を示し、かつ高い
潤滑効果を発揮することが要求される。また、これら密
着性や潤滑効果は、熱帯、亜熱帯地方等のように高温多
湿の条件下でも、寒冷地のように低温の条件下でも優れ
たものでなければならない。
【０００９】しかしながら、従来広く用いられている潤
滑剤の使用温度範囲は限られており、特に、０〜−５℃
のような低温下では固化または凍結するものが多く、充
分にその潤滑効果を発揮させることができなかった。さ
らには、上記潤滑剤の強磁性金属薄膜に対する付着力の
不足に起因して、次第にこの潤滑剤が磁気ヘッドで削り
取られ、急激に効果が低下するという問題があった。
滑剤の使用温度範囲は限られており、特に、０〜−５℃
のような低温下では固化または凍結するものが多く、充
分にその潤滑効果を発揮させることができなかった。さ
らには、上記潤滑剤の強磁性金属薄膜に対する付着力の
不足に起因して、次第にこの潤滑剤が磁気ヘッドで削り
取られ、急激に効果が低下するという問題があった。
【００１０】
【発明の目的】そこで本発明は、如何なる使用条件下に
おいても密着性や潤滑性が保たれ、かつ、長期に亘り潤
滑効果が持続する磁気記録媒体を提供することを目的と
するものである。
おいても密着性や潤滑性が保たれ、かつ、長期に亘り潤
滑効果が持続する磁気記録媒体を提供することを目的と
するものである。
【００１１】
【発明の構成】本発明者は、上述の目的を達成するため
に鋭意研究の結果、パーフルオロアルキルカルボン酸の
エステル部に長鎖のアルキル基、あるいは二重結合を有
するアルケニル基、さらには枝分かれしたアルキル基等
の何れかを導入したパーフルオロアルキルカルボン酸エ
ステルと、ヒ素化合物とを組み合わせることにより、単
独で用いる場合と比較して優れた潤滑作用が発揮され、
同時に使用温度帯域の拡大や持続性の向上を図ることが
可能であることを見出し、本発明を完成するに至ったも
のである。
に鋭意研究の結果、パーフルオロアルキルカルボン酸の
エステル部に長鎖のアルキル基、あるいは二重結合を有
するアルケニル基、さらには枝分かれしたアルキル基等
の何れかを導入したパーフルオロアルキルカルボン酸エ
ステルと、ヒ素化合物とを組み合わせることにより、単
独で用いる場合と比較して優れた潤滑作用が発揮され、
同時に使用温度帯域の拡大や持続性の向上を図ることが
可能であることを見出し、本発明を完成するに至ったも
のである。
【００１２】即ち、本発明は、非磁性支持体上に強磁性
金属薄膜が形成され、パーフルオロアルキルカルボン酸
エステル及びヒ素化合物を含有する潤滑剤層が前記強磁
性金属薄膜上に被着されている磁気記録媒体に係るもの
である。
金属薄膜が形成され、パーフルオロアルキルカルボン酸
エステル及びヒ素化合物を含有する潤滑剤層が前記強磁
性金属薄膜上に被着されている磁気記録媒体に係るもの
である。
【００１３】本発明で望ましく使用されるパーフルオロ
アルキルカルボン酸エステルは、一般式： CnF2n+1COOR （ただし、式中、ｎは６〜10の整数を表し、Ｒは炭素数
１〜25の炭化水素基を表す。）で示されるものであっ
て、パーフルオロアルキルカルボン酸と相当するアルコ
ールとを反応させることによって容易に合成することが
できる。
アルキルカルボン酸エステルは、一般式： CnF2n+1COOR （ただし、式中、ｎは６〜10の整数を表し、Ｒは炭素数
１〜25の炭化水素基を表す。）で示されるものであっ
て、パーフルオロアルキルカルボン酸と相当するアルコ
ールとを反応させることによって容易に合成することが
できる。
【００１４】上記パーフルオロアルキルカルボン酸エス
テルにおいて、パーフルオロアルキルカルボン酸部の炭
素数ｎは、６〜10の範囲であることが好ましい。この炭
素数ｎが６未満であると、潤滑効果が不足し易く、逆に
炭素数が10を越えると、低温域で凝固するようになり、
したがって低温条件下での潤滑効果が低下し易い。
テルにおいて、パーフルオロアルキルカルボン酸部の炭
素数ｎは、６〜10の範囲であることが好ましい。この炭
素数ｎが６未満であると、潤滑効果が不足し易く、逆に
炭素数が10を越えると、低温域で凝固するようになり、
したがって低温条件下での潤滑効果が低下し易い。
【００１５】また、エステル部の炭化水素基の炭素数に
おいても同様で、先の一般式中、炭化水素基Ｒの炭素数
１〜25であることが好ましく、炭素数が９〜25であるこ
とがより好ましい。炭化水素基Ｒの炭素数がこの範囲で
少ないと（特に９未満であると）、潤滑効果が不足する
傾向があり、また25を越えると、低温での潤滑効果が少
なくなる。なお、この炭化水素基Ｒは、長鎖のアルキル
基であってもよいし、枝分かれしたアルキル基や二重結
合を有するアルキル基（アルケニル基）であってもよ
い。
おいても同様で、先の一般式中、炭化水素基Ｒの炭素数
１〜25であることが好ましく、炭素数が９〜25であるこ
とがより好ましい。炭化水素基Ｒの炭素数がこの範囲で
少ないと（特に９未満であると）、潤滑効果が不足する
傾向があり、また25を越えると、低温での潤滑効果が少
なくなる。なお、この炭化水素基Ｒは、長鎖のアルキル
基であってもよいし、枝分かれしたアルキル基や二重結
合を有するアルキル基（アルケニル基）であってもよ
い。
【００１６】本発明において使用されるヒ素化合物は、
特に極圧添加剤として、境界潤滑領域において部分的に
金属との接触を生じたとき、これに伴う摩擦熱によって
金属面と反応し、反応生成物被膜を形成することによ
り、摩擦・摩耗防止作用を得ることができる。
特に極圧添加剤として、境界潤滑領域において部分的に
金属との接触を生じたとき、これに伴う摩擦熱によって
金属面と反応し、反応生成物被膜を形成することによ
り、摩擦・摩耗防止作用を得ることができる。
【００１７】本発明に用いられるヒ素化合物としては、
トリブチルアルセナイト、トリオクチルアルセナイト、
トリ−２−エチルヘキシルアルセナイト、トリラウリル
アルセナイト、トリオレイルアルセナイト、ジブチルア
ルセナイト、ジオクチルアルセナイト、ジ−２−エチル
ヘキシルアルセナイト、ジラウリルアルセナイト、ジオ
レイルアルセナイト等が挙げられる。
トリブチルアルセナイト、トリオクチルアルセナイト、
トリ−２−エチルヘキシルアルセナイト、トリラウリル
アルセナイト、トリオレイルアルセナイト、ジブチルア
ルセナイト、ジオクチルアルセナイト、ジ−２−エチル
ヘキシルアルセナイト、ジラウリルアルセナイト、ジオ
レイルアルセナイト等が挙げられる。
【００１８】上述したパーフルオロアルキルカルボン酸
エステルとヒ素化合物との混合比は、重量比で30：70〜
70：30であるのが好ましく、40：60〜60：40が更に好ま
しい。
エステルとヒ素化合物との混合比は、重量比で30：70〜
70：30であるのが好ましく、40：60〜60：40が更に好ま
しい。
【００１９】なお、上述のパーフルオロアルキルカルボ
ン酸エステル及びヒ素化合物の他、従来周知の潤滑剤を
併用してもよい。
ン酸エステル及びヒ素化合物の他、従来周知の潤滑剤を
併用してもよい。
【００２０】これらパーフルオロアルキルカルボン酸エ
ステル及びヒ素化合物を含有する潤滑剤層を強磁性金属
薄膜に付着させる方法としては、上記潤滑剤を溶媒に溶
解して得られた溶液を強磁性金属薄膜の表面に塗布もし
くは噴霧するか、あるいは逆にこの溶液中に強磁性金属
薄膜を浸漬し、乾燥すればよい。
ステル及びヒ素化合物を含有する潤滑剤層を強磁性金属
薄膜に付着させる方法としては、上記潤滑剤を溶媒に溶
解して得られた溶液を強磁性金属薄膜の表面に塗布もし
くは噴霧するか、あるいは逆にこの溶液中に強磁性金属
薄膜を浸漬し、乾燥すればよい。
【００２１】ここで、その塗布量は、0.5mg/m2〜100mg/
m2であるのが好ましく、１mg/m2 〜20mg/m2 であるのが
より好ましい。この塗布量があまり少なすぎると、摩擦
係数の低下、耐摩耗性・耐久性の向上という効果が現れ
ず、一方、あまり多すぎると、摺動部材と強磁性金属薄
膜との間ではりつき現象が起こり、却って走行性が悪く
なる。
m2であるのが好ましく、１mg/m2 〜20mg/m2 であるのが
より好ましい。この塗布量があまり少なすぎると、摩擦
係数の低下、耐摩耗性・耐久性の向上という効果が現れ
ず、一方、あまり多すぎると、摺動部材と強磁性金属薄
膜との間ではりつき現象が起こり、却って走行性が悪く
なる。
【００２２】本発明が適用される磁気記録媒体は、非磁
性支持体上に磁性層として強磁性金属薄膜を設けたもの
であるが、ここで非磁性支持体の素材としては、ポリエ
チレンテレフタレート等のポリエステル類、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セルロース
トリアセテート、セルロースダイアセテート、セルロー
スアセテートブチレート等のセルロース誘導体、ポリ塩
化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリ
カーボネート、ポリイミド、ポリアミドイミド等のプラ
スチック、アルミニウム合金、チタン合金等の軽金属、
アルミナガラス等のセラミックス等が挙げられる。この
非磁性支持体の形態としては、フィルム、シート、ディ
スク、カード、ドラム等のいずれでもよい。
性支持体上に磁性層として強磁性金属薄膜を設けたもの
であるが、ここで非磁性支持体の素材としては、ポリエ
チレンテレフタレート等のポリエステル類、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セルロース
トリアセテート、セルロースダイアセテート、セルロー
スアセテートブチレート等のセルロース誘導体、ポリ塩
化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリ
カーボネート、ポリイミド、ポリアミドイミド等のプラ
スチック、アルミニウム合金、チタン合金等の軽金属、
アルミナガラス等のセラミックス等が挙げられる。この
非磁性支持体の形態としては、フィルム、シート、ディ
スク、カード、ドラム等のいずれでもよい。
【００２３】また、上記磁性層である強磁性金属薄膜
は、真空蒸着法やイオンプレーティング法、スパッタリ
ング法等の真空薄膜形成技術により連続膜として形成可
能である。
は、真空蒸着法やイオンプレーティング法、スパッタリ
ング法等の真空薄膜形成技術により連続膜として形成可
能である。
【００２４】上記真空蒸着法は、10-4〜10-1Torrの真空
下で強磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビー
ム加熱等により蒸発させ、ディスク基板上に蒸発金属
（強磁性金属材料）を被着するというものであり、一般
に、高い抗磁力を得るため、基板に対して上記強磁性金
属材料を斜めに蒸着する斜方蒸着法が採用される。ある
いは、より高い抗磁力を得るために、酸素雰囲気中で上
記蒸着を行うものも含まれる。
下で強磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビー
ム加熱等により蒸発させ、ディスク基板上に蒸発金属
（強磁性金属材料）を被着するというものであり、一般
に、高い抗磁力を得るため、基板に対して上記強磁性金
属材料を斜めに蒸着する斜方蒸着法が採用される。ある
いは、より高い抗磁力を得るために、酸素雰囲気中で上
記蒸着を行うものも含まれる。
【００２５】上記イオンプレーティング法も真空蒸着法
の一種であり、10-4〜10-2Torrの不活性ガス雰囲気中で
DCグロー放電、RFグロー放電を起こして、放電中で上記
強磁性金属材料を蒸発させるというものである。
の一種であり、10-4〜10-2Torrの不活性ガス雰囲気中で
DCグロー放電、RFグロー放電を起こして、放電中で上記
強磁性金属材料を蒸発させるというものである。
【００２６】上記スパッタリング法は、10-3〜10-1Torr
のアルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放電を
起こし、生じたアルゴンガスイオンでターゲット表面の
原子をたたき出すというものであり、グロー放電の方法
により直流２極、３極スパッタ法や、高周波スパッタ
法、またはマグネトロン放電を利用したマグネトロンス
パッタ法等がある。このスパッタリング法による場合に
は、CrやＷ、Ｖ等の下地膜を形成しておいてもよい。
のアルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放電を
起こし、生じたアルゴンガスイオンでターゲット表面の
原子をたたき出すというものであり、グロー放電の方法
により直流２極、３極スパッタ法や、高周波スパッタ
法、またはマグネトロン放電を利用したマグネトロンス
パッタ法等がある。このスパッタリング法による場合に
は、CrやＷ、Ｖ等の下地膜を形成しておいてもよい。
【００２７】なお、上記いずれの方法においても、基板
上にあらかじめBi、Sb、Pb、Sn、Ga、In、Cd、Ca、Si、
Tl等の下地金属層を被着形成しておき、基板面に対して
垂直方向から成膜することにより、磁気異方性の配向が
なく、面内等方性に優れた磁性層を形成することがで
き、例えば磁気ディスクとする場合には好適である。
上にあらかじめBi、Sb、Pb、Sn、Ga、In、Cd、Ca、Si、
Tl等の下地金属層を被着形成しておき、基板面に対して
垂直方向から成膜することにより、磁気異方性の配向が
なく、面内等方性に優れた磁性層を形成することがで
き、例えば磁気ディスクとする場合には好適である。
【００２８】このような真空薄膜形成技術により金属磁
性薄膜を形成する際に、使用される強磁性金属材料とし
ては、Fe、Co、Ni等の金属の他に、Co−Ni合金、Co−Pt
合金、Co−Ni−Pt合金、Fe−Co合金、Fe−Ni合金、Fe−
Co−Ni合金、Fe−Co−Ｂ合金、Co−Ni−Fe−Ｂ合金、Co
−Cr合金あるいはこれらにCr、Al等の金属が含有された
もの等が挙げられる。特に、Co−Cr合金を使用した場合
には、垂直磁化膜が形成される。このような手法により
形成される磁性層の膜厚は、0.04〜１μｍ程度であって
よい。
性薄膜を形成する際に、使用される強磁性金属材料とし
ては、Fe、Co、Ni等の金属の他に、Co−Ni合金、Co−Pt
合金、Co−Ni−Pt合金、Fe−Co合金、Fe−Ni合金、Fe−
Co−Ni合金、Fe−Co−Ｂ合金、Co−Ni−Fe−Ｂ合金、Co
−Cr合金あるいはこれらにCr、Al等の金属が含有された
もの等が挙げられる。特に、Co−Cr合金を使用した場合
には、垂直磁化膜が形成される。このような手法により
形成される磁性層の膜厚は、0.04〜１μｍ程度であって
よい。
【００２９】図１は、本発明の磁気記録媒体の一例（Ｖ
ＴＲ用の磁気テープ）を示すものである。即ち、非磁性
支持体１上に、必要とあれば下地層を介して金属磁性薄
膜２を形成し、更にこの上に潤滑剤層３を被着してい
る。
ＴＲ用の磁気テープ）を示すものである。即ち、非磁性
支持体１上に、必要とあれば下地層を介して金属磁性薄
膜２を形成し、更にこの上に潤滑剤層３を被着してい
る。
【００３０】
【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。
するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではな
い。
【００３１】（合成例１）ノナデカフルオロデカン酸イ
ソステアリルエステル
ソステアリルエステル
【００３２】イソステアリルアルコールとノナデカフル
オロデカン酸をトルエン中、ｐ−トルエンスルホン酸を
触媒としてエステル反応を行った。すなわち、１時間加
熱還流後、３時間かけて溶媒中の水分を除去し、さらに
トルエンを減圧下、エバポレータを用いて除き、真空蒸
留して精製した（なお、イソステアリルアルコールは、
市販のイソステアリン酸をｎ−ブチルエステル化後、水
素化リチウムアルミニウムで還元して合成した。）。
オロデカン酸をトルエン中、ｐ−トルエンスルホン酸を
触媒としてエステル反応を行った。すなわち、１時間加
熱還流後、３時間かけて溶媒中の水分を除去し、さらに
トルエンを減圧下、エバポレータを用いて除き、真空蒸
留して精製した（なお、イソステアリルアルコールは、
市販のイソステアリン酸をｎ−ブチルエステル化後、水
素化リチウムアルミニウムで還元して合成した。）。
【００３３】得られた留分の沸点bpは 140〜145 ℃／0.
2 mmHgであった。
2 mmHgであった。
【００３４】また、生成物の確認は、赤外分光分析（Ｉ
Ｒ）、核磁気共鳴分析（ＮＭＲ）、質量分析（ＭＡＳ
Ｓ）によって行った。その結果、1210〜1380cm-1にかけ
てCF結合特有の吸収、1780cm-1にエステルの吸収、2910
cm-1にCHの伸縮振動による吸収が見られ、また化学イオ
ン法によるマススペクトルでは、分子イオンピークＭ+
が 765に見られることから、この構造を決定した。
Ｒ）、核磁気共鳴分析（ＮＭＲ）、質量分析（ＭＡＳ
Ｓ）によって行った。その結果、1210〜1380cm-1にかけ
てCF結合特有の吸収、1780cm-1にエステルの吸収、2910
cm-1にCHの伸縮振動による吸収が見られ、また化学イオ
ン法によるマススペクトルでは、分子イオンピークＭ+
が 765に見られることから、この構造を決定した。
【００３５】（合成例２）ペンタデカフルオロオクタン
酸イソステアリルエステル
酸イソステアリルエステル
【００３６】先の合成例１と同様の方法により、イソス
テアリルアルコールとペンタデカフルオロオクタン酸を
トルエン中、ｐ−トルエンスルホン酸を触媒として反応
させた。生成物の分析データは次の通りであった。
テアリルアルコールとペンタデカフルオロオクタン酸を
トルエン中、ｐ−トルエンスルホン酸を触媒として反応
させた。生成物の分析データは次の通りであった。
【００３７】bp： 120〜134 ℃(0.2mmHg) IR：1200〜1400cm-1 1780cm-1 2920cm-1 Ｍ+ : 665
【００３８】（合成例３）ペンタデカフルオロオクタン
酸イソノニルエステル (CH3)3C(CH2)CH(CH3)CH2CH2OCO(CF2)6CF3
酸イソノニルエステル (CH3)3C(CH2)CH(CH3)CH2CH2OCO(CF2)6CF3
【００３９】先の合成例１と同様の方法により、イソノ
ニルアルコールとペンタデカフルオロオクタン酸をトル
エン中、ｐ−トルエンスルホン酸を触媒として反応させ
た。生成物の分析データは次の通りであった。
ニルアルコールとペンタデカフルオロオクタン酸をトル
エン中、ｐ−トルエンスルホン酸を触媒として反応させ
た。生成物の分析データは次の通りであった。
【００４０】bp：94℃(0.2mmHg) IR：1210〜1390cm-1 1785cm-1 2850〜2960cm-1 Ｍ+ : 539
【００４１】（合成例４）ペンタデカフルオロオクタン
酸リノレイルエステル CH3(CH2)3(CH2CH=CH)2(CH2)8OCO(CF2)6CF3
酸リノレイルエステル CH3(CH2)3(CH2CH=CH)2(CH2)8OCO(CF2)6CF3
【００４２】先の合成例１と同様の方法により、リノレ
イルアルコールとペンタデカフルオロオクタン酸をトル
エン中、ｐ−トルエンスルホン酸を触媒として反応させ
た。生成物の分析データは次の通りであった。
イルアルコールとペンタデカフルオロオクタン酸をトル
エン中、ｐ−トルエンスルホン酸を触媒として反応させ
た。生成物の分析データは次の通りであった。
【００４３】bp：135 〜139 ℃(0.2mmHg) IR：1210〜1380cm-1 1780cm-1 2850〜3020cm-1 Ｍ+ : 663
【００４４】次に、14μｍ厚のポリエチレンテレフタレ
ートフィルムに斜め蒸着法によりCoを被着させ、膜厚10
00Åの強磁性金属薄膜を形成した。
ートフィルムに斜め蒸着法によりCoを被着させ、膜厚10
00Åの強磁性金属薄膜を形成した。
【００４５】実施例１〜９及び比較例１〜２ そして、この強磁性金属薄膜の表面に下記第１表に示す
パーフルオロアルキルカルボン酸エステル（先の合成例
で合成したもの）とヒ素化合物（重量比１：１）を溶媒
（アセトン：エチルエーテル＝１：１）で希釈した溶液
を塗布量が10mg／m2となるように塗布し、１／２インチ
幅に裁断してサンプルテープを作製した。
パーフルオロアルキルカルボン酸エステル（先の合成例
で合成したもの）とヒ素化合物（重量比１：１）を溶媒
（アセトン：エチルエーテル＝１：１）で希釈した溶液
を塗布量が10mg／m2となるように塗布し、１／２インチ
幅に裁断してサンプルテープを作製した。
【００４６】 第１表 ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ ハ゜ーフルオロアルキルカルホ゛ン酸エステル ヒ素化合物 ──────────────────────────────────── 実施例１ ノナテ゛カフルオロテ゛カン酸イソステアリルエステル トリフ゛チルアルセナイト 実施例２ ノナテ゛カフルオロテ゛カン酸イソステアリルエステル トリオクチルアルセナイト 実施例３ ノナテ゛カフルオロテ゛カン酸イソステアリルエステル トリ-2-エチルヘキシルアルセナイト 実施例４ ヘ゜ンタテ゛カフルオロオクタン酸イソステアリルエステル トリラウリルアルセナイト 実施例５ ヘ゜ンタテ゛カフルオロオクタン酸イソステアリルエステル シ゛フ゛チルアルセナイト 実施例６ ヘ゜ンタテ゛カフルオロオクタン酸イソノニルエステル シ゛オクチルアルセナイト 実施例７ ヘ゜ンタテ゛カフルオロオクタン酸イソノニルエステル シ゛-2-エチルヘキシルアルセナイト 実施例８ ヘ゜ンタテ゛カフルオロオクタン酸リノレイルエステル シ゛ラウリルアルセナイト 実施例９ ヘ゜ンタテ゛カフルオロオクタン酸リノレイルエステル シ゛オレイルアルセナイト ────────────────────────────────────
【００４７】作製された各サンプルテープについて、温
度25℃、相対湿度（ＲＨ）60％、および−５℃の各条件
下での動摩擦係数及びシャトル耐久性、スチル耐久性を
測定した。
度25℃、相対湿度（ＲＨ）60％、および−５℃の各条件
下での動摩擦係数及びシャトル耐久性、スチル耐久性を
測定した。
【００４８】この動摩擦係数は、材質がステンレス（Ｓ
ＵＳ３０４）のガイドピンを用い、一定のテンションを
かけ、５mm/secの速度で送り、試験したものである。ま
た、シャトル耐久性は、１回につき２分間のシャトル走
行を行い、出力が−３dB低下するまでのシャトル回数で
評価した。スチル耐久性は、ポーズ状態での出力の−３
dBまでの減衰時間を評価した。
ＵＳ３０４）のガイドピンを用い、一定のテンションを
かけ、５mm/secの速度で送り、試験したものである。ま
た、シャトル耐久性は、１回につき２分間のシャトル走
行を行い、出力が−３dB低下するまでのシャトル回数で
評価した。スチル耐久性は、ポーズ状態での出力の−３
dBまでの減衰時間を評価した。
【００４９】なお、比較例として、全く潤滑剤を被着し
ないブランクテープ（比較例１）、実施例１においてヒ
素化合物を添加しない潤滑剤を被着したテープ（比較例
２）についても測定した。結果を下記第２表に示した。
ないブランクテープ（比較例１）、実施例１においてヒ
素化合物を添加しない潤滑剤を被着したテープ（比較例
２）についても測定した。結果を下記第２表に示した。
【００５０】
【００５１】この結果から、明らかなように、本発明の
各実施例は、常温、低温の各条件下で動摩擦係数が小さ
く、走行が極めて安定している。また、100 回往復走行
後もテープ表面の損傷は全く見られなかった。また、耐
久性も極めて良く、150 回シャトル走行を行っても、出
力の−３dB低下は見られなかった。これに対して、潤滑
剤層のない比較例や、潤滑剤層にヒ素化合物を添加しな
い比較例のテープでは、摩擦係数が大であり（これは往
復走行回数が多くなるにつれて一層大となり、走行も不
安定でテープの摩耗が見られ）、耐久性も悪いものであ
った。
各実施例は、常温、低温の各条件下で動摩擦係数が小さ
く、走行が極めて安定している。また、100 回往復走行
後もテープ表面の損傷は全く見られなかった。また、耐
久性も極めて良く、150 回シャトル走行を行っても、出
力の−３dB低下は見られなかった。これに対して、潤滑
剤層のない比較例や、潤滑剤層にヒ素化合物を添加しな
い比較例のテープでは、摩擦係数が大であり（これは往
復走行回数が多くなるにつれて一層大となり、走行も不
安定でテープの摩耗が見られ）、耐久性も悪いものであ
った。
【００５２】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明においては、強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体の潤滑
剤としてパーフルオロアルキルカルボン酸エステル及び
ヒ素化合物を用いているので、如何なる使用条件下にお
いても動摩擦係数を小さくすることができ、走行安定性
や体摩耗性に優れた磁気記録媒体とすることができる。
明においては、強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体の潤滑
剤としてパーフルオロアルキルカルボン酸エステル及び
ヒ素化合物を用いているので、如何なる使用条件下にお
いても動摩擦係数を小さくすることができ、走行安定性
や体摩耗性に優れた磁気記録媒体とすることができる。
【００５３】特に、パーフルオロアルキルカルボン酸エ
ステルの凝固点温度が低いことから、低温下での使用時
でも潤滑効果が良好である。さらには、ヒ素化合物の併
用によって、強磁性金属薄膜に対する付着力が増し、潤
滑効果が長期に亘って持続されるとともに、金属との接
触に伴う摩擦熱によって反応生成物被膜を形成し、過酷
な使用条件下でも充分に使用に耐えるものとなる。
ステルの凝固点温度が低いことから、低温下での使用時
でも潤滑効果が良好である。さらには、ヒ素化合物の併
用によって、強磁性金属薄膜に対する付着力が増し、潤
滑効果が長期に亘って持続されるとともに、金属との接
触に伴う摩擦熱によって反応生成物被膜を形成し、過酷
な使用条件下でも充分に使用に耐えるものとなる。
【図１】本発明の磁気記録媒体の一例を示す断面図であ
る。
る。
１・・・非磁性支持体 ２・・・金属磁性薄膜 ３・・・潤滑剤層
Claims (1)
- 【請求項１】 非磁性支持体上に強磁性金属薄膜が形成
され、パーフルオロアルキルカルボン酸エステル及びヒ
素化合物を含有する潤滑剤層が前記強磁性金属薄膜上に
被着されている磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3257292A JPH05205252A (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3257292A JPH05205252A (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05205252A true JPH05205252A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=12362615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3257292A Pending JPH05205252A (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05205252A (ja) |
-
1992
- 1992-01-23 JP JP3257292A patent/JPH05205252A/ja active Pending
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