JPH05203406A - Ｓｔｍ、ｆｉｍ及びｍｂｅ複合装置 - Google Patents
Ｓｔｍ、ｆｉｍ及びｍｂｅ複合装置Info
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- JPH05203406A JPH05203406A JP4032803A JP3280392A JPH05203406A JP H05203406 A JPH05203406 A JP H05203406A JP 4032803 A JP4032803 A JP 4032803A JP 3280392 A JP3280392 A JP 3280392A JP H05203406 A JPH05203406 A JP H05203406A
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Landscapes
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- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】垂直方向に極めて高い空間分解能を有する走査
型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）と、電界イオン顕微鏡（Ｆ
ＩＭ）と、分子線エピタキシ（ＭＢＥ）装置とを組み合
わせた複合装置を提供する。 【構成】本発明の複合装置は、防振台３０を具備し、Ｆ
ＩＭ１４が取り付けられたＳＴＭ１０及びＭＢＥ装置１
６が同一の防振台３０に載置されていることを特徴とす
る。ＳＴＭ１０内に備えられたトンネルユニット１２
は、防振台の重心Ｇを通る垂直線上に配置されているこ
とが望ましい。
型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）と、電界イオン顕微鏡（Ｆ
ＩＭ）と、分子線エピタキシ（ＭＢＥ）装置とを組み合
わせた複合装置を提供する。 【構成】本発明の複合装置は、防振台３０を具備し、Ｆ
ＩＭ１４が取り付けられたＳＴＭ１０及びＭＢＥ装置１
６が同一の防振台３０に載置されていることを特徴とす
る。ＳＴＭ１０内に備えられたトンネルユニット１２
は、防振台の重心Ｇを通る垂直線上に配置されているこ
とが望ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、走査型トンネル顕微鏡
（ＳＴＭ）、電界イオン顕微鏡（ＦＩＭ）及び分子線エ
ピタキシ（ＭＢＥ）装置から成る複合装置に関する。
（ＳＴＭ）、電界イオン顕微鏡（ＦＩＭ）及び分子線エ
ピタキシ（ＭＢＥ）装置から成る複合装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】顕微鏡としてあるいは超微細加工技術に
おいて、近年、走査型トンネル顕微鏡（以下、ＳＴＭと
略す）が注目を浴びている。ＳＴＭの原理は、先端を鋭
く尖らせた金属製の探針を観察すべき試料に約１ｎｍと
いう僅かな距離まで近づける。そして、その状態で探針
と試料の間に数Ｖ程度の電圧を印加し、流れるトンネル
電流を検出し、探針にフィードバックさせながら試料の
表面を走査する。移動する探針の動きやトンネル電流を
画像に変換すれば、試料の凹凸や電子状態を観察するこ
とができる。
おいて、近年、走査型トンネル顕微鏡（以下、ＳＴＭと
略す）が注目を浴びている。ＳＴＭの原理は、先端を鋭
く尖らせた金属製の探針を観察すべき試料に約１ｎｍと
いう僅かな距離まで近づける。そして、その状態で探針
と試料の間に数Ｖ程度の電圧を印加し、流れるトンネル
電流を検出し、探針にフィードバックさせながら試料の
表面を走査する。移動する探針の動きやトンネル電流を
画像に変換すれば、試料の凹凸や電子状態を観察するこ
とができる。
【０００３】ＳＴＭの原子レベルの分解能は主として探
針先端の曲率半径に依存する。従って、探針の評価、調
製は極めて重要な課題である。ＳＴＭ内での探針の評
価、調製のために、ＦＩＭを組み込んだ複合型のＦＩＭ
−ＳＴＭが、例えば、特開平３−１８５３０２号公報か
ら知られている。
針先端の曲率半径に依存する。従って、探針の評価、調
製は極めて重要な課題である。ＳＴＭ内での探針の評
価、調製のために、ＦＩＭを組み込んだ複合型のＦＩＭ
−ＳＴＭが、例えば、特開平３−１８５３０２号公報か
ら知られている。
【０００４】ＦＩＭの原理は、鋭く尖った針状試料に高
電界を発生させ、高電界中でのヘリウム原子のイオン化
という現象が電界強度に極めて敏感なことを利用して、
試料表面の原子スケールでの凹凸をスクリーンに拡大投
影するというものである。ＦＩＭを用いることによっ
て、探針の表面状態の原子配列を観察することができ
る。ＦＩＭとＳＴＭを組み合わせると、探針の評価を行
うことができるばかりでなく、単原子の先端を有する探
針を電界蒸発によって調製することができる。電界蒸発
とは、探針の表面の電界強度を更に増加させると、探針
を構成する原子が１つ１つ探針表面からイオン化し離脱
する現象である。このように、ＦＩＭとＳＴＭとが組み
合わされた複合装置においては、０．０１ｎｍ程度の垂
直方向の空間分解能が達成されている。
電界を発生させ、高電界中でのヘリウム原子のイオン化
という現象が電界強度に極めて敏感なことを利用して、
試料表面の原子スケールでの凹凸をスクリーンに拡大投
影するというものである。ＦＩＭを用いることによっ
て、探針の表面状態の原子配列を観察することができ
る。ＦＩＭとＳＴＭを組み合わせると、探針の評価を行
うことができるばかりでなく、単原子の先端を有する探
針を電界蒸発によって調製することができる。電界蒸発
とは、探針の表面の電界強度を更に増加させると、探針
を構成する原子が１つ１つ探針表面からイオン化し離脱
する現象である。このように、ＦＩＭとＳＴＭとが組み
合わされた複合装置においては、０．０１ｎｍ程度の垂
直方向の空間分解能が達成されている。
【０００５】化合物半導体の超格子構造等の研究のため
に、ＭＢＥ装置とＳＴＭとを組み合わせた装置が、例え
ば、文献「化合物半導体表面研究用ＵＨＶ−ＳＴＭ装置
の開発」、徳本洋志 他、電子技術総合研究所彙報第５
４巻第２号から知られている。この装置は、ＳＴＭチャ
ンバ、ＭＢＥチャンバ及びロードロックチャンバから構
成されており、ＭＢＥチャンバ内で成膜、加熱処理され
た試料を、超高真空を保ちながら、ＳＴＭチャンバに搬
送することができる。
に、ＭＢＥ装置とＳＴＭとを組み合わせた装置が、例え
ば、文献「化合物半導体表面研究用ＵＨＶ−ＳＴＭ装置
の開発」、徳本洋志 他、電子技術総合研究所彙報第５
４巻第２号から知られている。この装置は、ＳＴＭチャ
ンバ、ＭＢＥチャンバ及びロードロックチャンバから構
成されており、ＭＢＥチャンバ内で成膜、加熱処理され
た試料を、超高真空を保ちながら、ＳＴＭチャンバに搬
送することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】現在までに、ＳＴＭと
ＦＩＭとＭＢＥ装置とを組み合わせた複合装置は知られ
ていない。ＭＢＥ装置とＳＴＭとを組み合わせた装置に
おいては、ＳＴＭはＭＢＥ装置の付属品程度の装置であ
り、ＳＴＭの垂直方向の空間分解能は０．０１〜０．０
５ｎｍ程度しかなく、満足すべき値とはいえない。
ＦＩＭとＭＢＥ装置とを組み合わせた複合装置は知られ
ていない。ＭＢＥ装置とＳＴＭとを組み合わせた装置に
おいては、ＳＴＭはＭＢＥ装置の付属品程度の装置であ
り、ＳＴＭの垂直方向の空間分解能は０．０１〜０．０
５ｎｍ程度しかなく、満足すべき値とはいえない。
【０００７】ＦＩＭとＳＴＭを組み合わせた複合装置
は、前述のように極めて高い垂直方向の空間分解能を有
している。しかしながら、このような複合装置で、例え
ば超格子構造の解析を行う場合、別の場所にあるＭＢＥ
装置にて処理された試料を、可搬式の試料搬送用真空槽
を用いてＳＴＭに搬送しなければならない。それ故、作
業が煩雑になる。しかも、その場観察ではないとして
も、ＭＢＥ装置での処理直後に、超高真空を保持したま
ま汚染の無い試料を観察することができないという問題
もある。
は、前述のように極めて高い垂直方向の空間分解能を有
している。しかしながら、このような複合装置で、例え
ば超格子構造の解析を行う場合、別の場所にあるＭＢＥ
装置にて処理された試料を、可搬式の試料搬送用真空槽
を用いてＳＴＭに搬送しなければならない。それ故、作
業が煩雑になる。しかも、その場観察ではないとして
も、ＭＢＥ装置での処理直後に、超高真空を保持したま
ま汚染の無い試料を観察することができないという問題
もある。
【０００８】従って、本発明の目的は、垂直方向に極め
て高い空間分解能を有するＳＴＭと、ＦＩＭと、ＭＢＥ
装置とを組み合わせた複合装置を提供することにある。
て高い空間分解能を有するＳＴＭと、ＦＩＭと、ＭＢＥ
装置とを組み合わせた複合装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】ＳＴＭと、ＦＩＭと、Ｍ
ＢＥ装置とを単に組み合わせただけでは、外部からの振
動を防止するのに不十分である。それ故、本発明の複合
装置は、防振台を具備し、ＦＩＭが取り付けられたＳＴ
Ｍ及びＭＢＥ装置が同一の防振台に載置されていること
を特徴とする。ＳＴＭ内に備えられたトンネルユニット
は、防振台の重心を通る垂直線上に配置されていること
が望ましい。防振台は、例えば鉄板から作製することが
できる。かかる防振台は、複数の空気バネで支持されて
いる。また、トンネルユニットは、探針、探針走査機
構、試料ホルダー等から成る。
ＢＥ装置とを単に組み合わせただけでは、外部からの振
動を防止するのに不十分である。それ故、本発明の複合
装置は、防振台を具備し、ＦＩＭが取り付けられたＳＴ
Ｍ及びＭＢＥ装置が同一の防振台に載置されていること
を特徴とする。ＳＴＭ内に備えられたトンネルユニット
は、防振台の重心を通る垂直線上に配置されていること
が望ましい。防振台は、例えば鉄板から作製することが
できる。かかる防振台は、複数の空気バネで支持されて
いる。また、トンネルユニットは、探針、探針走査機
構、試料ホルダー等から成る。
【００１０】
【作用】ＳＴＭにおいて極めて高い空間分解能を保持す
るためには、ＦＩＭにて探針の評価、調製を行うことが
不可欠であり、しかも十分な防振対策を施すことが必須
である。また、超高真空状態を保持したまま、ＭＢＥ装
置にて処理された試料をＳＴＭへと汚染されることなく
搬送するためには、ＳＴＭとＭＢＥ装置を超高真空に保
持された真空トンネルで連結する必要がある。本発明に
おいては、ＦＩＭがＳＴＭに取り付けられており、探針
の評価、調製を容易に行うことができる。更に、ＳＴＭ
及びＭＢＥ装置が同一の防振台に載置されているので、
ＳＴＭとＭＢＥ装置を真空トンネルで連結することがで
き、しかも複合装置は外部からの振動を受け難い構造と
することができる。
るためには、ＦＩＭにて探針の評価、調製を行うことが
不可欠であり、しかも十分な防振対策を施すことが必須
である。また、超高真空状態を保持したまま、ＭＢＥ装
置にて処理された試料をＳＴＭへと汚染されることなく
搬送するためには、ＳＴＭとＭＢＥ装置を超高真空に保
持された真空トンネルで連結する必要がある。本発明に
おいては、ＦＩＭがＳＴＭに取り付けられており、探針
の評価、調製を容易に行うことができる。更に、ＳＴＭ
及びＭＢＥ装置が同一の防振台に載置されているので、
ＳＴＭとＭＢＥ装置を真空トンネルで連結することがで
き、しかも複合装置は外部からの振動を受け難い構造と
することができる。
【００１１】ＳＴＭ内のトンネルユニットを防振台の重
心を通る垂直線上に配置することによって、より一層防
振効果を高めることができる。
心を通る垂直線上に配置することによって、より一層防
振効果を高めることができる。
【００１２】
【実施例】図１は、本発明の複合装置におけるＳＴＭ、
ＦＩＭ及びＭＢＥ装置の配置を示す模式的な平面図であ
る。ＳＴＭ１０及びＭＢＥ装置１６は、鉄板から成る防
振台３０に載置されている。防振台３０は６つの空気バ
ネ３２で支持されている。ＳＴＭ内に配置されたトンネ
ルユニット１２は、防振台３０の重心Ｇを通る垂直線上
に配置されている。ＳＴＭ１０の側壁にＦＩＭ１４が取
り付けられている。トンネルユニット１２とＦＩＭ１４
とは概ね同一平面内に配置されている。
ＦＩＭ及びＭＢＥ装置の配置を示す模式的な平面図であ
る。ＳＴＭ１０及びＭＢＥ装置１６は、鉄板から成る防
振台３０に載置されている。防振台３０は６つの空気バ
ネ３２で支持されている。ＳＴＭ内に配置されたトンネ
ルユニット１２は、防振台３０の重心Ｇを通る垂直線上
に配置されている。ＳＴＭ１０の側壁にＦＩＭ１４が取
り付けられている。トンネルユニット１２とＦＩＭ１４
とは概ね同一平面内に配置されている。
【００１３】ＦＩＭ１４の取り付けられたＳＴＭ及びＭ
ＢＥ装置の重量が、それぞれ約５００ｋｇ、約３００ｋ
ｇであるのに対して、防振台３０は約３．５トンの重量
を有し、外部からの振動を各装置に伝え難い構造となっ
ている。
ＢＥ装置の重量が、それぞれ約５００ｋｇ、約３００ｋ
ｇであるのに対して、防振台３０は約３．５トンの重量
を有し、外部からの振動を各装置に伝え難い構造となっ
ている。
【００１４】ＳＴＭ１０とＭＢＥ装置１６は真空トンネ
ル１８で連結されている。真空トンネル１８の所定の位
置にはゲートバルブ（図示せず）が配置されている。Ｓ
ＴＭ１０とＭＢＥ装置１６との間の試料ホルダーの移動
は、直進及び回転機能を有するマグネット結合方式のフ
ィードスルー機構２０の先端に取り付けられたマニピュ
レータによって行うことができる。図１において、２２
は中間ステーションであり、ここで試料ホルダーの移動
方向を変えることができる。真空トンネル１８にはロー
ドロック室（図示せず）が取り付けられており、超高真
空を保持したまま、ＳＴＭ１０あるいはＭＢＥ装置１６
に試料を出し入れすることができる。
ル１８で連結されている。真空トンネル１８の所定の位
置にはゲートバルブ（図示せず）が配置されている。Ｓ
ＴＭ１０とＭＢＥ装置１６との間の試料ホルダーの移動
は、直進及び回転機能を有するマグネット結合方式のフ
ィードスルー機構２０の先端に取り付けられたマニピュ
レータによって行うことができる。図１において、２２
は中間ステーションであり、ここで試料ホルダーの移動
方向を変えることができる。真空トンネル１８にはロー
ドロック室（図示せず）が取り付けられており、超高真
空を保持したまま、ＳＴＭ１０あるいはＭＢＥ装置１６
に試料を出し入れすることができる。
【００１５】トンネルユニット１２はＳＴＭの鏡筒部の
頂部から長さ約１００ｃｍの吊りバネで吊り下げられて
いる。図２に、試料をＳＴＭにて観察している状態のト
ンネルユニット１２の側面図を示す。かかるトンネルユ
ニットは公知である。トンネルユニット１２は、探針４
０、ピエゾ素子を含む探針走査機構４２、試料ホルダー
保持部４４、ストッパー４６、試料ホルダー保持部移動
機構４８から成る。尚、５０は、防振のために設けられ
た、バイトンのＯリングで仕切られた金属板スタックで
ある。試料は試料ホルダー５２に取り付けられ、試料ホ
ルダー５２は更に試料ホルダー保持部４４に取り付けら
れている。
頂部から長さ約１００ｃｍの吊りバネで吊り下げられて
いる。図２に、試料をＳＴＭにて観察している状態のト
ンネルユニット１２の側面図を示す。かかるトンネルユ
ニットは公知である。トンネルユニット１２は、探針４
０、ピエゾ素子を含む探針走査機構４２、試料ホルダー
保持部４４、ストッパー４６、試料ホルダー保持部移動
機構４８から成る。尚、５０は、防振のために設けられ
た、バイトンのＯリングで仕切られた金属板スタックで
ある。試料は試料ホルダー５２に取り付けられ、試料ホ
ルダー５２は更に試料ホルダー保持部４４に取り付けら
れている。
【００１６】図３に、ＦＩＭを作動させたときのトンネ
ルユニット１２及びＦＩＭ１４の側面図を示す。かかる
ＦＩＭも周知である。ＦＩＭ１４は、直進及び回転機能
を有するマグネット結合方式のフィードスルー機構２０
Ａの先端に取り付けられている。外部からフィードスル
ー機構２０Ａを操作することによって、ＦＩＭ１４を探
針４０の上方に移動させる。探針走査機構４２にはピエ
ゾ素子が含まれているため、ＦＩＭに必要な高電圧（２
〜８ｋＶ）を探針４０に直接印加することはできない。
それ故、負電極６０がＦＩＭ１４に設けられている。Ｆ
ＩＭ１４は、シェブロン型チャンネルプレート及びスク
リーン６２から更に成る。試料ホルダー保持部４４は、
試料ホルダー保持部移動機構４８を下げることによっ
て、探針４０から遠ざけられている。負電極６０に数ｋ
Ｖの負電圧を印加することによって、電界イオン化及び
電界蒸発に必要な電界を生じさせ、ＦＩＭ１４にて探針
４０の先端を観察しながら、電界蒸発によって単原子あ
るいは数原子のクラスターから成る先端を有する探針を
調製することができる。
ルユニット１２及びＦＩＭ１４の側面図を示す。かかる
ＦＩＭも周知である。ＦＩＭ１４は、直進及び回転機能
を有するマグネット結合方式のフィードスルー機構２０
Ａの先端に取り付けられている。外部からフィードスル
ー機構２０Ａを操作することによって、ＦＩＭ１４を探
針４０の上方に移動させる。探針走査機構４２にはピエ
ゾ素子が含まれているため、ＦＩＭに必要な高電圧（２
〜８ｋＶ）を探針４０に直接印加することはできない。
それ故、負電極６０がＦＩＭ１４に設けられている。Ｆ
ＩＭ１４は、シェブロン型チャンネルプレート及びスク
リーン６２から更に成る。試料ホルダー保持部４４は、
試料ホルダー保持部移動機構４８を下げることによっ
て、探針４０から遠ざけられている。負電極６０に数ｋ
Ｖの負電圧を印加することによって、電界イオン化及び
電界蒸発に必要な電界を生じさせ、ＦＩＭ１４にて探針
４０の先端を観察しながら、電界蒸発によって単原子あ
るいは数原子のクラスターから成る先端を有する探針を
調製することができる。
【００１７】ＭＢＥ装置には、試料加熱装置、蒸発源セ
ル、シャッタ板、試料ホルダー保持部、ビームフラック
スモニタ等、各種の公知の装置が取り付けられている。
ＭＢＥ装置にはＲＨＥＥＤ装置が取り付けられている。
ル、シャッタ板、試料ホルダー保持部、ビームフラック
スモニタ等、各種の公知の装置が取り付けられている。
ＭＢＥ装置にはＲＨＥＥＤ装置が取り付けられている。
【００１８】ＳＴＭ１０に、蒸着源、各種ガス導入部を
取り付けることによって、種々の試料前処理を行うこと
ができる。ＳＴＭ１０、ＭＢＥ装置１６、真空トンネル
２０は、それぞれ、適切な排気量のイオンポンプ、チタ
ン・サブリメーションポンプ、分子ターボポンプ等によ
って、５×１０@-@9Ｐａ以下、１×１０@-@8Ｐａ以下、
５×１０@-@8Ｐａ以下の超高真空に保持されることが望
ましい。
取り付けることによって、種々の試料前処理を行うこと
ができる。ＳＴＭ１０、ＭＢＥ装置１６、真空トンネル
２０は、それぞれ、適切な排気量のイオンポンプ、チタ
ン・サブリメーションポンプ、分子ターボポンプ等によ
って、５×１０@-@9Ｐａ以下、１×１０@-@8Ｐａ以下、
５×１０@-@8Ｐａ以下の超高真空に保持されることが望
ましい。
【００１９】本発明の複合装置を使用してＳｉ（１１
０）表面の観察を行った。その結果、ＳＴＭとＭＢＥ装
置を複合化してもＳＴＭの像分解能に影響がなく、ＳＴ
Ｍの水平方向及び垂直方向の分解能を極めて高い値に維
持し得ることが判明した。
０）表面の観察を行った。その結果、ＳＴＭとＭＢＥ装
置を複合化してもＳＴＭの像分解能に影響がなく、ＳＴ
Ｍの水平方向及び垂直方向の分解能を極めて高い値に維
持し得ることが判明した。
【００２０】
【発明の効果】本発明においては、ＦＩＭがＳＴＭに取
り付けられており、探針の評価、調製を容易に行うこと
ができる。更に、ＳＴＭ及びＭＢＥ装置が同一の防振台
に載置されているので、ＳＴＭとＭＢＥ装置を真空トン
ネルで連結することができ、しかも複合装置は外部から
の振動を受け難い構造とすることができる。
り付けられており、探針の評価、調製を容易に行うこと
ができる。更に、ＳＴＭ及びＭＢＥ装置が同一の防振台
に載置されているので、ＳＴＭとＭＢＥ装置を真空トン
ネルで連結することができ、しかも複合装置は外部から
の振動を受け難い構造とすることができる。
【００２１】ＳＴＭ内のトンネルユニットを防振台の重
心を通る垂直線上に配置することによって、より一層防
振効果を高めることができ、これによってＳＴＭの垂直
方向の分解能として０．００５ｎｍを得ることができ
た。ＳＴＭ内のトンネルユニットを防振台の重心を通る
垂直線上に配置しない場合には、ＳＴＭの垂直方向の分
解能は０．０５ｎｍ程度であった。
心を通る垂直線上に配置することによって、より一層防
振効果を高めることができ、これによってＳＴＭの垂直
方向の分解能として０．００５ｎｍを得ることができ
た。ＳＴＭ内のトンネルユニットを防振台の重心を通る
垂直線上に配置しない場合には、ＳＴＭの垂直方向の分
解能は０．０５ｎｍ程度であった。
【図１】本発明のＦＩＭが取り付けられたＳＴＭ及びＭ
ＢＥ装置の配置を示す模式的な平面図である。
ＢＥ装置の配置を示す模式的な平面図である。
【図２】ＳＴＭにて試料を観察している状態におけるト
ンネルユニットの側面図である。
ンネルユニットの側面図である。
【図３】ＦＩＭが作動状態にあるときのトンネルユニッ
ト及びＦＩＭの側面図である。
ト及びＦＩＭの側面図である。
１０ ＳＴＭ １２ トンネルユニット １４ ＦＩＭ １６ ＭＢＥ装置 １８ 真空トンネル ２０，２０Ａ フィードスルー機構 ３０ 防振台 ３２ 空気バネ
Claims (2)
- 【請求項１】電界イオン顕微鏡のとりつけられた走査型
トンネル顕微鏡、及び分子線エピタキシ装置から成り、
防振台を具備した複合装置であって、電界イオン顕微鏡
が取り付けられた走査型トンネル顕微鏡と分子線エピタ
キシ装置が同一の防振台に載置されていることを特徴と
する複合装置。 - 【請求項２】走査型トンネル顕微鏡にはトンネルユニッ
トが備えられ、該トンネルユニットは防振台の重心を通
る垂直線上に配置されていることを特徴とする請求項１
に記載の複合装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4032803A JPH05203406A (ja) | 1992-01-24 | 1992-01-24 | Ｓｔｍ、ｆｉｍ及びｍｂｅ複合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4032803A JPH05203406A (ja) | 1992-01-24 | 1992-01-24 | Ｓｔｍ、ｆｉｍ及びｍｂｅ複合装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05203406A true JPH05203406A (ja) | 1993-08-10 |
Family
ID=12369004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4032803A Pending JPH05203406A (ja) | 1992-01-24 | 1992-01-24 | Ｓｔｍ、ｆｉｍ及びｍｂｅ複合装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05203406A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0936291A1 (en) * | 1997-12-10 | 1999-08-18 | National Research Institute For Metals | Crystal growth observing apparatus |
| CN104749325A (zh) * | 2015-04-13 | 2015-07-01 | 清华大学 | 原位输运性质测量方法 |
-
1992
- 1992-01-24 JP JP4032803A patent/JPH05203406A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0936291A1 (en) * | 1997-12-10 | 1999-08-18 | National Research Institute For Metals | Crystal growth observing apparatus |
| CN104749325A (zh) * | 2015-04-13 | 2015-07-01 | 清华大学 | 原位输运性质测量方法 |
| CN104749325B (zh) * | 2015-04-13 | 2016-09-21 | 清华大学 | 原位输运性质测量方法 |
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