JPH05193118A - インキ膜厚及び含水率の計測方法及び装置 - Google Patents
インキ膜厚及び含水率の計測方法及び装置Info
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- JPH05193118A JPH05193118A JP4010209A JP1020992A JPH05193118A JP H05193118 A JPH05193118 A JP H05193118A JP 4010209 A JP4010209 A JP 4010209A JP 1020992 A JP1020992 A JP 1020992A JP H05193118 A JPH05193118 A JP H05193118A
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- ink
- film thickness
- water
- microstrip line
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- Inking, Control Or Cleaning Of Printing Machines (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 墨色インキの膜厚及び含水率、及び墨色イン
キ以外のインキの膜厚及び含水率を計測できる。また印
刷機の品質コントロールを墨色ユニツトを含む全ユニツ
トで行うことができる。 【構成】 金属ローラ１の上方に配設したインキ共鳴周
波数用マイクロストリップライン２ａと、水共鳴周波数
用マイクロストリップライン２ｂと、インキ及び水のど
ちらにも共鳴しない周波数で共鳴する参照用マイクロス
トリップライン２ｃとのそれぞれに共鳴周波数のマイク
ロ波励振電力を印加して、この印加したマイクロ波励振
電力の損失電力からインキ膜厚及び含水率の少なくとも
一方を演算する。
キ以外のインキの膜厚及び含水率を計測できる。また印
刷機の品質コントロールを墨色ユニツトを含む全ユニツ
トで行うことができる。 【構成】 金属ローラ１の上方に配設したインキ共鳴周
波数用マイクロストリップライン２ａと、水共鳴周波数
用マイクロストリップライン２ｂと、インキ及び水のど
ちらにも共鳴しない周波数で共鳴する参照用マイクロス
トリップライン２ｃとのそれぞれに共鳴周波数のマイク
ロ波励振電力を印加して、この印加したマイクロ波励振
電力の損失電力からインキ膜厚及び含水率の少なくとも
一方を演算する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属ローラ上のインキ
膜厚及び含水率の少なくとも一方を計測するインキ膜厚
及び含水率の計測方法及び装置に関するものである。
膜厚及び含水率の少なくとも一方を計測するインキ膜厚
及び含水率の計測方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のインキ膜厚及び含水率の計測装置
を図６〜図８により説明すると、この計測装置は、回転
中の金属ローラ上のインキ膜厚及び含水率をリアルタイ
ムで計測するものであり、１が金属ローラ、５が同金属
ローラ１上の乳化インキ、８が円盤で、同円盤８には、
インキ吸収波長フイルタ９と、水吸収フイルタ１０と、
インキ及び水に吸収されない波長（参照用波長）のフイ
ルタ１１が取付けられている。なお参照用波長を設ける
ことにより、金属ローラ１の偏心及び振動等による誤差
を防止することができる。
を図６〜図８により説明すると、この計測装置は、回転
中の金属ローラ上のインキ膜厚及び含水率をリアルタイ
ムで計測するものであり、１が金属ローラ、５が同金属
ローラ１上の乳化インキ、８が円盤で、同円盤８には、
インキ吸収波長フイルタ９と、水吸収フイルタ１０と、
インキ及び水に吸収されない波長（参照用波長）のフイ
ルタ１１が取付けられている。なお参照用波長を設ける
ことにより、金属ローラ１の偏心及び振動等による誤差
を防止することができる。
【０００３】１２が同円盤８を一定速度で回転させるモ
ータ、１３が上記各フイルタ９〜１１に投光する光源
体、１４が上記金属ローラ５からの反射光、１５が受光
素子、１６が表示装置である。 （１）上記図７及び図８に示すインキ膜厚及び含水率の
計測装置では、図９に示すインキ及び水の赤外分校吸収
特性を計測する。これにより、インキには３、４μｍ、
水には２、９６μｍに吸収波長が存在することが判る。
またインキ及び水に影響を受けない参照用波長には４、
６μｍを選択する。 （２）インキ膜厚及び含水率の計測に当たっては、モー
タ１２により円盤８を一定速度で回転させる。 （３）フイルタ９〜１１に投光する光源体１３には、イ
ンキ吸収波長、水吸収波長、及び参照用波長に対して光
量の大きいものを使用するのがよい。 （４）最初にインキ及び水が金属ローラ１に付着してい
ないときの反射光１４の光量を受光素子１５により計測
する。即ち、 （５）上記のようにモータ１２により円盤８を一定速度
で回転させる一方、光源体１３から照射した光線（赤外
線）を円盤８のインキ吸収波長フイルタ９→金属ローラ
１へ入射させて、そこから反射する反射光１４の光量を
Ｉ０、光源体１３から照射した光線を円盤８の水吸収フ
イルタ１０→金属ローラ１へ入射させて、そこから反射
する反射光１４の光量をＷ０、光源体１３から照射した
光線を円盤８のインキ及び水に吸収されない波長のフイ
ルタ１１→金属ローラ１へ入射させて、そこから反射す
る反射光１４の光量をＳ０とすると、これら反射光１４
の光量Ｉ０、Ｗ０、Ｓ０を受光素子１５により計測す
る。 （６）次いでインキ及び水が金属ローラ１に付着してい
るときの反射光１４の光量Ｉ、Ｗ、Ｓを同じ要領で、受
光素子１５により計測する。 （７）インキ膜厚と含水率とを絶対値で表示するために
は、何等からの方法で反射光１４とインキ膜厚及び水膜
厚との関係を校正しなければならない。 （８）上記（７）については、予め図１０及び図１１に
示すように反射光１４の光量の比〔（Ｉ０／Ｓ０）／
（Ｉ／Ｓ）〕〔（Ｗ０／Ｓ０）／（Ｗ／Ｓ）〕に対する
インキ膜厚及び水膜厚を校正しておく。なお上記反射光
１４の光量の比を取る理由は、金属ローラ１の偏心や振
動の影響を除去するためである。 （９）上記（８）により求めた校正カーブにより、金属
ローラ１上のインキ膜厚及び水膜厚を求める。また含水
率Ｗ＝水膜厚／（インキ膜厚＋水膜厚）により、含水率
Ｗを求め、その結果得られたインキ膜厚と含水率との絶
対値を表示装置１６に表示する。
ータ、１３が上記各フイルタ９〜１１に投光する光源
体、１４が上記金属ローラ５からの反射光、１５が受光
素子、１６が表示装置である。 （１）上記図７及び図８に示すインキ膜厚及び含水率の
計測装置では、図９に示すインキ及び水の赤外分校吸収
特性を計測する。これにより、インキには３、４μｍ、
水には２、９６μｍに吸収波長が存在することが判る。
またインキ及び水に影響を受けない参照用波長には４、
６μｍを選択する。 （２）インキ膜厚及び含水率の計測に当たっては、モー
タ１２により円盤８を一定速度で回転させる。 （３）フイルタ９〜１１に投光する光源体１３には、イ
ンキ吸収波長、水吸収波長、及び参照用波長に対して光
量の大きいものを使用するのがよい。 （４）最初にインキ及び水が金属ローラ１に付着してい
ないときの反射光１４の光量を受光素子１５により計測
する。即ち、 （５）上記のようにモータ１２により円盤８を一定速度
で回転させる一方、光源体１３から照射した光線（赤外
線）を円盤８のインキ吸収波長フイルタ９→金属ローラ
１へ入射させて、そこから反射する反射光１４の光量を
Ｉ０、光源体１３から照射した光線を円盤８の水吸収フ
イルタ１０→金属ローラ１へ入射させて、そこから反射
する反射光１４の光量をＷ０、光源体１３から照射した
光線を円盤８のインキ及び水に吸収されない波長のフイ
ルタ１１→金属ローラ１へ入射させて、そこから反射す
る反射光１４の光量をＳ０とすると、これら反射光１４
の光量Ｉ０、Ｗ０、Ｓ０を受光素子１５により計測す
る。 （６）次いでインキ及び水が金属ローラ１に付着してい
るときの反射光１４の光量Ｉ、Ｗ、Ｓを同じ要領で、受
光素子１５により計測する。 （７）インキ膜厚と含水率とを絶対値で表示するために
は、何等からの方法で反射光１４とインキ膜厚及び水膜
厚との関係を校正しなければならない。 （８）上記（７）については、予め図１０及び図１１に
示すように反射光１４の光量の比〔（Ｉ０／Ｓ０）／
（Ｉ／Ｓ）〕〔（Ｗ０／Ｓ０）／（Ｗ／Ｓ）〕に対する
インキ膜厚及び水膜厚を校正しておく。なお上記反射光
１４の光量の比を取る理由は、金属ローラ１の偏心や振
動の影響を除去するためである。 （９）上記（８）により求めた校正カーブにより、金属
ローラ１上のインキ膜厚及び水膜厚を求める。また含水
率Ｗ＝水膜厚／（インキ膜厚＋水膜厚）により、含水率
Ｗを求め、その結果得られたインキ膜厚と含水率との絶
対値を表示装置１６に表示する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記図６〜図８に示す
従来のインキ膜厚及び含水率の計測装置では、赤外線吸
収波長を利用しているため、墨色インキを計測できな
い。即ち、墨色インキ中には、カーボンが存在し、光源
体１３から照射された光線（赤外線）がカーボンに吸収
され、金属ローラ１から反射した反射光１４の光量が極
端に小さくなって、墨色インキを計測できないという問
題があった。
従来のインキ膜厚及び含水率の計測装置では、赤外線吸
収波長を利用しているため、墨色インキを計測できな
い。即ち、墨色インキ中には、カーボンが存在し、光源
体１３から照射された光線（赤外線）がカーボンに吸収
され、金属ローラ１から反射した反射光１４の光量が極
端に小さくなって、墨色インキを計測できないという問
題があった。
【０００５】本発明は前記の問題点に鑑み提案するもの
であり、その目的とする処は、墨色インキの膜厚及び含
水率、及び墨色インキ以外のインキの膜厚及び含水率を
計測できる。また印刷機の品質コントロールを墨色ユニ
ツトを含む全ユニツトで行うことができるインキ膜厚及
び含水率の計測方法及び装置を提供しようとする点にあ
る。
であり、その目的とする処は、墨色インキの膜厚及び含
水率、及び墨色インキ以外のインキの膜厚及び含水率を
計測できる。また印刷機の品質コントロールを墨色ユニ
ツトを含む全ユニツトで行うことができるインキ膜厚及
び含水率の計測方法及び装置を提供しようとする点にあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のインキ膜厚及び含水率の計測方法は、金
属ローラの上方に配設したインキ共鳴周波数用マイクロ
ストリップラインと、水共鳴周波数用マイクロストリッ
プラインと、インキ及び水のどちらにも共鳴しない周波
数で共鳴する参照用マイクロストリップラインとのそれ
ぞれに共鳴周波数のマイクロ波を印加して、この印加し
たマイクロ波の損失電力からインキ膜厚及び含水率の少
なくとも一方を演算することを特徴としている。
めに、本発明のインキ膜厚及び含水率の計測方法は、金
属ローラの上方に配設したインキ共鳴周波数用マイクロ
ストリップラインと、水共鳴周波数用マイクロストリッ
プラインと、インキ及び水のどちらにも共鳴しない周波
数で共鳴する参照用マイクロストリップラインとのそれ
ぞれに共鳴周波数のマイクロ波を印加して、この印加し
たマイクロ波の損失電力からインキ膜厚及び含水率の少
なくとも一方を演算することを特徴としている。
【０００７】また本発明のインキ膜厚及び含水率の計測
装置は、インキ共鳴周波数用マイクロストリップライン
と、水共鳴周波数用マイクロストリップラインと、イン
キ及び水のどちらにも共鳴しない周波数で共鳴する参照
用マイクロストリップラインとを、金属ローラの上方に
配設し、同各マイクロストリップラインに共鳴周波数の
マイクロ波を印加するマイクロ波発生装置と、同各マイ
クロストリップラインの損失電力を受信するマイクロ波
受信装置とを上記マイクロストリップラインに接続し、
同マイクロ波受信装置からの損失電力からインキ膜厚及
び含水率の少なくとも一方を演算する演算装置を上記マ
イクロ波受信装置に接続している。
装置は、インキ共鳴周波数用マイクロストリップライン
と、水共鳴周波数用マイクロストリップラインと、イン
キ及び水のどちらにも共鳴しない周波数で共鳴する参照
用マイクロストリップラインとを、金属ローラの上方に
配設し、同各マイクロストリップラインに共鳴周波数の
マイクロ波を印加するマイクロ波発生装置と、同各マイ
クロストリップラインの損失電力を受信するマイクロ波
受信装置とを上記マイクロストリップラインに接続し、
同マイクロ波受信装置からの損失電力からインキ膜厚及
び含水率の少なくとも一方を演算する演算装置を上記マ
イクロ波受信装置に接続している。
【０００８】
【作用】本発明は前記のように構成されており、金属ロ
ーラの上方に配設したインキ共鳴周波数用マイクロスト
リップラインと、水共鳴周波数用マイクロストリップラ
インと、インキ及び水のどちらにも共鳴しない周波数で
共鳴する参照用マイクロストリップラインとのそれぞれ
に共鳴周波数のマイクロ波励振電力を印加して、この印
加したマイクロ波励振電力の損失電力からインキ膜厚及
び含水率の少なくとも一方を演算する。
ーラの上方に配設したインキ共鳴周波数用マイクロスト
リップラインと、水共鳴周波数用マイクロストリップラ
インと、インキ及び水のどちらにも共鳴しない周波数で
共鳴する参照用マイクロストリップラインとのそれぞれ
に共鳴周波数のマイクロ波励振電力を印加して、この印
加したマイクロ波励振電力の損失電力からインキ膜厚及
び含水率の少なくとも一方を演算する。
【０００９】
【実施例】次に本発明のインキ膜厚及び含水率の計測方
法及び装置を図１〜図３に示す一実施例により説明す
る。この計測方法及び装置では、墨色インキ中のカーボ
ン・ブラツクに吸収されないような波長の大きいマイク
ロ波を利用して、インキ膜厚及び含水率の少なくとも一
方を計測する。即ち、図１の１が金属ローラ、２が同金
属ローラ１の上方に設置したマイクロストリップライ
ン、４が同マイクロストリップライン２に接続したマイ
クロ波発信装置、６が同マイクロストリップライン２に
接続したマイクロ波受信装置、７が同マイクロ波受信装
置６に接続した演算装置である。
法及び装置を図１〜図３に示す一実施例により説明す
る。この計測方法及び装置では、墨色インキ中のカーボ
ン・ブラツクに吸収されないような波長の大きいマイク
ロ波を利用して、インキ膜厚及び含水率の少なくとも一
方を計測する。即ち、図１の１が金属ローラ、２が同金
属ローラ１の上方に設置したマイクロストリップライ
ン、４が同マイクロストリップライン２に接続したマイ
クロ波発信装置、６が同マイクロストリップライン２に
接続したマイクロ波受信装置、７が同マイクロ波受信装
置６に接続した演算装置である。
【００１０】図２は、上記マイクロストリップライン２
を拡大した側面図である。同マイクロストリップライン
２は、外乱電磁波の影響を押さえるために、金属導体３
により電磁シールする。図３は、マイクロストリップラ
イン２の平面図である。同マイクロストリップライン２
は、インキ共鳴周波数（インキ吸収周波数）ｆi で共鳴
するインキ共鳴周波数用マイクロストリップライン２ａ
と、水共鳴周波数（水吸収周波数）ｆWで共鳴する水共
鳴周波数用マイクロストリップライン２ｂと、これらイ
ンキ及び水共鳴周波数のどちらにも共鳴しない参照用周
波数ｆSで共鳴する参照用マイクロストリップライン
（参照用波長のｎ／２倍に相当する長さの参照用マイク
ロストリップライン）２ｃとにより構成されている。な
お本実施例では、ｎ＝１に選んでいるが、ｎの整数倍に
するほど感度は良くなる。
を拡大した側面図である。同マイクロストリップライン
２は、外乱電磁波の影響を押さえるために、金属導体３
により電磁シールする。図３は、マイクロストリップラ
イン２の平面図である。同マイクロストリップライン２
は、インキ共鳴周波数（インキ吸収周波数）ｆi で共鳴
するインキ共鳴周波数用マイクロストリップライン２ａ
と、水共鳴周波数（水吸収周波数）ｆWで共鳴する水共
鳴周波数用マイクロストリップライン２ｂと、これらイ
ンキ及び水共鳴周波数のどちらにも共鳴しない参照用周
波数ｆSで共鳴する参照用マイクロストリップライン
（参照用波長のｎ／２倍に相当する長さの参照用マイク
ロストリップライン）２ｃとにより構成されている。な
お本実施例では、ｎ＝１に選んでいるが、ｎの整数倍に
するほど感度は良くなる。
【００１１】このマイクロストリップライン２の長さ
は、共鳴波長λ（＝ｃ〔光速、約３×１０10ｃｍ／ｓ〕
／ｆ〔共鳴周波数〕）のｎ／２倍（ｎは整数: １、２、
３・・・）とする。例えば水の共鳴周波数は、２３．４
ＧＨｚであるので、マイクロストリップライン２ｂの長
さＬは、Ｌ＝ｃ／（２３．４×１０10）×ｎ／２ｃｍに
なる。
は、共鳴波長λ（＝ｃ〔光速、約３×１０10ｃｍ／ｓ〕
／ｆ〔共鳴周波数〕）のｎ／２倍（ｎは整数: １、２、
３・・・）とする。例えば水の共鳴周波数は、２３．４
ＧＨｚであるので、マイクロストリップライン２ｂの長
さＬは、Ｌ＝ｃ／（２３．４×１０10）×ｎ／２ｃｍに
なる。
【００１２】水共鳴周波数ｆW用マイクロストリップラ
イン２ｂの長さλW／２は、ＬW＝ｃ／（２３．４×１０
3 ）×ｎ／２ｃになる。インキには、マイクロ波帯に適
当な共鳴周波数が存在しないので、或る共鳴周波数を持
つ物質（誘電体＝例えばベロブスカイト形結晶ＢａＴｉ
Ｏ3 ）をインキ中に予め混入しておく。
イン２ｂの長さλW／２は、ＬW＝ｃ／（２３．４×１０
3 ）×ｎ／２ｃになる。インキには、マイクロ波帯に適
当な共鳴周波数が存在しないので、或る共鳴周波数を持
つ物質（誘電体＝例えばベロブスカイト形結晶ＢａＴｉ
Ｏ3 ）をインキ中に予め混入しておく。
【００１３】参照用マイクロストリップライン２ｃは、
インキ及び水に感知しない周波数の長さλS／２にする
必要がある。次に前記図１〜図３に示すインキ膜厚及び
含水率の計測装置の作用を具体的に説明する。インキに
或る共鳴周波数を持つ物質（誘電体＝例えばベロブスカ
イト形結晶ＢａＴｉＯ3 ）をインキ中に予め混入してお
く。
インキ及び水に感知しない周波数の長さλS／２にする
必要がある。次に前記図１〜図３に示すインキ膜厚及び
含水率の計測装置の作用を具体的に説明する。インキに
或る共鳴周波数を持つ物質（誘電体＝例えばベロブスカ
イト形結晶ＢａＴｉＯ3 ）をインキ中に予め混入してお
く。
【００１４】乳化インキが存在しない場合のインキ共鳴
周波数（インキ吸収周波数）ｆi 、水共鳴周波数（水吸
収周波数）ｆw 、これらに共鳴しない参照用周波数ｆs
のマイクロ波受信レベルＲi ０、Ｒw ０、Ｒs ０を予め
測定しておく。マイクロ波発信装置４からインキ共鳴周
波数用マイクロストリップライン２ａへインキ共鳴周波
数マイクロ波励振電力Ｉi を印加し、マイクロ波発信装
置４から水共鳴周波数用マイクロストリップライン２ｂ
へ水共鳴周波数マイクロ波励振電力Ｉw を印加し、参照
用マイクロストリップライン２ｃへこれらの周波数に共
鳴しない参照用周波数を持つマイクロ波励振電力Ｉs を
印加して、これらのマイクロストリップライン２ａ、２
ｂ、２ｃを励振させる。
周波数（インキ吸収周波数）ｆi 、水共鳴周波数（水吸
収周波数）ｆw 、これらに共鳴しない参照用周波数ｆs
のマイクロ波受信レベルＲi ０、Ｒw ０、Ｒs ０を予め
測定しておく。マイクロ波発信装置４からインキ共鳴周
波数用マイクロストリップライン２ａへインキ共鳴周波
数マイクロ波励振電力Ｉi を印加し、マイクロ波発信装
置４から水共鳴周波数用マイクロストリップライン２ｂ
へ水共鳴周波数マイクロ波励振電力Ｉw を印加し、参照
用マイクロストリップライン２ｃへこれらの周波数に共
鳴しない参照用周波数を持つマイクロ波励振電力Ｉs を
印加して、これらのマイクロストリップライン２ａ、２
ｂ、２ｃを励振させる。
【００１５】マイクロストリップライン２ａ、２ｂ、２
ｃが励振されると、金属ローラ１が接地導体の役目を果
たし、マイクロ波がＴＥＭ波（図２のマイクロ波の進行
方向ｚに対して電界Ｅ及び磁界Ｈベクトル成分を持たな
い電磁波）になる。このＴＥＭ波は、マイクロストリッ
プラインと接地導体との間に電界Ｅx 及び紙面に対して
直交した方向の磁界Ｈｙを形成する。
ｃが励振されると、金属ローラ１が接地導体の役目を果
たし、マイクロ波がＴＥＭ波（図２のマイクロ波の進行
方向ｚに対して電界Ｅ及び磁界Ｈベクトル成分を持たな
い電磁波）になる。このＴＥＭ波は、マイクロストリッ
プラインと接地導体との間に電界Ｅx 及び紙面に対して
直交した方向の磁界Ｈｙを形成する。
【００１６】金属ローラ１上に、共鳴周波数を持たない
乳化インキが存在しないときのマイクロ波励振電力Ｉを
計測する。このときのマイクロ波励振電力Ｉは、略導体
損αＣのみに消費されて、マイクロ波受信電力ＲがＲi
０、Ｒw ０、Ｒs ０としてマイクロ波受信装置６により
計測される。なおこのようにマイクロ波受信電力Ｒ
i ０、Ｒw ０、Ｒs ０を計測しておく理由は、金属ロー
ラ１の偏心及び機械振動をキヤンセルするためである。
乳化インキが存在しないときのマイクロ波励振電力Ｉを
計測する。このときのマイクロ波励振電力Ｉは、略導体
損αＣのみに消費されて、マイクロ波受信電力ＲがＲi
０、Ｒw ０、Ｒs ０としてマイクロ波受信装置６により
計測される。なおこのようにマイクロ波受信電力Ｒ
i ０、Ｒw ０、Ｒs ０を計測しておく理由は、金属ロー
ラ１の偏心及び機械振動をキヤンセルするためである。
【００１７】次いで金属ローラ１上に、共鳴周波数を持
たない乳化インキが存在するときのマイクロ波励振電力
Ｉを計測する。このときのマイクロ波励振電力Ｉは、導
体損αＣと誘電損αＤとにより消費されて、マイクロ波
受信電力ＲがＲi 、Ｒw 、Ｒ s としてマイクロ波受信装
置６により計測される（図３参照）。但しインキに磁性
体を混入した場合、放電損αＲが存在することがある。
たない乳化インキが存在するときのマイクロ波励振電力
Ｉを計測する。このときのマイクロ波励振電力Ｉは、導
体損αＣと誘電損αＤとにより消費されて、マイクロ波
受信電力ＲがＲi 、Ｒw 、Ｒ s としてマイクロ波受信装
置６により計測される（図３参照）。但しインキに磁性
体を混入した場合、放電損αＲが存在することがある。
【００１８】上記計測結果を演算装置７へ送る。ここで
は、図４、図５に示すようにマイクロ波受信電力値をイ
ンキ膜厚値及び水膜厚値に換算するために、演算用校正
関数として、予めインキ膜厚換算関数Ｆ〔Ｒi ／Ｒs ）
／（Ｒi ０／Ｒs ０）〕、及び水膜厚換算関数Ｇ〔（Ｒ
w ／Ｒs ）／（Ｒw ０／Ｒs ０）〕を求めておく。この
演算装置７では、マイクロ波受信電力値を、前記演算用
校正関数Ｆ、Ｇにより、インキ膜厚ｔi 及び水膜厚ｔw
に換算し、これらの値により、含水率％＝水膜厚ｔw ／
（インキ膜厚ｔi ＋水膜厚ｔw ）×１００を演算する。
は、図４、図５に示すようにマイクロ波受信電力値をイ
ンキ膜厚値及び水膜厚値に換算するために、演算用校正
関数として、予めインキ膜厚換算関数Ｆ〔Ｒi ／Ｒs ）
／（Ｒi ０／Ｒs ０）〕、及び水膜厚換算関数Ｇ〔（Ｒ
w ／Ｒs ）／（Ｒw ０／Ｒs ０）〕を求めておく。この
演算装置７では、マイクロ波受信電力値を、前記演算用
校正関数Ｆ、Ｇにより、インキ膜厚ｔi 及び水膜厚ｔw
に換算し、これらの値により、含水率％＝水膜厚ｔw ／
（インキ膜厚ｔi ＋水膜厚ｔw ）×１００を演算する。
【００１９】
【発明の効果】本発明は前記のように金属ローラの上方
に配設したインキ共鳴周波数用マイクロストリップライ
ンと、水共鳴周波数用マイクロストリップラインと、イ
ンキ及び水のどちらにも共鳴しない周波数で共鳴する参
照用マイクロストリップラインとのそれぞれに共鳴周波
数のマイクロ波励振電力を印加して、この印加したマイ
クロ波励振電力の損失電力からインキ膜厚及び含水率の
少なくとも一方を演算するので、墨色インキの膜厚及び
含水率、及び墨色インキ以外のインキの膜厚及び含水率
を計測できる。
に配設したインキ共鳴周波数用マイクロストリップライ
ンと、水共鳴周波数用マイクロストリップラインと、イ
ンキ及び水のどちらにも共鳴しない周波数で共鳴する参
照用マイクロストリップラインとのそれぞれに共鳴周波
数のマイクロ波励振電力を印加して、この印加したマイ
クロ波励振電力の損失電力からインキ膜厚及び含水率の
少なくとも一方を演算するので、墨色インキの膜厚及び
含水率、及び墨色インキ以外のインキの膜厚及び含水率
を計測できる。
【００２０】また上記のように墨色インキの膜厚及び含
水率、及び墨色インキ以外のインキの膜厚及び含水率を
計測できるので、印刷機の品質コントロールを墨色ユニ
ツトを含む全ユニツトで行うことができる。
水率、及び墨色インキ以外のインキの膜厚及び含水率を
計測できるので、印刷機の品質コントロールを墨色ユニ
ツトを含む全ユニツトで行うことができる。
【図１】本発明のインキ膜厚及び含水率の計測方法及び
装置の一実施例を示す系統図である。
装置の一実施例を示す系統図である。
【図２】その側面図である。
【図３】その作用説明図である。
【図４】同インキ膜厚及び含水率の計測装置の演算装置
で使用するインキ膜厚換算関数を示す説明図である。
で使用するインキ膜厚換算関数を示す説明図である。
【図５】同インキ膜厚及び含水率の計測装置の演算装置
で使用する水膜厚換算関数を示す説明図である。
で使用する水膜厚換算関数を示す説明図である。
【図６】従来のインキ膜厚及び含水率の計測装置を示す
系統図である。
系統図である。
【図７】その作用説明図である。
【図８】同インキ膜厚及び含水率の計測装置のフイルタ
付円盤を示す正面図である。
付円盤を示す正面図である。
【図９】墨以外のインキと水との赤外分光吸収特性を示
す説明図である。
す説明図である。
【図１０】インキ膜厚と反射光量との比の校正関数を示
す説明図である。
す説明図である。
【図１１】水膜厚と反射光量との比の校正関数を示す説
明図である。
明図である。
１ 金属ローラ ２ａ インキ共鳴周波数用マイクロストリップライン ２ｂ 水共鳴周波数用マイクロストリップライン ２ｃ 参照用マイクロストリップライン ４ マイクロ波発信装置 ６ マイクロ波受信装置 ７ 演算装置
Claims (2)
- 【請求項１】 金属ローラの上方に配設したインキ共鳴
周波数用マイクロストリップラインと、水共鳴周波数用
マイクロストリップラインと、インキ及び水のどちらに
も共鳴しない周波数で共鳴する参照用マイクロストリッ
プラインとのそれぞれに共鳴周波数のマイクロ波励振電
力を印加して、この印加したマイクロ波励振電力の損失
電力からインキ膜厚及び含水率の少なくとも一方を演算
することを特徴としたインキ膜厚及び含水率の計測方
法。 - 【請求項２】 インキ共鳴周波数用マイクロストリップ
ラインと、水共鳴周波数用マイクロストリップライン
と、インキ及び水のどちらにも共鳴しない周波数で共鳴
する参照用マイクロストリップラインとを、金属ローラ
の上方に配設し、同各マイクロストリップラインに共鳴
周波数のマイクロ波を印加するマイクロ波発生装置と、
同各マイクロストリップラインの損失電力を受信するマ
イクロ波受信装置とを上記マイクロストリップラインに
接続し、同マイクロ波受信装置からの損失電力からイン
キ膜厚及び含水率の少なくとも一方を演算する演算装置
を上記マイクロ波受信装置に接続したことを特徴とする
インキ膜厚及び含水率の計測装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4010209A JPH05193118A (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | インキ膜厚及び含水率の計測方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4010209A JPH05193118A (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | インキ膜厚及び含水率の計測方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05193118A true JPH05193118A (ja) | 1993-08-03 |
Family
ID=11743887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4010209A Withdrawn JPH05193118A (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | インキ膜厚及び含水率の計測方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05193118A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013528506A (ja) * | 2010-05-28 | 2013-07-11 | 任▲徳堅▼ | 能動予見式流体薄膜智能モニタリング方法および装置 |
-
1992
- 1992-01-23 JP JP4010209A patent/JPH05193118A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013528506A (ja) * | 2010-05-28 | 2013-07-11 | 任▲徳堅▼ | 能動予見式流体薄膜智能モニタリング方法および装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |