JPH05191193A - Frequency adjusting method for ceramic filter - Google Patents
Frequency adjusting method for ceramic filterInfo
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- JPH05191193A JPH05191193A JP370392A JP370392A JPH05191193A JP H05191193 A JPH05191193 A JP H05191193A JP 370392 A JP370392 A JP 370392A JP 370392 A JP370392 A JP 370392A JP H05191193 A JPH05191193 A JP H05191193A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、セラミックフィルタ
の周波数調整方法に関するもので、特に、完成品として
のセラミックフィルタを得た後で所望の周波数特性を得
るために実施される周波数調整方法に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a frequency adjusting method for a ceramic filter, and more particularly to a frequency adjusting method for obtaining a desired frequency characteristic after obtaining a finished ceramic filter. Is.
【０００２】[0002]
【従来の技術】セラミックフィルタには種々の形式のも
のがある。そこに励起される振動モードについて言え
ば、たとえば、厚み振動を利用するもの、面振動を利用
するものなどがある。いずれにしても、このようなセラ
ミックフィルタは、圧電セラミック基板を備え、その表
面上には共振電極が形成されている。There are various types of ceramic filters. Regarding the vibration modes excited therein, there are, for example, one utilizing thickness vibration and one utilizing surface vibration. In any case, such a ceramic filter includes a piezoelectric ceramic substrate, and a resonance electrode is formed on the surface thereof.
【０００３】このようなセラミックフィルタは、これら
を製造した後、所望の周波数特性に調整するため、周波
数調整される。この周波数調整は、典型的には、共振電
極を覆うように、熱硬化性樹脂をスクリーン印刷で印刷
したり、金属を蒸着したりすることによって行なわれて
いる。After such ceramic filters are manufactured, they are frequency-adjusted in order to adjust them to desired frequency characteristics. This frequency adjustment is typically performed by printing a thermosetting resin by screen printing or depositing a metal so as to cover the resonance electrode.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上述したように、熱硬
化性樹脂を用いる場合、所望の周波数特性を得るまで、
スクリーン印刷が繰返されるが、１回のスクリーン印刷
によって得られる樹脂の厚みは、１０μｍが限界である
ため、周波数調整の精度が低いという問題がある。その
ため、次のような周波数調整が不可能な事態も生じ得
る。すなわち、樹脂のスクリーン印刷による周波数調整
の限界が±２５ｋＨｚであることがあり、この場合に
は、たとえば１０．７ＭＨｚのセラミックフィルタにお
いて±１０ｋＨｚに周波数調整することが不可能であ
る。それゆえに、セラミックフィルタの製造の歩留まり
を悪くしている。As described above, when a thermosetting resin is used, until a desired frequency characteristic is obtained,
Although screen printing is repeated, the thickness of the resin obtained by one screen printing has a limit of 10 μm, which causes a problem of low frequency adjustment accuracy. Therefore, the following frequency adjustment may not be possible. That is, the limit of frequency adjustment by screen printing of resin is ± 25 kHz, and in this case, it is impossible to adjust the frequency to ± 10 kHz in a ceramic filter of 10.7 MHz, for example. Therefore, the production yield of the ceramic filter is deteriorated.
【０００５】他方、前述したように、金属膜を蒸着によ
り形成する場合には、その膜厚をコントロールすること
により、周波数調整の精度の向上を図ることができる。
しかしながら、金属膜を形成する場合、それが導電性で
あるため、電極以外の部分に金属膜が形成されること
は、厳格に防止されなければならない。そのため、蒸着
工程において、不所望な部分に金属膜が形成されないよ
うにするため、マスクが必要である。しかしながら、こ
のようなマスクを用いても、マスクにずれが全く生じな
いようにして、電極部分のみに金属膜を形成すること
は、極めて困難である。On the other hand, as described above, when the metal film is formed by vapor deposition, the accuracy of frequency adjustment can be improved by controlling the film thickness.
However, when forming a metal film, since it is conductive, it is necessary to strictly prevent the metal film from being formed on a portion other than the electrode. Therefore, a mask is necessary in order to prevent a metal film from being formed in an undesired portion in the vapor deposition process. However, even if such a mask is used, it is extremely difficult to form the metal film only on the electrode portion while preventing the mask from being displaced.
【０００６】それゆえに、この発明の目的は、上述した
ような問題を解決し得るセラミックフィルタの周波数調
整方法を提供しようとすることである。Therefore, an object of the present invention is to provide a method of adjusting the frequency of a ceramic filter which can solve the above-mentioned problems.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】この発明は、圧電セラミ
ック基板およびその表面上に形成された共振電極を備え
るセラミックフィルタの周波数調整方法に向けられるも
のであって、上述した技術的課題を解決するため、前記
共振電極上に絶縁性物質膜を蒸着により形成する工程を
備えることを特徴としている。The present invention is directed to a method of adjusting the frequency of a ceramic filter having a piezoelectric ceramic substrate and a resonance electrode formed on the surface thereof, and solves the above-mentioned technical problems. Therefore, the method is characterized by including a step of forming an insulating material film on the resonance electrode by vapor deposition.
【０００８】[0008]
【作用】この発明によれば、共振電極上に形成される絶
縁性物質膜は、文字どおり電気絶縁性であるため、共振
電極以外の部分に形成されても、重大な問題を引き起こ
さない。また、絶縁性物質膜は、蒸着により形成される
ので、その膜厚のコントロールが容易である。According to the present invention, since the insulating material film formed on the resonance electrode is literally electrically insulating, it does not cause a serious problem even if it is formed on a portion other than the resonance electrode. Moreover, since the insulating material film is formed by vapor deposition, it is easy to control the film thickness.
【０００９】[0009]
【発明の効果】したがって、この発明によれば、共振電
極上に絶縁性物質を蒸着する場合、マスクの位置合わせ
がそれほど厳格に要求されないので、周波数調整を能率
的に行なうことができる。Therefore, according to the present invention, when the insulating material is vapor-deposited on the resonance electrode, the positioning of the mask is not required to be so strict, so that the frequency can be adjusted efficiently.
【００１０】また、絶縁性物質膜の膜厚のコントロール
が容易であるので、周波数調整の精度を高めることがで
きる。それゆえに、セラミックフィルタの生産の歩留ま
りを向上させることができる。Further, since it is easy to control the film thickness of the insulating material film, the accuracy of frequency adjustment can be improved. Therefore, the production yield of the ceramic filter can be improved.
【００１１】[0011]
【実施例】図１は、この発明の一実施例による周波数調
整方法が実施された後のセラミックフィルタ１が示され
ている。図１において、（ａ）は、セラミックフィルタ
１の表側の面を示し、（ｂ）は、裏側の面を示してい
る。1 shows a ceramic filter 1 after a frequency adjusting method according to an embodiment of the present invention has been carried out. In FIG. 1, (a) shows the front side surface of the ceramic filter 1, and (b) shows the back side surface.
【００１２】ここに示したセラミックフィルタ１は、厚
み振動を利用したエネルギ閉じ込め型のものであり、圧
電セラミック基板２を備える。圧電セラミック基板２の
表面上には、表側において、２つの共振電極３および４
が形成され、裏側において、共振電極３および４に共通
に対向する共振電極５が形成される。これら共振電極３
〜５は、それぞれ、端子電極６〜８によって引き出され
る。The ceramic filter 1 shown here is an energy trapping type that utilizes thickness vibration, and includes a piezoelectric ceramic substrate 2. On the front surface of the piezoelectric ceramic substrate 2, two resonance electrodes 3 and 4 are provided.
Is formed, and on the back side, the resonance electrode 5 that faces the resonance electrodes 3 and 4 in common is formed. These resonance electrodes 3
5 to 5 are drawn out by the terminal electrodes 6 to 8, respectively.
【００１３】共振電極３および４上には、絶縁性物質膜
９が形成され、共振電極５上には、絶縁性物質膜１０が
形成される。これら絶縁性物質膜９および１０は、それ
ぞれ、蒸着、たとえばスパッタリングにより形成され
る。An insulating material film 9 is formed on the resonance electrodes 3 and 4, and an insulating material film 10 is formed on the resonance electrode 5. These insulating material films 9 and 10 are each formed by vapor deposition, for example, sputtering.
【００１４】図１に示すように、絶縁性物質膜９および
１０のそれぞれの形成領域を規定するため、マスクが用
いられる。このマスクの形状は、絶縁性物質膜９および
１０の各々の形状から自明であるので、その図示を省略
する。絶縁性物質膜９および１０が形成される各領域
は、この実施例では、共振電極３および４ならびに共振
電極５が形成されている領域より広いため、マスクの位
置ずれに対する許容範囲を比較的大きくすることができ
る。そのため、マスクの位置ずれによる問題は生じな
い。As shown in FIG. 1, a mask is used to define the formation regions of the insulating material films 9 and 10, respectively. Since the shape of this mask is obvious from the shape of each of the insulating material films 9 and 10, its illustration is omitted. In this embodiment, the regions in which the insulating material films 9 and 10 are formed are wider than the regions in which the resonance electrodes 3 and 4 and the resonance electrode 5 are formed. can do. Therefore, the problem due to the displacement of the mask does not occur.
【００１５】図２を参照して、この実施例に基づく周波
数調整方法の一例について説明する。図２は、ある生産
ロットで得られたセラミックフィルタの周波数調整前の
周波数分布図である。図２において、「Ｇ」は、目的と
する周波数範囲を示している。An example of the frequency adjusting method based on this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a frequency distribution diagram of a ceramic filter obtained in a certain production lot before frequency adjustment. In FIG. 2, “G” indicates a target frequency range.
【００１６】図２を参照して、ある生産ロットで得られ
たセラミックフィルタの初期周波数が、「Ｆ4 」を中心
とする分布を有しているとすれば、「ΔＦ4 」の周波数
調整が必要である。同様に、初期周波数が「Ｆ6 」を中
心とする分布を有しているとすれば、「ΔＦ6 」の周波
数調整が必要である。したがって、これら必要な周波数
調整量を考慮して、絶縁性物質膜９および１０の膜厚が
決定される。たとえば、周波数調整量が「ΔＦ4 」であ
るならば、０．５μｍの膜厚を得るように、また、「Δ
Ｆ6 」であるならば、０．７μｍの膜厚を得るように、
たとえばスパッタリングにより絶縁性物質膜９および１
０が形成される。これによって、目的とする周波数
「Ｇ」の範囲に周波数調整することができる。Referring to FIG. 2, assuming that the initial frequency of the ceramic filter obtained in a certain production lot has a distribution centered on "F 4 ", the frequency adjustment of "ΔF 4 " is possible. is necessary. Similarly, if the initial frequency has a distribution centered on the "F 6", it is necessary to frequency adjustment of the "[Delta] F 6 '. Therefore, the film thicknesses of the insulating material films 9 and 10 are determined in consideration of these necessary frequency adjustment amounts. For example, if the frequency adjustment amount is “ΔF 4 ”, to obtain a film thickness of 0.5 μm,
F 6 ”, to obtain a film thickness of 0.7 μm,
For example, the insulating material films 9 and 1 are formed by sputtering.
0 is formed. As a result, the frequency can be adjusted within the target frequency “G” range.
【００１７】なお、より高精度の周波数調整を行なうた
め、「Ｇ」の範囲が縮小される場合には、図２に示した
「Ｆ1 」〜「Ｆ7 」をより細分化すればよい。[0017] Incidentally, for more accurate frequency adjustment, when the range of "G" is reduced, it is sufficient to further subdivide the "F 1" - "F 7" shown in FIG.
【００１８】この発明において周波数調整のために形成
される絶縁性物質膜としては、たとえば、酸化物または
窒化物のような無機物質が用いられることが好ましい。In the present invention, the insulating material film formed for frequency adjustment is preferably made of an inorganic material such as oxide or nitride.
【図１】この発明の一実施例による周波数調整方法が実
施された後のセラミックフィルタ１を示し、（ａ）は、
その表側の面を示し、（ｂ）は、その裏側の面を示す。FIG. 1 shows a ceramic filter 1 after a frequency adjusting method according to an embodiment of the present invention has been carried out.
The surface on the front side is shown, and (b) shows the surface on the back side.
【図２】ある生産ロットで得られたセラミックフィルタ
の周波数調整前の周波数分布図であり、この発明による
周波数調整方法の一例を説明するためのものである。FIG. 2 is a frequency distribution chart of a ceramic filter obtained in a certain production lot before frequency adjustment, and is for explaining an example of the frequency adjustment method according to the present invention.
１ セラミックフィルタ ２ 圧電セラミック基板 ３〜５ 共振電極 ９，１０ 絶縁性物質膜 1 Ceramic Filter 2 Piezoelectric Ceramic Substrate 3-5 Resonant Electrode 9,10 Insulating Material Film
Claims (1)
形成された共振電極を備えるセラミックフィルタの周波
数調整方法であって、 前記共振電極上に絶縁性物質膜を蒸着により形成する工
程を備えることを特徴とする、セラミックフィルタの周
波数調整方法。1. A method for adjusting a frequency of a ceramic filter including a piezoelectric ceramic substrate and a resonance electrode formed on the surface thereof, comprising a step of forming an insulating material film on the resonance electrode by vapor deposition. The frequency adjustment method of the ceramic filter.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP370392A JPH05191193A (en) | 1992-01-13 | 1992-01-13 | Frequency adjusting method for ceramic filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP370392A JPH05191193A (en) | 1992-01-13 | 1992-01-13 | Frequency adjusting method for ceramic filter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05191193A true JPH05191193A (en) | 1993-07-30 |
Family
ID=11564730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP370392A Withdrawn JPH05191193A (en) | 1992-01-13 | 1992-01-13 | Frequency adjusting method for ceramic filter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05191193A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005093949A1 (en) | 2004-03-29 | 2005-10-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Boundary acoustic wave device manufacturing method and boundary acoustic wave device |
-
1992
- 1992-01-13 JP JP370392A patent/JPH05191193A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005093949A1 (en) | 2004-03-29 | 2005-10-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Boundary acoustic wave device manufacturing method and boundary acoustic wave device |
| US7322093B2 (en) | 2004-03-29 | 2008-01-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for producing a boundary acoustic wave device |
| EP2383888A2 (en) | 2004-03-29 | 2011-11-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Boundary acoustic wave device manufacturing method and boundary acoustic wave device |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |