JPH05159876A - Thin-film el end-section light-emitting device in which light-emitting surface is airtight-sealed with cover of solid, refractive index of which match - Google Patents
Thin-film el end-section light-emitting device in which light-emitting surface is airtight-sealed with cover of solid, refractive index of which matchInfo
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- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は一般的に高解像度の電子
制御式光源に関し、さらに詳細には、発光面を屈折率が
マッチした固体のカバーで気密封止した薄膜ＥＬ端部発
光モジュールに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates generally to a high resolution electronically controlled light source, and more particularly to a thin film EL edge emitting module in which a light emitting surface is hermetically sealed by a solid cover having a matched refractive index. ..
【０００２】[0002]
【従来の技術】電界発光（ＥＬ）は、ある特定の物質に
電流を流すと発生する現象である。電流が発光物質中の
ドーパントを高いエネルギーレベルへ励起する。その
後、電子が放出あるいは励起エネルギーを放出して低い
エネルギーレベルへ戻るときに放射が起こる。電子はあ
る不連続なレベルのエネルギーを持つことができるに過
ぎない。従って、特定の物質により決まる特定の波長で
励起エネルギーが放出または発光放射される。2. Description of the Related Art Electroluminescence (EL) is a phenomenon that occurs when an electric current is applied to a specific substance. The current excites the dopant in the phosphor to a high energy level. Radiation then occurs when the electrons emit or emit excitation energy back to a lower energy level. An electron can only have some discontinuous level of energy. Therefore, excitation energy is emitted or emitted at a specific wavelength determined by a specific substance.
【０００３】電界発光現象を用いる薄膜ＥＬ装置が当該
技術分野において開発されている。薄膜ＥＬ装置を用い
て電子制御式の高解像度光源を構成できることがよく知
られている。薄膜ＥＬ装置を用いる１つの光源装置とし
て、米国特許第４，１１０，６６４号（発明者：Asars
et al.,)及び米国特許第４，００６，３８３号（発明
者：Luo et al.,)に開示されたようなフラットパネル型
ディスプレイ装置がある。薄膜ＥＬフラットパネル型デ
ィスプレイ装置では、光が装置の面に実質的に垂直な方
向に発生するためその装置の面が光源となる。薄膜ＥＬ
装置により光源を形成するもう１つの構成として、本出
願人へ譲渡された米国特許第４，５３５，３４１号（発
明者：Kun et al.,)に開示されたようなラインアレーま
たは端部発光装置がある。薄膜ＥＬ端部発光装置では、
発光が薄膜ＥＬ装置の端縁部にほぼ垂直に生じるため、
装置の端縁部が光源となる。薄膜ＥＬ端部発光装置から
の端縁部発光強度は、ほぼ同じ励起条件のもとで薄膜Ｅ
Ｌフラットパネルディスプレイ装置による面発光の３０
〜４０倍であるのが普通である。Thin film EL devices utilizing the electroluminescence phenomenon have been developed in the art. It is well known that electronically controlled high resolution light sources can be constructed using thin film EL devices. As one light source device using a thin film EL device, US Pat. No. 4,110,664 (inventor: Asars
et al., and U.S. Pat. No. 4,006,383 (inventor: Luo et al.,) for flat panel display devices. In a thin film EL flat panel display device, light is generated in a direction substantially perpendicular to the surface of the device, so that the surface of the device serves as a light source. Thin film EL
Another arrangement for forming a light source with a device is a line array or edge emitting as disclosed in commonly assigned US Pat. No. 4,535,341 (inventor: Kun et al.,). There is a device. In the thin film EL edge emitting device,
Since the light emission occurs almost perpendicularly to the edge of the thin film EL device,
The edge of the device serves as the light source. The edge emission intensity from the thin-film EL edge-emitting device is equivalent to that of the thin-film E under the same excitation conditions.
30 of surface emission by L flat panel display device
It is usually ~ 40 times.
【０００４】以上の説明から、Kun et al.特許の薄膜Ｅ
Ｌ端部発光装置は、薄膜ＥＬフラットパネル面発光装置
と比べて発光強度の面で格段の性能向上を約束する高解
像度光源を提供する可能性を秘めたものであることが分
かる。薄膜ＥＬ端部発光装置がその商業的なポテンシャ
ルをフルに発揮できるようにするためには、湿気や空気
中の微粒子のような潜在的に有害な汚染物質が存在する
用途に使用できることが前提である。From the above description, the thin film E of the patent of Kun et al.
It can be seen that the L-edge light emitting device has the potential to provide a high-resolution light source that promises a marked improvement in performance in terms of emission intensity as compared with a thin-film EL flat panel surface emitting device. In order for the thin film EL edge-emitting device to fully demonstrate its commercial potential, it is premised that it can be used in applications where potentially harmful contaminants such as moisture and airborne particulates are present. is there.
【０００５】かかる用途での使用を可能にするため、薄
膜ＥＬ端部発光装置に汚染物質の存在しない環境を与え
る１つの実装方式が考案されている。かかる実装方式は
本願の出願人に譲渡された米国特許第４，９５１，０６
４号（発明の名称：A Thin Film Electroluminescent E
dge Emitter Assemby and Integral Packaging）に記載
されている。実装方式は封止エンクロージャを含み、そ
の内部の封止空洞部が薄膜ＥＬ端部発光装置の発光面を
囲むとともに前部の透明なガラス窓を薄膜ＥＬ端部発光
装置からの光が通過できるようにしたものである。ま
た、この実装方式はその内部の封止空洞部に充満する油
状の液体を含む。この液体の屈折率は前部のガラス窓ま
たは薄膜ＥＬ端部発光装置のＥＬスタックのいずれかの
屈折率にマッチするものである。To enable use in such applications, one packaging scheme has been devised which provides a thin film EL edge emitting device with a contaminant-free environment. Such a mounting scheme is described in US Pat. No. 4,951,06 assigned to the assignee of the present application.
No. 4 (Title of Invention: A Thin Film Electroluminescent E
dge Emitter Assemby and Integral Packaging). The mounting method includes a sealing enclosure, and the sealing cavity inside the sealing enclosure surrounds the light emitting surface of the thin film EL end light emitting device and allows light from the thin film EL end light emitting device to pass through a transparent glass window in the front part. It is the one. This mounting method also includes an oily liquid that fills the internal sealing cavity. The refractive index of this liquid matches that of either the front glass window or the EL stack of the thin film EL edge emitting device.
【０００６】上述の構成の実装方式に付随する大きな問
題の１つは、封止エンクロージャが剛性構造を有するた
め封止空洞部内の液体がほんの２０℃程度の温度の上昇
で熱膨脹してエンクロージャを破裂させ液体の漏洩を生
ぜしめる可能性があることである。この問題を解決する
１つの提案が、本願の出願人に譲渡された米国特許第
５，０１７，８２４号（発明の名称：TFEL Edge Emitte
r Module and PackagingAssembly Employing Sealed Ca
vity Capacity Varying Mechanism）に開示されてい
る。この提案では、摺動ピストンを有する剛性的中空
管、気体を含む可撓性封止管、またはエンクロージャ空
洞部への通路に取り付けた可撓性袋状体またはダイヤフ
ラムのような容積を変化させる機構をその封止エンクロ
ージャに組み込むことである。この容積を変化させる機
構は、エンクロージャ空洞部の容積を増加させて液体の
熱膨張を吸収し、液体の体積の増加分を吸収し、封止エ
ンクロージャの破裂を防止する。この容積を変化させる
機構はまた、液体が冷えると空洞部の容積を収縮させて
空洞部の液体収容能力を液体の体積に実質的に等価な値
に維持する。One of the major problems associated with the mounting method of the above configuration is that the sealed enclosure has a rigid structure, so that the liquid in the sealed cavity thermally expands at a temperature rise of only about 20 ° C. and bursts the enclosure. This may cause liquid leakage. One proposal to solve this problem is US Pat. No. 5,017,824 (Title of Invention: TFEL Edge Emitte) assigned to the assignee of the present application.
r Module and Packaging Assembly Employing Sealed Ca
vity Capacity Varying Mechanism). In this proposal, a variable volume such as a rigid hollow tube with a sliding piston, a flexible sealed tube containing gas, or a flexible bag or diaphragm attached to the passageway to the enclosure cavity. Incorporating the mechanism into its sealed enclosure. This volume changing mechanism increases the volume of the enclosure cavity to absorb thermal expansion of the liquid, absorb the increase in volume of the liquid, and prevent rupture of the sealed enclosure. This volume changing mechanism also contracts the volume of the cavity as the liquid cools, maintaining the liquid holding capacity of the cavity at a value substantially equivalent to the volume of the liquid.
【０００７】このような容積を変化させる機構の種々の
実施例はそれぞれ機能を果たすことが判明しているが、
エンクロージャの破裂を防止し端部発光装置を汚染から
守るためのさらにコストの低い効率的な技術を開発する
必要性がある。While various embodiments of such volume changing mechanisms have been found to perform their respective functions,
There is a need to develop more cost-effective and efficient techniques for preventing enclosure rupture and protecting edge emitting devices from contamination.
【０００８】本発明は、かかる必要性を充足させるよう
設計された薄膜ＥＬ端部発光装置に関する。本発明の薄
膜ＥＬ端部発光装置は、薄膜ＥＬ端部発光モジュールの
発光面を屈折率がマッチした固体のカバーで気密封止す
るため、薄膜端部発光モジュールを汚染から守るための
油を充満させた空洞部を設ける必要がない。The present invention is directed to a thin film EL edge emitting device designed to meet this need. The thin-film EL edge-emitting device of the present invention hermetically seals the light-emitting surface of the thin-film EL edge-emitting module with a solid cover having a matching refractive index, and therefore is filled with oil for protecting the thin-film edge edge-emitting module from contamination. It is not necessary to provide the hollow portion.
【０００９】従って、本発明は、基板及びその基板上に
支持され発光面を有するＥＬスタックを含む薄膜ＥＬ端
部発光モジュールと、前記発光面を含むＥＬスタックを
実質的に覆う気密封止部を前記基板との間に形成し且つ
屈折率がＥＬスタックと空気の屈折率の間にある光学的
に透明な媒体を形成するように前記基板に固着された固
体のカバーとよりなる薄膜ＥＬ端部発光装置を提供す
る。Accordingly, the present invention provides a thin film EL edge emitting module including a substrate and an EL stack supported on the substrate and having a light emitting surface, and a hermetically sealing portion that substantially covers the EL stack including the light emitting surface. A thin film EL edge comprising a solid cover formed between the substrate and secured to the substrate to form an optically transparent medium having a refractive index between that of the EL stack and air. A light emitting device is provided.
【００１０】この固体のカバーは幾つかの実施例のうち
任意のものでよい。１つの実施例の固体カバーは、ＥＬ
スタックを気密封止するように発光面を含むＥＬスタッ
クを少なくとも一部を囲みそれを閉じ込めるエンクロー
ジャと、発光面を含むＥＬスタックの前端部を覆いそれ
に接着された固体の透明な接着剤よりなる被覆とを含
む。The solid cover may be any of several embodiments. The solid cover of one embodiment is EL
An enclosure that encloses and confines at least a portion of the EL stack including the light emitting surface so as to hermetically seal the stack, and a coating of a solid transparent adhesive adhered to and covering the front end of the EL stack including the light emitting surface. Including and
【００１１】別の実施例では、固体のカバーが、ＥＬス
タック及び基板の前端部の前方に位置する透明な前部プ
レートと、ＥＬスタックを気密封止し且つ屈折率がＥＬ
スタックの屈折率と前部プレートの屈折率の間になるよ
うに発光面を含むＥＬスタックの少なくとも一部を覆い
且つ前部プレートとＥＬスタックの前端部との間に位置
する帯状部とを含む。In another embodiment, a solid cover hermetically seals the EL stack and a transparent front plate in front of the front end of the EL stack and the substrate and has an index of refraction of EL.
A strip covering at least a portion of the EL stack including the light emitting surface such that it is between the index of refraction of the stack and the index of refraction of the front plate and located between the front plate and the front end of the EL stack. ..
【００１２】さらに別の実施例として、固体のカバーを
形成する帯状部を、ＥＬスタック及び前部プレートを気
密封止する外側層と、屈折率がＥＬスタックの屈折率と
前部プレートの屈折率の間にある内側層とにより形成で
きる。In yet another embodiment, a strip forming a solid cover, an outer layer for hermetically sealing the EL stack and the front plate, a refractive index of the EL stack and a refractive index of the front plate. And an inner layer between them.
【００１３】さらに別の実施例において、固体のカバー
は前部プレートを省略した状態で帯状部を形成する外側
層及び内側層よりなる。In yet another embodiment, the solid cover comprises an outer layer and an inner layer forming a strip with the front plate omitted.
【００１４】以下、添付図面を参照して本発明を実施例
につき詳細に説明する。The present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings.
【００１５】[0015]
【実施例】添付図面、特に図１及び図２を参照して、該
図は一括して参照番号１０を付した薄膜ＥＬ端部発光装
置を示す。薄膜ＥＬ端部発光装置１０は、本願の出願人
へ譲渡され、本明細書の一部を形成するものとして引用
する米国特許第４，９５１，０６４号（発明の名称：A
Thin Film Electroluminescent Edge Emitter Assemby
and Integral Packaging）に示した装置と同一構成であ
る。この装置１０の基本的な構成の説明は本発明の完全
な理解に必要な程度にとどめる。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT Referring to the accompanying drawings, and in particular to FIGS. 1 and 2, the figure collectively shows a thin film EL edge emitting device designated by the reference numeral 10. Thin-film EL edge-emitting device 10 is assigned to the assignee of the present application and is incorporated by reference herein in US Pat. No. 4,951,064 (Title of Invention: A
Thin Film Electroluminescent Edge Emitter Assemby
and Integral Packaging). The description of the basic construction of the device 10 is limited to the extent necessary for a complete understanding of the invention.
【００１６】薄膜ＥＬ端部発光装置１０はその基本的構
成要素として、薄膜ＥＬ端部発光モジュール１２と、液
体を含む封止エンクロージャ１４とを有する。この薄膜
ＥＬ端部発光モジュール１２はＥＬスタック１６を用い
ており、このスタックは発光前端面または発光面１８Ａ
を備えた離隔ピクセル１８よりなるラインアレーにより
構成されている。薄膜ＥＬ端部発光モジュール１２は、
高解像度のソリッドステート電子制御式光源を提供す
る。The thin film EL edge emitting device 10 has a thin film EL edge emitting module 12 and a sealed enclosure 14 containing a liquid as its basic components. This thin film EL end light emitting module 12 uses an EL stack 16, which has a light emitting front end face or a light emitting face 18A.
It is composed of a line array of isolated pixels 18 having The thin film EL edge emitting module 12 is
Provide high resolution solid state electronically controlled light source.
【００１７】薄膜ＥＬ端部発光モジュール１２は好まし
くは、ガラス材料で形成した底部基板層２０、該基板層
２０上に付着させた下部共通電極層２２、複数の上部制
御電極要素２６よりなる上部電極層２４を含み、下部共
通電極層２２と上部制御電極要素２６との中間にＥＬ光
エネルギー発生スタック１６が位置している。この中間
のＥＬスタック１６は、下部誘電層２８、上部誘電層３
０及び中間の光エネルギー発生層３２を含む。好ましく
は珪素酸化物・窒化物よりなる下部誘電層２８は、下部
共通電極層２２と底部基板層２０の上方に位置する。次
に、好ましくはマンガンをドープした硫化亜鉛のような
蛍光物質よりなる中間の光エネルギー発生層３２は下部
誘電層２８上に付着してある。次いで、下部誘電層２８
と同じ材料で形成した上部誘電層３０が中間の光エネル
ギー発生層３２上に付着してある。The thin film EL edge emitting module 12 is preferably a bottom substrate layer 20 formed of a glass material, a lower common electrode layer 22 deposited on the substrate layer 20, and an upper electrode comprising a plurality of upper control electrode elements 26. The EL light energy generating stack 16 is located between the lower common electrode layer 22 and the upper control electrode element 26, including the layer 24. This intermediate EL stack 16 includes a lower dielectric layer 28 and an upper dielectric layer 3
0 and intermediate light energy generating layers 32 are included. A lower dielectric layer 28, preferably of silicon oxide / nitride, is located above the lower common electrode layer 22 and the bottom substrate layer 20. Next, an intermediate light energy generating layer 32, preferably made of a phosphor such as manganese-doped zinc sulfide, is deposited on the lower dielectric layer 28. Then, the lower dielectric layer 28
An upper dielectric layer 30 formed of the same material as above is deposited on the intermediate light energy generating layer 32.
【００１８】ＥＬスタック１６を下部及び上部誘電層２
８，３０を含むものとして示したが、この下部誘電層２
８は所望であればＥＬスタック１６から省略してもよ
い。下部誘電層２８をＥＬスタック１６から省略する場
合、蛍光層３２が下部共通電極層２４と上部誘電層３０
との間に介在するのが明らかであろう。The EL stack 16 is connected to the lower and upper dielectric layers 2
Although shown as containing 8 and 30, this lower dielectric layer 2
8 may be omitted from EL stack 16 if desired. When the lower dielectric layer 28 is omitted from the EL stack 16, the fluorescent layer 32 includes the lower common electrode layer 24 and the upper dielectric layer 30.
It will be clear that there is an intervening
【００１９】下部共通電極層２２及び上部制御電極層２
４を含むＥＬスタック１６のピクセル１８のラインアレ
ーは、一連の縦方向チャンネル３４と、底部基板層２０
の前端部に沿って画定されＥＬスタック１６及び電極層
２２，２４の前端部に接して底部基板層２０のレベルで
チャンネル３４を連結する横方向ストリート３６とによ
り画定される。これらのチャンネル３４は、光学的クロ
ストークを回避するため隣接するピクセル１８を光学的
に隔離する働きがある。このストリート３６はピクセル
１８の発光前端部１８Ａを基板上に形成する結果として
形成される。Lower common electrode layer 22 and upper control electrode layer 2
The line array of pixels 18 of EL stack 16 including 4 includes a series of longitudinal channels 34 and a bottom substrate layer 20.
Is defined by the EL stack 16 and the lateral streets 36 connecting the channels 34 at the level of the bottom substrate layer 20 in contact with the front ends of the EL stack 16 and the electrode layers 22, 24. These channels 34 serve to optically isolate adjacent pixels 18 to avoid optical crosstalk. This street 36 is formed as a result of forming the light emitting front end 18A of the pixel 18 on the substrate.
【００２０】端部発光装置１０の液体含有封止エンクロ
ージャ１４は、前壁部３８、頂壁部４０、両方の側壁部
４２、後壁部４４、及び底壁部４５よりなる。必要条件
ではないが、すべての壁部を透明なガラスで形成するこ
とが可能である。少なくとも前壁部３８だけを透明にし
て、ピクセル１８の前端部１８Ａからの光エネルギーが
封止エンクロージャ１４を通過できる窓を設けることだ
けが必要である。底壁部４５はモジュール１２の底部基
板２０の底面に接着剤により固着されている。頂壁部４
０、両方の側壁部４２、及び後壁部４４は単一の部材か
ら形成するのが好ましい。両方の側壁部４２は底部基板
２０の側部に接着剤により固着してある。後壁部４４は
ピクセル１８の後方のモジュール１２の側部に固着して
ある。前壁部３８は頂壁部４０、両側の側壁部４２及び
底壁部４５の前面に接着剤により固着してある。エンク
ロージャ１４の前壁、頂壁、側壁、後壁及び底壁部３
８，４０，４２，４４，４５を互いに且つ薄膜ＥＬ端部
発光モジュール１２の底部及び頂部に封止すると、ピク
セル１８のラインアレー及びその前向きの発光面１８Ａ
を汚染物質が存在しない環境内に封止するようにＥＬス
タック１６の少なくとも一部を囲みそれを閉じ込める封
止空洞部４６が形成される。The liquid-containing sealed enclosure 14 of the edge light emitting device 10 comprises a front wall portion 38, a top wall portion 40, both side wall portions 42, a rear wall portion 44, and a bottom wall portion 45. Although not a requirement, all walls can be made of clear glass. It is only necessary to make at least the front wall 38 transparent and to provide a window through which light energy from the front end 18A of the pixel 18 can pass through the sealed enclosure 14. The bottom wall portion 45 is fixed to the bottom surface of the bottom substrate 20 of the module 12 with an adhesive. Top wall 4
0, both side walls 42, and rear wall 44 are preferably formed from a single piece. Both side wall portions 42 are fixed to the side portions of the bottom substrate 20 with an adhesive. The back wall 44 is fixed to the side of the module 12 behind the pixels 18. The front wall portion 38 is fixed to the front surfaces of the top wall portion 40, the side wall portions 42 on both sides, and the bottom wall portion 45 with an adhesive. Front wall, top wall, side wall, rear wall and bottom wall portion 3 of the enclosure 14.
When 8, 40, 42, 44, 45 are sealed to each other and to the bottom and top of the thin film EL edge emitting module 12, the line array of pixels 18 and its forward emitting surface 18A.
A sealed cavity 46 is formed that surrounds and confines at least a portion of the EL stack 16 so as to seal it in a contaminant-free environment.
【００２１】また、この端部発光装置１０は、封止空洞
部４６内に実質的に充満してＥＬスタック１６の各部を
囲む熱膨脹／収縮性油状液体４８を含む。この液体４８
の屈折率は、透明なエンクロージャの前壁部３８または
ＥＬスタック１６の屈折率にマッチするものである。The edge light emitting device 10 also includes a thermally expandable / contractible oily liquid 48 that substantially fills the sealed cavity 46 and surrounds each part of the EL stack 16. This liquid 48
The index of refraction of is matched to that of the front wall 38 of the transparent enclosure or EL stack 16.
【００２２】図３−７は、従来技術の薄膜ＥＬ端部発光
装置１０に使用される熱膨脹／収縮性油状液体４８に付
随する種々の問題を回避するため、それぞれの薄膜ＥＬ
端部発光装置５８，６０，６２，６４に組み込まれた屈
折率がマッチする気密封止固体カバー５０，５２，５
４，５６の幾つかの実施例を示す。薄膜ＥＬ端部発光装
置５８，６０，６２，６４の構成要素の多くは上述した
従来技術の薄膜ＥＬ端部発光装置１０の構成要素と実質
的に同じであるため、同じ参照番号を用いてこれらの薄
膜ＥＬ端部発光装置５８，６０，６２，６４の構成要素
を指示する。FIGS. 3-7 illustrate various thin film EL edge emitting devices 10 to avoid various problems associated with the thermally expandable / contractible oily liquid 48 used in the edge light emitting devices 10.
Hermetically sealed solid covers 50, 52, 5 with matching refractive index built into the edge light emitting devices 58, 60, 62, 64.
Some examples of 4,56 are shown. Many of the components of the thin film EL edge emitting device 58, 60, 62, 64 are substantially the same as the components of the prior art thin film EL edge emitting device 10 described above, and thus the same reference numerals are used to refer to them. The components of the thin film EL end light emitting device 58, 60, 62, 64 of FIG.
【００２３】したがって、図３−７から分かるように、
各装置５８，６０，６２，６４の薄膜ＥＬ端部発光モジ
ュール１２は、底部基板層２０、該底部基板層２０上に
付着させた下部共通電極層２２、複数の上部制御電極要
素２６よりなる上部電極層２２、及び下部共通電極層２
２と上部制御電極要素２６との間の中間ＥＬ光エネルギ
ー発生スタック１６を含む。この中間のＥＬスタック１
６は、下部誘電層２８、上部誘電層３０及び中間の光エ
ネルギー発生層３２を含む。下部誘電層２８は下部共通
電極層２２と底部基板層２０の上方にある。中間の光エ
ネルギー発生層３２は下部誘電層２８上に付着してあ
る。上部誘電層３０は中間の光エネルギー発生層３２上
に付着してある。ＥＬスタック１６は、前向きの発光面
１８Ａを有し縦方向チャンネル３４により画定されるピ
クセル１８のラインアレーを含む。この端部発光モジュ
ール１２はまた、底部基板層２０の前端部に沿って画定
されＥＬスタック１６及び電極層２２，２４の前端部に
接して底部基板層２０のレベルでチャンネル３４を連結
する横方向ストリート３６も有する。Therefore, as can be seen from FIGS. 3-7,
The thin film EL edge emitting module 12 of each of the devices 58, 60, 62, 64 has an upper portion composed of a bottom substrate layer 20, a lower common electrode layer 22 deposited on the bottom substrate layer 20, and a plurality of upper control electrode elements 26. Electrode layer 22 and lower common electrode layer 2
2 includes an intermediate EL light energy generating stack 16 between 2 and the upper control electrode element 26. EL stack 1 in the middle
6 includes a lower dielectric layer 28, an upper dielectric layer 30 and an intermediate light energy generating layer 32. The lower dielectric layer 28 is above the lower common electrode layer 22 and the bottom substrate layer 20. An intermediate light energy generating layer 32 is deposited on the lower dielectric layer 28. The upper dielectric layer 30 is deposited on the intermediate light energy generating layer 32. The EL stack 16 includes a line array of pixels 18 having a forward facing emission surface 18A and defined by longitudinal channels 34. The edge emitting module 12 is also defined along the front edge of the bottom substrate layer 20 and contacts the front edges of the EL stack 16 and the electrode layers 22, 24 to connect the channels 34 at the level of the bottom substrate layer 20. It also has street 36.
【００２４】図３及び４を参照して、薄膜ＥＬ端部発光
装置５８は、透明なガラスで形成した前壁部、頂壁部、
側壁部、後壁部及び底壁部３８，４０，４２，４４，４
５よりなる従来技術の封止エンクロージャ１４を含んで
いる。このエンクロージャ１４の前壁部、頂壁部、側壁
部、後壁部及び底壁部３８，４０，４２，４４，４５
は、ピクセル１８のラインアレー及びその前向きの発光
面１８Ａを汚染物質が存在しない環境内に封止するよう
にＥＬスタック１６の少なくとも一部を囲みそれを閉じ
込める気密封止空洞部４６を画定するために、互いに、
且つ薄膜ＥＬ端部発光モジュール１２の底部及び頂部を
封止してある。封止空洞部４６内には液体は含まれない
が、そのかわりに空洞部４６が乾いた窒素で清浄化され
ている。Referring to FIGS. 3 and 4, the thin film EL end light emitting device 58 includes a front wall portion, a top wall portion, and a front wall portion formed of transparent glass.
Side wall portion, rear wall portion and bottom wall portion 38, 40, 42, 44, 4
5 includes a prior art sealed enclosure 14 of five. The front wall portion, top wall portion, side wall portion, rear wall portion and bottom wall portion 38, 40, 42, 44, 45 of this enclosure 14
To define a hermetically sealed cavity 46 that surrounds and confines at least a portion of the EL stack 16 to seal the line array of pixels 18 and its forward emitting surface 18A in a contaminant-free environment. To each other,
In addition, the bottom and top of the thin film EL edge emitting module 12 are sealed. No liquid is contained in the sealed cavity 46, but instead the cavity 46 is cleaned with dry nitrogen.
【００２５】固体のカバー５０は、気密封止エンクロー
ジャ１４と、ＥＬスタック１６の前向き発光面１８Ａ上
に付着させた透明なエポキシ被覆６６とよりなる。この
固体の透明なエポキシ被覆６６は、発光面１８Ａと封止
エンクロージャ１４の前壁部３８との間に位置する。透
明なエポキシ被覆６６は、前壁部３８の屈折率にマッチ
する屈折率をもつのが好ましい。透明な前壁部３８をガ
ラス材料で形成する場合、透明なエポキシ被覆６６とガ
ラスの前壁部３８の屈折率はほぼ１．５である。ＥＬス
タック１６の中間の光エネルギー発生層３２の屈折率は
ほぼ２．４である。このエポキシ被覆６６はまた、前壁
部３８を底部基板２０に剛性的に固着させる。The solid cover 50 comprises a hermetically sealed enclosure 14 and a transparent epoxy coating 66 deposited on the forward facing light emitting surface 18A of the EL stack 16. This solid clear epoxy coating 66 is located between the light emitting surface 18A and the front wall 38 of the sealed enclosure 14. The transparent epoxy coating 66 preferably has an index of refraction that matches that of the front wall 38. If the transparent front wall 38 is made of a glass material, the refractive index of the transparent epoxy coating 66 and the glass front wall 38 is approximately 1.5. The refractive index of the light energy generating layer 32 in the middle of the EL stack 16 is approximately 2.4. The epoxy coating 66 also rigidly secures the front wall 38 to the bottom substrate 20.
【００２６】図５を参照して、薄膜ＥＬ端部発光装置６
０の固体カバー５２は透明な前部プレート６８と固体材
料の帯状部７０とを含む。この透明な前部プレート６８
は、ＥＬスタック１６と底部基板層２０の前端部の前方
に位置する。固体材料の帯状部７０は、ＥＬスタック１
６及びそのピクセル１８の発光面１８Ａ上に位置する。
固体材料の帯状部７０はまた、前部プレート６８とＥＬ
スタック１６のピクセル１８及び基板２０の前端部との
間に位置する。固体材料の帯状部７０は、ＥＬスタック
１６のピクセルと前部プレート６８とを気密封止するだ
けでなくＥＬスタック１６か或いは前部プレート６８の
屈折率をマッチする屈折率を有する材料で形成される。
固体材料の帯状部は、その屈折率が前部プレート６８の
屈折率とマッチする、Ｗｅｓｔｉｎｇｈｏｕｓｅ Ｂ−
５６５の硬化可能な順応性被覆のような透明な接着被覆
剤であるのが好ましい。Referring to FIG. 5, the thin film EL end light emitting device 6
The zero solid cover 52 includes a transparent front plate 68 and a band 70 of solid material. This transparent front plate 68
Is located in front of the front ends of the EL stack 16 and the bottom substrate layer 20. The band 70 of solid material is the EL stack 1
6 and its pixel 18 on the light emitting surface 18A.
The strip 70 of solid material also includes the front plate 68 and the EL.
It is located between the pixels 18 of the stack 16 and the front edge of the substrate 20. The band of solid material 70 is formed of a material having a refractive index that matches the refractive index of the EL stack 16 or the front plate 68 as well as hermetically seals the pixels of the EL stack 16 and the front plate 68. It
The strip of solid material has a refractive index that matches that of the front plate 68, Westinghouse B-.
It is preferably a clear adhesive coating such as 565 curable conformable coating.
【００２７】図６を参照して、薄膜ＥＬ端部発光装置６
２の固体カバー５４はこのカバーが２つの要素からなっ
ている点を除き図５のものと同じである。第１の要素は
ｅｐｏ−ｔｅｋ Ｎｏ．１１のような材料の外側層７２
であり、ＥＬスタック１６のピクセル１８及び前部プレ
ート６８を気密封止する。もう一方の要素はＴＨＥＲＭ
ＯＳＥＴ ＵＲ １６４のような材料の内側層７４であ
って、ＥＬスタック１６の屈折率と前部プレート６８の
屈折率の間の屈折率を与える。図７−９を参照して、薄
膜ＥＬ端部発光装置６４の固体カバー５６は、前部プレ
ート６８を省略した点を除き図６のものと同じである。
外側層７２はＥＬスタックのピクセル１８を少なくとも
部分的に気密封止するが、内側層７４はＥＬスタック１
６と空気との間の屈折率のマッチを行う。図８及び９
は、ＥＬスタック１６の隣接列の間で互いに切り離す前
共通の基板２０を共有する薄膜ＥＬモジュール１２を示
す。Referring to FIG. 6, a thin film EL edge emitting device 6
The solid cover 54 of 2 is the same as that of FIG. 5 except that the cover consists of two elements. The first element is epo-tek No. Outer layer 72 of material such as 11
And hermetically seal the pixels 18 of the EL stack 16 and the front plate 68. The other element is THERM
An inner layer 74 of a material such as OSET UR 164 that provides an index of refraction between that of EL stack 16 and front plate 68. Referring to FIGS. 7-9, the solid cover 56 of the thin film EL edge emitting device 64 is the same as that of FIG. 6 except that the front plate 68 is omitted.
The outer layer 72 at least partially hermetically seals the pixels 18 of the EL stack, while the inner layer 74 comprises the EL stack 1
Perform a refractive index match between 6 and air. 8 and 9
Shows a thin film EL module 12 that shares a common substrate 20 between adjacent rows of EL stack 16 prior to being separated from each other.
【００２８】本発明及びその付随する利点の多くが上述
の説明から明らかになったであろうし、本発明の精神及
び範囲から逸脱することなく或いは本発明の重要な利点
の全てを損なうことなしに上述した本発明の各部の構成
及び配置につき種々の変形例が明らかであろう。上述し
た本発明の実施例は単に好ましいか或いは例示的なもの
であるに過ぎない。Many of the present invention and its attendant advantages will be apparent from the foregoing description, without departing from the spirit and scope of the invention or without detracting from all of its significant advantages. Various modifications will be apparent with respect to the configurations and arrangements of the respective parts of the present invention described above. The embodiments of the invention described above are merely preferred or exemplary.
【図１】図１は、図２の線１−１に沿う従来技術の薄膜
ＥＬ端部発光装置の断片的な縦方向水平断面図である。FIG. 1 is a fragmentary vertical horizontal cross-sectional view of a prior art thin film EL edge emitting device taken along line 1-1 of FIG.
【図２】図２は、図１の線２−２に沿う該装置の断片的
な縦方向垂直断面図である。FIG. 2 is a fragmentary vertical vertical cross-section of the device taken along line 2-2 of FIG.
【図３】図３は、図４の線３−３に沿う薄膜ＥＬ端部発
光装置の断片的な縦方向水平断面図であり、本発明に従
って該装置に用いられる屈折率がマッチした気密封止固
体カバーの１つの実施例を示す。3 is a fragmentary vertical horizontal cross-sectional view of a thin film EL edge emitting device taken along line 3-3 of FIG. 4, showing a refractive index matched hermetic seal used in the device in accordance with the present invention. 1 illustrates one example of a static solid cover.
【図４】図４は、図３の線４−４に沿う該装置と固体カ
バーの断片的な縦方向垂直断面図である。4 is a fragmentary vertical vertical cross-sectional view of the device and solid cover taken along line 4-4 of FIG.
【図５】図５は、本発明に従って該装置に用いられる屈
折率がマッチした気密封止固体カバーの別の実施例を示
す、図４と同様な断片的な縦方向垂直断面図である。FIG. 5 is a fragmentary vertical vertical cross-section similar to FIG. 4, showing another embodiment of a refractive index matched hermetically sealed solid cover for use in the device according to the present invention.
【図６】図６は、本発明に従って該装置に用いられる屈
折率がマッチした気密封止固体カバーのさらに別の実施
例を示す、図５と同様な断片的な縦方向垂直断面図であ
る。FIG. 6 is a fragmentary longitudinal vertical cross-section similar to FIG. 5, showing yet another embodiment of a refractive index matched hermetically sealed solid cover for use in the device according to the present invention. ..
【図７】図７は、本発明により該装置に用いられる屈折
率がマッチした気密封止固体カバーのさらに別の実施例
を示す、図６と同様な断片的な縦方向垂直断面図であ
る。FIG. 7 is a fragmentary vertical vertical cross-sectional view similar to FIG. 6 showing yet another embodiment of a refractive index matched hermetically sealed solid cover for use in the device according to the present invention. ..
【図８】図８は、図７の固体カバーを付着した複数の薄
膜ＥＬ端部発光モジュールを示す、図７よりも小さい縮
尺の側立面図であり、モジュールが個々のモジュールに
切り離される前の状態を示す。8 is a smaller scale side elevational view of FIG. 7 showing a plurality of thin film EL edge emitting modules with the solid cover of FIG. 7 before the modules are separated into individual modules. Indicates the state of.
【図９】図９は、図８の線９−９に沿う横方向垂直断面
図である。9 is a lateral vertical cross-sectional view taken along line 9-9 of FIG.
１２ 薄膜ＥＬ端部発光モジュール １４ エンクロージャ １６ ＥＬスタック １８ ピクセル １８Ａ 発光面 ２０ 底部基板層 ２２ 下部共通電極層 ２４ 上部電極層 ２６ 上部制御電極要素 ２８ 下部誘電層 ３０ 上部誘電層 ３２ 光エネルギー発生層 ３４ 縦方向チャンネル ３６ 横方向ストリート ３８ 前壁部 ４０ 頂壁部 ４２ 側壁部 ４４ 後壁部 ４５ 底壁部 ４６ 空洞部 ５０、５２、５４、５６ 固体カバー ５８、６０、６２、６４ 薄膜ＥＬ端部発光装置 ６６ エポキシ被覆 ６８ 前部プレート 12 Thin Film EL Edge Light Emitting Module 14 Enclosure 16 EL Stack 18 Pixel 18A Emitting Surface 20 Bottom Substrate Layer 22 Lower Common Electrode Layer 24 Upper Electrode Layer 26 Upper Control Electrode Element 28 Lower Dielectric Layer 30 Upper Dielectric Layer 32 Light Energy Generation Layer 34 Vertical Directional channel 36 Lateral street 38 Front wall portion 40 Top wall portion 42 Side wall portion 44 Rear wall portion 45 Bottom wall portion 46 Cavity portion 50, 52, 54, 56 Solid cover 58, 60, 62, 64 Thin film EL end light emitting device 66 Epoxy coating 68 Front plate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ノーマン ジョセフ フィリップス アメリカ合衆国 ペンシルベニア州 ピッ ツバーグ スプリング グローブ ロード 166 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (72) Inventor Norman Joseph Phillips, Pittsburgh, PA, USA Grove Grove Road 166
Claims (12)
Ｌスタックを含む薄膜ＥＬ端部発光モジュールと、 （ｂ）前記発光面を含むＥＬスタックを実質的に覆う気
密封止部を前記基板との間に形成し且つ屈折率がＥＬス
タックと空気の屈折率の間にある光学的に透明な媒体を
形成するように前記基板に固着された固体のカバーとよ
りなる薄膜ＥＬ端部発光装置。1. A thin film EL edge-emitting device, comprising: (a) a substrate and E having a light emitting surface supported on the substrate.
A thin film EL edge emitting module including an L stack, and (b) an airtight sealing portion that substantially covers the EL stack including the light emitting surface is formed between the substrate and has a refractive index of refraction between the EL stack and air. A thin film EL edge emitting device comprising a solid cover secured to the substrate so as to form an optically transparent medium between the two.
封止するように該スタックの少なくとも一部を囲みそれ
を閉じ込めるエンクロージャを含むことを特徴とする請
求項１に記載の装置。2. The apparatus of claim 1, wherein the cover includes an enclosure that surrounds and encloses at least a portion of the EL stack so as to hermetically seal the EL stack.
れ、不活性ガスが前記空洞部内に充満していることを特
徴とする請求項２に記載の装置。3. The apparatus of claim 2 wherein a cavity is defined within the enclosure and an inert gas fills the cavity.
封止するように前記発光面を含むＥＬスタックの少なく
とも一部を囲み且つ閉じ込めるエンクロージャと、前記
発光面を含むＥＬスタックの端縁部を覆いその上に接着
した固体の透明な接着剤よりなる被覆とを含むことを特
徴とする請求項１に記載の装置。4. The enclosure covers an enclosure enclosing and confining at least a part of the EL stack including the light emitting surface so as to hermetically seal the EL stack, and covering an edge portion of the EL stack including the light emitting surface. A device according to claim 1 including a coating of solid, transparent adhesive adhered thereon.
ージャの前壁部の屈折率にマッチする屈折率を有するエ
ポキシよりなることを特徴とする請求項４に記載の装
置。5. The apparatus of claim 4, wherein the adhesive coating comprises epoxy having an index of refraction that matches the index of refraction of the front wall of the enclosure.
の前端部より前方に位置する透明な前部プレートと、前
記ＥＬスタックを気密封止し且つＥＬスタック及び前部
プレートの一方と屈折率がマッチするように発光面を含
むＥＬスタックの少なくとも一部を覆い且つ前部プレー
トとＥＬスタックの前端部との間に位置する帯状部とを
含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。6. The cover includes a transparent front plate located in front of a front end portion of the EL stack and a substrate, an airtight seal for the EL stack, and a refractive index with one of the EL stack and the front plate. The device of claim 1 including a strip that covers at least a portion of the EL stack to include a light emitting surface in a matching manner and that is located between the front plate and the front end of the EL stack.
トの屈折率にマッチする透明な接着剤であることを特徴
とする請求項６に記載の装置。7. A device according to claim 6, wherein the material of the strip is a transparent adhesive whose refractive index matches the refractive index of the front plate.
部プレートを気密封止する材料よりなる外側層と、屈折
率がＥＬスタック及び前部プレートの一方とマッチする
材料よりなる内側層とを含むことを特徴とする請求項６
に記載の装置。8. The strip comprises an outer layer made of a material that hermetically seals the EL stack and the front plate, and an inner layer made of a material having a refractive index that matches one of the EL stack and the front plate. 7. The method according to claim 6, wherein
The device according to.
し且つ屈折率が空気の屈折率とＥＬスタックの屈折率の
間になるように発光面を含むＥＬスタックの少なくとも
一部を覆う帯状部を含むことを特徴とする請求項１に記
載の装置。9. The band-like portion, wherein the cover hermetically seals the EL stack and covers at least a part of the EL stack including a light emitting surface so that the refractive index is between the refractive index of air and the refractive index of the EL stack. The device of claim 1, comprising:
の屈折率とマッチする透明な接着剤の被覆であることを
特徴とする請求項９に記載の装置。10. The device of claim 9, wherein the strip is a transparent adhesive coating whose index of refraction matches that of the EL stack.
とも部分的に気密封止する外側層と、屈折率がＥＬスタ
ックの屈折率と空気の屈折率の間にある内側層とを含む
ことを特徴とする請求項９に記載の装置。11. The strip includes an outer layer at least partially hermetically sealing the EL stack and an inner layer having a refractive index between that of the EL stack and that of air. The device according to claim 9.
隔ピクセルの線形列よりなる薄膜ＥＬ端部発光モジュー
ルと、 （ｂ）前記発光面を含むＥＬスタックのピクセルを実質
的に覆い且つ屈折率がＥＬスタックの屈折率と空気の屈
折率の間にある光学的に透明な媒体を形成するようにＥ
Ｌスタックを覆い且つ前記基板に固着された固体のカバ
ーとよりなることを特徴とする装置。12. A thin film EL edge emitting device comprising: (a) a thin film EL edge emitting module comprising a substrate and a linear array of spaced pixels supported on the substrate and having a light emitting surface; E to substantially cover the pixels of the EL stack including the light emitting surface and to form an optically transparent medium whose index of refraction is between that of the EL stack and that of air.
A device comprising a solid cover covering the L-stack and fixed to the substrate.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US704555 | 1991-05-23 | ||
| US07/704,555 US5258690A (en) | 1991-05-23 | 1991-05-23 | TFEL edge emitter module with hermetically-sealed and refractive index-matched solid covering over light-emitting face |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05159876A true JPH05159876A (en) | 1993-06-25 |
Family
ID=24829988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4147995A Pending JPH05159876A (en) | 1991-05-23 | 1992-05-15 | Thin-film el end-section light-emitting device in which light-emitting surface is airtight-sealed with cover of solid, refractive index of which match |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5258690A (en) |
| EP (1) | EP0515174A1 (en) |
| JP (1) | JPH05159876A (en) |
| CA (1) | CA2069201A1 (en) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9207524D0 (en) * | 1992-04-07 | 1992-05-20 | Smiths Industries Plc | Radiation-emitting devices |
| US5652067A (en) * | 1992-09-10 | 1997-07-29 | Toppan Printing Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| GB9317408D0 (en) * | 1993-08-20 | 1993-10-06 | Ultra Silicon Techn Uk Ltd | Ac thin film electroluminescent device |
| EP0710050A1 (en) * | 1994-10-27 | 1996-05-01 | Hewlett-Packard Company | Radiation edge emitter |
| US5598067A (en) * | 1995-06-07 | 1997-01-28 | Vincent; Kent | Electroluminescent device as a source for a scanner |
| US5811931A (en) * | 1996-03-04 | 1998-09-22 | Hewlett Packard Company | Capped edge emitter |
| JPH1167444A (en) * | 1997-08-27 | 1999-03-09 | Tdk Corp | Organic el element |
| JP2003142262A (en) * | 2001-11-06 | 2003-05-16 | Seiko Epson Corp | Photoelectric device, film-shaped member, laminated film, film with low refractive index, multi-layered laminated film, and electronic device |
| JP3730573B2 (en) * | 2002-01-16 | 2006-01-05 | シャープ株式会社 | Exposure apparatus and image forming apparatus |
| KR100796129B1 (en) * | 2007-01-30 | 2008-01-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic light emitting display device and manufacturing method of the same |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3346758A (en) * | 1962-10-24 | 1967-10-10 | Gen Electric | Electroluminescent lamp having an aluminum electrode with an aluminum oxide layer disposed between the aluminum electrode and the electroluminescent material |
| US4006383A (en) * | 1975-11-28 | 1977-02-01 | Westinghouse Electric Corporation | Electroluminescent display panel with enlarged active display areas |
| GB1571620A (en) * | 1976-10-29 | 1980-07-16 | Secr Defence | Electroluminescent phosphor panels |
| US4110664A (en) * | 1977-04-15 | 1978-08-29 | Westinghouse Electric Corp. | Electroluminescent bargraph with integral thin-film transistor control circuitry |
| JPS5583196A (en) * | 1978-12-20 | 1980-06-23 | Nippon Telegraph & Telephone | Method of sealing thin film electroluminescent element |
| JPS5835586A (en) * | 1981-08-27 | 1983-03-02 | シャープ株式会社 | Electroluminescence display |
| US4464602A (en) * | 1982-01-28 | 1984-08-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Thin film electroluminescent device |
| US4535341A (en) * | 1983-08-19 | 1985-08-13 | Westinghouse Electric Corp. | Thin film electroluminescent line array emitter and printer |
| JPS61286866A (en) * | 1985-06-14 | 1986-12-17 | Nec Home Electronics Ltd | Optical printer |
| US4807047A (en) * | 1985-10-04 | 1989-02-21 | Fujitsu Limited | Electro luminescence device and electrophotographic printing system using the same |
| JPS6391998A (en) * | 1986-10-03 | 1988-04-22 | オリンパス光学工業株式会社 | El light emission array |
| JPS63105493A (en) * | 1986-10-22 | 1988-05-10 | アルプス電気株式会社 | Thin film el panel |
| US4951064A (en) * | 1989-05-15 | 1990-08-21 | Westinghouse Electric Corp. | Thin film electroluminescent edge emitter assembly and integral packaging |
| US5017824A (en) * | 1989-11-13 | 1991-05-21 | Westinghouse Electric Corp. | TFEL edge emitter module and packaging assembly employing sealed cavity capacity varying mechanism |
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