JPH051596U - Luminous pole - Google Patents
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- JPH051596U JPH051596U JP5831191U JP5831191U JPH051596U JP H051596 U JPH051596 U JP H051596U JP 5831191 U JP5831191 U JP 5831191U JP 5831191 U JP5831191 U JP 5831191U JP H051596 U JPH051596 U JP H051596U
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 夜間など暗い場所での走行において、自動車
の存在や車幅などの視認性を向上し安全走行に寄与する
ことが可能な発光ポールを提供すること。
【構成】 ポール本体31は円錐又は角錐形状でその頭
頂部分を球形状として無色透明又は着色透明の樹脂材料
にて形成されている。そして、光散乱材32が上記ポー
ル本体31の球形状の頭頂部分の樹脂材料に混入されて
いる。又、発光ダイオード40は上記ポール本体31の
内部の底面近傍で発光面を頭頂方向に向けて配設されて
いる。これにより、本考案の発光ポール100は、底面
近傍に配設された発光ダイオード40の発光により円錐
又は角錐形状の部分が淡く光り、光散乱材32が混入さ
れた先端の頭頂部分が強く光ることになる。従って、こ
のような発光ポールをトランクルーム上面の左右両側に
一本ずつ取り付けた自動車は、夜間など暗い場所での走
行において、後続車などからの視認性が向上する。
(57) [Summary] [Purpose] To provide a light emitting pole capable of contributing to safe driving by improving the visibility such as the presence of a vehicle and the width of a vehicle when driving in a dark place such as night. [Constitution] The pole body 31 is conical or pyramid-shaped, and its top portion is spherical and is made of a colorless transparent or colored transparent resin material. Then, the light scattering material 32 is mixed in the resin material of the spherical top portion of the pole body 31. Further, the light emitting diode 40 is arranged in the vicinity of the bottom surface inside the pole body 31 with the light emitting surface facing the top direction. As a result, in the light emitting pole 100 of the present invention, the light of the light emitting diode 40 disposed near the bottom surface causes the cone or pyramid-shaped portion to dimly light, and the top portion of the tip where the light scattering material 32 is mixed to shine strongly. become. Therefore, an automobile equipped with one such light emitting pole on each of the left and right sides of the upper surface of the luggage compartment has improved visibility from a following vehicle when traveling in a dark place such as at night.
Description
【0001】[0001]
本考案は、夜間など暗い場所での走行において、自動車の存在や車幅などを明 らかにするための発光ポールに関する。 The present invention relates to a light emitting pole for clarifying the presence and width of a vehicle when driving in a dark place such as at night.
【0002】[0002]
従来、自動車のバンパなどのコーナ部分に取り付けそのコーナ部分までの距離 を確認し易くし車庫入れなどを補助するためのポールが知られている。 2. Description of the Related Art Conventionally, there is known a pole that is attached to a corner portion such as a bumper of an automobile so that it is easy to check the distance to the corner portion and assists in garage parking.
【0003】[0003]
上記ポールは、上述の用途以外では単なる装飾効果のみしかないアクセサリー であった。 つまり、夜間など暗い場所での走行において、積極的に光を照射して後続車な どに当方の自動車の存在や車幅などを明らかにできるようなものはなかった。 The pole was an accessory that had only a decorative effect other than the above purposes. In other words, when driving in a dark place such as at night, there was nothing that could be positively illuminated to reveal the presence or width of our vehicle, such as the following vehicle.
【0004】 本考案は、上記の課題を解決するために成されたものであり、その目的とする ところは、夜間など暗い場所での走行において、自動車の存在や車幅などに対す る視認性を向上し安全走行に寄与することが可能な発光ポールを提供することで ある。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and its purpose is to provide visibility in the presence of a vehicle and the width of a vehicle when driving in a dark place such as at night. It is to provide a light emitting pole that can improve driving efficiency and contribute to safe driving.
【0005】[0005]
上記課題を解決するための考案の構成は、円錐又は角錐形状とした無色透明又 は着色透明の樹脂材料にて形成されるポール本体と、該ポール本体の頭頂部分の 樹脂材料に混入される光散乱材と、前記ポール本体の内部の底面近傍で発光面を 頭頂方向に向けて配設される半導体発光素子とから成ることを特徴とする。 The configuration of the device for solving the above-mentioned problems is a pole body formed of a colorless or transparent transparent resin material in the shape of a cone or a pyramid, and a light mixed in the resin material at the top of the pole body. It is characterized by comprising a scattering material and a semiconductor light emitting element which is disposed in the vicinity of the bottom surface inside the pole body with the light emitting surface facing the top of the head.
【0006】[0006]
ポール本体は円錐又は角錐形状であり無色透明又は着色透明の樹脂材料にて形 成される。そして、光散乱材が上記ポール本体の頭頂部分の樹脂材料に混入され ている。又、半導体発光素子である発光ダイオードは上記ポール本体の内部の底 面近傍で発光面を頭頂方向に向けて配設されている。 このような発光ポールは、発光ダイオードからの光がポール本体の円錐又は角 錐形状部分では殆ど外部に逃げることがなく、ポール本体の頭頂部分まで導光さ れる。そして、頭頂部分の樹脂材料に混入された光散乱材にて導光された上記発 光ダイオードからの光が散乱される。即ち、本考案の発光ポールは底面近傍に配 設された発光ダイオードの発光により円錐又は角錐形状の部分が淡く光り、底面 位置から離れた先端の頭頂部分が強く光ることになる。従って、このような発光 ポールを、例えば、トランクルーム上面の左右両側に一本ずつ取り付けた自動車 は、夜間など暗い場所での走行において、後続車などからの当方の自動車の存在 や車幅などに対する視認性が向上する。 The pole body has a cone or pyramid shape and is made of a colorless transparent or colored transparent resin material. Then, the light-scattering material is mixed with the resin material of the top portion of the pole body. A light emitting diode, which is a semiconductor light emitting element, is arranged in the vicinity of the bottom surface inside the pole body with the light emitting surface facing the top. In such a light emitting pole, the light from the light emitting diode hardly escapes outside in the conical or pyramidal portion of the pole body, and is guided to the top of the pole body. Then, the light from the light emitting diode guided by the light scattering material mixed in the resin material of the crown portion is scattered. That is, in the light emitting pole of the present invention, the light emitted from the light emitting diode arranged near the bottom surface causes the cone-shaped or pyramid-shaped portion to dimly light, and the crown portion at the tip away from the bottom surface strongly shines. Therefore, for example, a car equipped with such light-emitting poles on the left and right sides of the upper surface of the luggage compartment can be visually discerned by the following cars, such as the presence or width of our car, when driving in the dark at night. The property is improved.
【0007】[0007]
以下、本考案を具体的な実施例に基づいて説明する。 図1は本考案に係る発光ポールの構成を示した縦断面図である。 発光ポール100は、主として、ポール本体31と発光ダイオード40とから 構成されている。上記ポール本体31は、円錐又は角錐形状でその頭頂部分を球 形状として無色透明又は着色透明のアクリル樹脂やポリカーボネイト樹脂などの 樹脂材料により形成されている。そして、ポール本体31の球形状の頭頂部分の 樹脂材料には、例えば、ビーズ類などの光散乱材32が混入されている。又、上 記発光ダイオード40は、上記ポール本体31の内部の底面近傍で発光面を頭頂 方向である上方向に向けて配設されている。 Hereinafter, the present invention will be described based on specific embodiments. FIG. 1 is a vertical sectional view showing a structure of a light emitting pole according to the present invention. The light emitting pole 100 is mainly composed of a pole body 31 and a light emitting diode 40. The pole body 31 has a conical or pyramidal shape and a spherical top portion, and is formed of a resin material such as a colorless transparent or colored transparent acrylic resin or polycarbonate resin. The light scattering material 32 such as beads is mixed in the resin material of the spherical top portion of the pole body 31. The above-mentioned light emitting diode 40 is arranged in the vicinity of the bottom surface inside the pole body 31 with the light emitting surface facing upward in the direction of the crown.
【0008】 図2は本考案に係る発光ポール100に配設するのに適した窒化ガリウム系化 合物半導体を用いた青色発光の発光ダイオード10の層構造を示した縦断面図で ある。 発光ダイオード10は、サファイヤ基板1を有しており、そのサファイヤ基板 1に 500ÅのAlN のバッファ層2が形成されている。そのバッファ層2の下に は、順に、膜厚 2.2μm のGaN から成る高キャリヤ濃度n+ 層3と膜厚 1.5μ m のGaN から成る低キャリヤ濃度n層4が形成されており、更に、低キャリヤ 濃度n層4の下に膜厚 0.1μm のGaN から成るi層5が形成されている。そし て、i層5に接続するアルミニウムで形成された電極7と高キャリヤ濃度n+ 層 3に接続するアルミニウムで形成された電極8とが形成されている。FIG. 2 is a vertical cross-sectional view showing a layer structure of a blue light emitting diode 10 using a gallium nitride-based compound semiconductor suitable for being disposed in the light emitting pole 100 according to the present invention. The light emitting diode 10 has a sapphire substrate 1, and a 500 Å buffer layer 2 of AlN is formed on the sapphire substrate 1. Under the buffer layer 2, a high carrier concentration n + layer 3 made of GaN having a film thickness of 2.2 μm and a low carrier concentration n layer 4 made of GaN having a film thickness of 1.5 μm are sequentially formed. An i layer 5 made of GaN having a film thickness of 0.1 μm is formed under the low carrier concentration n layer 4. Then, an electrode 7 formed of aluminum and connected to the i layer 5 and an electrode 8 formed of aluminum and connected to the high carrier concentration n + layer 3 are formed.
【0009】 次に、この構造の発光ダイオード10の製造工程について、図3及び図4を参 照して説明する。 上記発光ダイオード10は、有機金属化合物気相成長法( 以下、MOVPEと 記す)による気相成長により製造された。 用いられたガスは、NH3 とキャリヤガスH2 とトリメチルガリウム(Ga(C H3)3)(以下、TMGと記す)とトリメチルアルミニウム(Al(CH3)3)(以下 、TMAと記す)とシラン(SiH4)とジエチル亜鉛(以下、DEZと記す)で ある。 先ず、有機洗浄及び熱処理により洗浄したa面を主面とする単結晶のサファイ ヤ基板1をMOVPE装置の反応室に載置されたサセプタに装着する。 次に、常圧でH2 を流速2 l/分で反応室に流しながら温度1100℃でサファイ ヤ基板1を気相エッチングした。 次に、温度を 400℃まで低下させて、H2 を20 l/分、NH3 を10 l/分、T MAを 1.8×10-5モル/分で供給して 500Åの厚さのAlN から成るバッファ層 2を形成した。 次に、サファイヤ基板1の温度を1150℃に保持し、H2 を20 l/分、NH3 を 10 l/分、TMGを 1.7×10-4モル/分、H2 で0.86ppm まで希釈したシラン( SiH4)を 200ml/分の割合で30分間供給し、膜厚 2.2μm 、キャリヤ濃度 1.5 ×1018/cm3 のGaN から成る高キャリヤ濃度n+ 層3を形成した。 続いて、サファイヤ基板1の温度を1150℃に保持し、H2 を20 l/分、NH3 を10 l/分、TMGを1.7 ×10-4モル/分の割合で20分間供給し、膜厚 1.5μm 、キャリヤ濃度 1×1015/cm3 のGaN から成る低キャリヤ濃度n層4を形成し た。 次に、サファイヤ基板1を 900℃にして、H2 を20 l/分、NH3 を10 l/分 、TMGを 1.7×10-4モル/分、DEZを 1.5×10-4モル/分の割合で1分間供 給して、膜厚 0.1μm のGaN から成るi層5を形成した。 このようにして、図3(a) に示すような多層構造が得られた。 次に、図3(b) に示すように、i層5の上に、スパッタリングによりSiO2層 11を2000Åの厚さに形成した。次に、そのSiO2層11上にフォトレジスト1 2を塗布して、フォトリソグラフィにより、そのフォトレジスト12を高キャリ ヤ濃度n+ 層3に対する電極形成部位のフォトレジストを除去したパターンに形 成した。 次に、図3(c) に示すように、フォトレジスト12によって覆われていないS iO2層11をフッ酸系エッチング液で除去した。Next, a manufacturing process of the light emitting diode 10 having this structure will be described with reference to FIGS. 3 and 4. The light emitting diode 10 was manufactured by vapor phase epitaxy using a metal organic compound vapor phase epitaxy method (hereinafter referred to as MOVPE). The gas used was NH 3 , carrier gas H 2 , trimethylgallium (Ga (C H 3 ) 3 ) (hereinafter referred to as TMG), and trimethylaluminum (Al (CH 3 ) 3 ) (hereinafter referred to as TMA). And silane (SiH 4 ) and diethylzinc (hereinafter referred to as DEZ). First, the single crystal sapphire substrate 1 having the a-plane as the main surface, which has been cleaned by organic cleaning and heat treatment, is mounted on the susceptor placed in the reaction chamber of the MOVPE apparatus. Next, the sapphire substrate 1 was vapor-phase etched at a temperature of 1100 ° C. while flowing H 2 into the reaction chamber at a flow rate of 2 l / min under normal pressure. Next, the temperature is lowered to 400 ° C., H 2 is supplied at 20 l / min, NH 3 is supplied at 10 l / min, and TMA is supplied at 1.8 × 10 −5 mol / min. A buffer layer 2 was formed. Then, maintaining the temperature of the sapphire substrate 1 to 1150 ° C., the H 2 20 l / min, the NH 3 10 l / min, 1.7 × 10 -4 mol / min TMG, and diluted with H 2 to 0.86ppm Silane (SiH 4 ) was supplied at a rate of 200 ml / min for 30 minutes to form a high carrier concentration n + layer 3 made of GaN having a film thickness of 2.2 μm and a carrier concentration of 1.5 × 10 18 / cm 3 . Subsequently, the temperature of the sapphire substrate 1 was maintained at 1150 ° C., H 2 was supplied at 20 l / min, NH 3 was supplied at 10 l / min, and TMG was supplied at a rate of 1.7 × 10 −4 mol / min for 20 minutes to form a film. A low carrier concentration n layer 4 made of GaN having a thickness of 1.5 μm and a carrier concentration of 1 × 10 15 / cm 3 was formed. Next, the sapphire substrate 1 is set to 900 ° C., H 2 is 20 l / min, NH 3 is 10 l / min, TMG is 1.7 × 10 −4 mol / min, and DEZ is 1.5 × 10 −4 mol / min. The i-layer 5 made of GaN and having a film thickness of 0.1 μm was formed by supplying the i-layer 5 at a rate of 1 minute. In this way, a multilayer structure as shown in FIG. 3 (a) was obtained. Next, as shown in FIG. 3B, a SiO 2 layer 11 having a thickness of 2000 Å was formed on the i layer 5 by sputtering. Next, a photoresist 12 is applied on the SiO 2 layer 11, and the photoresist 12 is formed by photolithography into a pattern in which the photoresist at the electrode formation site for the high carrier concentration n + layer 3 is removed. did. Next, as shown in FIG. 3C, the SiO 2 layer 11 not covered with the photoresist 12 was removed with a hydrofluoric acid-based etching solution.
【0010】 次に、図4(d) に示すように、フォトレジスト12及びSiO2層11によって 覆われていない部位のi層5とその下の低キャリヤ濃度n層4と高キャリヤ濃度 n+ 層3の上面一部を、真空度0.04Torr、高周波電力0.44W/cm2、BCl3ガスを 10ml/分の割合で供給しドライエッチングした後、Ar でドライエッチングした 。 次に、図4(e) に示すように、i層5上に残っているSiO2層11をフッ酸で 除去した。 次に、図4(f) に示すように、試料の上全面に、蒸着によりAl 層13を3000 Åの厚さに形成した。そして、そのAl 層13の上にフォトレジスト14を塗布 して、フォトリソグラフィにより、そのフォトレジスト14が高キャリヤ濃度n + 層3及びi層5に対する電極部が残るように、所定形状にパターン形成した。 次に、フォトレジスト14をマスクとして下層のAl 層13の露出部を硝酸系 エッチング液でエッチングし、フォトレジスト14をアセトンで除去し、高キャ リヤ濃度n+ 層3の電極8、i層5の電極7を形成した。 このようにして、図2に示すMIS(Metal Insulator Semiconductor) 構造の窒化ガリウム系発光素子を製造することができる。Next, as shown in FIG. 4D, the photoresist 12 and SiO2I layer 5 in a portion not covered by layer 11 and low carrier concentration n layer 4 and high carrier concentration n below it+Part of the upper surface of layer 3 has a vacuum degree of 0.04 Torr and high frequency power of 0.44 W / cm2, BCl3Gas was supplied at a rate of 10 ml / min for dry etching, and then dry etching was performed with Ar. Next, as shown in FIG. 4 (e), the SiO 2 remaining on the i layer 5 is2Layer 11 was removed with hydrofluoric acid. Next, as shown in FIG. 4 (f), an Al layer 13 having a thickness of 3000 Å was formed on the entire surface of the sample by vapor deposition. Then, a photoresist 14 is applied on the Al layer 13 and the photoresist 14 is formed by photolithography to have a high carrier concentration n. + A pattern was formed into a predetermined shape so that the electrode portions for the layer 3 and the i layer 5 remained. Next, using the photoresist 14 as a mask, the exposed portion of the lower Al layer 13 is etched with a nitric acid-based etching solution, and the photoresist 14 is removed with acetone to obtain a high carrier concentration n.+An electrode 8 of layer 3 and an electrode 7 of i layer 5 were formed. Thus, the gallium nitride-based light emitting device having the MIS (Metal Insulator Semiconductor) structure shown in FIG. 2 can be manufactured.
【0011】 図5は、上述の青色発光の発光ダイオード10とリードフレーム20との接合 状態を示した部分縦断面図である。 このチップ状の発光ダイオード10の電極7,8は、はんだバンプ17,18 を介してリードフレーム20のリード部材21,22に接合される。 このチップ状の発光ダイオード10をリード部材21,22と接合した後、エ ポキシ樹脂等の透明樹脂でレンズ部25を形成し、図1に示すような、発光ダイ オード40が構成される。そして、この発光ダイオード40においては、リード 部材21,22に所定の電圧を印加することにより、i層5の電極7の上部及び その近傍に位置している発光領域から青色発光が照射される。FIG. 5 is a partial vertical cross-sectional view showing a bonding state between the above-described blue light emitting diode 10 and the lead frame 20. The electrodes 7, 8 of the chip-shaped light emitting diode 10 are joined to the lead members 21, 22 of the lead frame 20 via the solder bumps 17, 18. After the chip-shaped light emitting diode 10 is bonded to the lead members 21 and 22, the lens portion 25 is formed of a transparent resin such as epoxy resin to form a light emitting diode 40 as shown in FIG. Then, in this light emitting diode 40, blue light is emitted from the light emitting regions located above and near the electrode 7 of the i layer 5 by applying a predetermined voltage to the lead members 21 and 22.
【0012】 上述のように構成された発光ポール100を、図6に示したように、自動車の 最後部であるトランクルーム上面の左右両側に一本ずつ配設する。すると、夜間 など暗い場所での走行において、これら発光ポール100は、自動車の後面のス トップランプや車幅灯などの表示灯より高い位置で明瞭に発光されることになる 。従って、後続車の運転者に対する当方の自動車の存在や車幅などの視認性が向 上して、自動車の安全走行に大いに寄与することができる。 又、発光ポール100の外観形状はスマートで綺麗なものであり、昼間など明 るい場所において、発光ダイオード40が発光されない状態でもその装飾効果を 十分果たすことができるものである。 尚、本考案の発光ポールに配設される発光ダイオードは、上述の青色発光のも のに限定されるものではない。又、図5のリード部材21,22と接合されたチ ップ状の発光ダイオード10を直接、成形型に配設し上述と同様の樹脂材料にて ポール本体31を形成しても良い。 更に、発光ポールの底面近傍に光の三原色である赤色・緑色・青色をそれぞれ 発光する3つの発光ダイオードを隣接して配設することもできる。すると、それ ら発光ダイオードの個々の発光強度を変化させることにより任意の有色発光を得 ることが可能な可変色発光ポールを形成することができる。As shown in FIG. 6, the light emitting poles 100 configured as described above are arranged one on each of the left and right sides of the upper surface of the trunk, which is the rearmost part of the automobile. Then, when driving in a dark place such as at night, these light emitting poles 100 are clearly illuminated at a position higher than the indicator lights such as the stop lamp and the side lights on the rear surface of the automobile. Therefore, it is possible to improve the visibility of the driver of the following vehicle such as the existence of the vehicle and the width of the vehicle, which contributes to the safe driving of the vehicle. In addition, the appearance shape of the light emitting pole 100 is smart and beautiful, and even in a bright place such as daytime, the decoration effect can be sufficiently achieved even when the light emitting diode 40 is not emitting light. The light emitting diode arranged in the light emitting pole of the present invention is not limited to the above blue light emitting diode. Alternatively, the chip-shaped light emitting diode 10 joined to the lead members 21 and 22 shown in FIG. 5 may be directly disposed in the molding die and the pole body 31 may be formed of the same resin material as described above. Further, three light emitting diodes which respectively emit the three primary colors of light, red, green and blue, can be arranged adjacent to each other near the bottom surface of the light emitting pole. Then, it is possible to form a variable color light emitting pole capable of obtaining any colored light emission by changing the light emission intensity of each of the light emitting diodes.
【0013】 図7は、本考案に係る発光ポールの他の実施例を示した構成図である。尚、上 述の実施例と同様の構成のものについては、同じ符号を付してその説明を省略す る。 この発光ポール200のポール本体31の側周面の右片面には、金属薄膜35 をスパッタリングや真空蒸着やホットスタンプにて形成されている。上記金属薄 膜35は金属薄板を用いて構成することもできる。そして、ポール本体31の下 部には回転機構としてベアリング52を介してモータ51が配設されている。 本実施例の発光ポール200は、ポール本体31が発光すると同時に回転され ることにより、更に、装飾効果や視認性が向上するものとなる。FIG. 7 is a block diagram showing another embodiment of the light emitting pole according to the present invention. The same components as those in the above-described embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. A metal thin film 35 is formed on the right side surface of the side surface of the pole body 31 of the light emitting pole 200 by sputtering, vacuum deposition or hot stamping. The metal thin film 35 may be formed by using a metal thin plate. A motor 51 is arranged below the pole body 31 as a rotating mechanism via a bearing 52. The light emitting pole 200 of the present embodiment is further rotated at the same time when the pole body 31 emits light, so that the decorative effect and the visibility are further improved.
【図1】本考案の具体的な一実施例に係る発光ポールの
構成を示した縦断面図である。FIG. 1 is a vertical cross-sectional view showing a structure of a light emitting pole according to a specific embodiment of the present invention.
【図2】同実施例に係る発光ポールに使用されている発
光ダイオードを示した構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram showing a light emitting diode used in the light emitting pole according to the embodiment.
【図3】同実施例に係る発光ポールに使用されている発
光ダイオードの製造工程を示した縦断面図である。FIG. 3 is a vertical cross-sectional view showing a manufacturing process of a light emitting diode used for the light emitting pole according to the embodiment.
【図4】同実施例に係る発光ポールに使用されている発
光ダイオードの製造工程を示した図3に続く縦断面図で
ある。FIG. 4 is a vertical cross-sectional view subsequent to FIG. 3, showing a manufacturing process of a light-emitting diode used for the light-emitting pole according to the example.
【図5】同実施例に係る発光ポールに使用されている発
光ダイオードとリードフレームとの接合状態を示した部
分縦断面図である。FIG. 5 is a partial vertical cross-sectional view showing a joined state of a light emitting diode and a lead frame used in the light emitting pole according to the embodiment.
【図6】同実施例に係る発光ポールを自動車の最後部上
面であるトランクルームの左右両側に一本ずつ配設した
状態を示した説明図である。FIG. 6 is an explanatory view showing a state in which one light emitting pole according to the embodiment is arranged on each of left and right sides of a trunk room which is an upper surface of a rear portion of an automobile.
【図7】本考案に係る発光ポールの他の実施例を示した
構成図である。FIG. 7 is a schematic view showing another embodiment of the light emitting pole according to the present invention.
1−サファイヤ基板 2−バッファ層 3−高キャ
リヤ濃度n+層 4−低キャリヤ濃度n層 5−i層 7,8−電極 10−発光ダイオード(チップ状) 21,22−リ
ード部材 31−ポール本体 32−光散乱材 40−発光ダ
イオード 100−発光ポール1-Sapphire substrate 2-Buffer layer 3-High carrier concentration n + layer 4-Low carrier concentration n layer 5-i layer 7,8-Electrode 10-Light emitting diode (chip shape) 21,22 Lead member 31-Pole body 32-light scattering material 40-light emitting diode 100-light emitting pole
Claims (1)
色透明の樹脂材料にて形成されるポール本体と、前記ポ
ール本体の頭頂部分の樹脂材料に混入される光散乱材
と、前記ポール本体の内部の底面近傍で発光面を頭頂方
向に向けて配設される半導体発光素子とから成ることを
特徴とする発光ポール。[Claims for utility model registration] 1. A pole body made of a colorless transparent or colored transparent resin material in the shape of a cone or a pyramid, and light mixed in the resin material at the top of the pole body. A light emitting pole comprising a scattering material and a semiconductor light emitting element which is disposed in the vicinity of a bottom surface inside the pole body with a light emitting surface directed toward the top of the head.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5831191U JPH051596U (en) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | Luminous pole |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5831191U JPH051596U (en) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | Luminous pole |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH051596U true JPH051596U (en) | 1993-01-14 |
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ID=13080702
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP5831191U Pending JPH051596U (en) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | Luminous pole |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH051596U (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002368283A (en) * | 2001-06-07 | 2002-12-20 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | Led lamp |
JP2003016808A (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Lighting system |
JP2015077911A (en) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | 株式会社小糸製作所 | Vehicle lamp fitting |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP5831191U patent/JPH051596U/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002368283A (en) * | 2001-06-07 | 2002-12-20 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | Led lamp |
JP2003016808A (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Lighting system |
JP4674418B2 (en) * | 2001-06-29 | 2011-04-20 | パナソニック株式会社 | Lighting equipment |
JP2015077911A (en) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | 株式会社小糸製作所 | Vehicle lamp fitting |
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