JPH05158806A - Flash memory card erasing method - Google Patents

Flash memory card erasing method

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Publication number
JPH05158806A
JPH05158806A JP32316891A JP32316891A JPH05158806A JP H05158806 A JPH05158806 A JP H05158806A JP 32316891 A JP32316891 A JP 32316891A JP 32316891 A JP32316891 A JP 32316891A JP H05158806 A JPH05158806 A JP H05158806A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
flash memory
card
memory card
prom
ics
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP32316891A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tetsuya Hashimoto
徹也 橋本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP32316891A priority Critical patent/JPH05158806A/en
Publication of JPH05158806A publication Critical patent/JPH05158806A/en
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Abstract

PURPOSE:To increase the number of times of the erasure of a flash memory card till the expiration of its life by using evenly all flash memory ICs. CONSTITUTION:The flash memory card 1 consists of plural flash memory ICs 12 and a gate array 11, and an E<2>PROM 21 is provided in the gate array 11, and all the flash memory ICs are used evenly by writing the number of the leading flash memory IC 12 to write data 10 the E<2>PROM 21, and executing the write-in of the data from this flash memory IC, and at the time of the erasure of the card, erasing only the used flash memory IC 12, and updating the number of the leading flash memory IC of the E<2>PROM.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、デジタルスチルビデオ
カメラ(DSVC)におけるフラッシュメモリカード消去
システムに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flash memory card erasing system in a digital still video camera (DSVC).

【0002】[0002]

【従来の技術】通常フラッシュメモリカードは複数のフ
ラッシュメモリ集積回路(IC)より構成されており、寿
命に達するフラッシュメモリICの消去回数は10000回
程度である。従来のフラッシュメモリカードの記録はカ
ードのアドレスの先頭からデータを書き込み、カード消
去はメモリカードの全てのフラッシュメモリICの消去
を行っていた。
2. Description of the Related Art Generally, a flash memory card is composed of a plurality of flash memory integrated circuits (ICs), and the number of erasing operations of the flash memory IC reaching the end of its life is about 10,000. In conventional flash memory card recording, data is written from the beginning of the card address, and card erasing erases all flash memory ICs of the memory card.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の方法であるとメモリカードの寿命に達するカード消
去回数はフラッシュメモリICの寿命に達する消去回数
になりカードが寿命に達した時、カードの後半に対応す
るフラッシュメモリICは実際にデータが書かれて消去
された回数は少なく、後半のフラッシュメモリICは実
際には寿命に達してなくこの部分が有効的に利用されて
いないという問題があった。本発明はこのような従来の
問題に解決するものであり、全てのフラッシュメモリI
Cを均等に使用し、寿命に達するカード消去回数を増加
させるフラッシュカード消去システムを提供することを
目的とするものである。
However, in the above-mentioned conventional method, the number of card erasures that reach the life of the memory card is the number of erasures that reach the life of the flash memory IC, and when the card reaches the end of life, the latter half of the card. The flash memory IC corresponding to 1 has a problem that the number of times data is actually written and erased is small, and the second half flash memory IC has not actually reached the end of life and this portion is not effectively used. .. The present invention solves such a conventional problem, and all flash memories I
An object of the present invention is to provide a flash card erasing system in which C is used evenly and the number of times of erasing a card that reaches the end of life is increased.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、複数のフラッシュメモリICを有するフラ
ッシュメモリカードにおいて、カード内にE2PROM
(electically erasableprogramable read only memory)
を持ち、このE2PROMにデータ書き込み先頭フラッ
シュメモリIC番号を書き、データの書き込みはそのフ
ラッシュメモリICから書き、カード消去のときは使用
したメモリICチップだけを消去してE2PROMの先
頭フラッシュメモリIC番号を更新し、全てのフラッシ
ュメモリICを均等に使用することによりチップごとの
消去回数を平均化するようにしたものである。
In order to achieve the above object, the present invention provides a flash memory card having a plurality of flash memory ICs, in which an E 2 PROM is provided in the card.
(electically erasable programmable read only memory)
And write the data write top flash memory IC number to this E 2 PROM, write the data from that flash memory IC, and erase the used memory IC chip only when erasing the card and erase the top flash of the E 2 PROM The memory IC number is updated and all flash memory ICs are used evenly so that the number of erases for each chip is averaged.

【0005】[0005]

【作用】したがって本発明によれば、データ書き込み先
頭フラッシュメモリICをカード消去ごとに順番に使用
し、しかもカード消去時は使用したフラッシュメモリI
Cだけを消去しているので、フラッシュメモリICの消
去回数を平均化することができる。
Therefore, according to the present invention, the first flash memory IC for writing data is sequentially used for each card erasing, and the flash memory I used when erasing the card is used.
Since only C is erased, the number of erases of the flash memory IC can be averaged.

【0006】[0006]

【実施例】図1は本発明の一実施例におけるフラッシュ
メモリカードの構成を示したものである。図1におい
て、1はフラッシュメモリカードであって、ゲートアレ
イ11と8個のフラッシュメモリIC12からなる。ゲート
アレイ11はE2PROM21,アドレスラッチ22,アドレ
スカウンタ23,CE・OEカウンタ24,パワーカウンタ
25を有する。2はI/O装置である。E2PROM21に
はカード消去毎にデータを書き込む先頭フラッシュメモ
リIC番号を更新して書き込む。データ書き込みは、E
2PROM21に書かれてあるフラッシュメモリIC12の
番号が例えばであったら、,,,,,,
,という順番で書き込み、E2PROM21に書かれ
てあるフラッシュメモリIC12の番号がであったら、
,,,,,,,という順番でデータを
書き込む。図2は本発明の一実施例におけるカード消去
のフローチャートを示したものである。カードの消去は
先ず先頭使用フラッシュメモリIC番号を読み(S1)、
次にメモリカードのメモリカード管理領域よりどのフラ
ッシュメモリICまでを使用されているかを読み取る
(S2)。S1で読み取った先頭使用フラッシュメモリIC
からS2で読み取った最終使用フラッシュメモリICま
でを消去し(S3)、次に次回データを書き込む時の先頭
フラッシュメモリIC番号をE2PROMに書き込む(S
4)。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows the configuration of a flash memory card according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 1 is a flash memory card, which comprises a gate array 11 and eight flash memory ICs 12. The gate array 11 is an E 2 PROM 21, address latch 22, address counter 23, CE / OE counter 24, power counter.
Having 25. 2 is an I / O device. The head flash memory IC number for writing data is updated and written in the E 2 PROM 21 each time the card is erased. Data writing is E
2 If the number of the flash memory IC12 written in PROM21 is, for example ,,,,,,,,
, In order, and if the flash memory IC12 number written in the E 2 PROM 21 is,
Write data in the order of ,,,,,,. FIG. 2 shows a flow chart of card erasing in one embodiment of the present invention. To erase the card, first read the first flash memory IC number (S 1 ),
Next, read up to which flash memory IC is used from the memory card management area of the memory card.
(S 2 ). First used flash memory IC read in S 1
To the last used flash memory IC read in S 2 to S 2 (S 3 ), and write the head flash memory IC number when writing the next data to E 2 PROM (S
4 ).

【0007】[0007]

【発明の効果】本発明は上記実施例から明らかなよう
に、データ書き込みを行う先頭フラッシュメモリICを
カード消去毎に順番に使用しており、カード消去時に使
用したフラッシュメモリICだけを消去しているので、
フラッシュメモリICの消去回数を平均化することがで
き、フラッシュメモリICを有効に利用でき寿命に達す
るカード消去回数も従来の方法よりも格段に増加させる
ことができるという効果を有する。
As is apparent from the above-described embodiment, the present invention uses the leading flash memory IC for writing data in order for each card erasure, and only the flash memory IC used during card erasure is erased. Because
This has the effect that the number of times of erasing the flash memory IC can be averaged, and the number of times of erasing the card that can effectively use the flash memory IC and reach the end of life can be significantly increased as compared with the conventional method.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例におけるフラッシュメモリカ
ードの構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram of a flash memory card according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例におけるカード消去のフロー
チャートである。
FIG. 2 is a flowchart of card erasing in one embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…フラッシュメモリカード、 2…I/O装置、 11
…ゲートアレイ、12…フラッシュメモリIC、 21…E
2PROM、 22…アドレスラッチ、 23…アドレスカ
ウンタ、 24…CE・OEカウンタ、 25…パワーカウ
ンタ。
1 ... Flash memory card, 2 ... I / O device, 11
… Gate array, 12… Flash memory IC, 21… E
2 PROM, 22 ... Address latch, 23 ... Address counter, 24 ... CE / OE counter, 25 ... Power counter.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数のフラッシュメモリ集積回路(IC)
を有するフラッシュメモリカードにおいて、前記フラッ
シュメモリカード内にE2PROMを持ち、該E2PRO
Mにデータを書き込む先頭のフラッシュメモリIC番号
を書き、データの書き込みはそのフラッシュメモリIC
から書き、カード消去のときは使用したフラッシュメモ
リICチップのみを消去し、前記E2PROMの先頭の
フラッシュメモリIC番号を更新し、全てのフラッシュ
メモリICを均等に使用することによりフラッシュメモ
リカードを有効に使用することを特徴とするフラッシュ
メモリカード消去システム。
1. A plurality of flash memory integrated circuits (ICs)
In a flash memory card having a has a E 2 PROM in the flash memory card, the E 2 PRO
Write the first flash memory IC number to write data to M, and write the data to the flash memory IC
, The flash memory IC chip used is erased when the card is erased, the flash memory IC number at the head of the E 2 PROM is updated, and all the flash memory ICs are used evenly so that the flash memory card can be used. A flash memory card erasing system characterized by effective use.
【請求項2】 フラッシュメモリカードの消去は、E2
PROMから先頭使用フラッシュメモリIC番号を、メ
モリカードのメモリカード管理領域より最終使用フラッ
シュメモリIC番号を読み取ってその間のフラッシュメ
モリICチップの消去を行うことを特徴とする請求項1
記載のフラッシュメモリカード消去システム。
2. A flash memory card can be erased by E 2
2. The flash memory IC number is read from the PROM for the first use and the last used flash memory IC number is read from the memory card management area of the memory card to erase the flash memory IC chip in the meantime.
Flash memory card erasing system described.
JP32316891A 1991-12-06 1991-12-06 Flash memory card erasing method Pending JPH05158806A (en)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07219720A (en) * 1993-10-01 1995-08-18 Hitachi Maxell Ltd Semiconductor memory device and its control method
US5963474A (en) * 1998-05-11 1999-10-05 Fujitsu Limited Secondary storage device using nonvolatile semiconductor memory
JP2011081754A (en) * 2009-10-09 2011-04-21 Chiba Univ Recording device
JP2014029737A (en) * 2013-11-13 2014-02-13 Chiba Univ Storage device

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