JPH05157618A - Infrared detector - Google Patents

Infrared detector

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JPH05157618A
JPH05157618A JP31924991A JP31924991A JPH05157618A JP H05157618 A JPH05157618 A JP H05157618A JP 31924991 A JP31924991 A JP 31924991A JP 31924991 A JP31924991 A JP 31924991A JP H05157618 A JPH05157618 A JP H05157618A
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thermistor
thermistor chip
electrodes
electrode
chips
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貴義 ▲児▼玉
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Murata Manufacturing Co Ltd
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    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Abstract

PURPOSE:To obtain an infrared detector having high responsiveness and detection sensitivity and, at the same time, to improve the productivity of the detector. CONSTITUTION:Detection electrodes 48 of thermister chips 44 and 46 are formed in the chips 44 and 46 and output electrodes 50 connected to the electrodes 48 are connected to an electrode pattern 54 on a supporting substrate 42. A recessed section 52 is provided on the substrate 42. Because of the section 52, the occurrence of an increase in heat capacity and heat dissipation can be reduced and the sensitivity and responsiveness are improved. Since the electrodes 48 do not crop out, the change with time of electric characteristics can be prevented without using any hermetic case and no sealing is required. Since the electrodes are connected to the pattern 54, no thin lead wire is required.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、サーミスタチップによ
り赤外線を検出する赤外線検出器の改良に関し、特にサ
ーミスタチップの支持構造の改良に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to improvement of an infrared detector for detecting infrared rays by a thermistor chip, and more particularly to improvement of a support structure for the thermistor chip.

【0002】[0002]

【従来の技術】赤外線検出器としては、サーミスタチッ
プを支持基板上に載置しこれをハーメチックケースに収
納した構成が知られている。図5には、このような構成
を有する赤外線検出器の断面が示されている。
2. Description of the Related Art As an infrared detector, a structure is known in which a thermistor chip is placed on a supporting substrate and housed in a hermetic case. FIG. 5 shows a cross section of an infrared detector having such a configuration.

【0003】この図に示される赤外線検出器は、2個の
サーミスタチップ10,12を備えている。サーミスタ
チップ10,12は、温度により電気抵抗が変化するた
め、この抵抗変化を電圧又は電流の変化として出力させ
れば、温度を検出できる。
The infrared detector shown in this figure includes two thermistor chips 10 and 12. Since the electric resistance of the thermistor chips 10 and 12 changes depending on the temperature, the temperature can be detected by outputting this resistance change as a voltage or current change.

【0004】サーミスタチップ10,12は、電気絶縁
性の支持基板14上に載置固定されている。支持基板1
4はさらにステム16上に載置固定されている。ステム
16は、キャップ18と嵌め合わされ、図6に示される
ようにハーメチックシールされたケース(いわゆるハー
メチックケース)20を形成する。ハーメチックケース
20の内部には不活性気体が封入されあるいはほぼ真空
状態とされる。これによりサーミスタチップ10,12
の電気特性の経年変化等が防止される。
The thermistor chips 10 and 12 are mounted and fixed on an electrically insulating support substrate 14. Support substrate 1
Further, 4 is mounted and fixed on the stem 16. The stem 16 is fitted with the cap 18 to form a hermetically sealed case (so-called hermetic case) 20 as shown in FIG. The hermetic case 20 is filled with an inert gas or is in a substantially vacuum state. As a result, the thermistor chips 10 and 12
It is possible to prevent secular changes in the electrical characteristics of the.

【0005】サーミスタチップ10は、赤外線検出用サ
ーミスタチップである。赤外線検出のため、サーミスタ
チップ10は、キャップ18の天井に設けられシリコ
ン、ポリエチレン等から形成される赤外線入射窓22の
下に、すなわち赤外線を受光できるよう配置される。
The thermistor chip 10 is a thermistor chip for infrared detection. For infrared detection, the thermistor chip 10 is arranged under the infrared incident window 22 formed on the ceiling of the cap 18 and made of silicon, polyethylene, or the like, that is, so as to receive infrared rays.

【0006】一方、サーミスタチップ12は、温度補償
用サーミスタチップである。サーミスタチップは通常あ
る温度特性を有しており、その動作温度により出力が異
なる。赤外線が照射されないサーミスタチップ12と照
射されるサーミスタチップ10の電気抵抗の差は赤外線
による温度上昇を表しており、これにより、赤外線の検
出感度が向上する。
On the other hand, the thermistor chip 12 is a temperature compensating thermistor chip. The thermistor chip usually has a certain temperature characteristic, and its output varies depending on its operating temperature. The difference in electric resistance between the thermistor chip 12 that is not irradiated with infrared rays and the thermistor chip 10 that is irradiated with infrared rays indicates a temperature rise due to infrared rays, which improves the infrared detection sensitivity.

【0007】しかし、この従来例ではサーミスタチップ
10,12が支持基板14上に接触載置されている。従
って、サーミスタチップ10,12の等価的熱容量が大
きくなり、この結果応答性に問題が生じる。さらに、赤
外線の照射による熱エネルギがサーミスタチップ10か
ら支持基板14、ステム16を介してサーミスタチップ
12に伝達されると、サーミスタチップ10,12間の
温度差が減少し、感度上の問題となる。
However, in this conventional example, the thermistor chips 10 and 12 are placed in contact with each other on the support substrate 14. Therefore, the equivalent heat capacity of the thermistor chips 10 and 12 becomes large, resulting in a problem in responsiveness. Further, when the thermal energy generated by the irradiation of infrared rays is transferred from the thermistor chip 10 to the thermistor chip 12 via the support substrate 14 and the stem 16, the temperature difference between the thermistor chips 10 and 12 decreases, which causes a problem in sensitivity. ..

【0008】このような問題を解決するため、サーミス
タチップを他の部材とできるだけ接触させないようにし
た構成が検討されている。このような構成としては、例
えば図7に示されるような構成があげられる。
In order to solve such a problem, a structure in which the thermistor chip is kept in contact with other members as little as possible is being studied. As such a configuration, for example, the configuration shown in FIG. 7 can be cited.

【0009】この従来例において用いられるサーミスタ
チップは、図7(B)に示されるように、サーミスタチ
ップ本体24の表面両端に検出電極26,28を被着形
成した構成を有しており、この検出電極26,28に
は、リード線30,32が電気的に接続される。リード
線30,32は0.03〜0.05φ程度でPt等から
形成される細いリード線であり、これらはPt等の導電
性ペーストの焼き付けなどの手法で検出電極26,28
にそれぞれ固定される。
As shown in FIG. 7B, the thermistor chip used in this conventional example has a structure in which the detection electrodes 26 and 28 are adhered to both ends of the surface of the thermistor chip body 24. Lead wires 30 and 32 are electrically connected to the detection electrodes 26 and 28. The lead wires 30 and 32 are thin lead wires formed of Pt or the like with a diameter of about 0.03 to 0.05φ, and these are the detection electrodes 26 and 28 by a method such as baking a conductive paste such as Pt.
Fixed to each.

【0010】このような構成を有するサーミスタチップ
は、赤外線検出用サーミスタチップ34、温度補償用サ
ーミスタチップ36として、ハーメチックケース内に収
納される。図7(A)に示されるように、サーミスタチ
ップ34,36は、出力端子38とリード線30,32
により接続される。
The thermistor chip having such a structure is housed in the hermetic case as the infrared detection thermistor chip 34 and the temperature compensation thermistor chip 36. As shown in FIG. 7 (A), the thermistor chips 34, 36 include an output terminal 38 and lead wires 30, 32.
Connected by.

【0011】このとき、出力端子38との接続位置は、
ステム16から浮いた位置とする。このようにすると、
サーミスタチップ34,36はケース内部の雰囲気によ
り熱的に絶縁されるため、等価的熱容量が大きくならず
熱伝達による温度差減少を免れる。さらに、リード線3
0,32を0.03〜0.05φ程度の細いリード線と
しているため、出力端子38を介した熱エネルギの放散
をも防止できる。
At this time, the connection position with the output terminal 38 is
The position is set so as to float from the stem 16. This way,
Since the thermistor chips 34 and 36 are thermally insulated by the atmosphere inside the case, the equivalent heat capacity is not increased and the temperature difference reduction due to heat transfer is avoided. In addition, lead wire 3
Since 0 and 32 are thin lead wires of about 0.03 to 0.05φ, it is also possible to prevent heat energy from being dissipated through the output terminal 38.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図7に
示されるような構成では、応答性や検出感度は改善され
るものの、非常に細いリード線を扱わねばならないため
に組立作業の能率が悪く、よって生産性が低いという問
題があった。また、検出電極の経年変化等を避けるため
ハーメチックケースを用いなければならず、封止部の精
度の高い加工が必要で製造設備も複雑となる。これによ
り、さらに製造コスト、価格が高くなる。
However, in the configuration as shown in FIG. 7, although the response and the detection sensitivity are improved, the assembly work is inefficient because the very thin lead wire must be handled. Therefore, there was a problem of low productivity. In addition, a hermetic case must be used in order to avoid secular change of the detection electrode, and highly accurate processing of the sealing part is required, which complicates the manufacturing equipment. This further increases the manufacturing cost and price.

【0013】本発明は、このような問題を解決するため
になされたもので、応答性と検出感度が高く、しかも生
産性の高い、安価な赤外線検出器を提供することを目的
とする。
The present invention has been made in order to solve such a problem, and an object thereof is to provide an inexpensive infrared detector having high responsiveness and detection sensitivity and high productivity.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は、サーミスタチップを、内部に検出
電極が形成され、検出電極に電気的に接続される出力電
極が両端に被着形成される平板形状とし、支持基板の少
なくとも片面に凹部を形成し、凹部の両脇に出力端子用
電極を被着形成し、この凹部を跨ぎ出力電極が出力端子
用電極に電気的に接続されるようサーミスタチップを支
持基板に載置固定することを特徴とする。
In order to achieve such an object, the present invention provides a thermistor chip in which a detection electrode is formed and an output electrode electrically connected to the detection electrode is covered at both ends. The support plate is formed into a flat plate shape, a recess is formed on at least one surface of the support substrate, electrodes for output terminals are formed on both sides of the recess, and the output electrodes are electrically connected to the electrodes for output terminals across the recesses. As described above, the thermistor chip is mounted and fixed on the support substrate.

【0015】[0015]

【作用】本発明においては、支持基板の少なくとも片面
に凹部が形成され、サーミスタチップがこの凹部を跨ぐ
よう支持基板に載置固定される。従って、サーミスタチ
ップの等価的熱容量の増大や、赤外線の照射による熱エ
ネルギの放散が防止される。また、出力電極が支持基板
表面の出力端子用電極に電気的に接続されるため、細い
リード線を用いずとも良くなる。さらに、サーミスタチ
ップの検出電極がその内部に形成される。従って、検出
電極が外部雰囲気にさらされないため、ハーメチックケ
ース等を用いる必要がなくなる。
In the present invention, a recess is formed on at least one surface of the support substrate, and the thermistor chip is mounted and fixed on the support substrate so as to straddle the recess. Therefore, increase in equivalent heat capacity of the thermistor chip and dissipation of heat energy due to irradiation of infrared rays are prevented. Further, since the output electrode is electrically connected to the output terminal electrode on the surface of the supporting substrate, it is not necessary to use a thin lead wire. Further, the detection electrode of the thermistor chip is formed inside thereof. Therefore, since the detection electrode is not exposed to the external atmosphere, it is not necessary to use a hermetic case or the like.

【0016】[0016]

【実施例】以下、本発明の好適な実施例について図面に
基づき説明する。なお、図5乃至7に示される従来例と
同様の構成には同一の符号を付し説明を省略する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT A preferred embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. The same components as those of the conventional example shown in FIGS. 5 to 7 are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

【0017】図1には、本発明の第1実施例に係る赤外
線検出器の構成が示されている。この図に示されるよう
に、本実施例ではケース40がハーメチックケースでは
ない。ケース40は、天井に赤外線入射窓22が設けら
れると共に、支持基板42により底面が封止される構成
であって、この実施例ではケース40と支持基板42の
接触する部位はハーメチックシールをする必要がなく、
精密な封止による製造コストの発生を防止できる。
FIG. 1 shows the structure of an infrared detector according to the first embodiment of the present invention. As shown in this figure, the case 40 is not a hermetic case in this embodiment. The case 40 has a structure in which the infrared incident window 22 is provided on the ceiling, and the bottom surface is sealed by the support substrate 42. In this embodiment, the contact portion between the case 40 and the support substrate 42 needs to be hermetically sealed. Without
It is possible to prevent the production cost from being generated due to the precise sealing.

【0018】このようにハーメチックシールをする必要
がないのは、支持基板42上に載置固定されるサーミス
タチップ44,46が、検出電極48を内部に有する構
成であり、検出電極48が外部雰囲気にさらされないか
らである。図2には、このようなサーミスタチップ4
4,46の構成が示されている。
The reason why the hermetic seal is not necessary is that the thermistor chips 44 and 46 mounted and fixed on the support substrate 42 have the detection electrodes 48 inside, and the detection electrodes 48 are exposed to the external atmosphere. Because it is not exposed to. FIG. 2 shows such a thermistor chip 4
4, 46 configurations are shown.

【0019】図2(A)に示されるように、本実施例で
用いられるサーミスタチップは、検出電極48を内部に
有すると共にこの検出電極48と電気的に接続される2
個の出力電極50を有している。このように内部に検出
電極48を形成する方法としては、例えばシートの積層
により金属層を埋め込む手法がある。このように内部に
検出電極48を形成することにより、外部雰囲気にさら
されることが防止され、経年変化が防止される。
As shown in FIG. 2A, the thermistor chip used in this embodiment has a detection electrode 48 inside and is electrically connected to the detection electrode 48.
It has an individual output electrode 50. As a method of forming the detection electrode 48 in this way, for example, there is a method of embedding a metal layer by stacking sheets. By thus forming the detection electrode 48 inside, it is prevented from being exposed to the outside atmosphere and is prevented from aging.

【0020】このような構成を有するサーミスタチップ
44,46は、支持基板42上に載置される。載置され
る位置は、第1従来例と同様、温度検出用に用いられる
サーミスタチップ44が赤外線入射窓22の下にくるよ
うに設定され、サーミスタチップ46は、その温度補償
用に用いられる。
The thermistor chips 44 and 46 having such a structure are placed on the support substrate 42. Similar to the first conventional example, the mounting position is set so that the thermistor chip 44 used for temperature detection is below the infrared incident window 22, and the thermistor chip 46 is used for temperature compensation.

【0021】支持基板42はアルミナ等絶縁性の平板で
あり、図2(B)に示されるように、サーミスタチップ
載置面に凹部52が形成された構成である。支持基板4
2のサーミスタチップ載置面には、サーミスタチップ4
4,46が凹部52を跨いで載置された場合に出力電極
50が接触するよう、電極パタン54が、導電ペースト
(例えばAgペースト)塗布・焼き付けにより形成され
ている。この電極パタン54は、出力端子38に電気的
に接続されている。
The supporting substrate 42 is an insulating flat plate such as alumina, and has a recess 52 formed on the thermistor chip mounting surface as shown in FIG. 2B. Support substrate 4
2 thermistor chip mounting surface, thermistor chip 4
An electrode pattern 54 is formed by applying and baking a conductive paste (for example, Ag paste) so that the output electrodes 50 come into contact with each other when 4, 4 are placed across the recess 52. The electrode pattern 54 is electrically connected to the output terminal 38.

【0022】従って、サーミスタチップ44,46を図
2(B)に示されるように支持基板42状に載置し、出
力電極50を導電ペースト又は半田付けにより電極パタ
ン54に接続することにより、検出電極48が他の構成
部材(例えば支持基板42)から隔離された構成が得ら
れる。これにより、サーミスタチップ44,46の等価
的熱容量が小さくなり、赤外線による熱エネルギが赤外
線検出用サーミスタチップ44から放散することが防止
される。
Therefore, the thermistor chips 44 and 46 are mounted on the support substrate 42 as shown in FIG. 2B, and the output electrode 50 is connected to the electrode pattern 54 by a conductive paste or soldering to detect the A configuration in which the electrode 48 is isolated from other components (for example, the support substrate 42) is obtained. As a result, the equivalent heat capacity of the thermistor chips 44 and 46 becomes small, and the thermal energy due to infrared rays is prevented from being dissipated from the infrared detection thermistor chip 44.

【0023】図3には、この効果を確認するためのブリ
ッジ回路の構成が示されている。この図に示されるよう
に、サーミスタチップ44,46を直列接続した両端に
定電圧Eを印加し、またこれと並列に抵抗R1及びR2
を接続して、サーミスタチップ44と46の接続点と、
抵抗R1とR2の接続点と、の間の電圧(ブリッジ回路
の不平衡電圧)を測定する。この実施例のような構成を
採用する場合、E=5V、R1=R2=4.7kΩ、5
0℃の黒体放射源から10cmの条件で、1mVの不平
衡電圧が得られる。一方、第1従来例のような構成で
は、同条件下で0.05mVの不平衡電圧であった。す
なわち、本実施例では、感度が20倍に向上している。
さらに、応答性に関して測定した結果では、第1従来例
で3秒の時定数であるのに対し、本実施例では0.5秒
となり、応答性(時定数)が1/6に改善されている。
なお、寸法設定は後述の通りである。
FIG. 3 shows the configuration of a bridge circuit for confirming this effect. As shown in this figure, a constant voltage E is applied to both ends of the thermistor chips 44 and 46 connected in series, and resistors R1 and R2 are connected in parallel with the constant voltage E.
And the connection point between the thermistor chips 44 and 46,
The voltage between the connection point of the resistors R1 and R2 and the unbalanced voltage of the bridge circuit is measured. When adopting the configuration of this embodiment, E = 5V, R1 = R2 = 4.7kΩ, 5
An unbalanced voltage of 1 mV is obtained at 10 cm from a 0 ° C. blackbody radiation source. On the other hand, in the configuration of the first conventional example, the unbalanced voltage was 0.05 mV under the same conditions. That is, in this embodiment, the sensitivity is improved 20 times.
Further, the result of measurement on the responsiveness shows that the time constant is 3 seconds in the first conventional example, whereas it is 0.5 second in the present embodiment, and the responsiveness (time constant) is improved to 1/6. There is.
The dimension setting is as described later.

【0024】また、この実施例の構成では、出力端子3
8が絶縁性の支持基板42を貫通するよう設けられてい
る。ハーメチックケースでは、一般にステムが金属から
形成されているため、出力端子とステムとの間に電気的
絶縁層を設けねばならなかった。本実施例では、そのよ
うな必要がない。
Further, in the configuration of this embodiment, the output terminal 3
8 is provided so as to penetrate the insulating support substrate 42. In the hermetic case, since the stem is generally made of metal, an electrically insulating layer has to be provided between the output terminal and the stem. In the present embodiment, there is no such need.

【0025】さらに、サーミスタチップ44,46の検
出電極と出力端子38との電気的接続は、出力電極50
及び電極パタン54を介して行われており、細いリード
線は介在しない。従って、製造時の作業性が向上し、製
造コストの低減、ひいては価格の低減を実現できる。さ
らに、凹部52の幅(支持基板42の電極パタン54間
隔)をサーミスタチップ44,46の長さに近い値とす
ることで、出力電極50を介した熱の放散を防止でき
る。例えば、サーミスタチップ44,46の寸法を長6
(mm)×幅1(mm)×厚0.08(mm)とした場
合、凹部52の幅は5.8(mm)とすれば良い。
Further, the detection electrodes of the thermistor chips 44 and 46 and the output terminal 38 are electrically connected by the output electrode 50.
And the electrode pattern 54, and no thin lead wire is interposed. Therefore, the workability at the time of manufacturing can be improved, and the manufacturing cost and the price can be reduced. Further, by setting the width of the concave portion 52 (the interval between the electrode patterns 54 of the support substrate 42) to a value close to the length of the thermistor chips 44 and 46, it is possible to prevent heat from being dissipated through the output electrode 50. For example, if the thermistor chips 44 and 46 have a length of 6
In the case of (mm) × width 1 (mm) × thickness 0.08 (mm), the width of the recess 52 may be 5.8 (mm).

【0026】なお、この実施例では、サーミスタチップ
44,46を同一の支持基板42上に載置したが、これ
は、異なる基板に載置しても良い。
Although the thermistor chips 44 and 46 are mounted on the same support substrate 42 in this embodiment, they may be mounted on different substrates.

【0027】図4には、本発明の第2実施例に係る装置
の構成が示されている。この装置は、図2に示されるよ
うに構成されサーミスタチップ44,46が載置固定さ
れた支持基板42が、回路基板56上に固定された構成
である。回路基板56上には他の電気部品が載置されて
いる。
FIG. 4 shows the configuration of an apparatus according to the second embodiment of the present invention. This device has a structure in which the support substrate 42 having the thermistor chips 44 and 46 mounted and fixed as shown in FIG. 2 is fixed on the circuit board 56. Other electric components are mounted on the circuit board 56.

【0028】すなわち、本発明のように検出電極をサー
ミスタチップ内部に形成した構成によれば、ハーメチッ
クケースを用いることなく回路基板上に搭載でき、さら
に図4のように回路全体がケース58に収納されている
場合には、赤外線検出器のみについてのケースを必要と
しない。すなわち、回路や赤外線検出器の設計自由度が
増大する。
That is, according to the structure of the present invention in which the detection electrode is formed inside the thermistor chip, it can be mounted on the circuit board without using a hermetic case, and the entire circuit is housed in the case 58 as shown in FIG. If so, you do not need the case for infrared detectors only. That is, the degree of freedom in designing the circuit and the infrared detector increases.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
サーミスタチップの検出電極が内部に形成されるため、
ハーメチックケースが不要となり、シールのコストが発
生しないため安価な赤外線検出器が実現され、設計の自
由度が増大する。また、支持基板に凹部を設け、凹部を
跨ぐようサーミスタチップを支持基板に載置したため、
サーミスタチップの等価的熱容量を小さくでき及び熱の
放散を防止できるため、応答性や感度を向上させること
ができる。さらに、出力電極と出力端子用電極の接続に
よりサーミスタチップの出力を取り出すようにしたた
め、細いリード線を用いることなく出力端子からの熱の
放散を防止でき、作業性の向上による高生産性、製造コ
スト低減を実現できる。
As described above, according to the present invention,
Since the detection electrode of the thermistor chip is formed inside,
Since a hermetic case is not necessary and the cost of sealing does not occur, an inexpensive infrared detector is realized and the degree of freedom in design increases. In addition, since the support substrate is provided with a recess and the thermistor chip is placed on the support substrate so as to straddle the recess,
Since the equivalent heat capacity of the thermistor chip can be reduced and heat dissipation can be prevented, responsiveness and sensitivity can be improved. Furthermore, since the output of the thermistor chip is taken out by connecting the output electrode and the electrode for the output terminal, it is possible to prevent heat from being dissipated from the output terminal without using thin lead wires. Cost reduction can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1実施例に係る赤外線検出器の構成
を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing a configuration of an infrared detector according to a first embodiment of the present invention.

【図2】(A)はこの実施例で用いられるサーミスタチ
ップの構成を示す側面図であり、(B)はこのサーミス
タチップを指示する支持基板の構成及び載置態様を示す
斜視図である。
FIG. 2A is a side view showing a structure of a thermistor chip used in this embodiment, and FIG. 2B is a perspective view showing a structure and a mounting mode of a support substrate which points the thermistor chip.

【図3】この実施例による感度向上の効果を検証するた
めのブリッジ回路の回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram of a bridge circuit for verifying the effect of improving the sensitivity according to this embodiment.

【図4】本発明の第1実施例に係る回路装置の構成を示
す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing the configuration of the circuit device according to the first embodiment of the present invention.

【図5】第1従来例に係る赤外線検出器の構成を示す断
面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a configuration of an infrared detector according to a first conventional example.

【図6】ハーメチックケースの構成を示す斜視図であ
る。
FIG. 6 is a perspective view showing a configuration of a hermetic case.

【図7】(A)は第2従来例に係る赤外線検出器の構成
を示す断面図であり、(B)はこの従来例で用いられる
サーミスタチップの構成を示す斜視図である。
7A is a cross-sectional view showing the configuration of an infrared detector according to a second conventional example, and FIG. 7B is a perspective view showing the configuration of a thermistor chip used in this conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

42 支持基板 44,46 サーミスタチップ 48 検出電極 50 出力電極 52 凹部 54 電極パタン 42 Support Substrate 44,46 Thermistor Chip 48 Detection Electrode 50 Output Electrode 52 Recess 54 Electrode Pattern

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 内部に形成された検出電極、及び両端に
被着形成され検出電極に電気的に接続される出力電極を
有する平板形状のサーミスタチップと、 少なくとも片面に凹部が形成され、凹部の両脇に出力端
子用電極が被着形成され、この凹部を跨ぎ出力電極が出
力端子用電極に電気的に接続されるようサーミスタチッ
プが載置固定される電気絶縁性の支持基板と、を備える
ことを特徴とする赤外線検出器。
1. A flat plate thermistor chip having a detection electrode formed inside and an output electrode formed on both ends and electrically connected to the detection electrode, and a recess formed on at least one surface of the thermistor chip. An output terminal electrode is adhered and formed on both sides, and an electrically insulating support substrate on which a thermistor chip is mounted and fixed so that the output electrode is electrically connected to the output terminal electrode across the recess. An infrared detector characterized in that
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003028721A (en) * 2001-07-18 2003-01-29 Fuji Xerox Co Ltd Temperature detector, and fixing device using the same
JP2007501404A (en) * 2003-05-13 2007-01-25 ハイマン・センサー・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング Infrared sensor utilizing optimized surface

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2003028721A (en) * 2001-07-18 2003-01-29 Fuji Xerox Co Ltd Temperature detector, and fixing device using the same
JP2007501404A (en) * 2003-05-13 2007-01-25 ハイマン・センサー・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング Infrared sensor utilizing optimized surface

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