JPH05152272A - 電子部品材料の洗浄方法および洗浄装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高純度な洗浄溶液を用いて洗浄処理を行なう
ことによって高清浄な処理表面を得る。また、洗浄溶液
の濃度を一定に保持することにより、安定した洗浄効果
を維持する。 【構成】 洗浄溶液の原料を供給するための原料供給手
段９，１０を備え、これによって洗浄溶液生成手段１
１，１２に原料を送り込む。そして、ここで原料ガスを
化合し、液化あるいは溶液中に捕収させることによっ
て、高純度な洗浄溶液を生成する。その後、この高純度
の洗浄溶液を処理槽３に収容し、その中に被処理基板１
を浸漬することによって表面処理を行なう。さらに、捕
収槽２０内の濃度を検知する濃度検知手段２２を備え、
その検知結果に応じて洗浄溶液の生成量を洗浄溶液生成
量制御手段２３により制御する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体、電子デバイ
スなど電子部品材料の製造工程における表面精密洗浄、
レジスト除去、エッチングなどの表面処理を行なうため
の洗浄方法および洗浄装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、電子部品材料の製造工程には
表面精密洗浄、レジスト除去、エッチングなどの表面処
理工程が組込まれている。以下に、従来の洗浄方法およ
び洗浄装置について、図６および図７を用いて説明す
る。図６は、従来の洗浄装置の概略構成を示す図であ
る。また、図７は、従来の一般的な洗浄方法を示す図で
ある。

【０００３】図６を参照して、従来の洗浄装置は、処理
槽３３と、過酸化水素（Ｈ₂ Ｏ₂ ）水収容容器３７と、
過酸化水素水以外の薬品を収容する容器３４とで構成さ
れている。処理槽３３には、被処理基板３１を保持運搬
するためのカセット３２が取付けられており、過酸化水
素水収容容器３７から処理槽３３内に過酸化水素水を供
給するためのパイプおよび過酸化水素水以外の薬品の収
容容器３４から過酸化水素水以外の薬品を供給するため
のパイプが挿着されている。また、処理槽３３には、処
理槽３３内へ純水（Ｈ₂ Ｏ）を供給するためのバルブ４
０および排液用のバルブ４１が取付けられている。

【０００４】過酸化水素水収容容器３７から処理槽３３
内へ過酸化水素水を供給するパイプには、ポンプ３８お
よびフィルタ３９が設けられている。また、過酸化水素
水以外の薬品の収容容器３４から処理槽３３へ過酸化水
素水以外の薬品を供給するためのパイプには、ポンプ３
５およびフィルタ３６が設けられている。

【０００５】次に、上記の構造を有する洗浄装置を用い
た洗浄方法の一例について、図６および図７を用いて説
明する。

【０００６】まず、図６を参照して、純水（Ｈ₂ Ｏ）供
給用のバルブ４０を開くことによって純水を処理槽３３
内に供給する。次に、半導体用として市販されている過
酸化水素水が収容されたタンク３７からポンプ３８を用
いて過酸化水素水を汲上げ、フィルタ３９を通して処理
槽３３内に過酸化水素水を供給する。

【０００７】また、過酸化水素水以外の薬品、たとえば
硫酸（Ｈ₂ ＳＯ₄ ）と過酸化水素水とを混合して用いる
場合は、過酸化水素水以外の薬品を収容するために設け
られた収容槽３４から、ポンプ３５およびフィルタ３６
を介して上記と同様の方法で処理槽３内に過酸化水素水
以外の薬品、この場合であれば硫酸が供給される。

【０００８】このとき、各薬液の濃度は、処理槽３３内
に供給される各薬液の量を制御することによって調整さ
れる。そして、所定濃度の混合液が生成された後、この
混合液に被処理基板３１が保持されたカセット３２を浸
漬することによって、被処理基板３１の表面処理が行な
われる。より具体的には、硫酸と過酸化水素水との混合
液に被処理基板３１を浸漬することによって、レジスト
と有機物成分を被処理基板３１表面から除去する（ステ
ップＳ２０）。

【０００９】その後、排液用バルブ４１を開くことによ
って、表面処理後の排液を排出し、水洗（ステップＳ２
１）が行なわれる。その後、上記と同様の方法を用いて
アンモニア（ＮＨ₄ ＯＨ）と過酸化水素水との混合液を
生成し、この混合液に被処理基板３１を浸漬することに
よって、微量あるいは微小な粒子状の汚染物を除去する
（ステップＳ２２）。

【００１０】そして、水洗工程（ステップＳ２３）を経
た後、塩酸（ＨＣｌ）と過酸化水素水の混合液を上記と
同様の方法を用いて作製し、この混合液に被処理基板３
１を浸漬することによって、金属系の不純物を除去する
（ステップＳ２４）。その後、水洗を行なう（ステップ
Ｓ２５）。なお、図には記載していないが、表面処理を
行なう際に薬液を加熱することも行なわれる。また、弗
酸（ＨＦ）と過酸化水素水との混合液を用いて、酸化膜
を除去する場合などにも上記の洗浄装置は使用され得
る。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
洗浄工程においては、洗浄溶液は、半導体用として市販
されている薬品を使用していた。しかし、この市販され
ている薬品には、多少なりとも不純物が含まれていた。
特に、過酸化水素水には、安定剤として微量のＡｌ等が
添加されており、また運搬時にＦｅ，Ａｌ系容器を用い
ていたため、たとえばＡｌが数十から数百ｐｐｔレベル
で含まれていた。

【００１２】上記の濃度レベルの金属不純物を瀘過して
除去することは困難なため、たとえばアンモニア（ＮＨ
₄ ＯＨ）と過酸化水素水との混合液を用いて洗浄を行な
った場合、被処理基板がシリコンの場合、ＡｌまたはＦ
ｅなどの金属不純物による表面汚染が、１０¹¹〜１０¹²
ａｔｏｍｓ／ｃｍ² のオーダーで発生した。このため、
電子部品等の薄膜中に不純物が残存し、リーク電流が発
生しやすいという問題、酸化膜の耐圧特性が悪くなると
いう問題等が生じた。

【００１３】また、一度調合した薬液を数回に亘り使用
する場合には、過酸化水素水が徐々に分解し、その濃度
が低下する。それにより、洗浄効果の低下が生じるとい
う問題点があった。

【００１４】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたものであり、極めて高純度の過酸化水素
水を処理装置内で連続的に発生させ、処理槽内の過酸化
水素水濃度を一定に維持することにより、極めて高清浄
な処理表面を効果的に得ることを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】この発明に基づく電子部
品材料の洗浄方法は、処理槽内に洗浄溶液を収容し、こ
の洗浄溶液に洗浄対象物を浸漬することによって洗浄を
行なう洗浄方法を前提としている。まず、洗浄溶液生成
のための複数種類の原料を供給し、供給された複数種類
の原料を混合して化学反応させることによって洗浄溶液
を生成する。そして、洗浄溶液を処理槽に収容し、洗浄
溶液に洗浄対象物を浸漬することによって洗浄を行な
う。

【００１６】また、上記の洗浄方法は、生成された洗浄
溶液を収容槽に収容し、収容槽内の洗浄溶液の濃度を濃
度検知手段によって検知する工程と、この濃度検知手段
によって検知された濃度に応じて洗浄溶液の生成量を制
御する工程とを備えたものであってもよい。また、上記
の洗浄方法は、処理槽内の濃度を濃度検知手段によって
検知する工程と、この濃度検知手段によって検知された
濃度に応じて洗浄溶液生成量を制御する工程とを備えた
ものであってもよい。

【００１７】この発明に基づく洗浄装置は、洗浄溶液生
成のための複数種類の原料を供給する原料供給手段を備
えており、この原料供給手段によって供給された複数種
類の原料を混合して化学反応させることによって洗浄溶
液を生成する洗浄溶液生成手段を備えている。そして、
この洗浄溶液生成手段によって生成された洗浄溶液を収
容し、洗浄対象物の洗浄を行なう処理槽を備えている。

【００１８】また、上記の洗浄装置は、洗浄溶液生成手
段によって生成された洗浄溶液を一時収容するための収
容槽と、この収容槽内の洗浄溶液の濃度を検知するため
の濃度検知手段と、この濃度検知手段によって検知され
た濃度に応じて洗浄溶液生成量を制御するための洗浄溶
液生成量制御手段とを備えてもよい。また、上記の洗浄
装置は、処理槽内の洗浄溶液の濃度を検知するための濃
度検知手段と、この濃度検知手段によって検知された濃
度に応じて洗浄溶液生成量を制御するための洗浄溶液生
成量制御手段とを備えてもよい。

【００１９】

【作用】この発明に基づく洗浄方法および洗浄装置によ
れば、装置内に設けられた原料供給手段で供給された複
数種類の原料を混合して化学反応させることによって洗
浄溶液を生成する。それにより、装置内において、高純
度の原料を用いて洗浄溶液を生成することが可能とな
る。また、安定剤としてＡｌ等を添加することもなく、
金属不純物等が混入することもないので、金属不純物等
を含まない高純度の洗浄溶液を得ることが可能となる。

【００２０】それにより、洗浄対象物への金属不純物の
付着を著しく低減させることが可能となる。また、収容
槽あるいは処理槽に、洗浄溶液の濃度を検知するための
濃度検知手段と、この濃度検知手段に接続され、洗浄溶
液生成量を制御するための洗浄溶液生成量制御手段とを
備えた場合には、この濃度検知手段によって検知された
濃度に応じて洗浄溶液生成量を制御することが可能とな
る。それにより、処理槽内の洗浄溶液の濃度を一定に維
持することが可能となり、安定した洗浄効果を維持する
ことが可能となる。

【００２１】

【実施例】以下に、この発明に基づく電子部品材料の洗
浄方法および洗浄装置の実施例について、図１ないし図
５を用いて説明する。図１は、この発明に基づく洗浄装
置における第１の実施例の概略構成を示す図である。図
１を参照して、この発明に基づく第１の実施例における
洗浄装置は、処理槽３と、過酸化水素（Ｈ₂ Ｏ₂ ）水を
収容する収容槽１５と、過酸化水素水以外の薬品を収容
するための収容槽４と、過酸化水素水生成のための原料
となる水素および酸素を装置内に供給するためのマスフ
ローコントローラ９，１０と、水素と酸素を化合させる
ための放電部１１とで構成されている。

【００２２】処理槽３および収容槽４，１５については
従来と同様の構造であるため説明は省略する。マスフロ
ーコントローラ９，１０の一方端は、パイプを介して放
電部１１と接続されており、このパイプにはそれぞれバ
ルブ１８およびバルブ１９が取付けられている。また、
マスフローコントローラ９、１０の他方端は、高純度の
水素、酸素を供給するためのガス生成装置（図示せず）
に接続されている。放電部１１には、電源１２が接続さ
れている。

【００２３】また、放電部１１で生成された過酸化水素
ガスを凝縮するための凝縮槽１３が放電部１１に接続さ
れている。すなわち、放電部１１は、凝縮槽１３を介し
て収容槽１５に接続されていることになる。また、凝縮
槽１３には、循環ブロワ１４の一方端がパイプを介して
接続されており、この循環ブロワ１４の他方端は、放電
部１１の上流側のパイプに接続されている。これによ
り、凝縮槽１３内における未反応の水素ガスおよび酸素
ガスが再び放電部１１に送り込まれ得ることになる。

【００２４】上記の構造を有する洗浄装置において、ま
ず、バルブ１８および１９を開くことにより、ガス生成
装置（図示せず）で処理された高純度の水素および酸素
を供給する。このとき、ガス流量は、水素，酸素混合気
体中のそれぞれの濃度が一定になるようにマスフローコ
ントローラ９，１０で制御している。このようにして供
給された水素および酸素は、放電部１１に送り込まれ
る。放電部１１は、放電電極間に石英ガラスなどの誘電
体を挟んだ状態の電極構造を有し、この電極間に電源１
２から交流高電圧が印加される。

【００２５】それにより、過酸化水素ガスが生成され
る。そして、ここで生成された過酸化水素ガスは、放電
部１１の下流側に設けられた凝縮槽１３に送り込まれ、
その中で凝縮され液体となる。そして、液体となった過
酸化水素は、収容槽１５内に蓄積される。このとき、凝
縮は、たとえば冷却捕収方式で行なわれる。また、過酸
化水素ガス以外の未反応の水素、酸素ガスは、循環ブロ
ワ１４によって、再度放電部１１に供給される。

【００２６】ここで、過酸化水素水の一生成例について
説明する。まず、酸素濃度が２．５％、他は水素となる
ように、また、このときの圧力が１．４ａｔｍとなるよ
うにマスフローコントローラ９、１０で調整し、放電電
力を３５０Ｗとする。この条件下で過酸化水素水を生成
した場合、約８０％の過酸化水素水が１０ｇ／ｈｏｕｒ
程度得られる。これは、所定の大きさの放電管を１本用
いた場合の値であり、放電管を複数設けた場合にはその
分発生量は増加する。

【００２７】このようにして生成された過酸化水素水
は、高純度の原料ガス（水素、酸素）から生成され、パ
イプ等にＦｅ、Ａｌ等の金属系のものを用いない場合に
は、金属不純物の混入も防止できるので、金属等の不純
物の非常に少ない高純度のものとなっている。その後、
収容槽１５に蓄えられた過酸化水素水をポンプ１６を用
いて汲上げ、フィルタ１７を介して処理槽３内に供給す
る。そして、過酸化水素水以外の洗浄溶液と混合する場
合には、収容槽４からポンプ５およびフィルタ６を介し
て処理槽３内に過酸化水素水以外の洗浄溶液が供給され
る。

【００２８】そして、収容槽３内には所定量の洗浄溶液
が供給された後、カセット２に保持された被処理基板１
を洗浄溶液に浸漬することによって表面処理を行なう。
このとき、処理槽３内に供給される過酸化水素水に含ま
れる金属不純物の濃度は、数ｐｐｔ以下になっている。
そのため、このような高純度の過酸化水素水を含む洗浄
溶液を用いた洗浄処理においては、被処理基板１への金
属不純物への付着を著しく低減することが可能となる。

【００２９】次に、上記の第１の実施例における洗浄方
法について図４を用いて説明する。図４は、この発明に
基づく第１の実施例における洗浄方法を示すブロック図
である。図４に示すように、まず、装置内に過酸化水素
水生成のための原料となる水素および酸素を供給する
（ステップＳ１）。次に、原料ガスを放電部１１に送り
込み、高電圧を印加することによって、過酸化水素ガス
を発生させ、その後その過酸化水素ガスを凝縮すること
によって過酸化水素水を生成する（ステップＳ２）。

【００３０】その後、処理槽３内で硫酸（Ｈ₂ ＳＯ₄ ）
と過酸化水素水との混合液を生成し、その混合液の中に
被処理基板を浸漬することによってレジスト等の有機物
成分を被処理基板表面から除去する（ステップＳ３）。
そして、水洗工程（ステップＳ４）を経てアンモニア
（ＮＨ₄ ＯＨ）と過酸化水素水との混合液を作製し、そ
の混合液に被処理基板を浸漬することによって、微量あ
るいは微小な粒子状の汚染物を除去する（ステップＳ
５）。その後、水洗工程（ステップＳ６）を経て塩酸
（ＨＣｌ）と過酸化水素水の混合液を作製し、この混合
液に被処理基板を浸漬することによって、金属系の不純
物を除去する（ステップＳ７）。その後、水洗を行なう
（ステップＳ８）。

【００３１】次に、図２を参照して、この発明に基づく
第２の実施例における洗浄装置ついて説明する。図２
は、この発明に基づく第２の実施例における洗浄装置の
概略構成を示す図である。この第２の実施例における洗
浄装置の構成については、上記の第１の実施例との比較
のもとに説明する。

【００３２】図２を参照して、この第２の実施例におけ
る洗浄装置は、上記の第１の実施例が備えていた収容槽
１５の代わりに捕収槽２０を備えている。そして、この
捕収槽２０には、純水（Ｈ₂ Ｏ）を供給するためのバル
ブ２１が取付けられている。また、この捕収槽２０に
は、捕収槽２０内に収容されている過酸化水素水の濃度
を検知するための濃度検知手段２２が接続されており、
この濃度検知手段２２には、過酸化水素水の生成量を制
御するための洗浄溶液生成量制御手段２３が接続されて
いる。

【００３３】この洗浄溶液生成量制御手段２３は、マス
フローコントローラ９，１０および電源部１２に接続さ
れており、それぞれを制御することによって、過酸化水
素水の生成量を制御する。また、上記の第１の実施例に
おける洗浄装置に設置されていた凝縮槽１３は、第２の
実施例では取除かれている。すなわち、放電部１１で生
成された過酸化水素ガスが、直接、捕収槽２０に送り込
まれることになる。

【００３４】以上のような構成を有する洗浄装置におい
て、まずバルブ１８およびバルブ１９を開くことによ
り、ガス生成装置で処理された高純度の水素および酸素
を放電部１１に供給し、電源部１２の働きにより高電圧
を放電部に印加することによって、過酸化水素ガスを発
生させる。このとき、捕収槽２０には、バルブ２１を開
くことによって純水が所定量供給されている。そして、
この捕収槽２０内に収容されている純水中に放電部１１
で発生させた過酸化水素ガスをバブリングさせることに
より、過酸化水素を捕収する。このとき、未反応の水素
および酸素は、ブロワ１４によって再び放電部１１に供
給される。

【００３５】このようにして生成される過酸化水素水の
濃度は、捕収槽２０に接続された濃度検知手段２２によ
って連続的にモニタされる。そして、その結果に応じて
洗浄溶液生成量制御手段２３によって、放電部１２およ
びマスフローコントローラ９，１０を制御し、捕収槽２
０内の過酸化水素水の濃度を一定に保持する。

【００３６】このように、捕収槽２０内で一定濃度に保
持されている過酸化水素水をポンプ１６およびフィルタ
１７を介して処理槽３内に供給する。そして、前述と同
様の方法で被処理基板１の表面処理を行なう。このと
き、処理槽３内に供給される過酸化水素水は、高純度か
つ所望の濃度に保持されているため、高清浄かつ効果的
な表面処理が可能となる。

【００３７】次に、図５を参照して、上記の第２の実施
例における洗浄装置を用いた洗浄方法の一例について説
明する。図５は、上記の第２の実施例における洗浄装置
を用いた場合の洗浄方法および後述する第３の実施例に
基づく洗浄方法の一例を包含したブロック図である。

【００３８】図５を参照して、ステップＳ１〜ステップ
Ｓ８までは前述の第１の実施例で説明したのでその説明
は省略する。第２の実施例に基づく洗浄装置において
は、過酸化水素水を生成した後に、その過酸化水素水の
濃度を検知し（ステップＳ１０）、その検知結果に応じ
て過酸化水素水生成量を制御する（ステップＳ９）。そ
れにより、所望の濃度の過酸化水素水が得られ、それを
用いて洗浄処理を行なうことが可能となる。

【００３９】次に、この発明に基づく第３の実施例にお
ける洗浄装置について図３を用いて説明する。図３は、
この発明に基づく第３の実施例における洗浄装置の概略
構成を示す図である。図３を参照して、この第３の実施
例に基づく洗浄装置は、処理槽３に濃度検知手段２２が
接続されており、処理槽３内の過酸化水素水の濃度を検
知できるようになっている。そして、この濃度検知手段
２２には過酸化水素水生成量制御手段２３が接続されて
いる。

【００４０】この過酸化水素水生成量制御手段２３は、
電源部１２およびマスフローコントーラ１０，９に接続
されている。そして、放電部１１で生成された過酸化水
素ガスは処理槽３内に送り込まれ、バブリングさせるこ
とによって処理槽３内に予め収容されていた純水に捕収
される。

【００４１】上記のような構造を有する洗浄装置におい
て、バルブ１８およびバルブ１９を開くことによって、
放電部１１に過酸化水素水（Ｈ₂ Ｏ₂ ）の原料となる水
素および酸素ガスを供給する。そして、電源部１２によ
り高電圧を印加することによって、放電部１１に過酸化
水素ガスを発生させる。そして、放電部１１で生成され
た過酸化水素ガスは、処理槽３内に予めバルブ７を通し
て収容されている純水中にバブリングされることによっ
て捕収される。

【００４２】このとき、未反応の酸素および水素は、ブ
ロワ１４によって再度放電部１１に供給される。処理槽
３内の過酸化水素の濃度は、濃度検知手段２２によって
検知され、その検知された濃度に応じて洗浄溶液生成量
制御手段２３によって、マスフローコントローラ９，１
０および電源部１２が制御される。それにより、過酸化
水素ガス生成量をコントロールする。その結果、処理槽
３内の過酸化水素濃度は一定に維持される。このよう
に、処理槽３内の過酸化水素濃度を一定に保持すること
により、常に安定した洗浄効果を維持することが可能と
なる。

【００４３】次に、図５を参照して、この第３の実施例
に基づく洗浄方法の一例について説明する。図に示すよ
うに、第１の実施例で説明したステップＳ１〜Ｓ８に加
えて、この第３の実施例においては、ステップＳ１１と
ステップＳ９とが設けられている。すなわち、各々の洗
浄処理（ステップＳ３，ステップＳ５，ステップＳ７）
において、処理槽３内の過酸化水素の濃度を検知し（ス
テップＳ１１）、その検知された濃度に応じて過酸化水
素生成量を制御するものである（ステップＳ９）。

【００４４】このように、処理槽３内の過酸化水素の濃
度を常に一定に維持することによって、常に安定した洗
浄効果を維持することができ、極めて高清浄な表面処理
を効果的に行なうことが可能となる。

【００４５】なお、上述の実施例では、過酸化水素水
（Ｈ₂ Ｏ₂）を生成する場合について説明したが、他の
薬品、例えばアンモニア（ＮＨ₃ ）等を生成し、それを
用いて洗浄処理を行なってもよい。

【００４６】

【発明の効果】この発明によれば、装置内において、高
純度の水素、酸素ガスを原料として過酸化水素水を生成
することが可能となる。このため、生成された過酸化水
素水は、不純物をほとんど含まない高純度のものとなっ
ている。そして、このような高純度の過酸化水素水を用
いて表面処理を行なうことにより、金属不純物および微
小な有機無機粒子などの汚染物の付着のない高清浄な処
理表面を得ることが可能となる。

【００４７】また、過酸化水素水の濃度を一定に保持す
る手段を備えた場合には、処理液中の過酸化水素濃度を
経時的に一定に維持することが可能となる。それによ
り、経時的に安定した洗浄効果を維持することが可能と
なる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に基づく第１の実施例における洗浄装
置の概略構成を示す模式図である。

【図２】この発明に基づく第２の実施例における洗浄装
置の概略構成を示す模式図である。

【図３】この発明に基づく第３の実施例における洗浄装
置の概略構成を示す模式図である。

【図４】この発明に基づく第１の実施例における洗浄方
法の一例を示すブロック図である。

【図５】この発明に基づく第２および第３の実施例にお
ける洗浄方法の一例を示すブロック図である。

【図６】従来の洗浄装置の概略構成を示す模式図であ
る。

【図７】従来の洗浄装置を用いた洗浄方法の一例を示す
ブロック図である。

【符号の説明】

１，３１ 被処理基板 ３，３３ 処理槽 ４，１５，３４，３７ 収容槽 ２０ 捕収槽 ９，１０ マスフローコントローラ １１ 放電部 １２ 電源部 ２２ 濃度検知手段 ２３ 洗浄溶液生成量制御手段

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理槽内に洗浄溶液を収容し、この洗浄
   溶液に洗浄対象物を浸漬することによって洗浄を行なう
   電子部品材料の洗浄方法であって、 前記洗浄溶液生成のための複数の種類の原料を供給する
   工程と、 前記洗浄溶液を生成する工程と、 前記洗浄溶液を処理槽内に収容し、洗浄対象物を洗浄す
   る工程と、 を備えた電子部品材料の洗浄方法。
2. 【請求項２】 生成された前記洗浄溶液を収容槽内に収
   容する工程と、 前記収容槽内の前記洗浄溶液の濃度を濃度検知手段によ
   って検知する工程と、 前記濃度検知手段によって検知された濃度に応じて、前
   記洗浄溶液の生成量を制御する工程と、 を備えた請求項１に記載の電子部品材料の洗浄方法。
3. 【請求項３】 前記処理槽内の洗浄溶液の濃度を濃度検
   知手段によって検知する工程と、 前記濃度検知手段によって検知された濃度に応じて洗浄
   溶液生成量を制御する工程と、 を備えた請求項１に記載の電子部品材料の洗浄方法。
4. 【請求項４】 処理槽内に洗浄溶液を収容し、この洗浄
   溶液に洗浄対象物を浸漬することによって洗浄を行なう
   電子部品材料の洗浄装置であって、 前記洗浄溶液生成のための複数種類の原料を供給する原
   料供給手段と、 前記原料供給手段により供給された前記複数種類の原料
   を混合して化学反応させることにより、前記洗浄溶液を
   生成する洗浄溶液生成手段と、 前記洗浄溶液生成手段によって生成された前記洗浄溶液
   を収容し、洗浄対象物の洗浄を行なうための処理槽と、 を備えた電子部品材料の洗浄装置。
5. 【請求項５】 前記洗浄溶液生成手段によって生成され
   た前記洗浄溶液を一時収容するための収容槽と、 前記収容槽内の前記洗浄溶液の濃度を検知するための濃
   度検知手段と、 前記濃度検知手段によって検知された濃度に応じて洗浄
   溶液生成量を制御するための洗浄溶液生成量制御手段
   と、 を備えた請求項４に記載の電子部品材料の洗浄装置。
6. 【請求項６】 前記処理槽内の洗浄溶液の濃度を検知す
   るための濃度検知手段と、 前記濃度検知手段によって検知された濃度に応じて洗浄
   溶液生成量を制御するための洗浄溶液生成量制御手段
   と、 を備えた請求項４に記載の電子部品材料の洗浄装置。