JPH05151785A - Content-addressable memory - Google Patents

Content-addressable memory

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JPH05151785A
JPH05151785A JP31092191A JP31092191A JPH05151785A JP H05151785 A JPH05151785 A JP H05151785A JP 31092191 A JP31092191 A JP 31092191A JP 31092191 A JP31092191 A JP 31092191A JP H05151785 A JPH05151785 A JP H05151785A
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memory
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Abstract

PURPOSE:To decide a various size relation between retrieval data and word data with a small circuit scale by providing a comparator circuit and a coincidence detection circuit at every memory cell and deciding the various size relation from the outputs of the circuits. CONSTITUTION:The coincidence detection circuits is provided at every memory cell and the bit data fellow corresponding each other of the inputted retrieval data and respective word data are compared and a coincidence signal separating the coincidence/noncoincidence of these bit data is outputted. Further, a various size comparator circuit consisting of transistors T4, T5, T6, T7 and T20, T21 is provided and a deciding signal separating whether the bit data of one data side of the retrieval data and respective word data is larger than the bit data of the other data side or not is outputted. These outputs are led to a transmission gate switch network and the various size relation is decided.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、記憶された多数の情報
の中から所望とする情報を検索し、該所望とする情報も
しくはその情報が記憶されたメモリのアドレスを出力す
る内容アドレス式メモリ(Content Addressable Memory
、連想メモリ;Associative Memory)に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention retrieves desired information from a large number of stored information and outputs the desired information or the address of the memory in which the desired information is stored. (Content Addressable Memory
, Associative Memory).

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、上記のような検索機能を備えた内
容アドレス式メモリが提案されている。図5は、従来の
内容アドレス式メモリの一例を表わした回路ブロック図
である。この内容アドレス式メモリ10には、1ビット
単位のビットデータ8ビット分を1ワードとするワード
データが記憶される、互いに図の横方向に並ぶ8ビット
のメモリセルからなるワードメモリ11a,11b,
…,11fを多数(ここでは簡単のため6個のみとす
る)備えたメモリ11が備えられている。またこの内容
アドレスメモリ10は、1ワードの検索データが入力さ
れラッチされる検索データレジスタ12と、検索データ
レジスタ12にラッチされた検索データのうちどのビッ
トを検索に用いるかを定めるマスクレジスタ13とを備
え、検索データレジスタ12にラッチされた検索データ
のうち、マスクレジスタ13にラッチされたマスクデー
タの、理論’0’に対応するビット部分のみの第1のビ
ットパターンと、メモリ11内の各ワードメモリ11
a,11b,…,11fに記憶されたワードデータのう
ち、マスクレジスタ13にラッチされたマスクデータの
論理’0’に対応するビット部分のみの第2のビットパ
ターンとの一致不一致が比較され、該各ワードメモリ1
1a,11b,…,11fのそれぞれに対応して備えら
れた検索一致線14a,14b,…,14fのうちビッ
トパターンが一致したメモリ11a,11b,…,11
fに対する検索一致線14a,14b,…,14fに論
理’1’の一致信号、それ以外の一致線14a,14
b,…,14fに論理’0’の一致信号が出力される。
2. Description of the Related Art Recently, a content addressable memory having a search function as described above has been proposed. FIG. 5 is a circuit block diagram showing an example of a conventional content addressable memory. The content-addressable memory 10 stores word data in which one bit is made up of 8 bits of bit data, and the word memories 11a, 11b are composed of 8-bit memory cells arranged in the horizontal direction of the drawing.
A memory 11 having a large number of 11f (here, only 6 for simplicity) is provided. The content address memory 10 also includes a search data register 12 into which one word of search data is input and latched, and a mask register 13 that determines which bit of the search data latched in the search data register 12 is used for the search. Of the search data latched in the search data register 12, the first bit pattern of only the bit portion corresponding to the theory “0” of the mask data latched in the mask register 13 and each of the memory 11 Word memory 11
Of the word data stored in a, 11b, ..., 11f, the match / mismatch with the second bit pattern of only the bit part corresponding to the logic “0” of the mask data latched in the mask register 13 is compared, Each word memory 1
, 11f among the search matching lines 14a, 14b, ..., 14f provided corresponding to the respective 1a, 11b ,.
, 14f for the search match lines 14a, 14b, ..., 14f, and match lines 14a, 14
A match signal of logic "0" is output to b, ..., 14f.

【0003】以下、マスクレジスタ13にラッチされた
マスクデータについては特に言及せず、マスクデータに
よりマスクされた後の検索データ、ワードデータについ
ても単にそれぞれ検索データ、ワードデータと称する。
図6は、検索データとワードデータとの一致不一致を検
出する、1ビット分の一致検出回路の例を示した回路図
である。
Hereinafter, the mask data latched in the mask register 13 is not particularly referred to, and the search data and word data masked by the mask data are also simply referred to as search data and word data, respectively.
FIG. 6 is a circuit diagram showing an example of a 1-bit match detection circuit that detects match / mismatch between search data and word data.

【0004】検索データを構成する所定のビットデータ
をI、このビットデータIと対応する、ワードデータ側
のビットデータをm、I,mの反転データをそれぞれ
I’,m’としたとき、図6に示すような2つのトラン
ジスタT1、T2を用いた一致検出回路19によりこの
一致検出回路19からIとmとのイクスクルーシブオア
信号Exが出力される。
When predetermined bit data constituting the search data is I, bit data on the word data side corresponding to this bit data I is m, and inverted data of I, m is I ', m', respectively. The coincidence detection circuit 19 using two transistors T1 and T2 as shown in FIG. 6 outputs the exclusive OR signal Ex of I and m from the coincidence detection circuit 19.

【0005】ここで検索一致線MLに一致信号を出力す
るには、先ずトランジスタT4のゲート信号S1をHレ
ベルにして検索一致線MLに電荷をチャージした後該信
号S1をLレベルにする。その後互いに対応するビット
データ毎に備えられた一致検出回路19により、イクス
クルーシブオア信号Exを得、全てのビットに関してイ
クスクルーシブオア信号Exが決定された後、トランジ
スタT5のゲート信号S2がHレベルとなる。このと
き、1ビットでも不一致であればそのビットデータに対
応するイクスクルーシブオア信号Exが’1’となり検
索一致線MLにチャージされた電荷はトランジスタT
3、配線SL、およびトランジスタT5を経由して放電
されることになる。したがって検索データとワードデー
タとが一致すると検索一致線MLにHレベルの一致信
号、1ビットでも相違すると検索一致線MLにLレベル
の一致信号が出力される。
To output a match signal to the search match line ML, first, the gate signal S1 of the transistor T4 is set to H level to charge the search match line ML and then the signal S1 is set to L level. After that, the exclusive OR signal Ex is obtained by the coincidence detection circuit 19 provided for each bit data corresponding to each other, and after the exclusive OR signal Ex is determined for all the bits, the gate signal S2 of the transistor T5 becomes H level. It becomes a level. At this time, if even one bit does not match, the exclusive OR signal Ex corresponding to the bit data becomes "1", and the charge charged in the search match line ML becomes the transistor T.
3, the line SL, and the transistor T5 are discharged. Therefore, if the search data and the word data match, a match signal of H level is output to the search match line ML, and if even one bit is different, a match signal of L level is output to the search match line ML.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】通常の内容アドレス式
メモリでは、上記のように検索データを入力して、記憶
された多数のワードデータの中から検索データと一致す
るワードデータを検索する構成を備えているが、検索デ
ータの値以上の値を有するワードデータ、検索データの
値未満の値を有するワードデータ等大小比較を行う機能
は付与されていない。この場合、種々の値を有する検索
データを順次入力して検索してマイクロプロセッサ等で
処理すること等により結果的に大小比較を行う必要があ
るが、一致の条件のみで検索すると、その検索範囲が非
常に広い場合や一致条件が存在しない場合等に検索すべ
きデータ量が増大し、検索に長時間を要するという問題
を生じる。
In a normal content addressable memory, search data is input as described above, and word data that matches the search data is searched from among a large number of stored word data. However, it is not provided with a function of performing size comparison such as word data having a value greater than or equal to the value of the search data and word data having a value less than the value of the search data. In this case, it is necessary to sequentially input search data having various values and perform a search to process the results with a microprocessor, etc., but as a result compare the magnitudes. Is very wide or there is no matching condition, the amount of data to be searched increases, which causes a problem that the search takes a long time.

【0007】この問題を解決するために内容アドレス式
メモリ自体に組み込む大小関係を判定する回路が提案さ
れている(特開平1−175029号公報、特開昭63
−144495号公報参照)。しかし、上記特開平1−
175029号公報に提案された回路は、各メモリセル
(1ビット)あたり6〜7トランジスタ+1アンドゲー
ト必要とし、アンドゲートは一般に大きく、通常トラン
ジスタ6個分とされるため、結局各メモリセルあたり1
2〜13個のトランジスタを必要とする。内容アドレス
式メモリには通常極めて多数のメモリセルが備えられて
いるため、このように各メモリセルあたり12〜13個
ものトランジスタを付加すると全体として厖大な規模の
回路となり、LSI化した場合のチップ面積を大きく広
げてしまう結果となる。また上記特開昭63−1444
95号公報に提案された回路は、上記と比べ小さい回路
で同等の機能が実現されているが、それでも各メモリセ
ルにあたり8個のトランジスタを必要とし、まだまだ回
路規模が大きく、さらに回路規模を削減することが要請
される。
In order to solve this problem, there has been proposed a circuit for determining the magnitude relation incorporated in the content addressable memory itself (Japanese Patent Laid-Open Nos. 1-175029 and 63/63).
(See Japanese Patent Publication No. 144495). However, JP-A-1-
The circuit proposed in Japanese Patent No. 175029 requires 6 to 7 transistors + 1 AND gate for each memory cell (1 bit), and the AND gate is generally large, and is normally 6 transistors.
It requires 2 to 13 transistors. Since the content addressable memory is usually provided with an extremely large number of memory cells, adding 12 to 13 transistors to each memory cell results in an enormous scale circuit as a whole. As a result, the area will be greatly expanded. Further, the above-mentioned JP-A-63-1444
The circuit proposed in Japanese Patent Publication No. 95 has the same function as a circuit smaller than the above, but still requires eight transistors for each memory cell, and the circuit scale is still large, further reducing the circuit scale. Required to do so.

【0008】本発明は、上記事情に鑑み、入力された検
索データと記憶された各ワードデータとの大小関係を判
定する機能を、従来提案されている回路構成と比べ小さ
い回路規模で実現した内容アドレス式メモリを提供する
ことを目的とする。
In view of the above circumstances, the present invention realizes a function of determining the magnitude relationship between input search data and stored word data with a circuit scale smaller than that of a conventionally proposed circuit configuration. The purpose is to provide an addressable memory.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の内容アドレス式メモリは、 (a) 1ビット単位のビットデータの1ワード分の集
合からなるワードデータを記憶するワードメモリが多数
配列されてなるメモリ (b) 該メモリを構成する、各ビットデータを記憶す
る各メモリセル毎に備えられた、入力された検索データ
と各ワードメモリに記憶された各ワードデータの互いに
対応するビットデータどうしを比較して、これらのビッ
トデータの一致と不一致とを区別する一致信号を出力す
る多数の一致検出回路 (c) 各メモリセル毎に備えられた、検索データと各
ワードデータの互いに対応するビットデータどうしを比
較して、検索データと各ワードデータのうちの一方のデ
ータ側のビットデータが他方のデータ側のビットデータ
よりも大きいか否かを区別する判定信号を出力する多数
の大小比較回路 (d) 各ワードメモリ毎に備えられた、所定の信号伝
達の起点となる信号入力端子と、第1及び第2の信号出
力端子と、該信号入力端子から入力された所定の信号
が、該各ワードメモリの上位ビット側から下位ビット側
に向かって順次比較して、対応する一致検出回路から互
いに対応するビットデータが一致する旨の一致信号が出
力された場合に上記第1の信号出力端子側に1ビット分
伝達され、対応する大小比較回路から一方のデータ側の
ビットデータが他方のデータ側のビットデータよりも大
きい旨の判定信号が出力された場合に上記第2の信号出
力端子に伝達されるように配列されたトランジスタスイ
ッチ群とからなるトランミッションゲートスイッチ網の
各要素を備えたことを特徴とするものである。
The content addressable memory of the present invention for achieving the above object is as follows: (a) A word memory for storing word data consisting of a set of one word of bit data of one bit unit A large number of arranged memories (b) The input search data and the word data stored in each word memory, which are included in each memory cell that stores each bit data and which configure the memory, correspond to each other. A large number of coincidence detection circuits that compare bit data and output coincidence signals that discriminate between coincidence and non-coincidence of these bit data. (C) Search data and word data that are provided for each memory cell The corresponding bit data are compared, and the bit data on one data side of the search data and each word data is the bit on the other data side. A large number of magnitude comparison circuits that output a determination signal for distinguishing whether or not it is larger than the data (d) a signal input terminal which is provided for each word memory and serves as a starting point of predetermined signal transmission; The two signal output terminals and the predetermined signal input from the signal input terminal are sequentially compared from the upper bit side to the lower bit side of each word memory, and the corresponding coincidence detection circuits generate corresponding bits. When a match signal indicating that the data match is output, one bit is transmitted to the first signal output terminal side, and the bit data on one data side is transferred from the corresponding magnitude comparison circuit to the bit data on the other data side. Of a transistor gate group arranged so as to be transmitted to the second signal output terminal when a determination signal indicating that the transmission gate is larger than It is characterized by having each element.

【0010】ここで上記検索データ、上記各ワードメモ
リは、この内容アドレス式メモリが比較すべきビットパ
ターンを一部にのみ制限するためのマスク機能を備えた
場合は、マスクされていない(比較(検索)の対象とさ
れる)ビット部分のみをいう。
Here, the search data and each word memory are not masked when the content addressing memory has a mask function for limiting only a part of bit patterns to be compared (comparison ( Only the bit part that is the target of search).

【0011】[0011]

【作用】本発明の内容アドレス式メモリは、各メモリ毎
に上記(b)の一致検出回路、上記(c)の大小比較回
路を備え、上記(d)のトランスミッションゲートスイ
ッチ網により検索データとワードデータとが完全に一致
しているか、もしくは上記一方のデータ側のビットデー
タが他方のデータ側のビットデータよりも大きいかを上
位のビットから順次判定して出力するようにし、これに
より検索データとワードデータとの大小が定められる。
また、後述する実施例に示すように、本発明では各メモ
リセル毎に6個のトランジスタで構成することもでき、
従来の提案に係る回路と比べその回路規模が一段と削減
される。
The content addressable memory of the present invention is provided with the coincidence detection circuit of (b) and the magnitude comparison circuit of (c) for each memory, and the search data and the word are obtained by the transmission gate switch network of (d). Whether or not the data and the bit data on the one data side are larger than the bit data on the other data side are sequentially determined and output from the upper bits, and the search data and The size of the word data is determined.
Further, as shown in the embodiments described later, in the present invention, each memory cell can be composed of six transistors,
The circuit scale is further reduced as compared with the circuit according to the conventional proposal.

【0012】[0012]

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
1(A)、(B)、(C)は検索データを構成する所定
のビットデータIと、このビットデータIと対応するワ
ードメモリ側のビットデータmとを比較し、それぞれm
>I、m=I、m<Iの場合にHレベルの信号を出力す
る、それぞれ本発明にいう大小比較回路の一例、一致検
出回路の一例、大小比較回路の他の例を示した図であ
る。ここでI’、m’はそれぞれビットデータI、mの
反転データを表わしている。
EXAMPLES Examples of the present invention will be described below. 1A, 1B, and 1C compare predetermined bit data I forming search data with bit data m corresponding to the bit data I on the word memory side.
> I, m = I, and m <I, an H level signal is output, respectively, showing an example of a size comparison circuit, an example of a match detection circuit, and another example of a size comparison circuit according to the present invention. is there. Here, I'and m'represent inverted data of bit data I and m, respectively.

【0013】表1に図(A)、(B)、(C)に示す回
路の真理値表を示す。
Table 1 shows a truth table of the circuits shown in FIGS. (A), (B) and (C).

【0014】[0014]

【表1】 ────────────────────────── m m’ I I’ fi gi hi 0 1 0 1 0 1 0 0 1 1 0 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 0 1 0 0 1 0 ────────────────────────── 図2は本発明にいうトランスミッションゲートスイッチ
網の一例を示した回路図である。
[Table 1] ────────────────────────── mm m'I I'fi gi hi 0 1 0 1 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 0 1 1 0 0 1 1 1 0 0 1 0 1 1 0 0 1 0 ────────────────────────── FIG. 2 is referred to in the present invention. It is a circuit diagram showing an example of a transmission gate switch network.

【0015】この例は、図1(A)の大小比較回路と図
1(B)の一致検出回路を採用した場合のトランスミッ
ションゲートスイッチ網であり、またここでは簡単のた
め4ビットで1ワードを構成する場合の回路が示されて
いる。ここで、f0 、g0 は検索データとワードデータ
を構成する各4ビットのデータのうち最上位のビット
(MSB)どおしをそれぞれ比較した図1(A)、
(B)に示す回路の出力信号を表わし、以下最下位のビ
ット(LSB)に向かってf 1 ,g1 ;f2 ,g2;f3
,g3 の記号が付されている。
In this example, the magnitude comparison circuit of FIG.
Transmitter when the 1 (B) coincidence detection circuit is adopted
It is a switch gate switch network,
Therefore, the circuit for forming one word with 4 bits is shown.
There is. Where f0 , G0 Is search data and word data
Most significant bit of each 4-bit data that composes
(MSB) Figure 1 (A) comparing each
The output signal of the circuit shown in FIG.
Towards the LSB (f) 1 , G1 ; F2 , G2; F3
 , G3 The symbol is attached.

【0016】このトランスミッションゲートスイッチ網
の信号入力端子INは電源VDDと接続されており、この
電圧信号が2つの信号出力端子O0、O1のいずれかに
伝達される。信号入力端子INの電圧信号がO0に伝達
されるとワードデータが検索データよりも大きい値を有
することを意味し、O1に伝達されるとワードデータと
検索データとが等しいことを意味する。またこの実施例
では3番目の出力端子O2が備えれており、O0とO1
とのいずれにも信号入力端子INの電圧信号が伝達され
ない場合、即ちワードデータが検索データよりも小さい
値を有する場合にHレベルの信号が出力される。
The signal input terminal IN of this transmission gate switch network is connected to the power source V DD, and this voltage signal is transmitted to either of the two signal output terminals O0 and O1. When the voltage signal of the signal input terminal IN is transmitted to O0, it means that the word data has a larger value than the search data, and when transmitted to O1, it means that the word data and the search data are equal. Further, in this embodiment, a third output terminal O2 is provided, and O0 and O1 are provided.
When the voltage signal of the signal input terminal IN is not transmitted to either of the above, i.e., when the word data has a value smaller than the search data, the H level signal is output.

【0017】ここで一例として、記憶されたワードデー
タがMSB側から順に「1101」であり、検索データ
がMSB側から「1011」である場合、 (f0 ,f1 ,f2 ,f3 )=(0,1,0,0) (g0 ,g1 ,g2 ,g3 )=(1,0,0,1) となり、図2に示す回路のトランジスタT14、T11
を通るスイッチ経路のみが成立し、信号出力端子O0に
のみHレベル、他の信号出力端子O1,O2にLレベル
の信号が出力され、これによりワードデータ「110
1」>検索データ「1011」が判定される。
As an example, when the stored word data is “1101” from the MSB side and the search data is “1011” from the MSB side, (f 0 , f 1 , f 2 , f 3 ) = (0,1,0,0) (g 0, g 1, g 2, g 3) = (1,0,0,1) , and the transistors of the circuit shown in FIG. 2 T14, T11
Only a switch path passing through is established, and an H level signal is output only to the signal output terminal O0 and an L level signal is output to the other signal output terminals O1 and O2.
1 ”> search data“ 1011 ”is determined.

【0018】尚、図2に示すトランスミッションゲート
スイッチ網は、>,=,<,を判定する回路であるが、
例えば図2に示すトランスミッションゲートスイッチ網
に図3に示す回路を付加すること等により、≧,≦を判
定する回路も容易に構成される。また、図2に示すトラ
ンスミッションゲートスイッチ網は、図1(A)に示す
大小比較回路を用いた場合のトランスミッションゲート
スイッチ網であるとして説明したが、図1(A)に示す
大小比較回路に代えて図1(C)に示す大小比較回路を
用いてもよい。その場合、ワードデータ<検索データの
場合にO0にHレベルの信号が出力され、ワードデータ
>検索データの場合にO2にHレベルの信号が出力され
ることになる。
The transmission gate switch network shown in FIG. 2 is a circuit for judging>, =, <,
For example, by adding the circuit shown in FIG. 3 to the transmission gate switch network shown in FIG. 2, a circuit for determining ≧ and ≦ can be easily constructed. Further, the transmission gate switch network shown in FIG. 2 has been described as a transmission gate switch network using the magnitude comparison circuit shown in FIG. 1A. However, instead of the magnitude comparison circuit shown in FIG. Alternatively, the magnitude comparison circuit shown in FIG. 1C may be used. In that case, an H level signal is output to O0 when word data <search data, and an H level signal is output to O2 when word data> search data.

【0019】図4は大小関係を判定する機能を付加した
SRAMの1ビット分のメモリセルを表わした回路図で
ある。この回路には、図1(A)、(B)に示す大小比
較回路、一致検出回路が用いられており、この図におい
て、図1(A)、(B)に示す各トランジスタT4、T
5、T6、T7のそれぞれに対応するトランジスタには
これらと同一の符合を付して示してある。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a 1-bit memory cell of an SRAM having a function of judging the magnitude relation. In this circuit, the magnitude comparison circuit and the coincidence detection circuit shown in FIGS. 1A and 1B are used. In this figure, the transistors T4 and T shown in FIGS.
Transistors corresponding to T5, T6, and T7 are shown with the same reference numerals.

【0020】この図4において、ワードラインWLにH
レベルの信号を与え、ビットラインBi、Bi’に記憶
すべきビットデータm、m’を与えることにより、メモ
リセル20にワードデータを構成する1ビット分のビッ
トデータm、m’が記憶される。次に検索を行う際に
は、ワードラインWLはLレベルにした状態でビットラ
インBi、Bi’に検索データを構成する1ビット分の
ビットデータI、I’が与えられる。これによりfi
i に所定の信号が出力される。
In FIG. 4, H is applied to the word line WL.
By applying a level signal and applying bit data m and m ′ to be stored to the bit lines Bi and Bi ′, 1-bit bit data m and m ′ forming word data is stored in the memory cell 20. .. When performing the next search, the bit line Bi, Bi ′ is supplied with 1-bit bit data I, I ′ constituting the search data while the word line WL is at the L level. This gives f i ,
A predetermined signal is output to g i .

【0021】この図4に示すように、1つのメモリセル
に対し6個のトランジスタT4,T5,T6,T7,T
20,T21を付加することにより大小関係を判定する
機能が実現される。
As shown in FIG. 4, six transistors T4, T5, T6, T7, T are provided for one memory cell.
By adding 20, T21, the function of determining the magnitude relationship is realized.

【0022】[0022]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の内容アド
レス式メモリは、各メモリセル毎に大小比較回路と一致
検出回路とを備え、これらの回路の各出力をトランスミ
ッションゲートスイッチ網に導いて大小関係を判定する
ように構成したため、従来の提案に係る回路と比べ、よ
り小規模の回路で同等の大小関係判定機能を有する内容
アドレス式メモリが実現される。
As described above, the content addressable memory of the present invention is provided with a magnitude comparison circuit and a coincidence detection circuit for each memory cell, and each output of these circuits is led to the transmission gate switch network. Since it is configured to determine the magnitude relationship, a content addressable memory having an equivalent magnitude relationship determining function can be realized in a smaller circuit as compared with the circuit according to the conventional proposal.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】大小比較回路の一例、一致検出回路の一例、大
小比較回路の他の例を示した図である。
FIG. 1 is a diagram showing an example of a size comparison circuit, an example of a match detection circuit, and another example of a size comparison circuit.

【図2】本発明にいうトランスミッションゲートスイッ
チ網の一例を示した回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a transmission gate switch network according to the present invention.

【図3】≧,≦を判定するための付加回路の一例を示し
た回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of an additional circuit for determining ≧ and ≦.

【図4】大小関係を判定する機能を付加したSRAMの
1ビット分のメモリセルを表わした回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a 1-bit memory cell of SRAM to which a function of determining a magnitude relation is added.

【図5】従来の内容アドレス式メモリの一例を表わした
回路ブロック図である。
FIG. 5 is a circuit block diagram showing an example of a conventional content addressable memory.

【図6】検索データとワードデータとの一致不一致を検
出する、1ビット分の一致検出回路の例を示した回路図
である。
FIG. 6 is a circuit diagram showing an example of a 1-bit match detection circuit that detects a match / mismatch between search data and word data.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 内容アドレス式メモリ 11a,11b,…,11f ワードメモリ 12 検索情報レジスタ 14a,14b,…,14f,ML 検索一致線 15 プライオリティエンコーダ 16 アドレスデコーダ 19 一致検出回路 20 メモリセル T1,T2,…,T17,T20,T21 トランジ
スタ
10 contents address type memory 11a, 11b, ..., 11f word memory 12 search information register 14a, 14b, ..., 14f, ML search match line 15 priority encoder 16 address decoder 19 match detection circuit 20 memory cell T1, T2, ..., T17 , T20, T21 transistors

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 記録された多数の情報の中から所望とす
る情報を検索する内容アドレス式メモリにおいて、 1ビット単位のビットデータの1ワード分の集合からな
るワードデータを記憶するワードメモリが多数配列され
てなるメモリ、 該メモリを構成する、各ビットデータを記憶する各メモ
リセル毎に備えられた、入力された検索データと前記各
ワードメモリに記憶された各ワードデータの互いに対応
するビットデータどうしを比較して、これらのビットデ
ータの一致と不一致とを区別する一致信号を出力する多
数の一致検出回路、 前記各メモリセル毎に備えられた、前記検索データと前
記各ワードデータの互いに対応するビットデータどうし
を比較して、前記検索データと前記各ワードデータのう
ちの一方のデータ側のビットデータが他方のデータ側の
ビットデータよりも大きいか否かを区別する判定信号を
出力する多数の大小比較回路、および前記各ワードメモ
リ毎に備えられた、所定の信号伝達の起点となる信号入
力端子と、第1及び第2の信号出力端子と、該信号入力
端子から入力された所定の信号が、該各ワードメモリの
上位ビット側から下位ビット側に向かって順次比較し
て、対応する前記一致検出回路から前記互いに対応する
ビットデータが一致する旨の一致信号が出力された場合
に前記第1の信号出力端子側に1ビット分伝達され、対
応する前記大小比較回路から前記一方のデータ側のビッ
トデータが前記他方のデータ側のビットデータよりも大
きい旨の判定信号が出力された場合に前記第2の信号出
力端子に伝達されるように配列されたトランジスタスイ
ッチ群とからなるトランミッションゲートスイッチ網を
備えたことを特徴とする内容アドレス式メモリ。
1. In a content addressable memory for retrieving desired information from a large number of recorded information, a large number of word memories storing word data consisting of a set of bit data of 1 bit unit. Arranged memories, bit data corresponding to each other of input search data and each word data stored in each word memory, which is provided for each memory cell that stores each bit data that constitutes the memory A number of match detection circuits that compare each other and output a match signal that distinguishes between match and non-match of these bit data, corresponding to each other between the search data and each word data provided for each memory cell Of the search data and one of the word data and the other bit data A plurality of size comparison circuits that output a determination signal for distinguishing whether the bit data is larger than the bit data on the data side, and a signal input terminal that is provided for each of the word memories and serves as a starting point of predetermined signal transmission, The first and second signal output terminals and a predetermined signal input from the signal input terminal are sequentially compared from the upper bit side to the lower bit side of each word memory, and the corresponding match detection circuit is provided. 1 bit of the bit data on the one data side is transmitted from the corresponding magnitude comparison circuit to the first signal output terminal side when a match signal indicating that the bit data corresponding to each other is output. Of the transistor switches arranged to be transmitted to the second signal output terminal when a determination signal indicating that is larger than the bit data on the other data side is output. Content addressed memory, comprising the transmission gate switch network of.
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