JPH05144826A - Substrate heater - Google Patents

Substrate heater

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Publication number
JPH05144826A
JPH05144826A JP33264791A JP33264791A JPH05144826A JP H05144826 A JPH05144826 A JP H05144826A JP 33264791 A JP33264791 A JP 33264791A JP 33264791 A JP33264791 A JP 33264791A JP H05144826 A JPH05144826 A JP H05144826A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
base plate
substrate
heating
cooling unit
glass substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP33264791A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Daiya Aoki
大也 青木
Fumio Muramatsu
文雄 村松
Masayuki Suzuki
雅行 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Kokusai Electric Corp filed Critical Kokusai Electric Corp
Priority to JP33264791A priority Critical patent/JPH05144826A/en
Publication of JPH05144826A publication Critical patent/JPH05144826A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To cut down the preheating time before starting the processing step for heating more evenly within the title substrate heater for preheating before starting the processing step. CONSTITUTION:A heating unit 23 using heating lamps as a heating source as well as a cooling unit 25 are provided on the upper and lower part of an airtight chamber while a radiant heat absorbable base plate 45 is elevatingly arranged between the heating unit 23 and the cooling unit 25 simultaneously the base plate 45 is made closely attachable to the cooling unit 25, on the other hand, substrate supportable pins 45 penetrating the base plate 45 are elevatingly arranged so as to heat a substrate mounted on the base plate 45 by the upper heating unit 23. Besides, the base plate 45 is heated by the radiant heat transmitting the substrate furthermore the rear surface of the substrate is heated by the base plate 45 using the heat conduction. Finally, in order to cool down the base plate 45 after finishing the preheating step, the base plate 45 is to be closely attached to the cooling unit 25.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、基板表面に薄膜を形成
し、或はエッチング処理等の表面処理をして半導体を製
造する半導体製造装置の、特に処理前の予熱を行う基板
加熱装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus for manufacturing a semiconductor by forming a thin film on the surface of a substrate or performing surface treatment such as etching treatment, and more particularly to a substrate heating apparatus for preheating before treatment. It is a thing.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製造装置の1つに液晶表示板を製
造するものがある。これはガラス基板に種々の薄膜を成
膜し、或はエッチング等を行いガラス表面に多数の半導
体素子を形成するものである。
2. Description of the Related Art One of semiconductor manufacturing apparatuses is one for manufacturing a liquid crystal display panel. In this method, various thin films are formed on a glass substrate, or a large number of semiconductor elements are formed on the glass surface by etching or the like.

【0003】斯かる半導体製造装置では一連の処理工程
が自動化されており、処理工程の準備処理として、基板
を処理に適した温度迄加熱している。
In such a semiconductor manufacturing apparatus, a series of processing steps are automated, and the substrate is heated to a temperature suitable for the processing as a preparatory processing for the processing steps.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】近年、液晶表示画面は
増々大型化しており、半導体製造装置は斯かる要請に答
えると共に歩留まりの向上、スループットの向上等、製
造能率の向上を図ることが要求されている。
In recent years, liquid crystal display screens have become larger and larger, and semiconductor manufacturing apparatuses are required to meet such demands and to improve manufacturing efficiency such as improvement in yield and throughput. ing.

【0005】斯かる要求に答えるべく、本発明は、処理
前の予熱を行う基板加熱装置に於いて、処理前の予熱時
間の短縮、一層の均一加熱、歪みを生じることなく、或
は形成したパターンを損傷させることなく迅速に基板を
加熱させる様にしたものである。
In order to meet such demands, the present invention provides a substrate heating apparatus for preheating before processing, which is formed without shortening the preheating time before processing, further uniform heating, and without distortion. The substrate is quickly heated without damaging the pattern.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、気密な室内の
上部に加熱ランプを熱源とする加熱ユニット、下部に冷
却ユニットをそれぞれ設け、前記加熱ユニットと前記冷
却ユニットとの間に輻射熱を吸収可能な台板を昇降可能
に設けると共に該台板を前記冷却ユニットに密着可能と
し、前記冷却ユニット、前記台板を貫通し基板を支持可
能な基板支持ピンを昇降可能に設けたことを特徴とする
ものである。
According to the present invention, a heating unit having a heating lamp as a heat source is provided in an upper part of an airtight chamber, and a cooling unit is provided in a lower part thereof, respectively, to absorb radiant heat between the heating unit and the cooling unit. A base plate that can be moved up and down, the base plate can be brought into close contact with the cooling unit, and a substrate support pin that can penetrate the cooling unit and the base plate and can support a substrate can be moved up and down. To do.

【0007】[0007]

【作用】基板を加熱する場合は、基板を台板に載置し、
上方の加熱ユニットにより加熱する。前記台板は前記基
板を透過した輻射熱で加熱され、更に熱伝導により基板
を加熱する。予熱完了後前記台板を冷却するには、台板
を前記冷却ユニットに密着させ、該冷却ユニットによっ
て台板を冷却する。
[Function] When heating the substrate, place the substrate on the base plate,
It is heated by the upper heating unit. The base plate is heated by the radiant heat transmitted through the substrate, and further heats the substrate by heat conduction. In order to cool the base plate after completion of preheating, the base plate is brought into close contact with the cooling unit, and the base plate is cooled by the cooling unit.

【0008】[0008]

【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0009】図2は、ガラス基板を水平状態で処理する
半導体製造装置を示しており、以下は本発明を該半導体
製造装置について実施した場合を説明する。
FIG. 2 shows a semiconductor manufacturing apparatus for processing a glass substrate in a horizontal state. Hereinafter, a case where the present invention is applied to the semiconductor manufacturing apparatus will be described.

【0010】先ず、該半導体製造装置について略述す
る。
First, the semiconductor manufacturing apparatus will be briefly described.

【0011】図中、1はカセットスタンド、2はロード
用ロボット、3はロードロック室、4は第1搬送機、5
は基板加熱装置、6は第1成膜室、7は第2搬送機、8
は第2成膜室、9は第3搬送機、10は第3成膜室、1
1はアンロードロック室、12はアンロード用ロボッ
ト、13はカセットスタンドを示し、ロードロック室3
と第1搬送機4、第1搬送機4と基板加熱装置5、第1
搬送機4と第1成膜室6、第1成膜室6と第2搬送機
7、第2搬送機7と第2成膜室8、第2成膜室8と第3
搬送機9、第3搬送機9と第3成膜室10、第3搬送機
9とアンロードロック室11とはそれぞれゲートバルブ
を介して結合されている。
In the figure, 1 is a cassette stand, 2 is a loading robot, 3 is a load lock chamber, 4 is a first transfer machine, 5
Is a substrate heating apparatus, 6 is a first film forming chamber, 7 is a second transfer machine, and 8
Is a second film forming chamber, 9 is a third carrier, 10 is a third film forming chamber, 1
1 is an unload lock chamber, 12 is an unloading robot, 13 is a cassette stand, and the load lock chamber 3
And the first carrier 4, the first carrier 4 and the substrate heating device 5, the first
Carrier 4 and first film forming chamber 6, first film forming chamber 6 and second carrier 7, second carrier 7 and second film forming chamber 8, second film forming chamber 8 and third
The carrier 9, the third carrier 9 and the third film forming chamber 10, and the third carrier 9 and the unload lock chamber 11 are connected to each other via gate valves.

【0012】前記カセットスタンド1には、ガラス基板
14が所要枚数装填されたカセット15がローディング
され、該カセットスタンド1は装填されたガラス基板1
4のピッチに従って前記カセット15を間欠的に昇降す
る。
The cassette stand 1 is loaded with a cassette 15 having a required number of glass substrates 14 loaded therein, and the cassette stand 1 is loaded with the glass substrates 1 loaded therein.
The cassette 15 is moved up and down intermittently in accordance with the pitch of 4.

【0013】又、前記ロード用ロボット2は、前記カセ
ット15よりガラス基板14を1枚ずつ取出しロードロ
ック室3に搬送する。該ロードロック室3は気密構造と
なっており、又基板搬送口にゲートバルブ16を有し、
前記ガラス基板14が搬入された後は、前記ゲートバル
ブ16を閉じて内部を真空状態にする。
The loading robot 2 takes out the glass substrates 14 one by one from the cassette 15 and conveys them to the load lock chamber 3. The load lock chamber 3 has an airtight structure, and has a gate valve 16 at the substrate transfer port,
After the glass substrate 14 is loaded, the gate valve 16 is closed and the inside is evacuated.

【0014】以下、第1搬送機4、基板加熱装置5、第
1成膜室6、第2搬送機7、第2成膜室8、第3搬送機
9、第3成膜室10、アンロードロック室11を真空状
態、或は所要雰囲気で、前記ガラス基板14の処理、搬
送が行われる。
Hereinafter, the first carrier 4, the substrate heating device 5, the first film forming chamber 6, the second carrier 7, the second film forming chamber 8, the third carrier 9, the third film forming chamber 10, The glass substrate 14 is processed and transported in the load lock chamber 11 in a vacuum or in a required atmosphere.

【0015】前記ロードロック室3に搬送されたガラス
基板14は、前記第1搬送機4によって前記基板加熱装
置5に搬送され、該基板加熱装置5に於いて該ガラス基
板14は処理に適した温度迄加熱される。
The glass substrate 14 transferred to the load lock chamber 3 is transferred to the substrate heating device 5 by the first transfer device 4, and the glass substrate 14 in the substrate heating device 5 is suitable for processing. Heated to temperature.

【0016】予熱された前記ガラス基板14は、前記第
1搬送機4によって前記第1成膜室6に搬送され、該第
1成膜室6に於いて第1層の成膜処理が行われる。第1
層の成膜処理が完了すると、前記第2搬送機7より前記
第1成膜室6から取出されたガラス基板14は前記第2
成膜室8に搬送され、該第2成膜室8に於いて第2の成
膜処理が行われる。同様に、前記第3搬送機9により前
記第3成膜室10にガラス基板14が搬送され、更に成
膜処理が行われ、所要の成膜処理が完了すると、前記第
3搬送機9によって前記アンロードロック室11にガラ
ス基板14が搬送される。
The preheated glass substrate 14 is transferred to the first film forming chamber 6 by the first transfer machine 4 and the first film forming process is performed in the first film forming chamber 6. .. First
When the layer film formation process is completed, the glass substrate 14 taken out of the first film formation chamber 6 from the second transfer machine 7 becomes the second substrate.
The film is transferred to the film forming chamber 8 and the second film forming process is performed in the second film forming chamber 8. Similarly, when the glass substrate 14 is transferred to the third film forming chamber 10 by the third transfer machine 9 and a film forming process is further performed, and the required film forming process is completed, the third transfer machine 9 performs the above-mentioned process. The glass substrate 14 is conveyed to the unload lock chamber 11.

【0017】該アンロードロック室11内部を常圧迄昇
圧し、ゲートバルブ17を開いて前記アンロード用ロボ
ット12によってガラス基板14を取出し、前記カセッ
トスタンド13に載置されたカセット15に処理の完了
したガラス基板14を1枚ずつ移載する。
The inside of the unload lock chamber 11 is pressurized to normal pressure, the gate valve 17 is opened, the glass substrate 14 is taken out by the unloading robot 12, and the cassette 15 placed on the cassette stand 13 is processed. The completed glass substrates 14 are transferred one by one.

【0018】尚、上記した半導体製造装置に於いて、処
理室の数はガラス基板の処理の内容により、ユニットの
配置の状態は、設備される空間、或は関連する設備との
関係により適宜変更が加えられる。
In the above-described semiconductor manufacturing apparatus, the number of processing chambers may be changed depending on the processing contents of the glass substrate, and the arrangement of the units may be changed depending on the space to be installed or the relationship with related equipment. Is added.

【0019】以下、図1により本実施例に係る基板加熱
装置5を説明する。
The substrate heating device 5 according to this embodiment will be described below with reference to FIG.

【0020】フレーム20に気密な基板加熱室21を設
け、該基板加熱室21の蓋22は開閉可能となってお
り、又基板加熱室21の側面には連絡窓51が穿設さ
れ、該連絡窓51より第1搬送機4のロボットアーム3
0が出入りする様になっている。
An airtight substrate heating chamber 21 is provided in the frame 20, a lid 22 of the substrate heating chamber 21 can be opened and closed, and a communication window 51 is formed on a side surface of the substrate heating chamber 21 to connect the substrate heating chamber 21. The robot arm 3 of the first carrier 4 through the window 51
0 comes in and goes out.

【0021】前記蓋22に加熱ユニット23を設け、前
記基板加熱室21の底部にはポスト24を介して冷却ユ
ニット25を設ける。又、該冷却ユニット25の周囲を
囲繞する如く基板台ユニット26を設け、更に前記冷却
ユニット25、基板台ユニット26を貫通してガラス基
板14を支持する基板昇降ユニット28を設ける。
A heating unit 23 is provided on the lid 22, and a cooling unit 25 is provided on the bottom of the substrate heating chamber 21 via a post 24. Further, a substrate stand unit 26 is provided so as to surround the cooling unit 25, and a substrate elevating unit 28 which penetrates the cooling unit 25 and the substrate stand unit 26 and supports the glass substrate 14 is provided.

【0022】以下、上記した各ユニットについて更に詳
述する。
The above-mentioned units will be described in more detail below.

【0023】先ず、加熱ユニット23について説明す
る。
First, the heating unit 23 will be described.

【0024】前記蓋22にカラー29を介して反射板3
3を設け、該反射板33の裏面側に冷却管31を固着
し、該冷却管31は図示しない冷却源に接続し、該冷却
管31を介して前記反射板33を冷却する。又、該反射
板33の反射面側には棒状の加熱ランプ32を所要数設
ける。
A reflector 3 is provided on the lid 22 via a collar 29.
3, a cooling pipe 31 is fixed to the back surface side of the reflection plate 33, the cooling pipe 31 is connected to a cooling source (not shown), and the reflection plate 33 is cooled through the cooling pipe 31. A required number of rod-shaped heating lamps 32 are provided on the reflecting surface side of the reflecting plate 33.

【0025】又、冷却ユニット25は内部に図示しない
冷却管を埋設してあり、該冷却管は図示しない冷却源に
接続し、該冷却源によって連続的に冷却されている。
The cooling unit 25 has a cooling pipe (not shown) embedded therein, the cooling pipe is connected to a cooling source (not shown), and is continuously cooled by the cooling source.

【0026】前記基板台ユニット26を説明する。The substrate base unit 26 will be described.

【0027】前記基板加熱室21の底部にシールブロッ
ク34を設け、該シールブロック34を介して昇降ロッ
ド35を気密に且摺動自在に設ける。又、前記基板加熱
室21の底部裏面側に支柱36を介して棚板37を設
け、該棚板37の下面に昇降シリンダ38を設け、該昇
降シリンダ38のロッド39と前記昇降ロッド35の下
端に掛渡して設けたビーム40とを連結する。
A seal block 34 is provided at the bottom of the substrate heating chamber 21, and an elevating rod 35 is provided in an airtight and slidable manner via the seal block 34. Further, a shelf plate 37 is provided on the bottom rear surface side of the substrate heating chamber 21 via a pillar 36, an elevating cylinder 38 is provided on the lower surface of the shelf plate 37, and a rod 39 of the elevating cylinder 38 and lower ends of the elevating rods 35 are provided. The beam 40 that is provided so as to extend over the

【0028】又、前記昇降ロッド35の上端にジョイン
ト金具41を設け、該ジョイント金具41に下方に延び
るシャフト42を設け、該シャフト42に台脚43を摺
動自在に且抜脱不能に設け、該台脚43と前記ジョイン
ト金具41とはスプリング44によって離反方向に付勢
する。更に、前記台脚43の上端には台板45を固着す
る。該台板45の上面には黒体を塗布し、前記加熱ユニ
ツト23の加熱ランプ32からの輻射熱を吸収する様に
する。
Further, a joint metal fitting 41 is provided on the upper end of the elevating rod 35, a shaft 42 extending downward is provided on the joint metal fitting 41, and a base leg 43 is slidably and undetachably provided on the shaft 42. A spring 44 urges the base leg 43 and the joint fitting 41 in a separating direction. Further, a base plate 45 is fixed to the upper end of the base leg 43. A black body is applied to the upper surface of the base plate 45 so as to absorb the radiant heat from the heating lamp 32 of the heating unit 23.

【0029】次に、前記棚板37にリフトシリンダ50
を設け、該リフトシリンダ50のロッド46をシールブ
ロック47を介して気密に且摺動自在に前記基板加熱室
21の底部を貫通させる。該ロッド46の上端に複数の
アーム部を有するリフトアーム48を固着し、該リフト
アーム48の各アーム部先端に基板支持ピン49を植設
する。該基板支持ピン49は前記冷却ユニット25、前
記台板45を貫通し、且前記ロボットアーム30と干渉
しない位置で前記ガラス基板14の下面に当接して該ガ
ラス基板14を支持する様になっている。
Next, a lift cylinder 50 is attached to the shelf plate 37.
And a rod 46 of the lift cylinder 50 is hermetically and slidably passed through a bottom portion of the substrate heating chamber 21 via a seal block 47. A lift arm 48 having a plurality of arm portions is fixed to the upper end of the rod 46, and a substrate support pin 49 is planted at the tip of each arm portion of the lift arm 48. The substrate support pin 49 penetrates the cooling unit 25 and the base plate 45 and contacts the lower surface of the glass substrate 14 at a position where it does not interfere with the robot arm 30 to support the glass substrate 14. There is.

【0030】尚、特に図示していないが、前記連絡窓5
1にはゲートバルブが設けられており、ガラス基板14
の加熱時には密閉される様になっている。又、図中52
はパーティクルがガラス基板14に落下するのを防止す
る石英カバーである。
Although not particularly shown, the communication window 5
1 is provided with a gate valve, and the glass substrate 14
It is designed to be sealed when heated. Also, 52 in the figure
Is a quartz cover that prevents particles from falling onto the glass substrate 14.

【0031】以下、作動について説明する。The operation will be described below.

【0032】ロボットアーム30によるガラス基板14
の搬入時には、常温状態迄冷却した前記台板45を前記
冷却ユニット25より上方に位置させておき、又前記リ
フトシリンダ50により前記ロッド46、リフトアーム
48を介して前記基板支持ピン49を下降させ、この状
態で前記連絡窓51からガラス基板14を前記基板加熱
室21内に搬入する。
Glass substrate 14 by robot arm 30
At the time of carrying in, the base plate 45 cooled to the room temperature is placed above the cooling unit 25, and the lift cylinder 50 lowers the substrate support pin 49 via the rod 46 and the lift arm 48. In this state, the glass substrate 14 is loaded into the substrate heating chamber 21 through the communication window 51.

【0033】前記ロボットアーム30によりガラス基板
14を該台板45の上方に保持させ、前記リフトシリン
ダ50を作動させ前記基板支持ピン49を上昇させてガ
ラス基板14を支持すると共に該ガラス基板14を前記
ロボットアーム30より離反させる。該ロボットアーム
30を後退させ図示しないゲートバルブで連絡窓51を
閉塞する。
The robot arm 30 holds the glass substrate 14 above the base plate 45, and the lift cylinder 50 is operated to raise the substrate support pin 49 to support the glass substrate 14 and to hold the glass substrate 14. It is separated from the robot arm 30. The robot arm 30 is retracted and the communication window 51 is closed by a gate valve (not shown).

【0034】前記リフトシリンダ50を駆動し、前記基
板支持ピン49を降下させてガラス基板14を前記台板
45上に載置する。前記した様に、該台板45は常温で
あるので、前記ガラス基板14が該台板45と接触した
場合に歪み、或は割れ等を生じることはない。
The lift cylinder 50 is driven to lower the substrate support pin 49 to place the glass substrate 14 on the base plate 45. As described above, since the base plate 45 is at room temperature, when the glass substrate 14 comes into contact with the base plate 45, no distortion or cracking occurs.

【0035】該ガラス基板14の上面から前記加熱ラン
プ32により、該ガラス基板14を加熱する。
The glass substrate 14 is heated from the upper surface of the glass substrate 14 by the heating lamp 32.

【0036】該加熱ランプ32からの輻射熱の1部は該
ガラス基板14の上面から加熱し、前記輻射熱の残りの
部分は前記ガラス基板14を透過して前記台板45に吸
収され、該台板45を加熱する。該台板45が加熱され
ることで該台板45に載置されたガラス基板14が下面
から加熱される。
Part of the radiant heat from the heating lamp 32 is heated from the upper surface of the glass substrate 14, and the remaining part of the radiant heat is transmitted through the glass substrate 14 and absorbed by the base plate 45. Heat 45. By heating the base plate 45, the glass substrate 14 placed on the base plate 45 is heated from the lower surface.

【0037】前記した様に、台板45は常温から加熱を
開始し、而も前記加熱ユニツト23と合わせ上下両面か
ら前記ガラス基板14は加熱されることになる。従っ
て、ガラス基板14に歪み、割れを生じさせることなく
所要の温度迄加熱することができる。
As described above, the base plate 45 starts to be heated from room temperature, and the glass substrate 14 is heated from both upper and lower surfaces together with the heating unit 23. Therefore, the glass substrate 14 can be heated to a required temperature without causing distortion or cracking.

【0038】該ガラス基板14を所要の温度迄加熱する
と、前記リフトシリンダ50により前記基板支持ピン4
9を上昇させ前記ガラス基板14を前記台板45から持
上げる。
When the glass substrate 14 is heated to a required temperature, the lift cylinder 50 causes the substrate support pins 4 to move.
9 is lifted to lift the glass substrate 14 from the base plate 45.

【0039】次に、図示しないゲートバルブを開き前記
ロボットアーム30を前記連絡窓51から挿入する。前
記リフトシリンダ50を作動させ前記ガラス基板14を
降下させ、該ガラス基板14を前記ロボットアーム30
に乗置する。該ロボットアーム30を後退させ予熱の完
了したガラス基板14を基板加熱室21から取出す。
Next, a gate valve (not shown) is opened and the robot arm 30 is inserted through the communication window 51. The lift cylinder 50 is operated to lower the glass substrate 14, and the glass substrate 14 is moved to the robot arm 30.
Put on. The robot arm 30 is retracted to take out the glass substrate 14 that has been preheated from the substrate heating chamber 21.

【0040】前記台板45は前記加熱ランプ32の輻射
熱によって加熱されており、次のガラス基板14が搬入
される迄に冷却していなければならない。この為、前記
昇降シリンダ38を駆動してロッド39、ビーム40、
昇降ロッド35、ジョイント金具41、スプリング4
4、台脚43を介して前記台板45を下降させ、更に前
記冷却ユニット25に密着させる。該冷却ユニット25
と前記台板45との接触圧は前記スプリング44によっ
て与えられ、又該接触圧は該スプリング44の諸元を適
宜選択することで適正な値とすることができる。
The base plate 45 is heated by the radiant heat of the heating lamp 32, and must be cooled before the next glass substrate 14 is loaded. Therefore, the lifting cylinder 38 is driven to drive the rod 39, the beam 40,
Lifting rod 35, joint fitting 41, spring 4
4. The base plate 45 is lowered via the base legs 43, and further brought into close contact with the cooling unit 25. The cooling unit 25
The contact pressure between the base plate 45 and the base plate 45 is given by the spring 44, and the contact pressure can be set to an appropriate value by appropriately selecting the specifications of the spring 44.

【0041】而して、前記冷却ユニット25により前記
台板45が冷却される。
The base plate 45 is cooled by the cooling unit 25.

【0042】尚、上記した実施例では台板45に黒体を
塗布したが、塗布するものは輻射熱を吸収し得るもので
あればよく、或は台板45が輻射熱を吸収し易い材質の
ものであっても良い。
Although the base plate 45 is coated with a black body in the above-mentioned embodiments, the base plate 45 may be coated with any material capable of absorbing radiant heat, or the base plate 45 is made of a material which easily absorbs radiant heat. May be

【0043】又基板はガラス基板を例示したが輻射熱を
透過する性質の基板であれば実施可能であることは言う
までもない。
Although the substrate is exemplified by a glass substrate, it goes without saying that a substrate having a property of transmitting radiant heat can be used.

【0044】[0044]

【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、基板の
上下両面から同時に加熱することができ、上下両面の熱
源は加熱ランプ1つでよく、又上下両面を略同一の条件
で加熱できるので、迅速に而も基板に反りなどを生じさ
せることなく予熱を行え、予熱時間の短縮を図ると共に
予熱時の不良発生を防止することができ、加熱源の構造
を完結にし得るという優れた効果を発揮する。
As described above, according to the present invention, the upper and lower surfaces of the substrate can be simultaneously heated, and the heat source for the upper and lower surfaces can be one heating lamp, and the upper and lower surfaces can be heated under substantially the same conditions. Therefore, preheating can be performed quickly without causing warpage of the substrate, the preheating time can be shortened, and the occurrence of defects during preheating can be prevented, which is an excellent effect that the structure of the heating source can be completed. Exert.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the present invention.

【図2】本発明が実施された半導体製造装置の一例を示
す全体斜視図である。
FIG. 2 is an overall perspective view showing an example of a semiconductor manufacturing apparatus in which the present invention is implemented.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

14 ガラス基板 21 基板加熱室 23 加熱ユニット 25 冷却ユニット 26 基板台ユニット 32 加熱ランプ 45 台板 49 基板支持ピン 14 glass substrate 21 substrate heating chamber 23 heating unit 25 cooling unit 26 substrate base unit 32 heating lamp 45 base plate 49 substrate support pin

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 気密な室内の上部に加熱ランプを熱源と
する加熱ユニット、下部に冷却ユニットをそれぞれ設
け、前記加熱ユニットと前記冷却ユニットとの間に輻射
熱を吸収可能な台板を昇降可能に設けると共に該台板を
前記冷却ユニットに密着可能とし、前記冷却ユニット、
前記台板を貫通し基板を支持可能な基板支持ピンを昇降
可能に設けたことを特徴とする基板加熱装置。
1. A heating unit having a heating lamp as a heat source is provided in an upper part of an airtight chamber, and a cooling unit is provided in a lower part thereof, and a base plate capable of absorbing radiant heat can be moved up and down between the heating unit and the cooling unit. The base plate can be closely attached to the cooling unit while being provided, and the cooling unit,
A substrate heating device comprising a substrate support pin penetrating the base plate and capable of supporting a substrate so as to be able to move up and down.
JP33264791A 1991-11-21 1991-11-21 Substrate heater Pending JPH05144826A (en)

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