JPH05136236A - Pattern test device - Google Patents

Pattern test device

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Publication number
JPH05136236A
JPH05136236A JP32523091A JP32523091A JPH05136236A JP H05136236 A JPH05136236 A JP H05136236A JP 32523091 A JP32523091 A JP 32523091A JP 32523091 A JP32523091 A JP 32523091A JP H05136236 A JPH05136236 A JP H05136236A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
image
line sensor
inspection
inspected
Prior art date
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Pending
Application number
JP32523091A
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Japanese (ja)
Inventor
Koichi Morita
耕一 森田
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NSK Ltd
Original Assignee
NSK Ltd
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Publication date
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Publication of JPH05136236A publication Critical patent/JPH05136236A/en
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Abstract

PURPOSE:To enhance inspection accuracy in relatively simple structure without increasing inspection time. CONSTITUTION:There is installed an optical unit 12 which is provided with mirrors 12a, 12b and 12c above an article 2 to be inspected. The optical unit 12 allows optical signals of patterns 16a, 16b and 16c of the article 2 and optical signals equivalent to non-pattern areas (a), (b) and (c) (pattern region) near the above patterns to enter an image sensing device 6 so that their images may be formed on a high resolution CCD line sensor 14. It is possible to detect fine defects in the pattern regions by image-processing an image signal converted photoelectrically by the image sensing device 6.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えばカラーブラウン
管のシャドウマスク等のように規則性のあるパターンを
有する被検査物の検査を行うパターン検査装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pattern inspection apparatus for inspecting an object to be inspected having a regular pattern such as a shadow mask of a color cathode ray tube.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般的なパターン検査装置としては、例
えば図11に示すように、光源107、XYテーブル1
06、ガラス板105、カメラ101、画像処理装置1
08及び出力装置109によって構成され、被検査物1
04のパターンを検査するものが従来より知られてい
る。この装置によれば、被検査物104は光源107に
より透過照明され、その像はカメラ101内のCCDラ
インセンサ103上に結像する。被検査物104の像
は、CCDラインセンサ103によって光電変換され、
画像処理装置108によって欠陥が検出され、その結果
が出力装置109によって出力される。
2. Description of the Related Art As a general pattern inspection apparatus, for example, as shown in FIG. 11, a light source 107 and an XY table 1 are used.
06, glass plate 105, camera 101, image processing apparatus 1
08 and the output device 109, the inspection object 1
A device for inspecting pattern 04 is conventionally known. According to this apparatus, the inspection object 104 is transmitted and illuminated by the light source 107, and its image is formed on the CCD line sensor 103 in the camera 101. The image of the inspection object 104 is photoelectrically converted by the CCD line sensor 103,
A defect is detected by the image processing device 108, and the result is output by the output device 109.

【0003】また、規則性のあるパターンを有する被検
査物の欠陥検出装置として、被検査パターンにコヒーレ
ント光を走査して照射することにより、スペクトルパタ
ーンを得、単独で存在するスペクトルパターンがほぼ零
となる領域を通過域としたフィルタを介して求められた
被検査パターンのスペクトルパターン成分をフーリエ変
換し、このフーリエ変換された情報から欠陥を検出する
ようにしたものが従来より知られている(特開昭58−
147119号公報)。
Further, as a defect detection device for an object to be inspected having a regular pattern, a spectrum pattern is obtained by scanning and irradiating the pattern to be inspected with coherent light, and the spectrum pattern which exists independently is almost zero. It is known that a spectrum pattern component of a pattern to be inspected, which is obtained through a filter having a region as a pass band, is Fourier-transformed and a defect is detected from the Fourier-transformed information ( JP-A-58-
147119).

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】上記一般的なパターン
検査装置によって、微小欠陥を検出するためには、CC
Dラインセンサ103の1画素当たりの分解能を大きく
する必要があるが、これは欠陥検査における入力画像の
画素数を増大させ、検査時間の増大を招く。
In order to detect a minute defect by using the above-mentioned general pattern inspection apparatus, CC is used.
It is necessary to increase the resolution per pixel of the D line sensor 103, but this increases the number of pixels of the input image in the defect inspection, which causes an increase in inspection time.

【0005】また、特開昭58−147119号公報に
記載の検出装置は、観察環境を暗くしなければならない
とか、防振設備を必要とするなど、装置の構成が複雑
で、高価なものになるという問題がある。
Further, the detection device described in Japanese Patent Laid-Open No. 58-147119 has a complicated and expensive structure such as that the observation environment must be darkened and that vibration-proof equipment is required. There is a problem of becoming.

【0006】本発明は上述の点に鑑みなされたものであ
り、比較的簡単な構成で、検査時間を増大させることな
く検査精度の向上を図ることができるパターン検査装置
を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to provide a pattern inspection apparatus capable of improving inspection accuracy without increasing inspection time with a relatively simple structure. To do.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は、パターンを有する被検査物に光を照射する光
源と、前記被検査物のパターン形状に応じて該被検査物
から出射されるパターン光学信号を受光し、光電交換す
る撮像手段と、該撮像手段からの光電出力を画像処理す
ることにより前記パターンの欠陥を検出する欠陥検出手
段とを備えたパターン検査装置において、前記撮像手段
と前記被検査物との間に、前記被検査物のパターン及び
該パターン近傍の非パターン部から出射される光学信号
のみを光学的に選択し、前記撮像手段に入射する光学的
選択手段を設けるようにしたものである。
In order to achieve the above object, the present invention provides a light source for irradiating an inspected object having a pattern with light, and a light beam emitted from the inspected object according to the pattern shape of the inspected object. A pattern inspecting device, which receives a pattern optical signal and photoelectrically exchanges the pattern optical signal, and defect detecting means for detecting a defect of the pattern by image-processing the photoelectric output from the image capturing means. And an object to be inspected, an optical selecting means for optically selecting only an optical signal emitted from the pattern of the object to be inspected and a non-patterned portion in the vicinity of the pattern and entering the image pickup means is provided. It was done like this.

【0008】[0008]

【作用】被検査物のパターン及び該パターン近傍の非パ
ターン部(以下、「パターン領域」という)から出射さ
れる光学信号のみが選択的に撮像手段に入射される。
Operation Only the optical signals emitted from the pattern of the object to be inspected and the non-patterned portion in the vicinity of the pattern (hereinafter referred to as "pattern area") are selectively incident on the image pickup means.

【0009】[0009]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0010】図1は本発明の一実施例に係るパターン検
査装置の平面図であり、図2は図1のA−A′断面の図
である。これらの図において1はXYテーブルであり、
XYテーブル1にはガラス板1aが固定されている。ガ
ラス板1a上には、被検査物2が載置されている。XY
テーブル1は、駆動装置3及び4により図のY方向及び
X方向に移動可能に構成されている。XYテーブル1の
上方には、第1の撮像装置5と、光学ユニット12と、
第2の撮像装置6とが設けられ、支持部材7に固定され
ている。また、XYテーブル1の下方には被検査物2を
照明するために平行光を出射する光源11が配設されて
いる。
FIG. 1 is a plan view of a pattern inspection apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA 'of FIG. In these figures, 1 is an XY table,
A glass plate 1a is fixed to the XY table 1. The inspection object 2 is placed on the glass plate 1a. XY
The table 1 is configured to be movable in the Y direction and the X direction in the drawing by the drive devices 3 and 4. Above the XY table 1, a first imaging device 5, an optical unit 12,
The second image pickup device 6 is provided and is fixed to the support member 7. Further, below the XY table 1, a light source 11 that emits parallel light for illuminating the inspection object 2 is arranged.

【0011】本実施例における被検査物2は、例えば図
4に示すように、厚さ0.1mm程度の鋼板に長方形の多
数のパターン穴16が、規則的に配置されたものであ
る。図5は図4の一部を拡大して示す図である。同図に
おいて、パターン穴16の幅BHは100μm、長さL
は400μm程度であり、X方向のピッチPITXは1
000μm、Y方向のピッチPITYは700μm程度
である。また、同図の(イ),(ロ),(ハ)は、パタ
ーン穴16が存在しない範囲を示している。なお、被検
査物2のパターン穴16は長方形に限らず、正方形、長
円形、円形等であってもよい。
The object 2 to be inspected in this embodiment is, for example, as shown in FIG. 4, a steel plate having a thickness of about 0.1 mm in which a large number of rectangular pattern holes 16 are regularly arranged. FIG. 5 is an enlarged view of a part of FIG. In the figure, the pattern hole 16 has a width BH of 100 μm and a length L.
Is about 400 μm, and the pitch PITX in the X direction is 1
The pitch PITY in the Y direction is about 700 μm. Further, (a), (b), and (c) in the same figure show the range where the pattern hole 16 does not exist. The pattern hole 16 of the inspection object 2 is not limited to a rectangle, but may be a square, an oval, a circle, or the like.

【0012】第1の撮像装置5は、図2に示すように、
レンズ9及びCCDラインセンサ10を主たる構成要素
とし、CCDラインセンサ10は光学系により比較的低
い分解能(例えば1画素40μm)に設定されている。
The first image pickup device 5, as shown in FIG.
The lens 9 and the CCD line sensor 10 are main components, and the CCD line sensor 10 is set to a relatively low resolution (for example, 40 μm per pixel) by an optical system.

【0013】図3は、図1のB−B′断面の図であり、
光学ユニット(光学的選択手段)12は3つのミラー1
2a,12b,12cを主たる構成要素とし、第2の撮
像装置6は、レンズ13及びCCDラインセンサ14を
主たる構成要素とする。3つのミラー12a〜12cの
鏡面はいずれも、水平面に対して45°の角度で装着さ
れている。第2の撮像装置6のCCDラインセンサ14
は、光学系により比較的高い分解能(例えば1画素10
μm)に設定されている。
FIG. 3 is a sectional view taken along line BB ′ of FIG.
The optical unit (optical selection means) 12 has three mirrors 1.
2a, 12b, and 12c are main constituent elements, and the second image pickup device 6 is mainly composed of the lens 13 and the CCD line sensor 14. All the mirror surfaces of the three mirrors 12a to 12c are mounted at an angle of 45 ° with respect to the horizontal plane. CCD line sensor 14 of the second image pickup device 6
Is a relatively high resolution (for example, one pixel 10
μm) is set.

【0014】図6は光学ユニット12の作用を説明する
ための図であり、同図(b)は被検査物2を上方からみ
た図である。ここで、C−C′線の部分がCCDセンサ
14上に結像しているものとし、パターン穴16aの近
傍についてみると、ミラー12aにより被検査物2のF
−F′の範囲の画像(光学信号)のみが第2の撮像装置
6に入射され、CCDラインセンサ14上に結像する。
同様にミラー12b,12cにより、G−G′,H−
H′の範囲の画像のみがCCDラインセンサ14上に結
像する。従って、XYテーブル1をY方向に移動させる
ことにより、図6の(ホ),(ヘ),(ト)の領域(パ
ターン領域)のみがCCDラインセンサ14によって撮
像される。
FIG. 6 is a view for explaining the operation of the optical unit 12, and FIG. 6 (b) is a view of the inspection object 2 as seen from above. Here, it is assumed that the portion of the line C-C 'is imaged on the CCD sensor 14 and the vicinity of the pattern hole 16a is examined.
Only the image (optical signal) in the range of −F ′ is incident on the second image pickup device 6 and imaged on the CCD line sensor 14.
Similarly, by the mirrors 12b and 12c, G-G ', H-
Only the image in the range H'is formed on the CCD line sensor 14. Therefore, by moving the XY table 1 in the Y direction, only the areas (pattern areas) (e), (e), and (e) in FIG. 6 are imaged by the CCD line sensor 14.

【0015】以上のように、第1の撮像装置5は低分解
能であって、被検査物2の全領域を撮像し、第2の撮像
装置6は高分解能であって被検査物2のパターン領域の
み撮像する。
As described above, the first image pickup device 5 has a low resolution and picks up an image of the entire area of the object to be inspected 2, and the second image pickup device 6 has a high resolution and has a pattern of the object to be inspected 2. Only the area is imaged.

【0016】第1及び第2の撮像装置5,6は、図7に
示すように、それぞれ低分解能欠陥検出画像処理装置1
8及び高分解能パターン部欠陥検出画像処理装置19に
接続されている。画像処理装置18は、入力画像のパタ
ーン領域を除いた領域においてのみ欠陥検出を行い、画
像処理装置19はパターン領域内の微小欠陥の検出を行
い、それぞれその検出結果を中央処理装置20に入力す
る。中央処理装置20は、その結果を出力装置20を介
して出力する。
As shown in FIG. 7, the first and second image pickup devices 5 and 6 respectively have a low resolution defect detection image processing device 1.
8 and the high resolution pattern portion defect detection image processing device 19. The image processing device 18 detects a defect only in a region of the input image excluding the pattern region, the image processing device 19 detects a minute defect in the pattern region, and inputs the detection result to the central processing unit 20. .. The central processing unit 20 outputs the result via the output device 20.

【0017】次に図8を参照して、一つの例として低分
解能のCCDラインセンサ(以下「第1のラインセン
サ」という)10及び高分解能のCCDラインセンサ
(以下「第2のラインセンサ」という)14による画像
データの取り込みをより具体的に説明する。なお、図8
は説明のための図であり、図中に表示した寸法と図面上
の長さは必ずしも一定の関係とはなっていない。ここで
は、第1のラインセンサ10は、光学系により分解能が
一画素当り40μmに設定され(X方向の分解能)、画
素数2048とし、第2のラインセンサ14は、分解能
が10μmに設定され(X方向の分解能)、画素数51
2として、X方向に40μm×2048画素分(81.
92mm)のデータを取り込む場合を考える。また、Y方
向の分解能はY方向のテーブル送り速度とラインセンサ
の1ライン分の画素のスキャニング時間間隔により定ま
る。なおこの81.92mmの範囲には、図9(C)に示
すように5列のパターン列があるものとする。
Next, referring to FIG. 8, as one example, a low resolution CCD line sensor (hereinafter referred to as "first line sensor") 10 and a high resolution CCD line sensor (hereinafter referred to as "second line sensor"). The acquisition of image data by (14) will be described more specifically. Note that FIG.
Is a diagram for explanation, and the dimension shown in the figure and the length in the figure do not necessarily have a fixed relationship. Here, the resolution of the first line sensor 10 is set to 40 μm per pixel by the optical system (resolution in the X direction), the number of pixels is 2048, and the resolution of the second line sensor 14 is set to 10 μm ( Resolution in X direction), number of pixels 51
2 is 40 μm × 2048 pixels in the X direction (81.
92mm) data is considered. The resolution in the Y direction is determined by the table feed speed in the Y direction and the scanning time interval of pixels for one line of the line sensor. It is assumed that there are five pattern rows in this 81.92 mm range as shown in FIG. 9 (C).

【0018】CCDラインセンサの1画素よりの入力時
間を0.1μsecとすると、第1のラインセンサ10
は、1ライン分のデータの取り込みに0.1μsec×
2048=204.8μsecの時間を要する。
Assuming that the input time from one pixel of the CCD line sensor is 0.1 μsec, the first line sensor 10
Is 0.1 μsec × for capturing one line of data
It takes a time of 2048 = 204.8 μsec.

【0019】一方、第2ラインセンサ14は、図8
(C)に示すように幅W=1024μmのパターン領域
のみ撮像するようにすれば、1ラインが1024μm×
5=5120μm、即ち10μm×512画素となり、
1ライン分のデータの取り込みには0.1μsec×5
12=51.2μsec要する。従って、Y方向に被検
査物を載置したテーブルを定速で動かしている時、第1
のラインセンサ10より1ライン分の画像データを取り
込む時間内に、第2のラインセンサ14より4ライン分
のデータを取り込むことができる。第1のラインセンサ
10より1ライン分の画像データを取り込む時間内にY
方向にテーブルを40μm移動させると、第2のライン
センサ14より1ライン分の画像データを取り込む時間
内にテーブルは10μm移動する。これにより第1のラ
インセンサ10による画像データのX方向,Y方向の分
解能は40μm×40μm、第2のラインセンサ14に
よる画像データのX方向,Y方向の分解能は10μm×
10μmとなる。即ち、本実施例によれば、低分解能の
CCDラインセンサを用いた検査と同一の時間で、パタ
ーン領域(微小欠陥を検出する必要がある領域)の精度
の高い検査を行うことが可能となり、検査時間の増大を
招くことなく検査精度を向上させることができる。
On the other hand, the second line sensor 14 is shown in FIG.
As shown in (C), if only the pattern area with the width W = 1024 μm is imaged, one line is 1024 μm ×
5 = 5120 μm, that is, 10 μm × 512 pixels,
0.1μsec x 5 to capture data for one line
12 = 51.2 μsec is required. Therefore, when the table on which the inspection object is placed is moved at a constant speed in the Y direction, the first
The data for four lines can be captured from the second line sensor 14 within the time for capturing the image data for one line from the line sensor 10. Within a period of time when the image data for one line is captured from the first line sensor 10, Y
When the table is moved by 40 μm in the direction, the table is moved by 10 μm within a time when the image data for one line is taken in by the second line sensor 14. As a result, the resolution of the image data by the first line sensor 10 in the X and Y directions is 40 μm × 40 μm, and the resolution of the image data by the second line sensor 14 in the X and Y directions is 10 μm ×.
It becomes 10 μm. That is, according to the present embodiment, it is possible to perform a highly accurate inspection of a pattern area (area where it is necessary to detect a minute defect) in the same time as an inspection using a low resolution CCD line sensor. It is possible to improve the inspection accuracy without increasing the inspection time.

【0020】以上の説明は一例であり、Y方向の分解能
に関して第1ラインセンサ10より第2のラインセンサ
14の分解能を高く設定しているが、両方のラインセン
サの分解能を等しくするように構成することも可能であ
る(ただし、この場合Y方向についての欠陥検出精度の
向上は期待できない)。被検査物のパターン寸法,パタ
ーンピッチ,欠陥検出精度により、適当な第1,第2の
ラインセンサ10,14のX,Yそれぞれの方向の分解
能を選択することが必要である。
The above description is an example, and the resolution of the second line sensor 14 is set higher than that of the first line sensor 10 with respect to the resolution in the Y direction, but the resolutions of both line sensors are made equal. (However, in this case, improvement in defect detection accuracy in the Y direction cannot be expected). It is necessary to select appropriate resolutions in the X and Y directions of the first and second line sensors 10 and 14 depending on the pattern size, pattern pitch, and defect detection accuracy of the inspection object.

【0021】なお、本実施例においては、低分解能の第
1の撮像装置5によって被検査物全体の画像データを取
り込むようにしたが、パターン領域以外の領域の画像デ
ータのみを取り込むようにしてもよい。その場合には、
図9に示すように、光学ユニット12′を光学ユニット
12に対応する位置に新たに設けるとともに、第1の撮
像装置5は第2の撮像装置6に対応する位置に設け、光
学ユニット12′はパターン領域以外の領域の画像のみ
を第1の撮像装置に入射するように構成すればよい。
In the present embodiment, the image data of the entire object to be inspected is fetched by the low-resolution first image pickup device 5, but only the image data of the region other than the pattern region may be fetched. Good. In that case,
As shown in FIG. 9, the optical unit 12 'is newly provided at a position corresponding to the optical unit 12, the first imaging device 5 is provided at a position corresponding to the second imaging device 6, and the optical unit 12' is Only the image of the area other than the pattern area may be configured to enter the first imaging device.

【0022】また、光学ユニット12は被検査物2のパ
ターン穴のピッチや幅等に合わせて製作する必要がある
ので、パターン穴のピッチや幅等が異なる複数の被検査
物を検査する場合には、図10に示すように図5の光学
ユニット12に相当するユニット31〜33を一体に構
成したアセンブリ30と、これを図のY方向に駆動する
駆動装置34とを設け、ユニット31〜33のいずれか
によって選択された領域の画像を撮像装置6に入力する
ようにすればよい。
Further, since the optical unit 12 needs to be manufactured according to the pitch, width, etc. of the pattern holes of the inspection object 2, when inspecting a plurality of inspection objects having different pattern hole pitches, widths, etc. As shown in FIG. 10, an assembly 30 in which units 31 to 33 corresponding to the optical unit 12 of FIG. 5 are integrally configured, and a drive device 34 that drives the units 31 to 33 in the Y direction of the drawing are provided, and the units 31 to 33 are provided. The image of the area selected by any of the above may be input to the imaging device 6.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
被検査物のパターン及び該パターン近傍の非パターン部
(パターン領域)から出射される光学信号のみが選択的
に撮像手段に入射されるので、微小な欠陥の検出が必要
な部分についてのみ高精度の欠陥検出を行うことが可能
となり、検査時間を増大させることなく検査精度を向上
させることができる。
As described in detail above, according to the present invention,
Since only the optical signals emitted from the pattern of the object to be inspected and the non-patterned portion (patterned area) near the pattern are selectively incident on the image pickup means, high precision can be achieved only for a portion where a minute defect needs to be detected. Defects can be detected, and the inspection accuracy can be improved without increasing the inspection time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例に係るパターン検査装置の平
面図である。
FIG. 1 is a plan view of a pattern inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1のA−A′断面の図である。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG.

【図3】図1のB−B′断面の図である。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG.

【図4】被検査物の平面図である。FIG. 4 is a plan view of an object to be inspected.

【図5】図4の一部を拡大して示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a part of FIG. 4 in an enlarged manner.

【図6】光学ユニット(12)の作用を説明するための
図である。
FIG. 6 is a diagram for explaining the operation of the optical unit (12).

【図7】画像処理部のブロック構成図である。FIG. 7 is a block configuration diagram of an image processing unit.

【図8】撮像装置による画像データの取り込みを説明す
るための図である。
FIG. 8 is a diagram for explaining the acquisition of image data by the imaging device.

【図9】本発明の他の実施例に係るパターン検査装置の
平面図である。
FIG. 9 is a plan view of a pattern inspection apparatus according to another embodiment of the present invention.

【図10】光学ユニットの変形例を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a modification of the optical unit.

【図11】従来のパターン検査装置の構成を示す図であ
る。
FIG. 11 is a diagram showing a configuration of a conventional pattern inspection apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 XYテーブル 2 被検査物 5 撮像装置 6 撮像装置 1 XY table 2 object to be inspected 5 imaging device 6 imaging device

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 パターンを有する被検査物に光を照射す
る光源と、前記被検査物のパターン形状に応じて該被検
査物から出射されるパターン光学信号を受光し、光電交
換する撮像手段と、該撮像手段からの光電出力を画像処
理することにより前記パターンの欠陥を検出する欠陥検
出手段とを備えたパターン検査装置において、前記撮像
手段と前記被検査物との間に、前記被検査物のパターン
及び該パターン近傍の非パターン部から出射される光学
信号のみを光学的に選択し、前記撮像手段に入射する光
学的選択手段を設けたことを特徴とするパターン検査装
置。
1. A light source for irradiating an inspected object having a pattern with light, and an image pickup means for receiving a pattern optical signal emitted from the inspected object according to a pattern shape of the inspected object and photoelectrically exchanging the signal. A pattern inspection apparatus comprising: a defect detection unit that detects a defect in the pattern by performing image processing on a photoelectric output from the image capturing unit, wherein the inspection target is between the image capturing unit and the inspection target. 2. A pattern inspection apparatus comprising: an optical selection unit that optically selects only the pattern and the optical signal emitted from the non-patterned portion in the vicinity of the pattern and enters the image pickup unit.
JP32523091A 1991-11-13 1991-11-13 Pattern test device Pending JPH05136236A (en)

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