JPH05135398A - Optical pickup - Google Patents

Optical pickup

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JPH05135398A
JPH05135398A JP3296818A JP29681891A JPH05135398A JP H05135398 A JPH05135398 A JP H05135398A JP 3296818 A JP3296818 A JP 3296818A JP 29681891 A JP29681891 A JP 29681891A JP H05135398 A JPH05135398 A JP H05135398A
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JP
Japan
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semiconductor laser
light
mirror portion
reflection
reflection mirror
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JP3296818A
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Japanese (ja)
Inventor
Shogo Horinouchi
昇吾 堀之内
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To miniaturize the constitution and to improve productivity by reciprocating a light beam outgoing from a semiconductor laser in the inside of an optical system by a first and a second reflection mirror parts, a reflection hologram part and a transmission type grating lens and constituting adjustably a distance from the lens. CONSTITUTION:The light beam 7 outgoing from the semiconductor laser 15 becomes the light beam 21 propagating, to a second surface 20 as a reflected and a zero-order diffracted light beams in a reflection mirror part 19a forming reflection hologram on the first surface 19 of a lens member 18. By the mirror coating on the surface 20, the light beam 21 is reflected again and becomes the light beam 22 propagating to the surface 19 and becomes a converged laser beam 23 by the transmission type grating lens 19b, and is converged on an optical disk 16. The reflected flected light beam from the disk 16 becomes 1st-order diffracted light beams 25 and the image is formed on a multi-sected phtosenser 26. Further, a distance P between the laser 15 and the surface 20 is adjusted in accordance with the dispersion of a laser wavelength. Thus, a required optical path length is held and a pickup is miniaturized, and the productive yield and the productivity of the pickup is improved.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光によって情報を記録
または、再生する光学情報記録装置の光ピックアップに
関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical pickup of an optical information recording device for recording or reproducing information by light.

【0002】[0002]

【従来の技術】レーザ光を利用して情報の記録や再生を
行う光ディスク装置の小型化が望まれており、光ピック
アップの小型・軽量化の試みが行われている。光ピック
アップの小型・軽量化は、装置全体の小型化だけでな
く、アクセス時間の短縮などの性能向上に有利となる。
近年、ホログラム光学素子利用による光ピックアップの
小型・軽量化が図られており、一部実用化に供してい
る。
2. Description of the Related Art There has been a demand for miniaturization of an optical disk device which records and reproduces information using laser light, and attempts have been made to miniaturize and reduce the weight of an optical pickup. The reduction in size and weight of the optical pickup is advantageous not only for downsizing the entire device but also for improving performance such as shortening access time.
In recent years, the size and weight of optical pickups have been reduced by using hologram optical elements, and some of them have been put to practical use.

【0003】以下従来のホログラム光学素子を利用した
光ピックアップについて説明する。図6は従来の光ピッ
クアップの構成図である。図6において、半導体レーザ
1は一端が放熱及び補強を兼ねた放熱板2上に固定され
ており、放熱板2上に設けられた薄い可撓性配線部材3
に電気的に接続されている。同様に多分割ホトセンサー
4の電気的信号も同様に可撓性配線部材3に電気的に接
合されている。半導体レーザ1の他端はレンズ部材5の
第2面6に接触した状態で封印樹脂7により接着固定さ
れている。
An optical pickup using a conventional hologram optical element will be described below. FIG. 6 is a block diagram of a conventional optical pickup. In FIG. 6, the semiconductor laser 1 has one end fixed on a heat dissipation plate 2 which also serves as heat dissipation and reinforcement, and a thin flexible wiring member 3 provided on the heat dissipation plate 2.
Electrically connected to. Similarly, the electrical signal of the multi-division photo sensor 4 is also electrically joined to the flexible wiring member 3. The other end of the semiconductor laser 1 is adhesively fixed by a sealing resin 7 in a state of being in contact with the second surface 6 of the lens member 5.

【0004】半導体レーザ1から光ディスク盤8に至る
光路について説明する。半導体レーザ1からの射出光9
は広がりながら第1面10に到達する。第1面10の光
軸近傍にはその全面もしくはその一部に反射型ホログラ
ムが形成された反射ミラー部10aがあり、射出光9は
この反射ミラー部10aでの反射及び反射型ホログラム
の0次回折光として第2面6に向かう光線11になる。
この光線11は、第2面6が後述する如く半導体レーザ
光の入、出射窓部を除いてミラーコーティングされてい
るため、再び反射して第1面10に向かう光線12にな
る。光線12は反射ミラー部10aの周りに設けてある
透過型グレーティングレンズ10bにより集束レーザ光
13となり、光ディスク盤8上のポイント14にレーザ
光の回折限界までに集光される。
An optical path from the semiconductor laser 1 to the optical disc board 8 will be described. Light emitted from the semiconductor laser 9
Spreads and reaches the first surface 10. In the vicinity of the optical axis of the first surface 10, there is a reflection mirror portion 10a having a reflection hologram formed on the entire surface or a part thereof, and the emitted light 9 is reflected by the reflection mirror portion 10a and the next time of the reflection hologram. It becomes a light ray 11 which goes to the second surface 6 as folding light.
Since the second surface 6 is mirror-coated on the second surface 6 except for the entrance and exit windows of the semiconductor laser light as will be described later, it becomes a light ray 12 which is reflected again toward the first surface 10. The light beam 12 becomes a focused laser beam 13 by the transmission type grating lens 10b provided around the reflection mirror section 10a, and is converged at a point 14 on the optical disc board 8 to the diffraction limit of the laser beam.

【0005】次に光ディスク盤8からのレーザ光の反射
光路を説明する。光ディスク盤8からの記録情報で変調
された反射レーザ光は往路とは逆に透過型グレーティン
グレンズ10bを通り、光像12から光線11となり、
その一部または全部に反射型ホログラムが形成された反
射ミラー部10aに至る。ここで反射型ホログラムの1
次回折光13は往路と異なり反射の後、第2面6のミラ
ーコーティング部に設けられた多分割ホトセンサー用射
出窓を通過して多分割ホトセンサー4上に結像する。反
射型ホログラムは干渉周期の異なる少なくとも2つの領
域よりなり、焦点誤差検出及びトラッキング誤差検出機
能を有している。
Next, the reflected light path of the laser light from the optical disk board 8 will be described. The reflected laser light modulated by the recording information from the optical disk board 8 passes through the transmission type grating lens 10b in the opposite direction to the forward path, and becomes a light beam 11 from a light image 12.
It reaches the reflection mirror portion 10a in which a reflection hologram is formed on a part or all of it. Here is one of reflection hologram
Unlike the outward path, the next diffracted light 13 is reflected, then passes through the multi-segment photo sensor emission window provided in the mirror coating portion of the second surface 6, and is imaged on the multi-segment photo sensor 4. The reflection hologram is composed of at least two regions having different interference cycles and has a focus error detection function and a tracking error detection function.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たようなグレーティングレンズは、グレーティングピッ
チを決める際に用いたレーザ光の波長に対して、波長変
動が発生すると、ポイント14での波面収差が大きくな
るという欠点を有している。特にグレーティングレンズ
の開口数NAが大きい場合にこの影響は大きくなる。
However, in the above-described grating lens, when the wavelength variation occurs with respect to the wavelength of the laser light used in determining the grating pitch, the wavefront aberration at point 14 becomes large. It has the drawback. In particular, this effect becomes large when the numerical aperture NA of the grating lens is large.

【0007】図7はNA=0.45、レンズ部材長5m
m、ワーキングディスタンス2mmの場合のレーザ波長
に対する結像ポイントにおける波面収差(RMS)のグ
ラフを示したものである。
FIG. 7 shows NA = 0.45 and lens member length 5 m.
6 is a graph showing wavefront aberration (RMS) at an image forming point with respect to a laser wavelength when m is 2 m and the working distance is 2 mm.

【0008】一方半導体レーザ1の発振波長は量産時の
ばらつきにより±15nm程度の個体差を有する。この
ため従来は半導体レーザ1を選別して使用するか、各波
長に対応したグレーティングパターンを準備しておくと
いう煩雑さがあった。
On the other hand, the oscillation wavelength of the semiconductor laser 1 has an individual difference of about ± 15 nm due to variations in mass production. For this reason, conventionally, it has been complicated to select and use the semiconductor laser 1 or to prepare a grating pattern corresponding to each wavelength.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決するために、半導体レーザからの光を反射させる円形
状の第1の反射ミラー部と、この第1の反射ミラー部内
に形成された反射型ホログラム部と、第1の反射ミラー
部周囲に形成され外周になるに従ってそのピッチが小さ
くなるチャープド型の円形グレーティングレンズから構
成されたディスク盤側の第1面と、第1の反射ミラー部
からの反射光を円形グレーティングレンズへ反射させる
第2の反射ミラー部と、この第2の反射ミラー部内に設
けられた半導体レーザからの光をレンズ部材内に導く入
射光窓部及び、反射型ホログラム部からの回折光を受光
センサーに導く出射光窓部から構成された第1面と対向
する第2面と、半導体レーザを第2面から所定の距離を
保って光軸近傍に配置し、受光センサーを有するセンサ
ー基板を第2面に接触して配置し、これらを接着封印す
る透明の封印樹脂部で構成した。
In order to solve the above problems, the present invention is provided with a circular first reflecting mirror portion for reflecting light from a semiconductor laser, and a first reflecting mirror portion formed in the first reflecting mirror portion. A reflection-type hologram portion, a disk-side first surface formed of a chirped-type circular grating lens formed around the first reflection mirror portion and having a pitch that becomes smaller toward the outer periphery, and a first reflection mirror Second reflection mirror section for reflecting the light reflected from the lens section to the circular grating lens, an incident light window section for guiding the light from the semiconductor laser provided in the second reflection mirror section into the lens member, and a reflection type The second surface, which is opposed to the first surface and is composed of the outgoing light window portion that guides the diffracted light from the hologram portion to the light receiving sensor, and the semiconductor laser, which is located near the optical axis with a predetermined distance from the second surface. And location, and placed in contact with the sensor substrate having a light receiving sensor to the second surface, and configure them in sealing resin portion of the transparent bonding seal.

【0010】[0010]

【作用】本発明は上記構成により、半導体レーザからの
射出光が光学系の内部で往復することになり、小型のプ
リズムでも必要な光路長が得られる為、光ピックアップ
の小型化を実現できるとともに、円形グレーティングレ
ンズに対する半導体レーザの設計基準波長に対し、半導
体レーザが透明の封印樹脂部で接着されるため半導体レ
ーザの波長が長いとき、第2面から半導体レーザまでの
距離を設計基準値に対して短くし、反対に波長が短いと
き距離を設計基準値に対して長くすることによって、半
導体レーザの発振波長の個体差を吸収することができ
る。
According to the present invention, since the light emitted from the semiconductor laser reciprocates inside the optical system due to the above structure, the required optical path length can be obtained even with a small prism, so that the optical pickup can be downsized. , When the wavelength of the semiconductor laser is long because the semiconductor laser is adhered by the transparent sealing resin portion with respect to the design reference wavelength of the semiconductor laser for the circular grating lens, the distance from the second surface to the semiconductor reference is set to the design reference value. By making the distance shorter than the design reference value when the wavelength is short, the individual difference in the oscillation wavelength of the semiconductor laser can be absorbed.

【0011】[0011]

【実施例】以下本発明の実施例について説明する。図1
は本発明の一実施例における光ピックアップの構成図で
ある。図1において、半導体レーザ15から光ディスク
盤16に至る光路について説明する。半導体レーザ15
からの射出光17は広がりながらレンズ部材18の第1
面19に到達する。第1面19の光軸近傍にはその全面
もしくはその一部に反射型ホログラムが形成された反射
ミラー部19aがあり、射出光17はこの反射ミラー部
19aでの反射及び反射型ホログラムの0次回折光とし
て第2面20に向かう光線21になる。第2面20が後
述する如く半導体レーザ光の入、出射窓部を除いてミラ
ーコーティングされているため、再び反射して第1面1
9に向かう光線22になる。この光線22は反射ミラー
部19aの周りに設けてある透過型グレーティングレン
ズ19bにより集束レーザ光23となり光ディスク盤1
6上のポイント24にレーザ光の回折限界までに集光さ
れる。この透過型グレーティングレンズ19bは、外周
部になるに従ってそのピッチが小さくなるようにして結
像効果を持たせたチャープド型と呼ばれるものである。
この時透過型グレーティングレンズ19bの中心部分は
反射ミラー部19aにより遮光されるので、超解像現象
により、集光される光スポットを小さくできる。
EXAMPLES Examples of the present invention will be described below. Figure 1
FIG. 3 is a configuration diagram of an optical pickup according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, an optical path from the semiconductor laser 15 to the optical disc board 16 will be described. Semiconductor laser 15
The light 17 emitted from the
Reach surface 19. In the vicinity of the optical axis of the first surface 19, there is a reflection mirror portion 19a having a reflection hologram formed on the entire surface or a part thereof, and the emitted light 17 is reflected by the reflection mirror portion 19a and the next time the reflection hologram is reflected. As a folding light, it becomes a light ray 21 which is directed to the second surface 20. Since the second surface 20 is mirror-coated except for the semiconductor laser light entrance and exit windows, as will be described later, it is reflected again and the first surface 1
It becomes the light ray 22 which goes to 9. This light ray 22 becomes a focused laser light 23 by the transmission type grating lens 19b provided around the reflection mirror portion 19a, and becomes the optical disc board 1
The laser light is focused on the point 24 on the upper surface 6 by the diffraction limit of the laser light. The transmission type grating lens 19b is of a chirped type in which the pitch becomes smaller toward the outer peripheral portion to provide an imaging effect.
At this time, since the central portion of the transmission type grating lens 19b is shielded by the reflection mirror portion 19a, the condensed light spot can be reduced by the super-resolution phenomenon.

【0012】次に光ディスク盤16からのレーザ光の反
射光路を説明する。光ディスク盤16からの記録情報で
変調された反射レーザ光は往路とは逆に透過型グレーテ
ィングレンズ19bを通り、光線22から光線21とな
り、その一部または全部に反射型ホログラムが形成され
た反射ミラー部19aに至る。ここで反射型ホログラム
の1次回折光25は往路と異なり反射の後、第2面20
のミラーコーティング部に設けられた多分割ホトセンサ
ー用射出窓を通過して多分割ホトセンサー26上に結像
する。反射型ホログラムは干渉周期の異なる少なくとも
2つの領域よりなり、焦点誤差検出及びトラッキング誤
差検出機能を有している。
Next, the reflected light path of the laser light from the optical disk board 16 will be described. The reflected laser light modulated by the recorded information from the optical disk board 16 passes through the transmission type grating lens 19b in the opposite direction to the light ray 22 to the light ray 21, and a reflection mirror having a reflection hologram formed on a part or all thereof. To the section 19a. Here, the first-order diffracted light 25 of the reflection type hologram is reflected from the second surface 20 after being reflected unlike the outward path.
An image is formed on the multi-division photo sensor 26 through the multi-division photo sensor emission window provided in the mirror coating part of the. The reflection hologram is composed of at least two regions having different interference cycles and has a focus error detection function and a tracking error detection function.

【0013】次に半導体レーザ15の配設方法について
説明する。第2面20と半導体レーザ15間は所定の距
離Pだけ離れており、その間はアクリル樹脂の様な透明
樹脂27により接着封印されている。半導体レーザ15
は放熱及び補強を兼ねた放熱板28上に固定されてお
り、放熱板28上に設けられた薄い可撓性配線部材29
に電気的に接続されている。同様に多分割ホトセンサー
26の電気的信号はセンサー基板30を通して可撓性配
線部材29に電気的に接合されている。
Next, a method of disposing the semiconductor laser 15 will be described. The second surface 20 and the semiconductor laser 15 are separated from each other by a predetermined distance P, and the space therebetween is adhesively sealed with a transparent resin 27 such as an acrylic resin. Semiconductor laser 15
Is fixed on a heat dissipation plate 28 that also serves as heat dissipation and reinforcement, and a thin flexible wiring member 29 provided on the heat dissipation plate 28.
Electrically connected to. Similarly, the electric signal of the multi-division photo sensor 26 is electrically connected to the flexible wiring member 29 through the sensor substrate 30.

【0014】図2は第1面19上に構成された反射ミラ
ー部19aの一部または全部に構成された反射型ホログ
ラム19cと透過型グレーティングレンズ19bのレイ
アウトを示した図である。図3は図2の線A−Aの拡大
断面図である。反射型ホログラム19cは位相型ホログ
ラムの方が回折効率の点から有利であり、透過型グレー
ティングレンズ19bは集光性及び回折効率の点から、
チャープドインライン型で断面形状は階段状または鋸歯
状が適している。これらの反射型ホログラム19c、透
過型グレーティングレンズ19bの製法は印刷や紫外線
硬化樹脂などを利用して母型形状を転写する2P法等を
用いればよい。
FIG. 2 is a diagram showing a layout of a reflection hologram 19c and a transmission grating lens 19b formed on a part or all of the reflection mirror portion 19a formed on the first surface 19. FIG. 3 is an enlarged sectional view taken along the line AA of FIG. The phase hologram of the reflection hologram 19c is more advantageous in terms of diffraction efficiency, and the transmission grating lens 19b is more effective in converging and diffraction.
A chirped in-line type with a stepped or serrated cross section is suitable. The reflective hologram 19c and the transmissive grating lens 19b may be manufactured by a 2P method or the like in which a master shape is transferred by printing or using an ultraviolet curable resin.

【0015】図4は第2面20のミラーコーティング部
の平面図である。第2面20には反射用ミラーコーティ
ング部20aがあり、反射用ミラーコーティング部20
a内には半導体レーザ光の入射窓20b及び多分割ホト
センサー26用の射出窓20cが設けてある。
FIG. 4 is a plan view of the mirror coating portion of the second surface 20. The second surface 20 has a reflection mirror coating portion 20 a, and the reflection mirror coating portion 20 a
An entrance window 20b for the semiconductor laser light and an exit window 20c for the multi-division photo sensor 26 are provided in a.

【0016】次に半導体レーザ15と第2面20との距
離Pを調整することの効果について説明する。図5はN
A=0.45、レンズ部材長5mm、ワーキングディス
タンス2mm、レーザ波長780nmで設計されたグレ
ーティングレンズに対し、レーザ波長が変化した場合、
Pを変化させて結像ポイントにおける波面収差(RM
S)がどのように変化するかを示したものである。図5
からわかるように波長が770nmと設計波長より短く
なった場合、Pが約1.72mmで波面収差が0にな
り、逆に790nmと設計波長より長くなった場合はP
が約0.28mmで波面収差が0となる。このように半
導体レーザ15の波長ばらつきに対してPを適当に調整
し、透明樹脂27で固定することにより、波面収差を小
さく調整することができる。
Next, the effect of adjusting the distance P between the semiconductor laser 15 and the second surface 20 will be described. 5 is N
A = 0.45, lens member length 5 mm, working distance 2 mm, laser wavelength of 780 nm, when the laser wavelength is changed,
By changing P, the wavefront aberration (RM
It shows how S) changes. Figure 5
As can be seen, when the wavelength is 770 nm, which is shorter than the design wavelength, P becomes about 1.72 mm and the wavefront aberration becomes 0, and conversely, when 790 nm, which is longer than the design wavelength, P
Is about 0.28 mm, the wavefront aberration becomes zero. As described above, by properly adjusting P with respect to the wavelength variation of the semiconductor laser 15 and fixing it with the transparent resin 27, the wavefront aberration can be adjusted to be small.

【0017】[0017]

【発明の効果】以上のように本発明は、半導体レーザか
らの光を反射させる円形状の第1の反射ミラー部と、こ
の第1の反射ミラー部内に形成された反射型ホログラム
部と、第1の反射ミラー部周囲に形成され外周になるに
従ってそのピッチが小さくなるチャープド型の円形グレ
ーティングレンズから構成されたディスク盤側の第1面
と、第1の反射ミラー部からの反射光を円形グレーティ
ングレンズへ反射させる第2の反射ミラー部と、この第
2の反射ミラー部内に設けられた半導体レーザからの光
をレンズ部材内に導く入射光窓部及び、反射型ホログラ
ム部からの回折光を受光センサーに導く出射光窓部から
構成された第1面と対向する第2面と、半導体レーザを
第2面から所定の距離を保って光軸近傍に配置し、受光
センサーを有するセンサー基板を第2面に接触して配置
し、これらを接着封印する透明の封印樹脂部で構成した
ことにより、半導体レーザからの射出光が光学系の内部
で往復することになり、小型のプリズムでも必要な光路
長が得られる為、光ピックアップの小型化を実現できる
とともに、円形グレーティングレンズに対する半導体レ
ーザの設計基準波長に対し、半導体レーザが透明の封印
樹脂部で接着されるため半導体レーザの波長が長いと
き、第2面から半導体レーザまでの距離を設計基準値に
対して短くし、反対に波長が短いとき距離を設計基準値
に対して長くすることによって、半導体レーザの発振波
長の個体差を吸収することができ、波長のばらつきによ
る波面収差を小さくすることができ、半導体レーザの選
別や、グレーティングパターンと波長のマッチングなど
をしなくてもよく、歩留まりの向上や、生産性の向上が
期待できる。
As described above, according to the present invention, the circular first reflection mirror portion for reflecting the light from the semiconductor laser, the reflection hologram portion formed in the first reflection mirror portion, and the first reflection mirror portion The first surface on the disc side composed of a chirped type circular grating lens which is formed around the first reflection mirror portion and whose pitch becomes smaller toward the outer periphery, and the reflection light from the first reflection mirror portion to the circular grating. A second reflection mirror portion that reflects the light to the lens, an incident light window portion that guides light from the semiconductor laser provided in the second reflection mirror portion into the lens member, and receives diffracted light from the reflection hologram portion. A second surface, which is opposed to the first surface and is composed of an emission light window portion leading to the sensor, and a semiconductor laser are arranged in the vicinity of the optical axis with a predetermined distance from the second surface, and have a light receiving sensor. Since the sensor substrate is arranged in contact with the second surface and is composed of the transparent sealing resin portion that adheres and seals the second substrate, the light emitted from the semiconductor laser reciprocates inside the optical system, and a small prism. However, since the required optical path length can be obtained, the size of the optical pickup can be reduced, and since the semiconductor laser is adhered to the design reference wavelength of the semiconductor laser for the circular grating lens by the transparent sealing resin part, the wavelength of the semiconductor laser When the wavelength is long, the distance from the second surface to the semiconductor laser is set shorter than the design reference value, and when the wavelength is short, the distance is set longer than the design reference value. Can be absorbed, and the wavefront aberration due to wavelength variation can be reduced, and selection of semiconductor lasers and grating patterns and wavelengths can be performed. May not be such as matching, improvement in yield, improvement of productivity can be expected.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例における光ピックアップの構
成図
FIG. 1 is a configuration diagram of an optical pickup according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例における光ピックアップの反
射ミラー部と反射型ホログラムと透過型グレーティング
レンズとのレイアウト図
FIG. 2 is a layout diagram of a reflection mirror section, a reflection hologram, and a transmission grating lens of an optical pickup according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施例における光ピックアップの図
2の線A−Aの拡大断面図
FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view taken along line AA in FIG. 2 of the optical pickup according to the embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施例における光ピックアップのミ
ラーコーティング部の平面図
FIG. 4 is a plan view of a mirror coating portion of an optical pickup according to an embodiment of the present invention.

【図5】本発明の一実施例における光ピックアップのレ
ーザ波長及び半導体レーザとレンズ部材との距離に対す
る結像ポイントにおける波面収差のグラフ
FIG. 5 is a graph of wavefront aberration at an imaging point with respect to a laser wavelength of an optical pickup and a distance between a semiconductor laser and a lens member according to an embodiment of the present invention.

【図6】従来の光ピックアップの構成図FIG. 6 is a configuration diagram of a conventional optical pickup.

【図7】従来の光ピックアップのレーザ波長に対する結
像ポイントにおける波面収差のグラフ
FIG. 7 is a graph of wavefront aberration at an imaging point with respect to a laser wavelength of a conventional optical pickup.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

15 半導体レーザ 16 光ディスク盤 18 レンズ部材 19 第1面 19a 反射ミラー部 19b 透過型グレーティングレンズ 19c 反射型ホログラム 20 第2面 20a 反射用ミラーコーティング部 20b 入射窓 20c 射出窓 24 ポイント 26 多分割ホトセンサー 27 透明樹脂 28 放熱板 29 可撓性配線部材 30 センサー基板 15 semiconductor laser 16 optical disk board 18 lens member 19 first surface 19a reflective mirror section 19b transmissive grating lens 19c reflective hologram 20 second surface 20a reflective mirror coating section 20b entrance window 20c exit window 24 point 26 multi-split photosensor 27 Transparent resin 28 Heat sink 29 Flexible wiring member 30 Sensor substrate

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】両端面が略平行な円柱状または角柱状のレ
ンズ部材であって、半導体レーザからの光を反射させる
円形状の第1の反射ミラー部と、前記第1の反射ミラー
部内に形成された反射型ホログラム部と、前記第1の反
射ミラー部周囲に形成され外周になるに従ってそのピッ
チが小さくなるチャープド型の円形グレーティングレン
ズから構成されたディスク盤側の第1面と、前記第1の
反射ミラー部からの反射光を前記円形グレーティングレ
ンズへ反射させる第2の反射ミラー部と、前記第2の反
射ミラー部内に設けられた前記半導体レーザからの光を
前記レンズ部材内に導く入射光窓部及び、前記反射型ホ
ログラム部からの回折光を受光センサーに導く出射光窓
部から構成された前記第1面と対向する第2面と、前記
半導体レーザを前記第2面から所定の距離を保って光軸
近傍に配置し、前記受光センサーを有するセンサー基板
を前記第2面に接触して配置し、これらを接着封印する
透明の封印樹脂部で構成したことを特徴とする光ピック
アップ。
1. A cylindrical or prismatic lens member whose both end surfaces are substantially parallel to each other, wherein a circular first reflecting mirror portion for reflecting light from a semiconductor laser and a first reflecting mirror portion are provided in the first reflecting mirror portion. A first surface on the side of a disk, which is composed of a reflection hologram portion formed, a chirped circular grating lens formed around the first reflection mirror portion and having a pitch that becomes smaller toward the outer circumference; A second reflection mirror portion that reflects the light reflected from the first reflection mirror portion to the circular grating lens, and an incident light that guides the light from the semiconductor laser provided in the second reflection mirror portion into the lens member. A second surface facing the first surface, which is composed of an optical window section and an outgoing light window section for guiding the diffracted light from the reflection hologram section to a light receiving sensor, and the semiconductor laser It is arranged in the vicinity of the optical axis while keeping a predetermined distance from the second surface, the sensor substrate having the light receiving sensor is arranged in contact with the second surface, and is composed of a transparent sealing resin portion for adhesively sealing them. An optical pickup featuring.
【請求項2】前記円形グレーティングレンズに対する前
記半導体レーザの設計基準波長に対し、前記半導体レー
ザの波長が長いとき、前記第2面から前記半導体レーザ
までの距離を設計基準値に対して短くし、前記半導体レ
ーザの波長が短いとき前記第2面から前記半導体レーザ
までの距離を設計基準値に対して長くしたことを特徴と
する請求項1記載の光ピックアップ。
2. When the wavelength of the semiconductor laser is longer than the design reference wavelength of the semiconductor laser for the circular grating lens, the distance from the second surface to the semiconductor laser is set shorter than the design reference value, 2. The optical pickup according to claim 1, wherein a distance from the second surface to the semiconductor laser is set longer than a design reference value when the wavelength of the semiconductor laser is short.
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