JPH05132315A - アモルフアス強誘電体酸化物材料及びその製造方法 - Google Patents
アモルフアス強誘電体酸化物材料及びその製造方法Info
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- JPH05132315A JPH05132315A JP32233691A JP32233691A JPH05132315A JP H05132315 A JPH05132315 A JP H05132315A JP 32233691 A JP32233691 A JP 32233691A JP 32233691 A JP32233691 A JP 32233691A JP H05132315 A JPH05132315 A JP H05132315A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、薄膜型のコンデンサー素子、強誘
電体メモリー、電気光学デバイス等に適用しうる非晶質
(アモルファス)の強誘電性材料及びその製造方法を提
供する。 【構成】 遷移金属酸化物(M2 O3 )−酸化ゲルマニ
ウム(GeO2 )−Sr2 Nb2 O7 型化合物(A2 B
2 O7 )を主成分とした三元酸化物からなり、かつ該三
元酸化物がアモルファス構造を有することを特徴とす
る。(ただし、M2 O3 は、Sc、Ti、V、Cr、M
n、Fe、Co、Ni、Y、Zr、Nb、Mo、Pd、
Hf、Ta、W、In及びランタン系列元素の酸化物か
らなる群から選ばれる少なくとも一種であり、A2 B2
O7 は強誘電性、反強誘電性または常誘電性を示すSr
2 Nb2 O7 型化合物である。)
電体メモリー、電気光学デバイス等に適用しうる非晶質
(アモルファス)の強誘電性材料及びその製造方法を提
供する。 【構成】 遷移金属酸化物(M2 O3 )−酸化ゲルマニ
ウム(GeO2 )−Sr2 Nb2 O7 型化合物(A2 B
2 O7 )を主成分とした三元酸化物からなり、かつ該三
元酸化物がアモルファス構造を有することを特徴とす
る。(ただし、M2 O3 は、Sc、Ti、V、Cr、M
n、Fe、Co、Ni、Y、Zr、Nb、Mo、Pd、
Hf、Ta、W、In及びランタン系列元素の酸化物か
らなる群から選ばれる少なくとも一種であり、A2 B2
O7 は強誘電性、反強誘電性または常誘電性を示すSr
2 Nb2 O7 型化合物である。)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜型のコンデンサー
素子、強誘電体メモリー、電気光学デバイス等が構成出
来る非晶質強誘電体酸化物材料及びその製造方法に関す
る。
素子、強誘電体メモリー、電気光学デバイス等が構成出
来る非晶質強誘電体酸化物材料及びその製造方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術およびその問題点】従来、ペロブスカイト
誘電材料に代表される無機系強誘電体材料に於いては、
その強誘電特性が結晶対称性に於ける一定の規則に基づ
いて発現している。同じく強誘電性が発現することで知
られているSr2 Nb2 O7 誘電体材料においてもその
強誘電性の発現原因は結晶対称性に於ける一定の規則に
起因している。このために強誘電性を顕著にするために
は材料の結晶性を高めることが重要である。実際に、S
r2 Nb2 O7 結晶構造を有する材料では結晶性を高め
るために焼成温度の調整、あるいは焼結密度の向上など
上述した事項に関連して多くの努力がなされてきた。一
方、このような強誘電体を応用したコンデンサー、強誘
電体メモリー等では材料が多結晶体の場合、粒界の存在
によって耐電圧の低下が生じたり、粒界に添ってリーク
電流が発生し、コンデンサーにおいてはロスの原因とな
り、またメモリーにおいては情報の保持性が損なわれる
という問題があった。また、結晶粒界の存在によって各
種デバイスの微細化が困難となるということも、誘電特
性を応用した種々デバイスが小型化に向かっている今
日、大きな問題となっている。また、誘電体材料を電気
光学素子として展開する場合にも結晶粒界の存在は光の
散乱を招き、光デバイスを機能させるうえで光信号強度
の減少、ノイズの増大など重大な問題を伴う。これらの
問題に対して、強誘電体材料を薄膜で構成し、マイクロ
デバイス化されたコンデンサーや強誘電体メモリー、あ
るいは電気光学デバイスを構成しようとする試みがあ
る。薄膜に於いては、結晶粒界の発生を回避するため
に、単結晶誘電体薄膜の作製やアモルファス誘電体薄膜
の作製などが試みられている。単結晶誘電体薄膜ではエ
ピタキシャル成長を促すために基板にサファイア、Mg
O、GGGなどの単結晶基板が薄膜との格子定数の整合
性を考慮し使い分けられる。又、製膜にはスパッタリン
グ法や液相エピタキシャル成長法(LPE法)等の方法
が取られる。しかしながら、何れの方法も基板に高価な
単結晶基板を使用し、エピタキシャル成長のために、種
々の条件コントロールを厳しく制御しなければならず、
また結晶の成長する結晶軸が単結晶の方位に規制され、
さらに単結晶基板の格子定数と薄膜の格子定数の差があ
まり大きくなると単結晶薄膜の成長が困難になるなど、
実際の薄膜作製は容易なものではない。さらに、これま
で述べてきたようなエピタキシャル成長法では、薄膜の
単結晶化に、およそ600℃以上の高い熱処理温度を必
要とするために、膜の熱処理によって膜の表面性が損な
われるという問題もあり、強誘電体材料のマイクロデバ
イス化を図る場合の大きな障壁になっていた。
誘電材料に代表される無機系強誘電体材料に於いては、
その強誘電特性が結晶対称性に於ける一定の規則に基づ
いて発現している。同じく強誘電性が発現することで知
られているSr2 Nb2 O7 誘電体材料においてもその
強誘電性の発現原因は結晶対称性に於ける一定の規則に
起因している。このために強誘電性を顕著にするために
は材料の結晶性を高めることが重要である。実際に、S
r2 Nb2 O7 結晶構造を有する材料では結晶性を高め
るために焼成温度の調整、あるいは焼結密度の向上など
上述した事項に関連して多くの努力がなされてきた。一
方、このような強誘電体を応用したコンデンサー、強誘
電体メモリー等では材料が多結晶体の場合、粒界の存在
によって耐電圧の低下が生じたり、粒界に添ってリーク
電流が発生し、コンデンサーにおいてはロスの原因とな
り、またメモリーにおいては情報の保持性が損なわれる
という問題があった。また、結晶粒界の存在によって各
種デバイスの微細化が困難となるということも、誘電特
性を応用した種々デバイスが小型化に向かっている今
日、大きな問題となっている。また、誘電体材料を電気
光学素子として展開する場合にも結晶粒界の存在は光の
散乱を招き、光デバイスを機能させるうえで光信号強度
の減少、ノイズの増大など重大な問題を伴う。これらの
問題に対して、強誘電体材料を薄膜で構成し、マイクロ
デバイス化されたコンデンサーや強誘電体メモリー、あ
るいは電気光学デバイスを構成しようとする試みがあ
る。薄膜に於いては、結晶粒界の発生を回避するため
に、単結晶誘電体薄膜の作製やアモルファス誘電体薄膜
の作製などが試みられている。単結晶誘電体薄膜ではエ
ピタキシャル成長を促すために基板にサファイア、Mg
O、GGGなどの単結晶基板が薄膜との格子定数の整合
性を考慮し使い分けられる。又、製膜にはスパッタリン
グ法や液相エピタキシャル成長法(LPE法)等の方法
が取られる。しかしながら、何れの方法も基板に高価な
単結晶基板を使用し、エピタキシャル成長のために、種
々の条件コントロールを厳しく制御しなければならず、
また結晶の成長する結晶軸が単結晶の方位に規制され、
さらに単結晶基板の格子定数と薄膜の格子定数の差があ
まり大きくなると単結晶薄膜の成長が困難になるなど、
実際の薄膜作製は容易なものではない。さらに、これま
で述べてきたようなエピタキシャル成長法では、薄膜の
単結晶化に、およそ600℃以上の高い熱処理温度を必
要とするために、膜の熱処理によって膜の表面性が損な
われるという問題もあり、強誘電体材料のマイクロデバ
イス化を図る場合の大きな障壁になっていた。
【0003】アモルファス薄膜は単結晶薄膜と同様に、
結晶粒界が存在しないため、前述した強誘電体多結晶材
料に於いて発生する種々問題の解決のためにその実用化
が期待されている。しかしながら、従来Sr2 Nb2 O
7 型の誘電体を使用し、アモルファス強誘電体薄膜を作
製したという例はない。
結晶粒界が存在しないため、前述した強誘電体多結晶材
料に於いて発生する種々問題の解決のためにその実用化
が期待されている。しかしながら、従来Sr2 Nb2 O
7 型の誘電体を使用し、アモルファス強誘電体薄膜を作
製したという例はない。
【0004】
【発明の目的】本発明における材料はアモルファス構造
を有し、このために結晶粒界や焼結体に見られるような
ポアー等が無く、損失の小さいコンデンサーや情報保持
性の高い強誘電体メモリー、あるいは電気光学デバイス
などに応用できる材料を提供することを目的とする。
を有し、このために結晶粒界や焼結体に見られるような
ポアー等が無く、損失の小さいコンデンサーや情報保持
性の高い強誘電体メモリー、あるいは電気光学デバイス
などに応用できる材料を提供することを目的とする。
【0005】
【問題点を解決するための手段】本発明は、遷移金属酸
化物(M2 O3 )−酸化ゲルマニウム(GeO2 )−S
r2 Nb2 O7 型化合物(A2 B2 O7 )を主成分とし
た三元酸化物を、真空蒸着、スパッタリング法などの非
晶質膜形成手段を用いて基板上に、基板温度を300℃
以下に保持しながら非晶質の薄膜として作製し、これに
熱処理などを施すことなく、作製したそのままの状態で
強誘電体酸化物材料を得る方法を採用することにより、
上記問題の解決を図ったものである。即ち、本発明は、
遷移金属酸化物(M2 O3 )−酸化ゲルマニウム(Ge
O2)−Sr2 Nb2 O7 型化合物(A2 B2 O7)を主
成分とした三元酸化物からなり、かつ該三元酸化物がア
モルファス構造を有することを特徴とするアモルファス
強誘電体材料(ただし、M2 O3 はSc、Ti、V、C
r、Mn、Fe、Co、Ni、Y、Zr、Nb、Mo、
Pd、Hf、Ta、W、Inおよびランタン系列元素の
酸化物からなる群から選ばれる少なくとも一種であり、
A2 B2 O7強誘電性を示すSr2 Nb2 O7 型化合物
である。)を提供するものである。さらに、本発明は、
上記三元酸化物を製膜手段を用いて基板上に、基板温度
を300℃以下に保持しながら非晶質の薄膜として作製
し、作製したそのままの状態で強誘電体酸化物材料を得
ることを特徴とするアモルファス強誘電体酸化物材料の
製造法を提供するものである。
化物(M2 O3 )−酸化ゲルマニウム(GeO2 )−S
r2 Nb2 O7 型化合物(A2 B2 O7 )を主成分とし
た三元酸化物を、真空蒸着、スパッタリング法などの非
晶質膜形成手段を用いて基板上に、基板温度を300℃
以下に保持しながら非晶質の薄膜として作製し、これに
熱処理などを施すことなく、作製したそのままの状態で
強誘電体酸化物材料を得る方法を採用することにより、
上記問題の解決を図ったものである。即ち、本発明は、
遷移金属酸化物(M2 O3 )−酸化ゲルマニウム(Ge
O2)−Sr2 Nb2 O7 型化合物(A2 B2 O7)を主
成分とした三元酸化物からなり、かつ該三元酸化物がア
モルファス構造を有することを特徴とするアモルファス
強誘電体材料(ただし、M2 O3 はSc、Ti、V、C
r、Mn、Fe、Co、Ni、Y、Zr、Nb、Mo、
Pd、Hf、Ta、W、Inおよびランタン系列元素の
酸化物からなる群から選ばれる少なくとも一種であり、
A2 B2 O7強誘電性を示すSr2 Nb2 O7 型化合物
である。)を提供するものである。さらに、本発明は、
上記三元酸化物を製膜手段を用いて基板上に、基板温度
を300℃以下に保持しながら非晶質の薄膜として作製
し、作製したそのままの状態で強誘電体酸化物材料を得
ることを特徴とするアモルファス強誘電体酸化物材料の
製造法を提供するものである。
【0006】本発明のアモルファス強誘電体酸化物材料
は、遷移金属酸化物(M2 O3 )−酸化ゲルマニウム
(GeO2 )−Sr2 Nb2 O7 型化合物(A2 B2 O
7 )を主成分とした三元酸化物からなる。ここに、M2
O3 はSc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、N
i、Y、Zr、Nb、Mo、Pd、Hf、Ta、W、I
n、及びLa、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、
Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及びLuのランタ
ン系列元素の酸化物からなる群から選ばれる少なくとも
一種であり、A2 B2 O7 は強誘電性を示すSr2 Nb
2 O7 型化合物である。本発明のアモルファス強誘電体
酸化物材料は、上記三元酸化物をアモルファス構造の形
態に形成してなる。前記薄膜がアモルファス構造を取り
ながら、強誘電性を示す組成を図1に示す。同組成域は
図1中においてα、β、γ、δ、ε、φで囲まれた領域
である。ここに於いて、直線αβはaM2 O3 −(1−
a)GeO2 で表される直線であり、直線βγは0.9
0GeO2 −0.10(bM2 O3 −(1−b)A2 B
2 O7 )で表される直線であり、直線γδはcGeO2
−(1−c)A2 B2 O7 で表される直線であり、直線
δεは0.20(dGeO2 −(1−d)M2 O3 )−
0.80A2 B2 O7 で表される直線であり、直線εφ
はeA2 B2 O7 −(1−e)M2 O3 で表される直線
であり、直線φαは0.90M2 O3 −0.10(fA
2 B2 O7 −(1−f)GeO2 )で表される直線であ
り、夫々の組成線において0.10≦a≦0.90かつ
0.00≦b≦1.00かつ0.20≦c≦0.90か
つ0.00≦d≦1.00かつ0.20≦e≦0.90
かつ0.00≦f≦1.00なる範囲に規定された組成
線である。同図中においてA2 B2 O7 はSr2 Nb2
O7 型の種々誘電材料(Sr2 Nb2 O7 、Nd2 Ti
2 O7 等の強誘電体材料)を表す。図1中、並びに後出
の三角組成図に於いて、三辺の刻みは1目盛0.1(m
ol比)を表す。この図から解かるようにSr2 Nb2
O7 型の誘電材料の濃度の高い領域ではアモルファス膜
は作製できていない。しかしながら、これにM2 O3 あ
るいはGeO2 を過剰に添加することにより、材料がア
モルファス化し、しかも強誘電性を呈するようになる。
は、遷移金属酸化物(M2 O3 )−酸化ゲルマニウム
(GeO2 )−Sr2 Nb2 O7 型化合物(A2 B2 O
7 )を主成分とした三元酸化物からなる。ここに、M2
O3 はSc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、N
i、Y、Zr、Nb、Mo、Pd、Hf、Ta、W、I
n、及びLa、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、
Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及びLuのランタ
ン系列元素の酸化物からなる群から選ばれる少なくとも
一種であり、A2 B2 O7 は強誘電性を示すSr2 Nb
2 O7 型化合物である。本発明のアモルファス強誘電体
酸化物材料は、上記三元酸化物をアモルファス構造の形
態に形成してなる。前記薄膜がアモルファス構造を取り
ながら、強誘電性を示す組成を図1に示す。同組成域は
図1中においてα、β、γ、δ、ε、φで囲まれた領域
である。ここに於いて、直線αβはaM2 O3 −(1−
a)GeO2 で表される直線であり、直線βγは0.9
0GeO2 −0.10(bM2 O3 −(1−b)A2 B
2 O7 )で表される直線であり、直線γδはcGeO2
−(1−c)A2 B2 O7 で表される直線であり、直線
δεは0.20(dGeO2 −(1−d)M2 O3 )−
0.80A2 B2 O7 で表される直線であり、直線εφ
はeA2 B2 O7 −(1−e)M2 O3 で表される直線
であり、直線φαは0.90M2 O3 −0.10(fA
2 B2 O7 −(1−f)GeO2 )で表される直線であ
り、夫々の組成線において0.10≦a≦0.90かつ
0.00≦b≦1.00かつ0.20≦c≦0.90か
つ0.00≦d≦1.00かつ0.20≦e≦0.90
かつ0.00≦f≦1.00なる範囲に規定された組成
線である。同図中においてA2 B2 O7 はSr2 Nb2
O7 型の種々誘電材料(Sr2 Nb2 O7 、Nd2 Ti
2 O7 等の強誘電体材料)を表す。図1中、並びに後出
の三角組成図に於いて、三辺の刻みは1目盛0.1(m
ol比)を表す。この図から解かるようにSr2 Nb2
O7 型の誘電材料の濃度の高い領域ではアモルファス膜
は作製できていない。しかしながら、これにM2 O3 あ
るいはGeO2 を過剰に添加することにより、材料がア
モルファス化し、しかも強誘電性を呈するようになる。
【0007】本発明のアモルファス強誘電体薄膜の作製
方法によれば、上記三元酸化物を製膜手段を用いて基板
上に、基板温度を300℃以下に保持しながら非晶質の
薄膜として作製することにより、作製したそのままの状
態で強誘電体酸化物材料が得られる。製膜手段として
は、真空蒸着法、スパッタリング法など一般に用いられ
ている薄膜形成プロセスが用いられる。製膜中、基板温
度をアモルファス複合酸化物の結晶化温度(500〜6
00℃)以下、好ましくは300℃以下の基板温度に於
いて酸素雰囲気中で製膜することにより、強誘電性を有
するアモルファス酸化物薄膜が得られる。本発明に於い
ては、製膜時に単結晶基板などを用いて行なうエピタキ
シャル成長や製膜後、薄膜結晶化のための熱処理を施す
ことなく簡単に強誘電特性を呈する薄膜が得られる。こ
のために強誘電性薄膜作製に掛かる手間を大幅に軽減す
ると共に、非常に表面性のよい結晶粒界のない膜が作製
できるため強誘電体材料を応用した高密度強誘電体メモ
リー、超微細コンデンサーなどのマイクロデバイス、電
気光学デバイス等への展開が期待される。
方法によれば、上記三元酸化物を製膜手段を用いて基板
上に、基板温度を300℃以下に保持しながら非晶質の
薄膜として作製することにより、作製したそのままの状
態で強誘電体酸化物材料が得られる。製膜手段として
は、真空蒸着法、スパッタリング法など一般に用いられ
ている薄膜形成プロセスが用いられる。製膜中、基板温
度をアモルファス複合酸化物の結晶化温度(500〜6
00℃)以下、好ましくは300℃以下の基板温度に於
いて酸素雰囲気中で製膜することにより、強誘電性を有
するアモルファス酸化物薄膜が得られる。本発明に於い
ては、製膜時に単結晶基板などを用いて行なうエピタキ
シャル成長や製膜後、薄膜結晶化のための熱処理を施す
ことなく簡単に強誘電特性を呈する薄膜が得られる。こ
のために強誘電性薄膜作製に掛かる手間を大幅に軽減す
ると共に、非常に表面性のよい結晶粒界のない膜が作製
できるため強誘電体材料を応用した高密度強誘電体メモ
リー、超微細コンデンサーなどのマイクロデバイス、電
気光学デバイス等への展開が期待される。
【0008】
実施例1 薄膜作製にはRFマグネトロンスパッタリング装置を用
い、カソード板上に直径76mm、深さ4mmのステン
レス製シャーレを置き、その中に、GeO2 、Fe2 O
3 、Sr2 Nb2 O7 の混合粉末を充填したものをター
ゲットとして用いた。GeO2 、Fe2 O3 、Sr2 N
b2O7 の各粉末はステンレス製のシャーレに充填する
に先立ち、各酸化物材料の粉末を調合したものをエタノ
ールを溶媒として30分間ペイントシェーカーにより、
湿式混合を行なった。その後、さらに、脱媒、乾燥後、
ステンレス製シャーレに充填し、スパッタリングターゲ
ットとして使用した。 スパッタガスはAr:O2 =7:3の混合ガスで、A
r、O2それぞれのガスの純度は99.995%以上の
ものを使用した。基板には(111)方位のSiウエハ
ーを使用した。Siウエハーはn型であり、抵抗率はお
よそ1(Ωcm)の物を使用した。Siウエハー上には
予め酸化処理により、膜厚200nmのSiO2 層を設
けている。この層を設けた目的は主として誘電性の評価
時における電気絶縁性の確保のためである。製膜に先だ
って基板温度を200℃まで上昇させ、主に基板表面に
吸着している水分の脱離処理を行なった。さらに、製膜
前に約30分ほどプリスパッタリングを行ない、ターゲ
ット表面の清浄化を図り、スパッタリング製膜時におけ
る膜質と薄膜組成の安定化を図った。スパッタリングガ
ス導入前、真空度が2x10-7Torr以下に到達して
いることを確認した。スパッタ製膜中、全ガス圧は25
mTorrと一定にした。スパッタリング中は基板を固
定している銅製のアノードを水冷し、製膜中の基板温度
を20〜25℃に維持した。高周波投入電力は110W
とし、30〜60分のスパッタリング製膜を行なった。
このようにして得られた薄膜はターゲットの組成により
スパッタリング速度が変動するために膜厚に変動が見ら
れたが、およそ夫々の薄膜において500〜1000n
mの膜厚を示した。
い、カソード板上に直径76mm、深さ4mmのステン
レス製シャーレを置き、その中に、GeO2 、Fe2 O
3 、Sr2 Nb2 O7 の混合粉末を充填したものをター
ゲットとして用いた。GeO2 、Fe2 O3 、Sr2 N
b2O7 の各粉末はステンレス製のシャーレに充填する
に先立ち、各酸化物材料の粉末を調合したものをエタノ
ールを溶媒として30分間ペイントシェーカーにより、
湿式混合を行なった。その後、さらに、脱媒、乾燥後、
ステンレス製シャーレに充填し、スパッタリングターゲ
ットとして使用した。 スパッタガスはAr:O2 =7:3の混合ガスで、A
r、O2それぞれのガスの純度は99.995%以上の
ものを使用した。基板には(111)方位のSiウエハ
ーを使用した。Siウエハーはn型であり、抵抗率はお
よそ1(Ωcm)の物を使用した。Siウエハー上には
予め酸化処理により、膜厚200nmのSiO2 層を設
けている。この層を設けた目的は主として誘電性の評価
時における電気絶縁性の確保のためである。製膜に先だ
って基板温度を200℃まで上昇させ、主に基板表面に
吸着している水分の脱離処理を行なった。さらに、製膜
前に約30分ほどプリスパッタリングを行ない、ターゲ
ット表面の清浄化を図り、スパッタリング製膜時におけ
る膜質と薄膜組成の安定化を図った。スパッタリングガ
ス導入前、真空度が2x10-7Torr以下に到達して
いることを確認した。スパッタ製膜中、全ガス圧は25
mTorrと一定にした。スパッタリング中は基板を固
定している銅製のアノードを水冷し、製膜中の基板温度
を20〜25℃に維持した。高周波投入電力は110W
とし、30〜60分のスパッタリング製膜を行なった。
このようにして得られた薄膜はターゲットの組成により
スパッタリング速度が変動するために膜厚に変動が見ら
れたが、およそ夫々の薄膜において500〜1000n
mの膜厚を示した。
【0009】以上のような薄膜形成プロセスにより、G
eO2 、Fe2 O3 、Sr2 Nb2O7 を三元とするス
パッタ薄膜を作製した。図2にNo.1〜25までの番
号で示した組成について作製し、夫々について膜構造の
評価ならびに誘電特性について測定した。尚、得られた
薄膜について誘導プラズマ発光分析法によりターゲット
組成と薄膜組成の対応を調べたところ、およそ3%の誤
差で、両者の組成が対応していることが解かった。従っ
て、以下では薄膜の組成としてターゲットの仕込み組成
を用いて説明する。誘電特性は同特性評価において一般
的に使用されるソヤ・タワー回路によって評価した。こ
の回路により、電束密度(D)の電界依存性を評価し自
発分極(Ps)の値を求めた。なお、誘電性の評価に於
いては図3に示したような電極構成とし、薄膜1に電界
を印加するための電極4を酸化物薄膜2側から出すこと
により等価的に2つのコンデンサーC1 、C2 を直列に
接続したような構成とし、Si3側から金属電極を出し
たときに金属電極とSiの界面に発生するショットキー
特性を防止し、正確な誘電性評価を行なった。尚、金属
電極は薄膜表面におよそ膜厚100nm、直径4mmの
Au電極をスパッタリング法によって形成した。
eO2 、Fe2 O3 、Sr2 Nb2O7 を三元とするス
パッタ薄膜を作製した。図2にNo.1〜25までの番
号で示した組成について作製し、夫々について膜構造の
評価ならびに誘電特性について測定した。尚、得られた
薄膜について誘導プラズマ発光分析法によりターゲット
組成と薄膜組成の対応を調べたところ、およそ3%の誤
差で、両者の組成が対応していることが解かった。従っ
て、以下では薄膜の組成としてターゲットの仕込み組成
を用いて説明する。誘電特性は同特性評価において一般
的に使用されるソヤ・タワー回路によって評価した。こ
の回路により、電束密度(D)の電界依存性を評価し自
発分極(Ps)の値を求めた。なお、誘電性の評価に於
いては図3に示したような電極構成とし、薄膜1に電界
を印加するための電極4を酸化物薄膜2側から出すこと
により等価的に2つのコンデンサーC1 、C2 を直列に
接続したような構成とし、Si3側から金属電極を出し
たときに金属電極とSiの界面に発生するショットキー
特性を防止し、正確な誘電性評価を行なった。尚、金属
電極は薄膜表面におよそ膜厚100nm、直径4mmの
Au電極をスパッタリング法によって形成した。
【0010】上記の薄膜形成法によって作製したスパッ
タリング薄膜について作製したままの状態(As−de
posit状態)の構造、誘電特性の評価を行なった。
まず、薄膜の構造について評価した結果について述べ
る。図2の点線A上において作製された種々組成のスパ
ッタ製膜後の膜のXRD回折結果を図4に示した。同図
中に示したNo.10、No.15、No.18は図2
中の番号に相当し、薄膜試料の組成を表している。XR
Dの線源にはCuのターゲットを使用し、さらにモノク
ロメーターを装着した。図4に示したXRDの結果には
基板として用いたSiの(111)面に相当する回折線
も薄膜の回折結果に重畳して見られている。Sr2 Nb
2 O7 薄膜No.7ではAs−deposit状態にお
いて薄膜は結晶化していたが、GeO2ならびにFe2
O3 が過剰になる組成(No.10、No.15、N
o.18)では薄膜の結晶化によるX線の回折線が全く
認められず、薄膜がアモルファス状態であることが解か
る。さらに、図2の点線B上において作製された種々組
成のスパッタ製膜後の膜のXRD回折結果を図5に示
す。同図中に示したNo.3、No.16、No.22
は図2中の番号に相当し、薄膜試料の組成を表してい
る。図5から明らかなように、XRDの結果にはSiの
(111)面に相当する回折線の他には明瞭な回折線も
なく、これらの組成の薄膜は全てアモルファス構造を有
していることが解かる。さらに、図2に示したNo.1
〜No.25の全ての膜についてXRD分析を行なった
結果、同図中において黒丸で示した薄膜においては、S
iの(111)面に相当する回折線の他には明瞭な回折
線もなく、図2に於いてα、β、γ、δ、ε、φで囲ま
れた領域は薄膜を作製した状態(As−deposit
状態)で薄膜がアモルファス構造を有することが解かっ
た。
タリング薄膜について作製したままの状態(As−de
posit状態)の構造、誘電特性の評価を行なった。
まず、薄膜の構造について評価した結果について述べ
る。図2の点線A上において作製された種々組成のスパ
ッタ製膜後の膜のXRD回折結果を図4に示した。同図
中に示したNo.10、No.15、No.18は図2
中の番号に相当し、薄膜試料の組成を表している。XR
Dの線源にはCuのターゲットを使用し、さらにモノク
ロメーターを装着した。図4に示したXRDの結果には
基板として用いたSiの(111)面に相当する回折線
も薄膜の回折結果に重畳して見られている。Sr2 Nb
2 O7 薄膜No.7ではAs−deposit状態にお
いて薄膜は結晶化していたが、GeO2ならびにFe2
O3 が過剰になる組成(No.10、No.15、N
o.18)では薄膜の結晶化によるX線の回折線が全く
認められず、薄膜がアモルファス状態であることが解か
る。さらに、図2の点線B上において作製された種々組
成のスパッタ製膜後の膜のXRD回折結果を図5に示
す。同図中に示したNo.3、No.16、No.22
は図2中の番号に相当し、薄膜試料の組成を表してい
る。図5から明らかなように、XRDの結果にはSiの
(111)面に相当する回折線の他には明瞭な回折線も
なく、これらの組成の薄膜は全てアモルファス構造を有
していることが解かる。さらに、図2に示したNo.1
〜No.25の全ての膜についてXRD分析を行なった
結果、同図中において黒丸で示した薄膜においては、S
iの(111)面に相当する回折線の他には明瞭な回折
線もなく、図2に於いてα、β、γ、δ、ε、φで囲ま
れた領域は薄膜を作製した状態(As−deposit
状態)で薄膜がアモルファス構造を有することが解かっ
た。
【0011】次いで、アモルファス構造の微細組織を観
察するために、図2におけるNo.15の組成の膜につ
いて高分解能のTEM観察を行なった。TEM観察にお
いては薄膜の表面側ならびに基板側よりエッチングを行
ない、薄膜の厚さ方向に対してほぼ中点付近の組織を観
察している。これによれば、0.3nmの分解能に於い
ても、格子像を認めることが出来なかった。同薄膜試料
について、直径約200nmの領域において制限視野電
子線回折を行い、観測された回折リングは非常に幅の広
いハローパターンを示し、薄膜のアモルファス性が非常
に高いことを示している。
察するために、図2におけるNo.15の組成の膜につ
いて高分解能のTEM観察を行なった。TEM観察にお
いては薄膜の表面側ならびに基板側よりエッチングを行
ない、薄膜の厚さ方向に対してほぼ中点付近の組織を観
察している。これによれば、0.3nmの分解能に於い
ても、格子像を認めることが出来なかった。同薄膜試料
について、直径約200nmの領域において制限視野電
子線回折を行い、観測された回折リングは非常に幅の広
いハローパターンを示し、薄膜のアモルファス性が非常
に高いことを示している。
【0012】次に、誘電特性について説明する。まず、
図2の点線A上に於ける誘電性ヒステリシスループの変
化を図6に示す。同線上においてNo.7の膜は薄膜が
導電性となり、誘電特性を評価することが出来なかっ
た。図6のヒステリシスループの左肩に示した番号は、
図2中の組成を示す番号に対応している。この結果、な
らびに図4の構造解析の結果から明らかなように、N
o.10、No.15、No.18の薄膜ではアモルフ
ァス構造を取りながら強誘電性を示していることが解か
った。また、図2に於ける直線A上の薄膜組成をy
(0.5Fe2 O3 −0.5GeO2 )−(1−y)S
r2 Nb2 O7 と表したときに、yに対する薄膜の飽和
電荷密度(Ps)の依存性を表した。飽和電荷密度は図
6に示した誘電特性のヒステリシスループから電界30
0〜500kV/cmに於ける電束密度(D)の電界依
存性をE=0軸に外挿し、同軸と交わった点に於ける電
束密度を飽和電荷密度と定義し求めた。図7より広い組
成範囲に亘って、Psが存在し、薄膜が強誘電性を示し
ていることが解かるが、同線上においてはSr2 Nb2
O7 に近い組成領域で強誘電性が消失していることが解
かる。この組成領域において析出している相は強誘電相
ではなく、常誘電相であると考えている。また、図2、
線上Bにおいても各組成についてヒステリシスループの
組成依存性を示した(図8)。図8のヒステリシスルー
プの左肩に示した番号は、図2中の組成を示す番号に対
応している。これからも明らかなように全ての組成に薄
膜において強誘電性が観測されていることが解かる。こ
のヒステリシスループより先に述べた方法で、飽和電荷
密度(Ps)を求めた。直線Bの組成変化は0.80
(xGeO2 −(1−x)Fe2 O3 )−0.20Sr
2 Nb2 O7 なる表記で表される。xに対するPsの依
存性を図9に示した。同図からも解かるように全てのx
値に対してPsが存在し強誘電性を示していることが解
かる。さらに、前出の図2中に示した全ての薄膜の組成
について誘電特性とX線による構造の評価を行なった。
これらの結果をまとめて同図中に示した。即ち、同図中
において黒丸はアモルファス強誘電性を示した薄膜の組
成を示し、斜線を施した丸はアモルファス構造を取りな
がら常誘電性をしめした組成を示している。さらに白丸
は結晶質の薄膜であり、同薄膜は導電性を示していた。
同組成図上で検討した種々組成の薄膜について構造と誘
電特性についてまとめた。この図から明らかなように、
アモルファス構造を有しながら強誘電性を示す薄膜材料
の組成は同図中に広く分布しており、同図に於いて、
α、β、γ、δ、ε、φにて囲まれた領域(薄墨を施し
た部分)をアモルファス構造を取りながら、強誘電性の
発現する組成領域と定義することが出来る。また、図2
に示した全ての組成について、薄膜組成と飽和電荷密度
Psの対応を表1に示す。強誘電性を示す薄膜では、お
よそ63(nC/cm2 )以上の飽和電荷密度を有し、
この電荷密度は最大143(nC/cm2 )程度まで達
していることが解かり、強誘電体として十分な実用特性
を有していると考えられる。
図2の点線A上に於ける誘電性ヒステリシスループの変
化を図6に示す。同線上においてNo.7の膜は薄膜が
導電性となり、誘電特性を評価することが出来なかっ
た。図6のヒステリシスループの左肩に示した番号は、
図2中の組成を示す番号に対応している。この結果、な
らびに図4の構造解析の結果から明らかなように、N
o.10、No.15、No.18の薄膜ではアモルフ
ァス構造を取りながら強誘電性を示していることが解か
った。また、図2に於ける直線A上の薄膜組成をy
(0.5Fe2 O3 −0.5GeO2 )−(1−y)S
r2 Nb2 O7 と表したときに、yに対する薄膜の飽和
電荷密度(Ps)の依存性を表した。飽和電荷密度は図
6に示した誘電特性のヒステリシスループから電界30
0〜500kV/cmに於ける電束密度(D)の電界依
存性をE=0軸に外挿し、同軸と交わった点に於ける電
束密度を飽和電荷密度と定義し求めた。図7より広い組
成範囲に亘って、Psが存在し、薄膜が強誘電性を示し
ていることが解かるが、同線上においてはSr2 Nb2
O7 に近い組成領域で強誘電性が消失していることが解
かる。この組成領域において析出している相は強誘電相
ではなく、常誘電相であると考えている。また、図2、
線上Bにおいても各組成についてヒステリシスループの
組成依存性を示した(図8)。図8のヒステリシスルー
プの左肩に示した番号は、図2中の組成を示す番号に対
応している。これからも明らかなように全ての組成に薄
膜において強誘電性が観測されていることが解かる。こ
のヒステリシスループより先に述べた方法で、飽和電荷
密度(Ps)を求めた。直線Bの組成変化は0.80
(xGeO2 −(1−x)Fe2 O3 )−0.20Sr
2 Nb2 O7 なる表記で表される。xに対するPsの依
存性を図9に示した。同図からも解かるように全てのx
値に対してPsが存在し強誘電性を示していることが解
かる。さらに、前出の図2中に示した全ての薄膜の組成
について誘電特性とX線による構造の評価を行なった。
これらの結果をまとめて同図中に示した。即ち、同図中
において黒丸はアモルファス強誘電性を示した薄膜の組
成を示し、斜線を施した丸はアモルファス構造を取りな
がら常誘電性をしめした組成を示している。さらに白丸
は結晶質の薄膜であり、同薄膜は導電性を示していた。
同組成図上で検討した種々組成の薄膜について構造と誘
電特性についてまとめた。この図から明らかなように、
アモルファス構造を有しながら強誘電性を示す薄膜材料
の組成は同図中に広く分布しており、同図に於いて、
α、β、γ、δ、ε、φにて囲まれた領域(薄墨を施し
た部分)をアモルファス構造を取りながら、強誘電性の
発現する組成領域と定義することが出来る。また、図2
に示した全ての組成について、薄膜組成と飽和電荷密度
Psの対応を表1に示す。強誘電性を示す薄膜では、お
よそ63(nC/cm2 )以上の飽和電荷密度を有し、
この電荷密度は最大143(nC/cm2 )程度まで達
していることが解かり、強誘電体として十分な実用特性
を有していると考えられる。
【0013】
【表1】
【0014】実施例2 実施例1において説明した製膜法により基板をガラス基
板にかえて、薄膜を作製した。ガラス基板にはコーニン
グのNo.7059を使用した。図2に示したNo.1
5ならびにNo.20の組成の薄膜を作製した。スパッ
タ製膜された薄膜の膜厚はおよそ200nmであった。
作製された薄膜は琥珀色を呈していた。何れの薄膜も近
赤外領域では、反射防止膜を施し、光透過率の測定を行
なった。透過率の光波長依存性を図10に示す。この結
果から解かるようにアモルファス強誘電体薄膜は近赤外
領域に於いて90%以上の光透過率を有し、同薄膜の電
気光学素子への応用が考えられることが解かる。
板にかえて、薄膜を作製した。ガラス基板にはコーニン
グのNo.7059を使用した。図2に示したNo.1
5ならびにNo.20の組成の薄膜を作製した。スパッ
タ製膜された薄膜の膜厚はおよそ200nmであった。
作製された薄膜は琥珀色を呈していた。何れの薄膜も近
赤外領域では、反射防止膜を施し、光透過率の測定を行
なった。透過率の光波長依存性を図10に示す。この結
果から解かるようにアモルファス強誘電体薄膜は近赤外
領域に於いて90%以上の光透過率を有し、同薄膜の電
気光学素子への応用が考えられることが解かる。
【0015】実施例3 実施例1と同様の製膜法によりSr2 Nb2 O7 誘電体
材料として強誘電性のSr2 Nb2 O7 に変え、Nd2
Ti2 O7 を用いて薄膜を作製した。作製した薄膜の組
成は図11の三角組成図にNo.1ならびに、No.2
5〜No.48までの番号を付記した点として表した。
As−deposit薄膜について誘電性とX線による
構造解析を行なった。その結果をまとめて図11に示
す。同図中において黒丸はアモルファス強誘電性を示し
た薄膜の組成を示し、斜線を施した丸はアモルファス構
造を取りながら常誘電性を示した薄膜の組成を示してい
る。さらに白丸は結晶質の薄膜であり、導電性を示した
薄膜の組成を示している。この結果より、三角組成図に
於いて、α、β、γ、δ、ε、φにて囲まれた領域(薄
墨を施した部分)薄墨を施した組成領域でアモルファス
の強誘電性が発現していることを見い出した。ここに於
いて、単体では反強誘電性を示すNd2 Ti2 O7 材料
もFe2 O3 またはGeO2 を過剰に添加することによ
り、顕著な強誘電性を示すことが解かった。また、図1
1上に示した各組成に対する飽和電荷密度の一覧を表2
に示す。同表によると、GeO2 −Fe2 O3 −Nd2
Ti2 O7 系アモルファス強誘電体薄膜では、最大で1
62(nC/cm2 )程度の飽和電荷密度を観測した。
材料として強誘電性のSr2 Nb2 O7 に変え、Nd2
Ti2 O7 を用いて薄膜を作製した。作製した薄膜の組
成は図11の三角組成図にNo.1ならびに、No.2
5〜No.48までの番号を付記した点として表した。
As−deposit薄膜について誘電性とX線による
構造解析を行なった。その結果をまとめて図11に示
す。同図中において黒丸はアモルファス強誘電性を示し
た薄膜の組成を示し、斜線を施した丸はアモルファス構
造を取りながら常誘電性を示した薄膜の組成を示してい
る。さらに白丸は結晶質の薄膜であり、導電性を示した
薄膜の組成を示している。この結果より、三角組成図に
於いて、α、β、γ、δ、ε、φにて囲まれた領域(薄
墨を施した部分)薄墨を施した組成領域でアモルファス
の強誘電性が発現していることを見い出した。ここに於
いて、単体では反強誘電性を示すNd2 Ti2 O7 材料
もFe2 O3 またはGeO2 を過剰に添加することによ
り、顕著な強誘電性を示すことが解かった。また、図1
1上に示した各組成に対する飽和電荷密度の一覧を表2
に示す。同表によると、GeO2 −Fe2 O3 −Nd2
Ti2 O7 系アモルファス強誘電体薄膜では、最大で1
62(nC/cm2 )程度の飽和電荷密度を観測した。
【0016】
【表2】
【0017】実施例4 M2 O3 −GeO2 −Sr2 Nb2 O7 系において、表
3に示す元素を用いて、夫々の薄膜を作製した。薄膜の
作製は実施例1に説明した方法により行なった。また、
薄膜の構造評価は、X線回折法により、その条件は実施
例1に述べたとおりであった。さらに、薄膜の誘電性評
価法についても実施例1と同様である。ただし、スパッ
タリング製膜においてMがZr、Mo、Pd、Hf、T
a、Wの場合には、ターゲットとしてM2 O3 の替わり
に、各元素の金属微粉を使用した。その他のSc、T
i、V、Cr、Mn、Co、Ni、Y、Nb、In、L
a、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、D
y、Ho、Er、Tm、Yb、LuについてはM2 O3
型の酸化物材料をターゲットに用いた。また、Ni2O3
については結晶水を含むためにターゲットとして使用
する前に、200℃程度まで加熱し、結晶水をとばし、
無水物化した。全てのM元素に対応して、図12に丸点
で示した組成の膜を作製し、As−deposit状態
で膜の構造ならびに誘電特性を評価した。同図中におい
て黒丸はアモルファス強誘電性を示した薄膜の組成を示
し、斜線を施した丸はアモルファス構造を取りながら常
誘電性を示した薄膜の組成を示している。さらに白丸は
結晶質の薄膜であり、導電性になった薄膜の組成を示し
ている。この結果より、三角組成図に於いて、α、β、
γ、δ、ε、φにて囲まれた領域(薄墨を施した部分)
薄墨を施した組成領域でアモルファスの強誘電性が発現
していることを見い出した。同組成図中にNo.49と
付記した組成の膜について種々のMにおいて測定された
飽和電荷密度(Ps)を表4に示した。これからも、同
表に示した全ての薄膜に於いてPsが観測され、夫々の
薄膜において強誘電性が発現していることが解かる。
3に示す元素を用いて、夫々の薄膜を作製した。薄膜の
作製は実施例1に説明した方法により行なった。また、
薄膜の構造評価は、X線回折法により、その条件は実施
例1に述べたとおりであった。さらに、薄膜の誘電性評
価法についても実施例1と同様である。ただし、スパッ
タリング製膜においてMがZr、Mo、Pd、Hf、T
a、Wの場合には、ターゲットとしてM2 O3 の替わり
に、各元素の金属微粉を使用した。その他のSc、T
i、V、Cr、Mn、Co、Ni、Y、Nb、In、L
a、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、D
y、Ho、Er、Tm、Yb、LuについてはM2 O3
型の酸化物材料をターゲットに用いた。また、Ni2O3
については結晶水を含むためにターゲットとして使用
する前に、200℃程度まで加熱し、結晶水をとばし、
無水物化した。全てのM元素に対応して、図12に丸点
で示した組成の膜を作製し、As−deposit状態
で膜の構造ならびに誘電特性を評価した。同図中におい
て黒丸はアモルファス強誘電性を示した薄膜の組成を示
し、斜線を施した丸はアモルファス構造を取りながら常
誘電性を示した薄膜の組成を示している。さらに白丸は
結晶質の薄膜であり、導電性になった薄膜の組成を示し
ている。この結果より、三角組成図に於いて、α、β、
γ、δ、ε、φにて囲まれた領域(薄墨を施した部分)
薄墨を施した組成領域でアモルファスの強誘電性が発現
していることを見い出した。同組成図中にNo.49と
付記した組成の膜について種々のMにおいて測定された
飽和電荷密度(Ps)を表4に示した。これからも、同
表に示した全ての薄膜に於いてPsが観測され、夫々の
薄膜において強誘電性が発現していることが解かる。
【0018】
【表3】
【0019】
【発明の効果】以上の様に、M2 O3 −GeO2 −A2
B2 O7 (A2 B2O7 はSr2 Nb2 O7 型誘電体)
系の薄膜をRFスパッタリング法などにより低い基板温
度、例えば25℃程度の基板温度により薄膜化すること
により、アモルファス構造を有する透光性の高い強誘電
性薄膜が得られ、強誘電性を応用したセンサ、メモリ、
電気光学素子に応用できるようになる。
B2 O7 (A2 B2O7 はSr2 Nb2 O7 型誘電体)
系の薄膜をRFスパッタリング法などにより低い基板温
度、例えば25℃程度の基板温度により薄膜化すること
により、アモルファス構造を有する透光性の高い強誘電
性薄膜が得られ、強誘電性を応用したセンサ、メモリ、
電気光学素子に応用できるようになる。
【図1】図1は、本発明を説明するための組成系図であ
る。
る。
【図2】図2は、本発明の一実施例を説明するための組
成系図、ならびに誘電特性、薄膜構造の説明図である。
成系図、ならびに誘電特性、薄膜構造の説明図である。
【図3】図3は、本発明の誘電特性評価法を説明するた
めの薄膜の構造図である。
めの薄膜の構造図である。
【図4】図4は、本発明の一実施例を説明するためのX
線回折図形である。
線回折図形である。
【図5】図5は、同実施例を説明するためのX線回折図
形である。
形である。
【図6】図6は、同実施例を説明するための誘電特性の
電界依存性を表した図である。
電界依存性を表した図である。
【図7】図7は、同実施例を説明するための飽和電荷密
度の組成依存性を表した図である。
度の組成依存性を表した図である。
【図8】図8は、同実施例を説明するための誘電特性の
電界依存性を表した図である。
電界依存性を表した図である。
【図9】図9は、同実施例を説明するための飽和電荷密
度の組成依存性を表した図である。
度の組成依存性を表した図である。
【図10】図10は、同実施例を説明するための光透過
率の波長異存特性を示す図である。
率の波長異存特性を示す図である。
【図11】図11は、本発明の他の実施例を説明するた
めの組成系図、ならびに誘電特性、薄膜構造の説明図で
ある。
めの組成系図、ならびに誘電特性、薄膜構造の説明図で
ある。
【図12】図12は、本発明の他の実施例を説明するた
めの組成系図、ならびに誘電特性、薄膜構造の説明図で
ある。
めの組成系図、ならびに誘電特性、薄膜構造の説明図で
ある。
フロントページの続き (72)発明者 二井 裕之 山口県宇部市大字小串1978番地の5 宇部 興産株式会社無機材料研究所内
Claims (4)
- 【請求項1】 遷移金属酸化物(M2 O3 )−酸化ゲル
マニウム(GeO2)−Sr2 Nb2 O7 型化合物(A2
B2 O7 )を主成分とした三元酸化物からなり、かつ
該三元酸化物がアモルファス構造を有することを特徴と
するアモルファス強誘電体酸化物材料。(ただし、M2
O3 は、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、N
i、Y、Zr、Nb、Mo、Pd、Hf、Ta、W、I
n及びランタン系列元素の酸化物からなる群から選ばれ
る少なくとも一種であり、A2 B2 O7 は強誘電性また
は反強誘電性を示すSr2 Nb2 O7型化合物であ
る。) - 【請求項2】 三元酸化物がM2 O3 、GeO2 、A2
B2 O7 の3成分の組成図において、aM2 O3 −(1
−a)GeO2 ならびに、0.90GeO2−0.10
(bM2 O3 −(1−b)A2 B2 O7 )ならびに、c
GeO2 −(1−c)A2 B2 O7 ならびに、0.20
(dGeO2 −(1−d)M2 O3 )−0.80A2 B
2 O7 ならびに、eA2 B2 O7 −(1−e)M2 O3
ならびに、0.90M2 O3 −0.10(fA2 B2 O
7 −(1−f)GeO2 )で表される夫々の組成線にお
いて0.10≦a≦0.90かつ0.00≦b≦1.0
0かつ0.20≦c≦0.90かつ0.00≦d≦1.
00かつ0.20≦e≦0.90かつ0.00≦f≦
1.00なる範囲に規定された6本の組成線で囲まれた
組成を有することを特徴とする請求項1のアモルファス
強誘電体酸化物材料。 - 【請求項3】 三元酸化物が、薄膜の形態に形成されて
いることを特徴とする請求項1又は請求項2のアモルフ
ァス強誘電体酸化物材料。 - 【請求項4】 三元酸化物を製膜手段を用いて基板上
に、基板温度を300℃以下に保持しながら非晶質の薄
膜として作製し、作製したそのままの状態で強誘電体酸
化物材料を得ることを特徴とする請求項3のアモルファ
ス強誘電体酸化物材料の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32233691A JPH05132315A (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | アモルフアス強誘電体酸化物材料及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32233691A JPH05132315A (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | アモルフアス強誘電体酸化物材料及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05132315A true JPH05132315A (ja) | 1993-05-28 |
Family
ID=18142511
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32233691A Pending JPH05132315A (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | アモルフアス強誘電体酸化物材料及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05132315A (ja) |
-
1991
- 1991-11-12 JP JP32233691A patent/JPH05132315A/ja active Pending
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