JPH0513032A - イオンビーム形成装置におけるスリツト調節装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 ［目的］ 装置全体を加熱した場合に水分や油分を発生
させて真空チャンバ内の真空度を劣化させる事なく又ス
リット移動調節を正確に且つ確実に行うスリット調節装
置を行う事。 ［構成］ 真空チャンバ４１内にスリット６１ａが配設
されシャフト４５の先端部に結合される。ポート４２ａ
を挿通し大気側はリニアブッシュ４７により直線的に摺
動自在に案内されリニアブッシュ４７はフランジ４３、
４４に絶縁材６７を介して固定され、シャフト４５の真
空チャンバ４１内に位置する端部にはテフロン（登録商
標）からなるシールリング４６が嵌着され、金具７０の
中心孔に止着されてこれとフランジ４４の凹部に設けら
れた金具７１との間にベローズ６６が配設されている。
シャフト４５の端部４５ａにターミナル５３が結合され
ておりその外端部は絶縁材のカップリング４８を介して
マイクロメータヘッド５０に結合する。スリット６１ａ
に衝突したイオンビームＱはターミナル５３を介して外
部に導出される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はイオンビーム表面分析装
置に用いて最適なイオンビーム形成装置におけるスリッ
ト調節装置に関する。

【０００２】

【従来の技術及びその問題点】図３は従来例のマイクロ
イオンビーム形成装置を概略的に示すものであるが、図
において高電圧ターミナル１内にはイオンを発生させる
ためのイオン源２が配設されており、これに高電圧電源
１０から、例えば１００ｋＶ乃至数ＭＶの電圧が印加さ
れ、これにより高電圧ターミナル１とグランド間に取り
付けられイオン源２の前方に配設された加速管３にこの
電圧が等分に分割して印加される。又、高電圧ターミナ
ル１には電力供給装置１１が接続されており、イオン源
２からイオンを発生させるようにしている。加速管３の
下流側にはビーム輸送用Ｑマグネット４が配設されてお
り、これにより所定の移送路に沿って、走行するイオン
ビームは質量分析器５（セクターマグネット）内に導か
れ、その中で公知のローレンツフォースを受け、その質
量と電荷に応じた力を受け、よってここからでてきたビ
ームは特定のイオンビームであり、これが対物スリット
６若しくは対物レンズ６を通り、所定のビーム断面形状
を与えられ、ここを通過したビームは更にその前方に配
設された補助スリット７を通り、ここで最終的にターゲ
ット９に衝突させたいビームの形状を決定するか、若し
くはその上流側にある対物レンズ６により所定の形状に
されたかどうかをチェックする。この補助スリット７を
通過したイオンビームは、マイクロビーム形成用Ｑマグ
ネット８を通り、所定のマイクロビームとされ、ターゲ
ット９に衝突される。

【０００３】従来例のマイクロイオンビーム形成装置は
以上のように構成されているのであるが、イオン源２か
ら数ｋＶ乃至数１０ｋＶで引き出されたイオンは高電圧
ターミナル１としてのイオン源装置に印加された１００
ｋＶ乃至数ＭＶの電圧を等分に分割された加速管３を通
り、イオンは加速されるのであるが、グランド電位に達
したイオンビームは、この後、集束用レンズ４（図示は
トリップレットＱレンズを示すが、これに代えてアイン
ツェルレンズなどの静電レンズを使うことも可能）によ
って集束され、質量分析器５で特定のイオンが選別さ
れ、この後対物スリット６で所定の形状（例えば、イオ
ンビームの進行方向をＺ方向とすれば、直角座標で、こ
れに対する直角方向をＸ方向及びＹ方向とすれば、この
対物スリット６でＸ方向及びＹ方向にそれぞれ２〜３μ
ｍ又は１０〜２０μｍの開口を有する対物スリットを形
成させている。言い換えれば、質量分析器５から選別さ
れた特定のイオンビームはこの対物スリット６により、
この２〜３μｍ×１０〜２０μｍの長方形の断面形状を
有するイオン流にカットされ、更にこの下流側の補助ス
リット７及びＱマグネット８によりＸ方向、Ｙ方向にそ
れぞれ１／２〜１／３又は１／１０〜１／２０に縮小さ
れたビームの像をターゲット９に結像する。

【０００４】本発明のスリット調節装置はイオンビーム
電流制限スリットとしての上述の補助スリット７に係わ
るものである。図３では一対のスリット形成部材のみし
か示していないが、実際にはこれと直角方向に更に一対
のスリット形成部材が配設され、これらスリット形成部
材に対物スリット６より飛来したイオンビームが衝突す
る。この衝突により、スリット形成部材から導出される
各電流値により上流側の対物スリット若しくは対物レン
ズ６の発散角が検知される。更に、補助スリット７を通
過するイオンビームの位置、例えば上述したようにイオ
ンビームの照射軸をＺ軸とすれば、これからＸ方向及び
Ｙ方向にどれだけ偏倚されているかを検知することがで
きる。

【０００５】又、補助スリット７を含めたイオンビーム
の通路を加熱する目的は、該イオンビームが上記各構成
部材と共に真空中にあり、この真空中で発生させるもの
であるから、イオンビームの通路を所定度の真空度にま
で排気する必要があるが、このときに通路を形成する各
部材に付着する水や炭酸ガスを放出させるためである。

【０００６】図４は上記従来のイオンビーム電流制限ス
リット装置の詳細を示すものであるが、図において真空
チャンバ２１内にＸ軸方向とこれと垂直なＹ軸方向に対
向して配設されるシャフト２５が延在しており、この図
４の紙面に対し垂直方向に荷電粒子が流れるのである
が、この荷電粒子のビーム巾、あるいはビーム径を制限
するために、これらシャフト２５の相対向する距離が調
整される。真空チャンバ２１の隔壁にはポート２２が一
体的に形成され、これを上述のシャフト２５が挿通して
いるのであるが、これを取り付けるためにＯ−リング２
６を介在させて、取り付けフランジ２３、２４が当接し
固定されている、又、シャフト２５の外端部には導電性
材料で成るカップリング２８を介して、マイクロメータ
ヘッド３０が結合されており、これには公知のようにロ
ーレットが形成されており外部からシャフト２５のＸ軸
方向における位置を調節するようになっている。マイク
ロメータヘッド３０は取付金具２９により、フランジ２
４に固定されている。又、シャフト２５をＸ−Ｘ軸方向
に摺動案内するように、導電性材料で成るアキシャルベ
アリング２７がフランジ２４に固定されている。

【０００７】図５にはシャフト２５の先端部の詳細が示
されているが、碍子３４に挟持されてイオン電流取り出
し金属片３５がねじａにより固定されている。又、この
ねじａにより、リード線Ｌの一端が取り付けられてお
り、真空チャンバ２１内をフリーな状態で延在してい
て、その他端部は電流導入端子３２に接続されている。
これは外部の電流計３３に接続されており、金属片３５
に衝突した荷電粒子を電流により検知するようになって
いる。

【０００８】従来の荷電粒子制限スリット装置は以上の
ように構成されるのであるが、Ｘ軸に対し垂直な軸方向
で対向するスリット調節用のシャフト２５、フランジ２
３、２４なども同様に構成されている。図４において紙
面に対し垂直な方向に流れる荷電粒子の流通面積、すな
わちスリットの大きさを変える場合にはマイクロメータ
ヘッド３０の手動調節により、例えばシャフト２５をＸ
軸方向に移動させる。このとき、Ｏ−リング２６及びア
キシャルベアリング２７に案内されて、図において右方
か左方に移動するのであるが、このとき調節されたスリ
ットの大きさにおいて、紙面に対し垂直方向に流れる荷
電粒子が金属片３５に部分的に衝突する。これがリード
線Ｌを通り電流導入端子３２に流れ、電流計３３により
その電流値が計測される。図示せずともＸ−Ｘ軸方向に
対し、対向しているシャフト２５の先端部にも同様にこ
の先端部に衝突する荷電粒子の電流が検知され、又これ
に垂直なＹ−Ｙ軸方向においても同様にそのシャフト２
５の先端部の金属片に衝突する荷電粒子の流れの大きさ
が電流により検知される。これら電流値の大きさによ
り、上流側スリットからのビームの形状や大きさを計測
することができる。

【０００９】このような電流を導出するためのリード線
Ｌは真空チャンバ２１内にフリーな状態で延在してお
り、これら導線が真空チャンバ２１の壁面に接触して漏
電するのを防止するために、リード線Ｌはテフロンやセ
ラミックで被覆されている。テフロンでは荷電粒子がこ
れに照射されると発熱し、焦げて炭化し、ガスを発生す
る。又、セラミックの断続したリングを用いるとセラミ
ックは弾力性に欠けているので、このようなリード線Ｌ
の加工も面倒である。更に、このようなリード線Ｌを導
出させるためのコードの加工も真空チャンバ２１に施さ
なければならない。

【００１０】又、シャフト２５を例えばＸ−Ｘ軸方向に
摺動自在にするためにＯ−リング２６を用いなければな
らないが、この部分も加熱されることにより、油分と異
物とがこれから蒸発し真空チャンバ２１内を汚染する。
あるいはその減圧度を低下させる。

【００１１】

【発明が解決しようとする問題点】本発明は上述の問題
に鑑みてなされ、真空チャンバ内でフリーに延在するよ
うなリード線を必要とせず、又熱により真空チャンバ内
に油分や異物が蒸発して内部を汚染したり真空度を低下
させることのない、荷電粒子制限スリット装置を提供す
ること、すなわち、イオンビーム形成装置におけるスリ
ット調節装置を提供することを目的とする。

【００１２】

【問題点を解決するための手段】以上の目的は、真空チ
ャンバ内に配設されたスリット形成部材と、該スリット
形成部材に結合される直線的な導電性シャフトと、該シ
ャフトを挿通させ、前記真空チャンバの開口に気密に固
定されたポート形成部材と、前記シャフトの大気側端部
を摺動自在に案内させ、前記ポート形成部材に絶縁物を
介して固定される円筒状部材と、該円筒状部材に同心的
に径外方向に配設され、一端側は前記シャフトの前記真
空チャンバ側に位置する端部に気密に取り付けられ、他
端側は前記ポート形成部材に取り付けられる真空シール
用ベローズ手段と、前記シャフトの大気側に突出する外
端部に電気的に接続される電流導出端子と、前記シャフ
トの外端部に絶縁性カップリングを介して接続され、前
記シャフトをその軸心方向に移動させるための移動調節
具とを備えたイオンビーム形成装置におけるスリット調
節装置、によって達成される。

【００１３】

【作用】導電性シャフトの外端部に接続される移動調節
具の例えば回動調節により、導電性シャフトはその軸心
方向に移動するのであるが、真空チャンバ内で、チャン
バ側の端部にはスリット形成部材が結合されており、こ
の移動によりこれと対向する同様なスリット形成部材と
の間で、イオンビーム流路断面積を変化させる。導電性
シャフトの真空チャンバ側端部は真空シール用ベローズ
手段の一端側と気密に取り付けており、又他端側はこの
導電性シャフトを囲むように真空チャンバに一体的に形
成されたポート形成部材側に固定されているので、導電
性シャフトはその真空チャンバに挿通されている端部に
おいて、真空側と大気側とに遮断された状態でその軸心
方向に移動調節可能となっている。又、導電性シャフト
はその大気側端部で円筒状部材により直線的に摺動自在
となっており、従ってその移動はこの円筒状部材により
正確に直線案内され、又この円筒状部材はポート形成部
材に絶縁物を介して固定されているので、スリット形成
部材に衝突した、イオンビームによる電流はこれに結合
される導電性シャフト及びこの該異端部に電気的に接続
される電流導出端子を通って外部に、例えば電流計に導
かれる。又、以上の電流の導出は導電性シャフトの先端
部に結合されるスリット形成部材から、該スリット形成
部材に衝突するイオンビームによる電流は、下端部の導
出端子から導出されるのであるが、この全域において、
これに関連する部材と絶縁して配設されているので、電
流が他に漏れることなく、正確に衝突したイオンビーム
の電流を測定することができる。

【００１４】又、真空チャンバ内の真空にその外面が導
出される真空シール用ベローズ手段は公知のように摂氏
２００℃程度までの加熱では、真空チャンバ内の真空度
を劣化させる水分や油分を発生さることがないので、良
好な真空状態を保ちながらイオンビームの流れを制限す
るスリット形成部材の移動調節を正確、且つ確実に行な
うことができる。

【００１５】又、従来のように真空チャンバ内にイオン
ビームの電流を導出するための導線を何ら配設する必要
がないので、この導線に対する絶縁処理のために加熱し
たときには、従来は種々の放出ガスが発生したが、この
ような恐れは全くなくなる。

【００１６】

【実施例】以下、本発明の実施例によるイオンビーム電
流制限スリット装置について、図面を参照して説明す
る。

【００１７】図１及び図２は本実施例のイオンビーム電
流制限スリット装置の全体を示すが、ほぼ円筒形状の真
空チャンバ４１の周壁部には図に示すように四つのポー
ト４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、４２ｄが９０度の等間隔に
一体的に形成されている。又、図１に示すように真空チ
ャンバ４１の軸心方向に対向する側壁部には荷電粒子ビ
ームの入口８０及び出口８１が一体的に形成されてい
る。図に示すように各ポート４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、
４２ｄには同一構成のスリット調整装置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ
が設けられているが、このうちスリット調整装置Ａにつ
いてのみ図面を参照して説明する。

【００１８】真空チャンバ４１内にＸ−Ｘ軸方向に沿っ
て対向して一対のスリット６１ａ、６１ｂが配設されて
おり、又真空チャンバ４１の軸心方向Ｙ−Ｙ軸に沿っ
て、図に示すように一対のスリット６１ｃ、６１ｄが配
設されており、これらに上述した同一構成のスリット調
整装置Ｂ、Ｃ、Ｄが取り付けられている。

【００１９】スリット６１ａは金属でなるスリットサポ
ート６２に取り付けられており、又このスリットサポー
ト６２には断面形状がＬ字形状の取付台６４に固定され
ている。取付台６４にはねじ孔が形成され、これにステ
ンレスからなるシャフト４５の先端部に形成されたねじ
部４５ａが螺着され、ナット６９により、シャフト４５
は取付台６４に対し固定されている。シャフト４５はＸ
−Ｘ軸に沿って垂直に伸びており、この方向は荷電粒子
入口８０から導入される荷電粒子Ｑの流れ方向に対し垂
直方向に伸びている。シャフト４５はポート４２ａの中
心線上に配設されており、その下端部４５ａは大気側に
突出しているが、下端部側は導電性の金属でなるリニア
ブッシュ４７に嵌合している。これにより、Ｘ−Ｘ軸方
向に正確に案内されるようになっている。又、大気側で
フランジ４３、４４が配設されており、上側のフランジ
４３はポート４２ａの下端部に気密に固定されており、
フランジ４３、４４はいわゆるコンフラットフランジで
あるが、これらは気密に当接されてボルト５２により一
体化されている。下方のフランジ４４の下面には円形の
凹所４４ａが形成されており、これに皿形状の絶縁碍子
６７が嵌着されていて、絶縁ボルト６８により下側のフ
ランジ４６に固定されている。又、絶縁ボルト６８はリ
ニアブッシュ４７のフランジ部４７ａに形成されたボル
ト挿通孔を挿通しており、リニアブッシュ４７も下方の
フランジ４４に対し、絶縁碍子６７を介在してこれらは
一体に固定されている。

【００２０】下側フランジ４４は上面にも円形の凹所４
４ｂが形成されており、これにリング状の下方ベローズ
取付金具７１が固定されており、これに対向して上側ベ
ローズ取付金具７０が配設され、これら取付金具７０、
７１間に真空ベローズ６６の下端部及び上端部が溶接に
より気密に固定されている。そして上側のベローズ取付
金具７０には絶縁リング碍子６５が当接しており、これ
がバックアップリング１６４により支持されてねじ９１
により上側のベローズ取付金具７０に一体的に固定され
ている。シャフト４５は絶縁リング６５の中心孔を挿通
しているが、上側ベローズ取付金具７０の中心開口に同
心的に環状凹所７０ａが形成されており、ここにテフロ
ンからなるＯ−リング４６が嵌着されており、絶縁リン
グ６５と上側ベローズ取付金具７０との間に挟着されて
いる。シャフト４５はこのＯ−リング４６に嵌着され
て、上下を気密に保持されている。下方のフランジ４４
の下面にはＸ−Ｘ軸方向にシャフト４５を移動させるた
めのマイクロメータヘッド５０を取り付けるための取付
金具４９が固定されている。この水平部分の中心には丸
孔開口４９ａが形成されており、これをシャフト４５の
下端部が挿通しており、絶縁材でなるカップリング４８
の上方部に固定されている。このシャフト４５の下端部
４５ａにはねじ孔が形成されているが、これにターミナ
ル５３を介在させてねじ７２が螺着されており、又ター
ミナル５３に導線５１が接続されている。これにより、
シャフト４５を通る電流はねじ７２の軸部、ターミナル
５３を通って導線５１に導出されるようになっている。
又、この導線５１には従来と同様に電流計が接続されて
いる。

【００２１】絶縁性のカップリング４８の下方部分はマ
イクロメータヘッド５０に結合されており、Ｌ字形状の
ヘッド取付金具５４が取付金具４９にねじ５５、５６の
螺着締め付け部により、これら金具４９、５１は一体化
されている。すなわち、マイクロメータヘッド５０はフ
ランジ４４に対し一体的に固定されている。

【００２２】本実施例のスリット調整装置Ａは以上のよ
うに構成されているが、他の調整装置Ｂ、Ｃ及びＤも同
様に構成される。

【００２３】以下、本実施例の作用について説明する。
真空チャンバ４１の軸心方向に沿って、対向して配設さ
れた荷電粒子入口８０を通って、荷電粒子のビームＱが
Ｙ−Ｙ軸に沿って導入される。これは、出口８１から外
部に導出されるのであるが、これは例えばやはり真空容
器に接続され、何らかの試料に衝げきされるものとす
る。荷電粒子Ｑは真空チャンバ４１内でスリット６１
ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄによりそのビームの大きさ
が制限されるのであるが、Ｘ−Ｘ軸方向にはスリット６
１ａ、６１ｂにより大きさが制限され、又Ｘ−Ｘ軸及び
Ｙ−Ｙ軸に対し垂直方向における大きさは図２に示すよ
うにスリット６１ｃ、６１ｄにより制限される。このよ
うなスリット６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄにより、
出口８１から見ると断面が矩形状のビームが得られるの
であるがこのビームの大きさが、これらスリット６１
ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄにより縮小されるのである
が、今Ｘ−Ｘ軸に沿う大きさを調節するものとすれば、
調整装置Ａ、Ｂにおけるマイクロメータヘッド５０を回
動調節することにより、シャフト４５は矢印ｂに示すよ
うに上下動する。このとき、シャフト４５は下側のフラ
ンジ４４に一体的に固定されたリニアブッシュ４７によ
り案内されるので、正確にＸ−Ｘ軸方向に移動調節され
ることができる。スリット６１ａに対向するスリット６
１ｂに結合されている調整装置Ｂも同様にして矢印ｂ方
向に移動調節されるのであるが、荷電粒子Ｑはスリット
６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄによって形成される開
口より大きな断面積を有するので、その周辺部の荷電粒
子Ｑがスリット６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄに衝突
する。従って、今このうち調整装置Ａについてのみ説明
すると、スリット６１ａに衝突した荷電粒子Ｑはスリッ
トサポート６２、取付台６４及びシャフト４５を通っ
て、下方へと流れ、ねじ７２、ターミナル５３及び導線
５１を通って、外部に導出され、図示しない電流計によ
り衝突した電流が測定される。他の調整装置Ｂ、Ｃ及び
Ｄにおいても、それぞれ同様にスリット６１ｂ、６１ｃ
及び６１ｄに衝突した荷電粒子の電流が測定される。こ
れら電流の各大きさによりスリット６１ａ、６１ｂ、６
１ｃ、６１ｄにより制限されたスリットの形状が測定さ
れ、あるいは決定される。又、荷電粒子のビームＱの上
流側には、あらかじめ荷電粒子の流れを所定の大きさに
制限するスリット（対物スリット）が設けられているの
であるが、これからの荷電粒子のビームＱ形状（発散角
など）や大きさも同時に測定することができる。

【００２４】本発明の実施例によるイオンビーム制限ス
リット装置は以上のような作用を行なうのであるが、次
のような効果を奏するものである。

【００２５】シャフト４５はその下端部でリニアブッシ
ュ４７により、その軸心方向に正確に案内されるので、
スリット６１のスリット位置調整が正確に行なわれ、又
従来のようにスリットに衝突した荷電粒子の電流を測定
するのに、真空チャンバ内に導線を延在しておらず、シ
ャフト４５を流れてきた電流をこの下端部で大気側に導
出しているようにしているので、導線に対する関連構造
の組立ては非常に簡単であり、従来のように真空チャン
バの内壁部に荷電粒子の導出電流を通すために、導線に
対する絶縁処理に面倒な加工を必要とすることはない。
又、真空チャンバ内の真空度を上げるためには真空チャ
ンバ全体が加熱されるのであるが、このときフランジ４
３、４４のみならず、伝熱によりテフロンでなるシール
リング４６やリニアブッシュ４７も加熱されるが、２０
０℃程度まで加熱してもガスを放出することはないの
で、真空チャンバ内の真空度を悪化させることはなく、
又この加熱により従来は真空チャンバ内に衝突荷電粒子
を導出させるためのリード線が配設されていたが、これ
が本実施例ではシャフト４５の下端部で、大気側に導出
しているので真空チャンバ４１内で荷電粒子の電流を導
くための導線を延在させる必要がなく、従ってこれが加
熱されて炭化して真空チャンバ内の真空度を悪化させる
ということもない。

【００２６】以上、本発明の実施例について説明した
が、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発明
の技術的思想に基いて種々の変形が可能である。

【００２７】例えば、以上の実施例ではスリットとして
二対の、すなわち６１ａ、６１ｂ及び６１ｃ、６１ｄを
Ｘ−Ｘ軸及びＹ−Ｙ軸に沿って配設したがこれに変え
て、更に多数対のスリットを配設するようにしてもよ
く、あるいは一対のスリットを配設する場合にも本発明
は適用可能である。

【００２８】又、以上の実施例ではシャフト４５の上端
部にはテフロンでなるシールリング４６をその周面に嵌
着させるようにしたが、これに変えて他の同様な特性の
合成樹脂を用いてもよい。

【００２９】又、以上の実施例ではリニアブッシュ４７
の材質については特に言及しなかったが、導電性を有す
る材質であればなんでもよく、例えば焼結金属でこれに
含油させた材質を用いてもよい。又、これは実施例では
このリニアブッシュ４７をシャフト４５の下端側の約半
部のみを案内させるようにしているが、このリニアブッ
シュ４７の高さを、更に大きくしてほぼシャフト４５の
全長に亘ってガイドするようにしてもよい。

【００３０】又、以上の実施例では真空シール用のベロ
ーズ６６は円筒形状であり、その上端部及び下端部はそ
れぞれ導電性の取付金具６５、７１により、例えば溶接
により気密に固定されたが、このような取付金具をすで
に取り付けた既存の真空ベローズ手段を用いてもよいこ
とは当然である。又、このような取付金具を取り付けた
真空ベローズ手段に限ることなく、その上端部はこの円
筒状部分を構成する部材と同一の材質により、リング状
の部材で一体的に形成されているならば、この部材の中
心孔に気密に真空チャンバ側端部を嵌着させるようにし
ても、本発明の効果は得られる。

【００３１】又、以上の実施例ではリニアブッシュは導
電性部材、例えば金属でなるとしたが、このリニアブッ
シュ自体を絶縁材で構成してもよい。この場合には、こ
れと下方フランジ４４との間に介在させた絶縁材６７は
省略することができる。

【００３２】又、以上の実施例ではマイクロメータヘッ
ド１０とシャフトの端部との間に絶縁材でなるカップリ
ング４８を設けたが、これを省略し、マイクロメータヘ
ッド１０とシャフト４５の下端部とを直接接続するよう
にしてもよく、この場合にはマイクロメータヘッドとシ
ャフト下端部との間に図示せずとも、何らかの絶縁物を
介するようにすればよい。あるいはマイクロメータヘッ
ド全体を絶縁材で構成してもよい。このような構成も本
発明は含むものとする。

【００３３】又、以上の実施例では上方の取付金具７０
の中心孔の縁部に環状切欠７０ａを設け、これにテフロ
ンでなるＯ−リング４６を止着させ、更にリング状の絶
縁碍子６５を取付金具７０に当接し、且つバックアップ
リング１６４をねじ９１により固定することにより、シ
ールリング４６を絶縁材６５と取付金具７０との間に固
持するようにしたが、このシールリング４６の取付金具
７０への取り付け方によっては、絶縁リング６５及びバ
ックアップリング１６４を省略してもよい。

【００３４】なおまた本願明細書においてスリット形成
部材が実施例においては、スリット６１、スリットサポ
ート６２、これの取付台６４、シャフト４５をこれらに
結合するためのナット６９などからなっているが、勿論
これら関連構成を省略して、スリット６１ａを直接シャ
フト４５の先端に固定させるようにしてもよく、あるい
はシャフト４５の先端部にスリット６１を結合させるた
めに、他の部材を用いるようにしてもよい。また本実施
例によれば、スリット６１ａは図から明らかなように、
円柱形状であるが、これに限ることなく、例えば平板状
であってもよい。

【００３５】また、本願明細書でポート形成部材は、実
施例においてはポート４２ａ、これに気密に固定される
上下のフランジ４３、４４、これらを一体に結合するボ
ルト５２などからなるが、勿論これに代える部材を用い
てもよく、例えばポート４２ａの形状を若干変更し、こ
れに直接実施例のリニアブッシュや真空用ベローズ６６
の下端部を固定させるようにしてもよい。

【００３６】

【発明の効果】以上述べたように、本発明のイオンビー
ム電流制限スリット装置によれば、該装置を例えば２０
０℃程度にまで加熱しても、各部材からガスや異物を放
出して、真空チャンバ内の真空度を劣化させることはな
く、又スリットによるビーム制限の大きさを正確に調節
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例によるイオンビーム電流制限装
置の断面図である。

【図２】同装置の正面図である。

【図３】従来例のイオンビーム電流制限スリットが用い
られている、イオンビーム発生装置の全体を示す模式図
である。

【図４】同装置におけるイオンビーム電流制限スリット
の一部破断断面図である。

【図５】同イオンビーム電流制限スリット装置の要部の
拡大断面図である。

【符号の説明】

４１ 真空チャンバ ４２ａ ポート ４３ フランジ ４４ フランジ ４５ シャフト ４６ シールリング ４７ リニアブッシュ ４８ カップリング ５０ マイクロメータヘッド ５３ ターミナル ６１ａ スリット ６２ スリットサポート ６４ 取付台 ６６ ベローズ ７０ 取付金具 ７１ 取付金具

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 真空チャンバ内に配設されたスリット形
   成部材と、該スリット形成部材に結合される直線的な導
   電性シャフトと、該シャフトを挿通させ、前記真空チャ
   ンバの開口に気密に固定されたポート形成部材と、前記
   シャフトの大気側端部を摺動自在に案内させ、前記ポー
   ト形成部材に絶縁物を介して固定される円筒状部材と、
   該円筒状部材に同心的に径外方向に配設され、一端側は
   前記シャフトの前記真空チャンバ側に位置する端部に気
   密に取り付けられ、他端側は前記ポート形成部材に取り
   付けられる真空シール用ベローズ手段と、前記シャフト
   の大気側に突出する外端部に電気的に接続される電流導
   出端子と、前記シャフトの外端部に絶縁性カップリング
   を介して接続され、前記シャフトをその軸心方向に移動
   させるための移動調節具とを備えたイオンビーム形成装
   置におけるスリット調節装置。
2. 【請求項２】 前記真空シール用ベローズ手段は、その
   軸心方向に伸縮自在な蛇腹状のベローズ本体と、該ベロ
   ーズ本体の両端に配設され、かつこれらに気密に固定さ
   れるリング状の取付金具と、該取付金具のうち前記真空
   チャンバ側の取付金具の中心孔の縁部に取り付けられ、
   前記シャフトに嵌着される合成樹脂で成るシールリング
   とから成る請求項１に記載のイオンビーム形成装置にお
   けるスリット調節装置。
3. 【請求項３】 前記シールリングはリング状の絶縁材で
   成るリング部材により真空チャンバ側前記取付金具の中
   心孔の縁部に固持されるようにしている請求項２に記載
   のイオンビーム形成装置におけるスリット調節装置。
4. 【請求項４】 前記合成樹脂はテフロンで成る請求項２
   に記載のイオンビーム形成装置におけるスリット調節装
   置。