JPH0512749A - 光記録媒体から情報を検出する方法 - Google Patents
光記録媒体から情報を検出する方法Info
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- JPH0512749A JPH0512749A JP16680891A JP16680891A JPH0512749A JP H0512749 A JPH0512749 A JP H0512749A JP 16680891 A JP16680891 A JP 16680891A JP 16680891 A JP16680891 A JP 16680891A JP H0512749 A JPH0512749 A JP H0512749A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 本発明に係る光記録媒体から情報を検出する
方法は、光記録媒体に直線偏光を入射し、この媒体で反
射された反射光をハーフミラーにより第１及び第２分離
光に分光し、第１分離光を、所定の第１検出光学系によ
り検知して、カー楕円率に基づく再生信号を検出する一
方、第２分離光を、所定の第２検出光学系により検知し
て、カー回転角に基づく再生信号を検出することを特徴
としている。 【効果】 光記録媒体がカー楕円率とカー回転角とを別
々に変化できる媒体であれば、１つの媒体の同じ位置か
ら同時に、カー楕円率に基づく再生信号と、カー回転角
に基づく再生信号との２つの信号を得ることができる。
即ち、１つの媒体の同じ位置に同時に２ビット（４値記
録）記録・再生することができ、ひいては、記録媒体の
高密度化を図ることができる。
方法は、光記録媒体に直線偏光を入射し、この媒体で反
射された反射光をハーフミラーにより第１及び第２分離
光に分光し、第１分離光を、所定の第１検出光学系によ
り検知して、カー楕円率に基づく再生信号を検出する一
方、第２分離光を、所定の第２検出光学系により検知し
て、カー回転角に基づく再生信号を検出することを特徴
としている。 【効果】 光記録媒体がカー楕円率とカー回転角とを別
々に変化できる媒体であれば、１つの媒体の同じ位置か
ら同時に、カー楕円率に基づく再生信号と、カー回転角
に基づく再生信号との２つの信号を得ることができる。
即ち、１つの媒体の同じ位置に同時に２ビット（４値記
録）記録・再生することができ、ひいては、記録媒体の
高密度化を図ることができる。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、直線偏光のレーザースポ
ットを光記録媒体に入射させ、媒体で反射した反射光の
カー楕円率（ηK）に基づく再生信号を得る一方、反射
光のカー回転角（θk ）に基づく再生信号を得ることに
より、光記録媒体の高密度化を可能にした光記録媒体か
ら情報を検出する方法に関する。
ットを光記録媒体に入射させ、媒体で反射した反射光の
カー楕円率（ηK）に基づく再生信号を得る一方、反射
光のカー回転角（θk ）に基づく再生信号を得ることに
より、光記録媒体の高密度化を可能にした光記録媒体か
ら情報を検出する方法に関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】光磁気記録媒体、及び相変化型光
記録媒体は、記録情報の書換えが可能な大容量メモリと
して近年盛んに研究開発がすすめられ、ほぼ実用化され
ている。このうち光磁気記録媒体においては、その再生
信号検出手段として、一般に、入射した光が媒体で反射
される時、媒体の酸化の向きに応じて反射光の偏光状態
が変化するというカー効果を利用し、この偏光状態の差
を光学素子を用いて光強度に変換し、これにより再生信
号を得る方法が主として採用されている。一方、相変化
型光記録媒体における再生信号検出手段は、一般に、入
射された光が媒体で反射するとき、媒体での光学定数が
結晶状態と非晶状態で異なることにより反射率が異なる
という性質を利用し、結晶状態と非晶状態の違いを反射
光強度に変換し、これにより再生信号を得る方法が主と
して採用されている。
記録媒体は、記録情報の書換えが可能な大容量メモリと
して近年盛んに研究開発がすすめられ、ほぼ実用化され
ている。このうち光磁気記録媒体においては、その再生
信号検出手段として、一般に、入射した光が媒体で反射
される時、媒体の酸化の向きに応じて反射光の偏光状態
が変化するというカー効果を利用し、この偏光状態の差
を光学素子を用いて光強度に変換し、これにより再生信
号を得る方法が主として採用されている。一方、相変化
型光記録媒体における再生信号検出手段は、一般に、入
射された光が媒体で反射するとき、媒体での光学定数が
結晶状態と非晶状態で異なることにより反射率が異なる
という性質を利用し、結晶状態と非晶状態の違いを反射
光強度に変換し、これにより再生信号を得る方法が主と
して採用されている。
【０００３】しかしながら、従来光記録媒体における再
生信号を検出するに際しては、カー回転角に基づく検出
法かカー楕円率に基づく検出法か反射率に基づく検出法
かの、いずれか１つの検出法しか採用されておらず、光
記録媒体の１つの位置に１ビットの情報しか対応させて
いないのが普通である。そこで、光記録媒体における記
録層を多層化し、多値記録を行う試みがなされている(J
pn.J,Appl.Phys. ,Vol.28,p.343(1989) 。しかしなが
ら、信号の検出をカー回転角に基づく検出法のみで行う
ため、信号処理が複雑となる問題があった。
生信号を検出するに際しては、カー回転角に基づく検出
法かカー楕円率に基づく検出法か反射率に基づく検出法
かの、いずれか１つの検出法しか採用されておらず、光
記録媒体の１つの位置に１ビットの情報しか対応させて
いないのが普通である。そこで、光記録媒体における記
録層を多層化し、多値記録を行う試みがなされている(J
pn.J,Appl.Phys. ,Vol.28,p.343(1989) 。しかしなが
ら、信号の検出をカー回転角に基づく検出法のみで行う
ため、信号処理が複雑となる問題があった。
【０００４】また、カー楕円率を用いて再生信号を得る
方法として、以下の２つの方法が提案されている。１つ
の方法として、円偏光を入射させた時に、磁化の向きに
よって光の強度と位相が異なる、いわゆる磁性体の円二
色性効果を利用した信号検出方法が理論的に考えられ、
ガーネット膜を用いてビット境界で差動信号を検出する
方法が提案されている（日本応用磁気学会誌、Vol.１
２，２１５−２１８，１９８８）。しかしながら、記録
媒体として希土類繊維金属合金薄膜を用いた場合、その
円二色性効果は非常に小さく、そのままでは実用上利用
することは困難であると共に、得られた信号のＳ／Ｎ比
はそれ程よくなかった。
方法として、以下の２つの方法が提案されている。１つ
の方法として、円偏光を入射させた時に、磁化の向きに
よって光の強度と位相が異なる、いわゆる磁性体の円二
色性効果を利用した信号検出方法が理論的に考えられ、
ガーネット膜を用いてビット境界で差動信号を検出する
方法が提案されている（日本応用磁気学会誌、Vol.１
２，２１５−２１８，１９８８）。しかしながら、記録
媒体として希土類繊維金属合金薄膜を用いた場合、その
円二色性効果は非常に小さく、そのままでは実用上利用
することは困難であると共に、得られた信号のＳ／Ｎ比
はそれ程よくなかった。
【０００５】さらに、他の方法として、円偏光を入射さ
せた時に反射される光の強度が磁化の向きにより異なる
ことを利用し、磁化情報を直接反射光強度差として検出
する方法が提案されている（日本応用磁気学会誌、Vol.
１３，１９５−１９８，１９８９）。このような場合に
は、円二色性効果を大きくすることができる反面、得ら
れた信号のＳ／Ｎ比はそれ程よくないという問題があっ
た。
せた時に反射される光の強度が磁化の向きにより異なる
ことを利用し、磁化情報を直接反射光強度差として検出
する方法が提案されている（日本応用磁気学会誌、Vol.
１３，１９５−１９８，１９８９）。このような場合に
は、円二色性効果を大きくすることができる反面、得ら
れた信号のＳ／Ｎ比はそれ程よくないという問題があっ
た。
【０００６】したがって、従来、光磁気記録媒体のみな
らず、相変化型光記録媒体をも含めた光記録媒体におい
て、多値記録を行うことにより高密度化を図り、さらに
その時の信号処理を簡単に行いたいという要望があると
ともに、これに加え、カー楕円率に基づく再生信号をＳ
／Ｎ良く得たいという要望があった。
らず、相変化型光記録媒体をも含めた光記録媒体におい
て、多値記録を行うことにより高密度化を図り、さらに
その時の信号処理を簡単に行いたいという要望があると
ともに、これに加え、カー楕円率に基づく再生信号をＳ
／Ｎ良く得たいという要望があった。
【０００７】
【発明の目的】本発明は、上述したような事情に鑑みて
なされたものであって、カー楕円率に基づく再生信号を
Ｓ／Ｎ比よく得、その上で、光磁気記録媒体のみなら
ず、相変化型光記録媒体をも含めた光記録媒体の高密度
化を図ることができる、光記録媒体から情報を検出する
方法を提供することを目的としている。
なされたものであって、カー楕円率に基づく再生信号を
Ｓ／Ｎ比よく得、その上で、光磁気記録媒体のみなら
ず、相変化型光記録媒体をも含めた光記録媒体の高密度
化を図ることができる、光記録媒体から情報を検出する
方法を提供することを目的としている。
【０００８】
【発明の概要】この目的を達成するため、本発明に係る
光記録媒体から情報を検出する方法は、光記録媒体から
光記録媒体に記録された情報を検出する方法であって、
前記光記録媒体に直線偏光を入射し、この媒体で反射さ
れた反射光をハーフミラーにより第１及び第２分離光に
分光し、第１分離光を、方位ほぼ４５°＋９０°×ｎ1
（但しｎ1は整数）に配置された１／４波長板を通過さ
せ、その後、方位ほぼ９０°×ｎ2（但しｎ2は整数）に
配置された偏光ビームスプリッターに入射させて、Ｐ成
分とＳ成分とに分け、これらＰ成分及びＳ成分を各々光
電検出器で検出し、Ｐ成分の信号とＳ成分の信号とを差
動増幅して、カー楕円率に基づく再生信号を検出する一
方、第２分離光を、方位ほぼ４５°＋９０°×ｎ3（但
しｎ3は整数）に配置された偏光ビームスプリッターに
入射させて、Ｐ成分とＳ成分とに分け、これらＰ成分及
びＳ成分を各々光電検出器で検出し、Ｐ成分の信号とＳ
成分の信号とを差動増幅して、カー回転角に基づく再生
信号を検出することを特徴としている。
光記録媒体から情報を検出する方法は、光記録媒体から
光記録媒体に記録された情報を検出する方法であって、
前記光記録媒体に直線偏光を入射し、この媒体で反射さ
れた反射光をハーフミラーにより第１及び第２分離光に
分光し、第１分離光を、方位ほぼ４５°＋９０°×ｎ1
（但しｎ1は整数）に配置された１／４波長板を通過さ
せ、その後、方位ほぼ９０°×ｎ2（但しｎ2は整数）に
配置された偏光ビームスプリッターに入射させて、Ｐ成
分とＳ成分とに分け、これらＰ成分及びＳ成分を各々光
電検出器で検出し、Ｐ成分の信号とＳ成分の信号とを差
動増幅して、カー楕円率に基づく再生信号を検出する一
方、第２分離光を、方位ほぼ４５°＋９０°×ｎ3（但
しｎ3は整数）に配置された偏光ビームスプリッターに
入射させて、Ｐ成分とＳ成分とに分け、これらＰ成分及
びＳ成分を各々光電検出器で検出し、Ｐ成分の信号とＳ
成分の信号とを差動増幅して、カー回転角に基づく再生
信号を検出することを特徴としている。
【０００９】反射光の一部である第１分離光を、方位４
５°＋９０°×ｎ1（但しｎ1は整数）の１／４波長板を
通過させ、その後、方位９０°×ｎ2（但しｎ2は整数）
の偏光ビームスプリッターによりＰ成分とＳ成分とに分
けて検出しているため、後の「発明の具体的説明」で説
明するように、カー楕円率ηKを利用して再生信号を得
ることができる。この際、Ｐ成分の信号とＳ成分の信号
とを差動増幅して再生信号を検出しているため、同相の
ノイズを除去することができ、この再生信号をＳ／Ｎ比
よく得ることができる。
５°＋９０°×ｎ1（但しｎ1は整数）の１／４波長板を
通過させ、その後、方位９０°×ｎ2（但しｎ2は整数）
の偏光ビームスプリッターによりＰ成分とＳ成分とに分
けて検出しているため、後の「発明の具体的説明」で説
明するように、カー楕円率ηKを利用して再生信号を得
ることができる。この際、Ｐ成分の信号とＳ成分の信号
とを差動増幅して再生信号を検出しているため、同相の
ノイズを除去することができ、この再生信号をＳ／Ｎ比
よく得ることができる。
【００１０】一方、第２分離光では、カー回転角に基づ
き、且つ差動検出で再生信号を得ている。したがって、
光記録媒体がカー楕円率とカー回転角とを別々に変化で
きる媒体であれば、１つの媒体の同じ位置から同時に、
カー楕円率に基づく再生信号と、カー回転角に基づく再
生信号との２つの信号を得ることができる。即ち、１つ
の媒体の同じ位置に同時に２ビット（４値記録）記録・
再生することができ、ひいては、記録媒体の高密度化を
図ることができる。
き、且つ差動検出で再生信号を得ている。したがって、
光記録媒体がカー楕円率とカー回転角とを別々に変化で
きる媒体であれば、１つの媒体の同じ位置から同時に、
カー楕円率に基づく再生信号と、カー回転角に基づく再
生信号との２つの信号を得ることができる。即ち、１つ
の媒体の同じ位置に同時に２ビット（４値記録）記録・
再生することができ、ひいては、記録媒体の高密度化を
図ることができる。
【００１１】
【発明の具体的説明】以下、図面を参照して、本発明に
係る実施態様について説明する。先ず、本実施態様に係
る光記録媒体は、カー楕円率とカー回転角とを別々に変
化できる媒体であるが、詳細については、後述する。
係る実施態様について説明する。先ず、本実施態様に係
る光記録媒体は、カー楕円率とカー回転角とを別々に変
化できる媒体であるが、詳細については、後述する。
【００１２】本実施態様に係る光記録媒体の信号検出方
法では、図１に示すように、例えば半導体レーザである
レーザ１１から発射された直線偏光であるレーザ光が、
無偏光ビームスプリッター１２に入射され、その一部が
反射された後この無偏光ビームスプリッター１２を通過
して、図示しない絞り込みレンズにより光記録媒体１上
に集光される。この媒体１で反射された反射光をハーフ
ミラー１３により第１及び第２分離光に分光する。
法では、図１に示すように、例えば半導体レーザである
レーザ１１から発射された直線偏光であるレーザ光が、
無偏光ビームスプリッター１２に入射され、その一部が
反射された後この無偏光ビームスプリッター１２を通過
して、図示しない絞り込みレンズにより光記録媒体１上
に集光される。この媒体１で反射された反射光をハーフ
ミラー１３により第１及び第２分離光に分光する。
【００１３】本実施態様では、この第１分離光を第１検
出光学系２０に導き、カー楕円率に基づく再生信号を得
る一方、第２分離光を第２検出光学系３０に導き、カー
回転角に基づく再生信号を得ている。
出光学系２０に導き、カー楕円率に基づく再生信号を得
る一方、第２分離光を第２検出光学系３０に導き、カー
回転角に基づく再生信号を得ている。
【００１４】すなわち、第１検出光学系２０において、
第１分離光は、ハーフミラー１３から１／４波長板（λ
／４板）２３に導かれる。この１／４波長板２３は、そ
の方位θが４０°＋９０°×ｎ1≦θ≦５０°＋９０°
×ｎ1であり、ほぼ４５°＋９０°×ｎ1方位に配置され
ており、その位相遅延量δは、λ／４−０．０５λ≦δ
≦λ／４＋０．０５λに設定されている。第１分離光
は、このような１／４波長板２３を通過することによ
り、直線偏光から円偏光に変化させられる。
第１分離光は、ハーフミラー１３から１／４波長板（λ
／４板）２３に導かれる。この１／４波長板２３は、そ
の方位θが４０°＋９０°×ｎ1≦θ≦５０°＋９０°
×ｎ1であり、ほぼ４５°＋９０°×ｎ1方位に配置され
ており、その位相遅延量δは、λ／４−０．０５λ≦δ
≦λ／４＋０．０５λに設定されている。第１分離光
は、このような１／４波長板２３を通過することによ
り、直線偏光から円偏光に変化させられる。
【００１５】この円偏光に変化された光は、次いで、偏
光ビームスプリッター２４に導かれる。この偏光ビーム
スプリッター２４は、その方位θが−５°＋９０°×ｎ
2≦θ≦５°＋９０°×ｎ2であり、ほぼ９０°×ｎ2方
位に配置されている。このように配置された偏光ビーム
スプリッター２４により、円偏光に変化された光は、Ｐ
成分とＳ成分とに分けられる。
光ビームスプリッター２４に導かれる。この偏光ビーム
スプリッター２４は、その方位θが−５°＋９０°×ｎ
2≦θ≦５°＋９０°×ｎ2であり、ほぼ９０°×ｎ2方
位に配置されている。このように配置された偏光ビーム
スプリッター２４により、円偏光に変化された光は、Ｐ
成分とＳ成分とに分けられる。
【００１６】これらＰ成分及びＳ成分は、各々光電検出
器２５ａ，２５ｂにより検出され、Ｐ成分の信号とＳ成
分の信号とが差動増幅器２６により差動増幅され、その
結果、カー楕円率に基づく再生信号が検出される。
器２５ａ，２５ｂにより検出され、Ｐ成分の信号とＳ成
分の信号とが差動増幅器２６により差動増幅され、その
結果、カー楕円率に基づく再生信号が検出される。
【００１７】一方、第２検出光学系３０においては、第
２分離光は、ハーフミラー１３から偏光ビームスプリッ
ター３４に導かれる。この偏光ビームスプリッター３４
は、方位ほぼ４５°＋９０°×ｎ3に配置されている。
このように配置された偏光ビームスプリッター３４によ
り、第２分離光は、Ｐ成分とＳ成分とに分けられる。
２分離光は、ハーフミラー１３から偏光ビームスプリッ
ター３４に導かれる。この偏光ビームスプリッター３４
は、方位ほぼ４５°＋９０°×ｎ3に配置されている。
このように配置された偏光ビームスプリッター３４によ
り、第２分離光は、Ｐ成分とＳ成分とに分けられる。
【００１８】これらＰ成分及びＳ成分は、各々光電検出
器３５ａ，３５ｂにより検出され、Ｐ成分の信号とＳ成
分の信号とが差動増幅器３６により差動増幅され、その
結果、カー回転角に基づく再生信号が検出される。
器３５ａ，３５ｂにより検出され、Ｐ成分の信号とＳ成
分の信号とが差動増幅器３６により差動増幅され、その
結果、カー回転角に基づく再生信号が検出される。
【００１９】以上のように、光記録媒体がカー楕円率と
カー回転角とを別々に変化できる媒体であり、１つの光
記録媒体の同じ位置から、カー楕円率に基づく再生信号
と、カー回転角に基づく再生信号との２つの信号を、同
時に得ることができる。即ち、１つの媒体の同じ位置に
同時に２ビット（４値記録）記録・再生することがで
き、ひいては、記録媒体の高密度化を図ることができ
る。また、カー楕円率に基づく信号も、カー回転角に基
づく信号も差動検出しているため、Ｓ／Ｎ比よく再生信
号を得ることができる。
カー回転角とを別々に変化できる媒体であり、１つの光
記録媒体の同じ位置から、カー楕円率に基づく再生信号
と、カー回転角に基づく再生信号との２つの信号を、同
時に得ることができる。即ち、１つの媒体の同じ位置に
同時に２ビット（４値記録）記録・再生することがで
き、ひいては、記録媒体の高密度化を図ることができ
る。また、カー楕円率に基づく信号も、カー回転角に基
づく信号も差動検出しているため、Ｓ／Ｎ比よく再生信
号を得ることができる。
【００２０】このように、カー楕円率・カー回転角に基
づく２つの信号を得るには、媒体は、光記録媒体がカー
楕円率とカー回転角とを別々に変化できるものであれば
よいが、例えば、以下のものを例示できる。
づく２つの信号を得るには、媒体は、光記録媒体がカー
楕円率とカー回転角とを別々に変化できるものであれば
よいが、例えば、以下のものを例示できる。
【００２１】一例としては、光記録媒体の記録膜を、光
磁気記録膜（ＭＯ膜）と、相変化膜との２層構造とし、
相変化膜の光学定数の変化と干渉構造を利用する。光磁
気記録膜は、磁化の向きが上下に変化し、一方、相変化
記録膜は結晶か非晶かにより光学定数がＮ1 、Ｎ2 と変
化する。磁化の向きと光学定数との組み合わせにより、
光記録媒体の磁気カー効果は以下のように分類できる。
磁気記録膜（ＭＯ膜）と、相変化膜との２層構造とし、
相変化膜の光学定数の変化と干渉構造を利用する。光磁
気記録膜は、磁化の向きが上下に変化し、一方、相変化
記録膜は結晶か非晶かにより光学定数がＮ1 、Ｎ2 と変
化する。磁化の向きと光学定数との組み合わせにより、
光記録媒体の磁気カー効果は以下のように分類できる。
【００２２】干渉構造を利用して、ηk2≠ηk1、θk1≒
θk2となるように媒体を設計すれば、磁化の上下に対応
してθk の向きが異なり、さらに光学定数に対応して、
ηk の大きさが異なる。よって、磁化の上下と光学定数
の違いとを別々に検出することが可能となる。
θk2となるように媒体を設計すれば、磁化の上下に対応
してθk の向きが異なり、さらに光学定数に対応して、
ηk の大きさが異なる。よって、磁化の上下と光学定数
の違いとを別々に検出することが可能となる。
【００２３】
【表１】
【００２４】他の例としては、光記録媒体の記録膜を、
２つの光磁気記録膜（ＭＯ膜）の２層構造とし、一方の
光磁気記録膜では、カー回転角を大きくし、カー楕円率
を小さくし、他方の光磁気記録膜では、その逆に設計す
る。この場合にも、カー回転角に基づく信号と、カー楕
円率に基づく信号とを同時に記録・再生することができ
る。
２つの光磁気記録膜（ＭＯ膜）の２層構造とし、一方の
光磁気記録膜では、カー回転角を大きくし、カー楕円率
を小さくし、他方の光磁気記録膜では、その逆に設計す
る。この場合にも、カー回転角に基づく信号と、カー楕
円率に基づく信号とを同時に記録・再生することができ
る。
【００２５】なお、本発明に係る信号検出方法が適用さ
れる光記録媒体は、上記例に限定されず、カー楕円率と
カー回転角とを別々に変化できる媒体でありさえすれば
よいことは勿論である。
れる光記録媒体は、上記例に限定されず、カー楕円率と
カー回転角とを別々に変化できる媒体でありさえすれば
よいことは勿論である。
【００２６】次に、第１検出光学系２０の構成により、
カー楕円率ηを用いて再生信号を得ることができる原理
を説明する。光記録媒体に直線偏光を入射させ、この時
の偏光方向の方位を０°とする。光記録媒体１で反射さ
れた再生情報を含む反射光は、近似的に、
カー楕円率ηを用いて再生信号を得ることができる原理
を説明する。光記録媒体に直線偏光を入射させ、この時
の偏光方向の方位を０°とする。光記録媒体１で反射さ
れた再生情報を含む反射光は、近似的に、
【００２７】
【数１】
【００２８】と表される。ほぼ４５°（η1 ＝０）を方
位で配置された１／４波長板２３は、
位で配置された１／４波長板２３は、
【００２９】
【数２】
【００３０】と表される。０°（η3 ＝０）方位で配置
された偏光ビームスプリッター２４は、Ｐ成分、Ｓ成分
各々に対して、
された偏光ビームスプリッター２４は、Ｐ成分、Ｓ成分
各々に対して、
【００３１】
【数３】
【００３２】と表される。したがって、光記録媒体１で
反射された反射光が上記１／４波長板２３を通過し、上
記偏光ビームスプリッター２４により分けられるＰ成
分、Ｓ成分の電場ベクトルＥ1 ，Ｅ2 は、各々、
反射された反射光が上記１／４波長板２３を通過し、上
記偏光ビームスプリッター２４により分けられるＰ成
分、Ｓ成分の電場ベクトルＥ1 ，Ｅ2 は、各々、
【００３３】
【数４】
【００３４】と表される。したがって、Ｐ成分の強度Ｉ
1 、Ｓ成分の強度Ｉ2 は、各々、
1 、Ｓ成分の強度Ｉ2 は、各々、
【００３５】
【数５】
【００３６】と表される。本実施態様では、差動検出し
ているため、差動信号Ｓは、 Ｓ＝Ｉ2−Ｉ1＝２θK と表される。このＳ式は、カー楕円率であるηのみによ
り表されているため、図１に示すように構成した光学検
出系により、カー楕円率を利用して再生信号を得ること
が証明されている。
ているため、差動信号Ｓは、 Ｓ＝Ｉ2−Ｉ1＝２θK と表される。このＳ式は、カー楕円率であるηのみによ
り表されているため、図１に示すように構成した光学検
出系により、カー楕円率を利用して再生信号を得ること
が証明されている。
【００３７】このように、光記録媒体１で反射された反
射光を、方位４５°＋９０°×ｎ1の１／４波長板２３
を通過させ、その後、方位９０°×ｎ2の偏光ビームス
プリッター２４によりＰ成分とＳ成分とに分けて検出し
ているため、上述したように、カー楕円率ηKを利用し
て再生信号を得ることができる。
射光を、方位４５°＋９０°×ｎ1の１／４波長板２３
を通過させ、その後、方位９０°×ｎ2の偏光ビームス
プリッター２４によりＰ成分とＳ成分とに分けて検出し
ているため、上述したように、カー楕円率ηKを利用し
て再生信号を得ることができる。
【００３８】なお、本発明は、上述した実施例に限定さ
れないのは勿論である。特に、本発明に係る信号検出方
法を適用できる光記録媒体は、上述したように、 光磁気記録膜と、相変化膜とからなる光記録媒体 ２つの光磁気記録膜からなる光磁気記録媒体 のいずれであてもよい。さらに、この光磁気記録膜、相
変化膜は、以下に例示するが、これに限定されず、種々
のものであってもよいことは勿論である。
れないのは勿論である。特に、本発明に係る信号検出方
法を適用できる光記録媒体は、上述したように、 光磁気記録膜と、相変化膜とからなる光記録媒体 ２つの光磁気記録膜からなる光磁気記録媒体 のいずれであてもよい。さらに、この光磁気記録膜、相
変化膜は、以下に例示するが、これに限定されず、種々
のものであってもよいことは勿論である。
【００３９】光磁気記録膜 光磁気記録膜は、（ｉ）３ｄ遷移属から選ばれる少なく
とも１種と、（iii）希土類から選ばれる少なくとも１
種の元素とからなるか、あるいは（ｉ）３ｄ遷移金属か
ら選ばれる少なくとも１種と、（ii）耐腐食性金属と、
（iii）希土類から選ばれる少なくとも１種の元素とか
らなっていることが好ましい。
とも１種と、（iii）希土類から選ばれる少なくとも１
種の元素とからなるか、あるいは（ｉ）３ｄ遷移金属か
ら選ばれる少なくとも１種と、（ii）耐腐食性金属と、
（iii）希土類から選ばれる少なくとも１種の元素とか
らなっていることが好ましい。
【００４０】（ｉ）３ｄ遷移金属としては、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎなどが用
いられるが、このうちＦｅまたはＣｏあるいはこの両者
であることが好ましい。
ｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎなどが用
いられるが、このうちＦｅまたはＣｏあるいはこの両者
であることが好ましい。
【００４１】この３ｄ遷移金属は、光磁気記録膜中に２
０〜９０原子％、好ましくは３０〜８５原子％、より好
ましくは３５〜８０原子％の量で存在している。 （ii）耐腐食性金属は、光磁気記録膜に含ませることに
よって、この光磁気記録膜の耐酸化性を高めることがで
きる。このような耐腐食性金属としては、Ｐｔ、Ｐｄ、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂなどが用いられるが、このうち
Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔｉが好ましく、とくにＰｔまたはＰｄあ
るいはこの両者であることが好ましい。
０〜９０原子％、好ましくは３０〜８５原子％、より好
ましくは３５〜８０原子％の量で存在している。 （ii）耐腐食性金属は、光磁気記録膜に含ませることに
よって、この光磁気記録膜の耐酸化性を高めることがで
きる。このような耐腐食性金属としては、Ｐｔ、Ｐｄ、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂなどが用いられるが、このうち
Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔｉが好ましく、とくにＰｔまたはＰｄあ
るいはこの両者であることが好ましい。
【００４２】この耐腐食性金属は、光磁気記録膜中に３
０原子％以下、好ましくは５〜２５原子％、より好まし
くは１０〜２５原子％、さらに好ましくは１０〜２０原
子％の量で存在している。
０原子％以下、好ましくは５〜２５原子％、より好まし
くは１０〜２５原子％、さらに好ましくは１０〜２０原
子％の量で存在している。
【００４３】(iii)希土類元素としては、下記のような
元素が挙げられる。 Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、
Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓ
ｍ、Ｅｕ このうちＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｐｒが
好ましく用いられる。
元素が挙げられる。 Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、
Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓ
ｍ、Ｅｕ このうちＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｐｒが
好ましく用いられる。
【００４４】上記のような群から選ばれる少なくとも１
種の希土類元素は、光磁気記録膜中５〜５０原子％、好
ましくは８〜４５原子％、より好ましくは１０〜４０原
子％の量で存在している。
種の希土類元素は、光磁気記録膜中５〜５０原子％、好
ましくは８〜４５原子％、より好ましくは１０〜４０原
子％の量で存在している。
【００４５】本発明においては、光磁気記録膜に種々の
元素を少量添加して、キュリー温度や補償温度あるいは
保磁力Ｈｃやカー回転角θｋの改善あるいは低コスト化
を計ることもできる。これらの元素は、記録膜を構成す
る全原子数に対してたとえば１０原子％未満の割合で用
いることができる。
元素を少量添加して、キュリー温度や補償温度あるいは
保磁力Ｈｃやカー回転角θｋの改善あるいは低コスト化
を計ることもできる。これらの元素は、記録膜を構成す
る全原子数に対してたとえば１０原子％未満の割合で用
いることができる。
【００４６】併用できる他の元素の例としては、以下の
ような元素が挙げられる。 （Ｉ）Ｆｅ、Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素 具体的には、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ｚｎが用いられる。
ような元素が挙げられる。 （Ｉ）Ｆｅ、Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素 具体的には、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ｚｎが用いられる。
【００４７】これらのうち、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎな
どが好ましく用いられる。 （II）Ｐｄ以外の４ｄ遷移元素 具体的には、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒ
ｈ、Ａｇ、Ｃｄが用いられる。
どが好ましく用いられる。 （II）Ｐｄ以外の４ｄ遷移元素 具体的には、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒ
ｈ、Ａｇ、Ｃｄが用いられる。
【００４８】このうちＺｒ、Ｎｂが好ましく用いられ
る。 （III）Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素 具体的には、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａ
ｕ、Ｈｇが用いられる。
る。 （III）Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素 具体的には、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａ
ｕ、Ｈｇが用いられる。
【００４９】このうちＴａが好ましく用いられる。 （IV）IIIＢ族元素 具体的には、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌが用いられ
る。
る。
【００５０】このうちＢ、Ａｌ、Ｇａが好ましく用いら
れる。 （Ｖ）IVＢ族元素 具体的には、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが用いられ
る。
れる。 （Ｖ）IVＢ族元素 具体的には、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが用いられ
る。
【００５１】このうち、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが好ま
しく用いられる。 （VI）ＶＢ族元素 具体的には、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉが用いられる。
しく用いられる。 （VI）ＶＢ族元素 具体的には、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉが用いられる。
【００５２】このうちＳｂが好ましく用いられる。 （VII）VIＢ族元素 具体的には、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏが用いられる。
【００５３】このうちＴｅが好ましく用いられる。上記
のような組成を有する光磁気記録膜は、膜面に垂直な磁
化容易軸を有し、多くはカー・ヒステリシスが良好な角
形ループを示す垂直磁気および光磁気記録可能な非晶質
薄膜となることが、広角Ｘ線回析などにより確かめられ
る。
のような組成を有する光磁気記録膜は、膜面に垂直な磁
化容易軸を有し、多くはカー・ヒステリシスが良好な角
形ループを示す垂直磁気および光磁気記録可能な非晶質
薄膜となることが、広角Ｘ線回析などにより確かめられ
る。
【００５４】なお本明細書において、カー・ヒステリシ
スが良好な角形ループを示すとは、最大外部磁場におけ
るカー回転角である飽和カー回転角（θｋ1）と外部磁
場ゼロにおけるカー回転角である残留カー回転角（θｋ
2）との比θｋ2／θｋ1が０.８以上であることを意味し
ている。
スが良好な角形ループを示すとは、最大外部磁場におけ
るカー回転角である飽和カー回転角（θｋ1）と外部磁
場ゼロにおけるカー回転角である残留カー回転角（θｋ
2）との比θｋ2／θｋ1が０.８以上であることを意味し
ている。
【００５５】この光磁気記録膜の膜厚は１００〜６００
Å、好ましくは１００〜４００Å、より好ましくは２０
０〜３５０Å程度である。特に、カー楕円率の場合に適
する光磁気記録膜としては、ＴｂＦｅ、ＴｂＣｏ、Ｔｂ
ＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、ＧｄＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＴ
ｂＦｅ、ＧｄＴｂＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＦｅ、
ＮｄＣｏ、ＮｄＴｂＦｅ、ＮｄＴｂＣｏ、ＮｄＴｂＦｅ
Ｃｏ、ＤｙＦｅ、ＤｙＣｏ、ＤｙＴｂＦｅ、ＤｙＴｂＣ
ｏ、ＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｄからなる光
磁気記録膜が好ましい。
Å、好ましくは１００〜４００Å、より好ましくは２０
０〜３５０Å程度である。特に、カー楕円率の場合に適
する光磁気記録膜としては、ＴｂＦｅ、ＴｂＣｏ、Ｔｂ
ＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、ＧｄＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＴ
ｂＦｅ、ＧｄＴｂＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＦｅ、
ＮｄＣｏ、ＮｄＴｂＦｅ、ＮｄＴｂＣｏ、ＮｄＴｂＦｅ
Ｃｏ、ＤｙＦｅ、ＤｙＣｏ、ＤｙＴｂＦｅ、ＤｙＴｂＣ
ｏ、ＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｄからなる光
磁気記録膜が好ましい。
【００５６】相変化膜 相変化膜としては、状態の変化に応じて光学定数が変化
するものであれば良く、ＴｅＯ、ＴｅＦｅＯ、ＴｅＦｅ
Ｓｕ、ＴｅＧｅＯＳｕ、ＴｅＧｅ、ＴｅＧｅＳｅ、Ｔｅ
ＧｅＳｂ、ＴｅＧｅＳｅＳｂ、ＩｎＳｅ、ＩｎＳｅＴｌ
Ｃｏ、ＳｂＴｅ、ＳｎＴｅＳｅ、ＧａＳｅＴｅ、ＧａＳ
ｅＴｅ、ＧａＳｅＴｅＧｅ、ＢｉＴｅＳｂＳｅ等の記録
膜を用いることができる。
するものであれば良く、ＴｅＯ、ＴｅＦｅＯ、ＴｅＦｅ
Ｓｕ、ＴｅＧｅＯＳｕ、ＴｅＧｅ、ＴｅＧｅＳｅ、Ｔｅ
ＧｅＳｂ、ＴｅＧｅＳｅＳｂ、ＩｎＳｅ、ＩｎＳｅＴｌ
Ｃｏ、ＳｂＴｅ、ＳｎＴｅＳｅ、ＧａＳｅＴｅ、ＧａＳ
ｅＴｅ、ＧａＳｅＴｅＧｅ、ＢｉＴｅＳｂＳｅ等の記録
膜を用いることができる。
【００５７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明では、反射光
の一部である第１分離光を、方位４５°＋９０°×ｎ1
の１／４波長板を通過させ、その後、方位９０°×ｎ2
の偏光ビームスプリッターによりＰ成分とＳ成分とに分
けて検出しているため、カー楕円率ηKを利用して再生
信号を得ることができる。この際、Ｐ成分の信号とＳ成
分の信号とを差動増幅して再生信号を検出しているた
め、この再生信号をＳ／Ｎ比よく得ることができる。
の一部である第１分離光を、方位４５°＋９０°×ｎ1
の１／４波長板を通過させ、その後、方位９０°×ｎ2
の偏光ビームスプリッターによりＰ成分とＳ成分とに分
けて検出しているため、カー楕円率ηKを利用して再生
信号を得ることができる。この際、Ｐ成分の信号とＳ成
分の信号とを差動増幅して再生信号を検出しているた
め、この再生信号をＳ／Ｎ比よく得ることができる。
【００５８】一方、第２分離光では、カー回転角に基づ
き、且つ差動検出で再生信号を得ている。したがって、
光記録媒体がカー楕円率とカー回転角とを別々に変化で
きる媒体であれば、１つの媒体の同じ位置から同時に、
カー楕円率に基づく再生信号と、カー回転角に基づく再
生信号との２つの信号を得ることができる。即ち、１つ
の媒体の同じ位置に同時に２ビット（４値記録）記録・
再生することができ、ひいては、記録媒体の高密度化を
図ることができる。
き、且つ差動検出で再生信号を得ている。したがって、
光記録媒体がカー楕円率とカー回転角とを別々に変化で
きる媒体であれば、１つの媒体の同じ位置から同時に、
カー楕円率に基づく再生信号と、カー回転角に基づく再
生信号との２つの信号を得ることができる。即ち、１つ
の媒体の同じ位置に同時に２ビット（４値記録）記録・
再生することができ、ひいては、記録媒体の高密度化を
図ることができる。
【図１】本発明の一実施態様に係る光記録媒体の信号検
出方法に用いる光学系の模式図である。
出方法に用いる光学系の模式図である。
１ 光記録媒体 １３ ハーフミラー ２４ １／４波長板 ２５ 偏光ビームスプリッター ２５ａ，２５ｂ 光電検出器 ３４ 偏光ビームスプリッター ３５ａ，３５ｂ 光電検出器
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１０月１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 光記録媒体から情報を検出する
方法
方法
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、直線偏光のレーザースポ
ットを光記録媒体に入射させ、媒体で反射した反射光の
カー楕円率（ηK）に基づく再生信号を得る一方、反射
光のカー回転角（θk ）に基づく再生信号を得ることに
より、光記録媒体の高密度化を可能にした光記録媒体か
ら情報を検出する方法に関する。
ットを光記録媒体に入射させ、媒体で反射した反射光の
カー楕円率（ηK）に基づく再生信号を得る一方、反射
光のカー回転角（θk ）に基づく再生信号を得ることに
より、光記録媒体の高密度化を可能にした光記録媒体か
ら情報を検出する方法に関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】光磁気記録媒体、及び相変化型光
記録媒体は、記録情報の書換えが可能な大容量メモリと
して近年盛んに研究開発がすすめられ、ほぼ実用化され
ている。このうち光磁気記録媒体においては、その再生
信号検出手段として、一般に、入射した光が媒体で反射
される時、媒体の酸化の向きに応じて反射光の偏光状態
が変化するというカー効果を利用し、この偏光状態の差
を光学素子を用いて光強度に変換し、これにより再生信
号を得る方法が主として採用されている。一方、相変化
型光記録媒体における再生信号検出手段は、一般に、入
射された光が媒体で反射するとき、媒体での光学定数が
結晶状態と非晶状態で異なることにより反射率が異なる
という性質を利用し、結晶状態と非晶状態の違いを反射
光強度に変換し、これにより再生信号を得る方法が主と
して採用されている。
記録媒体は、記録情報の書換えが可能な大容量メモリと
して近年盛んに研究開発がすすめられ、ほぼ実用化され
ている。このうち光磁気記録媒体においては、その再生
信号検出手段として、一般に、入射した光が媒体で反射
される時、媒体の酸化の向きに応じて反射光の偏光状態
が変化するというカー効果を利用し、この偏光状態の差
を光学素子を用いて光強度に変換し、これにより再生信
号を得る方法が主として採用されている。一方、相変化
型光記録媒体における再生信号検出手段は、一般に、入
射された光が媒体で反射するとき、媒体での光学定数が
結晶状態と非晶状態で異なることにより反射率が異なる
という性質を利用し、結晶状態と非晶状態の違いを反射
光強度に変換し、これにより再生信号を得る方法が主と
して採用されている。
【０００３】しかしながら、従来光記録媒体における再
生信号を検出するに際しては、カー回転角に基づく検出
法かカー楕円率に基づく検出法か反射率に基づく検出法
かの、いずれか１つの検出法しか採用されておらず、光
記録媒体の１つの位置に１ビットの情報しか対応させて
いないのが普通である。そこで、光記録媒体における記
録層を多層化し、多値記録を行う試みがなされている(J
pn.J,Appl.Phys. ,Vol.28,p.343(1989) 。しかしなが
ら、信号の検出をカー回転角に基づく検出法のみで行う
ため、信号処理が複雑となる問題があった。
生信号を検出するに際しては、カー回転角に基づく検出
法かカー楕円率に基づく検出法か反射率に基づく検出法
かの、いずれか１つの検出法しか採用されておらず、光
記録媒体の１つの位置に１ビットの情報しか対応させて
いないのが普通である。そこで、光記録媒体における記
録層を多層化し、多値記録を行う試みがなされている(J
pn.J,Appl.Phys. ,Vol.28,p.343(1989) 。しかしなが
ら、信号の検出をカー回転角に基づく検出法のみで行う
ため、信号処理が複雑となる問題があった。
【０００４】また、カー楕円率を用いて再生信号を得る
方法として、以下の２つの方法が提案されている。１つ
の方法として、円偏光を入射させた時に、磁化の向きに
よって光の強度と位相が異なる、いわゆる磁性体の円二
色性効果を利用した信号検出方法が理論的に考えられ、
ガーネット膜を用いてビット境界で差動信号を検出する
方法が提案されている（日本応用磁気学会誌、Vol.１
２，２１５−２１８，１９８８）。しかしながら、記録
媒体として希土類遷移金属合金薄膜を用いた場合、その
円二色性効果は非常に小さく、そのままでは実用上利用
することは困難であると共に、得られた信号のＳ／Ｎ比
はそれ程よくなかった。
方法として、以下の２つの方法が提案されている。１つ
の方法として、円偏光を入射させた時に、磁化の向きに
よって光の強度と位相が異なる、いわゆる磁性体の円二
色性効果を利用した信号検出方法が理論的に考えられ、
ガーネット膜を用いてビット境界で差動信号を検出する
方法が提案されている（日本応用磁気学会誌、Vol.１
２，２１５−２１８，１９８８）。しかしながら、記録
媒体として希土類遷移金属合金薄膜を用いた場合、その
円二色性効果は非常に小さく、そのままでは実用上利用
することは困難であると共に、得られた信号のＳ／Ｎ比
はそれ程よくなかった。
【０００５】さらに、他の方法として、円偏光を入射さ
せた時に反射される光の強度が磁化の向きにより異なる
ことを利用し、磁化情報を直接反射光強度差として検出
する方法が提案されている（日本応用磁気学会誌、Vol.
１３，１９５−１９８，１９８９）。このような場合に
は、円二色性効果を大きくすることができる反面、得ら
れた信号のＳ／Ｎ比はそれ程よくないという問題があっ
た。
せた時に反射される光の強度が磁化の向きにより異なる
ことを利用し、磁化情報を直接反射光強度差として検出
する方法が提案されている（日本応用磁気学会誌、Vol.
１３，１９５−１９８，１９８９）。このような場合に
は、円二色性効果を大きくすることができる反面、得ら
れた信号のＳ／Ｎ比はそれ程よくないという問題があっ
た。
【０００６】したがって、従来、光磁気記録媒体のみな
らず、相変化型光記録媒体をも含めた光記録媒体におい
て、多値記録を行うことにより高密度化を図り、さらに
その時の信号処理を簡単に行いたいという要望があると
ともに、これに加え、カー楕円率に基づく再生信号をＳ
／Ｎ比良く得たいという要望があった。
らず、相変化型光記録媒体をも含めた光記録媒体におい
て、多値記録を行うことにより高密度化を図り、さらに
その時の信号処理を簡単に行いたいという要望があると
ともに、これに加え、カー楕円率に基づく再生信号をＳ
／Ｎ比良く得たいという要望があった。
【０００７】
【発明の目的】本発明は、上述したような事情に鑑みて
なされたものであって、カー楕円率に基づく再生信号を
Ｓ／Ｎ比よく得、その上で、光磁気記録媒体のみなら
ず、相変化型光記録媒体をも含めた光記録媒体の高密度
化を図ることができる、光記録媒体から情報を検出する
方法を提供することを目的としている。
なされたものであって、カー楕円率に基づく再生信号を
Ｓ／Ｎ比よく得、その上で、光磁気記録媒体のみなら
ず、相変化型光記録媒体をも含めた光記録媒体の高密度
化を図ることができる、光記録媒体から情報を検出する
方法を提供することを目的としている。
【０００８】
【発明の概要】この目的を達成するため、本発明に係る
光記録媒体から情報を検出する方法は、光記録媒体から
光記録媒体に記録された情報を検出する方法であって、
前記光記録媒体に直線偏光を入射し、この媒体で反射さ
れた反射光をハーフミラーにより第１及び第２分離光に
分光し、第１分離光を、方位ほぼ４５°＋９０°×ｎ1
（但しｎ1は整数）に配置された１／４波長板を通過さ
せ、その後、方位ほぼ９０°×ｎ2（但しｎ2は整数）に
配置された偏光ビームスプリッターに入射させて、Ｐ成
分とＳ成分とに分け、これらＰ成分及びＳ成分を各々光
電検出器で検出し、Ｐ成分の信号とＳ成分の信号とを差
動増幅して、カー楕円率に基づく再生信号を検出する一
方、第２分離光を、方位ほぼ４５°＋９０°×ｎ3（但
しｎ3は整数）に配置された偏光ビームスプリッターに
入射させて、Ｐ成分とＳ成分とに分け、これらＰ成分及
びＳ成分を各々光電検出器で検出し、Ｐ成分の信号とＳ
成分の信号とを差動増幅して、カー回転角に基づく再生
信号を検出することを特徴としている。
光記録媒体から情報を検出する方法は、光記録媒体から
光記録媒体に記録された情報を検出する方法であって、
前記光記録媒体に直線偏光を入射し、この媒体で反射さ
れた反射光をハーフミラーにより第１及び第２分離光に
分光し、第１分離光を、方位ほぼ４５°＋９０°×ｎ1
（但しｎ1は整数）に配置された１／４波長板を通過さ
せ、その後、方位ほぼ９０°×ｎ2（但しｎ2は整数）に
配置された偏光ビームスプリッターに入射させて、Ｐ成
分とＳ成分とに分け、これらＰ成分及びＳ成分を各々光
電検出器で検出し、Ｐ成分の信号とＳ成分の信号とを差
動増幅して、カー楕円率に基づく再生信号を検出する一
方、第２分離光を、方位ほぼ４５°＋９０°×ｎ3（但
しｎ3は整数）に配置された偏光ビームスプリッターに
入射させて、Ｐ成分とＳ成分とに分け、これらＰ成分及
びＳ成分を各々光電検出器で検出し、Ｐ成分の信号とＳ
成分の信号とを差動増幅して、カー回転角に基づく再生
信号を検出することを特徴としている。
【０００９】反射光の一部である第１分離光を、方位４
５°＋９０°×ｎ1（但しｎ1は整数）の１／４波長板を
通過させ、その後、方位９０°×ｎ2（但しｎ2は整数）
の偏光ビームスプリッターによりＰ成分とＳ成分とに分
けて検出しているため、後の「発明の具体的説明」で説
明するように、カー楕円率ηKを利用して再生信号を得
ることができる。この際、Ｐ成分の信号とＳ成分の信号
とを差動増幅して再生信号を検出しているため、同相の
ノイズを除去することができ、この再生信号をＳ／Ｎ比
よく得ることができる。
５°＋９０°×ｎ1（但しｎ1は整数）の１／４波長板を
通過させ、その後、方位９０°×ｎ2（但しｎ2は整数）
の偏光ビームスプリッターによりＰ成分とＳ成分とに分
けて検出しているため、後の「発明の具体的説明」で説
明するように、カー楕円率ηKを利用して再生信号を得
ることができる。この際、Ｐ成分の信号とＳ成分の信号
とを差動増幅して再生信号を検出しているため、同相の
ノイズを除去することができ、この再生信号をＳ／Ｎ比
よく得ることができる。
【００１０】一方、第２分離光では、カー回転角に基づ
き、且つ差動検出で再生信号を得ている。したがって、
光記録媒体がカー楕円率とカー回転角とを別々に変化で
きる媒体であれば、１つの媒体の同じ位置から同時に、
カー楕円率に基づく再生信号と、カー回転角に基づく再
生信号との２つの信号を得ることができる。即ち、１つ
の媒体の同じ位置に同時に２ビット（４値記録）記録・
再生することができ、ひいては、記録媒体の高密度化を
図ることができる。
き、且つ差動検出で再生信号を得ている。したがって、
光記録媒体がカー楕円率とカー回転角とを別々に変化で
きる媒体であれば、１つの媒体の同じ位置から同時に、
カー楕円率に基づく再生信号と、カー回転角に基づく再
生信号との２つの信号を得ることができる。即ち、１つ
の媒体の同じ位置に同時に２ビット（４値記録）記録・
再生することができ、ひいては、記録媒体の高密度化を
図ることができる。
【００１１】
【発明の具体的説明】以下、図面を参照して、本発明に
係る実施態様について説明する。先ず、本実施態様に係
る光記録媒体は、カー楕円率とカー回転角とを別々に変
化できる媒体であるが、詳細については、後述する。
係る実施態様について説明する。先ず、本実施態様に係
る光記録媒体は、カー楕円率とカー回転角とを別々に変
化できる媒体であるが、詳細については、後述する。
【００１２】本実施態様に係る光記録媒体の信号検出方
法では、図１に示すように、例えば半導体レーザである
レーザ１１から発射された直線偏光であるレーザ光が、
ビームスプリッター１２に入射され、その一部が反射さ
れた後このビームスプリッター１２を通過して、図示し
ない絞り込みレンズにより光記録媒体１上に集光され
る。この媒体１で反射された反射光をハーフミラー１３
により第１及び第２分離光に分光する。
法では、図１に示すように、例えば半導体レーザである
レーザ１１から発射された直線偏光であるレーザ光が、
ビームスプリッター１２に入射され、その一部が反射さ
れた後このビームスプリッター１２を通過して、図示し
ない絞り込みレンズにより光記録媒体１上に集光され
る。この媒体１で反射された反射光をハーフミラー１３
により第１及び第２分離光に分光する。
【００１３】本実施態様では、この第１分離光を第１検
出光学系２０に導き、カー楕円率に基づく再生信号を得
る一方、第２分離光を第２検出光学系３０に導き、カー
回転角に基づく再生信号を得ている。
出光学系２０に導き、カー楕円率に基づく再生信号を得
る一方、第２分離光を第２検出光学系３０に導き、カー
回転角に基づく再生信号を得ている。
【００１４】すなわち、第１検出光学系２０において、
第１分離光は、ハーフミラー１３から１／４波長板（λ
／４板）２３に導かれる。この１／４波長板２３は、そ
の方位θが４０°＋９０°×ｎ1≦θ≦５０°＋９０°
×ｎ1であり、ほぼ４５°＋９０°×ｎ1方位に配置され
ており、その位相遅延量δは、λ／４−０．０５λ≦δ
≦λ／４＋０．０５λに設定されている。第１分離光
は、このような１／４波長板２３を通過することによ
り、直線偏光から円偏光に変化させられる。
第１分離光は、ハーフミラー１３から１／４波長板（λ
／４板）２３に導かれる。この１／４波長板２３は、そ
の方位θが４０°＋９０°×ｎ1≦θ≦５０°＋９０°
×ｎ1であり、ほぼ４５°＋９０°×ｎ1方位に配置され
ており、その位相遅延量δは、λ／４−０．０５λ≦δ
≦λ／４＋０．０５λに設定されている。第１分離光
は、このような１／４波長板２３を通過することによ
り、直線偏光から円偏光に変化させられる。
【００１５】この円偏光に変化された光は、次いで、偏
光ビームスプリッター２４に導かれる。この偏光ビーム
スプリッター２４は、その方位θが−５°＋９０°×ｎ
2≦θ≦５°＋９０°×ｎ2であり、ほぼ９０°×ｎ2方
位に配置されている。このように配置された偏光ビーム
スプリッター２４により、円偏光に変化された光は、Ｐ
成分とＳ成分とに分けられる。
光ビームスプリッター２４に導かれる。この偏光ビーム
スプリッター２４は、その方位θが−５°＋９０°×ｎ
2≦θ≦５°＋９０°×ｎ2であり、ほぼ９０°×ｎ2方
位に配置されている。このように配置された偏光ビーム
スプリッター２４により、円偏光に変化された光は、Ｐ
成分とＳ成分とに分けられる。
【００１６】これらＰ成分及びＳ成分は、各々光電検出
器２５ａ，２５ｂにより検出され、Ｐ成分の信号とＳ成
分の信号とが差動増幅器２６により差動増幅され、その
結果、カー楕円率に基づく再生信号が検出される。さら
にλ／４板２３と偏光ビームスプリッター２４との間
に、λ／２板を挿入し、方位角を適当に決めることによ
り、光学素子や光磁気記録媒体で発生するＰ成分とＳ成
分との間の位相差を相殺でき、再生信号のＳ／Ｎ比をさ
らに改善することも可能である。
器２５ａ，２５ｂにより検出され、Ｐ成分の信号とＳ成
分の信号とが差動増幅器２６により差動増幅され、その
結果、カー楕円率に基づく再生信号が検出される。さら
にλ／４板２３と偏光ビームスプリッター２４との間
に、λ／２板を挿入し、方位角を適当に決めることによ
り、光学素子や光磁気記録媒体で発生するＰ成分とＳ成
分との間の位相差を相殺でき、再生信号のＳ／Ｎ比をさ
らに改善することも可能である。
【００１７】一方、第２検出光学系３０においては、第
２分離光は、ハーフミラー１３から偏光ビームスプリッ
ター３４に導かれる。この偏光ビームスプリッター３４
は、方位ほぼ４５°＋９０°×ｎ3に配置されている。
このように配置された偏光ビームスプリッター３４によ
り、第２分離光は、Ｐ成分とＳ成分とに分けられる。
２分離光は、ハーフミラー１３から偏光ビームスプリッ
ター３４に導かれる。この偏光ビームスプリッター３４
は、方位ほぼ４５°＋９０°×ｎ3に配置されている。
このように配置された偏光ビームスプリッター３４によ
り、第２分離光は、Ｐ成分とＳ成分とに分けられる。
【００１８】これらＰ成分及びＳ成分は、各々光電検出
器３５ａ，３５ｂにより検出され、Ｐ成分の信号とＳ成
分の信号とが差動増幅器３６により差動増幅され、その
結果、カー回転角に基づく再生信号が検出される。また
ハーフミラー１３と方位角ほぼ４５°の偏光ビームスプ
リッター３４との間に方位角約π／８のλ／２板を挿入
することも可能である。
器３５ａ，３５ｂにより検出され、Ｐ成分の信号とＳ成
分の信号とが差動増幅器３６により差動増幅され、その
結果、カー回転角に基づく再生信号が検出される。また
ハーフミラー１３と方位角ほぼ４５°の偏光ビームスプ
リッター３４との間に方位角約π／８のλ／２板を挿入
することも可能である。
【００１９】以上のように、光記録媒体がカー楕円率と
カー回転角とを別々に変化できる媒体であり、１つの光
記録媒体の同じ位置から、カー楕円率に基づく再生信号
と、カー回転角に基づく再生信号との２つの信号を、同
時に得ることができる。即ち、１つの媒体の同じ位置に
同時に２ビット（４値記録）記録・再生することがで
き、ひいては、記録媒体の高密度化を図ることができ
る。また、カー楕円率に基づく信号も、カー回転角に基
づく信号も差動検出しているため、Ｓ／Ｎ比よく再生信
号を得ることができる。
カー回転角とを別々に変化できる媒体であり、１つの光
記録媒体の同じ位置から、カー楕円率に基づく再生信号
と、カー回転角に基づく再生信号との２つの信号を、同
時に得ることができる。即ち、１つの媒体の同じ位置に
同時に２ビット（４値記録）記録・再生することがで
き、ひいては、記録媒体の高密度化を図ることができ
る。また、カー楕円率に基づく信号も、カー回転角に基
づく信号も差動検出しているため、Ｓ／Ｎ比よく再生信
号を得ることができる。
【００２０】このように、カー楕円率・カー回転角に基
づく２つの信号を得るには、媒体は、光記録媒体がカー
楕円率とカー回転角とを別々に変化できるものであれば
よいが、例えば、以下のものを例示できる。
づく２つの信号を得るには、媒体は、光記録媒体がカー
楕円率とカー回転角とを別々に変化できるものであれば
よいが、例えば、以下のものを例示できる。
【００２１】一例としては、光記録媒体の記録膜を、光
磁気記録膜（ＭＯ膜）と、相変化膜との２層構造とし、
相変化膜の光学定数の変化と干渉構造を利用する。光磁
気記録膜は、磁化の向きが上下に変化し、一方、相変化
記録膜は結晶か非晶かにより光学定数がＮ1 、Ｎ2 と変
化する。磁化の向きと光学定数との組み合わせにより、
光記録媒体の磁気カー効果は以下のように分類できる。
磁気記録膜（ＭＯ膜）と、相変化膜との２層構造とし、
相変化膜の光学定数の変化と干渉構造を利用する。光磁
気記録膜は、磁化の向きが上下に変化し、一方、相変化
記録膜は結晶か非晶かにより光学定数がＮ1 、Ｎ2 と変
化する。磁化の向きと光学定数との組み合わせにより、
光記録媒体の磁気カー効果は以下のように分類できる。
【００２２】干渉構造を利用して、ηk2≠ηk1、θk1≒
θk2となるように媒体を設計すれば、磁化の上下に対応
してθk の向きが異なり、さらに光学定数に対応して、
ηk の大きさが異なる。よって、磁化の上下と光学定数
の違いとを別々に検出することが可能となる。
θk2となるように媒体を設計すれば、磁化の上下に対応
してθk の向きが異なり、さらに光学定数に対応して、
ηk の大きさが異なる。よって、磁化の上下と光学定数
の違いとを別々に検出することが可能となる。
【００２３】
【表１】
【００２４】カー楕円率（ηk）およびカー回転角
（θk）は、用いる基板、光磁気記録膜、相変化膜およ
びエンハンス膜等の光学定数（屈折率ｎと消衰係数ｋ）
と媒体構成等から計算により求められる。したがって、
これらのパラメータを適宜に選択・設定することによ
り、ηk2≠ηk1、θk1≒θk2となるような媒体の設計は
可能である。
（θk）は、用いる基板、光磁気記録膜、相変化膜およ
びエンハンス膜等の光学定数（屈折率ｎと消衰係数ｋ）
と媒体構成等から計算により求められる。したがって、
これらのパラメータを適宜に選択・設定することによ
り、ηk2≠ηk1、θk1≒θk2となるような媒体の設計は
可能である。
【００２５】たとえば、以下のような光記録媒体を考え
る。
る。
【００２６】
【表２】
【００２７】ディスク構成を、基板／ＳｉＮ膜（１００
０Å）／光磁気記録膜（６５Å）／ＳｉＮ膜（２８０
Å）／相変化膜（１０００Å）とし、用いるレーザー光
の波長を８３０ｎｍとすると、次表のようにθkとηkが
求められる。
０Å）／光磁気記録膜（６５Å）／ＳｉＮ膜（２８０
Å）／相変化膜（１０００Å）とし、用いるレーザー光
の波長を８３０ｎｍとすると、次表のようにθkとηkが
求められる。
【００２８】
【表３】
【００２９】他の例としては、光記録媒体の記録膜を、
２つの光磁気記録膜（ＭＯ膜）の２層構造とし、一方の
光磁気記録膜では、カー回転角を大きくし、カー楕円率
を小さくし、他方の光磁気記録膜では、その逆に設計す
る。この場合にも、カー回転角に基づく信号と、カー楕
円率に基づく信号とを同時に記録・再生することができ
る。
２つの光磁気記録膜（ＭＯ膜）の２層構造とし、一方の
光磁気記録膜では、カー回転角を大きくし、カー楕円率
を小さくし、他方の光磁気記録膜では、その逆に設計す
る。この場合にも、カー回転角に基づく信号と、カー楕
円率に基づく信号とを同時に記録・再生することができ
る。
【００３０】なお、本発明に係る信号検出方法が適用さ
れる光記録媒体は、上記例に限定されず、カー楕円率と
カー回転角とを別々に変化できる媒体でありさえすれば
よいことは勿論である。
れる光記録媒体は、上記例に限定されず、カー楕円率と
カー回転角とを別々に変化できる媒体でありさえすれば
よいことは勿論である。
【００３１】次に、第１検出光学系２０の構成により、
カー楕円率ηを用いて再生信号を得ることができる原理
を説明する。光記録媒体に入射させる直線偏光の偏光方
向を方位０°として定義する。
カー楕円率ηを用いて再生信号を得ることができる原理
を説明する。光記録媒体に入射させる直線偏光の偏光方
向を方位０°として定義する。
【００３２】入射光の電場ベクトルのジョーンズベクト
ルを
ルを
【００３３】
【数１】
【００３４】とすると、光記録媒体で反射された再生情
報を含む反射光のジョーンズベクトルは近似的に
報を含む反射光のジョーンズベクトルは近似的に
【００３５】
【数２】
【００３６】と表される。ほぼ４５°（ｎ1＝０）を方
位で配置された１／４波長板２３のジョーンズマトリッ
クスは、
位で配置された１／４波長板２３のジョーンズマトリッ
クスは、
【００３７】
【数３】
【００３８】により表される。０°（ｎ3＝０）方位で
配置された偏光ビームスプリッター２４のジョーンズマ
トリックスは、Ｐ成分、Ｓ成分各々に対して、
配置された偏光ビームスプリッター２４のジョーンズマ
トリックスは、Ｐ成分、Ｓ成分各々に対して、
【００３９】
【数４】
【００４０】と表される。したがって、光記録媒体１で
反射された反射光が上記１／４波長板２３を通過し、上
記偏光ビームスプリッター２４により分けられるＰ成
分、Ｓ成分の電場ベクトルＥ1 ，Ｅ2 は、各々、
反射された反射光が上記１／４波長板２３を通過し、上
記偏光ビームスプリッター２４により分けられるＰ成
分、Ｓ成分の電場ベクトルＥ1 ，Ｅ2 は、各々、
【００４１】
【数５】
【００４２】と表される。したがって、Ｐ成分の強度Ｉ
1 、Ｓ成分の強度Ｉ2 は、各々、
1 、Ｓ成分の強度Ｉ2 は、各々、
【００４３】
【数６】
【００４４】と表される。本実施態様では、差動検出し
ているため、差動信号Ｓは、 Ｓ＝Ｉ2−Ｉ1＝２ηk と表される。この差動信号Ｓは、カー楕円率であるηk
のみにより表されているため、図１に示すように構成し
た光学検出系により、カー楕円率を利用して再生信号を
得ることが証明されている。
ているため、差動信号Ｓは、 Ｓ＝Ｉ2−Ｉ1＝２ηk と表される。この差動信号Ｓは、カー楕円率であるηk
のみにより表されているため、図１に示すように構成し
た光学検出系により、カー楕円率を利用して再生信号を
得ることが証明されている。
【００４５】このように、光記録媒体１で反射された反
射光を、方位４５°＋９０°×ｎ1の１／４波長板２３
を通過させ、その後、方位９０°×ｎ2の偏光ビームス
プリッター２４によりＰ成分とＳ成分とに分けて検出し
ているため、上述したように、カー楕円率ηKを利用し
て再生信号を得ることができる。
射光を、方位４５°＋９０°×ｎ1の１／４波長板２３
を通過させ、その後、方位９０°×ｎ2の偏光ビームス
プリッター２４によりＰ成分とＳ成分とに分けて検出し
ているため、上述したように、カー楕円率ηKを利用し
て再生信号を得ることができる。
【００４６】なお、本発明は、上述した実施例に限定さ
れないのは勿論である。特に、本発明に係る信号検出方
法を適用できる光記録媒体は、上述したように、 光磁気記録膜と、相変化膜とからなる光記録媒体 ２つの光磁気記録膜からなる光磁気記録媒体 のいずれであてもよい。さらに、この光磁気記録膜、相
変化膜は、以下に例示するが、これに限定されず、種々
のものであってもよいことは勿論である。
れないのは勿論である。特に、本発明に係る信号検出方
法を適用できる光記録媒体は、上述したように、 光磁気記録膜と、相変化膜とからなる光記録媒体 ２つの光磁気記録膜からなる光磁気記録媒体 のいずれであてもよい。さらに、この光磁気記録膜、相
変化膜は、以下に例示するが、これに限定されず、種々
のものであってもよいことは勿論である。
【００４７】光磁気記録膜 本発明において用いられる光磁気記録膜としては、特に
制限はないが、例えば （Ａ）（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１種
の元素と、（iii）希土類から選ばれる少なくとも１種
の元素とからなる合金、 （Ｂ）（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１種
の元素と、（ii）耐腐食性金属と、（iii）希土類から
選ばれる少なくとも１種の元素とからなる合金、 （Ｃ）（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも一種
の元素と、（ii）耐腐食性金属とからなる合金、 （Ｄ）Ｐｔ／Ｃｏ組成変調膜、あるいは、 （Ｅ）Ｐｄ／Ｃｏ組成変調膜等が例示できる。
制限はないが、例えば （Ａ）（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１種
の元素と、（iii）希土類から選ばれる少なくとも１種
の元素とからなる合金、 （Ｂ）（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１種
の元素と、（ii）耐腐食性金属と、（iii）希土類から
選ばれる少なくとも１種の元素とからなる合金、 （Ｃ）（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも一種
の元素と、（ii）耐腐食性金属とからなる合金、 （Ｄ）Ｐｔ／Ｃｏ組成変調膜、あるいは、 （Ｅ）Ｐｄ／Ｃｏ組成変調膜等が例示できる。
【００４８】３ｄ遷移金属としては、たとえばＦｅ、Ｃ
ｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ等が用いられ
る。上記（Ａ）および（Ｂ）の合金膜中において、３ｄ
遷移金属の含有量は、２０〜９０原子％、好ましくは３
０〜８５原子％であることが望ましく、また（Ｃ）の合
金膜中において、３ｄ遷移金属の含有量は１０〜６０原
子％であることが望ましい。
ｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ等が用いられ
る。上記（Ａ）および（Ｂ）の合金膜中において、３ｄ
遷移金属の含有量は、２０〜９０原子％、好ましくは３
０〜８５原子％であることが望ましく、また（Ｃ）の合
金膜中において、３ｄ遷移金属の含有量は１０〜６０原
子％であることが望ましい。
【００４９】また希土類元素としては、たとえばＧｄ、
Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｐｒ等が
用いられる。上記（Ａ）および（Ｂ）の合金膜中におい
て、希土類元素の含有量は、５〜５０原子％、好ましく
は８〜４５原子％であることが望ましい。
Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｐｒ等が
用いられる。上記（Ａ）および（Ｂ）の合金膜中におい
て、希土類元素の含有量は、５〜５０原子％、好ましく
は８〜４５原子％であることが望ましい。
【００５０】耐腐食性金属としては、たとえばＰｔ、Ｐ
ｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｄ等が用いられる。上記
（Ｂ）の合金膜中において、耐腐食性金属の含有量は３
０原子％以下、好ましくは５〜２５原子％であることが
望ましい。また上記（Ｃ）の合金膜中において、耐腐食
性金属の含有量は９０〜４０原子％であることが好まし
い。
ｄ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｄ等が用いられる。上記
（Ｂ）の合金膜中において、耐腐食性金属の含有量は３
０原子％以下、好ましくは５〜２５原子％であることが
望ましい。また上記（Ｃ）の合金膜中において、耐腐食
性金属の含有量は９０〜４０原子％であることが好まし
い。
【００５１】特に、カー楕円率の場合に適する光磁気記
録膜としては、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、Ｇ
ｄＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＴ
ｂＦｅ、ＮｂＴｂＦｅＣｏ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｔ、Ｃｏ
Ｐｄ、ＤｙＴｂＦｅ、ＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＣｏ、Ｇ
ｄＣｏ、ＧｄＴｂＣｏ、ＤｙＴｂＣｏ、ＮｄＦｅからな
る光磁気記録膜が好ましい。
録膜としては、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、Ｇ
ｄＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＴ
ｂＦｅ、ＮｂＴｂＦｅＣｏ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｔ、Ｃｏ
Ｐｄ、ＤｙＴｂＦｅ、ＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＣｏ、Ｇ
ｄＣｏ、ＧｄＴｂＣｏ、ＤｙＴｂＣｏ、ＮｄＦｅからな
る光磁気記録膜が好ましい。
【００５２】この光磁気記録膜の膜厚は好ましくは５０
〜６００オングストローム、より好ましくは５０〜４０
０オングストローム、より好ましくは５０〜３５０オン
グストローム程度である。
〜６００オングストローム、より好ましくは５０〜４０
０オングストローム、より好ましくは５０〜３５０オン
グストローム程度である。
【００５３】相変化膜 相変化膜としては、状態の変化に応じて光学定数が変化
するものであれば良く、ＴｅＯ、ＴｅＦｅＯ、ＴｅＦｅ
Ｓｎ、ＴｅＧｅＯＳｎ、ＴｅＧｅ、ＴｅＧｅＳｅ、Ｔｅ
ＧｅＳｂ、ＴｅＧｅＳｅＳｂ、ＩｎＳｅ、ＩｎＳｅＴｌ
Ｃｏ、ＳｂＴｅ、ＳｎＴｅＳｅ、ＧａＳｅＴｅ、ＧａＳ
ｅＴｅ、ＧａＳｅＴｅＧｅ、ＢｉＴｅＳｂＳｅ等の記録
膜を用いることができる。
するものであれば良く、ＴｅＯ、ＴｅＦｅＯ、ＴｅＦｅ
Ｓｎ、ＴｅＧｅＯＳｎ、ＴｅＧｅ、ＴｅＧｅＳｅ、Ｔｅ
ＧｅＳｂ、ＴｅＧｅＳｅＳｂ、ＩｎＳｅ、ＩｎＳｅＴｌ
Ｃｏ、ＳｂＴｅ、ＳｎＴｅＳｅ、ＧａＳｅＴｅ、ＧａＳ
ｅＴｅ、ＧａＳｅＴｅＧｅ、ＢｉＴｅＳｂＳｅ等の記録
膜を用いることができる。
【００５４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明では、反射光
の一部である第１分離光を、方位４５°＋９０°×ｎ1
の１／４波長板を通過させ、その後、方位９０°×ｎ2
の偏光ビームスプリッターによりＰ成分とＳ成分とに分
けて検出しているため、カー楕円率ηKを利用して再生
信号を得ることができる。この際、Ｐ成分の信号とＳ成
分の信号とを差動増幅して再生信号を検出しているた
め、この再生信号をＳ／Ｎ比よく得ることができる。
の一部である第１分離光を、方位４５°＋９０°×ｎ1
の１／４波長板を通過させ、その後、方位９０°×ｎ2
の偏光ビームスプリッターによりＰ成分とＳ成分とに分
けて検出しているため、カー楕円率ηKを利用して再生
信号を得ることができる。この際、Ｐ成分の信号とＳ成
分の信号とを差動増幅して再生信号を検出しているた
め、この再生信号をＳ／Ｎ比よく得ることができる。
【００５５】一方、第２分離光では、カー回転角に基づ
き、且つ差動検出で再生信号を得ている。したがって、
光記録媒体がカー楕円率とカー回転角とを別々に変化で
きる媒体であれば、１つの媒体の同じ位置から同時に、
カー楕円率に基づく再生信号と、カー回転角に基づく再
生信号との２つの信号を得ることができる。即ち、１つ
の媒体の同じ位置に同時に２ビット（４値記録）記録・
再生することができ、ひいては、記録媒体の高密度化を
図ることができる。
き、且つ差動検出で再生信号を得ている。したがって、
光記録媒体がカー楕円率とカー回転角とを別々に変化で
きる媒体であれば、１つの媒体の同じ位置から同時に、
カー楕円率に基づく再生信号と、カー回転角に基づく再
生信号との２つの信号を得ることができる。即ち、１つ
の媒体の同じ位置に同時に２ビット（４値記録）記録・
再生することができ、ひいては、記録媒体の高密度化を
図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施態様に係る光記録媒体の信号検
出方法に用いる光学系の模式図である。
出方法に用いる光学系の模式図である。
【符号の説明】 １ 光記録媒体 １３ ハーフミラー ２４ １／４波長板 ２５ 偏光ビームスプリッター ２５ａ，２５ｂ 光電検出器 ３４ 偏光ビームスプリッター ３５ａ，３５ｂ 光電検出器
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１０月５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５３】相変化膜 相変化膜としては、状態の変化に応じて光学定数が変化
するものであれば良く、ＴｅＯ、ＴｅＦｅＯ、ＴｅＦｅ
Ｓｎ、ＴｅＧｅＯＳｎ、ＴｅＧｅ、ＴｅＧｅＳｅ、Ｔｅ
ＧｅＳｂ、ＴｅＧｅＳｅＳｂ、ＩｎＳｅ、ＩｎＳｅＴｌ
Ｃｏ、ＳｂＴｅ、ＳｎＴｅＳｅ、ＧａＳｅＴｅ、ＧａＳ
ｅＴｅ、ＧａＳｅＴｅＧｅ、ＢｉＴｅＳｂＳｅ等の記録
膜を用いることができる。この相変化膜の膜厚は、好ま
しくは５０〜２０００オングストローム、より好ましく
は５０〜１０００オングストロームである。
するものであれば良く、ＴｅＯ、ＴｅＦｅＯ、ＴｅＦｅ
Ｓｎ、ＴｅＧｅＯＳｎ、ＴｅＧｅ、ＴｅＧｅＳｅ、Ｔｅ
ＧｅＳｂ、ＴｅＧｅＳｅＳｂ、ＩｎＳｅ、ＩｎＳｅＴｌ
Ｃｏ、ＳｂＴｅ、ＳｎＴｅＳｅ、ＧａＳｅＴｅ、ＧａＳ
ｅＴｅ、ＧａＳｅＴｅＧｅ、ＢｉＴｅＳｂＳｅ等の記録
膜を用いることができる。この相変化膜の膜厚は、好ま
しくは５０〜２０００オングストローム、より好ましく
は５０〜１０００オングストロームである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 光記録媒体から光記録媒体に記録された
情報を検出する方法であって、 前記光記録媒体に直線偏光を入射し、この媒体で反射さ
れた反射光をハーフミラーにより第１及び第２分離光に
分光し、 第１分離光を、方位ほぼ４５°＋９０°×ｎ1（ｎ1は整
数）に配置された１／４波長板を通過させ、その後、方
位ほぼ９０°×ｎ2（ｎ2は整数）に配置された偏光ビー
ムスプリッターに入射させて、Ｐ成分とＳ成分とに分
け、これらＰ成分及びＳ成分を各々光電検出器で検出
し、Ｐ成分の信号とＳ成分の信号とを差動増幅して、カ
ー楕円率に基づく再生信号を検出する一方、 第２分離光を、方位ほぼ４５°＋９０°×ｎ3（ｎ3は整
数）に配置された偏光ビームスプリッターに入射させ
て、Ｐ成分とＳ成分とに分け、これらＰ成分及びＳ成分
を各々光電検出器で検出し、Ｐ成分の信号とＳ成分の信
号とを差動増幅して、カー回転角に基づく再生信号を検
出することを特徴とする光記録媒体から情報を検出する
方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16680891A JPH0512749A (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | 光記録媒体から情報を検出する方法 |
| CA 2073310 CA2073310A1 (en) | 1991-07-08 | 1992-07-07 | Method of detecting information from magnetooptical recording medium, method of detecting information from optical recording medium, and optical recording medium |
| EP19920306248 EP0523900A3 (en) | 1991-07-08 | 1992-07-08 | Method of detecting information from an optical or magnetooptical recording medium, and an optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16680891A JPH0512749A (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | 光記録媒体から情報を検出する方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0512749A true JPH0512749A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=15838063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16680891A Pending JPH0512749A (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | 光記録媒体から情報を検出する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0512749A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007026630A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Agency For Science Technology & Research | データ蓄積媒体及びその形成方法 |
-
1991
- 1991-07-08 JP JP16680891A patent/JPH0512749A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007026630A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Agency For Science Technology & Research | データ蓄積媒体及びその形成方法 |
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