JPH05126847A - ロードプル測定冶具 - Google Patents
ロードプル測定冶具Info
- Publication number
- JPH05126847A JPH05126847A JP28772291A JP28772291A JPH05126847A JP H05126847 A JPH05126847 A JP H05126847A JP 28772291 A JP28772291 A JP 28772291A JP 28772291 A JP28772291 A JP 28772291A JP H05126847 A JPH05126847 A JP H05126847A
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- impedance
- jig
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ロードプル測定の精度を向上し、また広帯域
にわたって測定を可能にする。 【構成】 ＦＥＴ１を装着させる冶具４およびチューナ
１８より構成されるロードプル測定冶具において、ＦＥ
Ｔ１を装着させる冶具４にマイクロストリップ線路２
４、２５より構成される１／４波長のインピーダンス変
成器１６、１７を用い、またチューナ１８にマイクロス
トリップ線路より構成されるスタブチューナを用いたこ
とを特徴とするロードプル測定冶具。
にわたって測定を可能にする。 【構成】 ＦＥＴ１を装着させる冶具４およびチューナ
１８より構成されるロードプル測定冶具において、ＦＥ
Ｔ１を装着させる冶具４にマイクロストリップ線路２
４、２５より構成される１／４波長のインピーダンス変
成器１６、１７を用い、またチューナ１８にマイクロス
トリップ線路より構成されるスタブチューナを用いたこ
とを特徴とするロードプル測定冶具。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はマイクロ波およびミリ
波帯で広帯域に使用されるロードプル測定冶具に関する
ものである。
波帯で広帯域に使用されるロードプル測定冶具に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は例えば、『ＭＭＩＣ変換器を用い
たミリ波帯負荷インピーダンスの測定』１９９０年電子
情報通信学界秋期全国大会、Ｃ−４０に示された従来の
ロードプル測定冶具の構成図であり、図において、１は
ＦＥＴ、２は上記ＦＥＴの入力端子、３は上記ＦＥＴの
出力端子、４は上記ＦＥＴを装着させる冶具、５、６は
インピーダンス変成器、７、８、９、１０、１１、１
２、１３、１４はインピーダンス変成器５、６を構成す
る高インピーダンスのマイクロストリップ線路、１５は
同軸線路を用いた外部チューナである。
たミリ波帯負荷インピーダンスの測定』１９９０年電子
情報通信学界秋期全国大会、Ｃ−４０に示された従来の
ロードプル測定冶具の構成図であり、図において、１は
ＦＥＴ、２は上記ＦＥＴの入力端子、３は上記ＦＥＴの
出力端子、４は上記ＦＥＴを装着させる冶具、５、６は
インピーダンス変成器、７、８、９、１０、１１、１
２、１３、１４はインピーダンス変成器５、６を構成す
る高インピーダンスのマイクロストリップ線路、１５は
同軸線路を用いた外部チューナである。
【０００３】次に動作について説明する。上記ＦＥＴの
ミリ波帯での入出力インピーダンスは低インピーダンス
になるため、図３のロードプル測定冶具においては、Ｆ
ＥＴ１の入出力端子２、３にインピーダンス変成器５、
６を接続し、上記ＦＥＴの入出力インピーダンスをいっ
たん高いインピーダンスに変換してから、外部チューナ
１５により負荷を変化させる構成にしており、これによ
りＦＥＴ１の負荷インピーダンスおよび出力特性を精度
良く測定できるようにしている。
ミリ波帯での入出力インピーダンスは低インピーダンス
になるため、図３のロードプル測定冶具においては、Ｆ
ＥＴ１の入出力端子２、３にインピーダンス変成器５、
６を接続し、上記ＦＥＴの入出力インピーダンスをいっ
たん高いインピーダンスに変換してから、外部チューナ
１５により負荷を変化させる構成にしており、これによ
りＦＥＴ１の負荷インピーダンスおよび出力特性を精度
良く測定できるようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のロードプル測定
冶具は以上のように構成されているので、ゲート幅の広
いＦＥＴを測定する場合、上記ＦＥＴ１と高インピーダ
ンスのマイクロストリップ線路７、１１との間の不連続
部分が大きくなり、これにより反射が生じ、測定精度が
劣化するという問題点があった。またＦＥＴを装着させ
る冶具４において、インピーダンス変成器５、６は広帯
域にわたって所望のインピーダンスに変換する構成にな
っていない点、また、インピーダンス変成器５、６がＦ
ＥＴ１と同じ半導体基板上に一体に形成されている点に
より、周波数が変わるごとにＦＥＴ１を含めてＦＥＴを
装着する冶具４全体を取り替える必要があるという問題
点があった。さらに外部チューナ１５は同軸線路で構成
されるチューナを用いているため、同軸線路とマイクロ
ストリップ線路の変換器などの影響により、マイクロス
トリップ線路と同軸線路との間に反射が生じ、測定精度
が劣化するという問題点があった。
冶具は以上のように構成されているので、ゲート幅の広
いＦＥＴを測定する場合、上記ＦＥＴ１と高インピーダ
ンスのマイクロストリップ線路７、１１との間の不連続
部分が大きくなり、これにより反射が生じ、測定精度が
劣化するという問題点があった。またＦＥＴを装着させ
る冶具４において、インピーダンス変成器５、６は広帯
域にわたって所望のインピーダンスに変換する構成にな
っていない点、また、インピーダンス変成器５、６がＦ
ＥＴ１と同じ半導体基板上に一体に形成されている点に
より、周波数が変わるごとにＦＥＴ１を含めてＦＥＴを
装着する冶具４全体を取り替える必要があるという問題
点があった。さらに外部チューナ１５は同軸線路で構成
されるチューナを用いているため、同軸線路とマイクロ
ストリップ線路の変換器などの影響により、マイクロス
トリップ線路と同軸線路との間に反射が生じ、測定精度
が劣化するという問題点があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、ロードプル測定の精度の向上を
図り、またロードプル測定を広帯域にわたって行えるよ
うにすることを目的とする。
ためになされたもので、ロードプル測定の精度の向上を
図り、またロードプル測定を広帯域にわたって行えるよ
うにすることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
るロードプル測定冶具は、ＦＥＴを装着させる冶具にマ
イクロストリップ線路より構成される１／４波長のイン
ピーダンス変成器を用いたものである。
るロードプル測定冶具は、ＦＥＴを装着させる冶具にマ
イクロストリップ線路より構成される１／４波長のイン
ピーダンス変成器を用いたものである。
【０００７】この発明の請求項２に係るロードプル測定
冶具は、チューナにマイクロストリップ線路より構成さ
れるスタブチューナを用いたものである。
冶具は、チューナにマイクロストリップ線路より構成さ
れるスタブチューナを用いたものである。
【０００８】
【作用】この発明の請求項１に係るロードプル測定冶具
は、ＦＥＴを装着させる冶具にマイクロストリップ線路
より構成される低インピーダンスの１／４波長のインピ
ーダンス変成器を用いることにより、ゲート幅の広いＦ
ＥＴを測定する場合に生じる上記ＦＥＴと上記インピー
ダンス変成器との間の不連続部分による反射を軽減する
ことができ、測定精度の向上を図ることができる。さら
に上記マイクロストリップ線路より構成される１／４波
長インピーダンス変成器の長さおよび幅の異なるものを
取り替えて用いることにより、所望の周波数で所望のイ
ンピーダンスに変換でき、広帯域にわたってロードプル
測定が行えるようになる。
は、ＦＥＴを装着させる冶具にマイクロストリップ線路
より構成される低インピーダンスの１／４波長のインピ
ーダンス変成器を用いることにより、ゲート幅の広いＦ
ＥＴを測定する場合に生じる上記ＦＥＴと上記インピー
ダンス変成器との間の不連続部分による反射を軽減する
ことができ、測定精度の向上を図ることができる。さら
に上記マイクロストリップ線路より構成される１／４波
長インピーダンス変成器の長さおよび幅の異なるものを
取り替えて用いることにより、所望の周波数で所望のイ
ンピーダンスに変換でき、広帯域にわたってロードプル
測定が行えるようになる。
【０００９】この発明の請求項２に係るロードプル測定
冶具は、チューナにマイクロストリップ線路より構成さ
れるスタブチューナを用いることにより、上記１／４波
長インピーダンス変成器等のマイクロストリップ線路と
の間の不連続部分による反射を軽減することができ、測
定精度の向上を図ることができる。
冶具は、チューナにマイクロストリップ線路より構成さ
れるスタブチューナを用いることにより、上記１／４波
長インピーダンス変成器等のマイクロストリップ線路と
の間の不連続部分による反射を軽減することができ、測
定精度の向上を図ることができる。
【００１０】
実施例１．以下、この発明における請求項１および請求
項２に係るロードプル測定冶具の一実施例を図について
説明する。図１は、ロードプル測定冶具の構成図で、図
において、１はＦＥＴ、２、３はＦＥＴの入出力端子、
１６、１７はマイクロストリップ線路より構成される１
／４波長インピーダンス変成器、１８はマイクロストリ
ップ線路より構成されるスタブチューナ、１９はマイク
ロストリップ線路である。
項２に係るロードプル測定冶具の一実施例を図について
説明する。図１は、ロードプル測定冶具の構成図で、図
において、１はＦＥＴ、２、３はＦＥＴの入出力端子、
１６、１７はマイクロストリップ線路より構成される１
／４波長インピーダンス変成器、１８はマイクロストリ
ップ線路より構成されるスタブチューナ、１９はマイク
ロストリップ線路である。
【００１１】図２は、図１の構成を実現するロードプル
測定冶具の構造図の一例である、図において、１はＦＥ
Ｔ、２、３はＦＥＴの入出力端子、１６、１７はマイク
ロストリップ線路より構成される１／４波長インピーダ
ンス変成器、２０、２１は上記ＦＥＴと上記インピーダ
ンス変成器を接続するインダクタ、２４、２５はインピ
ーダンス変成器１６、１７を構成するマイクロストリッ
プ線路、１８はマイクロストリップ線路より構成される
スタブチューナ、１９はマイクロストリップ線路、２２
はマイクロストリップ線路１９と２４を接続するインダ
クタ、２３はマイクロストリップ線路２５とチューナ１
８を接続するインダクタである。
測定冶具の構造図の一例である、図において、１はＦＥ
Ｔ、２、３はＦＥＴの入出力端子、１６、１７はマイク
ロストリップ線路より構成される１／４波長インピーダ
ンス変成器、２０、２１は上記ＦＥＴと上記インピーダ
ンス変成器を接続するインダクタ、２４、２５はインピ
ーダンス変成器１６、１７を構成するマイクロストリッ
プ線路、１８はマイクロストリップ線路より構成される
スタブチューナ、１９はマイクロストリップ線路、２２
はマイクロストリップ線路１９と２４を接続するインダ
クタ、２３はマイクロストリップ線路２５とチューナ１
８を接続するインダクタである。
【００１２】次に動作について説明する。ゲート幅の広
いＦＥＴの入出力インピーダンスは低インピーダンスに
なるため、上記ＦＥＴ１の入出力端子２、３にインピー
ダンス変成器１６、１７を接続することにより、上記Ｆ
ＥＴの入出力インピーダンスをいったん高いインピーダ
ンスに変換し、そしてチューナ１８により負荷を変化さ
せる構成にすることにより、ＦＥＴ１の負荷インピーダ
ンスおよび出力特性を精度良く測定することができる。
また、ＦＥＴを装着させる冶具４にマイクロストリップ
線路より構成される低インピーダンスの１／４波長イン
ピーダンス変成器１６、１７を用いることにより、ゲー
ト幅の広いＦＥＴを測定する場合に生じる上記ＦＥＴと
上記インピーダンス変成器との間の不連続部分による反
射を軽減することができ、測定精度の向上を図ることが
できる。また、上記マイクロストリップ線路より構成さ
れる１／４波長インピーダンス変成器１６、１７の長さ
および幅の異なるものを取り替えて用いることにより、
所望の周波数で所望のインピーダンスに変換でき、広帯
域にわたってロードプル測定が行えるようになる。さら
に、チューナ１８にマイクロストリップ線路より構成さ
れるスタブチューナを用いることにより、マイクロスト
リップ線路より構成される１／４波長インピーダンス変
成器１７との間の不連続部分による反射を軽減すること
ができ、測定精度の向上を図ることができる。
いＦＥＴの入出力インピーダンスは低インピーダンスに
なるため、上記ＦＥＴ１の入出力端子２、３にインピー
ダンス変成器１６、１７を接続することにより、上記Ｆ
ＥＴの入出力インピーダンスをいったん高いインピーダ
ンスに変換し、そしてチューナ１８により負荷を変化さ
せる構成にすることにより、ＦＥＴ１の負荷インピーダ
ンスおよび出力特性を精度良く測定することができる。
また、ＦＥＴを装着させる冶具４にマイクロストリップ
線路より構成される低インピーダンスの１／４波長イン
ピーダンス変成器１６、１７を用いることにより、ゲー
ト幅の広いＦＥＴを測定する場合に生じる上記ＦＥＴと
上記インピーダンス変成器との間の不連続部分による反
射を軽減することができ、測定精度の向上を図ることが
できる。また、上記マイクロストリップ線路より構成さ
れる１／４波長インピーダンス変成器１６、１７の長さ
および幅の異なるものを取り替えて用いることにより、
所望の周波数で所望のインピーダンスに変換でき、広帯
域にわたってロードプル測定が行えるようになる。さら
に、チューナ１８にマイクロストリップ線路より構成さ
れるスタブチューナを用いることにより、マイクロスト
リップ線路より構成される１／４波長インピーダンス変
成器１７との間の不連続部分による反射を軽減すること
ができ、測定精度の向上を図ることができる。
【００１３】
【発明の効果】以上のように請求項１の発明によれば、
ＦＥＴを装着させる冶具にマイクロストリップ線路より
構成される低インピーダンスの１／４波長インピーダン
ス変成器を用いることにより、ゲート幅の広いＦＥＴを
測定する場合に生じる上記ＦＥＴと上記インピーダンス
変成器との間の不連続部分による反射を軽減することが
でき、測定精度の向上を図ることができるという効果が
ある。さらに上記マイクロストリップ線路より構成され
る１／４波長インピーダンス変成器の長さおよび幅の異
なるものを取り替えて用いることにより、所望の周波数
で所望のインピーダンスに変換でき、広帯域にわたって
ロードプル測定を行うことができるという効果がある。
ＦＥＴを装着させる冶具にマイクロストリップ線路より
構成される低インピーダンスの１／４波長インピーダン
ス変成器を用いることにより、ゲート幅の広いＦＥＴを
測定する場合に生じる上記ＦＥＴと上記インピーダンス
変成器との間の不連続部分による反射を軽減することが
でき、測定精度の向上を図ることができるという効果が
ある。さらに上記マイクロストリップ線路より構成され
る１／４波長インピーダンス変成器の長さおよび幅の異
なるものを取り替えて用いることにより、所望の周波数
で所望のインピーダンスに変換でき、広帯域にわたって
ロードプル測定を行うことができるという効果がある。
【００１４】また、以上のように請求項２の発明によれ
ば、チューナにマイクロストリップ線路より構成される
スタブチューナを用いることにより、上記１／４波長イ
ンピーダンス変成器等のマイクロストリップ線路との間
の不連続部分による反射を軽減することができ、測定精
度の向上を図ることができるという効果がある。
ば、チューナにマイクロストリップ線路より構成される
スタブチューナを用いることにより、上記１／４波長イ
ンピーダンス変成器等のマイクロストリップ線路との間
の不連続部分による反射を軽減することができ、測定精
度の向上を図ることができるという効果がある。
【図１】この発明の一実施例によるロードプル測定冶具
の構成図である。
の構成図である。
【図２】図１で示したロードプル測定冶具の構造図の一
例図である。
例図である。
【図３】従来のロードプル測定冶具の構成図である。
１ ＦＥＴ ２ ＦＥＴの入力端子 ３ ＦＥＴの出力端子 ４ ＦＥＴを装着させる冶具 １６、１７ マイクロストリップ線路を含む１／４波長
インピーダンス変成器 １８ スタブチューナ １９、２４、２５ マイクロストリップ線路 ２０、２１、２２、２３ インダクタ
インピーダンス変成器 １８ スタブチューナ １９、２４、２５ マイクロストリップ線路 ２０、２１、２２、２３ インダクタ
Claims (2)
- 【請求項１】 ＦＥＴを装着させる冶具を有するロード
プル測定冶具において、ＦＥＴを装着させる冶具にマイ
クロストリップ線路より構成される１／４波長のインピ
ーダンス変成器を用いたことを特徴とするロードプル測
定冶具。 - 【請求項２】 ＦＥＴを装着させる冶具およびチューナ
より構成されるロードプル測定冶具において、上記チュ
ーナはマイクロストリップ線路より構成されるスタブチ
ューナであることを特徴とするロードプル測定冶具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28772291A JPH05126847A (ja) | 1991-11-01 | 1991-11-01 | ロードプル測定冶具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28772291A JPH05126847A (ja) | 1991-11-01 | 1991-11-01 | ロードプル測定冶具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05126847A true JPH05126847A (ja) | 1993-05-21 |
Family
ID=17720902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28772291A Pending JPH05126847A (ja) | 1991-11-01 | 1991-11-01 | ロードプル測定冶具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05126847A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009210393A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Nec Corp | ロードプル測定治具 |
-
1991
- 1991-11-01 JP JP28772291A patent/JPH05126847A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009210393A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Nec Corp | ロードプル測定治具 |
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