JPH05126847A - ロードプル測定冶具 - Google Patents
ロードプル測定冶具Info
- Publication number
- JPH05126847A JPH05126847A JP28772291A JP28772291A JPH05126847A JP H05126847 A JPH05126847 A JP H05126847A JP 28772291 A JP28772291 A JP 28772291A JP 28772291 A JP28772291 A JP 28772291A JP H05126847 A JPH05126847 A JP H05126847A
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- JP
- Japan
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- fet
- impedance
- jig
- load
- tuner
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ロードプル測定の精度を向上し、また広帯域
にわたって測定を可能にする。 【構成】 FET1を装着させる冶具4およびチューナ
18より構成されるロードプル測定冶具において、FE
T1を装着させる冶具4にマイクロストリップ線路2
4、25より構成される1/4波長のインピーダンス変
成器16、17を用い、またチューナ18にマイクロス
トリップ線路より構成されるスタブチューナを用いたこ
とを特徴とするロードプル測定冶具。
にわたって測定を可能にする。 【構成】 FET1を装着させる冶具4およびチューナ
18より構成されるロードプル測定冶具において、FE
T1を装着させる冶具4にマイクロストリップ線路2
4、25より構成される1/4波長のインピーダンス変
成器16、17を用い、またチューナ18にマイクロス
トリップ線路より構成されるスタブチューナを用いたこ
とを特徴とするロードプル測定冶具。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明はマイクロ波およびミリ
波帯で広帯域に使用されるロードプル測定冶具に関する
ものである。
波帯で広帯域に使用されるロードプル測定冶具に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】図3は例えば、『MMIC変換器を用い
たミリ波帯負荷インピーダンスの測定』1990年電子
情報通信学界秋期全国大会、C−40に示された従来の
ロードプル測定冶具の構成図であり、図において、1は
FET、2は上記FETの入力端子、3は上記FETの
出力端子、4は上記FETを装着させる冶具、5、6は
インピーダンス変成器、7、8、9、10、11、1
2、13、14はインピーダンス変成器5、6を構成す
る高インピーダンスのマイクロストリップ線路、15は
同軸線路を用いた外部チューナである。
たミリ波帯負荷インピーダンスの測定』1990年電子
情報通信学界秋期全国大会、C−40に示された従来の
ロードプル測定冶具の構成図であり、図において、1は
FET、2は上記FETの入力端子、3は上記FETの
出力端子、4は上記FETを装着させる冶具、5、6は
インピーダンス変成器、7、8、9、10、11、1
2、13、14はインピーダンス変成器5、6を構成す
る高インピーダンスのマイクロストリップ線路、15は
同軸線路を用いた外部チューナである。
【0003】次に動作について説明する。上記FETの
ミリ波帯での入出力インピーダンスは低インピーダンス
になるため、図3のロードプル測定冶具においては、F
ET1の入出力端子2、3にインピーダンス変成器5、
6を接続し、上記FETの入出力インピーダンスをいっ
たん高いインピーダンスに変換してから、外部チューナ
15により負荷を変化させる構成にしており、これによ
りFET1の負荷インピーダンスおよび出力特性を精度
良く測定できるようにしている。
ミリ波帯での入出力インピーダンスは低インピーダンス
になるため、図3のロードプル測定冶具においては、F
ET1の入出力端子2、3にインピーダンス変成器5、
6を接続し、上記FETの入出力インピーダンスをいっ
たん高いインピーダンスに変換してから、外部チューナ
15により負荷を変化させる構成にしており、これによ
りFET1の負荷インピーダンスおよび出力特性を精度
良く測定できるようにしている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来のロードプル測定
冶具は以上のように構成されているので、ゲート幅の広
いFETを測定する場合、上記FET1と高インピーダ
ンスのマイクロストリップ線路7、11との間の不連続
部分が大きくなり、これにより反射が生じ、測定精度が
劣化するという問題点があった。またFETを装着させ
る冶具4において、インピーダンス変成器5、6は広帯
域にわたって所望のインピーダンスに変換する構成にな
っていない点、また、インピーダンス変成器5、6がF
ET1と同じ半導体基板上に一体に形成されている点に
より、周波数が変わるごとにFET1を含めてFETを
装着する冶具4全体を取り替える必要があるという問題
点があった。さらに外部チューナ15は同軸線路で構成
されるチューナを用いているため、同軸線路とマイクロ
ストリップ線路の変換器などの影響により、マイクロス
トリップ線路と同軸線路との間に反射が生じ、測定精度
が劣化するという問題点があった。
冶具は以上のように構成されているので、ゲート幅の広
いFETを測定する場合、上記FET1と高インピーダ
ンスのマイクロストリップ線路7、11との間の不連続
部分が大きくなり、これにより反射が生じ、測定精度が
劣化するという問題点があった。またFETを装着させ
る冶具4において、インピーダンス変成器5、6は広帯
域にわたって所望のインピーダンスに変換する構成にな
っていない点、また、インピーダンス変成器5、6がF
ET1と同じ半導体基板上に一体に形成されている点に
より、周波数が変わるごとにFET1を含めてFETを
装着する冶具4全体を取り替える必要があるという問題
点があった。さらに外部チューナ15は同軸線路で構成
されるチューナを用いているため、同軸線路とマイクロ
ストリップ線路の変換器などの影響により、マイクロス
トリップ線路と同軸線路との間に反射が生じ、測定精度
が劣化するという問題点があった。
【0005】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、ロードプル測定の精度の向上を
図り、またロードプル測定を広帯域にわたって行えるよ
うにすることを目的とする。
ためになされたもので、ロードプル測定の精度の向上を
図り、またロードプル測定を広帯域にわたって行えるよ
うにすることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項1に係
るロードプル測定冶具は、FETを装着させる冶具にマ
イクロストリップ線路より構成される1/4波長のイン
ピーダンス変成器を用いたものである。
るロードプル測定冶具は、FETを装着させる冶具にマ
イクロストリップ線路より構成される1/4波長のイン
ピーダンス変成器を用いたものである。
【0007】この発明の請求項2に係るロードプル測定
冶具は、チューナにマイクロストリップ線路より構成さ
れるスタブチューナを用いたものである。
冶具は、チューナにマイクロストリップ線路より構成さ
れるスタブチューナを用いたものである。
【0008】
【作用】この発明の請求項1に係るロードプル測定冶具
は、FETを装着させる冶具にマイクロストリップ線路
より構成される低インピーダンスの1/4波長のインピ
ーダンス変成器を用いることにより、ゲート幅の広いF
ETを測定する場合に生じる上記FETと上記インピー
ダンス変成器との間の不連続部分による反射を軽減する
ことができ、測定精度の向上を図ることができる。さら
に上記マイクロストリップ線路より構成される1/4波
長インピーダンス変成器の長さおよび幅の異なるものを
取り替えて用いることにより、所望の周波数で所望のイ
ンピーダンスに変換でき、広帯域にわたってロードプル
測定が行えるようになる。
は、FETを装着させる冶具にマイクロストリップ線路
より構成される低インピーダンスの1/4波長のインピ
ーダンス変成器を用いることにより、ゲート幅の広いF
ETを測定する場合に生じる上記FETと上記インピー
ダンス変成器との間の不連続部分による反射を軽減する
ことができ、測定精度の向上を図ることができる。さら
に上記マイクロストリップ線路より構成される1/4波
長インピーダンス変成器の長さおよび幅の異なるものを
取り替えて用いることにより、所望の周波数で所望のイ
ンピーダンスに変換でき、広帯域にわたってロードプル
測定が行えるようになる。
【0009】この発明の請求項2に係るロードプル測定
冶具は、チューナにマイクロストリップ線路より構成さ
れるスタブチューナを用いることにより、上記1/4波
長インピーダンス変成器等のマイクロストリップ線路と
の間の不連続部分による反射を軽減することができ、測
定精度の向上を図ることができる。
冶具は、チューナにマイクロストリップ線路より構成さ
れるスタブチューナを用いることにより、上記1/4波
長インピーダンス変成器等のマイクロストリップ線路と
の間の不連続部分による反射を軽減することができ、測
定精度の向上を図ることができる。
【0010】
実施例1.以下、この発明における請求項1および請求
項2に係るロードプル測定冶具の一実施例を図について
説明する。図1は、ロードプル測定冶具の構成図で、図
において、1はFET、2、3はFETの入出力端子、
16、17はマイクロストリップ線路より構成される1
/4波長インピーダンス変成器、18はマイクロストリ
ップ線路より構成されるスタブチューナ、19はマイク
ロストリップ線路である。
項2に係るロードプル測定冶具の一実施例を図について
説明する。図1は、ロードプル測定冶具の構成図で、図
において、1はFET、2、3はFETの入出力端子、
16、17はマイクロストリップ線路より構成される1
/4波長インピーダンス変成器、18はマイクロストリ
ップ線路より構成されるスタブチューナ、19はマイク
ロストリップ線路である。
【0011】図2は、図1の構成を実現するロードプル
測定冶具の構造図の一例である、図において、1はFE
T、2、3はFETの入出力端子、16、17はマイク
ロストリップ線路より構成される1/4波長インピーダ
ンス変成器、20、21は上記FETと上記インピーダ
ンス変成器を接続するインダクタ、24、25はインピ
ーダンス変成器16、17を構成するマイクロストリッ
プ線路、18はマイクロストリップ線路より構成される
スタブチューナ、19はマイクロストリップ線路、22
はマイクロストリップ線路19と24を接続するインダ
クタ、23はマイクロストリップ線路25とチューナ1
8を接続するインダクタである。
測定冶具の構造図の一例である、図において、1はFE
T、2、3はFETの入出力端子、16、17はマイク
ロストリップ線路より構成される1/4波長インピーダ
ンス変成器、20、21は上記FETと上記インピーダ
ンス変成器を接続するインダクタ、24、25はインピ
ーダンス変成器16、17を構成するマイクロストリッ
プ線路、18はマイクロストリップ線路より構成される
スタブチューナ、19はマイクロストリップ線路、22
はマイクロストリップ線路19と24を接続するインダ
クタ、23はマイクロストリップ線路25とチューナ1
8を接続するインダクタである。
【0012】次に動作について説明する。ゲート幅の広
いFETの入出力インピーダンスは低インピーダンスに
なるため、上記FET1の入出力端子2、3にインピー
ダンス変成器16、17を接続することにより、上記F
ETの入出力インピーダンスをいったん高いインピーダ
ンスに変換し、そしてチューナ18により負荷を変化さ
せる構成にすることにより、FET1の負荷インピーダ
ンスおよび出力特性を精度良く測定することができる。
また、FETを装着させる冶具4にマイクロストリップ
線路より構成される低インピーダンスの1/4波長イン
ピーダンス変成器16、17を用いることにより、ゲー
ト幅の広いFETを測定する場合に生じる上記FETと
上記インピーダンス変成器との間の不連続部分による反
射を軽減することができ、測定精度の向上を図ることが
できる。また、上記マイクロストリップ線路より構成さ
れる1/4波長インピーダンス変成器16、17の長さ
および幅の異なるものを取り替えて用いることにより、
所望の周波数で所望のインピーダンスに変換でき、広帯
域にわたってロードプル測定が行えるようになる。さら
に、チューナ18にマイクロストリップ線路より構成さ
れるスタブチューナを用いることにより、マイクロスト
リップ線路より構成される1/4波長インピーダンス変
成器17との間の不連続部分による反射を軽減すること
ができ、測定精度の向上を図ることができる。
いFETの入出力インピーダンスは低インピーダンスに
なるため、上記FET1の入出力端子2、3にインピー
ダンス変成器16、17を接続することにより、上記F
ETの入出力インピーダンスをいったん高いインピーダ
ンスに変換し、そしてチューナ18により負荷を変化さ
せる構成にすることにより、FET1の負荷インピーダ
ンスおよび出力特性を精度良く測定することができる。
また、FETを装着させる冶具4にマイクロストリップ
線路より構成される低インピーダンスの1/4波長イン
ピーダンス変成器16、17を用いることにより、ゲー
ト幅の広いFETを測定する場合に生じる上記FETと
上記インピーダンス変成器との間の不連続部分による反
射を軽減することができ、測定精度の向上を図ることが
できる。また、上記マイクロストリップ線路より構成さ
れる1/4波長インピーダンス変成器16、17の長さ
および幅の異なるものを取り替えて用いることにより、
所望の周波数で所望のインピーダンスに変換でき、広帯
域にわたってロードプル測定が行えるようになる。さら
に、チューナ18にマイクロストリップ線路より構成さ
れるスタブチューナを用いることにより、マイクロスト
リップ線路より構成される1/4波長インピーダンス変
成器17との間の不連続部分による反射を軽減すること
ができ、測定精度の向上を図ることができる。
【0013】
【発明の効果】以上のように請求項1の発明によれば、
FETを装着させる冶具にマイクロストリップ線路より
構成される低インピーダンスの1/4波長インピーダン
ス変成器を用いることにより、ゲート幅の広いFETを
測定する場合に生じる上記FETと上記インピーダンス
変成器との間の不連続部分による反射を軽減することが
でき、測定精度の向上を図ることができるという効果が
ある。さらに上記マイクロストリップ線路より構成され
る1/4波長インピーダンス変成器の長さおよび幅の異
なるものを取り替えて用いることにより、所望の周波数
で所望のインピーダンスに変換でき、広帯域にわたって
ロードプル測定を行うことができるという効果がある。
FETを装着させる冶具にマイクロストリップ線路より
構成される低インピーダンスの1/4波長インピーダン
ス変成器を用いることにより、ゲート幅の広いFETを
測定する場合に生じる上記FETと上記インピーダンス
変成器との間の不連続部分による反射を軽減することが
でき、測定精度の向上を図ることができるという効果が
ある。さらに上記マイクロストリップ線路より構成され
る1/4波長インピーダンス変成器の長さおよび幅の異
なるものを取り替えて用いることにより、所望の周波数
で所望のインピーダンスに変換でき、広帯域にわたって
ロードプル測定を行うことができるという効果がある。
【0014】また、以上のように請求項2の発明によれ
ば、チューナにマイクロストリップ線路より構成される
スタブチューナを用いることにより、上記1/4波長イ
ンピーダンス変成器等のマイクロストリップ線路との間
の不連続部分による反射を軽減することができ、測定精
度の向上を図ることができるという効果がある。
ば、チューナにマイクロストリップ線路より構成される
スタブチューナを用いることにより、上記1/4波長イ
ンピーダンス変成器等のマイクロストリップ線路との間
の不連続部分による反射を軽減することができ、測定精
度の向上を図ることができるという効果がある。
【図1】この発明の一実施例によるロードプル測定冶具
の構成図である。
の構成図である。
【図2】図1で示したロードプル測定冶具の構造図の一
例図である。
例図である。
【図3】従来のロードプル測定冶具の構成図である。
1 FET 2 FETの入力端子 3 FETの出力端子 4 FETを装着させる冶具 16、17 マイクロストリップ線路を含む1/4波長
インピーダンス変成器 18 スタブチューナ 19、24、25 マイクロストリップ線路 20、21、22、23 インダクタ
インピーダンス変成器 18 スタブチューナ 19、24、25 マイクロストリップ線路 20、21、22、23 インダクタ
Claims (2)
- 【請求項1】 FETを装着させる冶具を有するロード
プル測定冶具において、FETを装着させる冶具にマイ
クロストリップ線路より構成される1/4波長のインピ
ーダンス変成器を用いたことを特徴とするロードプル測
定冶具。 - 【請求項2】 FETを装着させる冶具およびチューナ
より構成されるロードプル測定冶具において、上記チュ
ーナはマイクロストリップ線路より構成されるスタブチ
ューナであることを特徴とするロードプル測定冶具。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28772291A JPH05126847A (ja) | 1991-11-01 | 1991-11-01 | ロードプル測定冶具 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28772291A JPH05126847A (ja) | 1991-11-01 | 1991-11-01 | ロードプル測定冶具 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05126847A true JPH05126847A (ja) | 1993-05-21 |
Family
ID=17720902
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28772291A Pending JPH05126847A (ja) | 1991-11-01 | 1991-11-01 | ロードプル測定冶具 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05126847A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009210393A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Nec Corp | ロードプル測定治具 |
-
1991
- 1991-11-01 JP JP28772291A patent/JPH05126847A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009210393A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Nec Corp | ロードプル測定治具 |
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