JPH0512150B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、液体を噴射し、飛翔液滴を形成して
記録を行なう液体噴射記録ヘツドに関する。

インクジエツト記録法（液体噴射記録法）は、
記録時における騒音の発生が無視し得る程度に極
めて小さいという点、高速記録が可能でありしか
も所謂普通紙に定着という特別な処理を必要とせ
ずに記録の行なえる点において、最近関心を集め
ている。

その中で、例えば特開昭54−51837号公報、ド
イツ公開（DOLS）第2843064号公報に記載され
ている液体噴射記録法は、熱エネルギーを液体に
作用させて、液滴吐出の原動力を得るという点に
おいて、他の液体噴射記録法とは、異なる特徴を
有している。

即ち、上記の公報に開示された記録法は、熱エ
ネルギーの作用を受けた液体が急峻な体積の増大
を伴う状態変化を起し、該状態変化に基づく作用
力によつて、記録ヘツド部先端のオリフイスより
液体が吐出されて、飛翔的液滴が形成され、該液
滴が被記録部材に付着し記録が行なわれる。

殊に、DOLS 2843064号公報に開示されている
液体噴射記録法は、所謂drop−on demand記録
法に極めて有効に適用されるばかりではなく、記
録ヘツド部をfull lineタイプで高密度マルチオリ
フイス化された記録ヘツドが容易に具現化できる
ので、高解像度、高品質の画像を高速で得られる
という特徴を有している。

上記の記録法に適用される装置の記録ヘツド部
は、液体を吐出するために設けられたオリフイス
と、該オリフイスに連通し、液滴を吐出するため
に熱エネルギーが液体に作用する部分である熱作
用部を構成の一部とする液流路とを有する液吐出
部と、熱エネルギーを発生する手段としての電気
熱変換体とを具備している。

そして、この電気熱変換体は、一対の電極と、
これ等の電極に接続しこれ等の電極の間に発熱す
る領域（熱発生部）を有する発熱抵抗層とを具備
している。

このような液体噴射記録ヘツドの構造を示す典
型的な例が、第１図ａ、第１図ｂ及び第１図ｃに
示される。第１図ａは、液体噴射記録ヘツドのオ
リフイス側から見た正面部分図であり、第１図ｂ
は、第１図ａに一点鎖線XYで示す部分で切断し
た場合の切断面部分図であり、第１図ｃは第１の
保護層１１１を取り除いた基板平面図である。

記録ヘツド１００は、その表面に電気熱変換体
１０１が設けられている基板１０２の表面を、所
定の線密度で所定の巾と深さの溝が所定数設けら
れている溝付板１０３で覆うように接合すること
によつて、オリフイス１０４と液吐出部１０５が
形成された構造を有している。図に示す記録ヘツ
ドの場合には、オリフイス１０４を複数有するも
のとして示されているが、勿論本発明において
は、このようなものに限定されるものではなく、
単一オリフイスの記録ヘツドも本発明の範疇には
いるものである。

液吐出部１０５は、その終端に液体を吐出させ
るためのオリフイス１０４と、電気熱変換体１０
１より発生される熱エネルギーが液体に作用して
気泡を発生し、その体積の膨張と収縮に依る急激
な状態変化を引き起す箇所である熱作用部１０６
とを有する。

熱作用部１０６は、電気熱変換体１０１の熱発
生部１０７の上部に位置し、熱発生部１０７の液
体と接触する面としての熱作用面１０８をその底
面としている。

熱発生部１０７は、基板１０２上に設けられた
下部層１０９、該下部層１０９上に設けられた発
熱抵抗層１１０、該発熱抵抗層１１０上に設けら
れた第１の保護層１１１とで構成される。発熱抵
抗層１１０には、熱を発生させるために該層１１
０に通電するために電極１１３，１１４がその表
面に設けられている。電極１１３は、各液吐出部
の熱発生部に共通の電極であり、電極１１４は、
各液吐出部の熱発生部を選択して発熱させるため
の選択電極であつて、液吐出部の液流路に沿つて
設けられている。

第１の保護層１１１は、熱発生部１０７に於い
ては発熱抵抗層１１０を、使用する液体から化学
的、物理的に保護するために発熱抵抗層１１０と
液吐出部１０５の液流路を満たしている液体とを
隔絶すると共に、液体を通じて電極１１３，１１
４間が短絡するのを防止する、発熱抵抗層１１０
の保護的機能を有している。また、第１の保護層
１１１は、隣接する電極間に於ける電気的リーク
を防止する役目も荷つている。殊に、各選択電極
間に於ける電気的リークの防止、或いは各液流路
下にある電極が何等かの理由で電極と液体とが接
触し、これに通電することによつて起る電極の電
蝕の防止は重要であつて、このためにこのような
保護層的機能を有する第１の保護層１１１が少な
くとも液流路下に存在する電極上には設けられて
いる。

第１の保護層をはじめとする上部層は、設けら
れる場所によつて要求される特性が各々異なる。
即ち、例えば熱発生部１０７に於いては、耐熱
性、耐液性、液浸透防止性、熱伝導性、
酸化防止性、絶縁性及び耐破傷性に優れてい
ることが要求され、熱発生部１０７以外の領域に
於いては熱的条件で緩和されるが液浸透防止性、
耐液性及び耐破傷性には充分優れていることが要
求される。

ところが、上記の〜の特性の総てを所望通
りに充分満足する上部層を構成する材料は、今の
ところなく〜の特性の幾つかを緩和して使用
しているのが現状である。即ち、熱発生部１０７
に於いては、，及びに優先が置かれて材料
の選択が成され、他方熱発生部１０７以外の、例
えば電極部に於いては、，及びに優先が置
かれて材料の選択が成されて、夫々の該当する領
域面上に各相当する材料を以つて上部層が形成さ
れている。

他方、これ等とは別に、マルチオリフイス化タ
イプの液体噴射記録ヘツドの場合には、基板上に
多数の微細な電気熱変換体を同時に形成する為
に、製造過程に於いて、基板上では各層の形成
と、形成された層の一部除去の繰返しが行なわ
れ、上部層が形成される段階では、上部層の形成
されるその表面はステツプウエツジヂ部（段差
部）のある微細な凹凸状となつているので、この
段差部に於ける上部層の被覆性（Step coverage
性）が重要となつている。つまり、この段差部の
被覆性が悪いと、その部分での液体の浸透が起
り、電蝕或いは電気的絶縁破壊を起す誘因とな
る。また、形成される上部層がその製造法上に於
いて欠陥部の生ずる確率が少なくない場合には、
その欠陥部を通じて、液体の浸透が起り、電気熱
変換体の寿命を著しく低下させる要因となつてい
る。

これ等の理由から、上部層は、段差部に於ける
被覆性が良好であること、形成される層にピンホ
ール等の欠陥の発生する確率が低く、発生しても
実用上無視し得る程度或いはそれ以上に少ないこ
とが要求される。

そこで、これらの要求を満たすべく、上部層を
無機絶縁材料で構成される第１の保護層と有機材
料で構成される第２の保護層を積層して形成した
り、更には第１の保護層を２層構造にして下層を
無機絶縁材料で構成し、上層を粘りがあつて、比
較的機械的強度に優れ、第１の保護層と第２の保
護層に対して密着性と粘着性のある例えば金属等
の無機材料で構成したり、第２の保護層の更に上
部に第３の保護層を金属等の無機材料で構成して
配設したりされる発明が提案されている。

有機材料で構成される第２の保護層は被覆性に
優れるが、耐熱性の点で劣るため第１図ｃに示す
ようなパターンに形成される。しかしながら、こ
のような構成の場合、切断により形成するオリフ
イス面に有機材料の隔壁が生じ、該隔壁が切断時
に力を受けるため機械的強度が低下する。この機
械的強度に低下した部分にオリフイス面から伝わ
つてくる飛翔的液滴の一部が浸透し、前記第２の
保護層の密着性が低下し、層剥離を生じる。この
為液流路中の液体への電気的リークが増加し安定
した飛翔的液滴が形成されなくなる問題がある。

本発明は、上記の諸点に鑑み成されたものであ
つて、頻繁なる繰返し使用や長時間の連続使用に
於いて総合的な耐久性に優れ、初期の良好な液滴
形成特性を長期に亘つて安定的に維持し得る液体
噴射記録ヘツドを提供することを主たる目的とす
る。

また、本発明の別の目的は、製造加工上に於け
る信頼性の高い液体噴射記録ヘツドを提供するこ
とでもある。

更には、マルチオリフイス化した場合にも製造
歩留りの高い液体噴射記録ヘツドを提供すること
でもある。

本発明の液体噴射記録ヘツドは、発熱抵抗層と
該発熱抵抗層に接続された一対の電極とを有し、
該一対の電極の間に熱発生部が形成されている電
気熱変換体と、少なくとも前記電気熱変換体を覆
う様に設けられた保護層と、を具備し、前記熱発
生部が発生する熱エネルギーを利用して、オリフ
イスからインクを吐出する液体噴射記録ヘツドに
おいて、前記保護層は、少なくとも前記電気熱変
換体を覆う様に設けられ無機材料で構成される無
機保護層と、オリフイス面と熱発生部を除いた部
分に形成され有機材料で構成される有機保護層と
を有することを特徴とする。

オリフイス面と有機材料保護層の間は、少なく
とも30μmであることが好ましい。

以下、図面に従つて本発明の液体噴射記録ヘツ
ドを具体的に説明する。

第２図ａ，ｂ，ｃは、第１図ａ，ｂ，ｃにそれ
ぞれ対応する本発明の液体噴射記録ヘツドの好適
な実施態様例である。

第２図に示される液体噴射記録ヘツドは、オリ
フイス面正面図第２図ａでは、第１図ａと変わら
ないが、液流路を通る断面図第２図ｂ及び基板平
面図第２図ｃより明らかなように、第２の保護層
はオリフイス面と熱発生部には設けられていな
い。

図に示される液体噴射記録ヘツド２００は、所
望数の電気熱変換体２０１が設けられた熱を液吐
出に利用する液体噴射記録（バブルジエツト：
BJと略記する）用の基板２０２と、前記電気熱
変換体２０１に対応して設けられた溝を所望数有
する溝付板２０３とでその主要部が構成されてい
る。

BJ基板２０２と溝付板２０３とは、所定個所
で接着剤等で接合されることでBJ基板２０２の
電気熱変換体２０１の設けられている部分と、溝
付板２０３の溝の部分とによつて液流路２１５を
形成しており、該液流路２１５は、その構成の一
部に熱作用部２０６を有する。

BJ基板２０２は、シリコン、ガラス、セラミ
ツク等で構成されている支持体２１６と、該支持
体２１６上にSiO₂等で構成される下部層２０９
と、発熱抵抗層２１０と、発熱抵抗層２１０の上
面の両側には液流路２１５に沿つて共通電極２１
３及び選択電極２１４と、発熱抵抗層２１０の電
極で被覆されていない部分及び電極２１３，２１
４の部分を覆う様に第１の保護層２１１とを具備
している。

電気熱変換体２０１は、その主要部として熱発
生部２０７を有し、熱発生部２０７は、支持体２
１６上に支持体２１６側から順次、下部層２０
９、発熱抵抗層２１０、無機絶縁材料で構成され
る第１の保護層２１１の下層及び無機材料で構成
される第１の保護層２１１の上層が積層されて構
成されており、第１の保護層２１１の上層の表面
（熱作用面２０８）は、液流路２１５中を満たし
ている液体と直接接触している。

選択電極２１４のほぼ大部分の表面は、第２の
保護層２１２及び第１の保護層２１１が電極側よ
りこの順で積層されてなる上部層に覆われ、該上
部層はこのままの形で液流路２１５の上流に設け
られる共通液室の底面部分にも設けられる。上部
層はこの順に形成されなくても、選択電極側から
第１の保護層２１１、第２の保護層２１２の順に
形成されてもよい。あるいは、第１の保護層２１
１の下層、第２の保護層２１２を形成し、第２図
に示した液体噴射記録ヘツドに於いて第１の保護
層２１１の上層として形成されている層を第３の
保護層として最表層に形成してもよい。第１の保
護層２１１の下層は、例えばSiO₂等の無機酸化
物やSi₃N₄等の無機窒化物等の無機質絶縁材料で
構成され、第１の保護層２１１の層は粘りがあつ
て、比較的機械的強度に優れ、かつ第１の保護層
の下層に対して密着性と接着性のある、例えば第
１の保護層の下層がSiO₂で形成されている場合
にはTa等の金属材料で構成される。このように
第１の保護層の上層に金属等の比較的粘りがあつ
て機械的強度のある無機材料で構成される層を配
設することによつて、特に熱作用面２０８に於い
て、液体吐出の際に生ずるキヤビテーシヨン作用
からのシヨツクを充分吸収することができ、電気
熱変換体２０１の寿命を格段に延ばす効果があ
る。第１の保護層２１１の上層は、前述のように
第３の保護層として形成されても同様の効果を有
する。

共通電極の表面は、第２の保護層２１２及び第
１の保護層が電極側よりこの順で積層されてなる
上部層に覆われる。

第１の保護層２１１の下層を構成する材料とし
ては、比較的熱伝導性及び耐熱性に優れた無機質
絶縁材料が適している。例えば、SiO₂等の無機
酸化物や、酸化チタン、酸化バナジウム、酸化ニ
オブ、酸化モリブデン、酸化タンタル、酸化タン
グステン、酸化クロム、酸化ジルコニウム、酸化
ハフニウム、酸化ランタン、酸化イツトリウム、
酸化マンガン等の遷移金属酸化物、更に酸化アル
ミニウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウ
ム、酸化バリウム、酸化シリコン、等の金属酸化
物及びそれらの複合体、窒化シリコン、窒化アル
ミニウム、窒化ボロン、窒化タンタル等高抵抗窒
化物及びこれら酸化物、窒化物の複合体、更にア
モルフアスシリコン、アモルフアスセレン等の半
導体などバルクでは低抵抗であつてもスパツタリ
ング法、CVD法、蒸着法、気相反応法、液体コ
ーテイング法等の製造過程で高抵抗化し得る薄膜
材料を挙げることができる。

第１の保護層の上層及び第３の保護層を形成す
ることのできる材料としては、上記のTaの他に、
Sc，Ｙなどの周期律表第ａ族の元素、Ti，Zr，
Hfなどの第ａ族の元素、Ｖ，Nbなどの第ａ
族の元素、Cr，Mo，Ｗなどの第ａ族の元素、
Fe，Co，Niなどの第族の元素；Ti−Ni，Ta
−Ｗ，Ta−Mo−Ni，Ni−Cr，Fe−Co，Ti−
Ｗ，Fe−Ti，Fe−Ni，Fe−Cr，Fe−Ni−Crな
どの上記金属の合金；Ti−Ｂ，Ta−Ｂ，Hf−
Ｂ，Ｗ−Ｂなどの上記金属の硼化物；Ti−Ｃ，
Zr−Ｃ，Ｖ−Ｃ，Ta−Ｃ，Mo−Ｃ，Ni−Ｃな
どの上記金属の炭化物；Mo−Si，Ｗ−Si，Ta−
Siなどの上記金属のケイ化物；Ti−Ｎ，Nb−
Ｎ，Ta−Ｎなどの上記金属の窒化物が挙げられ
る。第１の保護層の上層及び第３の保護層は、こ
れらの材料を用いて蒸着法、スパツタリング法、
CVD法等の手法により形成することができる。
第１の保護層の上層及び第３の保護層は、上記の
層単独であつてもよいが、もちろんこれらの幾つ
かを組合わせることもできる。また、第３の保護
層も上記のもの単独ではなく、第２図に示した第
１の保護層のように、第１の保護層の下層の材質
と組み合わせて使用することも可能である。

第２の保護層２１２は、液浸透防止と耐液作用
に優れた有機質絶縁材料で構成され、更には、
成膜性が良いこと、緻密な構造でかつピンホー
ルが少ないこと、使用インクに対し膨潤、溶解
しないこと、成膜したとき絶縁性が良いこと、
耐熱性が高いこと等の物性を具備していること
が望ましい。そのような有機質材料としては以下
の樹脂、例えば、シリコーン樹脂、フツ素樹脂、
芳香族ポリアミド、付加重合型ポリイミド、ポリ
ベンズイミダゾール、金属キレート重合体、チタ
ン酸エステル、エポキシ樹脂、フタル酸樹脂、熱
硬化性フエノール樹脂、Ｐ−ビニルフエノール樹
脂、ザイロツク樹脂、トリアジン樹脂、BT樹脂
（トリアジン樹脂とビスマレイミド付加重合樹脂）
等が挙げられる。又、この他に、ポリキシリレン
樹脂及びその誘導体を蒸着して第２の保護層２１
２を形成することもできる。

更に、種々の有機化合物モノマー、例えばチオ
ウレア、チオアセトアミド、ビニルフエロセン、
１，３，５−トリクロロベンゼン、クロロベンゼ
ン、スチレン、フエロセン、ピロリン、ナフタレ
ン、ペンタメチルベンゼン、ニトロトルエン、ア
クリロニトリル、ジフエニルセレナイド、Ｐ−ト
ルイジン、Ｐ−キシレン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｐ
−トルイジン、トルエン、アニリン、ジフエニル
マーキユリー、ヘキサメチルベンゼン、マロノニ
トリル、テトラシアノエチレン、チオフエン、ベ
ンゼンセレノール、テトラフルオロエチレン、エ
チレン、Ｎ−ニトロソジフエニルアミン、アセチ
レン、１，２，４−トリクロロベンゼン、プロパ
ン、等を使用してプラズマ重合法によつて成膜さ
せて、第２の保護層２１２を形成することもでき
る。

しかしながら、高密度マルチオリフイスタイプ
の記録ヘツドを作成するのであれば、上記した有
機質材料とは別に微細フオトリソグラフイー加工
が極めて容易とされる有機質材料を第２の保護層
２１２を形成する材料として使用するのが望まし
い。そのような有機質材料としては具体的には、
例えば、ポリイミドイソインドロキナゾリンジオ
ン（商品名：PIQ、日立化成製）、ポリイミド樹
脂（商品名：PYRALIN、デユポン製）、環化ポ
リブタジエン（商品名：JSR−CBR，CBR−Ｍ
901、日本合成ゴム製）、フオトニース（商品
名：東レ製）、その他の感光性ポリイミド樹脂等
が好ましいものとして挙げられる。

下部層２０９は、主に熱発生部２０７より発生
する熱の支持体２１６側への流れを制御する層と
して設けられるもので、熱作用部２０６に於いて
液体に熱エネルギーを作用させる場合には、熱発
生部２０７より発生する熱が熱作用部２０６側に
より多く流れるようにし、電気熱変換体２０１へ
の通電がOFFされた際には、熱発生部２０７に
残存している熱が、支持体２１６側に速やかに流
れるように構成材料の選択と、その層厚の設計が
成される。下部層２０９を構成する材料として
は、先に挙げたSiO₂の他に酸化ジルコニウム、
酸化タンタル、酸化マグネシウム、酸化アルミニ
ウム等の金属酸化物に代表される無機質材料が挙
げられる。

発熱抵抗層２１０を構成する材料は、通電され
ることによつて、所望通りの熱が発生するもので
あれば大概のものが採用され得る。

そのような材料としては、具体的には例えば窒
化タンタル、ニクロム、銀−パラジウム合金、シ
リコン半導体、或いは、ハフニウム、ランタン、
ジルコニウム、チタン、タンタル、タングステ
ン、モリブデン、ニオブ、クロム、バナジウム等
の金層及びその合金並びにそれらの硼化物等が好
ましいものとして挙げられる。

これ等の発熱抵抗層２１０を構成する材料の
中、殊に金属硼化物が優れたものとして挙げるこ
とができ、その中でも最も特性の優れているのが
硼化ハフニウムであり、次いで硼化ジルコニウ
ム、硼化ランタン、硼化タンタル、硼化バナジウ
ム、硼化ニオブの順となつている。

発熱抵抗層２１０は、上記した材料を使用し
て、電子ビーム蒸着やスパツタリング等の手法を
用いて形成することができる。

電極２１３及び２１４を構成する材料として
は、通常使用されている電極材料の多くのものが
有効に使用され、具体的には例えば、Al，Ag，
Au，Pt，Cu等の金属が挙げられ、これ等を使用
して、蒸着等の手法で所定位置に、所定の大き
さ、形状、厚さで設けられる。

溝付板２０３並びに熱作用部２０６の上流側に
設けられる共通液室の構成部材を構成する材料と
しては、記録ヘツドの工作時の、或いは使用時の
環境下に於いて形状に熱的影響を受けないか或い
は殆んど受けないものであつて微細精密加工が容
易に適用され得ると共に、面精度を所望通りに容
易に出すことができ、更には、それ等によつて形
成される流路中を液体がスムーズに流れ得るよう
に加工し得るものであれば、大概のものが有効で
ある。

そのような材料として代表的なものを挙げれば
セラミツクス、ガラス、金属、プラスチツク或い
はシリコンウエーハー等が好適なものとして例示
される。殊に、ガラス、シリコンウエーハーは加
工上容易であること、適度の耐熱性、熱膨張係
数、熱伝導性を有しているので好適な材料の１つ
である。オリフイス２０４の周りの外表面は液体
で漏れて、液体がオリフイス２０４の外側に回り
込まないように、液体が水系の場合には撥水処理
を、液体が非水系の場合には撥油処理を施した方
が良い。

以下に実施例を示して本発明の液体噴射記録ヘ
ツドを具体的に説明する。

実施例 第２図に示した液体噴射記録ヘツドを以下のよ
うにして製造した。

Siウエハの熱酸化により5μm厚のSiO₂膜を形成
し基板とした。基板にスパツタにより発熱抵抗層
としてHfB₂を1500Åの厚みに形成し、続いて電
子ビーム蒸着によりTi層50Å，Al層5000Åを連
続的に堆積した。

フオトリソ工程により第２図ｃのようなパター
ンを形成し電極２１３，２１４を形成した。熱作
用面のサイズは30μm幅、150μm長でAl電極の抵
抗を含めて150オームであつた。

次に第２の保護層２１２として2.0μm厚のPIQ
層を第２図ｃの斜線部分上に以下の工程に従つて
作成した。

すなわち発熱抵抗層及び電極が所定のパターン
に形成された支持体を洗浄、乾燥後、PIQ溶液を
スピンナーでコーテイングした（コーテイング条
件に於けるスピンナー回転条件は、第１工程
500rpm，10sec、第２工程4000rpm，40secであ
る）。次に、80℃中に10分放置し、溶剤乾燥後220
℃で60分仮ベーキングを行つた。この上にホトレ
ジストOMR−83（東京応化製）をスピンナーで
塗布し、乾燥後マスクアライナーを用いて露光
し、現像処理を行い所望のPIQ層パターンを得
た。次にPIQ用エツチヤントを用い、室温でPIQ
層のエツチングを行つた。水洗、乾燥後OMR用
剥離液でホトレジストを剥離した後、350℃中で
60分間ベーキングを行い、PIQ層パターンの形成
工程を終えた。

PIQ層の厚さは支持体上の発熱抵抗層、電極が
ない部分では2.0μm、発熱抵抗層、電極上面では
1.8μmであつた。これはStep coverage性が良好
なことを示している。

PIQ層パターンの形成に続いて第１の保護層２
１１の下層としてSiO₂スパツタ層をハイレート
スパツタにより2.2μm堆積させ、更に第１の保護
層２１１の上層としてTaのスパツタによりTa層
を0.5μm厚に積層した。

次いでこのBJ基板上に溝付ガラス板を所定通
りに接着した。即ち、第２図ｂに示してあるのと
同様にBJ基板にインク導入流路と熱作用部を形
成する為の溝付ガラス板（溝サイズ巾50μm×深
さ50μm×長さ２mm）が接着されている。

この様にして作成した記録ヘツドの電気熱変換
体に10μSの30Vの矩形電圧を800HZで印加すると
印加信号に応じて液体がオリフイスから吐出され
て、飛翔的液滴が安定的に形成された。

また、従来10⁷パルス台で生じていたリーク電
流の増加がなくなり、３×10⁸パルスまで飛翔的
液滴が安定に形成された。

上記のように本発明の液体噴射記録ヘツドは、
初期の良好な液滴形成特性を長期に亘つて安定し
て維持できる上、製造加工上における信頼性が高
く、マルチオリフイス化した場合の製造歩留りも
高いものであつた。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ，ｂ，ｃは夫々、従来の液体噴射記録
ヘツドの構成を説明するためのもので、第１図ａ
は模式的正面部分図、第１図ｂは第１図ａの一点
鎖線XYでの切断面部分図、第１図ｃはBJ基板の
模式的平面図、第２図ａ，ｂ，ｃは夫々本発明の
液体噴射記録ヘツドの構成を説明するためのもの
で、第２図ａは第１図ａに相当する切断面部分
図、第２図ｂは第１図ｂに相当し、第２図ａの一
点鎖線AA′での切断面部分図、第２図ｃは第１図
ｃに相当するBJ基板の模式的平面図である。 １００，２００……液体噴射記録ヘツド、１０
１，２０１……電気熱変換体、１０２，２０２…
…基板、１０３，２０３……溝付板、１０４，２
０４……オリフイス、１０５……液吐出部、１０
６，２０６……熱作用部、１０７，２０７……熱
発生部、１０８，２０８……熱作用面、１０９，
２０９……下部層、１１０，２１０……発熱抵抗
層、１１１，２１１……第１の保護層（上部層）、
１１２，２１２……第２の保護層（上部層）、１
１３，２１３……共通電極、１１４，２１４……
選択電極、２１５……液流路、２１６……支持
体。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 発熱抵抗層と該発熱抵抗層に接続された一対
   の電極とを有し、該一対の電極の間に熱発生部が
   形成されている電気熱変換体と、 少なくとも前記電気熱変換体を覆う様に設けら
   れた保護層と、 を具備し、前記熱発生部が発生する熱エネルギー
   を利用して、オリフイスからインクを吐出する液
   体噴射記録ヘツドにおいて、 前記保護層は、少なくとも前記電気熱変換体を
   覆う様に設けられた無機材料で構成される無機保
   護層と、オリフイス面と熱発生部を除いた部分に
   形成され有機材料で構成される有機保護層とを有
   することを特徴とする液体噴射記録ヘツド。