JPH0511470A - Electrophotographic sensitive body - Google Patents

Electrophotographic sensitive body

Info

Publication number
JPH0511470A
JPH0511470A JP16295691A JP16295691A JPH0511470A JP H0511470 A JPH0511470 A JP H0511470A JP 16295691 A JP16295691 A JP 16295691A JP 16295691 A JP16295691 A JP 16295691A JP H0511470 A JPH0511470 A JP H0511470A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phthalocyanine
mixed crystal
crystal
synthesis example
titanyl phthalocyanine
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16295691A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kiyoshi Tamaki
喜代志 玉城
Hideo Yoshizawa
英男 吉沢
Yoshihide Fujimaki
義英 藤巻
Kazumasa Watanabe
一雅 渡邉
Akihiko Itami
明彦 伊丹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
Priority to JP16295691A priority Critical patent/JPH0511470A/en
Publication of JPH0511470A publication Critical patent/JPH0511470A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide the photosensitive body having the high sensitivity and stable light attenuation characteristics at the time of the repetitive use of the high-gamma photosensitive body and the good stationary characteristic of VH/VL between the surface potential VH of exposed parts and the surface potential VL of non-exposed parts, hence reproducibility of the fine lines of images. CONSTITUTION:A crystal mixture composed of titanyl phthalocyanine and vanadyl phthalocyanine is incorporated into the photoconductive layer of the photosensitive body having the max. value in the absolute value of the potential differentiation coefft. relating to a light quantity in the light attenuation (exposing) region of the potential fluctuation in the electrostatic charge-dark attenuation-light attenuation (exposing) of the electrophotographic sensitive body.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は電子写真感光体に関し、
特にチタニルフタロシアニンとバナジルフタロシアニン
の混晶を含有し高γ光減衰性を有しデジタル画像形成に
適した感光体に関する。
FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to an electrophotographic photoreceptor,
In particular, the present invention relates to a photoconductor containing a mixed crystal of titanyl phthalocyanine and vanadyl phthalocyanine, having a high γ light attenuation property and suitable for digital image formation.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、電子写真に用いられる感光体とし
ては、帯電-暗減衰-光減衰(露光)に亘る電位変動の光
減衰領域において光減衰が緩慢であるいわゆる低γ感光
体、及び光減衰が像露光の初期には緩慢なインダクショ
ン期があり、中期、後期にかけて急峻となるいわゆる高
γ感光体が知られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as photoconductors used in electrophotography, so-called low γ photoconductors, in which light decay is slow in a light decay region of potential fluctuations from charging-dark decay-light decay (exposure), There is known a so-called high γ photoconductor in which there is a slow induction period in the early stage of image exposure and steep attenuation in the middle period and the latter period.

【0003】前記高γ感光体が、上記したような特性を
発揮する理由は必ずしも十分に解明されてはいないが、
像露光の初期において感光性物質(特に光導電性有機顔
料)の表面に発生したキャリアが該顔料の表面に暫時ト
ラップされて光減衰が抑制され、露光の中期、後期に至
るとキャリアのトラップが飽和状態となり、この結果、
表面電位がほぼ直線的に下降する光減衰特性を示すもの
と推察される。
The reason why the high-γ photoconductor exhibits the above-mentioned characteristics has not been fully clarified, but
Carriers generated on the surface of the photosensitive substance (particularly photoconductive organic pigment) in the early stage of image exposure are temporarily trapped on the surface of the pigment to suppress light attenuation, and carrier trapping occurs in the middle and late stages of exposure. It becomes saturated, and as a result,
It is presumed that the surface potential shows an optical attenuation characteristic that drops almost linearly.

【0004】感光体の帯電-暗減衰-光減衰の領域に亘る
表面電位の変動を図1に示したが、前記3つの領域に共
通に設けた横軸は夫々の領域において作用内容の異る変
数量を便宜上統一して作用時間量で順列的に連結してい
る。図1(a)が低γ、同図(b)が高γの感光体特性
を示すものである。
FIG. 1 shows the fluctuation of the surface potential over the regions of charging, dark decay and light decay of the photoconductor. The horizontal axis provided in common to the above three regions has different action contents in each region. The variable quantities are unified for convenience and are connected in a permutation by the action time quantity. FIG. 1A shows the characteristics of a low γ photoconductor, and FIG. 1B shows the characteristics of a high γ photoconductor.

【0005】高γ光減衰性感光体は、光減衰領域におけ
る光減衰曲線を光量を作用変数(強度一定として時間で
代用)として微分すると、図1のように正帯電の感光体
の場合には、初期には微分係数は0を含む比較的小さな
所定の値を示し、次いで急峻に負の値を増し極小値に到
り再び回復し0に収斂する。従って微分係数に絶対値を
とると、0を含む比較的小さな所定の正の値から極大値
を経て再び0に収斂する。この曲線に対する微分係数
は、図1(b)の光減衰曲線aの接線の勾配である。近
似的には、ある光量Iから△Iだけ光量が増した時の感
光体の表面電位がVからV+△Vに変化した時の差分係
数の絶対値;│△V/△I│の値を実用上の見地から上
記微分係数の絶対値;│dV/dI│に代用する(図1
では、△Vはマイナスの値をとる)。図2には、上記の
近似的手法を用いて求めた光減衰曲線の微分係数-光量
特性を示したが、極大値を有する曲線Aが図1(b)の
曲線aに対応するものであり、曲線A′が図1(a)の
光減衰曲線a′に対応するものである。
In the high-γ photo-attenuating photoconductor, when the photo-attenuation curve in the photo-attenuation region is differentiated with the amount of light as an action variable (the intensity is constant and time is substituted), in the case of the photoconductor of positive charge as shown in FIG. In the initial stage, the differential coefficient shows a relatively small predetermined value including 0, then rapidly increases the negative value, reaches the minimum value, recovers again, and converges to 0. Therefore, when the absolute value of the differential coefficient is taken, a relatively small predetermined positive value including 0 passes through the maximum value and then converges to 0 again. The differential coefficient with respect to this curve is the gradient of the tangent line of the light attenuation curve a in FIG. Approximately, the absolute value of the difference coefficient when the surface potential of the photoconductor changes from V to V + ΔV when the light amount increases from a certain light amount I by ΔI; the value of | ΔV / ΔI | From a practical point of view, the absolute value of the above differential coefficient is substituted for | dV / dI | (Fig. 1
Then, ΔV takes a negative value). FIG. 2 shows the differential coefficient-light amount characteristics of the light attenuation curve obtained by using the above-mentioned approximate method. The curve A having the maximum value corresponds to the curve a in FIG. 1 (b). The curve A'corresponds to the light attenuation curve a'of FIG.

【0006】近年、電子写真等の分野において、画質の
改善、変換、編集等が容易で、高品質の画像形成が可能
なデジタル方式を採用した画像形成方法の研究開発が盛
んになされているが、この画像形成方法においては、高
γの感光体は極めて有用である。例えばレーザ、LED
アレイ、液晶シャッタ、好ましくは半導体レーザのビー
ムを、コンピュータ又は複写原稿からのデジタル画像信
号により変調し、一様に帯電された感光体上にドット露
光してドット状の静電潜像を形成し、これをトナーによ
り好ましくは反転現像してドット状の画像を形成する
際、通常、輝度1〜5mWで50〜100μmという極めて狭
いパルス幅でドット露光される。このようなパルス幅の
露光に対し、高γ感光体は、ドット状の静電潜像の電位
分布及びドット状の画像濃度分布において裾が短くて鮮
鋭であり、デジタル方式の画像の形成に好都合である
(特開平1-172853号、同2-176768号等)。
In recent years, in the field of electrophotography and the like, research and development of an image forming method employing a digital system, which enables easy image quality improvement, conversion, editing, and the like and enables high-quality image formation, has been actively conducted. In this image forming method, a high γ photoconductor is extremely useful. For example, laser, LED
Beams of an array, a liquid crystal shutter, and preferably a semiconductor laser are modulated by a digital image signal from a computer or a copy original, and dot-exposed on a uniformly charged photoreceptor to form a dot-shaped electrostatic latent image. When this is subjected to preferably reverse development with toner to form a dot-shaped image, dot exposure is usually performed with a very narrow pulse width of 50 to 100 μm at a brightness of 1 to 5 mW. With respect to the exposure with such a pulse width, the high-γ photoconductor has a short hem and is sharp in the potential distribution of the dot-shaped electrostatic latent image and the dot-shaped image density distribution, which is convenient for forming a digital image. (Japanese Patent Laid-Open Nos. 1-172853, 2-176768, etc.).

【0007】しかし、図2(a)の曲線Aの特性を有す
る感光体は、繰返しの使用において図2(b)に示すよ
うに、レーザ光露光部電位;VL及び非露光部電位;VH
は共に低下していく。即ち、高γ感光体は、光減衰が露
光の後期において急峻で、高γ特性を有する等の特長を
有しながら、繰返し使用の過程で光減衰曲線が変動する
ことからその有効性が損われる。例えば、1000サイクル
程度でVHが大きく低下し、また、初期のVLが高いた
め、画質にかぶり、文字飛び、線の太りといった現像性
の不安定さが生じるという欠点がある。
However, the photoreceptor having the characteristics of curve A in FIG. 2 (a), as shown in FIG. 2 (b) in the use of repetition, the laser beam exposure unit potential; V L and the non-exposed portion potential; V H
Are decreasing together. That is, the high γ photoconductor has a characteristic that the light attenuation is steep in the latter half of the exposure and has a high γ characteristic, but the light attenuation curve fluctuates in the process of repeated use, so that its effectiveness is impaired. . For example, there is a drawback in that the V H greatly decreases after about 1000 cycles and the initial V L is high, so that the developability becomes unstable such as fogging of image quality, skipped characters, and thickening of lines.

【0008】一方、光導電性物質として単一のフタロシ
アニンだけでなく複数のフタロシアニンを用いて特定の
結晶配列を形成させるというフタロシアニンの混晶が報
告されている。この混晶は単なる複数のフタロシアニン
の混合とは異なり、混晶を形成することによって単一の
フタロシアニンとは異なった特性を得られるという利点
がある。このフタロシアニンの混晶の例としては例えば
特開平2-84661号には2種以上のフタロシアニンを気相
状態を経て基盤上に再凝集させるフタロシアニンの共蒸
着による混晶の形成が開示されている。しかしながらこ
れに開示されている結晶型の銅フタロシアニンと無金属
フタロシアニンの混晶やチタニルフタロシアニンと無金
属フタロシアニンの混晶は感度が低いという問題があ
る。また特開平2-70763号に記載されている蒸着による
チタニルフタロシアニンとバナジルフタロシアニンの混
晶はチタニルフタロシアニンのA型及びB型に相当する
結晶型を示している。しかしながらこれらの結晶型では
感度の点で不十分である。このように混晶においても要
求される特性を満足するためには混晶を構成するフタロ
シアニンの種類や結晶型の選択が重要である。そのため
には材料の選択だけではなく特定の結晶型を得るための
結晶制御技術も重要で現在知られている蒸着による混晶
の形成方法以外の結晶変換技術の開発も望まれている。
On the other hand, a mixed crystal of phthalocyanine has been reported in which not only a single phthalocyanine but also a plurality of phthalocyanines are used as a photoconductive substance to form a specific crystal arrangement. This mixed crystal has an advantage that it is possible to obtain characteristics different from those of a single phthalocyanine by forming the mixed crystal, unlike the mere mixing of a plurality of phthalocyanines. As an example of this mixed crystal of phthalocyanine, for example, JP-A-2-84661 discloses formation of a mixed crystal by co-evaporation of phthalocyanine in which two or more kinds of phthalocyanine are re-aggregated on a substrate through a gas phase state. However, the crystal-type mixed crystal of copper phthalocyanine and metal-free phthalocyanine and the mixed crystal of titanyl phthalocyanine and metal-free phthalocyanine disclosed therein have a problem of low sensitivity. The mixed crystal of titanyl phthalocyanine and vanadyl phthalocyanine by vapor deposition described in JP-A-2-70763 shows crystal forms corresponding to A-type and B-type of titanyl phthalocyanine. However, these crystal types are insufficient in terms of sensitivity. As described above, in order to satisfy the required characteristics in the mixed crystal as well, it is important to select the type and crystal form of the phthalocyanine constituting the mixed crystal. For that purpose, not only the material selection but also the crystal control technology for obtaining a specific crystal type is important, and the development of crystal conversion technology other than the currently known method of forming a mixed crystal is desired.

【0009】[0009]

【発明の目的】本発明の目的は、高感度でかつ前記高γ
感光体の繰返し使用時の光減衰特性が安定で、露光部位
の表面電位VHと非露光部位の表面電位VLとの比VH
Lの定常性、従って画像細線の再現性の良好な感光体
の提供にある。
OBJECT OF THE INVENTION The object of the present invention is to achieve high sensitivity and high γ
The photo-damping property of the photoconductor is stable during repeated use, and the ratio V H / of the surface potential V H of the exposed portion and the surface potential V L of the non-exposed portion is
The object of the present invention is to provide a photoreceptor having good steadiness of V L and thus reproducibility of fine image lines.

【0010】[0010]

【発明の構成】前記本発明の目的は;電子写真感光体の
帯電-暗減衰-光減衰(露光)に亘る電位変動の前記光減
衰(露光)領域において、光量に関する電位微分係数の
絶対値に極大値を有する感光体光導電層にチタニルフタ
ロシアニンとバナジルフタロシアニンの混晶を含有する
ことを特徴とする電子写真感光体によって達成される。
The object of the present invention is to obtain the absolute value of the potential differential coefficient relating to the amount of light in the light attenuation (exposure) region of the potential fluctuation of electrification-dark decay-light decay (exposure) of the electrophotographic photosensitive member. It is achieved by an electrophotographic photosensitive member characterized by containing a mixed crystal of titanyl phthalocyanine and vanadyl phthalocyanine in a photoconductive layer having a maximum value.

【0011】更に本発明の態様においては、前記チタニ
ルフタロシアニンとバナジルフタロシアニンの混晶がC
uKα特性X線(波長1.541Å)に対するブラッグ角2
θの27.2±0.2°にピークを有し、かつ示差熱分析にお
いて150℃以上400℃以下に発熱ピークを有するか、又は
CuKα特性X線(波長1.541Å)に対するブラッグ角
2θの9.5±0.2゜、27.2±0.2゜にピークを有すること
が好ましい。
Further, in an embodiment of the present invention, the mixed crystal of the titanyl phthalocyanine and vanadyl phthalocyanine is C.
Bragg angle 2 for uKα characteristic X-ray (wavelength 1.541Å)
It has a peak at 27.2 ± 0.2 ° of θ and an exothermic peak at 150 ° C to 400 ° C in a differential thermal analysis, or a Bragg angle 2θ of 9.5 ± 0.2 ° for CuKα characteristic X-ray (wavelength 1.541Å), It preferably has a peak at 27.2 ± 0.2 °.

【0012】また前記本発明の目的は;電子写真感光体
の帯電-暗減衰-光減衰(露光)に亘る電位変動の前記光
減衰(露光)領域において、光量に関する電位微分係数
の絶対値に極大値を有する感光体光導電層にCuKα特
性X線(波長1.541Å)に対するブラッグ角2θの9.1±
0.2゜、27.2±0.2゜にピークを有するチタニルフタロシ
アニンとバナジルフタロシアニンの混晶を含有すること
を特徴とする電子写真感光体によっても達成される。
Further, the object of the present invention is to maximize the absolute value of the potential differential coefficient with respect to the amount of light in the light attenuation (exposure) region of the potential fluctuation of electrification-dark decay-light decay (exposure) of the electrophotographic photosensitive member. The value of the Bragg angle 2θ for CuKα characteristic X-ray (wavelength 1.541Å) is 9.1 ±
It is also achieved by an electrophotographic photoreceptor characterized by containing a mixed crystal of titanyl phthalocyanine and vanadyl phthalocyanine having peaks at 0.2 ° and 27.2 ± 0.2 °.

【0013】本発明において、混晶とは一般に2種また
はそれ以上の物質が混合し、均一な溶相となった結晶を
つくる場合、その結晶のことをいうが、明礬類に見られ
るような同形の塩や結晶格子が類似、或いは原子半径の
あまり違わない金属間においては混晶が形成されること
が知られている。本発明の結晶型をとるフタロシアニン
の混晶についても良く似た傾向が見られ、チタニルフタ
ロシアニンと比較的類似の構造のものが混晶を形成しや
すい傾向が見られた。チタニルフタロシアニンはW.H
illerらによって結晶構造解析がなされており(Z.Kr
istallogr.,159,173(1982))その構造はTi=O
がフタロシアニン環の共役平面に対して上方に突き出た
ような構造をしている。このチタニルフタロシアニンに
対して例えば平面構造を有する無金属フタロシアニンと
の間では結晶純度の高い本発明の結晶型の混晶を得るの
は困難で、本発明の結晶型に他の結晶が混入してくるな
どの問題が生じ、性能低下の原因となりやすい。一方、
バナジルフタロシアニンにおいても結晶構造解析がなさ
れており(R.Ziolo et al.,J.Chem.Soc.Da
lton,2300(1980))、チタニルフタロシアニンとはT
i=O結合とV=O結合にわずかに違いはあるものの良
く似た立体構造をとっていることが報告されている。し
たがって、バナジルフタロシアニンはチタニルフタロシ
アニンと混晶を形成するのに有利な立体構造を有してい
ると考えられ、実際にバナジルフタロシアニンにおいて
他のいくつかのフタロシアニンとは異なり、本発明の結
晶型の混晶を得ることができた。
In the present invention, a mixed crystal generally refers to a crystal when two or more kinds of substances are mixed to form a crystal in a uniform solution phase, which is as found in alums. It is known that mixed crystals are formed between metals having the same shape or similar crystal lattices, or metals having similar atomic radii. A similar tendency was observed for the mixed crystal of phthalocyanine having the crystal form of the present invention, and a mixed crystal having a structure relatively similar to that of titanyl phthalocyanine was apt to form a mixed crystal. Titanyl phthalocyanine is a W. H
iller et al. have performed crystal structure analysis (Z. Kr.
istallogr. , 159, 173 (1982)) whose structure is Ti = O
Has a structure protruding above the conjugate plane of the phthalocyanine ring. For this titanyl phthalocyanine, for example, it is difficult to obtain a mixed crystal of the crystal form of the present invention having a high crystal purity between a metal-free phthalocyanine having a planar structure and other crystals are mixed in the crystal form of the present invention. It is easy to cause performance deterioration. on the other hand,
The crystal structure of vanadyl phthalocyanine has also been analyzed (R. Ziolo et al., J. Chem. Soc. Da.
lton, 2300 (1980)) and T is what is titanyl phthalocyanine.
It has been reported that the i = O bond and the V = O bond have very similar steric structures, although there are slight differences. Therefore, vanadyl phthalocyanine is considered to have a favorable three-dimensional structure for forming a mixed crystal with titanyl phthalocyanine, and in fact, unlike some other phthalocyanines in vanadyl phthalocyanine, it has a mixed crystal form of the present invention. The crystals could be obtained.

【0014】本発明で用いられるチタニルフタロシアニ
ンはつぎの一般式〔I〕で表され、またバナジルフタロ
シアニンは一般式〔II〕で表される。
The titanyl phthalocyanine used in the present invention is represented by the following general formula [I], and vanadyl phthalocyanine is represented by the general formula [II].

【0015】[0015]

【化1】 [Chemical 1]

【0016】但し、一般式〔I〕及び〔II〕におい
て、X1、X2、X3、X4は水素原子、ハロゲン原子、ア
ルキル基、或いはアルコキシ基、アリールオキシ基を表
し、k、l、m、nは0〜4の整数を表す。
However, in the general formulas [I] and [II], X 1 , X 2 , X 3 and X 4 represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkoxy group or an aryloxy group, and k and l , M and n represent an integer of 0 to 4.

【0017】X線回折スペクトルは次の条件で測定さ
れ、ここでいうピークとはノイズとは異なった明瞭な鋭
角の突出部のことである。
The X-ray diffraction spectrum is measured under the following conditions, and the peak here is a protrusion having a distinct acute angle different from noise.

【0018】 X線管球 Cu 電 圧 40.0 KV 電 流 100 mA スタート角度 6.0 deg. ストップ角度 35.0 deg. ステップ角度 0.02 deg. 測定時間 0.50 sec. 示差熱分析は1回の測定につき10〜50mgの試料量にて測
定し、昇温速度については30(゜K/min)で測定した。
測定試料の状態としては合成した本発明の結晶型のチタ
ニルフタロシアニン−バナジルフタロシアニン混晶の粉
末結晶を用いた。しかしながらこの粉末試料を用いて作
製した感光ドラムより剥離したチタニルフタロシアニン
−バナジルフタロシアニン混晶についても同様の測定を
行い粉末結晶との比較を行ったが、同一の結果が得られ
た。
X-ray tube Cu voltage 40.0 KV current 100 mA start angle 6.0 deg. Stop angle 35.0 deg. Step angle 0.02 deg. Measurement time 0.50 sec. The differential thermal analysis was carried out at a sample amount of 10 to 50 mg per measurement, and the temperature rising rate was 30 (° K / min).
As the state of the measurement sample, the powder crystal of the synthesized crystalline titanyl phthalocyanine-vanadyl phthalocyanine mixed crystal of the present invention was used. However, the same measurement was performed for the titanyl phthalocyanine-vanadyl phthalocyanine mixed crystal peeled from the photosensitive drum produced using this powder sample, and the same result was obtained when the comparison with the powder crystal was performed.

【0019】また示差熱分析により150〜400℃に見られ
る発熱ピークは種々存在するフタロシアニンの結晶型の
中でも本発明の結晶型のフタロシアニンに固有のもので
あり、通常この発熱ピークの観測のみでも本発明の結晶
型のチタニルフタロシアニン−バナジルフタロシアニン
混晶かどうかの判別は可能である。
Further, the exothermic peaks observed at 150 to 400 ° C. by differential thermal analysis are unique to the crystalline phthalocyanine of the present invention among the various crystalline forms of phthalocyanine, and it is usually observed only by observing this exothermic peak. It is possible to determine whether or not the crystal type of the invention is a titanyl phthalocyanine-vanadyl phthalocyanine mixed crystal.

【0020】更に示差熱分析の発熱ピークとは熱示差曲
線上の明瞭なピークのことを指しており、発熱ピーク温
度はピークの極大となる点に相当する温度を示す。
Further, the exothermic peak in the differential thermal analysis refers to a clear peak on the thermal differential curve, and the exothermic peak temperature indicates the temperature corresponding to the maximum point of the peak.

【0021】本発明の結晶型のチタニルフタロシアニン
とバナジルフタロシアニンの混晶に見られるこの発熱ピ
ークはこの温度において本発明の結晶型が熱的に安定な
結晶に転移するという結晶転移点を表している。従って
この値はフタロシアニンの熱的な安定性を示す物性値で
あり、結晶の配列と密接に関係している。つまり、この
結晶転移点が異なる結晶は熱的な挙動も異なることを示
している。例えば実施例に示したように本発明のチタニ
ルフタロシアニンとバナジルフタロシアニンの混晶の結
晶転移点はチタニルフタロシアニンとバナジルフタロシ
アニンの組成比で異なってくるが、複数の組成比の異な
った混晶を混合して示差熱分析を行うと各組成比の混晶
の結晶転移点は独立に観測される。また本発明の結晶型
のチタニルフタロシアニンにいかなる結晶型のバナジル
フタロシアニンを混合しても観測されるのはチタニルフ
タロシアニンの結晶転移点でありバナジルフタロシアニ
ンとの混晶とは異なっている。これは混晶におけるチタ
ニルフタロシアニンとバナジルフタロシアニンの成分が
固体状態で均一な溶相を形成しているためで混合とは本
質的に異なるためである。
This exothermic peak found in the mixed crystal of the crystalline form of titanyl phthalocyanine and vanadyl phthalocyanine of the present invention represents a crystal transition point at which the crystalline form of the present invention is transformed into a thermally stable crystal. . Therefore, this value is a physical property value showing the thermal stability of phthalocyanine, and is closely related to the crystal arrangement. That is, it is shown that the crystals having different crystal transition points have different thermal behaviors. For example, as shown in the examples, the crystal transition point of the mixed crystal of titanyl phthalocyanine and vanadyl phthalocyanine of the present invention varies depending on the composition ratio of titanyl phthalocyanine and vanadyl phthalocyanine, but a mixed crystal having a plurality of different composition ratios is mixed. When the differential thermal analysis is performed by using the differential thermal analysis, the crystal transition point of the mixed crystal of each composition ratio is independently observed. What is observed when any crystalline vanadyl phthalocyanine is mixed with the crystalline titanyl phthalocyanine of the present invention is the crystal transition point of titanyl phthalocyanine, which is different from the mixed crystal with vanadyl phthalocyanine. This is because the components of titanyl phthalocyanine and vanadyl phthalocyanine in the mixed crystal form a uniform liquid phase in the solid state, which is essentially different from mixing.

【0022】また、赤外吸収スペクトルは次のような条
件で測定した。
The infrared absorption spectrum was measured under the following conditions.

【0023】 装置: ニコレー社製 FT−IR 60SX 分解能: 0.25cm-1 測定法: 拡散反射、KBr粉末 本発明に用いられるチタニルフタロシアニンの合成には
種々の方法を用いることができるが、代表的には次の反
応式(1)或いは(2)に従って合成することができ
る。
Apparatus: Nicolet FT-IR 60SX Resolution: 0.25 cm -1 Measurement method: Diffuse reflection, KBr powder Various methods can be used to synthesize the titanyl phthalocyanine used in the present invention, but typically Can be synthesized according to the following reaction formula (1) or (2).

【0024】[0024]

【化2】 [Chemical 2]

【0025】式中、R1〜R4は脱離基を表す。In the formula, R 1 to R 4 represent a leaving group.

【0026】また、本発明に用いられるバナジルフタロ
シアニンはチタニルフタロシアニンと同様にo-フタロニ
トリルや1,3-ジイミノイソインドリンと五酸化バナジウ
ム、アセチルアセトンバナジウムに代表されるバナジウ
ム試薬を1-クロルナフタレン等の不活性溶媒中で反応さ
せることにより得ることができる。
The vanadyl phthalocyanine used in the present invention is, like titanyl phthalocyanine, o-phthalonitrile, 1,3-diiminoisoindoline, vanadium pentoxide, and vanadium reagents typified by vanadium acetylacetone, 1-chloronaphthalene, etc. It can be obtained by reacting in an inert solvent.

【0027】上記のようにして得られたチタニルフタロ
シアニンとバナジルフタロシアニンの混晶の形成は従来
技術としては共蒸着の方法のみが知られているにすぎな
かったが、本発明者らによる詳細な検討の結果、そのほ
かにも溶媒中に均一に溶媒させた後析出させる方法、或
は固体状態にて混合後、ミリング等の剪断力を付与する
方法などによっても混晶の形成が可能であることが判っ
た。
The formation of a mixed crystal of titanyl phthalocyanine and vanadyl phthalocyanine obtained as described above was known only by the co-evaporation method as the prior art, but the detailed study by the present inventors was made. As a result, other than that, it is possible to form a mixed crystal by a method of uniformly precipitating in a solvent and then precipitating, or a method of applying a shearing force such as milling after mixing in a solid state. understood.

【0028】具体的には再結晶、再沈、アシッドペース
ト処理、或は乾式又は湿式によるミリングによる方法な
どが挙げられるが、このような混晶の形成法の確立によ
り本発明の結晶型を得るに至った。しかしながら混晶を
形成させる方法はこれらの方法に限定されるものではな
い。
Specific examples include recrystallization, reprecipitation, acid paste treatment, and dry or wet milling. The crystal form of the present invention is obtained by establishing such a mixed crystal formation method. Came to. However, the method of forming a mixed crystal is not limited to these methods.

【0029】次に本発明に用いられる結晶型のチタニル
フタロシアニン−バナジルフタロシアニン混晶を得る方
法を例示的に示す。例えば通常のアシッドペースト処理
により任意の結晶型のチタニルフタロシアニン及びバナ
ジルフタロシアニンを濃硫酸に溶解し、その硫酸溶液を
水にあけて析出した結晶を濾取する方法、或は任意の結
晶型のチタニルフタロシアニンとバナジルフタロシアニ
ンを混合し、その混合物をミリング等の機械的な力によ
り粉砕する方法などによってチタニルフタロシアニン−
バナジルフタロシアニンより構成されるアモルファス結
晶が得られる。ここでアシッドペースト処理によりアモ
ルファス化を行う場合は一般的な条件にて達成され、フ
タロシアニンに対する濃硫酸の重量比は特に限定されな
いが、5倍から200倍程度が望ましい。また、濃硫酸に
対する水あけに用いる水の量は重量比で通常、5倍から
100倍程度が望ましい。更に、フタロシアニンを濃硫酸
に溶解する温度は5℃以下、水あけ温度は通常0℃以上
50℃以下が望ましい。
Next, a method for obtaining the crystalline titanyl phthalocyanine-vanadyl phthalocyanine mixed crystal used in the present invention will be exemplified. For example, a method of dissolving titanyl phthalocyanine and vanadyl phthalocyanine of any crystal form by ordinary acid paste treatment in concentrated sulfuric acid, pouring the sulfuric acid solution into water and collecting the precipitated crystals by filtration, or titanyl phthalocyanine of any crystal form. And vanadyl phthalocyanine are mixed, and the mixture is pulverized by mechanical force such as milling.
Amorphous crystals composed of vanadyl phthalocyanine are obtained. Here, when amorphization is performed by acid paste treatment, it is achieved under general conditions, and the weight ratio of concentrated sulfuric acid to phthalocyanine is not particularly limited, but is preferably about 5 to 200 times. Also, the amount of water used for draining concentrated sulfuric acid is usually 5 times by weight.
About 100 times is desirable. Further, the temperature at which phthalocyanine is dissolved in concentrated sulfuric acid is 5 ° C or lower, and the watering temperature is usually 0 ° C or higher.
50 ° C or less is desirable.

【0030】次いでこのアモルファス結晶を特定の有機
溶媒で処理することによって本発明に用いられる結晶型
を得ることができる。用いられる有機溶媒としては炭化
水素系溶媒、芳香族系溶媒、ハロゲン系溶媒、アルコー
ル、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、有機酸、有機ア
ミン類、複素環化合物などが挙げられるが、必要に応じ
てスルホン酸やトリクロル酢酸等の酸を添加してもよ
い。一方、アモルファス結晶の状態は水分を含んだウエ
ットペーストの状態或は水分を含んでいない乾燥状態の
もののどちらも用いることができるが、これは処理する
有機溶媒の種類や目的によって選択する事ができる。さ
らにこの溶媒処理においては必要に応じて加熱あるいは
ミリング処理等の操作を行うことができる。また合成例
6に示したように一旦これらの方法にて本発明の結晶型
に変換された結晶に対して更に上述の有機溶媒で処理す
るなどの必要に応じた結晶処理を行うことができる。し
かしながら結晶変換の方法は必ずしもこのような方法に
限定されるものではない。
Next, the crystal form used in the present invention can be obtained by treating the amorphous crystal with a specific organic solvent. Examples of the organic solvent used include hydrocarbon solvents, aromatic solvents, halogen solvents, alcohols, ether solvents, ester solvents, organic acids, organic amines, heterocyclic compounds and the like, but if necessary. An acid such as sulfonic acid or trichloroacetic acid may be added. On the other hand, as the state of the amorphous crystal, either a wet paste state containing water or a dry state containing no water can be used, and this can be selected depending on the type and purpose of the organic solvent to be treated. . Further, in this solvent treatment, an operation such as heating or milling treatment can be performed as necessary. Further, as shown in Synthesis Example 6, the crystal once converted into the crystal form of the present invention by these methods can be further subjected to a crystal treatment as necessary such as a treatment with the above-mentioned organic solvent. However, the crystal conversion method is not necessarily limited to such a method.

【0031】本発明のチタニルフタロシアニンとバナジ
ルフタロシアニンの混晶におけるチタニルフタロシアニ
ンとバナジルフタロシアニンの組成比は両方のフタロシ
アニンが存在していれば特に限定されないが、チタニル
フタロシアニンの存在比は50%以上が望ましい。さらに
望ましくはチタニルフタロシアニンの存在比が80%以上
である。さらにはチタニルフタロシアニンの存在比が90
%以上が最も望ましい。ここでいう存在比とは全重量に
対しての含有されているチタニルフタロシアニンの重量
比を表す。
The composition ratio of titanyl phthalocyanine and vanadyl phthalocyanine in the mixed crystal of titanyl phthalocyanine and vanadyl phthalocyanine of the present invention is not particularly limited as long as both phthalocyanines are present, but the abundance ratio of titanyl phthalocyanine is preferably 50% or more. More preferably, the abundance ratio of titanyl phthalocyanine is 80% or more. Furthermore, the abundance ratio of titanyl phthalocyanine is 90.
% Or more is most desirable. The abundance ratio as used herein refers to the weight ratio of contained titanyl phthalocyanine to the total weight.

【0032】本発明の電子写真感光体は上記のチタニル
フタロシアニンとバナジルフタロシアニンの混晶の他に
光導電性物質を併用してもよい。他の光導電性物質とし
てはA、B、C、アモルファス、その他Y型に代表され
るブラッグ角2θの27.2゜にピークを有する各チタニル
フタロシアニンやバナジルフタロシアニン、更には無金
属フタロシアニンの各結晶型、銅フタロシアニン等に代
表される各種の金属フタロシアニン、ナフタロシアニ
ン、その他ポルフィリン誘導体、アゾ化合物、ジブロモ
アンスアンスロンに代表される多環キノン化合物、ピリ
リウム化合物及びピリリウム化合物の共晶錯体、スクエ
アリウム化合物などが挙げられる。
In the electrophotographic photoreceptor of the present invention, a photoconductive substance may be used in combination with the above mixed crystal of titanyl phthalocyanine and vanadyl phthalocyanine. Other photoconductive materials include A, B, C, amorphous, and other types of crystal such as titanyl phthalocyanine and vanadyl phthalocyanine having a peak at 27.2 ° of Bragg angle 2θ represented by Y-type, and metal-free phthalocyanine. Various metal phthalocyanines typified by copper phthalocyanine, naphthalocyanines, other porphyrin derivatives, azo compounds, polycyclic quinone compounds typified by dibromoanthanthrone, eutectic complexes of pyrylium compounds and pyrylium compounds, squarylium compounds, etc. To be

【0033】かくして、本発明の高感度かつ高γ感光体
に好都合な光減衰曲線を与えるチタニルフタロシアニン
とバナジルフタロシアニンの混晶(以後混晶フタロシア
ニンと称す)を含有した光導電層を得ることができる。
Thus, it is possible to obtain a photoconductive layer containing a mixed crystal of titanyl phthalocyanine and vanadyl phthalocyanine (hereinafter referred to as mixed crystal phthalocyanine) which gives a light decay curve convenient for the high-sensitivity and high-γ photoreceptor of the present invention. .

【0034】また、前記本発明に係る混晶フタロシアニ
ン自体は、光導電層中の樹脂に対して5〜200wt%、好
ましくは10〜100wt%の割合を占めるのがよい。
The mixed crystal phthalocyanine itself according to the present invention should occupy 5 to 200 wt%, preferably 10 to 100 wt% of the resin in the photoconductive layer.

【0035】本発明の感光体の光導電層として、混晶フ
タロシアニン及びその他特性調整用の各種成分がバイン
ダ樹脂に分散若しくは溶解された塗料が導電性支持体に
塗設される。前記バインダ樹脂としては高γ特性を損わ
ぬ樹脂が選ばれる。具体的には反復使用において光減衰
曲線のインダクションピリオッドの縮退を招かず前記V
H/VLの定常性を保つに好都合な樹脂であり、本発明に
おいては硬化性樹脂を選定している。
As the photoconductive layer of the photoconductor of the present invention, a coating in which a mixed crystal phthalocyanine and various other components for property adjustment are dispersed or dissolved in a binder resin is applied to the conductive support. As the binder resin, a resin that does not impair the high γ characteristic is selected. Specifically, in repeated use, the reduction of the induction period of the light decay curve is not caused, and the V
It is a resin that is convenient for maintaining the stability of H / VL , and a curable resin is selected in the present invention.

【0036】硬化性樹脂としては熱或は紫外線等の光に
よって硬化する樹脂であり、実用的に好適な樹脂は熱硬
化性樹脂であり、これには、メラミン樹脂、ポリエステ
ル樹脂、シリコーン樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、
エポキシ樹脂、アルキド樹脂、ポリイミド樹脂、ウレタ
ン樹脂等がある。これらは単独でも、混合して用いても
よく、また、共重合体でも使用可能である。好ましい組
合せ(併用)の例としては、シリコーン-メラミン系、
ポリエステル-メラミン系、メタクリル酸-メラミン系、
エポキシ-メラミン系或はポリエステル-尿素系、メタク
リル酸-尿素系、エポキシ-尿素等が挙げられる。こうし
た熱硬化性樹脂は、安定であって結着力が強く、導電層
の耐久性を保持するのに有利である。
The curable resin is a resin which is cured by heat or light such as ultraviolet rays, and a practically suitable resin is a thermosetting resin, which includes melamine resin, polyester resin, silicone resin and urea. Resin, phenolic resin,
There are epoxy resin, alkyd resin, polyimide resin, urethane resin and the like. These may be used alone or as a mixture, or as a copolymer. Examples of preferable combinations (combined use) include silicone-melamine type,
Polyester-melamine type, methacrylic acid-melamine type,
Examples thereof include epoxy-melamine type or polyester-urea type, methacrylic acid-urea type, epoxy-urea and the like. Such a thermosetting resin is stable and has a strong binding force, and is advantageous in maintaining the durability of the conductive layer.

【0037】次に混晶フタロシアニンを含有することに
よって得られる電子写真感光体はキャリア輸送物質を併
用してもよい。キャリア輸送物質としては種々のものが
使用できるが、代表的なものとして例えばオキサゾー
ル、オキサジアゾール、チアゾール、チアジアゾール、
イミダゾール等に代表される含窒素複素環核及びその縮
合環核を有する化合物、ポリアリールアルカン系の化合
物、ピラゾリン系化合物、ヒドラゾン系化合物、トリア
リールアミン系化合物、スチリル系化合物、ポリス(ビ
ス)スチリル系化合物、スチリルトリフェニルアミン系
化合物、β-フェニルスチリルトリフェニルアミン系化
合物、ブタジエン系化合物、ヘキサトリエン系化合物、
カルバゾール系化合物、縮合多環系化合物等が挙げられ
る。これらのキャリア輸送物質の具体例としては例えば
特開昭61-107356号に記載のキャリア輸送物質を挙げる
ことができる。バインダに対するキャリア輸送物質の割
合は10〜200wt%とすることが望ましい。
Next, the electrophotographic photoreceptor obtained by containing the mixed crystal phthalocyanine may be used in combination with a carrier transporting substance. Although various substances can be used as the carrier-transporting substance, typical examples include oxazole, oxadiazole, thiazole, thiadiazole,
Compounds having a nitrogen-containing heterocyclic nucleus represented by imidazole and the like, and condensed ring nuclei thereof, polyarylalkane compounds, pyrazoline compounds, hydrazone compounds, triarylamine compounds, styryl compounds, poly (bis) styryl Compounds, styryltriphenylamine compounds, β-phenylstyryltriphenylamine compounds, butadiene compounds, hexatriene compounds,
Examples thereof include carbazole compounds and condensed polycyclic compounds. Specific examples of these carrier-transporting substances include the carrier-transporting substances described in JP-A-61-107356. The ratio of the carrier transport material to the binder is preferably 10 to 200 wt%.

【0038】光導電層の形成においてはキャリア発生物
質或はキャリア輸送物質を単独でもしくは混合してバイ
ンダや添加剤とともに分散若しくは溶解させた溶液を塗
布する方法が有効である。しかし、一般にキャリア発生
物質の溶解度は低いため、そのような場合キャリア発生
物質を超音波分散機、ボールミル、サンドミル、ホモミ
キサ等の分散装置を用いて適当な分散媒中に微粒子分散
させた液を塗布する方法が有効となる。この場合、バイ
ンダや添加剤は分散液中に添加して用いられるのが通常
である。
In forming the photoconductive layer, it is effective to apply a solution prepared by dispersing or dissolving the carrier-generating substance or the carrier-transporting substance alone or in a mixture with the binder and the additives. However, since the solubility of the carrier-generating substance is generally low, in such a case the carrier-generating substance is coated with a liquid in which fine particles are dispersed in a suitable dispersion medium using a dispersing device such as an ultrasonic disperser, a ball mill, a sand mill, or a homomixer. The method of doing is effective. In this case, the binder and additives are usually used by adding them to the dispersion liquid.

【0039】光導電層の形成に使用される溶剤或は分散
媒としては広く任意のものを用いることができる。例え
ば、ブチルアミン、エチレンジアミン、N,N-ジメチルホ
ルムアミド、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイ
ソプロピルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘ
キサノン、4-メトキシ-4-メチル-2-ペンタノン、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサン、酢酸エチル、酢酸ブチル、
酢酸-t-ブチル、メチルセロソルブ、エチルセロソル
ブ、ブチルセロソルブ、エチレングリコールジメチルエ
ーテル、トルエン、キシレン、アセトフェノン、クロロ
ホルム、ジクロルメタン、ジクロルエタン、トリクロル
エタン、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタ
ノール等が挙げられる。
A wide variety of solvents or dispersion media can be used for forming the photoconductive layer. For example, butylamine, ethylenediamine, N, N-dimethylformamide, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isopropyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, 4-methoxy-4-methyl-2-pentanone, tetrahydrofuran, dioxane, ethyl acetate, butyl acetate,
Examples thereof include -t-butyl acetate, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, ethylene glycol dimethyl ether, toluene, xylene, acetophenone, chloroform, dichloromethane, dichloroethane, trichloroethane, methanol, ethanol, propanol and butanol.

【0040】積層型感光体のキャリア輸送層の形成に前
記硬化性樹脂の他に特性を損わぬ程度に任意のバインダ
を併用することができる。又、多層型感光体の海島構造
の海部、島部のバインダとして任意のバインダを併用で
きる。このようなバインダとしては例えば次のものを挙
げることができるが、これらに限定されるものではな
い。
In addition to the above-mentioned curable resin, an arbitrary binder may be used in combination with the curable resin in the formation of the carrier transport layer of the laminated type photoreceptor. Further, an arbitrary binder can be used together as a binder for the sea part and the island part of the sea-island structure of the multi-layer type photoreceptor. Examples of such a binder include the following, but are not limited to these.

【0041】ポリカーボネート樹脂 アクリル樹脂 メタクリル樹脂 ポリ塩化ビニル ポリ塩化ビニリ
デン ポリスチレン スチレン-ブタ
ジエン共重合体 ポリ酢酸ビニル ポリビニルホル
マール ポリビニルブチラール ポリビニルアセ
タール ポリビニルカルバゾール スチレン-アル
キッド樹脂 シリコーン樹脂 シリコーン-ア
ルキッド樹脂 シリコーン-ブチラール樹脂 ポリエステル ポリウレタン ポリアミド エポキシ樹脂 フェノール樹脂 塩化ビニリデン-アクリロニトリル共重合体 塩化ビニル-酢酸ビニル共重合体 塩化ビニル-酢酸ビニル-無水マレイン酸共重合体 バインダに対するキャリア輸送物質の割合は10〜500wt
%、好ましくは10〜300wt%である。
Polycarbonate resin Acrylic resin Methacrylic resin Polyvinyl chloride Polyvinylidene chloride Polystyrene Styrene-butadiene copolymer Polyvinyl acetate Polyvinyl formal Polyvinyl butyral Polyvinyl acetal Polyvinylcarbazole Styrene-alkyd resin Silicone resin Silicone-alkyd resin Silicone-butyral resin Polyester polyurethane Polyamide Epoxy resin Phenolic resin Vinylidene chloride-acrylonitrile copolymer Vinyl chloride-vinyl acetate copolymer Vinyl chloride-vinyl acetate-maleic anhydride copolymer Ratio of carrier transport material to binder is 10 ~ 500wt
%, Preferably 10 to 300 wt%.

【0042】前記光導電層には感度の向上や残留電位の
減少、或は反復使用時の疲労の低減を目的として電子受
容性物質を含有させることができる。このような電子受
容性物質としては例えば、9-フルオレノン、2,4,7-トリ
ニトロ-9-フルオレノン、2,7-ジニトロフルオレノン、
2,6-ジニトロフルオレノン、2,5-ジニトロフルオレノ
ン、2,4,5,7-テトラニトロフルオレノン、無水琥珀酸、
無水マレイン酸、ジブロム無水琥珀酸、無水フタル酸、
テトラクロル無水フタル酸、テトラブロム無水フタル
酸、3-ニトロ無水フタル酸、4-ニトロ無水フタル酸、無
水ピロメリット酸、無水メリット酸、テトラシアノエチ
レン、テトラシアノキノジメタン、o-ジニトロベンゼ
ン、m-ジニトロベンゼン、1,3,5-トリニトロベンゼン、
p-ニトロベンゾニトリル、ピクリルクロライド、キノン
クロルイミド、クロラニル、ブロマニル、ジクロルジシ
アノ-p-ベンゾキノン、アントラキノン、ジニトロアン
トラキノン、9-フルオレニリデンマロノニトリル、ポリ
ニトロ-9-フルオレニリデンマロノニトリル、ピクリン
酸、o-ニトロ安息香酸、p-ニトロ安息香酸、3,5-ジニト
ロ安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、5-ニトロサリチ
ル酸、3,5-ジニトロサリチル酸、フタル酸、メリット
酸、その他の電子親和力の大きい化合物を挙げることが
できる。電子受容性物質の添加割合はキャリア発生物質
の重量100に対して0.01〜200が望ましく、さらには0.1
〜100が好ましい。
The photoconductive layer may contain an electron accepting substance for the purpose of improving sensitivity, reducing residual potential, or reducing fatigue during repeated use. Examples of such an electron accepting substance include 9-fluorenone, 2,4,7-trinitro-9-fluorenone, 2,7-dinitrofluorenone,
2,6-dinitrofluorenone, 2,5-dinitrofluorenone, 2,4,5,7-tetranitrofluorenone, succinic anhydride,
Maleic anhydride, dibrom succinic anhydride, phthalic anhydride,
Tetrachlorophthalic anhydride, tetrabromophthalic anhydride, 3-nitrophthalic anhydride, 4-nitrophthalic anhydride, pyromellitic anhydride, meritic anhydride, tetracyanoethylene, tetracyanoquinodimethane, o-dinitrobenzene, m- Dinitrobenzene, 1,3,5-trinitrobenzene,
p-nitrobenzonitrile, picryl chloride, quinone chlorimide, chloranil, bromanil, dichlorodicyano-p-benzoquinone, anthraquinone, dinitroanthraquinone, 9-fluorenylidene malononitrile, polynitro-9-fluorenylidene malononitrile, picrin Acid, o-nitrobenzoic acid, p-nitrobenzoic acid, 3,5-dinitrobenzoic acid, pentafluorobenzoic acid, 5-nitrosalicylic acid, 3,5-dinitrosalicylic acid, phthalic acid, melitic acid and other electron affinity Large compounds can be mentioned. The addition ratio of the electron-accepting substance is preferably 0.01 to 200 with respect to 100 by weight of the carrier generating substance, and more preferably 0.1 to 200.
~ 100 is preferred.

【0043】また、上記光導電層中には保存性、耐久
性、耐環境依存性を向上させる目的で酸化防止剤や光安
定剤等の劣化防止剤を含有させることができる。そのよ
うな目的に用いられる化合物としては例えばトコフェロ
ール等のクロマノール誘導体及びそのエーテル化化合物
もしくはエステル化化合物、ポリアリールアルカン化合
物、ハイドロキノン誘導体及びそのモノ及びジエーテル
化化合物、ベンゾフェノン誘導体、ベンゾトリアゾール
誘導体、チオエーテル化合物、ホスホン酸エステル、亜
燐酸エステル、フェニレンジアミン誘導体、フェノール
化合物、ヒンダードフェノール化合物、直鎖アミン化合
物、環状アミン化合物、ヒンダードアミン化合物などが
有効である。特に有効な化合物の具体例としては「IRGA
NOX 1010」、「IRGANOX 565」(チバ・ガイギー社製)、
「スミライザー BHT」、「スミライザーMDP」(住友化学
工業社製)等のヒンダートフェノール化合物、「サノー
ル LS-2626」、「サノール LS-622LD」(三共社製)等の
ヒンダートアミン化合物が挙げられる。更に表面改質剤
としてシリコーンオイルを存在させてもよい。また耐久
性向上剤としてアンモニウム化合物を含有させてもよ
い。
The photoconductive layer may contain a deterioration inhibitor such as an antioxidant or a light stabilizer for the purpose of improving storage stability, durability and environmental resistance. Examples of the compound used for such purpose include chromanol derivatives such as tocopherol and etherified or esterified compounds thereof, polyarylalkane compounds, hydroquinone derivatives and mono- and dietherified compounds thereof, benzophenone derivatives, benzotriazole derivatives, thioether compounds. , Phosphonates, phosphites, phenylenediamine derivatives, phenol compounds, hindered phenol compounds, linear amine compounds, cyclic amine compounds, hindered amine compounds and the like are effective. Specific examples of particularly effective compounds include "IRGA
"NOX 1010", "IRGANOX 565" (manufactured by Ciba Geigy),
Examples include hindered phenolic compounds such as "Sumilyzer BHT" and "Sumilyzer MDP" (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.), and hindered amine compounds such as "Sanol LS-2626" and "Sanol LS-622LD" (manufactured by Sankyo Co.). . Further, silicone oil may be present as a surface modifier. Further, an ammonium compound may be contained as a durability improver.

【0044】感光層と導電性支持体との間には中間層を
設けてもよく、感光体の表面には、表面保護層を設けて
よい。
An intermediate layer may be provided between the photosensitive layer and the conductive support, and a surface protective layer may be provided on the surface of the photosensitive member.

【0045】中間層、保護層等に用いられるバインダと
しては、前記硬化性樹脂やキャリア発生層及びキャリア
輸送層用に挙げたものを用いることができるが、そのほ
かにナイロン樹脂、エチレン-酢酸ビニル共重合体、エ
チレン-酢酸ビニル-無水マレイン酸共重合体、エチレン
-酢酸ビニル-メタクリル酸共重合体等のエチレン系樹
脂、ポリビニルアルコール、セルロース誘導体等が有効
である。また、メラミン、エポキシ、イソシアネート等
の熱硬化或は化学的硬化を利用した硬化型のバインダを
用いることができる。
As the binder used for the intermediate layer, the protective layer and the like, the above-mentioned curable resins, those mentioned for the carrier generating layer and the carrier transporting layer can be used, but in addition to them, nylon resin and ethylene-vinyl acetate Polymer, ethylene-vinyl acetate-maleic anhydride copolymer, ethylene
-Ethylene resins such as vinyl acetate-methacrylic acid copolymer, polyvinyl alcohol, and cellulose derivatives are effective. Further, a curable binder utilizing heat curing or chemical curing of melamine, epoxy, isocyanate or the like can be used.

【0046】導電性支持体としては金属板、金属ドラム
が用いられる他、導電性ポリマーや酸化インジウム等の
導電性化合物、もしくはアルミニウム、パラジウム等の
金属の薄層を塗布、蒸着、ラミネート等の手段により紙
やプラスチックフィルムなどの基体の上に設けてなるも
のを用いることができる。
A metal plate or a metal drum is used as the conductive support, and a conductive polymer, a conductive compound such as indium oxide, or a thin layer of a metal such as aluminum or palladium is applied, vapor-deposited, laminated or the like. Therefore, the one provided on a substrate such as paper or plastic film can be used.

【0047】感光体の層構成には種々の形態が知られて
いる。本発明の感光体はそれらのいずれの形態もとりう
るが、積層型もしくは単層型の機能分離型感光体とする
のが望ましい。この場合、通常は図3(a)から同図
(c)のような構成となる。
Various forms of the layer structure of the photoconductor are known. The photoconductor of the present invention may take any of these forms, but it is preferable to use a laminated type or a single layer type function separation type photoconductor. In this case, normally, the configuration shown in FIG. 3A to FIG.

【0048】図3は、本発明による感光体を例示するも
のであって、41は導電性支持体、42は必要に応じて設け
られる中間層、43は光導電層である。
FIG. 3 shows an example of the photoconductor according to the present invention, in which 41 is a conductive support, 42 is an intermediate layer provided as necessary, and 43 is a photoconductive layer.

【0049】光導電層43は、上記した混晶フタロシアニ
ンとバインダ樹脂と必要に応じて酸化防止剤と電子受容
性物質等とを、バインダ樹脂の溶剤を用いて微粒子状に
混合分散して塗布液を調製し、この塗布液を中間層42上
に塗布し、乾燥し、熱硬化処理して形成される。
The photoconductive layer 43 is a coating solution prepared by mixing and dispersing the above-mentioned mixed crystal phthalocyanine, a binder resin, and if necessary, an antioxidant and an electron accepting substance in the form of fine particles using a solvent for the binder resin. Is prepared, and the coating solution is applied onto the intermediate layer 42, dried, and heat-cured to form.

【0050】中間層42は接着層又はバリア層等として機
能するものである。
The intermediate layer 42 functions as an adhesive layer or a barrier layer.

【0051】図3(a)の感光体において、光導電層43
にはキャリア輸送物質(CTM)を含有させなくてよい
が、この場合は、図1(b)、図2(a)に示した如き
高γの光減衰特性の感光体となる。CTMを含有させて
もよいが、その上限はバインダ樹脂100重量部に対して2
0重量部とするのがよい。
In the photoconductor of FIG. 3A, the photoconductive layer 43
No carrier transport material (CTM) needs to be contained in this case, but in this case, the photoconductor has a high γ optical attenuation characteristic as shown in FIGS. 1 (b) and 2 (a). CTM may be contained, but the upper limit is 2 with respect to 100 parts by weight of the binder resin.
It is recommended to use 0 part by weight.

【0052】また、光導電層43の厚さは、5〜100μm程
度であるのがよく、一層好ましくは5〜50μmである。
なお、光導電層の膜厚が過小であると高帯電性が得られ
難く、雪崩現象による高γ特性が得られ難い。一方、過
大であると高帯電性が付与されるが、裾の長い光減衰特
性となり、鮮鋭度の高いドット状の画像が得られ難い。
The thickness of the photoconductive layer 43 is preferably about 5 to 100 μm, more preferably 5 to 50 μm.
If the film thickness of the photoconductive layer is too small, it is difficult to obtain high chargeability, and it is difficult to obtain high γ characteristics due to the avalanche phenomenon. On the other hand, if it is too large, high chargeability is imparted, but it has a light-attenuating property with a long hem, and it is difficult to obtain a dot-shaped image with high sharpness.

【0053】図3(b)、同図(c)は、他の態様の感
光体を示すものであって、図3(b)は、支持体41上に
電荷輸送層53を上層とし、電荷発生層52を下層とする積
層構成の光導電層43を設けたもの、図3(c)は、層53
と52とを上下逆にしたものを示す(但し、55は電荷発生
物質としての混晶フタロシアニン、56はキャリア輸送物
質である)。
3 (b) and 3 (c) show another embodiment of the photoconductor, in which FIG. 3 (b) shows the charge transport layer 53 on the support 41 and the charge transport layer 53 as the upper layer. A photoconductive layer 43 having a laminated structure with the generating layer 52 as a lower layer is provided, and FIG.
And 52 are shown upside down (however, 55 is a mixed crystal phthalocyanine as a charge generating substance, and 56 is a carrier transporting substance).

【0054】この積層構成の場合、電荷発生層52の厚さ
は好ましくは1〜20μm、特に好ましくは2〜10μmであ
る。この厚さが大き過ぎると残留電位が生じ、薄過ぎる
とオン・オフ特性を示さなくなる傾向がある。
In the case of this laminated structure, the thickness of the charge generation layer 52 is preferably 1 to 20 μm, particularly preferably 2 to 10 μm. If this thickness is too large, a residual potential is generated, and if it is too thin, on / off characteristics tend not to be exhibited.

【0055】又、上記の図3(a)〜(b)の光導電層
表面に保護層を設けてもよい。
A protective layer may be provided on the surface of the photoconductive layer shown in FIGS. 3 (a) and 3 (b).

【0056】次に、図4(a)及び(b)によって、本
発明の感光体を用いた画像形成方法を実施する装置の一
例を説明する。
Next, an example of an apparatus for carrying out the image forming method using the photoconductor of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 (a) and 4 (b).

【0057】図4(a)において、図中の11は矢印方向
に回転する本発明態様の感光体、21はコロナ帯電器、L
は半導体レーザ等の光学系26より照射されるドット状の
画像露光光、15は現像装置、30は転写前露光ランプ、31
は定着器、32は帯電前露光ランプ、33は転写電極、34は
分離電極、Pは転写紙、36はクリーニング装置(36aは
ファーブラシ、36bはトナー回収ローラ、36cはスクレ
ーバ)である。なお、現像装置15は、モノクロ又はモノ
カラー方式であってよいが、多色画像を得るにはイェロ
ー、マゼンタ、シアン、黒のトナーを夫々有する現像器
を設ける。
In FIG. 4A, 11 is a photoreceptor of the present invention which rotates in the direction of the arrow, 21 is a corona charger, and L
Is a dot-shaped image exposure light emitted from an optical system 26 such as a semiconductor laser, 15 is a developing device, 30 is a pre-transfer exposure lamp, 31
Is a fixing device, 32 is a pre-charge exposure lamp, 33 is a transfer electrode, 34 is a separation electrode, P is a transfer paper, 36 is a cleaning device (36a is a fur brush, 36b is a toner collecting roller, and 36c is a scraper). The developing device 15 may be of a monochrome or mono-color type, but in order to obtain a multicolor image, a developing device having yellow, magenta, cyan and black toners is provided.

【0058】感光体11は図1(b)、図2(a)のA、
図2(b)に示した高γ光減衰特性を有していて、スコ
ロトロン帯電極よりなるコロナ帯電器21により表面が均
一に帯電され、続いてレーザ光学系26から記録データに
従ったドット状の画像露光光Lが感光体11上に照射され
る。このようにして潜像が形成されてから、この潜像は
トナーが収容されている現像装置15により現像される。
Photoreceptor 11 is shown in FIG. 1 (b) and FIG. 2 (a) as A,
It has the high γ light attenuation characteristics shown in FIG. 2B, the surface is uniformly charged by the corona charger 21 composed of a scorotron band electrode, and then the laser optical system 26 forms dots according to the recording data. The image exposure light L is irradiated onto the photoconductor 11. After the latent image is formed in this manner, the latent image is developed by the developing device 15 containing the toner.

【0059】トナー像を形成された感光体11は、必要に
応じて転写前露光ランプ30により均一に照射された後、
転写極33により転写紙Pに転写される。転写紙Pは分離
極34により感光体11から分離され、定着器31で定着され
る。転写前露光ランプ30はなくてもよく、また、これに
替えてAC除電を与えてもよい。一方、感光体11はクリ
ーニング装置36により清掃される。クリーニング装置36
のファーブラシ36aは像形成中は感光体11とは非接触に
保たれていて、感光体11にトナー像が形成されると、そ
の転写後に感光体11と接触し、矢印方向に回転しながら
転写残トナーを掻取る。
The photoreceptor 11 on which the toner image is formed is uniformly irradiated by the pre-transfer exposure lamp 30 if necessary, and then,
It is transferred onto the transfer paper P by the transfer pole 33. The transfer paper P is separated from the photoconductor 11 by the separation electrode 34 and fixed by the fixing device 31. The pre-transfer exposure lamp 30 may be omitted, and AC charge removal may be applied instead. On the other hand, the photoconductor 11 is cleaned by the cleaning device 36. Cleaning device 36
The fur brush 36a is kept in non-contact with the photoconductor 11 during image formation. When a toner image is formed on the photoconductor 11, the fur brush 36a comes into contact with the photoconductor 11 after the transfer and rotates in the direction of the arrow. The transfer residual toner is scraped off.

【0060】クリーニングが終るとファーブラシ36aは
再び感光体11から離れる。トナー回収ローラ36bは矢印
方向に回転しながら適当なバイアスが印加されて、ファ
ーブラシ36aよりトナーなどを回収する。それは更にス
クレーバ36cで掻取られる。
When the cleaning is completed, the fur brush 36a is separated from the photoconductor 11 again. An appropriate bias is applied to the toner collecting roller 36b while rotating in the direction of the arrow to collect toner and the like from the fur brush 36a. It is further scraped by the scraper 36c.

【0061】上記のレーザ光学系26を図4(b)に示
す。図中、37は半導体レーザダイオード、38は回転多面
鏡、39はfθレンズである。
The laser optical system 26 described above is shown in FIG. In the figure, 37 is a semiconductor laser diode, 38 is a rotating polygon mirror, and 39 is an fθ lens.

【0062】上記の方法において、使用するドット露光
用ビームとしては、特にGaAlAs等の半導体レーザ
の使用が好ましい。即ち、半導体レーザによれば、きわ
めて狭いパルス幅のレーザビームを形成することができ
るので、高鮮鋭度のドット状の静電潜像を形成すること
ができる。他にも、He-Ne、He-Cd或いはAr等
のガスレーザが用いられる。
In the above method, it is preferable to use a semiconductor laser such as GaAlAs as a dot exposure beam. That is, since the semiconductor laser can form a laser beam having an extremely narrow pulse width, it is possible to form a dot-shaped electrostatic latent image with high sharpness. Besides, a gas laser of He-Ne, He-Cd, Ar, or the like is used.

【0063】現像工程においては、露光用ビームにより
ドット露光して感光体上に形成したドット状の静電潜像
を、平均粒径1〜20μmの微粒子トナーを含む一成分系
又は二成分系現像剤を用いて現像する。
In the developing step, the dot-shaped electrostatic latent image formed on the photosensitive member by dot exposure with an exposure beam is subjected to one-component or two-component development containing fine particle toner having an average particle size of 1 to 20 μm. Develop with agent.

【0064】現像方式としては、接触反転現像方式を採
用してもよいし、また、感光体上に各色トナー像を重ね
合せて形成し、これを転写材上に一括転写し、定着して
カラー画像を形成するカラー画像形成方法においては、
現像領域に高周波交流バイアスを印加してトナーを飛翔
させて非接触で反転現像する方式を採用してもよい(特
開昭58-184381号参照)。
The contact reversal developing method may be adopted as the developing method, or the toner images of respective colors may be formed on the photoconductor in a superposed manner, and the toner images may be collectively transferred onto a transfer material and fixed to color the image. In the color image forming method for forming an image,
A method in which a high frequency AC bias is applied to the developing area to cause the toner to fly and non-contact reversal development may be employed (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-184381).

【0065】上記においては、接触反転現像方式を採用
する場合であっても、現像領域に交流バイアスを印加し
て現像するのがよく、該交流バイアスの作用によりトナ
ーが感光体の潜像面に垂直方向から押し付けられて現像
が行われ、潜像面の全体が均一でかつシャープに現像さ
れる利点がある。
In the above, even when the contact reversal development system is adopted, it is preferable to apply an AC bias to the developing area for development, and the action of the AC bias causes the toner to reach the latent image surface of the photoconductor. There is an advantage that the latent image surface is uniformly and sharply developed by being pressed and developed from the vertical direction.

【0066】[0066]

【実施例】【Example】

:チタニルフタロシアニンの合成:1,3-ジイミノイソイ
ンドリン29.2gとo-ジクロルベンゼン200ml及びチタニウ
ムテトラブトキシドシド20.4gを混合し、窒素気流下に
て3時間還流させた。放冷して室温に戻した後析出した
結晶を濾取し、o-ジクロルベンゼンで洗浄し、更にメタ
ノールで洗浄した。更に得られた結晶を2%塩酸水溶液
中室温にて数回撹拌洗浄し、さらに脱イオン水で数回洗
浄を繰返した。その後メタノールで洗浄後、乾燥して青
紫色のチタニルフタロシアニン結晶24.2gを得た。
: Synthesis of titanyl phthalocyanine: 2,3-diiminoisoindoline (29.2 g), o-dichlorobenzene (200 ml) and titanium tetrabutoxide side (20.4 g) were mixed and refluxed under a nitrogen stream for 3 hours. After allowing to cool and returning to room temperature, the precipitated crystals were collected by filtration, washed with o-dichlorobenzene and further washed with methanol. Further, the obtained crystals were washed with stirring in a 2% hydrochloric acid aqueous solution at room temperature several times, and further washed with deionized water several times. Then, it was washed with methanol and dried to obtain 24.2 g of blue-violet titanyl phthalocyanine crystal.

【0067】:バナジルフタロシアニンの合成:1,3-ジ
イミノイソインドリン29.2gとo-ジクロルベンゼン200ml
及びバナジルアセチルアセトナート8gを混合し、窒素
気流下にて5時間還流させた。その後放冷して室温に戻
した後析出した結晶を濾取し、o-ジクロルベンゼンで洗
浄し、更にメタノールで洗浄した。更に得られた結晶を
2%塩酸水溶液中室温にて数回撹拌洗浄し、さらに脱イ
オン水で数回洗浄を繰返した。乾燥後この結晶を1-クロ
ルナフタレンで再結晶して紫色のバナジルフタロシアニ
ン結晶18.9gを得た。
Synthesis of vanadyl phthalocyanine: 29.2 g of 1,3-diiminoisoindoline and 200 ml of o-dichlorobenzene
And 8 g of vanadyl acetylacetonate were mixed and refluxed under a nitrogen stream for 5 hours. Then, the mixture was allowed to cool to room temperature and then the precipitated crystals were collected by filtration, washed with o-dichlorobenzene, and further washed with methanol. Further, the obtained crystals were washed with stirring in a 2% hydrochloric acid aqueous solution at room temperature several times, and further washed with deionized water several times. After drying, this crystal was recrystallized from 1-chloronaphthalene to obtain 18.9 g of purple vanadyl phthalocyanine crystal.

【0068】:混晶の合成: 合成例1 チタニルフタロシアニン4g及びバナジルフタロシアニ
ン1gを氷冷下250gの96%硫酸に溶解し、この硫酸溶液
を5lの水にあけて析出したアモルファス状態のウエッ
トペーストを濾取した。
Synthesis of Mixed Crystals: Synthesis Example 1 4 g of titanyl phthalocyanine and 1 g of vanadyl phthalocyanine were dissolved in 250 g of 96% sulfuric acid under ice cooling, and this sulfuric acid solution was poured into 5 l of water to form an amorphous wet paste. It was collected by filtration.

【0069】更にこのウエットペーストとo-ジクロルベ
ンゼン50gを混合し、50℃の温度で2時間撹拌した。こ
の反応液をメタノールで希釈後濾過し、更に得られた結
晶をメタノールで数回洗浄して青色結晶を得た。この結
晶は図5に示すようにブラッグ角2θの9.5°及び27.2
°にピークを有し、かつ示差熱分析によって237℃に発
熱ピークを有する本発明の混晶フタロシアニンであるこ
とが判った。更にこの結晶は赤外吸収スペクトルを図19
に示すが、本発明の結晶は特に950〜1050cm-1の領域に
特徴的な吸収を示す。図20は特にこの領域の吸収スペク
トルを示した。比較合成例(1)と異なり994cm-1に本
発明の結晶に特徴的な吸収が見られるが、これはバナジ
ルフタロシアニンのV=O結合に由来する吸収と考えら
れる。また961cm-1にも吸収を示しており、これは比較
合成例(3)と同様のチタニルフタロシアニンのTi=
O吸収と考えられる。このように本発明の混晶フタロシ
アニンは2種のフタロシアニンが互いに独立に本発明の
結晶型に由来する吸収を示し、この2種のフタロシアニ
ンの存在を支持している。
Further, 50 g of this wet paste and o-dichlorobenzene were mixed and stirred at a temperature of 50 ° C. for 2 hours. The reaction solution was diluted with methanol and filtered, and the obtained crystals were washed with methanol several times to obtain blue crystals. This crystal has a Bragg angle of 2θ of 9.5 ° and 27.2 as shown in Fig. 5.
It was found to be the mixed crystal phthalocyanine of the present invention having a peak at ° and an exothermic peak at 237 ° C by differential thermal analysis. Furthermore, this crystal has an infrared absorption spectrum shown in FIG.
In particular, the crystal of the present invention exhibits a characteristic absorption in the region of 950 to 1050 cm -1 . FIG. 20 particularly shows the absorption spectrum in this region. Unlike the comparative synthesis example (1), absorption characteristic of the crystal of the present invention is observed at 994 cm −1 , which is considered to be absorption derived from the V═O bond of vanadyl phthalocyanine. It also shows absorption at 961 cm -1 , which is similar to that of Comparative Synthesis Example (3) in that Ti =
Considered O absorption. As described above, the mixed crystal phthalocyanine of the present invention shows absorption in which two kinds of phthalocyanines are independently derived from the crystal form of the present invention, and supports the existence of these two kinds of phthalocyanines.

【0070】合成例2 合成例1においてチタニルフタロシアニン2.5g及びバナ
ジルフタロシアニン2.5gを用いた他は合成例1と同様に
して青色結晶を得た。この結晶は図6に示すようにブラ
ッグ角2θの9.5°及び27.2°にピークを有し、また示
差熱分析において228℃に発熱ピークを示した。さらに
赤外吸収スペクトルにおいては図21に示すように994cm
-1と961cm-1に吸収を示した。
Synthesis Example 2 Blue crystals were obtained in the same manner as in Synthesis Example 1 except that 2.5 g of titanyl phthalocyanine and 2.5 g of vanadyl phthalocyanine were used in Synthesis Example 1. As shown in FIG. 6, this crystal had peaks at Bragg angles 2θ of 9.5 ° and 27.2 °, and also showed an exothermic peak at 228 ° C. in differential thermal analysis. Furthermore, in the infrared absorption spectrum, as shown in Fig. 21, it is 994 cm.
Absorption at -1 and 961 cm -1 .

【0071】合成例3 合成例1においてチタニルフタロシアニン1g及びバナ
ジルフタロシアニン4gを用いた他は合成例1と同様に
して青色結晶を得た。この結晶は図7に示すようにブラ
ッグ角2θの9.5°及び27.2°にピークを有し、また示
差熱分析において219℃に発熱ピークを示した。更に赤
外吸収スペクトルにおいては図22に示すように995cm-1
と961cm-1に吸収を示した。
Synthesis Example 3 Blue crystals were obtained in the same manner as in Synthesis Example 1, except that 1 g of titanyl phthalocyanine and 4 g of vanadyl phthalocyanine were used in Synthesis Example 1. As shown in FIG. 7, this crystal had peaks at Bragg angles 2θ of 9.5 ° and 27.2 °, and also showed an exothermic peak at 219 ° C. in differential thermal analysis. Furthermore, in the infrared absorption spectrum, as shown in Fig. 22, 995 cm -1
And showed absorption at 961 cm -1 .

【0072】合成例4 合成例1においてチタニルフタロシアニン0.5g及びバナ
ジルフタロシアニン4.5gを用いた他は合成例1と同様に
して青色結晶を得た。この結晶は図8に示すようにブラ
ッグ角2θの9.5°及び27.2°にピークを有し、また示
差熱分析において216℃に発熱ピークを示した。更に赤
外吸収スペクトルにおいては図23に示すように1003cm-1
と965cm-1及び961cm-1に吸収を示した。
Synthesis Example 4 Blue crystals were obtained in the same manner as in Synthesis Example 1 except that 0.5 g of titanyl phthalocyanine and 4.5 g of vanadyl phthalocyanine were used in Synthesis Example 1. As shown in FIG. 8, this crystal had peaks at Bragg angles 2θ of 9.5 ° and 27.2 °, and also showed an exothermic peak at 216 ° C. in differential thermal analysis. Furthermore, in the infrared absorption spectrum, as shown in Fig. 23, 1003 cm -1
And absorption at 965 cm -1 and 961 cm -1 .

【0073】合成例5 合成例1においてチタニルフタロシアニン4.75g及びバ
ナジルフタロシアニン0.25gを用いた他は合成例1と同
様にして青色結晶を得た。この結晶は図9に示すように
ブラッグ角2θの9.5°及び27.2°にピークを有し、ま
た示差熱分析において247℃に発熱ピークを示した。
Synthesis Example 5 Blue crystals were obtained in the same manner as in Synthesis Example 1 except that 4.75 g of titanyl phthalocyanine and 0.25 g of vanadyl phthalocyanine were used in Synthesis Example 1. As shown in FIG. 9, this crystal had peaks at Bragg angles 2θ of 9.5 ° and 27.2 °, and also showed an exothermic peak at 247 ° C in differential thermal analysis.

【0074】合成例6 合成例2において得られた図6の混晶フタロシアニンを
THF中でミリングを行い、更にメタノールで洗浄して
図10に示したようにブラッグ角2θの9.1゜及び27.2゜
にピークを有するチタニルフタロシアニンを得た。この
チタニルフタロシアニンは示差熱分析において300℃に
発熱ピークが観測された。更に赤外吸収スペクトルにお
いては図21に示すように994cm-1及び961cm-1に吸収を示
した。
Synthesis Example 6 The mixed crystal phthalocyanine of FIG. 6 obtained in Synthesis Example 2 was milled in THF and further washed with methanol to obtain Bragg angles 2θ of 9.1 ° and 27.2 ° as shown in FIG. A titanyl phthalocyanine having a peak was obtained. An exothermic peak of this titanyl phthalocyanine was observed at 300 ° C. in the differential thermal analysis. Further, in the infrared absorption spectrum, as shown in FIG. 21, absorption was shown at 994 cm −1 and 961 cm −1 .

【0075】合成例7 合成例3において得られた図7の混晶フタロシアニンを
THF中でミリングを行い、更にメタノールで洗浄して
図11に示したようにブラッグ角2θの9.1゜及び27.2゜
にピークを有するチタニルフタロシアニンを得た。この
チタニルフタロシアニンは示差熱分析において248℃に
発熱ピークが観測された。
Synthesis Example 7 The mixed crystal phthalocyanine of FIG. 7 obtained in Synthesis Example 3 was milled in THF and further washed with methanol to obtain Bragg angles 2θ of 9.1 ° and 27.2 ° as shown in FIG. A titanyl phthalocyanine having a peak was obtained. An exothermic peak of this titanyl phthalocyanine was observed at 248 ° C. in the differential thermal analysis.

【0076】合成例8 合成例1においてチタニルフタロシアニン4gとバナジ
ルフタロシアニン1gのほかにテトラー-t-ブチルチタニ
ルフタロシアニン0.5gを加えた他は合成例1と同様にし
てチタニルフタロシアニンとバナジルフタロシアニンの
混晶を得た。この結晶は図12に示すようにブラッグ角2
θの9.5°と27.2°にピークを有していたが示差熱分析
においてはピークはブロードとなっており明瞭な発熱ピ
ークは観測されなかった。
Synthesis Example 8 A mixed crystal of titanyl phthalocyanine and vanadyl phthalocyanine was prepared in the same manner as in Synthesis Example 1 except that 0.5 g of tetra-t-butyl titanyl phthalocyanine was added in addition to 4 g of titanyl phthalocyanine and 1 g of vanadyl phthalocyanine in Synthesis Example 1. Obtained. This crystal has a Bragg angle of 2 as shown in FIG.
There were peaks at 9.5 ° and 27.2 ° in θ, but the peaks were broad and no clear exothermic peak was observed in the differential thermal analysis.

【0077】合成例9 合成例8において得られた混晶フタロシアニンをミリン
グによりブラッグ角2θの9.1°と27.2°にピークを有
する混晶フタロシアニンに変換した。その混晶にも示差
熱分析における明瞭な発熱ピークは観測されなかった。
Synthesis Example 9 The mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 8 was converted to a mixed crystal phthalocyanine having peaks at 9.1 ° and 27.2 ° of Bragg angles 2θ by milling. No clear exothermic peak was observed in the mixed crystal in the differential thermal analysis.

【0078】合成例10 チタニルフタロシアニン4g及びバナジルフタロシアニ
ン1gを混合して乳鉢を用いて十分混合した後、自動乳
鉢にてX線回折において明瞭なピークが観測されなくな
るまで粉砕してアモルファスのチタニルフタロシアニン
とバナジルフタロシアニンからなる組成物を得た。これ
をメタノールにて洗い出した後、水50l中で十分撹拌し
た。その後o-ジクロルベンゼン50gを加えて50℃にて2
時間撹拌した。この溶液をメタノールで希釈後濾過し、
更に得られた結晶をメタノールで数回洗浄して青色結晶
を得た。この結晶はブラッグ角2θの9.5°と27.2°に
ピークを有し、示差熱分析においては237℃に発熱ピー
クが観測された。
Synthetic Example 10 4 g of titanyl phthalocyanine and 1 g of vanadyl phthalocyanine were mixed and thoroughly mixed in a mortar, and then pulverized in an automatic mortar until no clear peak was observed in X-ray diffraction to give amorphous titanyl phthalocyanine. A composition consisting of vanadyl phthalocyanine was obtained. After washing this with methanol, it was thoroughly stirred in 50 l of water. Then add 50 g of o-dichlorobenzene and add 2 at 50 ℃.
Stir for hours. This solution was diluted with methanol and filtered,
Further, the obtained crystals were washed with methanol several times to obtain blue crystals. This crystal had peaks at Bragg angles 2θ of 9.5 ° and 27.2 °, and an exothermic peak was observed at 237 ° C in the differential thermal analysis.

【0079】比較合成例(1) バナジルフタロシアニンとして1,3-ジイミノイソインド
リンとバナジルアセチルアセトナートの反応によって得
られた再結晶していない粗結晶を用い、この粗結晶5g
を合成例1と同様に96%硫酸250gに氷冷下溶解し、この
硫酸溶液を5lの水にあけて析出したアモルファス状態
のウエットペーストを濾取した。
Comparative Synthesis Example (1) As the vanadyl phthalocyanine, unrecrystallized crude crystal obtained by the reaction of 1,3-diiminoisoindoline and vanadyl acetylacetonate was used, and 5 g of this crude crystal was used.
Was dissolved in 250 g of 96% sulfuric acid under ice cooling in the same manner as in Synthesis Example 1, the sulfuric acid solution was poured into 5 l of water, and the wet paste in an amorphous state deposited was collected by filtration.

【0080】更にこのウエットペーストとo-ジクロルベ
ンゼン50gを混合し、50℃の温度で2時間撹拌した。こ
の反応液をメタノールで希釈後濾過し、更に得られた結
晶をメタノールで数回洗浄して青色結晶を得た。この結
晶は図13に示すようにブラッグ角2θの7.5゜、9.5゜、
27.2゜及び28.6゜にピークを有したが、示差熱分析にお
ける明瞭な発熱ピークは見られなかった。更に赤外吸収
スペクトルにおいては図24のように1003cm-1に吸収を示
した。
Further, this wet paste was mixed with 50 g of o-dichlorobenzene and stirred at a temperature of 50 ° C. for 2 hours. The reaction solution was diluted with methanol and filtered, and the obtained crystals were washed with methanol several times to obtain blue crystals. This crystal has a Bragg angle 2θ of 7.5 °, 9.5 °, as shown in FIG.
Although it had peaks at 27.2 ° and 28.6 °, no distinct exothermic peak was observed in the differential thermal analysis. Further, in the infrared absorption spectrum, absorption was shown at 1003 cm −1 as shown in FIG.

【0081】比較合成例(2) 比較合成例(1)においてバナジルフタロシアニンとし
て1-クロルナフタレンにて再結晶精製したバナジルフタ
ロシアニンを用いた他は合成例1と同様にして青色結晶
を得た。この結晶は図14に示すようにブラッグ角2θの
7.5゜及び28.6゜にピークを有し、示差熱分析において
も明瞭な発熱ピークは認められなかった。更に赤外吸収
スペクトルにおいては1003cm-1に吸収を示した。
Comparative Synthesis Example (2) A blue crystal was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1 except that vanadyl phthalocyanine recrystallized and refined with 1-chloronaphthalene was used as vanadyl phthalocyanine in Comparative Synthesis Example (1). This crystal has a Bragg angle of 2θ as shown in Fig. 14.
It had peaks at 7.5 ° and 28.6 °, and no distinct exothermic peak was observed in differential thermal analysis. In addition, the infrared absorption spectrum showed absorption at 1003 cm -1 .

【0082】比較合成例(3) 比較合成例(1)においてバナジルフタロシアニンの代
りに上記合成例によって得られるチタニルフタロシアニ
ンを用いた他は比較合成例(1)と同様にして青色結晶
を得た。この結晶は図15に示すようにブラッグ角2θの
9.5゜及び27.2゜にピークを有し、示差熱分析において2
55℃に発熱ピークを有するチタニルフタロシアニンであ
った。更に、この結晶は赤外吸収スペクトルにおいて図
25に示すように961cm-1に吸収を示した。
Comparative Synthesis Example (3) Blue crystals were obtained in the same manner as in Comparative Synthesis Example (1) except that the titanyl phthalocyanine obtained in the above Synthesis Example was used instead of vanadyl phthalocyanine in Comparative Synthesis Example (1). This crystal has a Bragg angle of 2θ as shown in Fig. 15.
It has peaks at 9.5 ° and 27.2 ° and is 2 in differential thermal analysis.
It was titanyl phthalocyanine having an exothermic peak at 55 ° C. Furthermore, this crystal shows
As shown in 25, absorption was exhibited at 961 cm -1 .

【0083】比較合成例(4) 比較合成例(3)によって得られるチタニルフタロシア
ニンをTHF中でミリングし、更にメタノールで洗浄し
て青色結晶を得た。この結晶は図16に示すようにブラッ
グ角2θの9.0゜及び27.2゜にピークを有し、また示差
熱分析において361℃に発熱ピークを有するチタニルフ
タロシアニンであった。
Comparative Synthesis Example (4) The titanyl phthalocyanine obtained in Comparative Synthesis Example (3) was milled in THF and further washed with methanol to obtain blue crystals. As shown in FIG. 16, this crystal was titanyl phthalocyanine having peaks at Bragg angles 2θ of 9.0 ° and 27.2 ° and having an exothermic peak at 361 ° C. in differential thermal analysis.

【0084】比較合成例(5) 合成例1によって得られるウエットペーストを十分乾燥
させて得られた粉末を1-クロルナフタレンにより再結晶
した。得られた結晶は図17に示すようにブラッグ角2θ
の9.2゜、10.5゜、13.1゜、15.0゜、26.2゜、27.1゜に
ピークを有するA型結晶で、示差熱分析では150℃以上4
00℃以下の領域に発熱ピークを示さなかった。
Comparative Synthesis Example (5) The powder obtained by sufficiently drying the wet paste obtained in Synthesis Example 1 was recrystallized with 1-chloronaphthalene. The obtained crystal has a Bragg angle of 2θ as shown in FIG.
It is an A-type crystal with peaks at 9.2 °, 10.5 °, 13.1 °, 15.0 °, 26.2 °, and 27.1 °.
No exothermic peak was shown in the region below 00 ° C.

【0085】比較合成例(6) 合成例2によって得られるウエットペーストを十分乾燥
させて得られる粉末2gを150mlの1,1,2,2-テトラクロル
エタン中で加熱還流して図18のようなブラッグ角2θの
7.5゜、28.6゜にピークを有するB型結晶を得た。この
結晶の示差熱分析を行ったところ150℃以上400℃以下の
領域には明瞭な発熱ピークは観測されなかった。
Comparative Synthesis Example (6) 2 g of powder obtained by sufficiently drying the wet paste obtained in Synthesis Example 2 was heated to reflux in 150 ml of 1,1,2,2-tetrachloroethane, and as shown in FIG. With a Bragg angle of 2θ
A B-type crystal having peaks at 7.5 ° and 28.6 ° was obtained. When a differential thermal analysis of this crystal was performed, no clear exothermic peak was observed in the region of 150 ° C to 400 ° C.

【0086】比較合成例(7) 比較合成例(3)によって得られるチタニルフタロシア
ニン2.5gと比較合成例1によって得られるバナジルフタ
ロシアニン2.5gを結晶転移を起こさないような条件によ
り乳鉢をもちいて十分均一に混合した。この混合物の示
差熱分析を行ったところ255℃に発熱ピークが観測され
比較合成例(3)のチタニルフタロシアニンの値と一致
した。また赤外吸収スペクトルにおいては961cm-1と100
3cm-1にピークを示し、それぞれ比較合成例(3)のチ
タニルフタロシアニンと比較合成例(1)のバナジルフ
タロシアニンの値と一致した。しかしながら合成例2に
見られるような994cm-1のピークは観測されなかった。
Comparative Synthetic Example (7) 2.5 g of the titanyl phthalocyanine obtained in Comparative Synthetic Example (3) and 2.5 g of vanadyl phthalocyanine obtained in Comparative Synthetic Example 1 were sufficiently homogeneous using a mortar under the condition that crystal transition did not occur. Mixed in. When a differential thermal analysis of this mixture was carried out, an exothermic peak was observed at 255 ° C., which was in agreement with the value of titanyl phthalocyanine of Comparative Synthesis Example (3). In the infrared absorption spectrum, 961 cm -1 and 100
A peak was shown at 3 cm -1 , which was in agreement with the values of titanyl phthalocyanine of Comparative Synthesis Example (3) and vanadyl phthalocyanine of Comparative Synthesis Example (1). However, the peak at 994 cm -1 as seen in Synthesis Example 2 was not observed.

【0087】比較合成例(8) 比較合成例(3)によって得られるチタニルフタロシア
ニン2.5gとアシッドペースト処理によってアモルファス
としたバナジルフタロシアニンを結晶転移を起こさない
ような条件により乳鉢をもちいて十分均一に混合した。
この混合物の示差熱分析を行ったところ255℃と240℃に
発熱ピークが観測され、この値はそれぞれ比較合成例
(3)のチタニルフタロシアニンとアモルファス化した
バナジルフタロシアニンの値と一致した。また赤外吸収
スペクトルにおいて図26のような961cm-1と998cm-1にピ
ークを示し、それぞれ比較合成例(3)のチタニルフタ
ロシアニンとアモルファス化したバナジルフタロシアニ
ンの値と一致した。しかしながら合成例2に見られるよ
うな994cm-1のピークは観測されなかった。
Comparative Synthetic Example (8) 2.5 g of the titanyl phthalocyanine obtained in Comparative Synthetic Example (3) and vanadyl phthalocyanine which was made amorphous by acid paste treatment were mixed sufficiently uniformly using a mortar under the condition that crystal transition does not occur. did.
When differential thermal analysis of this mixture was carried out, exothermic peaks were observed at 255 ° C. and 240 ° C., and these values were respectively in agreement with those of the titanyl phthalocyanine of Comparative Synthesis Example (3) and vanadyl phthalocyanine amorphized. In the infrared absorption spectrum showed a peak at 961cm -1 and 998 -1 as shown in FIG. 26, it matches the value of the titanyl phthalocyanine and amorphized vanadyl phthalocyanine, respectively Comparative Synthesis Example (3). However, the peak at 994 cm -1 as seen in Synthesis Example 2 was not observed.

【0088】実施例1 合成例1で得られた本発明の混晶フタロシアニン4部、
バインダ樹脂としてポリエステル樹脂(「アルマテック
スP−645」三井東圧化学(株)社製)8部、メラミン
樹脂(「コーバンマ1R」三井東圧化学(株)社製)2
部、分散媒としてシクロヘキサン90部をサンドグライン
ダで分散し、分散液を得た。
Example 1 4 parts of the mixed crystal phthalocyanine of the present invention obtained in Synthesis Example 1,
8 parts of polyester resin (“ALMATEX P-645” manufactured by Mitsui Toatsu Chemical Co., Ltd.) as a binder resin, melamine resin (“Kobanma 1R” manufactured by Mitsui Toatsu Chemical Co., Ltd.) 2
Parts, and 90 parts of cyclohexane as a dispersion medium were dispersed by a sand grinder to obtain a dispersion liquid.

【0089】本分散液を直系150mmのアルミニウム製ド
ラムに浸漬塗布し、120℃で1時間熱処理乾燥し、膜厚1
5μmの光導電層を形成し、本発明の感光体を得、これを
サンプル1とする。
This dispersion was dip-coated on a direct aluminum drum of 150 mm and heat-dried at 120 ° C. for 1 hour to give a film thickness of 1
A photoconductive layer having a thickness of 5 μm is formed to obtain a photoreceptor of the present invention, which will be referred to as Sample 1.

【0090】実施例2 実施例1において、合成例1で得られた混晶フタロシア
ニンを用いる代りに合成例2で得られた混晶フタロシア
ニンを用いた他は実施例1と全く同様にして感光体を作
成した。これをサンプル2とする。
Example 2 A photoreceptor was prepared in the same manner as in Example 1 except that the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 1 was used instead of the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 1. It was created. This is sample 2.

【0091】実施例3 実施例1において、合成例1で得られた混晶フタロシア
ニンを用いる代りに合成例3で得られた混晶フタロシア
ニンを用いた他は実施例1と全く同様にして感光体を作
成した。これをサンプル3とする。
Example 3 A photoreceptor was prepared in the same manner as in Example 1 except that the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 1 was used instead of the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 1. It was created. This is sample 3.

【0092】実施例4 実施例1において、合成例1で得られた混晶フタロシア
ニンを用いる代りに合成例4で得られた混晶フタロシア
ニンを用いた他は実施例1と全く同様にして感光体を作
成した。これをサンプル4とする。
Example 4 A photoreceptor was prepared in the same manner as in Example 1 except that the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 1 was used instead of the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 1. It was created. This is sample 4.

【0093】実施例5 実施例1において、合成例1で得られた混晶フタロシア
ニンを用いる代りに合成例5で得られた混晶フタロシア
ニンを用いた他は実施例1と全く同様にして感光体を作
成した。これをサンプル5とする。
Example 5 A photoreceptor was prepared in the same manner as in Example 1 except that the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 1 was used instead of the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 1. It was created. This is sample 5.

【0094】実施例6 実施例1において、合成例1で得られた混晶フタロシア
ニンを用いる代りに合成例6で得られた混晶フタロシア
ニンを用いた他は実施例1と全く同様にして感光体を作
成した。これをサンプル6とする。
Example 6 A photoreceptor was prepared in the same manner as in Example 1 except that the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 1 was used instead of the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 1. It was created. This is sample 6.

【0095】実施例7 実施例1において、合成例1で得られた混晶フタロシア
ニンを用いる代りに合成例7で得られた混晶フタロシア
ニンを用いた他は実施例1と全く同様にして感光体を作
成した。これをサンプル7とする。
Example 7 A photoreceptor was prepared in the same manner as in Example 1 except that the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 1 was used instead of the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 1. It was created. This is sample 7.

【0096】実施例8 実施例1において、合成例1で得られた混晶フタロシア
ニンを用いる代りに合成例8で得られた混晶フタロシア
ニンを用いた他は実施例1と全く同様にして感光体を作
成した。これをサンプル8とする。
Example 8 A photoreceptor was prepared in the same manner as in Example 1 except that the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 1 was used instead of the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 1. It was created. This is sample 8.

【0097】実施例9 実施例1において、合成例1で得られた混晶フタロシア
ニンを用いる代りに合成例9で得られた混晶フタロシア
ニンを用いた他は実施例1と全く同様にして感光体を作
成した。これをサンプル9とする。
Example 9 A photoreceptor was prepared in the same manner as in Example 1 except that the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 1 was used instead of the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 1. It was created. This is sample 9.

【0098】実施例10 実施例1において、合成例1で得られた混晶フタロシア
ニンを用いる代りに合成例10で得られた混晶フタロシア
ニンを用いた他は実施例1と全く同様にして感光体を作
成した。これをサンプル10とする。
Example 10 A photoreceptor was prepared in the same manner as in Example 1 except that the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 1 was used instead of the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 1. It was created. This is sample 10.

【0099】比較例(1) 実施例1において合成例1で得られた混晶フタロシアニ
ンを用いる代りに比較合成例(1)で得られたバナジル
フタロシアニンを用いた他は実施例1と同様にして感光
体を作成した。これを比較サンプル(1)とする。
Comparative Example (1) In the same manner as in Example 1 except that the vanadyl phthalocyanine obtained in Comparative Synthesis Example (1) was used in place of the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 1 in Example 1. A photoconductor was created. This is designated as Comparative Sample (1).

【0100】比較例(2) 実施例1において合成例1で得られた混晶フタロシアニ
ンを用いる代りに比較合成例(2)で得られたバナジル
フタロシアニンを用いた他は実施例1と同様にして感光
体を作成した。これを比較サンプル(2)とする。
Comparative Example (2) In the same manner as in Example 1 except that the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 1 in Example 1 was replaced by the vanadyl phthalocyanine obtained in Comparative Synthesis Example (2). A photoconductor was created. This is designated as Comparative Sample (2).

【0101】比較例(3) 実施例1において合成例1で得られた混晶フタロシアニ
ンを用いる代りに比較合成例(3)で得られたチタニル
フタロシアニンを用いた他は実施例1と同様にして感光
体を作成した。これを比較サンプル(3)とする。
Comparative Example (3) In the same manner as in Example 1 except that the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 1 in Example 1 was replaced by the titanyl phthalocyanine obtained in Comparative Synthesis Example (3). A photoconductor was created. This is designated as Comparative Sample (3).

【0102】比較例(4) 実施例10において合成例1で得られた混晶フタロシアニ
ンを用いる代りに比較合成例(4)で得られたチタニル
フタロシアニンを用いた他は実施例10と同様にして感光
体を作成した。これを比較サンプル(4)とする。
Comparative Example (4) In the same manner as in Example 10 except that the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 1 in Example 10 was replaced by the titanyl phthalocyanine obtained in Comparative Synthesis Example (4). A photoconductor was created. This is designated as Comparative Sample (4).

【0103】比較例(5) 実施例1において合成例1で得られた混晶フタロシアニ
ンを用いる代りに比較合成例(5)で得られたチタニル
フタロシアニンとバナジルフタロシアニンの混晶のA型
結晶を用いた他は実施例1と同様にして感光体を作成し
た。これを比較サンプル(5)とする。
Comparative Example (5) Instead of using the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 1 in Example 1, the mixed crystal A-type crystal of titanyl phthalocyanine and vanadyl phthalocyanine obtained in Comparative Synthesis Example (5) was used. A photoconductor was prepared in the same manner as in Example 1 except that it was used. This is designated as Comparative Sample (5).

【0104】比較例(6) 実施例1において合成例1で得られた混晶フタロシアニ
ンを用いる代りに比較合成例(6)で得られたチタニル
フタロシアニンとバナジルフタロシアニンの混晶のB型
結晶を用いた他は実施例1と同様にして感光体を作成し
た。これを比較サンプル(6)とする。
Comparative Example (6) Instead of using the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 1 in Example 1, the B-type crystal of the mixed crystal of titanyl phthalocyanine and vanadyl phthalocyanine obtained in Comparative Synthesis Example (6) was used. A photoconductor was prepared in the same manner as in Example 1 except that it was used. This is designated as Comparative Sample (6).

【0105】比較例(7) 実施例1において合成例1で得られた混晶フタロシアニ
ンを用いる代りに比較合成例(7)で得られたチタニル
フタロシアニンとバナジルフタロシアニンの混合物を用
いた他は実施例1と同様にして感光体を作成した。これ
を比較サンプル(7)とする。
Comparative Example (7) Example except that the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 1 in Example 1 was used instead of the mixture of titanyl phthalocyanine and vanadyl phthalocyanine obtained in Comparative Synthesis Example (7). A photoconductor was prepared in the same manner as in 1. This is designated as Comparative Sample (7).

【0106】比較例(8) 実施例1において合成例1で得られた混晶フタロシアニ
ンを用いる代りに比較合成例(8)で得られたチタニル
フタロシアニンとバナジルフタロシアニンの混合物を用
いた他は実施例1と同様にして感光体を作成した。これ
を比較サンプル(8)とする。
Comparative Example (8) Example except that the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 1 in Example 1 was replaced by the mixture of titanyl phthalocyanine and vanadyl phthalocyanine obtained in Comparative Synthesis Example (8). A photoconductor was prepared in the same manner as in 1. This is designated as Comparative Sample (8).

【0107】(評価)前記の各感光体を「Konica8010」
(コニカ(株)社製)改造機に装着し、赤色現像器位置
でのレーザオン電位VL、レーザオフ電位VHの測定をス
タート1サイクル目と1万サイクル目で夫々表面電位計
(AA-2404(安藤電気社製))で測定した。又、2ドッ
ト細線を黒で画像出しを行ない、これをマイクロデンシ
トメータ(コニカ(株)社製)で測定し、ピーク濃度の
1/2の線幅を求め画質評価を行なった。
(Evaluation) “Konica 8010” was used for each photoreceptor described above.
Attached to (Konica Co., Ltd.) modified machine red developing device laser on the potential V L at position start the first cycle measured laser-off potential V H and the 10,000 cycle at each surface potentiometer (AA-2404 (Manufactured by Ando Electric Co., Ltd.). In addition, a 2-dot thin line was imaged in black, and this was measured with a microdensitometer (manufactured by Konica Corp.) to determine the peak density.
The line width of 1/2 was obtained and the image quality was evaluated.

【0108】結果を表1,表2に示す。The results are shown in Tables 1 and 2.

【0109】 表1:電位変化: 試料No スタート時電位 1万サイクル電位 △V1/1万 VH/VL(V) VH/VL(V) △VH/△VL(V) 実施例1 600/50 590/45 −10/−5 〃 2 600/55 590/50 −10/−5 〃 3 600/55 595/52 −5/−3 〃 4 600/60 590/55 −10/−5 〃 5 600/50 590/45 −10/−5 〃 6 600/50 590/45 −10/−5 〃 7 600/65 595/62 −5/−3 〃 8 600/55 590/50 −10/−5 〃 9 600/55 590/50 −10/−5 〃 10 600/50 590/45 −10/−5 比較例(1) 600/150 450/100 −150/−50 〃(2) 600/200 570/180 − 30/−20 〃(3) 600/50 500/20 −100/−30 〃(4) 600/70 470/30 −130/−40 〃(5) 600/100 470/60 −130/−40 〃(6) 600/90 430/30 −170/−60 〃(7) 600/100 500/70 −100/−30 〃(8) 600/100 500/70 −100/−30 表2:2ドット細線線幅: 試料No スタート時 1万サイクル時 1−1万サイクル (μm) (μm) 変動幅(μm) 実施例−1 240 250 10 〃 2 230 240 10 〃 3 230 240 10 〃 4 220 230 10 〃 5 240 250 10 〃 6 240 250 10 〃 7 210 220 10 〃 8 230 240 10 〃 9 230 240 10 〃 10 240 250 10 比較例(1) 170 320 150 〃 (2) 150 220 70 〃 (3) 240 350 110 〃 (4) 220 350 130 〃 (5) 200 330 130 〃 (6) 210 370 160 〃 (7) 200 310 110 〃 (8) 200 310 110 表1,表2から明らかなように、本実施例では、初期
感度VLが良好で、繰返しにおいて、VH,VL及び線幅が安
定しているが、比較例では変動が大きい。
Table 1: Potential change: Sample No. Start potential 10,000 cycle potential △ V1 / 10,000 VH / VL (V) VH / VL (V) △ VH / △ VL (V) Implementation Example 1 600/50 590/45 -10 / -5 〃 2 600/55 590/50 -10 / -5 〃 3 600/55 595/52 -5 / -3 〃 4 600/60 590/55 -10 / -5 〃 5 600/50 590/45 -10 / -5 〃 6 600/50 590/45 -10 / -5 〃 7 600/65 595/62 -5 / -3 〃 8 600/55 590 / 50- 10 / -5 〃 9 600/55 590/50 -10 / -5 〃 10 600/50 590/45 -10 / -5 Comparative example (1) 600/150 450/100 −150 / −50 〃 (2) 600/200 570/180 −30 / −20 〃 (3) 600/50 500/20 −100 / −30 〃 (4) 600/70 470/30 −130 / −40 〃 (5) 600/100 470 / 60 −130 / −40〃 (6) 600/90 430/30 −170 / −60〃 (7) 600/100 500/70 −100 / −30〃 (8) 600/100 500/70 −100 / − 30 Table 2: 2-dot thin line width: Trial No Start time 10,000 cycles 10,000 cycles (μm) (μm) Variation range (μm) Example-1 240 250 10 〃 2 230 240 10 〃 3 230 240 10 〃 4 220 230 10 〃 5 240 250 10 〃 6 240 250 10 〃 7 210 220 10 〃 8 230 240 10 〃 9 230 240 10 〃 10 240 250 10 Comparative Example (1) 170 320 150 〃 (2) 150 220 70 〃 (3) 240 350 110 〃 (4 ) 220 350 130 〃 (5) 200 330 130 〃 (6) 210 370 160 〃 (7) 200 310 110 〃 (8) 200 310 110 As is clear from Tables 1 and 2, in this example, the initial sensitivity was V L is good, and V H , V L, and the line width are stable during repetition, but the fluctuations are large in the comparative example.

【0110】[0110]

【発明の効果】高感度でかつ高γであり、更に繰返し表
面電位の安定は、細線再現性のよい感光体がえられる。
EFFECT OF THE INVENTION A photosensitive member having a high sensitivity and a high γ, and a stable surface potential repetitively and fine line reproducibility can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】感光体の帯電-暗減衰-光減衰の領域に亘る表面
電位変動を示す図。
FIG. 1 is a diagram showing surface potential fluctuations in a region of charging-dark decay-light decay of a photoconductor.

【図2】光減衰曲線の微分係数及び繰返し使用時の電位
低下を示す図。
FIG. 2 is a diagram showing a differential coefficient of an optical attenuation curve and a potential drop during repeated use.

【図3】本発明に係る感光体の層構成例の断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view of a layer configuration example of a photoconductor according to the present invention.

【図4】本発明の感光体を用いる画像形成装置の例の説
明図。
FIG. 4 is an explanatory diagram of an example of an image forming apparatus using the photoconductor of the present invention.

【図5】合成例1で得られた混晶フタロシアニンのX線
回折図。
5 is an X-ray diffraction pattern of the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 1. FIG.

【図6】合成例2で得られた混晶フタロシアニンのX線
回折図。
FIG. 6 is an X-ray diffraction diagram of the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 2.

【図7】合成例3で得られた混晶フタロシアニンのX線
回折図。
7 is an X-ray diffraction pattern of the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 3. FIG.

【図8】合成例4で得られた混晶フタロシアニンのX線
回折図。
FIG. 8 is an X-ray diffraction diagram of the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 4.

【図9】合成例5で得られた混晶フタロシアニンのX線
回折図。
FIG. 9 is an X-ray diffraction diagram of the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 5.

【図10】合成例6で得られた混晶フタロシアニンのX
線回折図。
FIG. 10: X of the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 6
Line diffraction diagram.

【図11】合成例7で得られた混晶フタロシアニンのX
線回折図。
FIG. 11: X of the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 7.
Line diffraction diagram.

【図12】合成例8で得られた混晶フタロシアニンのX
線回折図。
FIG. 12: X of mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 8
Line diffraction diagram.

【図13】比較合成例(1)で得られた混晶フタロシア
ニンのX線回折図。
FIG. 13 is an X-ray diffraction diagram of the mixed crystal phthalocyanine obtained in Comparative Synthesis Example (1).

【図14】比較合成例(2)で得られた混晶フタロシア
ニンのX線回折図。
FIG. 14 is an X-ray diffraction diagram of the mixed crystal phthalocyanine obtained in Comparative Synthesis Example (2).

【図15】比較合成例(3)で得られた混晶フタロシア
ニンのX線回折図。
FIG. 15 is an X-ray diffraction diagram of the mixed crystal phthalocyanine obtained in Comparative Synthesis Example (3).

【図16】比較合成例(4)で得られた混晶フタロシア
ニンのX線回折図。
FIG. 16 is an X-ray diffraction diagram of the mixed crystal phthalocyanine obtained in Comparative Synthesis Example (4).

【図17】比較合成例(5)で得られたA型混晶フタロ
シアニンのX線回折図。
FIG. 17 is an X-ray diffraction diagram of A-type mixed crystal phthalocyanine obtained in Comparative Synthesis Example (5).

【図18】比較合成例(6)で得られたB型混晶フタロ
シアニンのX線回折図。
FIG. 18 is an X-ray diffraction diagram of B-type mixed crystal phthalocyanine obtained in Comparative Synthesis Example (6).

【図19】合成例1で得られた混晶フタロシアニンの赤
外吸収スペクトル。
FIG. 19 is an infrared absorption spectrum of the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 1.

【図20】合成例1で得られた混晶フタロシアニンの赤
外吸収スペクトルの1部切出し図。
20 is a partial cutaway view of an infrared absorption spectrum of the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 1. FIG.

【図21】合成例2で得られた混晶フタロシアニンの赤
外吸収スペクトル。
FIG. 21 is an infrared absorption spectrum of the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 2.

【図22】合成例3で得られた混晶フタロシアニンの赤
外吸収スペクトル。
22 is an infrared absorption spectrum of the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 3. FIG.

【図23】合成例4で得られた混晶フタロシアニンの赤
外吸収スペクトル。
23 is an infrared absorption spectrum of the mixed crystal phthalocyanine obtained in Synthesis Example 4. FIG.

【図24】比較例(1)で得られた混晶フタロシアニン
の赤外吸収スペクトル。
FIG. 24 is an infrared absorption spectrum of the mixed crystal phthalocyanine obtained in Comparative Example (1).

【図25】比較例(2)で得られた混晶フタロシアニン
の赤外吸収スペクトル。
FIG. 25 is an infrared absorption spectrum of the mixed crystal phthalocyanine obtained in Comparative Example (2).

【図26】比較例(8)で得られたチタニルフタロシア
ニンとアモルファスバナジルフタロシアニン混合物の赤
外吸収スペクトル。
FIG. 26 is an infrared absorption spectrum of the mixture of titanyl phthalocyanine and amorphous vanadyl phthalocyanine obtained in Comparative Example (8).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

a 高γ光減衰曲線 a′ 低γ光減衰曲線 A aの微分係数曲線 A′ a′微分係数曲線 VL レーザオン電位 VH レーザオフ電位 41 導電性支持体 42 中間層 43 光導電層a high γ light attenuation curve a ′ low γ light attenuation curve A a derivative curve A ′ a ′ derivative curve VL laser-on potential V H laser-off potential 41 conductive support 42 intermediate layer 43 photoconductive layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡邉 一雅 東京都日野市さくら町1番地コニカ株式会 社 (72)発明者 伊丹 明彦 東京都日野市さくら町1番地コニカ株式会 社   ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Kazumasa Watanabe             Konica Stock Market, 1 Sakura-cho, Hino City, Tokyo             Company (72) Inventor Akihiko Itami             Konica Stock Market, 1 Sakura-cho, Hino City, Tokyo             Company

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電子写真感光体の帯電-暗減衰-光減衰
(露光)に亘る電位変動の前記光減衰(露光)領域にお
いて、光量に関する電位微分係数の絶対値に極大値を有
する感光体光導電層にチタニルフタロシアニンとバナジ
ルフタロシアニンの混晶を含有することを特徴とする電
子写真感光体。
1. A photoreceptor light having a maximum absolute value of a potential differential coefficient with respect to the amount of light in the light decay (exposure) region of the potential fluctuation of electrification-dark decay-light decay (exposure) of the electrophotographic photoreceptor. An electrophotographic photoreceptor comprising a conductive layer containing a mixed crystal of titanyl phthalocyanine and vanadyl phthalocyanine.
【請求項2】 チタニルフタロシアニンとバナジルフタ
ロシアニンの混晶がCuKα特性X線(波長1.541Å)
に対するブラッグ角2θの27.2±0.2°にピークを有
し、かつ示差熱分析において150℃以上400℃以下に発熱
ピークを有することを特徴とする請求項1に記載の電子
写真感光体。
2. A mixed crystal of titanyl phthalocyanine and vanadyl phthalocyanine is CuKα characteristic X-ray (wavelength 1.541Å).
2. The electrophotographic photosensitive member according to claim 1, having a peak at 27.2 ± 0.2 ° of Bragg angle 2θ with respect to, and having an exothermic peak at 150 ° C. to 400 ° C. in the differential thermal analysis.
【請求項3】 チタニルフタロシアニンとバナジルフタ
ロシアニンの混晶がCuKα特性X線(波長1.541Å)
に対するブラッグ角2θの9.5±0.2゜、27.2±0.2゜に
ピークを有することを特徴とする請求項1に記載の電子
写真感光体。
3. A mixed crystal of titanyl phthalocyanine and vanadyl phthalocyanine is CuKα characteristic X-ray (wavelength 1.541Å).
2. The electrophotographic photosensitive member according to claim 1, having peaks at 9.5 ± 0.2 ° and 27.2 ± 0.2 ° of the Bragg angle 2θ with respect to.
【請求項4】 電子写真感光体の帯電-暗減衰-光減衰
(露光)に亘る電位変動の前記光減衰(露光)領域にお
いて、光量に関する電位微分係数の絶対値に極大値を有
する感光体光導電層にCuKα特性X線(波長1.541
Å)に対するブラッグ角2θの9.1±0.2゜、27.2±0.2
゜にピークを有するチタニルフタロシアニンとバナジル
フタロシアニンの混晶を含有することを特徴とする電子
写真感光体。
4. A photoreceptor light having a maximum absolute value of a potential differential coefficient with respect to a light quantity in the light decay (exposure) region of the potential fluctuation over charging-dark decay-light decay (exposure) of the electrophotographic photoreceptor. CuKα characteristic X-ray (wavelength 1.541
Å) Bragg angle 2θ of 9.1 ± 0.2 °, 27.2 ± 0.2
An electrophotographic photosensitive member comprising a mixed crystal of titanyl phthalocyanine and vanadyl phthalocyanine having a peak at °.
JP16295691A 1991-07-03 1991-07-03 Electrophotographic sensitive body Pending JPH0511470A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16295691A JPH0511470A (en) 1991-07-03 1991-07-03 Electrophotographic sensitive body

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16295691A JPH0511470A (en) 1991-07-03 1991-07-03 Electrophotographic sensitive body

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0511470A true JPH0511470A (en) 1993-01-22

Family

ID=15764473

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16295691A Pending JPH0511470A (en) 1991-07-03 1991-07-03 Electrophotographic sensitive body

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0511470A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007199674A (en) * 2005-12-27 2007-08-09 Kyocera Mita Corp Image forming apparatus and image forming method
US7795053B2 (en) 2004-03-24 2010-09-14 Hitachi Cable Precision Co., Ltd Light-emitting device manufacturing method and light-emitting device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7795053B2 (en) 2004-03-24 2010-09-14 Hitachi Cable Precision Co., Ltd Light-emitting device manufacturing method and light-emitting device
JP2007199674A (en) * 2005-12-27 2007-08-09 Kyocera Mita Corp Image forming apparatus and image forming method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5114815A (en) Electrophotographic photoreceptor having a light-sensitive layer formed from titanyl phthalocyanine pigment dispersed in a branched ester or alcohol solvent
JP2696400B2 (en) Image forming method and apparatus
JP3845226B2 (en) Electrophotographic photoreceptor and image forming method
JP2000313819A (en) Phthalocyanine composition, its production and electrophotographic photoreceptor prepared by using the same
JP2922219B2 (en) Electrophotographic photoreceptor
JPH0511470A (en) Electrophotographic sensitive body
JP2813813B2 (en) Electrophotographic photoreceptor
JPH05188614A (en) Production of electrophotographic sensitive body
JP2759344B2 (en) Image forming method and apparatus
JP2813810B2 (en) Electrophotographic photoreceptor
JP2813811B2 (en) Electrophotographic photoreceptor
JP2001226379A (en) Phthalocyanine composition and photoreceptor for electrophotography by using the same
JPH06130703A (en) Image forming device
JPH11311873A (en) New phthalocyanine mixture crystal, its production and electrophotographic photoreceptor using the same
JP2961574B2 (en) Image forming method and apparatus
US5587262A (en) Photoconductive imaging members
JP2704657B2 (en) Photoconductor
JPH0337672A (en) Image forming method and device thereof
JP3005838B2 (en) Electrophotographic photoreceptor
JP2704658B2 (en) Image forming method
JP2696399B2 (en) Image forming method and apparatus
JPH06130704A (en) Electrophotographic sensitive body
JP2743286B2 (en) Image forming method and apparatus
JPH04264450A (en) Electrophotographic sensitive material
JP2563810B2 (en) Photoconductor