JPH0511293A - 薄膜素子 - Google Patents
薄膜素子Info
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- JPH0511293A JPH0511293A JP18413591A JP18413591A JPH0511293A JP H0511293 A JPH0511293 A JP H0511293A JP 18413591 A JP18413591 A JP 18413591A JP 18413591 A JP18413591 A JP 18413591A JP H0511293 A JPH0511293 A JP H0511293A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 31
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 24
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims abstract description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910001386 lithium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- TWQULNDIKKJZPH-UHFFFAOYSA-K trilithium;phosphate Chemical compound [Li+].[Li+].[Li+].[O-]P([O-])([O-])=O TWQULNDIKKJZPH-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 3
- WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenezinc Chemical compound [Zn]=S WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 8
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N vanadate(3-) Chemical compound [O-][V]([O-])([O-])=O LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018119 Li 3 PO 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004110 Zinc silicate Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- -1 etc. Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KUJOABUXCGVGIY-UHFFFAOYSA-N lithium zinc Chemical compound [Li].[Zn] KUJOABUXCGVGIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 235000019352 zinc silicate Nutrition 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSHPUQQHKKJVIO-UHFFFAOYSA-N [Na].[Zn] Chemical compound [Na].[Zn] KSHPUQQHKKJVIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N lithium magnesium Chemical compound [Li].[Mg] GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 新規な四面体構造で構成される非線形光学材
料を用いることによって、下地に用いる基板材料に四面
体で構成される単結晶基板を用いることが出来、誘電材
料と半導体材料のモノリシック化が可能となる薄膜素子
を提供する。 【構成】 単結晶基板上に誘電体材料の薄膜を形成した
薄膜素子において、該誘電体材料が、元素Ｍに対し４個
の酸素で配位されたＭ−酸素四面体を含み、該Ｍ−酸素
四面体が一方向に配向し、かつ、対称心を欠く構造を有
する無機酸化物の結晶よりなる非線形光学材料であるこ
とを特徴とする薄膜素子。元素Ｍは、元素Ｍａと元素Ｍ
ｂとよりなり、元素ＭａはＩａ族、Ｉｂ族、IIａ族及び
IIｂ族よりなる群から選ばれる少なくとも１種であり、
元素ＭｂはＶａ族、Ｖｂ族及びIVｂ族よりなる群から選
ばれる少なくとも１種である。
料を用いることによって、下地に用いる基板材料に四面
体で構成される単結晶基板を用いることが出来、誘電材
料と半導体材料のモノリシック化が可能となる薄膜素子
を提供する。 【構成】 単結晶基板上に誘電体材料の薄膜を形成した
薄膜素子において、該誘電体材料が、元素Ｍに対し４個
の酸素で配位されたＭ−酸素四面体を含み、該Ｍ−酸素
四面体が一方向に配向し、かつ、対称心を欠く構造を有
する無機酸化物の結晶よりなる非線形光学材料であるこ
とを特徴とする薄膜素子。元素Ｍは、元素Ｍａと元素Ｍ
ｂとよりなり、元素ＭａはＩａ族、Ｉｂ族、IIａ族及び
IIｂ族よりなる群から選ばれる少なくとも１種であり、
元素ＭｂはＶａ族、Ｖｂ族及びIVｂ族よりなる群から選
ばれる少なくとも１種である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜素子に係わり、特
に、非線形光学効果を有する特定の元素−酸素四面体を
単結晶基板上に形成してなる薄膜素子に関する。
に、非線形光学効果を有する特定の元素−酸素四面体を
単結晶基板上に形成してなる薄膜素子に関する。
【０００２】
【従来の技術及びその問題点】非線形光学材料のエレク
トロニクス分野における応用は、光波長変換器、光変調
素子、光スイッチ、赤外センサー等さまざまなものが有
る。従来の非線形光学材料には、ニオブ酸リチウム（Li
NbO3）、ＫＴＰ（KTiOPO4)、ＫＮ（KNbO3)等が用いられ
ているが、これらの物質は単結晶などバルクの状態で用
いられることが多い。しかし、効率、低電圧駆動などの
点から、薄膜を用いた導波路型の素子作製が望まれてい
る。ニオブ酸リチウムの場合、単結晶基板としてタンタ
ル酸リチウム（LiTaO3）を用いるが、この他の基板材料
はない。薄膜デバイスを形成する場合、下地の基板材料
と薄膜材料との構造が類似していることが重要になるた
め、基板材料への制限が多くなる。特に、従来の物質は
構造中に酸素八面体配位を含んでおり、構造の類似した
基板は非常に少ない。
トロニクス分野における応用は、光波長変換器、光変調
素子、光スイッチ、赤外センサー等さまざまなものが有
る。従来の非線形光学材料には、ニオブ酸リチウム（Li
NbO3）、ＫＴＰ（KTiOPO4)、ＫＮ（KNbO3)等が用いられ
ているが、これらの物質は単結晶などバルクの状態で用
いられることが多い。しかし、効率、低電圧駆動などの
点から、薄膜を用いた導波路型の素子作製が望まれてい
る。ニオブ酸リチウムの場合、単結晶基板としてタンタ
ル酸リチウム（LiTaO3）を用いるが、この他の基板材料
はない。薄膜デバイスを形成する場合、下地の基板材料
と薄膜材料との構造が類似していることが重要になるた
め、基板材料への制限が多くなる。特に、従来の物質は
構造中に酸素八面体配位を含んでおり、構造の類似した
基板は非常に少ない。
【０００３】
【発明の目的】本発明は、前記問題点を解決し、四面体
構造で構成される非線形光学材料を用いて薄膜素子を形
成することにより、基板材料に対する制限を少なくし、
また、半導体素子と薄膜素子を同一の基板上に形成で
き、誘電材料と半導体材料のモノリシック化が可能な薄
膜素子を提供することを目的とする。
構造で構成される非線形光学材料を用いて薄膜素子を形
成することにより、基板材料に対する制限を少なくし、
また、半導体素子と薄膜素子を同一の基板上に形成で
き、誘電材料と半導体材料のモノリシック化が可能な薄
膜素子を提供することを目的とする。
【０００４】
【問題点を解決するための手段】本発明は、単結晶基板
上に誘電体材料の薄膜を形成した薄膜素子において、該
誘電体材料が、元素Ｍに対し４個の酸素で配位されたＭ
−酸素四面体を含み、該Ｍ−酸素四面体が一方向に配向
し、かつ、対称心を欠く構造を有する無機酸化物の結晶
よりなる非線形光学材料であることを特徴とする薄膜素
子に関する。ただし、元素Ｍは、元素Ｍａと元素Ｍｂと
よりなり、元素ＭａはＩａ族、Ｉｂ族、IIａ族及びIIｂ
族よりなる群から選ばれる少なくとも１種であり、元素
ＭｂはＶａ族、Ｖｂ族及びIVｂ族よりなる群から選ばれ
る少なくとも１種である。
上に誘電体材料の薄膜を形成した薄膜素子において、該
誘電体材料が、元素Ｍに対し４個の酸素で配位されたＭ
−酸素四面体を含み、該Ｍ−酸素四面体が一方向に配向
し、かつ、対称心を欠く構造を有する無機酸化物の結晶
よりなる非線形光学材料であることを特徴とする薄膜素
子に関する。ただし、元素Ｍは、元素Ｍａと元素Ｍｂと
よりなり、元素ＭａはＩａ族、Ｉｂ族、IIａ族及びIIｂ
族よりなる群から選ばれる少なくとも１種であり、元素
ＭｂはＶａ族、Ｖｂ族及びIVｂ族よりなる群から選ばれ
る少なくとも１種である。
【０００５】以下に本発明の薄膜素子に用いる非線形光
学材料について図面を参照して詳細に説明する。図１は
本発明における非線形光学材料に係る元素−酸素四面体
構造の元素配置を説明する模式図である。図中、１は酸
素原子、２は元素Ｍａ、３は元素Ｍｂを示す。本発明の
非線形光学材料は、このように、元素Ｍａ２及びＭｂ３
が、各々、４つの酸素原子１により配位された正四面体
形状の（Ｍａ、Ｍｂ）−酸素四面体構造を含み、好まし
くは、該四面体構造のみで構成され、該四面体が一方向
に配向し、かつ、対称心を欠く構造を有する無機酸化物
の結晶よりなる。ここで、元素ＭａはＩａ族、Ｉｂ族、
IIａ族及びIIｂ族よりなる群から選ばれる少なくとも１
種であり、元素ＭｂはＶａ族、Ｖｂ族及びIVｂ族よりな
る群から選ばれる少なくとも１種である。特に、元素Ｍ
ａはＬｉ、Ｎａ、Ｚｎ及びＭｇよりなる群から選ばれる
少なくとも１種、元素ＭｂはＶ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｉ及びＧ
ｅよりなる群から選ばれる少なくとも１種であることが
好ましい。
学材料について図面を参照して詳細に説明する。図１は
本発明における非線形光学材料に係る元素−酸素四面体
構造の元素配置を説明する模式図である。図中、１は酸
素原子、２は元素Ｍａ、３は元素Ｍｂを示す。本発明の
非線形光学材料は、このように、元素Ｍａ２及びＭｂ３
が、各々、４つの酸素原子１により配位された正四面体
形状の（Ｍａ、Ｍｂ）−酸素四面体構造を含み、好まし
くは、該四面体構造のみで構成され、該四面体が一方向
に配向し、かつ、対称心を欠く構造を有する無機酸化物
の結晶よりなる。ここで、元素ＭａはＩａ族、Ｉｂ族、
IIａ族及びIIｂ族よりなる群から選ばれる少なくとも１
種であり、元素ＭｂはＶａ族、Ｖｂ族及びIVｂ族よりな
る群から選ばれる少なくとも１種である。特に、元素Ｍ
ａはＬｉ、Ｎａ、Ｚｎ及びＭｇよりなる群から選ばれる
少なくとも１種、元素ＭｂはＶ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｉ及びＧ
ｅよりなる群から選ばれる少なくとも１種であることが
好ましい。
【０００６】本発明の非線形光学材料を構成する結晶化
合物としては、例えば、次の〜が挙げられる。
ＭａがＬｉ又はＮａであり、ＭｂがＶである化合物。具
体的には、一般式Ｌｉk Ｖm Ｏn （ｋ、ｍ、ｎは任意の
整数）で表されるバナジン酸リチウム。バナジン酸リチ
ウムには、複数の相が存在し、組成としては、例えば、
２Ｌｉ2 Ｏ・５Ｖ2 Ｏ5 、Ｌｉ2 Ｏ・Ｖ2 Ｏ5 、３Ｌｉ
2 Ｏ・Ｖ2 Ｏ5 等があるが、対称心のない結晶であれば
良い。 一般式Ｍａ3 ＭｂＯ4 （元素ＭａはＩａ族及
びＩｂ族よりなる群から選ばれる少なくとも１種であ
り、元素ＭｂはＶａ族及びＶｂ族よりなる群から選ばれ
る少なくとも１種、好ましくはＭａはＬｉ又はＮａ、Ｍ
ｂはＰ又はＡｓ）で表される化合物。具体的には、Ｌｉ
3 ＰＯ4 、Ｌｉ3 ＡｓＯ4 。 ＭａがＭｃとＭｄとか
らなり、一般式Ｍｃ2 ＭｄＭｂＯ4 （ＭｃはＩａ族及び
Ｉｂ族よりなる群から選ばれる少なくとも１種であり、
元素ＭｄはIIａ族及びIIｂ族よりなる群から選ばれる少
なくとも１種であり、元素ＭｂはIVｂ族よりなる群から
選ばれる少なくとも１種、好ましくは、ＭｃはＬｉ又は
Ｎａ、ＭｄはＺｎ又はＭｇ、ＭｂはＳｉ又はＧｅ）で表
される化合物。具体的には、Ｌｉ2 （Ｚｎ又はＭｇ）Ｓ
ｉＯ4 、Ｌｉ2 （Ｚｎ又はＭｇ）ＧｅＯ4 。なお、上記
、の化合物の結晶にも、複数の相が存在し、また、
それらの固溶体も形成されるが、対称心のない結晶であ
れば良い。
合物としては、例えば、次の〜が挙げられる。
ＭａがＬｉ又はＮａであり、ＭｂがＶである化合物。具
体的には、一般式Ｌｉk Ｖm Ｏn （ｋ、ｍ、ｎは任意の
整数）で表されるバナジン酸リチウム。バナジン酸リチ
ウムには、複数の相が存在し、組成としては、例えば、
２Ｌｉ2 Ｏ・５Ｖ2 Ｏ5 、Ｌｉ2 Ｏ・Ｖ2 Ｏ5 、３Ｌｉ
2 Ｏ・Ｖ2 Ｏ5 等があるが、対称心のない結晶であれば
良い。 一般式Ｍａ3 ＭｂＯ4 （元素ＭａはＩａ族及
びＩｂ族よりなる群から選ばれる少なくとも１種であ
り、元素ＭｂはＶａ族及びＶｂ族よりなる群から選ばれ
る少なくとも１種、好ましくはＭａはＬｉ又はＮａ、Ｍ
ｂはＰ又はＡｓ）で表される化合物。具体的には、Ｌｉ
3 ＰＯ4 、Ｌｉ3 ＡｓＯ4 。 ＭａがＭｃとＭｄとか
らなり、一般式Ｍｃ2 ＭｄＭｂＯ4 （ＭｃはＩａ族及び
Ｉｂ族よりなる群から選ばれる少なくとも１種であり、
元素ＭｄはIIａ族及びIIｂ族よりなる群から選ばれる少
なくとも１種であり、元素ＭｂはIVｂ族よりなる群から
選ばれる少なくとも１種、好ましくは、ＭｃはＬｉ又は
Ｎａ、ＭｄはＺｎ又はＭｇ、ＭｂはＳｉ又はＧｅ）で表
される化合物。具体的には、Ｌｉ2 （Ｚｎ又はＭｇ）Ｓ
ｉＯ4 、Ｌｉ2 （Ｚｎ又はＭｇ）ＧｅＯ4 。なお、上記
、の化合物の結晶にも、複数の相が存在し、また、
それらの固溶体も形成されるが、対称心のない結晶であ
れば良い。
【０００７】次に単結晶基板材料について説明する。本
発明に用いる単結晶基板材料は基板の上に形成する薄膜
材料が四面体構造で構成される結晶であるため、四面体
構造を有する四配位の結晶材料を用いることができる。
四面体構造を有する単結晶基板としては次のようなもの
が挙げられる。リン酸リチウム型：低温型バナジン酸リ
チウム（Ｌｉ3 ＶＯ4 ），低温型リン酸リチウム（Ｌｉ
3 ＰＯ4 ）等，ウルツ鉱型：ＺｎＯ，ＺｎＳ，ＣｄＳ，
ＣｄＳｅ等，閃亜鉛鉱型：ＺｎＳ，ＺｎＳｅ，ＺｎＴ
ｅ，ＣｄＴｅ，ＨｇＴｅ，ＧａＰ，ＧａＡｓ，ＧａＳ
ｂ，ＩｎＰ，ＩｎＡｓ，ＩｎＳｂ等，ダイヤモンド型：
Ｓｉ等が有る。リン酸リチウム型，ウルツ鉱型が最も構
造が類似しているために、より好ましい。基板として使
用する結晶面は、リン酸リチウム型、ウルツ鉱型では
（００１）面、閃亜鉛鉱型、ダイヤモンド型では（１１
１）面であることが好ましい。基板材料の上に薄膜を形
成する方法としてスパッタ法、ＣＶＤ法、溶融エピタキ
シャル法、液相エピタキシャル、熱拡散法等を用いるこ
とができる。
発明に用いる単結晶基板材料は基板の上に形成する薄膜
材料が四面体構造で構成される結晶であるため、四面体
構造を有する四配位の結晶材料を用いることができる。
四面体構造を有する単結晶基板としては次のようなもの
が挙げられる。リン酸リチウム型：低温型バナジン酸リ
チウム（Ｌｉ3 ＶＯ4 ），低温型リン酸リチウム（Ｌｉ
3 ＰＯ4 ）等，ウルツ鉱型：ＺｎＯ，ＺｎＳ，ＣｄＳ，
ＣｄＳｅ等，閃亜鉛鉱型：ＺｎＳ，ＺｎＳｅ，ＺｎＴ
ｅ，ＣｄＴｅ，ＨｇＴｅ，ＧａＰ，ＧａＡｓ，ＧａＳ
ｂ，ＩｎＰ，ＩｎＡｓ，ＩｎＳｂ等，ダイヤモンド型：
Ｓｉ等が有る。リン酸リチウム型，ウルツ鉱型が最も構
造が類似しているために、より好ましい。基板として使
用する結晶面は、リン酸リチウム型、ウルツ鉱型では
（００１）面、閃亜鉛鉱型、ダイヤモンド型では（１１
１）面であることが好ましい。基板材料の上に薄膜を形
成する方法としてスパッタ法、ＣＶＤ法、溶融エピタキ
シャル法、液相エピタキシャル、熱拡散法等を用いるこ
とができる。
【０００８】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明
する 実施例１ 単結晶基板として低温型リン酸リチウムの（００１）面
を用いて、約６００℃に加熱し溶融したV2O5:Li2O=42:5
8 のフラックス中で液相エピタキシャル成長を行った。
成長後、フラックスは水で除去した。最後に不用なエピ
成長部分を除去し、薄膜の光導波路を作製した。Ｘ線に
よって調べたところ、薄膜はＣ軸に配向しており、エピ
タキシャル成長したことが確認できた。この光導波路の
端面にＹＡＧレーザーを入射し、もう一方の端面から高
調波の発生を確認した。光源として、半導体レーザーを
用いても高調波の発生を確認できた。
する 実施例１ 単結晶基板として低温型リン酸リチウムの（００１）面
を用いて、約６００℃に加熱し溶融したV2O5:Li2O=42:5
8 のフラックス中で液相エピタキシャル成長を行った。
成長後、フラックスは水で除去した。最後に不用なエピ
成長部分を除去し、薄膜の光導波路を作製した。Ｘ線に
よって調べたところ、薄膜はＣ軸に配向しており、エピ
タキシャル成長したことが確認できた。この光導波路の
端面にＹＡＧレーザーを入射し、もう一方の端面から高
調波の発生を確認した。光源として、半導体レーザーを
用いても高調波の発生を確認できた。
【０００９】実施例２
単結晶基板として、低温型バナジン酸リチウムの（００
１）面を用いて、スパッタ法によって、ケイ酸リチウム
亜鉛（Ｌｉ2 ＺｎＳｉＯ4 ）の薄膜型素子を作製した。
基板温度は６００℃であった。Ｘ線によって調べたとこ
ろ、薄膜はＣ軸に配向しており、エピタキシャル成長し
たことが確認できた。
１）面を用いて、スパッタ法によって、ケイ酸リチウム
亜鉛（Ｌｉ2 ＺｎＳｉＯ4 ）の薄膜型素子を作製した。
基板温度は６００℃であった。Ｘ線によって調べたとこ
ろ、薄膜はＣ軸に配向しており、エピタキシャル成長し
たことが確認できた。
【００１０】実施例３
単結晶基板として、ＺｎＯ（００１）面を用いて、実施
例１と同様の方法を用いて、低温型バナジン酸リチウム
の薄膜の光導波路を作製したを形成した。Ｘ線によって
調べたところ、薄膜はＣ軸に配向しており、エピタキシ
ャル成長したことが確認できた。
例１と同様の方法を用いて、低温型バナジン酸リチウム
の薄膜の光導波路を作製したを形成した。Ｘ線によって
調べたところ、薄膜はＣ軸に配向しており、エピタキシ
ャル成長したことが確認できた。
【００１１】実施例４
単結晶基板として、ＧａＡｓ（１１１）面を用いて、ス
パッタ法によって、ゲルマン酸リチウムマグネシウム
（Ｌｉ2 ＭｇＧｅＯ4 ）の薄膜型素子を作製した。基板
温度は５００℃であった。Ｘ線によって調べたところ、
薄膜はＣ軸に配向しており、エピタキシャル成長したこ
とが確認できた。
パッタ法によって、ゲルマン酸リチウムマグネシウム
（Ｌｉ2 ＭｇＧｅＯ4 ）の薄膜型素子を作製した。基板
温度は５００℃であった。Ｘ線によって調べたところ、
薄膜はＣ軸に配向しており、エピタキシャル成長したこ
とが確認できた。
【００１２】実施例５
単結晶基板として、Ｓｉ（１１１）面を用いて、スパッ
タ法によって、ゲルマン酸リチウム亜鉛（Ｌｉ2 ＺｎＧ
ｅＯ4 ）の薄膜型素子を作製した。基板温度は５００℃
であった。Ｘ線によって調べたところ、薄膜はＣ軸に配
向しており、エピタキシャル成長したことが確認でき
た。
タ法によって、ゲルマン酸リチウム亜鉛（Ｌｉ2 ＺｎＧ
ｅＯ4 ）の薄膜型素子を作製した。基板温度は５００℃
であった。Ｘ線によって調べたところ、薄膜はＣ軸に配
向しており、エピタキシャル成長したことが確認でき
た。
【００１３】実施例６
単結晶基板として、ＺｎＯ（１１１）面を用いて、スパ
ッタ法によって、ケイ酸ナトリウム亜鉛（Ｎａ2 ＺｎＳ
ｉＯ4 ）の薄膜型素子を作製した。基板温度は６００℃
であった。Ｘ線によって調べたところ、薄膜はＣ軸に配
向しており、エピタキシャル成長したことが確認でき
た。
ッタ法によって、ケイ酸ナトリウム亜鉛（Ｎａ2 ＺｎＳ
ｉＯ4 ）の薄膜型素子を作製した。基板温度は６００℃
であった。Ｘ線によって調べたところ、薄膜はＣ軸に配
向しており、エピタキシャル成長したことが確認でき
た。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、本発明の薄膜素子は、新
規な四面体構造で構成される非線形光学材料を用いるこ
とによって、下地に用いる基板材料に四面体で構成され
る単結晶基板を用いることが出来る。半導体プロセスに
用いるために四面体構造の単結晶基板は豊富に提供され
ており、基板材料に対する制限が少なくなる。また、半
導体と本発明の非線形光学材料は基板を共通に使えるた
め、半導体素子と本発明の薄膜素子を同一の基板の上に
形成でき、従来困難であった、誘電材料と半導体材料の
モノリシック化が可能となる。本発明の薄膜素子は、光
波長変換器、光変調素子、光スイッチ、赤外センサー等
に用いられる。
規な四面体構造で構成される非線形光学材料を用いるこ
とによって、下地に用いる基板材料に四面体で構成され
る単結晶基板を用いることが出来る。半導体プロセスに
用いるために四面体構造の単結晶基板は豊富に提供され
ており、基板材料に対する制限が少なくなる。また、半
導体と本発明の非線形光学材料は基板を共通に使えるた
め、半導体素子と本発明の薄膜素子を同一の基板の上に
形成でき、従来困難であった、誘電材料と半導体材料の
モノリシック化が可能となる。本発明の薄膜素子は、光
波長変換器、光変調素子、光スイッチ、赤外センサー等
に用いられる。
【図１】図１は本発明の非線形光学材料に係る元素−酸
素四面体構造の元素配置を説明する模式図である。
素四面体構造の元素配置を説明する模式図である。
１ 酸素原子
２ 元素Ｍａ
３ 元素Ｍｂ
Claims (10)
- 【請求項１】 単結晶基板上に誘電体材料の薄膜を形成
した薄膜素子において、該誘電体材料が、元素Ｍに対し
４個の酸素で配位されたＭ−酸素四面体を含み、該Ｍ−
酸素四面体が一方向に配向し、かつ、対称心を欠く構造
を有する無機酸化物の結晶よりなる非線形光学材料であ
ることを特徴とする薄膜素子。（ただし、元素Ｍは、元
素Ｍａと元素Ｍｂとよりなり、元素ＭａはＩａ族、Ｉｂ
族、IIａ族及びIIｂ族よりなる群から選ばれる少なくと
も１種であり、元素ＭｂはＶａ族、Ｖｂ族及びIVｂ族よ
りなる群から選ばれる少なくとも１種である。） - 【請求項２】 無機酸化物の結晶が、Ｍ−酸素四面体構
造のみで構成されることを特徴とする請求項１の薄膜素
子。 - 【請求項３】 元素ＭａがＬｉ、Ｎａ、Ｚｎ及びＭｇよ
りなる群から選ばれる少なくとも１種であり、元素Ｍｂ
がＶ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｉ及びＧｅよりなる群から選ばれる
少なくとも１種であることを特徴とする請求項１又は請
求項２の薄膜素子。 - 【請求項４】 元素ＭａがＬｉ又はＮａであり、元素Ｍ
ｂがＶであることを特徴とする請求項３の薄膜素子。 - 【請求項５】 無機酸化物が、一般式Ｍａ3 ＭｂＯ
4 （元素ＭａはＩａ族及びＩｂ族よりなる群から選ばれ
る少なくとも１種であり、元素ＭｂはＶａ族及びＶｂ族
よりなる群から選ばれる少なくとも１種）で表される化
合物であることを特徴とする請求項１又は請求項２の薄
膜素子。 - 【請求項６】 元素ＭａがＬｉ又はＮａであり、元素Ｍ
ｂがＰ又はＡｓであることを特徴とする請求項５の薄膜
素子。 - 【請求項７】 元素Ｍａは元素Ｍｃと元素Ｍｄとからな
り、無機酸化物が、一般式Ｍｃ2 ＭｄＭｂＯ4 （元素Ｍ
ｃはＩａ族及びＩｂ族よりなる群から選ばれる少なくと
も１種であり、元素ＭｄはIIａ族及びIIｂ族よりなる群
から選ばれる少なくとも１種であり、元素ＭｂはIVｂ族
よりなる群から選ばれる少なくとも１種）で表される化
合物であることを特徴とする請求項１又は請求項２の薄
膜素子。 - 【請求項８】 元素ＭｃがＬｉ又はＮａであり、元素Ｍ
ｄがＺｎ又はＭｇであり、元素ＭｂがＳｉ又はＧｅであ
ることを特徴とする請求項７の薄膜素子。 - 【請求項９】 単結晶基板が四面体構造を有する結晶で
あることを特徴とする請求項１の薄膜素子。 - 【請求項１０】 単結晶基板が、リン酸リチウム型、ウ
ルツ鉱型、閃亜鉛鉱型又はダイヤモンド型構造の結晶か
らなることを特徴とする請求項９の薄膜素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18413591A JPH0511293A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 薄膜素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18413591A JPH0511293A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 薄膜素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0511293A true JPH0511293A (ja) | 1993-01-19 |
Family
ID=16147990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18413591A Pending JPH0511293A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 薄膜素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0511293A (ja) |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP18413591A patent/JPH0511293A/ja active Pending
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