JPH05102828A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JPH05102828A
JPH05102828A JP3259084A JP25908491A JPH05102828A JP H05102828 A JPH05102828 A JP H05102828A JP 3259084 A JP3259084 A JP 3259084A JP 25908491 A JP25908491 A JP 25908491A JP H05102828 A JPH05102828 A JP H05102828A
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JP
Japan
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drivers
output
circuit
input terminal
output buffer
Prior art date
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JP3259084A
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Japanese (ja)
Inventor
Eiichi Teraoka
栄一 寺岡
Kazuyuki Ishikawa
和幸 石川
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Publication of JPH05102828A publication Critical patent/JPH05102828A/en
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Abstract

PURPOSE:To set the load drive capability of a buffer in response to a load by providing a signal line through which a control signal operating drivers whose number corresponds to the load capacitance added to a common output terminal is supplied to its input terminal to the circuit. CONSTITUTION:Each of drivers 9a-9n is provided with an input terminal 10, a control input terminal 11 to which a state control signal of the drivers is inputted and an output terminal 12. The output buffer circuit is provided with an n-bit register 13 latching signals 14a-14n controlling the operating state of N sets of the drivers 9a-9n and has an input terminal 16 and an output terminal 17. When a large load capacitance is added to the output terminal 17 and data are set to all of n-bits of the register 13, the state control signals 14a-14n go to H. Since an H signal is inputted to each control input of the drivers 9a-9n, they are in the operating state to set a large drive capability. The drive capability of the output drive circuit is changed by setting required data in response to the load capacity.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路に関し、
特に最適な駆動能力を設定することができるバッファ回
路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit,
In particular, the present invention relates to a buffer circuit capable of setting an optimum drive capacity.

【0002】[0002]

【従来の技術】図7は従来の半導体集積回路を示す図で
あり、特にECLゲートアレイに用いる出力バッファ回
路を示す。図7(A)はマスター工程で形成した出力バ
ッファ回路、図7(B)は高負荷駆動能力を必要とされ
るスライス工程後の出力バッファ回路、図7(C)は低
負荷駆動能力を必要とされるスライス工程後の出力バッ
ファ回路である。同図において、1a〜1cはトランジ
スタ、2a〜2gは抵抗素子、3は入力端子、4は出力
端子である。なお、トランジスタ1aおよび1b、抵抗
素子2a〜2fにより電流切換え回路を構成し、トラン
ジスタ1c、抵抗素子2gによりエミッタフォロワ回路
を構成する。
2. Description of the Related Art FIG. 7 is a diagram showing a conventional semiconductor integrated circuit, particularly an output buffer circuit used in an ECL gate array. 7A is an output buffer circuit formed in the master process, FIG. 7B is an output buffer circuit after a slicing process that requires high load driving capability, and FIG. 7C is low load driving capability. This is an output buffer circuit after the slicing step. In the figure, 1a to 1c are transistors, 2a to 2g are resistance elements, 3 is an input terminal, and 4 is an output terminal. The transistors 1a and 1b and the resistance elements 2a to 2f form a current switching circuit, and the transistor 1c and the resistance element 2g form an emitter follower circuit.

【0003】次に、上記構成による出力バッファ回路の
出力端子に付加される負荷容量の大小に応じた回路構成
について説明する。まず、出力端子4に大きな負荷容量
が付加される場合、図7(A)に示すマスター工程で形
成したトランジスタ1a〜1c、抵抗素子2a〜2gの
出力バッファ回路に、スライス工程で図7(B)に示す
ように電流切換え回路の抵抗を抵抗素子2aと2b、抵
抗素子2cと2d、抵抗素子2eと2fをそれぞれ並列
に配線する。そして、出力端子4はオープンエミッタ出
力形態になるように配線する。この配線により回路電流
を高電流に設定することができる。
Next, a circuit configuration according to the magnitude of the load capacitance added to the output terminal of the output buffer circuit having the above configuration will be described. First, when a large load capacitance is added to the output terminal 4, the output buffer circuit of the transistors 1a to 1c and the resistance elements 2a to 2g formed in the master process shown in FIG. ), The resistors of the current switching circuit are wired in parallel with the resistance elements 2a and 2b, the resistance elements 2c and 2d, and the resistance elements 2e and 2f. The output terminal 4 is wired so as to have an open emitter output form. With this wiring, the circuit current can be set to a high current.

【0004】次に、出力端子4に小さな負荷容量が付加
される場合、図7(A)に示すマスター工程で形成した
トランジスタ1a〜1c、抵抗素子2a〜2gの出力バ
ッファ回路に、スライス工程で、図7(C)に示すよう
に、電流切換え回路の抵抗を抵抗素子2a,2d,2e
で構成するように配線し、エミッタフォロワ回路の抵抗
を抵抗素子2gで構成するように配線する。この配線に
より、回路電流を低電流に設定することができる。
Next, when a small load capacitance is added to the output terminal 4, the output buffer circuit of the transistors 1a to 1c and the resistance elements 2a to 2g formed in the master process shown in FIG. As shown in FIG. 7C, the resistance of the current switching circuit is set to the resistance elements 2a, 2d, 2e.
And the resistance of the emitter follower circuit is wired by the resistance element 2g. With this wiring, the circuit current can be set to a low current.

【0005】図8は従来の他の半導体集積回路を示す図
であり、特にCMOSゲートアレイに用いる出力バッフ
ァ回路を示し、図8(A)はマスター工程の出力バッフ
ァ回路、図8(B)は高負荷駆動能力を必要とされるス
ライス工程後の出力バッファ回路、図8(C)は低負荷
駆動能力を必要とされるスライス工程後の出力バッファ
回路である。同図において、5aおよび5bはPMOS
トランジスタ、6aおよび6bはNMOSトランジス
タ、7は入力端子、8は出力端子である。
FIG. 8 is a diagram showing another conventional semiconductor integrated circuit, particularly an output buffer circuit used in a CMOS gate array, FIG. 8 (A) being an output buffer circuit in a master process, and FIG. 8 (B). An output buffer circuit after the slicing process that requires a high load driving capability is shown, and FIG. 8C shows an output buffer circuit after the slicing process that requires a low load driving capability. In the figure, 5a and 5b are PMOS
Transistors, 6a and 6b are NMOS transistors, 7 is an input terminal, and 8 is an output terminal.

【0006】次に、上記構成による出力バッファ回路の
出力端子に付加される負荷容量の大小に応じた回路構成
について説明する。まず、出力端子8に大きな負荷容量
が付加される場合、図8(A)に示すように、マスター
工程で形成した出力バッファ回路に、スライス工程で図
8(B)に示すように、複数のバッファを並列になるよ
うに配線する。この配線により、出力インピーダンスを
低くし、高電流に設定することができる。次に、出力端
子8に小さな負荷容量が付加される場合、図8(A)に
示すように、マスター工程で形成した出力バッファ回路
に、スライス工程で、図8(C)に示すように、1つの
バッファだけを用いるように配線して出力バッファを構
成する。この配線により低電流に設定することができ
る。
Next, a circuit configuration according to the magnitude of the load capacitance added to the output terminal of the output buffer circuit having the above configuration will be described. First, when a large load capacitance is added to the output terminal 8, as shown in FIG. 8 (A), the output buffer circuit formed in the master step is provided with a plurality of output buffer circuits as shown in FIG. 8 (B) in the slicing step. Wire the buffers in parallel. With this wiring, the output impedance can be lowered and a high current can be set. Next, when a small load capacitance is added to the output terminal 8, as shown in FIG. 8A, the output buffer circuit formed in the master step is added to the output buffer circuit in the slicing step as shown in FIG. The output buffer is configured by wiring so that only one buffer is used. A low current can be set by this wiring.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の出力バッファ回路では、必要な負荷駆動能力の調整
を製造工程の一部であるスライス工程で行っているた
め、負荷状況が異なるシステムに同一機能の集積回路を
用いる場合、別々に集積回路を製造するか、あるいは高
負荷駆動能力が必要とされるシステムに合わせた集積回
路を製造し、低負荷駆動能力で良いシステムに対しても
使用していた。前者の場合、集積回路の単価が高くな
り、後者の場合、低駆動能力でよいシステムに対し不必
要な電流消費を増やしてしまうという問題点があった。
However, in the output buffer circuit configured as described above, the necessary load driving capability is adjusted in the slicing process which is a part of the manufacturing process. When using the integrated circuit of, the integrated circuit is manufactured separately, or the integrated circuit is manufactured for a system that requires a high load driving capability, and is also used for a system with a low load driving capability. It was In the former case, the unit price of the integrated circuit becomes high, and in the latter case, there is a problem that unnecessary current consumption is increased for a system having a low driving capability.

【0008】この発明は以上の問題点を解決するために
なされたもので、出力バッファ回路の駆動能力の制御を
集積回路の外部から制御できることを目的とするもので
ある。
The present invention has been made to solve the above problems, and it is an object of the present invention to control the drive capability of an output buffer circuit from outside the integrated circuit.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体集積
回路は、入力端子および出力端子がそれぞれ接続し、か
つ動作の制御が状態制御信号で可能なドライバを複数個
で構成し、集積回路に接続される負荷に応じて動作させ
るドライバの数を制御するようにしたものである。
A semiconductor integrated circuit according to the present invention has a plurality of drivers each having an input terminal and an output terminal connected to each other and capable of controlling operation by a state control signal. The number of drivers to be operated is controlled according to the load connected.

【0010】[0010]

【作用】本発明は出力バッファおよび入出力バッファの
負荷駆動能力を、集積回路使用者が負荷容量に応じて設
定可能にすることができる。
According to the present invention, the load driving capability of the output buffer and the input / output buffer can be set by the integrated circuit user according to the load capacitance.

【0011】[0011]

【実施例】図1は本発明に係る半導体集積回路の一実施
例を示すブロック図であり、特に出力専用出力バッファ
回路を示す。同図において、9a〜9nはそれぞれその
詳細な回路構成を図2に示すN個のドライバであり、各
ドライバ9a〜9nは入力端子10、ドライバの状態制
御信号が入力する制御入力端子11、出力端子12を備
えている。13はこのN個のドライバ9a〜9nの動作
状態を制御する状態制御信号14a〜14nを保持する
nビットのレジスタ、15はN個のドライバ9a〜9n
およびnビットのレジスタ13から構成し、入力端子1
6、出力端子17からなる出力バッファ回路である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a semiconductor integrated circuit according to the present invention, particularly showing an output dedicated output buffer circuit. In the figure, 9a to 9n are N drivers whose detailed circuit configurations are shown in FIG. 2, and each driver 9a to 9n is an input terminal 10, a control input terminal 11 to which a driver state control signal is input, and an output. The terminal 12 is provided. Reference numeral 13 denotes an n-bit register that holds state control signals 14a to 14n for controlling the operating states of the N drivers 9a to 9n, and 15 denotes N drivers 9a to 9n.
And n-bit register 13 and input terminal 1
6, an output buffer circuit including an output terminal 17.

【0012】なお、図2に示すドライバ9a〜9nにお
いて、18aおよび18bはPMOSトランジスタ、1
9aおよび19bはNMOSトランジスタ、20aおよ
び20bはトランスミッションゲート、21はインバー
タである。
In the drivers 9a-9n shown in FIG. 2, 18a and 18b are PMOS transistors, 1
Reference numerals 9a and 19b are NMOS transistors, 20a and 20b are transmission gates, and 21 is an inverter.

【0013】この図2に示すドライバ9a〜9nの動作
を説明すると、状態制御信号14a〜14nが「H」の
場合、ドライバ9a〜9nの制御入力端子11に「H]
信号が入力するので、PMOSトランジスタ18bおよ
びNMOSトランジスタ19bは共に「オフ」状態とな
り、トランスミッションゲート20aおよび20bは共
に「オン」状態になる。このため、PMOSトランジス
タ18aおよびNMOSトランジスタ19aは共に「オ
フ」状態になる。このため、入力端子10に入力した信
号は反転され、出力端子17から出力する。
The operation of the drivers 9a-9n shown in FIG. 2 will be described. When the state control signals 14a-14n are "H", "H" is applied to the control input terminal 11 of the drivers 9a-9n.
Since the signal is input, both the PMOS transistor 18b and the NMOS transistor 19b are in the "off" state, and the transmission gates 20a and 20b are both in the "on" state. Therefore, both the PMOS transistor 18a and the NMOS transistor 19a are in the "off" state. Therefore, the signal input to the input terminal 10 is inverted and output from the output terminal 17.

【0014】また、状態制御信号14a〜14nが
「L]の場合、ドライバ9a〜9nの制御入力端子11
に「L]信号が入力するので、PMOSトランジスタ1
8bおよびNMOSトランジスタ19bは共に「オン」
状態となり、トランスミッションゲート20aおよび2
0bは共に「オフ」状態になる。このため、PMOSト
ランジスタ18aおよびNMOSトランジスタ19aは
共に「オフ」状態となるから、出力端子17はハイイン
ピーダンス状態になる。
When the state control signals 14a to 14n are "L", the control input terminal 11 of the drivers 9a to 9n.
Since the "L" signal is input to the
8b and NMOS transistor 19b are both "on"
The transmission gates 20a and 2
Both 0b are in the "off" state. Therefore, both the PMOS transistor 18a and the NMOS transistor 19a are in the "off" state, and the output terminal 17 is in the high impedance state.

【0015】次に、このN個のドライバ9a〜9nおよ
びnビットのレジスタ13で構成した出力バッファ回路
の動作について説明する。まず、出力端子17に大きな
負荷容量が付加する場合には、レジスタ13のn個のビ
ットすべてにデータ「1」をセットすると、状態制御信
号14a〜14nは「H」となる。このため、ドライバ
9a〜9nの各制御入力端子11に「H」信号が入力す
るので、ドライバ9a〜9nは動作状態になり、大きな
ドライブ能力に設定することができる。次に、出力端子
17に小さな負荷容量が付加する場合、レジスタ13の
nビットのうち、例えば1ビットのみ、データ「1」を
セットすると、状態制御信号例えば14aは「H」とな
る。このため、ドライバ9aの制御入力端子11に
「H」信号が入力し、他のドライバ9b〜9nの制御入
力端子11に「L」信号が入力するので、ドライバ9a
のみ動作状態になり、小さなドライブ能力に設定するこ
とができる。
Next, the operation of the output buffer circuit constituted by the N drivers 9a to 9n and the n-bit register 13 will be described. First, when a large load capacitance is added to the output terminal 17, when data "1" is set in all n bits of the register 13, the state control signals 14a to 14n become "H". Therefore, the "H" signal is input to each control input terminal 11 of the drivers 9a to 9n, so that the drivers 9a to 9n are in an operating state and can be set to a large drive capacity. Next, when a small load capacitance is added to the output terminal 17, when the data "1" is set to only one bit of the n bits of the register 13, the state control signal, for example, 14a becomes "H". Therefore, the "H" signal is input to the control input terminal 11 of the driver 9a and the "L" signal is input to the control input terminals 11 of the other drivers 9b to 9n.
Only activated and can be set to a small drive capacity.

【0016】このように、負荷容量に応じ必要なデータ
をレジスタ13にセットすることにより出力バッファ回
路のドライブ能力を変えることができる。このレジスタ
13へのデータのセット方法として、プログラムによる
設定、リセット時における外部ピンからの設定、一動作
における外部ピンからの設定などが考えられることはも
ちろんである。
As described above, by setting necessary data in the register 13 according to the load capacity, the drive capacity of the output buffer circuit can be changed. As a method of setting data in the register 13, setting by a program, setting from an external pin at reset, setting from an external pin in one operation, and the like can be considered.

【0017】図3は本発明に係る半導体集積回路の他の
実施例を示すブロック図であり、特に出力専用の出力バ
ッファ回路を示す。同図において、22a〜22nはド
ライバ9a〜9nの動作状態を制御する状態制御信号1
4a〜14nが直接入力する外部ピンである。この構成
による出力バッファ回路は図1に示す出力バッファ回路
における状態制御信号14a〜14nの設定方法が異な
るのみであり、負荷容量に応じた出力バッファ回路のド
ライブ能力の設定を行うことができる。
FIG. 3 is a block diagram showing another embodiment of the semiconductor integrated circuit according to the present invention, and particularly shows an output buffer circuit dedicated to output. In the figure, 22a to 22n are state control signals 1 for controlling the operating states of the drivers 9a to 9n.
External pins 4a to 14n are directly input. The output buffer circuit with this configuration is different only in the setting method of the state control signals 14a to 14n in the output buffer circuit shown in FIG. 1, and the drive capability of the output buffer circuit can be set according to the load capacitance.

【0018】図4は本発明に係る半導体集積回路の更に
他の実施例を示すブロック図であり、特に出力専用の出
力バッファ回路である。同図において、23はN−1個
のドライバ9b〜9nの動作状態を制御する状態制御信
号14b〜14nを保持するn−1ビットのレジスタ、
24はインバータである。この構成による出力バッファ
回路は、図1に示す出力バッファ回路がN個のドライバ
9a〜9nがすべて動作状態制御可能であるのに対し、
この図4に示す実施例の場合には1個のドライバ9aに
相当するものとしてインバータ24を設け、残りのN−
1個のドライバ9b〜9nが動作状態制御可能である。
このため、ドライバの動作制御信号(線)を1本減らす
ことができる。
FIG. 4 is a block diagram showing still another embodiment of the semiconductor integrated circuit according to the present invention, particularly an output buffer circuit dedicated to output. In the figure, reference numeral 23 is an n-1 bit register for holding state control signals 14b to 14n for controlling the operating states of N-1 drivers 9b to 9n,
Reference numeral 24 is an inverter. In the output buffer circuit having this configuration, the output buffer circuit shown in FIG. 1 can control the operating states of all the N drivers 9a to 9n.
In the case of the embodiment shown in FIG. 4, the inverter 24 is provided as one driver 9a, and the remaining N-
One driver 9b to 9n can control the operating state.
Therefore, the number of driver operation control signals (lines) can be reduced by one.

【0019】図5は本発明に係る半導体集積回路の更に
他の実施例を示すブロック図であり、特に出力専用の出
力バッファ回路である。同図において、25b〜25n
はN−1個のドライバ9b〜9nの動作状態を制御する
状態制御信号14b〜14nが直接入力する外部ピンで
ある。この構成による出力バッファ回路は、図4に示す
出力バッファ回路における状態制御信号14a〜14n
の設定方法が異なるのみであり、負荷容量に応じて出力
バッファ回路のドライブ能力の設定ができることはもち
ろんである。
FIG. 5 is a block diagram showing still another embodiment of the semiconductor integrated circuit according to the present invention, particularly an output buffer circuit dedicated to output. In the figure, 25b to 25n
Is an external pin to which the state control signals 14b to 14n for controlling the operating states of the N-1 drivers 9b to 9n are directly input. The output buffer circuit according to this configuration has state control signals 14a to 14n in the output buffer circuit shown in FIG.
However, it is needless to say that the drive capability of the output buffer circuit can be set in accordance with the load capacitance, except that the setting method is different.

【0020】図6は入出力バッファ回路における出力回
路部に用いるドライバを示す回路図である。同図におい
て、26はインバータ、27はノア回路、28は入出力
バッファ回路の動作状態を制御する状態制御信号が入力
する制御入力端子である。この構成によるドライバでは
その制御入力端子28に入力する状態制御信号が「L」
のとき、出力状態になり、状態制御信号が「H」のと
き、入力状態になる。
FIG. 6 is a circuit diagram showing a driver used in the output circuit section of the input / output buffer circuit. In the figure, 26 is an inverter, 27 is a NOR circuit, and 28 is a control input terminal to which a state control signal for controlling the operating state of the input / output buffer circuit is input. In the driver having this configuration, the state control signal input to the control input terminal 28 is "L".
When the state control signal is "H", the state is the output state, and when the state control signal is "H", the state is the input state.

【0021】[0021]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る半導体集積回路によれば、出力バッファおよび入出力
バッファの出力部を、入力端子および出力端子が各々接
続しかつ動作の制御が状態制御信号により可能なドライ
バを複数個で構成したので、集積回路使用者は使用シス
テムの負荷状況に応じて、複数個のドライバのうち、任
意の数のドライバを選択的に動作させるように設定する
ことが可能になり、1つの集積回路で最適な負荷駆動能
力を設定することができる。
As described in detail above, according to the semiconductor integrated circuit of the present invention, the output portions of the output buffer and the input / output buffer are connected to the input terminal and the output terminal, respectively, and the operation is controlled. Since a plurality of drivers that can be controlled by the control signal are configured, the integrated circuit user sets up to selectively operate any number of the plurality of drivers according to the load status of the system used. This makes it possible to set the optimum load driving capability with one integrated circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る半導体集積回路の一実施例を示す
ブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a semiconductor integrated circuit according to the present invention.

【図2】図1のドライバの詳細な回路を示す回路図であ
る。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a detailed circuit of the driver shown in FIG.

【図3】本発明に係る半導体集積回路の他の実施例を示
すブロック図である。
FIG. 3 is a block diagram showing another embodiment of a semiconductor integrated circuit according to the present invention.

【図4】本発明に係る半導体集積回路の更に他の実施例
を示すブロック図である。
FIG. 4 is a block diagram showing still another embodiment of the semiconductor integrated circuit according to the present invention.

【図5】本発明に係る半導体集積回路の更に他の実施例
を示すブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram showing still another embodiment of the semiconductor integrated circuit according to the present invention.

【図6】図2に示すドライバの他の例を示す回路図であ
る。
FIG. 6 is a circuit diagram showing another example of the driver shown in FIG.

【図7】従来の半導体集積回路を示す回路図である。FIG. 7 is a circuit diagram showing a conventional semiconductor integrated circuit.

【図8】従来の他の半導体集積回路を示す回路図であ
る。
FIG. 8 is a circuit diagram showing another conventional semiconductor integrated circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

9a〜9n ドライバ 10 入力端子 11 状態制御入力端子 12 出力端子 13 レジスタ 14a〜14n 状態制御信号 15 出力バッファ回路 18aおよび18b PMOSトランジスタ 19aおよび19b NMOSトランジスタ 20aおよび20b トランスミッションゲート 21 インバータ 22a〜22n 外部ピン 23 レジスタ 24 インバータ 25b〜25n 外部ピン 26 インバータ 27 ノア回路 28 制御入力端子 9a-9n driver 10 input terminal 11 state control input terminal 12 output terminal 13 register 14a-14n state control signal 15 output buffer circuit 18a and 18b PMOS transistor 19a and 19b NMOS transistor 20a and 20b transmission gate 21 inverter 22a-22n external pin 23 Register 24 Inverter 25b-25n External pin 26 Inverter 27 NOR circuit 28 Control input terminal

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【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成4年11月10日[Submission date] November 10, 1992

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0013[Correction target item name] 0013

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0013】この図2に示すドライバ9a〜9nの動作
を説明すると、状態制御信号14a〜14nが「H」の
場合、ドライバ9a〜9nの制御入力端子11に「H]
信号が入力するので、PMOSトランジスタ18bおよ
びNMOSトランジスタ19bは共に「オフ」状態とな
り、トランスミッションゲート20aおよび20bは共
に「オン」状態になる。このため、入力端子10に入力
した信号は反転され、出力端子17から出力する。
The operation of the drivers 9a-9n shown in FIG. 2 will be described. When the state control signals 14a-14n are "H", "H" is applied to the control input terminal 11 of the drivers 9a-9n.
Since the signal is input, PMOS transistor 18b and NMOS transistor 19b are both "off" state, ing to the transmission gates 20a and 20b are both "on" state. For this reason, the signal input to the input terminal 10 is inverted and output from the output terminal 17.

【手続補正2】[Procedure Amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0020[Correction target item name] 0020

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0020】図6は入出力バッファ回路における出力回
路部に用いるドライバを示す回路図である。同図におい
て、26はインバータ、27はナンド回路、28は入出
力バッファ回路の動作状態を制御する状態制御信号が入
力する制御入力端子である。この構成によるドライバで
はその制御入力端子28に入力する状態制御信号が
「L」のとき、ハイインピーダンス(入力バッファ動
作)状態になり、状態制御信号が「H」のとき、出力
(出力バッファ動作)状態になる。
FIG. 6 is a circuit diagram showing a driver used in the output circuit section of the input / output buffer circuit. In the figure, 26 is an inverter, 27 is a NAND circuit, and 28 is a control input terminal to which a state control signal for controlling the operating state of the input / output buffer circuit is input. In the driver having this configuration, when the state control signal input to the control input terminal 28 is "L", the impedance is high impedance (input buffer operation
It will work) state, when the state control signal is "H", the output
(Output buffer operation) state.

【手続補正3】[Procedure 3]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】符号の説明[Correction target item name] Explanation of code

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【符号の説明】 9a〜9n ドライバ 10 入力端子 11 状態制御入力端子 12 出力端子 13 レジスタ 14a〜14n 状態制御信号 15 出力バッファ回路 18aおよび18b PMOSトランジスタ 19aおよび19b NMOSトランジスタ 20aおよび20b トランスミッションゲート 21 インバータ 22a〜22n 外部ピン 23 レジスタ 24 インバータ 25b〜25n 外部ピン 26 インバータ 27 ナンド回路 28 制御入力端子[Explanation of Codes] 9a to 9n Driver 10 Input Terminal 11 State Control Input Terminal 12 Output Terminal 13 Register 14a to 14n State Control Signal 15 Output Buffer Circuit 18a and 18b PMOS Transistor 19a and 19b NMOS Transistor 20a and 20b Transmission Gate 21 Inverter 22a -22n external pin 23 register 24 inverter 25b-25n external pin 26 inverter 27 NAND circuit 28 control input terminal

【手続補正4】[Procedure amendment 4]

【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing

【補正対象項目名】図1[Name of item to be corrected] Figure 1

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【図1】 [Figure 1]

【手続補正5】[Procedure Amendment 5]

【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing

【補正対象項目名】図6[Name of item to be corrected] Figure 6

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【図6】 [Figure 6]

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 それぞれ入力端子、制御入力端子および
出力端子をもつ複数個のドライバと、この複数個のドラ
イバの入力端子および出力端子をそれぞれ共通に接続し
た共通の入力端子および共通の出力端子と、この共通の
出力端子に付加される負荷容量の大小に応じた数のドラ
イバを動作するための状態制御信号をその制御入力端子
に送る信号線とを備えたことを特徴とする半導体集積回
路。
1. A plurality of drivers each having an input terminal, a control input terminal, and an output terminal, and a common input terminal and a common output terminal in which the input terminals and output terminals of the plurality of drivers are commonly connected. And a signal line for sending a state control signal for operating a number of drivers according to the magnitude of the load capacitance added to the common output terminal to the control input terminal, the semiconductor integrated circuit.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5568068A (en) * 1995-06-08 1996-10-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Buffer circuit for regulating driving current
JP2009022021A (en) * 2002-03-13 2009-01-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device

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