JPH05102782A - Surface acoustic wave element - Google Patents

Surface acoustic wave element

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JPH05102782A
JPH05102782A JP25651691A JP25651691A JPH05102782A JP H05102782 A JPH05102782 A JP H05102782A JP 25651691 A JP25651691 A JP 25651691A JP 25651691 A JP25651691 A JP 25651691A JP H05102782 A JPH05102782 A JP H05102782A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
surface acoustic
acoustic wave
reflector
damping
reflectors
Prior art date
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Pending
Application number
JP25651691A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Eiji Hirota
英司 広田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP25651691A priority Critical patent/JPH05102782A/en
Publication of JPH05102782A publication Critical patent/JPH05102782A/en
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  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

PURPOSE:To surely make the element size small while preventing occurrence of large out-band spurious radiation. CONSTITUTION:An comb-line electrode 12, a reflector 13 arranged respectively at both sides and a damping part 2 arranged at the outside of each reflector 13 are formed on a crystal substrate 11 side by side. In the surface acoustic wave 1, the width W along with the propagation direction of a surface acoustic wave of the damping section 2 is selected to be the multiple of 5 of a reflector wavelength lambda or more and the multiple of 20 or less.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、弾性表面波素子に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から、テレビ放送などのようなVH
F帯からUHF帯にかけての信号処理を行うに際しては
弾性表面波素子が用いられており、その一例としては、
図6で示すように構成されてなるSAWフィルタ10が
知られている。すなわち、このSAWフィルタ10は8
0〜90MHz帯で使用される水晶横結合1ポート2重
モード型といわれるものであり、矩形平板状とされた水
晶基板11の表面上には、弾性表面波を励起する櫛形電
極(IDT)12と、IDT12を挟む両側部位置それ
ぞれに配置されて弾性表面波を反射する反射器(リフレ
クタ)13とが形成されている。なお、このとき、リフ
レクタ13が、所望の中心周波数(f0)で同期する波
長に対応した本数(周期)で区切られているのは勿論で
ある。
2. Description of the Related Art Conventionally, VH such as television broadcasting is used.
A surface acoustic wave element is used when performing signal processing from the F band to the UHF band. One example is a surface acoustic wave element.
A SAW filter 10 configured as shown in FIG. 6 is known. That is, this SAW filter 10 has 8
It is called a crystal laterally coupled 1-port dual-mode type used in the 0 to 90 MHz band, and a comb-shaped electrode (IDT) 12 that excites surface acoustic waves is formed on the surface of a crystal substrate 11 in the shape of a rectangular plate. And reflectors (reflectors) 13 arranged at both side positions sandwiching the IDT 12 and reflecting surface acoustic waves. At this time, of course, the reflectors 13 are divided by the number (cycle) corresponding to the wavelength synchronized with the desired center frequency (f 0 ).

【0003】そこで、このSAWフィルタ10において
は、IDT12に印加されたインパルス電圧によって弾
性表面波が励起され、かつ、弾性表面波伝播方向(図で
は、矢印Aで示す)に沿って伝播された弾性表面波が各
々のリフレクタ13によって反射されることになり、こ
れらのリフレクタ13間で定在波が形成されることにな
る結果、高いQ値をもつ共振器としての機能が発揮され
ることになる。なお、図中の符号14は各IDT12に
接続して形成された信号線パッド、15はリフレクタ1
3のそれぞれに接続して形成されたアースパッドであ
る。
Therefore, in this SAW filter 10, the surface acoustic wave is excited by the impulse voltage applied to the IDT 12 and is propagated along the surface acoustic wave propagation direction (indicated by arrow A in the figure). The surface waves will be reflected by the respective reflectors 13, and standing waves will be formed between these reflectors 13. As a result, the function as a resonator having a high Q value will be exhibited. .. In the figure, reference numeral 14 is a signal line pad formed by connecting to each IDT 12, and 15 is a reflector 1.
3 is a ground pad formed by connecting to each of the three.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、弾性表面波
素子としてのSAWフィルタ10の小型化を図るために
は、その特性を劣化させない範囲内でリフレクタ13の
本数を最小限に抑えることが重要となる。しかしなが
ら、このSAWフィルタ10における帯域内ロス及び帯
域外スプリアスの関係を考慮した場合には、リフレクタ
の本数がある所定数となったところで、ロスについては
まだ十分満足であるにも拘わらず、スプリアスのみが大
きく出てしまうことが起こる。そして、このようなこと
が起こると、図7で示すように、例えば、イメージ周波
数(f0+1)がf0の高域側910KHz離調点にある
場合に、この点での減衰量が十分取れずに使いものにな
らなくなったり、イメージ周波数(f0−1)がf0の低
域側910KHz離調点にある場合でも規格割れが生じ
ることになって歩留まりの低下を招くことになってしま
う。
By the way, in order to miniaturize the SAW filter 10 as a surface acoustic wave element, it is important to minimize the number of the reflectors 13 within a range in which the characteristics thereof are not deteriorated. Become. However, when considering the relationship between the in-band loss and the out-of-band spurious in the SAW filter 10, when the number of reflectors reaches a certain number, the spurious is not satisfied even though the loss is still sufficiently satisfied. It will happen that a large amount of. Then, if such a situation occurs, as shown in FIG. 7, for example, when the image frequency (f 0 +1) is at the high frequency side 910 KHz detuning point of f 0 , the attenuation amount at this point is sufficient. Even if the image frequency (f 0 -1) is at the detuning point of 910 KHz on the low frequency side of f 0 , the standard will be broken and the yield will be reduced. ..

【0005】そこで、このようなスプリアス特性の改善
を図るべく、従来から、各リフレクタ13の外側部にシ
リコン樹脂などを塗布することによって弾性表面波のダ
ンピング部(図示していない)を形成しておくことが行
われている。ところが、このダンピング部の弾性表面波
伝播方向Aに沿う必要にして十分な幅寸法についての検
討は行われておらず、ダンピング部の幅寸法は適当に設
定されているのが実情である。そのため、これらのダン
ピング部の幅寸法を大きく取り過ぎてしまうことがあ
り、結局はSAWフィルタ10の小型化が中途半端にな
るという不都合が生じることになっていた。
Therefore, in order to improve such spurious characteristics, conventionally, a damping portion (not shown) for the surface acoustic wave is formed by coating a silicon resin or the like on the outer portion of each reflector 13. It is being set. However, the necessary and sufficient width dimension of the damping portion along the surface acoustic wave propagation direction A has not been examined, and the width dimension of the damping portion is set appropriately. Therefore, the width dimension of these damping portions may be too large, and eventually the size reduction of the SAW filter 10 may be halfway completed.

【0006】本発明は、このような不都合に鑑みて創案
されたものであって、帯域外スプリアスのみが大きく発
生することを防止しつつ、素子サイズの確実な小型化を
図ることが可能な弾性表面波素子の提供を目的としてい
る。
The present invention was devised in view of such inconveniences, and it is possible to prevent the occurrence of only the out-of-band spurious noise, and at the same time, it is possible to reduce the size of the element reliably. The purpose is to provide a surface acoustic wave element.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、櫛形電極(IDT)と、その両側
部それぞれに配置された反射器(リフレクタ)と、各反
射器の外側部に配置されたダンピング部とを水晶基板の
表面上に並列形成してなる弾性表面波素子において、ダ
ンピング部の弾性表面波伝播方向に沿う幅寸法をリフレ
クタ波長の5倍以上で20倍以下としていることを特徴
とするものである。
In order to achieve such an object, the present invention provides a comb-shaped electrode (IDT), reflectors (reflectors) arranged on both sides of the comb-shaped electrode, and the outside of each reflector. In a surface acoustic wave device in which a damping part disposed in the part is formed in parallel on the surface of a quartz substrate, the width dimension along the surface acoustic wave propagation direction of the damping part is set to 5 times or more and 20 times or less of the reflector wavelength. It is characterized by being present.

【0008】[0008]

【作用】上記構成によれば、各反射器の外側部にはダン
ピング部を形成しているのであるから、ロスについては
勿論のこと、スプリアスについても十分な満足が得られ
ることになる。そして、このとき、ダンピング部の幅寸
法をリフレクタ波長の5倍以上で20倍以下に設定した
ので、素子サイズの十分な小型化をも同時に図れること
になる。
According to the above construction, the damping portion is formed on the outer side of each reflector, so that not only the loss but also the spurious can be sufficiently satisfied. At this time, the width dimension of the damping portion is set to be 5 times or more and 20 times or less of the reflector wavelength, so that the element size can be sufficiently reduced.

【0009】[0009]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0010】図1は弾性表面波素子としてのSAWフィ
ルタの概略構成を示す平面図、図2はその変形例を示す
平面図であり、これらの図における符号1はSAWフィ
ルタである。なお、このSAWフィルタ1の全体構成は
従来例と基本的に異ならないので、図1及び図2におい
て図6と互いに同一もしくは相当する部品、部分には同
一符号を付している。
FIG. 1 is a plan view showing a schematic structure of a SAW filter as a surface acoustic wave element, and FIG. 2 is a plan view showing a modification thereof. Reference numeral 1 in these drawings is a SAW filter. Since the overall structure of the SAW filter 1 is basically the same as that of the conventional example, the same or corresponding parts and portions as those in FIG. 6 are denoted by the same reference numerals in FIGS. 1 and 2.

【0011】本実施例にかかるSAWフィルタ1は、従
来例と同じく、水晶横結合1ポート2重モード型といわ
れるものであり、矩形平板状として形成された水晶基板
11を備えている。そして、この水晶基板11の表面上
には、弾性表面波を励起する櫛形電極(IDT)12
と、このIDT12を挟む両側部それぞれに配置されて
弾性表面波を反射する反射器(リフレクタ)13とが形
成されており、各リフレクタ13は所望の中心周波数f
0で同期する波長と対応する本数(周期)で区切られて
いる。なお、このリフレクタ13を区切る周期は、一般
にリフレクタ波長λといわれるものである。
Like the conventional example, the SAW filter 1 according to the present embodiment is called a crystal horizontal coupling 1-port double mode type, and has a crystal substrate 11 formed in a rectangular flat plate shape. Then, on the surface of the crystal substrate 11, a comb-shaped electrode (IDT) 12 for exciting surface acoustic waves is formed.
And reflectors (reflectors) 13 arranged on both sides sandwiching the IDT 12 and reflecting surface acoustic waves, respectively. Each reflector 13 has a desired center frequency f.
It is divided by the number (cycle) corresponding to the wavelength synchronized with 0 . The period that divides the reflector 13 is generally referred to as the reflector wavelength λ.

【0012】さらにまた、この水晶基板11の表面上に
形成された各リフレクタ13の外側部それぞれには、弾
性表面波の漏れ出しを阻止するためのダンピング部2が
シリコン樹脂などの塗布によって形成されており、ダン
ピング部2それぞれの弾性表面波伝播方向Aに沿う幅寸
法Wはリフレクタ波長λの5倍以上で20倍以下とされ
ている。すなわち、リフレクタ波長λが35μmである
場合におけるダンピング部2の幅寸法Wは、175μm
(=5×λ)以上で700μm(=20×λ)以下に設
定されている。ところで、図1においては、ダンピング
部2がリフレクタ13と離間した状態で形成されている
が、これに限定されるものではなく、図2で示すよう
に、ダンピング部2の一部もしくは全部がリフレクタ1
3の外側部に掛かるような状態で形成されていてもよ
い。
Furthermore, damping portions 2 for preventing the surface acoustic waves from leaking out are formed on the outer portions of the respective reflectors 13 formed on the surface of the quartz substrate 11 by applying a silicone resin or the like. Therefore, the width W of each damping portion 2 along the surface acoustic wave propagation direction A is set to 5 times or more and 20 times or less of the reflector wavelength λ. That is, the width W of the damping part 2 when the reflector wavelength λ is 35 μm is 175 μm.
It is set to (= 5 × λ) or more and 700 μm (= 20 × λ) or less. By the way, in FIG. 1, the damping part 2 is formed in a state of being separated from the reflector 13. However, the present invention is not limited to this, and as shown in FIG. 1
It may be formed in such a manner that it hangs on the outer side portion of 3.

【0013】なお、ここで、ダンピング部2の幅寸法W
をリフレクタ波長λの5倍以上で20倍以下に規制した
のは、次のような理由によるものである。まず、ダンピ
ング部2の幅寸法Wがリフレクタ波長λの5倍以下であ
る場合には、ダンピング効果が不十分となり、スプリア
スの十分な抑制ができなくなってしまう。また、ダンピ
ング部2の幅寸法Wをリフレクタ波長λの20倍以上と
した場合には、その分だけ幅寸法Wが広がることになる
のであるから、素子サイズに制限があるときは、リフレ
クタ13の大きさを狭めることによって特性を犠牲にし
なければならないことになってしまう。
Here, the width dimension W of the damping portion 2
The reason why is restricted to 5 times or more and 20 times or less of the reflector wavelength λ is as follows. First, when the width W of the damping part 2 is 5 times or less of the reflector wavelength λ, the damping effect becomes insufficient and spurious cannot be suppressed sufficiently. Further, if the width dimension W of the damping section 2 is set to be 20 times or more the reflector wavelength λ, the width dimension W will be widened by that amount. Therefore, when the element size is limited, By reducing the size, the property must be sacrificed.

【0014】ところで、本発明の発明者は、同一の素子
サイズを有し、かつ、90MHz帯で使用されるSAW
フィルタ1におけるダンピング部2の幅寸法Wを変化さ
せた場合の特性比較実験を行った。すなわち、ダンピン
グ部2の幅寸法Wをリフレクタ波長λの5倍未満とした
試料1と、ダンピング部2の幅寸法Wをリフレクタ波長
λの10倍程度とした試料2と、ダンピング部2の幅寸
法Wがリフレクタ波長λの20倍を越え、かつ、このダ
ンピング部2の一部がリフレクタ13に掛かった試料3
とを用意したうえで実験を行ったところ、試料1〜3の
それぞれについて図3〜5で示すような挿入損失(減衰
量)−周波数特性が得られた。なお、この特性比較実験
においては、試料2のみが本実施例に対応したものであ
り、試料1,3はいずれも本実施例の対応範囲外となる
ものである。
By the way, the inventor of the present invention has found that the SAW having the same element size and used in the 90 MHz band is used.
A characteristic comparison experiment was performed when the width W of the damping part 2 in the filter 1 was changed. That is, the sample 1 in which the width dimension W of the damping part 2 is less than 5 times the reflector wavelength λ, the sample 2 in which the width dimension W of the damping part 2 is about 10 times the reflector wavelength λ, and the width dimension of the damping part 2 Sample 3 in which W exceeds 20 times the reflector wavelength λ, and a part of this damping part 2 hangs on the reflector 13
When an experiment was carried out after preparing and, the insertion loss (attenuation) -frequency characteristics as shown in FIGS. In this characteristic comparison experiment, only sample 2 corresponds to this example, and samples 1 and 3 are out of the corresponding range of this example.

【0015】そして、これらの特性比較実験結果によれ
ば、f0の高域側910KHz離調点にあるイメージ周
波数(f0+1)における減衰量が試料1(図3参照)
では61dBであるのに対し、本実施例に対応した試料
2(図4参照)では80dBとなり、大きく改善されて
いることが分かる。また、試料3(図5参照)を試料2
と比較した場合には、中心周波数(f0)における減衰
量が3dBから5dBへと増え、また、3dBバンド幅
が53KHzから47KHzへと減っていることから、
特性の低下が生じていることが分かる。
[0015] Then, according to these characteristics comparison experiment result, the attenuation in the image frequency (f 0 +1) in the high frequency side 910KHz detuning point samples f 0 1 (see FIG. 3)
It is 61 dB, whereas it is 80 dB in the sample 2 (see FIG. 4) corresponding to the present example, which is a significant improvement. In addition, the sample 3 (see FIG. 5) is replaced with the sample 2
When compared with, the attenuation amount at the center frequency (f 0 ) increases from 3 dB to 5 dB, and the 3 dB band width decreases from 53 KHz to 47 KHz.
It can be seen that the characteristics are degraded.

【0016】なお、本発明は水晶横結合1ポート2重モ
ード型といわれるSAWフィルタに対してのみ適用され
るものではなく、2ポート型などのような他の構成とさ
れた弾性表面波素子に対しても適用可能であることはい
うまでもない。
The present invention is not applied only to a SAW filter called a crystal laterally coupled 1-port double-mode type, but is also applicable to a surface acoustic wave device having another structure such as a 2-port type. It goes without saying that it is also applicable.

【0017】[0017]

【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかる弾
性表面波素子によれば、櫛形電極の両側部それぞれに配
置された反射器の外側部に配置されたダンピング部の弾
性表面波伝播方向に沿う幅寸法をリフレクタ波長の5倍
以上で20倍以下としているので、帯域内ロスを低く維
持したまま、帯域外スプリアスが大きく発生することを
有効に防止することが可能となる結果、素子サイズの確
実な小型化を図ることができるという効果が得られる。
As described above, according to the surface acoustic wave element of the present invention, the propagation direction of the surface acoustic wave of the damping portion disposed on the outer side of the reflector disposed on each side of the comb-shaped electrode. Since the width dimension along with is not less than 5 times and not more than 20 times the reflector wavelength, it is possible to effectively prevent a large out-of-band spurious from occurring while keeping the in-band loss low. The effect that it is possible to achieve a reliable miniaturization is obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本実施例にかかる弾性表面波素子としてのSA
Wフィルタの概略構成を示す平面図である。
FIG. 1 is an SA as a surface acoustic wave device according to the present embodiment.
It is a top view which shows schematic structure of a W filter.

【図2】その変形例を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a modification thereof.

【図3】試料1の挿入損失−周波数特性を示す特性図で
ある。
FIG. 3 is a characteristic diagram showing an insertion loss-frequency characteristic of Sample 1.

【図4】試料2の挿入損失−周波数特性を示す特性図で
ある。
FIG. 4 is a characteristic diagram showing an insertion loss-frequency characteristic of sample 2.

【図5】試料3の挿入損失−周波数特性を示す特性図で
ある。
FIG. 5 is a characteristic diagram showing insertion loss-frequency characteristics of sample 3.

【図6】従来例にかかる弾性表面波素子としてのSAW
フィルタの概略構成を示す平面図である。
FIG. 6 is a SAW as a surface acoustic wave device according to a conventional example.
It is a top view which shows schematic structure of a filter.

【図7】その挿入損失−周波数特性を示す特性図であ
る。
FIG. 7 is a characteristic diagram showing the insertion loss-frequency characteristics.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 SAWフィルタ(弾性表面波素子) 2 ダンピング部 11 水晶基板 12 IDT(櫛形電極) 13 リフレクタ(反射器) W ダンピング部の幅寸法 λ リフレクタ波長 1 SAW filter (surface acoustic wave element) 2 Damping part 11 Crystal substrate 12 IDT (comb-shaped electrode) 13 Reflector (reflector) W Width width of damping part λ Reflector wavelength

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 櫛形電極(12)と、その両側部それぞ
れに配置された反射器(13)と、各反射器(13)の
外側部に配置されたダンピング部(2)とを水晶基板
(11)の表面上に並列形成してなる弾性表面波素子に
おいて、 ダンピング部(2)の弾性表面波伝播方向に沿う幅寸法
(W)をリフレクタ波長(λ)の5倍以上で20倍以下
としていることを特徴とする弾性表面波素子。
1. A quartz substrate (1) comprising a comb-shaped electrode (12), reflectors (13) arranged on both sides of the comb-shaped electrode (12), and a damping portion (2) arranged on the outer side of each reflector (13). In the surface acoustic wave device formed in parallel on the surface of 11), the width dimension (W) along the surface acoustic wave propagation direction of the damping part (2) is set to be 5 times or more and 20 times or less of the reflector wavelength (λ). A surface acoustic wave device characterized in that
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