JPH05102591A - 狭帯域レ−ザ装置 - Google Patents

狭帯域レ−ザ装置

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JPH05102591A
JPH05102591A JP3261885A JP26188591A JPH05102591A JP H05102591 A JPH05102591 A JP H05102591A JP 3261885 A JP3261885 A JP 3261885A JP 26188591 A JP26188591 A JP 26188591A JP H05102591 A JPH05102591 A JP H05102591A
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JP
Japan
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laser light
split
laser
airtight container
exposure
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Pending
Application number
JP3261885A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuo Enami
龍雄 榎波
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】この発明は、異なるスペクトル幅のレ−ザ光を
選択的に出力させることができるようにした狭帯域レ−
ザ装置を提供することを目的とする。 【構成】気密容器12の一端側に配設された高反射ミラ
−19と、複数の分割面を有し気密容器12の他端側に
おいて高反射ミラ−19で反射して進行するレ−ザ光の
ビ−ム断面の一部にその分割面を挿入して配設された多
角形プリズム20と、この多角形プリズム20の各分割
面で分割されたレ−ザ光の光路にそれぞれ配設され分割
された各レ−ザ光を異なるスペクトル幅で狭帯域化する
複数のエタロン21、22と、各エタロンによって狭帯
域化されたレ−ザ光をそれぞれ気密容器12へ戻す複数
の高反射折返しミラ−24、26と、気密容器12で発
生したレ−ザ光を複数のエタロンのうちの1つだけに入
射させ他のエタロンへ入射するのを阻止するシャッタ2
8とを具備したことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明はレ−ザ光のスペクトル
幅を狭帯域化するための狭帯域レ−ザ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】レ−ザ光を用いて露光を行う場合、1μ
m程度の微細パタ−ンを精度よく露光するために、たと
えばKrFエキシマレ−ザから出力される短波長(248n
m)のレ−ザ光を用いることが試みられている。
【0003】レ−ザ光の波長が短くなると、いろいろな
材料のレンズを組合わせて色収差補正を行うことが難し
い。そこで、レ−ザ光のスペクトル幅を狭帯域化して取
出し、露光精度の向上を計るようにしている。
【0004】図4に一般的な狭帯域レ−ザ装置を示す。
同図中1は両端に窓1a、1bが形成された気密容器で
ある。この気密容器1内にはNe(ネオン)、F2 (弗
素)およびKr(クリプトン)を所定の割合で混合して
なるガスレ−ザ媒質が充填されている。また、気密容器
1内には一対の主電極2が離間対向して配設されてい
る。これら主電極2に電気エネルギを供給して主放電を
発生させると、上記ガスレ−ザ媒質が励起されてレ−ザ
光Lが発生するようになっている。
【0005】上記気密容器1の光軸方向一端側には、レ
−ザ光Lを所定のスペクトル幅に狭帯域化する一対のエ
タロン3およびこのエタロン3で狭帯域化されたレ−ザ
光Lを上記気密容器1へ戻す高反射ミラ−4とが順次配
設されている。
【0006】上記気密容器1の他端側には出力ミラ−5
が配設されている。この出力ミラ−5からは、上記エタ
ロン3で狭帯域化されて上記高反射ミラ−4によって気
密容器1に戻されることで増幅されたレ−ザ光Lが発振
出力されるようになっている。
【0007】このような構成の狭帯域レ−ザ装置におい
て、出力されるレ−ザ光Lのスペクトル幅はエタロン3
の特性によって決定される。一方、半導体プロセスにお
ける露光用の光源として上記レ−ザ光Lを使用する場
合、ウエハ上に描かれるパタ−ンの線幅によってレ−ザ
光のスペクトル幅が決められる。
【0008】ところで、上記狭帯域レ−ザ装置において
は、出力されるレ−ザ光Lのスペクトル幅を可変とする
ことができない。そのため、レ−ザ光Lのスペクトル幅
は、最も狭いパタ−ンを描くために要求される最小のス
ペクトル幅に設定されることになる。
【0009】しかしながら、レ−ザ光Lのスペクトル幅
と出力パワ−とはほぼ比例関係にあり、最小のスペクト
ル幅とすると、出力パワ−も低下する。そのため、最小
のスペクトル幅のレ−ザ光Lで露光を行うようにする
と、数百ショットを積算しなければならいから、露光時
間が長くなり、生産性の低下を招くことになる。レ−ザ
光Lのスペクトル幅を最小よりも大きくすれば、最小の
スペクトル幅のレ−ザ光Lで露光を行う場合に比べて積
算ショット数を少なくし、生産性の向上を計ることがで
きるが、その場合には半導体プロセスで要求される最も
狭い幅のパタ−ンを刻むことができなくなる。
【0010】一方、半導体プロセス上、最小スペクトル
幅のレ−ザ光Lが必要とされるプロセスは、全体のごく
一部である。したがって、各プロセスで要求されるスペ
クトル幅に応じてレ−ザ光Lのスペクトル幅を制御する
ことができれば、生産性を大幅に向上させることが可能
となる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の狭
帯域レ−ザ装置は、一定のスペクトル幅のレ−ザ光だけ
しか出力させることができなかったので、露光精度の向
上と生産性の向上との両者を満足することができなかっ
た。
【0012】この発明は上記事情にもとずきなされたも
ので、その目的とするところは、レ−ザ光のスペクトル
幅を使用条件に応じて変えることができるようにした狭
帯域レ−ザ装置を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
にこの発明は、ガスレ−ザ媒質が封入された気密容器
と、上記ガスレ−ザ媒質を励起してレ−ザ光を発生させ
る励起手段と、上記気密容器で発生するレ−ザ光の光軸
上で上記気密容器の一端側に配設された高反射ミラ−
と、複数の分割面を有し上記気密容器の他端側において
上記高反射ミラ−で反射して進行するレ−ザ光のビ−ム
断面の一部に上記複数の分割面を挿入して配設された多
角形プリズムと、この多角形プリズムの各分割面で分割
されたレ−ザ光の光路にそれぞれ配設され分割された各
レ−ザ光を異なるスペクトル幅で狭帯域化する複数の狭
帯域化手段と、各狭帯域化手段に対向して配設されこれ
ら狭帯域化手段によって狭帯域化されたレ−ザ光をそれ
ぞれ上記気密容器へ戻す複数の高反射折返しミラ−と、
上記気密容器で発生したレ−ザ光を上記複数の狭帯域化
手段のうちの1つだけに入射させ他の狭帯域化手段へ入
射するのを阻止する選択手段とを具備したことを特徴と
する。
【0014】
【作用】上記構成によれば、選択手段によって狭帯域化
されるレ−ザ光が入射する狭帯域化手段を選択すれば、
その狭帯域化手段のもつ特性に応じたスペクトル幅のレ
−ザ光を出力させることができる。
【0015】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図1と図2を参
照して説明する。図2は露光用光源として用いられる狭
帯域レ−ザ装置の概略的構成を示し、同図中11は装置
本体である。この装置本体11には内部にNe、F2
よびKrを所定の割合で混合したガスレ−ザ媒質が充填
された気密容器12が設けられている。この気密容器1
2の軸方向両端にはそれぞれ窓13a、13bが形成さ
れている。また、気密容器12の内部には一対の主電極
14が離間対向して配設されている。これら主電極14
には、装置本体11に設けられた高圧電源部15から電
気エネルギが供給される。それによって、一対の主電極
14間の放電空間部16には主放電が点弧され、その主
放電によってガスレ−ザ媒質が励起されてビ−ム断面が
矩形をなしたレ−ザ光Lを発生させることができるよう
になっている。
【0016】また、上記装置本体11には上記気密容器
12にガスレ−ザ媒質を供給および排出する給排気部1
7、この給排気部17や上記高圧電源部15などを制御
する制御装置18が設けられている。
【0017】上記気密容器12の一方の窓13aに対向
する部位には高反射ミラ−19が配設され、他方の窓1
3bに対向する部位には断面五角形をなした多角形プリ
ズム20が配設されている。つまり、この多角形プリズ
ム20は、一側が平面20aに形成され、他側には第1
の分割面20bと第2の分割面20cとが所定の角度で
屈曲して形成されている。そして、この多角形プリズム
20は、その第1の分割面20bと第2の分割面20c
とをレ−ザ光Lの矩形ビ−ムの断面内の一部に挿入して
配設されている。つまり、上記気密容器12からのレ−
ザ光Lの一部は上記第1の分割面20bと第2の分割面
20cとに入射して分割され、それぞれ別の光路をとる
ようになっている。
【0018】上記第1の分割面20bで分割された第1
の分割レ−ザ光L1の光路には狭帯域化手段としての第
1のエタロン21が配設され、上記第2の分割面20c
で分割された第2の分割レ−ザ光L2 の光路には同じく
狭帯域化手段としての第2のエタロン22が配設されて
いる。
【0019】上記第1のエタロン21は、たとえば第1
の分割レ−ザ光L1を6pmのスペクトル幅にする性能を
有し、上記第2のエタロン22は第2の分割レ−ザ光L
2 を3pmのスペクトル幅にする性能を備えている。
【0020】6pmに狭帯域化された第1の分割レ−ザ光
1 の出力パワ−は、たとえば4wであり、3pmに狭帯
域化された第2の分割レ−ザ光L2 の出力パワ−は2w
となる。したがって、第1の分割レ−ザ光L1 で露光を
行う場合、約50回のショットの積算で必要な露光量に
達するとすれば、第2の分割レ−ザ光L2 の場合は約1
00回のショットの積算で必要な露光に達することにな
る。
【0021】上記第1のエタロン21で狭帯域化された
第1の分割レ−ザ光L1 は、上記高反射ミラ−19とで
第1の光共振器23を形成する第1の高反射折返しミラ
−24で反射して上記気密容器12へ戻るようになって
いる。上記第2のエタロン22で狭帯域化された第2の
分割レ−ザ光L2 は、上記高反射ミラ−19とで第2の
光共振器25を形成する第2の高反射折返しミラ−26
で反射して上記気密容器12へ戻るようになっている。
【0022】上記気密容器12へ戻った第1の分割レ−
ザ光L1 あるいは第2の分割レ−ザ光L2 は、上記気密
容器12を通って増幅され、さらに高反射ミラ−19で
反射して再度、気密容器12内で増幅されて上記第1の
エタロン21あるいは上記第2のエタロン22によって
定まるスペクトル幅のレ−ザ光L´として出力される。
このレ−ザ光L´は露光装置27に導かれ、ここで図示
しないウエハに所定の線幅でパタ−ンを刻むことにな
る。上記露光装置27は上記制御装置18によってレ−
ザ装置からのレ−ザ光L´の発振と同期して制御される
ようになっている。
【0023】上記多角形プリズム20と第1、第2のエ
タロン21、22との間には選択手段としてのシャッタ
28が設けられている。このシャッタ28は駆動装置2
9によって図1に矢印で示すように駆動されるようにな
っている。つまり、シャッタ28は、上記多角形プリズ
ム20で分割された第1の分割レ−ザ光L1 あるいは第
2の分割レ−ザ光L2 のどちらか一方の光路に選択的に
侵入し、その光路を遮断するようになっている。
【0024】上記シャッタ28が第2の分割レ−ザ光L
2 の光路に侵入すれば、この第2の分割レ−ザ光L2
遮断されて第1の分割レ−ザ光L1 だけが狭帯域化され
て気密容器12へ戻り、逆に第1の分割レ−ザ光L1
光路へ侵入すれば、第1の分割レ−ザ光L1 が遮断され
て第2の分割レ−ザ光L2 だけが狭帯域化されて気密容
器12へ戻るようになっている。
【0025】上記構成の狭帯域レ−ザ装置においては、
露光装置27からのスペクトル幅の指示にしたがって制
御装置18が駆動装置29を駆動制御する。スペクトル
幅が6pmのレ−ザ光L´が必要な場合、シャッタ28は
駆動装置29によって図2に実線で示すように駆動され
て第2の分割レ−ザ光L2 の光路に侵入し、この第2の
分割レ−ザ光L2 が第2のエタロン22に入射するのを
阻止する。それによって、第1の分割レ−ザ光L1 だけ
が第1のエタロン21に入射してスペクトル幅が6pmに
狭帯域化され、第1の高反射折返しミラ−24で反射し
て気密容器12へ戻って増幅される。
【0026】気密容器12へ戻った第1の分割レ−ザ光
1 は、高反射ミラ−19で折返して再び気密容器12
で増幅されてから出力され、露光装置27へ入射する。
したがって、露光装置27では、ウエハに第1の分割レ
−ザ光L1 のスペクトル幅に応じた線幅でパタ−ンを刻
む。
【0027】一方、スペクトル幅の狭い3pmのレ−ザ光
L´が必要な場合には、露光装置27からの指示によっ
て駆動装置29が駆動され、シャッタ28が第1の分割
レ−ザ光L1 の光路に侵入させられる。それによって、
第1の分割レ−ザ光L1 が遮断され、第2の分割レ−ザ
光L2 が第2のエタロン22によって3pmのスペクトル
幅に狭帯域化される。この第2の分割レ−ザ光L2 は第
2の高反射折返しミラ−26で反射して気密容器12へ
戻される。そして、高反射ミラ−19で折返して気密容
器12で増幅されてから、出力され、露光装置27へ入
射する。それによって、第2の分割レ−ザ光L2 はウエ
ハに3pmのスペクトル幅でパタ−ンを刻むことになる。
【0028】すなわち、上記構成によれば、通常は出力
パワ−の大きな6pmのスペクトル幅の第1の分割レ−ザ
光L1 を出力することができ、微細なパタ−ンを刻むと
きにだけ出力パワ−の小さな3pmのスペクトル幅の第2
の分割レ−ザ光L2 を出力することができる。
【0029】半導体プロセスにおいて、3pmのスペクト
ル幅の第2の分割レ−ザ光L2 が必要なのはごく一部で
ある。そのため、第2の分割レ−ザ光L2 によって繰返
しショット数を多くして露光しなければならないプロセ
スもごく一部となり、それ以外のプロセスではレ−ザ出
力の大きな第1の分割レ−ザ光L1 によって少ないショ
ット数で露光することができる。したがって、必要とさ
れる最小のスペクトル幅のレ−ザ光でプロセス全体の露
光を行う場合に比較して露光時間をほぼ半分にすること
が可能となり、しかも露光精度を低下させるようなこと
もない。
【0030】図3はこの発明の他の実施例を示す。この
実施例は選択手段としてのシャッタ28aを多角形プリ
ズム20の第1、第2の分割面20b、20c側に配設
し、このシャッタ28aは、駆動装置29によって図に
矢印で示すレ−ザ光Lの光路に対して垂直方向に駆動さ
れるようになっている。
【0031】上記シャッタ28aが同図に示すように第
1の分割面20bに対向する位置にあれば、レ−ザ光L
が第1の分割面20bに入射するのが阻止されるから、
第1の分割レ−ザ光L1 が発生することがなく、第2の
分割面20cによって分割された第2の分割レ−ザ光L
2 だけが第2のエタロン22によって狭帯域化されて出
力されることになる。
【0032】上記シャッタ28aが第1の分割面20b
に対向する位置から同図に鎖線で示す第2の分割面20
cに対向する位置に駆動されると、レ−ザ光Lが第2の
分割面20cに入射するのが阻止され、第1の分割面2
0bによって分割された第1の分割レ−ザ光L1 だけが
第1のエタロン21で狭帯域化されて出力されることに
なる。したがって、上記シャッタ28aの駆動を制御す
れば、上記一実施例と同様、プロセスに応じたスペクト
ル幅のレ−ザ光で露光することができる。
【0033】なお、この発明は上記各実施例に限定され
ず、その要旨を逸脱しない範囲で種々変形可能である。
たとえば、多角形プリズムは五角形に限定されず、六角
形以上の多角形で、分割面を3つ以上有する形状のもの
であってもよい。その多角形プリズムの分割面の数をn
とした場合、その数に応じた光共振器を形成する必要が
あり、またシャッタは(n−1)の光共振器の光路を同
時に遮断できるようにすればよい。このような構成によ
れば、n種類の異なるスペクトル幅のレ−ザ光を選択的
に得ることができる。
【0034】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明は、多角形プ
リズムで複数に分割された各レ−ザ光の光路にそれぞれ
のレ−ザ光を異なるスペクトル幅で狭帯域化する狭帯域
化手段を設けるとともに、各狭帯域化手段によって狭帯
域化されたレ−ザ光を選択的に出力させることができる
ようにした。
【0035】そのため、たとえば半導体プロセスにおい
て、各プロセスで要求されるスペクトル幅に応じたレ−
ザ光を出力させることで、露光精度の低下を招かずに露
光時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例を示す要部の構成図。
【図2】同じく露光用光源として用いた狭帯域レ−ザ装
置の概略図。
【図3】この発明の他の実施例を示す要部の構成図。
【図4】従来の狭帯域レ−ザ装置の説明図。
【符号の説明】
12…気密容器、14…主電極(励起手段)、19…高
反射ミラ−、20…多角形プリズム、20b…第1の分
割面、20c…第2の分割面、21…第1のエタロン
(狭帯域化手段)、22…第2のエタロン(狭帯域化手
段)、24…第1の高反射折返しミラ−、26…第2の
高反射折返しミラ−、28…シャッタ(選択手段)。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ガスレ−ザ媒質が封入された気密容器
    と、上記ガスレ−ザ媒質を励起してレ−ザ光を発生させ
    る励起手段と、上記気密容器で発生するレ−ザ光の光軸
    上で上記気密容器の一端側に配設された高反射ミラ−
    と、複数の分割面を有し上記気密容器の他端側において
    上記高反射ミラ−で反射して進行するレ−ザ光のビ−ム
    断面の一部に上記複数の分割面を挿入して配設された多
    角形プリズムと、この多角形プリズムの各分割面で分割
    されたレ−ザ光の光路にそれぞれ配設され分割された各
    レ−ザ光を異なるスペクトル幅で狭帯域化する複数の狭
    帯域化手段と、各狭帯域化手段に対向して配設されこれ
    ら狭帯域化手段によって狭帯域化されたレ−ザ光をそれ
    ぞれ上記気密容器へ戻す複数の高反射折返しミラ−と、
    上記気密容器で発生したレ−ザ光を上記複数の狭帯域化
    手段のうちの1つだけに入射させ他の狭帯域化手段へ入
    射するのを阻止する選択手段とを具備したことを特徴と
    する狭帯域レ−ザ装置。
JP3261885A 1991-10-09 1991-10-09 狭帯域レ−ザ装置 Pending JPH05102591A (ja)

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