JPH05102399A - Bus connecting system - Google Patents
Bus connecting systemInfo
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- JPH05102399A JPH05102399A JP3256122A JP25612291A JPH05102399A JP H05102399 A JPH05102399 A JP H05102399A JP 3256122 A JP3256122 A JP 3256122A JP 25612291 A JP25612291 A JP 25612291A JP H05102399 A JPH05102399 A JP H05102399A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はバス接続方式に関し、特
に、半導体集積回路において使用されるバス接続方式に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a bus connection system, and more particularly to a bus connection system used in a semiconductor integrated circuit.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の、この種のバス接続方式の一例が
図3に示される。図3に示されるように、半導体集積回
路内において、機能プロック38、39、40および4
1と、これらの各機能ブロックに付帯する入出力バッフ
ァ42、43、44および45に対応して、相互の入出
力バッファを連結するためにバスライン205、20
6、207および208が布設されている。図3におい
て、抵抗および容量として表示されている回路素子は、
それぞれこれらのバスラインに付随する寄生抵抗(46
〜61)および寄生容量(62〜69)である。2. Description of the Related Art An example of a conventional bus connection system of this type is shown in FIG. As shown in FIG. 3, in the semiconductor integrated circuit, the function blocks 38, 39, 40 and 4 are provided.
1 and the input / output buffers 42, 43, 44 and 45 attached to each of these functional blocks, the bus lines 205, 20 for connecting the input / output buffers to each other.
6, 207 and 208 are laid. In FIG. 3, the circuit elements represented as resistance and capacitance are
The parasitic resistance (46
˜61) and parasitic capacitance (62-69).
【0003】このようなバス接続方式において、例え
ば、機能ブロック38より機能ブロック40に信号を伝
達する場合には、バスライン205および207と、環
状に布設されているバスライン等に付随して存在する寄
生抵抗および寄生容量等が、全て当該信号の伝送に対し
て関与することになり、結果的に、伝送される信号に対
して波形歪、位相遅延歪、レベル低下および雑音付加等
を含む伝送特性を劣化させる要因となる。In such a bus connection system, for example, when a signal is transmitted from the function block 38 to the function block 40, the bus lines 205 and 207 and the bus lines laid in an annular shape are present together. All of the parasitic resistance and parasitic capacitance that are involved in the transmission of the signal concerned result in transmission of the transmitted signal including waveform distortion, phase delay distortion, level reduction, noise addition, etc. It becomes a factor that deteriorates the characteristics.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のバス接
続方式においては、半導体集積回路の多機能化ならびに
チップ面積の増大傾向に伴ない、各機能ブロック間に布
設されるバスラインの引廻しの長さが増大する傾向にあ
り、しかもバスラインに接続される入出力ゲートの数も
大幅に増加してきている。このために、バスライン自身
の寄生容量および寄生抵抗、前記入出力ゲート自身の負
荷容量および寄生抵抗等により、各機能ブロック間の信
号伝送特性が劣化し、半導体集積回路の内部回路におけ
る誤動作の要因となるという欠点がある。In the above-described conventional bus connection system, the bus lines laid between the respective functional blocks are laid out as the semiconductor integrated circuit becomes multifunctional and the chip area tends to increase. The length tends to increase, and the number of input / output gates connected to the bus line has also increased significantly. For this reason, the signal transmission characteristics between the functional blocks are deteriorated due to the parasitic capacitance and parasitic resistance of the bus line itself, the load capacitance and parasitic resistance of the input / output gate itself, and the cause of malfunction of the internal circuit of the semiconductor integrated circuit. There is a drawback that
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明のバス接続方式
は、半導体集積回路内の各機能ブロック間を、入出力バ
ッファおよびバスラインを介して相互に接続するバス接
続方式において、各機能ブロックに対応して設けられる
バスラインが、所定の接続点Oにおいて共通接続される
ように布設され、当該接続点Oに近接する位置におい
て、それぞれのバスラインに当該バスラインが信号伝達
用として使用される状態においてのみ閉路されるように
制御されるスイッチ手段が挿入接続されることを特徴と
している。According to the bus connection system of the present invention, functional blocks in a semiconductor integrated circuit are connected to each other through an input / output buffer and a bus line. Corresponding bus lines are laid so as to be commonly connected at a predetermined connection point O, and at a position close to the connection point O, each bus line is used for signal transmission. It is characterized in that the switch means controlled to be closed only in the state is inserted and connected.
【0006】[0006]
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be described with reference to the drawings.
【0007】図1は本発明の一実施例を示すブロック図
である。図1に示されるように、本実施例は、半導体集
積回路内において、機能プロック1、2、3および4
と、これらの各機能ブロックに付帯する入出力バッファ
5、6、7および8に対応して、相互の入出力バッファ
を連結するためにバスライン201、202、203お
よび204が布設されており、これらのバスラインの接
続点Oに対応して、各バスラインには、スイッチ回路と
して機能するNチャネルMOSトランジスタ9、10、
11および12が挿入接続されている。また、図1にお
いて、抵抗および容量として表示されている回路素子
は、前述の従来例の場合と同様に、これらのバスライン
に付随する寄生抵抗(13〜20)および寄生容量(2
1〜24)を示している。図1より明らかなように、本
発明の従来例との相違点は、各バスライン201、20
2、203および204が接続点Oにおいて共通接続さ
れ、且つ、接続点Oに対応して、バスライン201、2
02、203および204には、それぞれNチャネルM
OSトランジスタ9、10、11および12が挿入接続
されていることである。なお、スイッチ回路として機能
するNチャネルMOSトランジスタは、PチャネルMO
Sトランジスタにより代替して用いることも可能であ
る。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, in this embodiment, in the semiconductor integrated circuit, the function blocks 1, 2, 3 and 4 are used.
And bus lines 201, 202, 203 and 204 are provided to connect the input / output buffers 5, 6, 7 and 8 to the respective functional blocks, in order to connect the input / output buffers to each other. Corresponding to the connection point O of these bus lines, N-channel MOS transistors 9 and 10 functioning as switch circuits are provided in each bus line.
11 and 12 are inserted and connected. Further, in FIG. 1, the circuit elements shown as resistance and capacitance are the parasitic resistances (13 to 20) and parasitic capacitances (2 to 20) associated with these bus lines, as in the case of the above-mentioned conventional example.
1 to 24) are shown. As is apparent from FIG. 1, the difference from the conventional example of the present invention is that each bus line 201, 20
2, 203 and 204 are commonly connected at the connection point O, and corresponding to the connection point O, the bus lines 201, 2
02, 203 and 204 respectively have N channels M
That is, the OS transistors 9, 10, 11 and 12 are inserted and connected. The N-channel MOS transistor functioning as a switch circuit is a P-channel MO transistor.
It is also possible to substitute and use an S transistor.
【0008】また、図2(a)に示されるのは、各入出
力バッファ5、6、7および8に共通する一実施例を示
す回路図であり、図2(a)に示されるように、NAN
D回路25と、インバータ26、32、36および37
と、NOR回路27と、PチャネルMOSトランジスタ
28、31および33と、NチャネルMOSトランジス
タ29、34および35と、EXOR回路30とを備え
て構成される。また、図2(b)、(c)および(d)
に示されるのは、図2(a)において、それぞれバス入
力信号IN、バス開閉信号BOおよびバス出力信号IO
を出力とする真理値表を示す図であり、zとして示され
るのは、ハイ・インピーダンスの状態を示している。な
お、初期状態においては、これらの入出力バッファ5、
6、7および8において、読出し信号RDおよび書込み
信号WRは、共に“0”レベルに設定されている。Further, FIG. 2A is a circuit diagram showing an embodiment common to the input / output buffers 5, 6, 7 and 8, and as shown in FIG. , NAN
D circuit 25 and inverters 26, 32, 36 and 37
A NOR circuit 27, P channel MOS transistors 28, 31 and 33, N channel MOS transistors 29, 34 and 35, and an EXOR circuit 30. 2 (b), (c) and (d)
2A, the bus input signal IN, the bus opening / closing signal BO and the bus output signal IO are respectively shown in FIG.
It is a figure which shows the truth table which makes output, and what is shown as z has shown the state of high impedance. In the initial state, these input / output buffers 5,
In 6, 7, and 8, the read signal RD and the write signal WR are both set to "0" level.
【0009】図1において、例えば、機能ブロック1よ
り機能ブロック4に信号を伝達する場合には、入出力バ
ッファ5および8において(図2(a)を参照)、書込
み信号WRが“0”レベルに保持されたまま、読出し信
号RDが“0”→“1”に転移される。これを受けて、
バス開閉信号BOも“0”→“1”に転移し、それぞれ
“1”レベルの開閉信号101(入出力バッファ5)お
よび104(入出力バッファ8)として出力されて、図
1においてスイッチ回路として機能するNチャネルMO
Sトランジスタ9および12のゲートに、それぞれ入力
される。これにより、NチャネルMOSトランジスタ9
および12は共に導通状態となり、バスライン201と
204は、連結状態に置かれる。他方、入出力バッファ
6および7は初期状態に置かれたままの状態にあり、読
出し信号RDおよび書込み信号WRが、共に“0”レベ
ルに設定されたままであるため、対応するNチャネルM
OSトランジスタ10および11は非導通状態のままに
保持される。In FIG. 1, for example, when a signal is transmitted from the functional block 1 to the functional block 4, the write signal WR is at "0" level in the input / output buffers 5 and 8 (see FIG. 2A). The read signal RD is transferred from "0" to "1" while being held at. In response to this,
The bus open / close signal BO is also transited from “0” to “1” and output as open / close signals 101 (input / output buffer 5) and 104 (input / output buffer 8) of “1” level, respectively, and as a switch circuit in FIG. Functioning N-channel MO
It is input to the gates of the S transistors 9 and 12, respectively. As a result, the N-channel MOS transistor 9
Both and 12 are conductive, and the bus lines 201 and 204 are connected. On the other hand, since the input / output buffers 6 and 7 are still in the initial state and the read signal RD and the write signal WR are both set to "0" level, the corresponding N channel M
OS transistors 10 and 11 are held in the non-conducting state.
【0010】従って、機能ブロック1と機能ブロック4
との間の信号を伝達するための伝送バスラインとして
は、バスライン201および204のみより形成され、
必要外のバスライン202および203は完全に排除さ
れている。これにより、バスライン202および203
に介在している余分の寄生抵抗および寄生容量等も、こ
の伝送バスラインより一切排除されて、バスラインの伝
送特性を劣化させるようなことはない。また、接続点O
に接続されるスイッチ回路としてのNチャネルMOSト
ランジスタ、入出力バッファおよび機能ブロック等を含
む一連のバスライン系統の数を増すことにより、より一
層寄生抵抗および寄生容量等の削減が期待される。Therefore, the function block 1 and the function block 4
A transmission bus line for transmitting a signal between and is formed by only the bus lines 201 and 204,
Unnecessary bus lines 202 and 203 have been completely eliminated. As a result, the bus lines 202 and 203
The extra parasitic resistance, parasitic capacitance, and the like that are present in the transmission line are not excluded from the transmission bus line, and the transmission characteristics of the bus line are not deteriorated. Also, connection point O
It is expected that the parasitic resistance and the parasitic capacitance will be further reduced by increasing the number of a series of bus line systems including an N-channel MOS transistor as a switch circuit, an input / output buffer, a functional block, etc. connected to the.
【0011】[0011]
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、各機能
ブロックに対応するバスライン上に、信号伝送時に導通
状態に設定されるMOSトランジスタを挿入接続するこ
とにより、バスラインに介在する寄生抵抗および寄生容
量を低減させて、機能ブロック間の信号伝送特性が改善
し、半導体集積回路の内部回路における誤動作を防止す
ることができるという効果がある。As described above, according to the present invention, by inserting and connecting a MOS transistor, which is set in a conductive state at the time of signal transmission, on the bus line corresponding to each functional block, a parasitic transistor existing in the bus line is inserted. The resistance and the parasitic capacitance are reduced, the signal transmission characteristics between the functional blocks are improved, and the malfunction of the internal circuit of the semiconductor integrated circuit can be prevented.
【図1】本発明の一実施例を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention.
【図2】本実施例における入出力バッファの一実施例を
示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of an input / output buffer in this embodiment.
【図3】従来例を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram showing a conventional example.
1〜4、38〜41 機能ブロック 5〜8、42〜45 入出力バッファ 9〜12、29、34、35 NチャネルMOSトラ
ンジスタ 13〜20、46〜61 寄生抵抗 21〜24、62〜69 寄生容量 25 NAND回路 26、32、36、37 インバータ 27 NOR回路 28、31、33 PチャネルMOSトランジスタ 30 EXOR回路1-4, 38-41 Functional block 5-8, 42-45 Input / output buffer 9-12, 29, 34, 35 N-channel MOS transistor 13-20, 46-61 Parasitic resistance 21-24, 62-69 Parasitic capacitance 25 NAND circuit 26, 32, 36, 37 Inverter 27 NOR circuit 28, 31, 33 P-channel MOS transistor 30 EXOR circuit
Claims (1)
を、入出力バッファおよびバスラインを介して相互に接
続するバス接続方式において、 各機能ブロックに対応して設けられるバスラインが、所
定の接続点Oにおいて共通接続されるように布設され、
当該接続点Oに近接する位置において、それぞれのバス
ラインに当該バスラインが信号伝達用として使用される
状態においてのみ閉路されるように制御されるスイッチ
手段が挿入接続されることを特徴とするバス接続方式。1. In a bus connection method for connecting functional blocks in a semiconductor integrated circuit to each other via an input / output buffer and a bus line, a bus line provided corresponding to each functional block has a predetermined connection. Laid so that they are commonly connected at point O,
At a position close to the connection point O, a switch means controlled to be closed is inserted and connected to each bus line only when the bus line is used for signal transmission. Connection method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3256122A JPH05102399A (en) | 1991-10-03 | 1991-10-03 | Bus connecting system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3256122A JPH05102399A (en) | 1991-10-03 | 1991-10-03 | Bus connecting system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05102399A true JPH05102399A (en) | 1993-04-23 |
Family
ID=17288207
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3256122A Pending JPH05102399A (en) | 1991-10-03 | 1991-10-03 | Bus connecting system |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05102399A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6338113B1 (en) | 1998-06-10 | 2002-01-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Memory module system having multiple memory modules |
-
1991
- 1991-10-03 JP JP3256122A patent/JPH05102399A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6338113B1 (en) | 1998-06-10 | 2002-01-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Memory module system having multiple memory modules |
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