JPH05100244A - Spatial optical modulating element - Google Patents

Spatial optical modulating element

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Publication number
JPH05100244A
JPH05100244A JP25890191A JP25890191A JPH05100244A JP H05100244 A JPH05100244 A JP H05100244A JP 25890191 A JP25890191 A JP 25890191A JP 25890191 A JP25890191 A JP 25890191A JP H05100244 A JPH05100244 A JP H05100244A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
spatial light
light modulator
photoconductive layer
electrode
liquid crystal
Prior art date
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Pending
Application number
JP25890191A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koji Akiyama
浩二 秋山
Kuni Ogawa
久仁 小川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP25890191A priority Critical patent/JPH05100244A/en
Publication of JPH05100244A publication Critical patent/JPH05100244A/en
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Abstract

PURPOSE:To easily adjust the size of an input pattern by forming a photodetecting element by using a photoconductive layer and measuring the current which flows to the photodetecting element. CONSTITUTION:A transparent conductive electrode 102 is formed on a transparent insulating substrate 101, a photoconductive layer 103 is deposited thereupon, and a picture element electrode 104 for photodetecting and processing input light and a position detection electrode 105 which forms a photodetecting element for detecting the size of the input image are further laminated. Spacers 106 are used to sandwich a liquid crystal layer 109 with a transparent insulating substrate 108 where a transparent electrode 107 is formed. Here, oriented films 110 and 111 are formed on the liquid crystal layer 109. When a pattern is inputted to this element, a voltage is applied to the position detection electrode 105 to measures currents flowing to the individual electrodes.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、パタ−ン認識または画
像処理などを行う光演算装置に用いられる空間光変調素
子に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a spatial light modulator used in an optical arithmetic unit for pattern recognition or image processing.

【0002】[0002]

【従来の技術】空間光変調素子は、光論理演算や光ニュ
−ロコンピュ−ティングなどの光情報処理を実現するた
めの重要な素子である。特に、光書き込み型の空間光変
調素子は、線順次に駆動していく電気書き込み型のもの
と異なり、2次元並列に光で情報を書き込むため、書き
込みに要する時間を短くでき、高速動作が期待できる。
このような光書き込み型の空間光変調素子は、一般的に
は光導電層と液晶のような変調部分を組み合わせた構造
をしており、光導電層に光を入力することにより、変調
部分をスイッチングし、出力光の強度を変調する。
2. Description of the Related Art A spatial light modulator is an important element for realizing optical information processing such as optical logic operation and optical neurocomputing. In particular, the optical writing type spatial light modulator is different from the electric writing type in which line-sequential driving is performed, and information is written in two-dimensional parallel light so that the time required for writing can be shortened and high-speed operation is expected. it can.
Such a photo-writing type spatial light modulator generally has a structure in which a photoconductive layer and a modulation part such as liquid crystal are combined, and the modulation part is formed by inputting light into the photoconductive layer. It switches and modulates the intensity of the output light.

【0003】光コンピュータは、光のもつ並列性を活用
して大規模並列処理による高速演算を実現できることか
ら、従来のフォン・ノイマン型のコンピュ−タを越える
ものとして期待されている。中でも、ニュ−ラルネット
ワ−クのもつ並列性との整合性から、光でニュ−ラルネ
ットワ−クを構成した光ニュ−ロコンピュ−タが、判
断、認識、連想、学習などの人間のもつ知的情報処理を
実現するものとして、最近急速に注目を集めている。こ
れらの光コンピュ−タを構成するための、キーデバイス
が上述のような空間光変調素子である。空間光変調素子
を用いた光ニューロコンピュ−タとして、図8に示すよ
うなシステムで連想機能による文字認識を行った例が報
告されている{参考文献:瀧本 他 電気学会研究会試
料 LAV-91-10 (1991) 49.}。このシステムで使用されて
いる光ニューロン素子は、光和算および光閾値処理機能
をもった空間光変調素子である。
The optical computer is expected to exceed the conventional von Neumann type computer because it can realize high-speed computation by large-scale parallel processing by utilizing the parallelism of light. Among them, an optical neuro-computer that constructs a neural network with light is used to make intelligent information that humans have, such as judgment, recognition, association, and learning, because of the consistency with the parallelism of the neural network. Recently, it has been rapidly attracting attention as a means for realizing processing. The key device for constructing these optical computers is the spatial light modulator as described above. As an optical neurocomputer using a spatial light modulator, an example of performing character recognition by an associative function in a system as shown in Fig. 8 has been reported {Reference: Takimoto et al. IEICE Technical Committee Sample LAV-91. -10 (1991) 49.}. The optical neuron element used in this system is a spatial light modulator having optical summation and optical threshold processing functions.

【0004】また、画像のフーリエ変換を求める場合、
従来のコンピュータではかなりの演算時間を要するが、
光学的にはレンズを用いることにより簡単に得ることが
できる。しかし、光学的に得られたフーリエ変換パター
ンのパワースペクトルの測定には、テレビカメラあるい
は市販されている専用の光検出器(同心円および放射状
電極を設けてある)を用いて、電気信号に変換して行わ
れている。
Further, when obtaining the Fourier transform of an image,
Conventional computers require a considerable amount of computation time,
Optically, it can be easily obtained by using a lens. However, in order to measure the power spectrum of the Fourier transform pattern obtained optically, it is converted into an electric signal using a TV camera or a commercially available dedicated photodetector (provided with concentric circles and radial electrodes). Is being done.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】計算機を用いた文字認
識装置では、文字を入力する際、文字の切り出しを行っ
ているが、これと同じように、従来例の一例として挙げ
た図8の光演算システムの場合、入力パターンは決めら
れた位置に、決められた大きさで入力しなければならな
い。しかし、実用の際、例えば、文字認識を行う場合、
実際の文書に使用されている文字の大きさは様々である
とともに、一字一字位置合わせを行わなければならな
い。つまり、決められた文字の大きさになるように、あ
るいは決められた位置に文字が配置されるように光学系
の調整しないで文字を入力すると、完全な文字であって
も正しく認識することはできない。従って、常に文字の
大きさを計測しつつ、その大きさが常に一定になるよう
に文字を入力するために、光学系を調整しなければなら
ない。通常、文字の大きさの計測は、テレビカメラを使
って入力パターンを取り込み、電気的な処理によって行
っている。従って、データ量の多い画像データの処理を
行わなければならず、計測に時間がかかってしまい、光
の並列性を用いた高速演算の意味がなくなってしまう問
題があった。また、演算システムとは別にテレビカメラ
を設けるため、装置が大がかりになるとともに、コスト
も高くつくため、実用性に乏しかった。
In a character recognition device using a computer, characters are cut out when a character is input. Similarly, the character recognition device shown in FIG. In the case of a computing system, the input pattern must be input at a fixed position and a fixed size. However, in practical use, for example, when performing character recognition,
Characters used in actual documents vary in size and must be aligned character by character. In other words, if you enter a character without adjusting the optical system so that the character will be the specified size or the character will be placed in the specified position, even if it is a perfect character, it will not be recognized correctly. Can not. Therefore, the optical system must be adjusted in order to always measure the character size and input the character so that the size is always constant. Usually, the size of a character is measured by capturing an input pattern using a television camera and electrically processing it. Therefore, there is a problem in that the image data having a large amount of data must be processed, the measurement takes time, and the meaning of high-speed calculation using the optical parallelism becomes meaningless. Further, since the television camera is provided separately from the calculation system, the device becomes large in size and the cost is high, so that it is not practical.

【0006】フーリエ変換は、光学系を用いることによ
り簡単に実行することができる。また、文字認識に用い
た場合、文字の大きさや回転に対しても支障なく、認識
ができる。従って、パターン認識や画像処理においては
非常に有効な手法である。しかし、フーリエ変換パター
ンのパワースペクトルの解析に対して、光で並列に処理
できる素子がないため、一般的には、変換されたパタ−
ンはテレビカメラや専用の光検出器を用いて解析されて
おり、結局光情報から電気信号への変換が行われるた
め、全体的な演算速度が遅くなってしまう問題があっ
た。
The Fourier transform can be easily executed by using an optical system. When used for character recognition, the size and rotation of characters can be recognized without any problems. Therefore, it is a very effective method in pattern recognition and image processing. However, for the analysis of the power spectrum of the Fourier transform pattern, since there is no element that can be processed in parallel by light, generally, the converted pattern is
However, there is a problem that the overall calculation speed becomes slow because the optical information is converted into an electric signal after all, because it is analyzed using a TV camera and a dedicated photodetector.

【0007】本発明は以上のような従来の問題点を解決
するためのもので、第1の発明は、光演算システムへの
入力パタ−ンの大きさの調節を容易に簡単な構造で行う
ことができる空間光変調素子を提供することを目的とす
る。
The present invention is to solve the above-mentioned conventional problems. In the first invention, the size of the input pattern to the optical operation system is easily adjusted with a simple structure. It is an object of the present invention to provide a spatial light modulation element that can be used.

【0008】第2および第3の発明は、フーリエ変換パ
タ−ンを光学的に演算処理を可能にする空間光変調素子
を提供することを目的とする。
It is an object of the second and third aspects of the present invention to provide a spatial light modulator capable of optically calculating a Fourier transform pattern.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】第1の発明の空間光変調
素子は、光導電層および電界によって光の透過量が変化
する部分を導電性電極ではさんだ構造を有し、光導電層
を用いて受光素子を形成し、受光素子に流れる電流を計
測するよう構成される。
The spatial light modulator of the first invention has a structure in which a photoconductive layer and a portion where the amount of light transmission changes according to an electric field are sandwiched by conductive electrodes. To form a light receiving element and measure a current flowing through the light receiving element.

【0010】第2の発明の空間光変調素子は、対向する
導電性電極ではさんだ光導電層と、電界によって光の透
過量が変化する部分を電気的に接続している構造を有す
る空間光変調素子において、光導電層をはさむ導電性電
極の一方に、同心円状および放射状の電極パタ−ンを形
成したものである。
The spatial light modulator of the second invention has a structure in which a photoconductive layer sandwiched between opposing conductive electrodes is electrically connected to a portion where the amount of transmitted light changes by an electric field. In the device, concentric and radial electrode patterns are formed on one of the conductive electrodes sandwiching the photoconductive layer.

【0011】第3の発明は、導電性電極ではさんだ光導
電層と電界を印加することによって発光する発光層を電
気的に接続している空間光変調素子において、前記光導
電層をはさむ導電性電極の一方に、同心円状および放射
状の電極パタ−ンを形成したものである。
A third aspect of the present invention is a spatial light modulation element in which a photoconductive layer sandwiched by conductive electrodes and a light emitting layer which emits light by applying an electric field are electrically connected to each other. Concentric and radial electrode patterns are formed on one of the electrodes.

【0012】[0012]

【作用】演算を行う空間光変調素子において、画像もし
くは文字パターンが入力される領域のすぐ外側に受光素
子を形成する。そして、この受光素子に電圧を印加し、
流れる電流の大きさを調べながら入力像の位置の調整、
並びに空間光変調素子に入力像を結像するための光学系
を調整すれば、容易に入力像の大きさを一定に保つこと
ができる。例えば、文字を入力する場合について考え
る。通常、文字は白地に黒色で書かれている。従って、
文字パターンの像が受光素子に重なると、電流は減少す
る。つまり、受光素子に流れる電流が減少する直前にな
るように、入力する文字パターンの大きさを定めれば、
常に一定の大きさで空間光変調素子への入力が可能にな
る。また、受光素子は空間光変調素子の光導電層の一部
を用いて作製されるため、余計なコストがかからず、計
測すべき電流値も数点だけであるので、テレビカメラを
使う場合よりも、より高速に、より簡単なシステムで入
力パターンの大きさを調整できる。
In the spatial light modulation element for performing calculation, the light receiving element is formed just outside the area where the image or character pattern is input. Then, a voltage is applied to this light receiving element,
Adjusting the position of the input image while checking the magnitude of the flowing current,
In addition, the size of the input image can be easily kept constant by adjusting the optical system for forming the input image on the spatial light modulator. For example, consider the case of entering characters. The letters are usually written in black on a white background. Therefore,
When the image of the character pattern overlaps the light receiving element, the current decreases. That is, if the size of the input character pattern is determined so that the current flowing through the light receiving element is about to decrease,
Input to the spatial light modulator is always possible with a constant size. In addition, since the light receiving element is manufactured using part of the photoconductive layer of the spatial light modulator, it does not incur extra cost, and the current value to be measured is only a few points. The size of the input pattern can be adjusted faster than with a simpler system.

【0013】また、光学的には得られるフーリエ変換パ
ターンのパワースペクトルは、点対称であることから、
空間光変調素子の光導電層の受光領域を同心円状および
放射状にすることにより、周波数分布と角度分布を同時
並列に入力でき、かつ変調器あるいは発光素子により非
線形処理したものを光出力できる。従って、電気出力し
かできないテレビカメラや従来の市販の光検出器よりも
高速にフーリエ変換パターンの演算処理が可能になる。
また、このようなフーリエ変換したパターンを文字認識
などの入力に使用すると、記憶している文字に対して大
きさが違っていたり、回転したりしていても正しく認識
することがが可能になる。
Since the power spectrum of the Fourier transform pattern obtained optically is point symmetric,
By making the light receiving region of the photoconductive layer of the spatial light modulator element concentric and radial, the frequency distribution and the angle distribution can be input in parallel at the same time, and the non-linear processed signal by the modulator or the light emitting element can be output optically. Therefore, the Fourier transform pattern can be processed at a higher speed than a television camera that can only output electricity or a conventional commercially available photodetector.
In addition, when such a Fourier-transformed pattern is used for input such as character recognition, it is possible to correctly recognize even if the size of the stored character is different or it is rotated. ..

【0014】[0014]

【実施例】本発明の実施例について、図面を参照しなが
ら説明する。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0015】図1に第1の発明の空間変調素子の一実施
例を示す。(a)はその断面図、(b)は光導電層を形
成した基板の平面図である。
FIG. 1 shows an embodiment of the spatial modulator of the first invention. (A) is a sectional view thereof, and (b) is a plan view of a substrate on which a photoconductive layer is formed.

【0016】素子の構成は、透明絶縁性基板101(例え
ばガラス基板)上に透明導電性電極(例えば、ITOま
たはSnOx)102を形成しており、その上に光導電層10
3を堆積し、さらに入力光を受光し演算するための画素
電極104および入力像の大きさを検出するための受光素
子を形成する位置検出電極105を積層する。これにスペ
ーサ106を使って、透明導電性電極107を形成した透明絶
縁性基板108で液晶層109をサンドイッチしている。但
し、液晶層109には配向膜110,111を形成してある。
The device is constructed such that a transparent conductive electrode (eg ITO or SnO x ) 102 is formed on a transparent insulating substrate 101 (eg glass substrate), and a photoconductive layer 10 is formed thereon.
3 is deposited, and a pixel electrode 104 for receiving and calculating input light and a position detection electrode 105 forming a light receiving element for detecting the size of an input image are stacked. A liquid crystal layer 109 is sandwiched by a transparent insulating substrate 108 on which a transparent conductive electrode 107 is formed using a spacer 106. However, alignment films 110 and 111 are formed on the liquid crystal layer 109.

【0017】この素子にパターンを入力する場合、位置
検出電極105に電圧を印加し、個々の電極に流れる電流
を測定する。図1に示すように1対の電極を四方に配置
した理由は、入力パターンが光導電層103の位置合わせ
を精度良く行うためのものである。以下に、これらの電
極を使って入力像の位置合わせを行う方法について説明
する。
When a pattern is input to this element, a voltage is applied to the position detection electrode 105 and the current flowing through each electrode is measured. The reason why the pair of electrodes are arranged in four directions as shown in FIG. 1 is that the input pattern accurately aligns the photoconductive layer 103. The method of aligning the input image using these electrodes will be described below.

【0018】まず、入力像の地が位置検出電極105に完
全に入力されている時に電極105に流れる電流を基準電
流とする。例えば、白地に黒色で書かれた文字を入力像
とする場合を考える。この場合、位置検出電極105に少
しでも文字が重なると電極に流れる電流は、基準電流よ
り小さくなる。従って、外側の電極に基準電流が流れ、
内側の電極にはそれよりも小さな電流が流れるように、
上下または左右の電極対において同時に満足させれば、
入力像を外側および内側の電極の間に納めることができ
る。この様子を図3(a)に示す。また、文字が整然と
配列している場合、内側の電極に基準電流が流れ、外側
の電極にはそれよりも小さな電流が流れるように上下ま
たは左右の電極対において同時に満足させれば、入力す
べき文字の周囲の罫線または文字を外側の電極に重ねた
状態を設定できる。すなわち、内側の電極で囲まれた領
域内に入力像を空間光変調素子に入力できる。この様子
を図3(b)に示す。また、位置検出電極105の形状は
入力像の形に依存しており、例えば扇型のような曲線で
あってもよい。
First, the current flowing through the electrode 105 when the ground of the input image is completely input into the position detection electrode 105 is used as a reference current. For example, consider the case where a character written in black on a white background is used as an input image. In this case, if a character overlaps the position detection electrode 105, the current flowing through the electrode becomes smaller than the reference current. Therefore, the reference current flows through the outer electrode,
So that a smaller current flows through the inner electrode,
If you satisfy the upper and lower or left and right electrode pairs at the same time,
The input image can be contained between the outer and inner electrodes. This state is shown in FIG. Also, if the characters are arranged in an orderly manner, the reference current should flow to the inner electrode and a smaller current to the outer electrode so that it can be input if the upper and lower or left and right electrode pairs are satisfied at the same time. It is possible to set the ruled line around the character or the state where the character is overlapped with the outer electrode. That is, the input image can be input to the spatial light modulator within the area surrounded by the inner electrodes. This state is shown in FIG. The shape of the position detection electrode 105 depends on the shape of the input image, and may be, for example, a fan-shaped curve.

【0019】図1(b)では、位置検出電極105の内側
に空間光変調素子の画素電極104を形成してあるが、図
2に示すように別々に形成し、レンズアレイを用いて同
じ入力像を位置検出電極105および画素電極104にそれぞ
れ入力して、位置合わせを行ってもよい。
In FIG. 1B, the pixel electrode 104 of the spatial light modulator is formed inside the position detection electrode 105, but as shown in FIG. 2, the pixel electrode 104 is formed separately and the same input is made by using a lens array. Images may be input to the position detection electrode 105 and the pixel electrode 104 to perform the alignment.

【0020】次に、空間光変調素子の動作について述べ
る。光照射前は光導電層103の暗抵抗は、液晶層109の抵
抗に比べて大きいため、素子に外部から電圧が印加され
ていると、電圧のほとんどが光導電層103にかかる。そ
のため、液晶層109の透過率は変化しない。しかし、光
導電層103に光が照射されていると、光導電層103の抵抗
は減少する。そのため、液晶層109にかかる電圧が大き
くなり、液晶層109の透過率が変化する。出力光の読み
出し方法は、透過型で読み出す場合には、画素電極104
はITOなどの透明導電性電極が使用されるか、あるい
は画素電極104が取り除かれる。この時、図には示して
いないが偏光板が素子の両側に配置される。また、反射
型で読み出す場合には、透明絶縁性基板108側から入力
光とは別に、読み出し光を偏光板を通して入射し、反射
光を観測する。反射型で使用する場合には、Ag,A
l,Cr,Ni,Moなどの反射率の高い金属薄膜を画
素電極104に使用するか、あるいは画素電極104を取り除
き配向膜110と光導電層103との間に屈折率の異なる誘電
体を交互に積層した誘電体ミラーを形成する。画素電極
104は、図1では四角形となっているが、入射する光の
形状に併せて任意の形であってよい。また、入力像を空
間的に連続な情報として扱うときには、画素電極104は
無くてもよい。
Next, the operation of the spatial light modulator will be described. Before light irradiation, the dark resistance of the photoconductive layer 103 is larger than the resistance of the liquid crystal layer 109. Therefore, when a voltage is applied to the element from the outside, most of the voltage is applied to the photoconductive layer 103. Therefore, the transmittance of the liquid crystal layer 109 does not change. However, when the photoconductive layer 103 is irradiated with light, the resistance of the photoconductive layer 103 decreases. Therefore, the voltage applied to the liquid crystal layer 109 increases, and the transmittance of the liquid crystal layer 109 changes. The readout method of the output light is the pixel electrode 104 when the transmission type readout is performed.
A transparent conductive electrode such as ITO is used, or the pixel electrode 104 is removed. At this time, although not shown in the figure, polarizing plates are arranged on both sides of the device. Further, in the case of reading by the reflection type, the reading light is incident from the transparent insulating substrate 108 side through the polarizing plate separately from the input light, and the reflected light is observed. When using the reflective type, Ag, A
A metal thin film having a high reflectance such as l, Cr, Ni, or Mo is used for the pixel electrode 104, or the pixel electrode 104 is removed and an alignment film 110 and a photoconductive layer 103 are alternately filled with a dielectric material having a different refractive index. Forming a dielectric mirror laminated on the substrate. Pixel electrode
Although 104 is a quadrangle in FIG. 1, it may have any shape in accordance with the shape of incident light. Further, when the input image is treated as spatially continuous information, the pixel electrode 104 may be omitted.

【0021】解像度を上げるために入射光の反射を防ぐ
光吸収層として、光導電層103より十分小さい禁止帯幅
を持つ材料からなる薄膜を光導電層103と画素電極104の
間に挿入しても良い。
A thin film made of a material having a bandgap sufficiently smaller than that of the photoconductive layer 103 is inserted between the photoconductive layer 103 and the pixel electrode 104 as a light absorbing layer for preventing reflection of incident light in order to increase resolution. Is also good.

【0022】ここで、液晶層109の液晶材料としては、
ネマティック液晶、カイラルスメクティックC相の強誘
電性液晶、ポリマー中に液晶を分散させた分散型液晶が
挙げられる。分散型液晶を用いた場合は、製作が容易
で、配向膜110,111および偏光板が不用になるため構造
が簡単になる特長をもつ。また、強誘電性液晶を用いた
場合、液晶層の厚みを小さくなるため静電容量を大きく
でき、しかも高速応答が可能で、メモリ機能を実現でき
る。さらに、強誘電性液晶は急峻な閾値特性を有するた
め、光閾値処理を行う上では最適な材料である。
Here, as the liquid crystal material of the liquid crystal layer 109,
Examples thereof include nematic liquid crystals, ferroelectric liquid crystals of chiral smectic C phase, and dispersion type liquid crystals in which liquid crystals are dispersed in a polymer. When the dispersed liquid crystal is used, it is easy to manufacture, and since the alignment films 110 and 111 and the polarizing plate are unnecessary, the structure is simple. Further, when the ferroelectric liquid crystal is used, the thickness of the liquid crystal layer is reduced, so that the capacitance can be increased, and high-speed response is possible, and the memory function can be realized. Further, since the ferroelectric liquid crystal has a steep threshold characteristic, it is an optimum material for optical threshold processing.

【0023】光導電層103に使用する材料は、暗時では
誘電体として動作し、光照射時には光導電性により誘電
体の特性を失うものである。具体的には、CdS,Cd
Te,CdSe,ZnS,ZnSe,GaAs,Ga
N,GaP,GaAlAs,InP等の化合物半導体、
Se,SeTe,AsSe等の非晶質半導体、Si,G
e,Si1-xx,Si1-xGex,Ge1-xx(0<x<1)の
多結晶または非晶質半導体、また、(1)フタロシアニ
ン顔料(Pcと略す)例えば無金属Pc,XPc(X=
Cu,Ni,Co,TiO,Mg,Si(OH)2
ど),AlClPcCl,TiOClPcCl,InC
lPcCl,InClPc,InBrPcBrなど、
(2)モノアゾ色素,ジスアゾ色素などのアゾ系色素、
(3)ペニレン酸無水化物およびペニレン酸イミドなど
のペニレン系顔料、(4)インジゴイド染料、(5)キ
ナクリドン顔料、(6)アントラキノン類、ピレンキノ
ン類などの多環キノン類、(7)シアニン色素、(8)
キサンテン染料、(9)PVK/TNFなどの電荷移動
錯体、(10)ビリリウム塩染料とポリカーボネイト樹
脂から形成される共晶錯体、(11)アズレニウム塩化
合物など有機半導体がある。
The material used for the photoconductive layer 103 operates as a dielectric in the dark and loses the characteristics of the dielectric due to photoconductivity during light irradiation. Specifically, CdS, Cd
Te, CdSe, ZnS, ZnSe, GaAs, Ga
Compound semiconductors such as N, GaP, GaAlAs and InP,
Amorphous semiconductors such as Se, SeTe, AsSe, Si, G
e, Si 1-x C x , Si 1-x Ge x , Ge 1-x C x (0 <x <1) polycrystalline or amorphous semiconductor, and (1) phthalocyanine pigment (abbreviated as Pc) For example, metal-free Pc, XPc (X =
Cu, Ni, Co, TiO, Mg, Si (OH) 2, etc.), AlClPcCl, TiOClPcCl, InC
lPcCl, InClPc, InBrPcBr, etc.
(2) Azo dyes such as monoazo dyes and disazo dyes,
(3) Penylene-based pigments such as penylene acid anhydrides and penylene acid imides, (4) indigoid dyes, (5) quinacridone pigments, (6) polycyclic quinones such as anthraquinones and pyrenequinones, (7) cyanine dyes, (8)
There are organic semiconductors such as xanthene dyes, (9) charge transfer complexes such as PVK / TNF, (10) eutectic complexes formed from pyrylium salt dyes and polycarbonate resins, and (11) azurenium salt compounds.

【0024】また、非晶質のSi,Ge,Si1-xx
Si1-xGex,Ge1-xx(以下、a−Si,a−G
e,a−Si1-xx,a−Si1-xGex,a−Ge1-x
xのように略す)を光導電層103に使用する場合、水素
またはハロゲン元素を含めてもよく、誘電率を小さくす
るおよび抵抗率の増加のため酸素または窒素を含めても
よい。抵抗率の制御にはp型不純物であるB,Al,G
aなどの元素を、またはn型不純物であるP,As,S
bなどの元素を添加してもよい。このように不純物を添
加した非晶質材料を積層してp/n,p/i,i/n,
p/i/nなどの接合を形成し、光導電層103内に空乏
層を形成するようにして誘電率および暗抵抗あるいは動
作電圧極性を制御してもよい。
Amorphous Si, Ge, Si 1-x C x ,
Si 1-x Ge x, Ge 1-x C x ( hereinafter, a-Si, a-G
e, a-Si 1-x C x , a-Si 1-x Ge x , a-Ge 1-x
When using the abbreviated) as C x in the photoconductive layer 103, may be included hydrogen or halogen, may include oxygen or nitrogen because of the increased and resistivity to reduce the dielectric constant. To control the resistivity, B, Al, and G which are p-type impurities
elements such as a, or P, As, S which are n-type impurities
An element such as b may be added. By stacking the amorphous materials to which impurities are added in this manner, p / n, p / i, i / n,
A dielectric such as p / i / n may be formed and a depletion layer may be formed in the photoconductive layer 103 to control the dielectric constant and dark resistance or the operating voltage polarity.

【0025】このような非晶質材料だけでなく、上記の
材料を2種類以上積層してヘテロ接合を形成して光導電
層103内に空乏層を形成してもよい。
In addition to such an amorphous material, two or more kinds of the above materials may be laminated to form a heterojunction to form a depletion layer in the photoconductive layer 103.

【0026】図4に第2の発明の空間光変調素子におけ
る一実施例を示す。図4(a)は断面図、(b)は光導
電層を形成した基板の平面図である。
FIG. 4 shows an embodiment of the spatial light modulator of the second invention. FIG. 4A is a sectional view and FIG. 4B is a plan view of a substrate on which a photoconductive layer is formed.

【0027】素子の構造は、図1の空間光変調素子と同
様に透明導電性電極301を形成した透明絶縁性基板302上
に光導電層303を堆積し、さらに同心円状電極304および
放射状電極305を形成し、これと透明導電性電極306を形
成した透明絶縁性基板307とスペーサ308を使って液晶を
封入した液晶層309からなる。但し、液晶層309には、配
向処理を行った配向膜310,311が使用される。
As for the structure of the device, a photoconductive layer 303 is deposited on a transparent insulating substrate 302 on which a transparent conductive electrode 301 is formed, as in the spatial light modulator of FIG. 1, and further concentric electrodes 304 and radial electrodes 305. And a transparent insulating substrate 307 on which a transparent conductive electrode 306 is formed, and a liquid crystal layer 309 in which a liquid crystal is sealed using a spacer 308. However, the liquid crystal layer 309 uses the alignment films 310 and 311 that have been subjected to the alignment treatment.

【0028】基本的にこの素子は反射型で使用するた
め、同心円状電極304および放射状電極305と配向膜310
との間に屈折率の異なる誘電体を交互に積層した誘電体
ミラーを形成するか、あるいはAg,Al,Cr,N
i,Moなどの反射率の高い金属薄膜を同心円状電極30
4および放射状電極305に使用する。光導電層303および
液晶層309を構成する材料としては、上記と同様であ
る。
Since this device is basically used in a reflection type, the concentric electrodes 304, the radial electrodes 305 and the alignment film 310 are used.
A dielectric mirror in which dielectrics having different refractive indexes are alternately laminated, or Ag, Al, Cr, N
A metal thin film with high reflectance such as i or Mo is used as the concentric electrode 30.
4 and radial electrodes 305. The materials forming the photoconductive layer 303 and the liquid crystal layer 309 are the same as above.

【0029】第3の発明の空間光変調素子の一実施例を
図5に示す。図5(a)は、素子の断面図、(b)は発
光層を除いた平面図である。透明導電性電極401を形成
した透明絶縁性基板402上に光導電層403を積層する。さ
らに、同心円状電極404および放射状電極405を形成し、
発光層406および透明導電性電極407を順次積層してあ
る。発光層406としては、大面積化の容易な薄膜の電界
発光(EL)素子が好ましい。EL素子の材料として
は、例えば、MnまたはTb,Fを添加したZnS、E
uを添加したCaS、PrまたはCe,EuあるいはP
r,Ceを添加したSrSなどの無機EL材料、8-キノ
リノールAl錯体、Alオキシン錯体、ペリレンなどの
有機EL材料が使用可能である。有機EL材料は直流電
圧で発光するが、無機EL材料は交流電圧駆動である。
従って、無機EL材料を使用する場合、光導電層403
は、pn接合のように一方向のみに整流性を与えるので
はなく、pinp,nipn,pnp,pnpn,pi
npinなどのように両方向に整流性をもたせる必要が
ある。以下に具体的な実施例について説明する。
An embodiment of the spatial light modulator of the third invention is shown in FIG. FIG. 5A is a sectional view of the device, and FIG. 5B is a plan view excluding the light emitting layer. A photoconductive layer 403 is laminated on a transparent insulating substrate 402 on which a transparent conductive electrode 401 is formed. Further, concentric electrodes 404 and radial electrodes 405 are formed,
A light emitting layer 406 and a transparent conductive electrode 407 are sequentially laminated. As the light emitting layer 406, a thin film electroluminescent (EL) element whose area can be easily increased is preferable. As the material of the EL element, for example, ZnS or E added with Mn or Tb, F is used.
CaS, Pr or Ce, Eu or P with u added
An inorganic EL material such as SrS to which r and Ce are added, an organic EL material such as 8-quinolinol Al complex, Al oxine complex, and perylene can be used. Organic EL materials emit light at a DC voltage, while inorganic EL materials are driven by an AC voltage.
Therefore, when an inorganic EL material is used, the photoconductive layer 403
Does not provide rectifying property only in one direction like a pn junction, but instead of pinp, nipn, pnp, pnpn, pi
It is necessary to have a rectifying property in both directions such as npin. Specific examples will be described below.

【0030】(実施例1)図1(a)の断面図に示すよ
うな構造をもつ空間光変調素子を作製した。以下に、こ
の素子の作製方法について述べる。
Example 1 A spatial light modulator having a structure as shown in the sectional view of FIG. 1A was produced. The manufacturing method of this element will be described below.

【0031】ガラス基板101上に0.05〜0.5μm厚のIT
Oをスパッタ法により成膜し、透明導電性電極102を形
成した。次に、プラズマCVD法により0.5〜2μm厚で
p/i/nダイオ−ド構造のa−Si:H膜を積層して
光導電層103を作製した。続いて、0.03〜0.3μm厚のア
ルミニウムからなる画素電極104アレイおよび位置検出
電極105を形成した。次にラビング処理を施したポリイ
ミド配向膜110を積層した。これとITOの透明導電性
電極パターン107およびポリイミド配向膜111を積層した
ガラス基板108との間に0.5〜3μm厚の強誘電性液晶層1
09を封入し、空間光変調素子を作製した。
IT having a thickness of 0.05 to 0.5 μm is formed on the glass substrate 101.
O was deposited by sputtering to form the transparent conductive electrode 102. Next, a photoconductive layer 103 was formed by laminating an a-Si: H film having a p / i / n diode structure with a thickness of 0.5 to 2 μm by plasma CVD. Subsequently, a pixel electrode 104 array and a position detection electrode 105 made of aluminum and having a thickness of 0.03 to 0.3 μm were formed. Next, a polyimide alignment film 110 that had been subjected to a rubbing treatment was laminated. A ferroelectric liquid crystal layer 1 having a thickness of 0.5 to 3 μm is formed between this and a glass substrate 108 on which a transparent conductive electrode pattern 107 of ITO and a polyimide alignment film 111 are laminated.
09 was enclosed and a spatial light modulator was produced.

【0032】この位置検出電極105に0.1〜10Vの直流の
逆バイアスを印加した状態で、この電極に流れる電流を
測定しながら、空間光変調素子に文字パタ−ンの入力を
行った。但し、文字パタ−ンは白地の紙に黒色で書かれ
た文字で、これに白色光を照射し、その反射光を空間光
変調素子の入力とした。その結果、従来のテレビカメラ
を用いた場合よりも約1/10の時間で、空間光変調素子に
対する文字パタ−ンの位置合わせを行うことができた。
A character pattern was input to the spatial light modulator while measuring the current flowing through the position detection electrode 105 while applying a reverse bias of 0.1 to 10 V to the position detection electrode 105. However, the character pattern is a character written in black on a white background paper, which was irradiated with white light, and the reflected light was used as the input of the spatial light modulator. As a result, it was possible to align the character pattern with the spatial light modulator in about 1/10 of the time required when using a conventional TV camera.

【0033】(実施例2)図4(a)の断面図に示すよ
うな構造をもつ空間光変調素子を作製した。以下に、そ
の作製方法について説明する。
Example 2 A spatial light modulator having a structure as shown in the sectional view of FIG. 4A was produced. The manufacturing method thereof will be described below.

【0034】ガラス基板302上に0.05〜0.5μm厚のIT
Oをスパッタ法により成膜し、透明導電性電極301を形
成した。次に、プラズマCVD法により0.5〜2μm厚で
p/i/nダイオ−ド構造のa−Si:H膜を積層して
光導電層303を作製した。続いて、0.03〜0.3μm厚のア
ルミニウムからなる同心円状電極304および放射状電極3
05を形成した。次にラビング処理を施したポリイミド配
向膜310を積層した。これとITOの透明導電性電極パ
ターン306およびポリイミド配向膜311を積層したガラス
基板307との間に0.5〜3μm厚の強誘電性液晶層309を封
入し、空間光変調素子を作製した。
IT of 0.05 to 0.5 μm thickness on the glass substrate 302
O was deposited by a sputtering method to form a transparent conductive electrode 301. Next, a photoconductive layer 303 was formed by laminating an a-Si: H film having a p / i / n diode structure with a thickness of 0.5 to 2 μm by plasma CVD. Then, a concentric electrode 304 and a radial electrode 3 made of aluminum with a thickness of 0.03 to 0.3 μm.
Formed 05. Next, a rubbing-treated polyimide alignment film 310 was laminated. A ferroelectric liquid crystal layer 309 having a thickness of 0.5 to 3 μm was enclosed between this and a glass substrate 307 on which a transparent conductive electrode pattern 306 of ITO and a polyimide alignment film 311 were laminated to manufacture a spatial light modulator.

【0035】この空間光変調素子501を用いて、図6に
示すような光学的に文字認識を行う装置を構築した。こ
の装置は、レンズ502の光軸に垂直に入力像503をおき、
レンズ502をはさんで入力像503と反対側に空間光変調素
子501を配置した。入力像503および空間光変調素子501
のレンズ502からの距離は、ともにレンズ502の焦点距離
(f)に等しい。入力像503にレーザ光504を照射すると
入力像503のフーリエ変換像が空間光変調素子501の光導
電層503に入力される。同心円状電極304および放射状電
極305内に入射する光量に応じて、読み出し光505を偏光
ビームスプリッター506を通して得られる出力光507は変
調を受ける。この例のように、強誘電性液晶を用いた場
合、ある一定の光量以上の光が入射した電極のみ出力光
507が得られるというような閾値処理を行った結果を得
ることができる。出力光507は、レンズアレイ508によっ
て多重展開され、さらにメモリマスク509を通過して、
レンズアレイ508と同じ形に画素電極104が配列した空間
光変調素子510に入射する。この空間光変調素子510は、
図1に示した空間光変調素子において位置検出電極105
を取り去ったもので、画素電極104に入射する光量に対
して閾値処理を行った結果を光出力するものである。メ
モリマスク509は、同心円状および放射状の光の多重像
に対し、透過率の重み付けを行うもので、本実施例では
一例として入力像503にアルファベット(A〜Z)の活
字を使い、直交学習法により作製したものを使用した。
従って、空間光変調素子510は、入力像503に対し文字認
識を行った結果を出力するものである。また、認識結果
511は、空間光変調素子501の場合と同様に偏光ビームス
プリッター512を用いて得られる。
Using this spatial light modulator 501, an apparatus for optically recognizing characters as shown in FIG. 6 was constructed. This device places an input image 503 perpendicular to the optical axis of the lens 502,
A spatial light modulator 501 is arranged on the side opposite to the input image 503 with the lens 502 interposed therebetween. Input image 503 and spatial light modulator 501
The distance from the lens 502 is equal to the focal length (f) of the lens 502. When the input image 503 is irradiated with the laser beam 504, the Fourier transform image of the input image 503 is input to the photoconductive layer 503 of the spatial light modulator 501. The output light 507 obtained by passing the read light 505 through the polarization beam splitter 506 is modulated according to the amount of light entering the concentric electrodes 304 and the radial electrodes 305. When a ferroelectric liquid crystal is used as in this example, only the electrode where a certain amount of light or more is incident is output light.
It is possible to obtain the result of performing the threshold processing such that 507 is obtained. The output light 507 is multiplexed and expanded by the lens array 508, further passes through the memory mask 509,
The light enters the spatial light modulation element 510 in which the pixel electrodes 104 are arranged in the same shape as the lens array 508. This spatial light modulator 510 is
In the spatial light modulator shown in FIG. 1, the position detection electrode 105
Is removed, and the result of performing threshold processing on the amount of light incident on the pixel electrode 104 is optically output. The memory mask 509 weights the transmittance of multiple images of concentric and radial light. In the present embodiment, as an example, the input image 503 uses the letters of the alphabet (A to Z) and the orthogonal learning method. What was produced by was used.
Therefore, the spatial light modulator 510 outputs the result of performing character recognition on the input image 503. Also, the recognition result
511 is obtained by using the polarization beam splitter 512 as in the case of the spatial light modulator 501.

【0036】この装置において、入力像503に縮小拡
大、あるいは回転させたアルファベットの文字入力に対
しても、正しく認識できることを確認した。
It has been confirmed that the apparatus can correctly recognize the input characters 503 that are reduced or enlarged or rotated in the input image 503.

【0037】(実施例3)第3の発明の一実施例とし
て、図5に示すような空間光変調素子を作製した。以下
に、この素子の作製方法について述べる。
Example 3 As an example of the third invention, a spatial light modulator as shown in FIG. 5 was produced. The manufacturing method of this element will be described below.

【0038】ガラス基板402上に0.05〜0.5μm厚のIT
Oをスパッタ法により成膜し、透明導電性電極401を形
成した。次に、プラズマCVD法により0.5〜2μm厚で
p/i/n/p構造のa−Six1-x:H膜(0<x<
0.4)を積層して光導電層403を作製した。続いて、
0.03〜0.3μm厚のAu,Pt,Pdなどの金属からな
る同心円状電極404および放射状電極405を形成した。こ
れらの金属はp層にオーミック接合を形成するためのも
のである。次に、スパッタ法により作製した100〜500Å
厚みのSiNx,SiOx,AlOx,TaOxなどの絶縁
性薄膜でサンドイッチしたMn添加したZnSを0.1〜1
μm形成して発光層406とした。ZnSの成膜には、電
子ビーム蒸着、MOCVDまたはスパッタ法を用いた。
さらに、同心円状電極404および放射状電極405の各々に
対向する透明導電性電極407として0.05〜0.3μmのIT
Oを形成して空間光変調素子を作製した。この透明導電
性電極407は、対向する各同心円状電極404および放射状
電極405よりも小さい面積で形成すると、発光層406での
電流密度を高くすることができ、輝度を大きくすること
ができるので効果的であった。また、図5では、透明導
電性電極407は四角形および円形であるが、対応する電
極404,405の領域以内であれば、任意形状でも同様に動
作した。
IT of 0.05 to 0.5 μm thickness on the glass substrate 402
O was deposited by a sputtering method to form a transparent conductive electrode 401. Next, by a plasma CVD method, an a-Si x C 1-x : H film (0 <x <having a thickness of 0.5 to 2 μm and a p / i / n / p structure is formed.
0.4) was laminated to form a photoconductive layer 403. continue,
A concentric electrode 404 and a radial electrode 405 made of a metal such as Au, Pt, or Pd having a thickness of 0.03 to 0.3 μm were formed. These metals are for forming an ohmic junction in the p layer. Next, 100-500 Å prepared by sputtering method
0.1 to 1 Mn-doped ZnS sandwiched by insulating thin films of SiN x , SiO x , AlO x , TaO x, etc.
Then, the light emitting layer 406 was formed with a thickness of μm. Electron beam evaporation, MOCVD, or sputtering was used to form the ZnS film.
Further, as a transparent conductive electrode 407 facing each of the concentric electrode 404 and the radial electrode 405, an IT of 0.05 to 0.3 μm is used.
O was formed to produce a spatial light modulator. When the transparent conductive electrode 407 is formed in a smaller area than the concentric electrodes 404 and the radial electrode 405 facing each other, the current density in the light emitting layer 406 can be increased, and the brightness can be increased, which is advantageous. It was target. Further, in FIG. 5, the transparent conductive electrode 407 has a square shape and a circular shape, but if the shape is within the area of the corresponding electrodes 404 and 405, the same operation is performed with any shape.

【0039】この空間光変調素子601を用いて、図7に
示すような光学的に文字認識を行う装置を構築した。こ
の装置は、図6の場合と同じ素子を使用した。レンズ60
2の光軸に垂直に入力像603をおき、レンズ602をはさん
で入力像603と反対側に空間光変調素子601を配置した。
入力像603および空間光変調素子601のレンズ602からの
距離は、ともにレンズ602の焦点距離(f)に等しい。
入力像603にレーザ光604を照射すると入力像603のフー
リエ変換像が空間光変調素子601の光導電層403に入力さ
れる。同心円状電極404および放射状電極405内に入射す
る光量に応じて、発光層406から出射する出力光605は変
調を受ける。出力光605は、レンズアレイ606によって多
重展開され、さらにメモリマスク607を通過して、レン
ズアレイ606と同じ形に画素電極104が配列した空間光変
調素子608に入射する。また、認識結果609は、読み出し
光610を偏光ビームスプリッター611に入射することによ
り得られる。
An apparatus for optically recognizing characters as shown in FIG. 7 was constructed using the spatial light modulator 601. This device used the same elements as in FIG. Lens 60
The input image 603 was placed perpendicularly to the optical axis of 2, and the spatial light modulator 601 was arranged on the side opposite to the input image 603 with the lens 602 interposed therebetween.
The distances of the input image 603 and the spatial light modulator 601 from the lens 602 are both equal to the focal length (f) of the lens 602.
When the input image 603 is irradiated with the laser beam 604, the Fourier transform image of the input image 603 is input to the photoconductive layer 403 of the spatial light modulator 601. The output light 605 emitted from the light emitting layer 406 is modulated according to the amount of light entering the concentric electrodes 404 and the radial electrodes 405. The output light 605 is multiply developed by the lens array 606, further passes through the memory mask 607, and enters the spatial light modulation element 608 in which the pixel electrodes 104 are arranged in the same shape as the lens array 606. Further, the recognition result 609 is obtained by making the reading light 610 incident on the polarization beam splitter 611.

【0040】この装置において、入力像603に縮小拡
大、あるいは回転させたアルファベットの文字入力に対
しても、正しく認識できることを確認した。
It has been confirmed that this apparatus can correctly recognize the input image 603 even when inputting or reducing or enlarging the rotated input image 603.

【0041】また、この装置は、発光層406を用いた空
間光変調素子を使用しているため、読み出し光を必要と
せず、図6に比べて簡単にできる。しかし、この変調素
子は、強誘電性液晶のようなメモリ機能はない。
Further, since this device uses the spatial light modulation element using the light emitting layer 406, it does not need read light and can be simplified as compared with FIG. However, this modulator does not have a memory function like a ferroelectric liquid crystal.

【0042】[0042]

【発明の効果】第1の発明によれば、高速かつ簡単に入
力像の大きさを調節できる空間光変調素子が得られ、第
2および第3の発明によれば、簡単にフーリエ変換パタ
ーンの光演算処理が行える空間光変調素子が得られる。
According to the first invention, a spatial light modulator capable of adjusting the size of an input image at high speed and easily can be obtained. According to the second and third inventions, the Fourier transform pattern can be easily obtained. It is possible to obtain a spatial light modulator that can perform optical calculation processing.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】(a)は本発明の一実施例における空間光変調
素子の断面図 (b)は同平面図
FIG. 1A is a sectional view of a spatial light modulator according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a plan view of the same.

【図2】本発明の他の実施例における空間光変調素子の
平面図
FIG. 2 is a plan view of a spatial light modulator according to another embodiment of the present invention.

【図3】本発明の空間光変調素子の一実施例における入
力像の様子を示した図
FIG. 3 is a diagram showing a state of an input image in one embodiment of the spatial light modulator of the present invention.

【図4】(a)は本発明の一実施例における空間光変調
素子の断面図 (b)同平面図
FIG. 4A is a sectional view of a spatial light modulator according to an embodiment of the present invention, and FIG.

【図5】(a)は本発明の一実施例における空間光変調
素子の断面図 (b)同平面図
FIG. 5A is a sectional view of a spatial light modulator according to an embodiment of the present invention, and FIG.

【図6】本発明の一実施例おける空間光変調素子を使用
した文字認識装置の構成の一例を示す断面図
FIG. 6 is a sectional view showing an example of the configuration of a character recognition device using a spatial light modulator according to an embodiment of the present invention.

【図7】本発明の一実施例おける空間光変調素子を使用
した文字認識装置の構成の他の例を示す断面図
FIG. 7 is a cross-sectional view showing another example of the configuration of the character recognition device using the spatial light modulator in one embodiment of the present invention.

【図8】従来例の光連想メモリの構成を示す断面図FIG. 8 is a sectional view showing a configuration of a conventional optical associative memory.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101,108 透明絶縁性基板 102,107 透明導電性電極 103 光導電層 104 画素電極 105 位置検出電極 106 スペーサ 109 液晶層 110,111 配向膜 301,306 透明導電性電極 302,307 透明絶縁性基板 303 光導電層 304 同心円状電極 305 放射状電極 308 スペーサ 309 液晶層 310,311 配向膜 401 透明導電性電極 402,407 透明絶縁性基板 403 光導電層 404 同心円状電極 405 放射状電極 406 発光層 101, 108 Transparent Insulating Substrate 102, 107 Transparent Conductive Electrode 103 Photoconductive Layer 104 Pixel Electrode 105 Position Detection Electrode 106 Spacer 109 Liquid Crystal Layer 110, 111 Alignment Film 301, 306 Transparent Conductive Electrode 302, 307 Transparent Insulating Substrate 303 Photoconductive layer 304 Concentric electrode 305 Radial electrode 308 Spacer 309 Liquid crystal layer 310, 311 Alignment film 401 Transparent conductive electrode 402, 407 Transparent insulating substrate 403 Photoconductive layer 404 Concentric electrode 405 Radial electrode 406 Light emitting layer

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】光導電層および液晶層を対向する導電性電
極ではさんだ構造を有する空間光変調素子において、前
記光導電層を用いて受光素子を形成し、前記受光素子に
流れる電流を計測することを特徴とする空間光変調素
子。
1. In a spatial light modulator having a structure in which a photoconductive layer and a liquid crystal layer are sandwiched by conductive electrodes facing each other, a light receiving element is formed using the photoconductive layer, and a current flowing through the light receiving element is measured. A spatial light modulation element characterized by the above.
【請求項2】対向する導電性電極ではさんだ光導電層と
液晶層を電気的に接続している構造を有する空間光変調
素子において、前記光導電層をはさむ導電性電極の一方
に、同心円状および放射状の電極パタ−ンを形成したこ
とを特徴とする空間光変調素子。
2. A spatial light modulator having a structure in which a photoconductive layer sandwiched by opposing conductive electrodes and a liquid crystal layer are electrically connected to each other, wherein one of the conductive electrodes sandwiching the photoconductive layer has a concentric shape. And a radial electrode pattern, which is a spatial light modulator.
【請求項3】対向する導電性電極ではさんだ光導電層と
電界を印加することによって発光する発光層を電気的に
接続している空間光変調素子において、前記光導電層を
はさむ導電性電極の一方に、同心円状および放射状の電
極パタ−ンを形成したことを特徴とする空間光変調素
子。
3. A spatial light modulator in which a photoconductive layer sandwiched between opposing conductive electrodes and a light emitting layer which emits light when an electric field is applied are electrically connected to each other. On the other hand, a spatial light modulation element characterized in that concentric and radial electrode patterns are formed.
【請求項4】発光層をはさむ導電性電極の面積が異なる
ことを特徴とする請求項3に記載の空間光変調素子。
4. The spatial light modulator according to claim 3, wherein the areas of the conductive electrodes sandwiching the light emitting layer are different.
【請求項5】光導電層が整流性を有することを特徴とす
る請求項1,2または3に記載の空間光変調素子。
5. The spatial light modulator according to claim 1, wherein the photoconductive layer has a rectifying property.
【請求項6】液晶層が強誘電性液晶から成ることを特徴
とする請求項1または2に記載の空間光変調素子。
6. The spatial light modulator according to claim 1, wherein the liquid crystal layer is made of a ferroelectric liquid crystal.
【請求項7】光導電層が、炭素、珪素またはゲルマニウ
ムの元素のうち少なくとも1種類以上を含む非晶質半導
体で形成されたことを特徴とする請求項1または2に記
載の空間光変調素子。
7. The spatial light modulator according to claim 1, wherein the photoconductive layer is formed of an amorphous semiconductor containing at least one element selected from the elements of carbon, silicon and germanium. ..
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