JPH0499977A - Semiconductor integrated circuit apparatus - Google Patents

Semiconductor integrated circuit apparatus

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JPH0499977A
JPH0499977A JP2217798A JP21779890A JPH0499977A JP H0499977 A JPH0499977 A JP H0499977A JP 2217798 A JP2217798 A JP 2217798A JP 21779890 A JP21779890 A JP 21779890A JP H0499977 A JPH0499977 A JP H0499977A
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JP
Japan
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test
test mode
circuit
functional block
package
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JP2217798A
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Masaru Ito
優 伊藤
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Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
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Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
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Abstract

PURPOSE:To set various functional blocks on one chip and to reduce the number of test terminals by using one of a plurality of terminals as a test terminal and setting one test mode on the basis of the level of the signal applied to the test terminal. CONSTITUTION:For example, a system-ON chip 12 is mounted on the package 11 of a package LSI 10 and one pin 13 among the input/output pins 13 - 15 outside the package 11 is used as a test pin. A test mode change-over signal VIV for changing over the LSI 10 to a test mode and an actual operation mode is inputted to the pin 13. A test mode setting circuit 20 sets any one of various test modes prepared on the basis of the voltage value of the signal VIN with respect to a CPU 16, an ROM 17, an RAM 18 or a logical cell array 19 being functional block circuits. A test mode selecting circuit 21 connects the set functional block circuits to the predetermined pins 14, 15 on the basis of the set result to conduct a test.

Description

【発明の詳細な説明】 [概要] 半導体集積回路装置に係り、詳しくは用意された種々の
テストモードのうちいずれか1つを設定する設定機能に
関し、 半導体集積回路装置のテストを行う場合、1つのテスト
端子で複数のテストモードを設定できるとともに、テス
ト端子の削減によりコストパフォーマンスを向上するこ
とができることを目的とし、種々の機能ブロック回路か
らなる機能ブロック回路群と複数の端子とを備えて構成
されるとともに、機能ブロック回路群の機能ブロック回
路について種々のテストモードが用意された半導体集積
回路装置において、前記複数の端子のうち、1つの端子
をこの半導体集積回路装置をテストモートと実動作モー
ドとに切り換えるためのテスト端子とするとともに、前
記テスト端子に印加される信号レベルに基づいて複数用
意されたテストモードのうちいずれか1つのテストモー
ドを設定するテストモード設定回路を設けた。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] This invention relates to a semiconductor integrated circuit device, and more specifically relates to a setting function for setting one of various test modes provided. The purpose is to be able to set multiple test modes with a single test terminal and to improve cost performance by reducing the number of test terminals.It is configured with a functional block circuit group consisting of various functional block circuits and multiple terminals. In a semiconductor integrated circuit device in which various test modes are prepared for the functional block circuits of the functional block circuit group, one terminal among the plurality of terminals is used to set the semiconductor integrated circuit device between the test mode and the actual operation mode. A test mode setting circuit is provided, which serves as a test terminal for switching between the test terminals and the test terminal, and sets any one of a plurality of test modes based on the signal level applied to the test terminal.

[産業上の利用分野] 本発明は半導体集積回路装置に係り、詳しくは用意され
た種々のテストモードのうちいずれか1つを設定する設
定機能に関するものである。
[Industrial Field of Application] The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device, and specifically relates to a setting function for setting any one of various test modes provided.

近年の半導体集積回路装置(以下、LSIという)の高
集積化に伴い、内部回路を構成する種々の機能ブロック
回路も複雑となり、故障を確実に発見するにはテストパ
ターンの量が膨大となってしまう。そのため、LSIの
テスト時にはテスト専用の回路を動作させ、LSIの実
動作における経路とは異なる経路を使用して種々の機能
ブロック回路のテストを行う傾向にある。このようなテ
ストを行う場合、内部回路を構成する機能ブロック回路
数が増えるほどテストモード数も増加する。
As semiconductor integrated circuit devices (hereinafter referred to as LSIs) have become highly integrated in recent years, the various functional block circuits that make up internal circuits have also become more complex, and the amount of test patterns needed to reliably discover failures has become enormous. Put it away. Therefore, when testing an LSI, there is a tendency to operate a test-dedicated circuit and test various functional block circuits using a route different from the route used in actual operation of the LSI. When performing such a test, the number of test modes increases as the number of functional block circuits forming the internal circuit increases.

そのため、LSIをテストモードと実動作モードとに切
り換えるためのテスト端子が増してしまうが、コストを
下げるためにはテスト端子数を減らすことが必要である
Therefore, the number of test terminals for switching the LSI between the test mode and the actual operation mode increases, but in order to reduce costs, it is necessary to reduce the number of test terminals.

[従来の技術] 従来の半導体集積回路装置では用意されているテストモ
ードが1つの場合であれば、テストモードと実動作との
切換えのみであり、テスト端子は1つあればよかった。
[Prior Art] In a conventional semiconductor integrated circuit device, if only one test mode is prepared, only one test terminal is required, since only one test mode and an actual operation can be switched.

ところが、LSIを構成する内部回路を構成する機能ブ
ロック回路が増えて、テストモードが複数必要になると
、テスト端子数を増加させていた。
However, when the number of functional block circuits forming the internal circuits of an LSI increases and a plurality of test modes become necessary, the number of test terminals increases.

即ち、例えばワンチップ上に種々の機能ブロック回路を
形成したLSI(システムオンチップ)では、テストモ
ードが2つ、4つに増加すると、チップの外周寄りに設
けた複数のパッドのうち、テストパットを2つ、3つと
増加させ、それらのテストパッドの信号の組合わせによ
り種々のテストモードのうちいずれか1つを設定するよ
うになっていた。又、1つのチップ又は複数のチップを
パッケージに実装したLSI(以下、パッケージLSI
という)ではテストバット数に応じてパッケージ外部に
設けた複数のピンのうち、テストピンを2本、3本と増
加させ、それらのテストピンの信号の組合わせにより種
々のテストモードのうちいずれか1つを設定するように
なっていた。
That is, for example, in an LSI (system-on-chip) in which various functional block circuits are formed on one chip, when the number of test modes increases to two or four, one of the test pads provided near the outer periphery of the chip The number of test pads is increased by two or three, and one of various test modes is set by combining the signals of these test pads. Also, an LSI in which one chip or multiple chips are mounted in a package (hereinafter referred to as a package LSI)
), the number of test pins is increased to two or three out of the multiple pins provided outside the package depending on the number of test bats, and one of various test modes is selected by combining the signals of those test pins. I was supposed to set one.

[発明が解決しようとする課題] ところが、システムオンチップではチップの外周寄りに
形成されるパッド数はチップサイズに応じて決まってお
り、テストモードの増加に伴ってテストパッド数を増加
させると、LSIの実動作のために使用できるパッド数
が減少する。このため、そのチップに搭載できる機能は
テストバット数を1つとした場合における搭載可能な最
大機能と比較して少なくなる。即ち、システムオンチッ
プにおけるテストバット数の増加は、そのチップサイズ
に対する搭載可能な機能の比率を低下させ、コストパフ
ォーマンスを低下させるという問題点があった。
[Problems to be Solved by the Invention] However, in a system-on-chip, the number of pads formed near the outer periphery of the chip is determined depending on the chip size, and if the number of test pads is increased as the number of test modes increases, The number of pads that can be used for actual operation of the LSI decreases. Therefore, the number of functions that can be installed on the chip is smaller than the maximum function that can be installed when the number of test bats is one. That is, an increase in the number of test bats in a system-on-chip has the problem of lowering the ratio of mountable functions to the chip size and lowering cost performance.

又、パッケージLSIではテストピン数を増加させると
、このLSIの実動作のために使用できるピン数が減少
する。このため、そのパッケージに実装できるチップ(
1つ又は複数)の搭載機能は、テストピン数を1つとし
た場合に実装できるチップの搭載機能と比較して少なく
なる。即ち、パッケージLSIにおけるテストピン数の
増加は、そのパッケージサイズに対する実装可能な搭載
機能の比率を低下させ、コストパフォーマンスを低下さ
せるという問題点があった。
Furthermore, in a package LSI, when the number of test pins is increased, the number of pins that can be used for actual operation of the LSI decreases. For this reason, the chip that can be mounted in that package (
The number of mounted functions (one or more) is smaller than the number of chip mounted functions that can be mounted when the number of test pins is one. That is, an increase in the number of test pins in a package LSI reduces the ratio of mountable functions to the package size, resulting in a decrease in cost performance.

本発明は上記問題点を解決するためになされたものであ
って、半導体集積回路装置のテストを行う場合、1つの
テスト端子で複数のテストモードを設定できるとともに
、テスト端子の削減によりコストパフォーマンスを向上
することができることを目的とする。
The present invention has been made to solve the above problems, and when testing a semiconductor integrated circuit device, it is possible to set a plurality of test modes with one test terminal, and the cost performance is improved by reducing the number of test terminals. The aim is to be able to improve.

又、レベル判定回路におけるしきい値を細分化してレベ
ル判定回路の数を増加させることにより、テストモード
数を増加させることができることを目的とする。
Another object of the present invention is to increase the number of test modes by subdividing the threshold value in the level determining circuit and increasing the number of level determining circuits.

[課題を解決するための手段] 第1図に本発明の原理説明図を示す。[Means to solve the problem] FIG. 1 shows a diagram explaining the principle of the present invention.

機能ブロック回路群1は種々の機能ブロック回路からな
り、機能ブロック回路群1の機能ブロック回路について
種々のテストモードが用意されている。
The functional block circuit group 1 is made up of various functional block circuits, and various test modes are prepared for the functional block circuits of the functional block circuit group 1.

テスト端子3は複数の端子2のうちの1つであり、この
半導体集積回路装置をテストモードと実動作モードとに
切り換えるためのものである。テストモード設定回路4
はテスト端子3に印加される信号レベルに基づいて複数
用意されたテストモードのうちいずれか1つのテストモ
ードを設定する。
The test terminal 3 is one of the plurality of terminals 2, and is used to switch the semiconductor integrated circuit device between a test mode and an actual operation mode. Test mode setting circuit 4
sets one of a plurality of test modes based on the signal level applied to the test terminal 3.

又、第2の発明では、テストモード設定回路を、それぞ
れ異なるしきい値を有し、前記テスト端子に印加される
信号レベルに対して大か小かの出力信号を出力する複数
のレベル判定回路を備えたモード切換部と、複数のレベ
ル判定回路の出力信号に基づいて複数用意されたテスト
モードのうちいずれか1つのテストモードを指定する信
号を出力するテストモート指定部とで構成した。
Further, in the second aspect of the invention, the test mode setting circuit includes a plurality of level determination circuits each having a different threshold value and outputting an output signal that is higher or lower than the signal level applied to the test terminal. and a test mode specifying section that outputs a signal specifying any one of the plurality of test modes prepared based on the output signals of the plurality of level determination circuits.

[作用] 本発明によれば、テスト端子3に印加される信号レベル
に基づいてテストモード設定回路4により用意された種
々のテストモードのうちいずれか1つが設定される。
[Operation] According to the present invention, one of the various test modes prepared by the test mode setting circuit 4 is set based on the signal level applied to the test terminal 3.

従って、例えばシステムオンチップの場合には、チップ
外周寄りに設けた複数のパッドのうち、1つのテストパ
ッド以外の全てのバットを実動作のために使用できるた
め、そのチップサイズに対する搭載可能な機能の比率が
上昇し、コストパフォーマンスが向上する。
Therefore, for example, in the case of a system-on-chip, all but one test pad among the multiple pads provided near the outer periphery of the chip can be used for actual operation, so the functions that can be mounted for the chip size can be used for actual operation. ratio will increase and cost performance will improve.

又、例えばパッケージLSIの場合には、パッケージ外
部に設けた複数のピンのうち、1つのテストピン以外の
全てのピンを実動作のために使用できるため、そのパッ
ケージサイズに対する実装可能な搭載機能の比率が上昇
し、コストパフォーマンスが向上する。
In addition, for example, in the case of a package LSI, all pins other than one test pin among the multiple pins provided outside the package can be used for actual operation. The ratio will increase and cost performance will improve.

又、レベル判定回路におけるしきい値を細分化してレベ
ル判定回路の数を増加させることにより、テストモード
数を増加させることができる。
Furthermore, the number of test modes can be increased by increasing the number of level determination circuits by subdividing the threshold values in the level determination circuits.

[実施例] 以下、本発明をパッケージLSIに具体化した一実施例
を第2〜6図に従って説明する。
[Embodiment] An embodiment in which the present invention is embodied in a package LSI will be described below with reference to FIGS. 2 to 6.

第2図はパッケージLSIl0を示し、パッケージ11
内にはシステムオンチップ12が実装されている。パッ
ケージ11の外部にはテスト端子としての1本のテスト
ピン13と、端子としての複数の入出力ピン14.15
とが設けられている。
FIG. 2 shows the package LSI10, and the package 11
A system-on-chip 12 is mounted inside. On the outside of the package 11, there is one test pin 13 as a test terminal and a plurality of input/output pins 14 and 15 as terminals.
and is provided.

テストピン13にはこのパッケージLSIl0をテスト
モードと実動作モードとに切り換えるためのテストモー
ド切換信号VINが入力されるようになっている。
A test mode switching signal VIN for switching the package LSI10 between a test mode and an actual operation mode is input to the test pin 13.

システムオンチップ12はワンチップ上に形成した種々
の機能ブロック回路、即ち、CPU (中央処理装置)
16.ROM(リードオンリメモリ)17、RAM(ラ
ンダムアクセスメモリ)18゜論理セルアレイ19等を
備えるとともに、テストモード設定回路20及びテスト
モード選択回路21を備えて構成されている。
The system-on-chip 12 includes various functional block circuits formed on one chip, that is, a CPU (central processing unit).
16. It includes a ROM (read only memory) 17, a RAM (random access memory) 18, a logic cell array 19, and the like, as well as a test mode setting circuit 20 and a test mode selection circuit 21.

テストモード設定回路20は図示しない配線を介して前
記テストピン13からテストモー1・切換信号VINが
入力され、そのテストモード切換信号VINの電圧値に
基づいて前記CPU16.ROM17、RAMI 8.
論理セルアレイ19等について用意された種々のテスト
モードのうちいずれか1つを設定する。テストモード選
択回路21は前記テストモード設定回路20の設定結果
に基づいて前記CPUI 6.ROMI 7.RAMI
 8.論理セルアレイ19等のいずれか1つの機能プロ
ワり回路を所定の入力ピン14及び出力ピン15間に接
続し、テストを行わせる。
The test mode setting circuit 20 receives the test mode 1 switching signal VIN from the test pin 13 via wiring (not shown), and based on the voltage value of the test mode switching signal VIN, the CPU 16. ROM17, RAMI 8.
One of the various test modes prepared for the logic cell array 19 and the like is set. The test mode selection circuit 21 selects the CPUI 6. based on the setting result of the test mode setting circuit 20. ROMI 7. RAMI
8. Any one of the functional procuring circuits, such as the logic cell array 19, is connected between a predetermined input pin 14 and output pin 15 to perform a test.

次に、前記テストモード設定回路20について説明する
Next, the test mode setting circuit 20 will be explained.

第3図に示すように、テストモード設定回路20はモー
ド切換部30とテストモード指定部31とで構成されて
いる。モード切換部30は前記テストピン13に接続さ
れたレベル判定回路としてのn個のインバータ回路30
A1〜30Anと、全てのインバータ回路30A1〜3
0Anの出力信号TSI〜TSnを入力とするナンド(
NAND)回路30Bとで構成されている。
As shown in FIG. 3, the test mode setting circuit 20 includes a mode switching section 30 and a test mode specifying section 31. The mode switching unit 30 includes n inverter circuits 30 connected to the test pin 13 as a level determination circuit.
A1-30An and all inverter circuits 30A1-3
NAND (
NAND) circuit 30B.

第4図に示すように、前記各インバータ回路30A1〜
30Anは電源VDD、GND間に直列に接続されたp
MO8及びnMOsトランジスタ32.33で構成され
ている。各インバータ回路30A1〜30AnのpMO
8l−ランジスタ32のチャネル長はそれぞれ等しく形
成され、n M OSトランジスタ33のチャネル長は
順次大きくなるように形成、即ち、各インバータ回路3
0Ai(i=L  2.  ・・・、n)はしきい値、
即ち、出力反転電圧VTi(i=1.2.  ・・*、
n)がそれぞれ異なるように形成されている。各出力反
転電圧VTiはpMO8及びnMOsトランジスタ32
.33のプロセス精度で決まる係数をaとすると、以下
の式にて求められる。
As shown in FIG. 4, each of the inverter circuits 30A1-
30An is a p connected in series between the power supply VDD and GND.
It is composed of MO8 and nMOS transistors 32 and 33. pMO of each inverter circuit 30A1 to 30An
The channel lengths of the 8l-transistors 32 are formed to be equal to each other, and the channel lengths of the nMOS transistors 33 are formed to increase sequentially, that is, each inverter circuit 3
0Ai (i=L 2. . . . , n) is the threshold value,
That is, the output inversion voltage VTi (i=1.2....*,
n) are formed differently. Each output inversion voltage VTi is pMO8 and nMOs transistor 32
.. Letting a be the coefficient determined by the process accuracy of 33, it is determined by the following formula.

VTi= VDDX a X i < VDD従って、
各インバータ回路30A1〜30Anはテストモード切
換信号VINがその出力反転電圧VTi未満のとき論理
値「H」の出力信号TSI〜TSnを出力し、テストモ
ード切換信号VINがその出力反転電圧VTi以上のと
き論理値rL、、+の出力信号TSI〜TSnを出力す
る。第5図は各インバータ回路30A1〜30Anの動
作を説明するものであり、例えばテストモード切換信号
VINが、VDDXa≦V IN< VDDX 2 a
である場合には、出力信号TSIのみが論理値rLJと
なり、出力信号TS2〜TSnは論理値r HJとなる
VTi= VDDX aX i < VDD Therefore,
Each inverter circuit 30A1 to 30An outputs an output signal TSI to TSn of logical value "H" when the test mode switching signal VIN is less than its output inverted voltage VTi, and when the test mode switching signal VIN is higher than its output inverted voltage VTi. Output signals TSI to TSn of logical values rL, , + are output. FIG. 5 explains the operation of each inverter circuit 30A1 to 30An. For example, the test mode switching signal VIN satisfies VDDXa≦V IN<VDDX 2 a
In this case, only the output signal TSI has the logical value rLJ, and the output signals TS2 to TSn have the logical value rHJ.

そして、前記NAND回路30Bは全てのインバータ回
路30A1〜30Anの出力信号TS1〜TSnのうち
、いずれか1つが論理値rLJになると論理値「H」の
モード切換信号Tを前記テストモード選択回路21に出
力し、このパッケージLSIl0をテストモードに切り
換える。又、NAND回路30Bは全てのインバータ回
路30A1〜30Anの出力信号TSI〜TSnが論理
値「H」になると、論理値「L」のモード切換信号Tを
前記テストモード選択回路21に出力し、このパッケー
ジLS110を実動作モードに切り換える。
Then, when any one of the output signals TS1 to TSn of all the inverter circuits 30A1 to 30An reaches a logical value rLJ, the NAND circuit 30B sends a mode switching signal T of logical value "H" to the test mode selection circuit 21. output, and switches this package LSI10 to test mode. Further, when the output signals TSI to TSn of all the inverter circuits 30A1 to 30An reach the logic value "H", the NAND circuit 30B outputs the mode switching signal T of the logic value "L" to the test mode selection circuit 21, and this Switch the package LS110 to actual operation mode.

前記テストモード指定部31はn個のエクスクル−シブ
オア(ExOR)回路31A1〜31Anで構成されて
いる。各ExOR回路31AI〜31An−1は各イン
バータ回路30A1〜30An−1の出力信号TSI〜
TSrr−1を一方の入力とするとともに、各インクく
一夕回路30A2〜30Anの出力信号TS2〜TSn
を他方の入力としている。又、ExOR回路31Anは
インバータ回路30Anの出力信号TSnを一方の入力
とするとともに、電源VDDを他方の入力としている。
The test mode specifying section 31 is composed of n exclusive OR (ExOR) circuits 31A1 to 31An. Each ExOR circuit 31AI to 31An-1 is an output signal TSI to each inverter circuit 30A1 to 30An-1.
TSrr-1 as one input, and output signals TS2 to TSn of each ink output circuit 30A2 to 30An.
is used as the other input. Further, the ExOR circuit 31An receives the output signal TSn of the inverter circuit 30An as one input, and uses the power supply VDD as the other input.

そして、各ExOR回路31A1〜31Anは入力され
ている両信号に基づいてモード指定信号T1〜Tnを前
記テストモード選択回路21に出力する。即ち、各Ex
OR回路31A1〜31Anは入力されている両信号の
論理値が等しいと論理値rL」の信号を出力し、両信号
の論理値が異なると論理値rHJの信号を出力する。第
6図はテストモード設定回路20の動作を説明するもの
であり、例えばインバータ回路30A1の出力信号TS
lのみが論理値「L」で、インバータ回路30A2〜3
0Anの出力信号TS2〜TSnが論理値「H」である
と、モード指定信号Tlのみが論理値[H]となり、前
記テストモード選択回路21によりこのモード指定信号
TIに対応した1つの機能ブロック回路が選択されてテ
ストが実行される。
Each of the ExOR circuits 31A1 to 31An outputs mode designation signals T1 to Tn to the test mode selection circuit 21 based on both input signals. That is, each Ex
The OR circuits 31A1 to 31An output a signal with a logical value rL when the logical values of both input signals are equal, and output a signal with a logical value rHJ when the logical values of both signals are different. FIG. 6 explains the operation of the test mode setting circuit 20, for example, the output signal TS of the inverter circuit 30A1.
Only l has the logical value "L", and the inverter circuits 30A2-3
When the output signals TS2 to TSn of 0An have a logic value "H", only the mode designation signal Tl has a logic value "H", and the test mode selection circuit 21 selects one functional block circuit corresponding to this mode designation signal TI. is selected and the test is executed.

このように、本実施例のパッケージLS110ではパッ
ケージ11の外部に設けた複数のピンのうち1本のみを
テストピン13とするとともに、それ以外の全てのピン
14.15を実動作のために使用するようにしている。
In this way, in the package LS110 of this embodiment, only one of the plurality of pins provided outside the package 11 is used as the test pin 13, and all other pins 14 and 15 are used for actual operation. I try to do that.

従って、パッケージ11に対してそのサイズに対する実
装可能な最大機能を持つシステムオンチップ12を実装
したことになる。即ち、パッケージサイズに対する実装
可能な搭載機能の比率を上昇させることができ、コスト
パフォーマンスを向上させることができる。
Therefore, the system-on-chip 12 having the maximum functionality that can be implemented for the size of the package 11 is mounted on the package 11. That is, the ratio of mountable functions to the package size can be increased, and cost performance can be improved.

又、モード切換部30を構成する各インバータ回路にお
けるしきい値(出力判定電圧)を細分化することにより
、インバータ回路の数を増加させることができ、これに
よってテストモート数を増加させることができる。
Further, by subdividing the threshold value (output determination voltage) in each inverter circuit that constitutes the mode switching unit 30, the number of inverter circuits can be increased, and thereby the number of test motes can be increased. .

尚、本実施例ではモード切換部30をn個のインバータ
回路30A1〜30Anと、NAND回路30Bとで構
成したが、第7図に示すように前記テストピン13に接
続されたn個の比較器30C1〜30Cnと、全ての比
較器30C1〜3oCnの出力信号TSI〜TSnを入
力とするオア(OR)回路30Dとで構成してもよい。
In the present embodiment, the mode switching section 30 is composed of n inverter circuits 30A1 to 30An and a NAND circuit 30B, but as shown in FIG. 30C1 to 30Cn and an OR circuit 30D that receives output signals TSI to TSn of all the comparators 30C1 to 30Cn as inputs.

この場合、各比較器30C1〜30Cnに印加する基準
電圧Vrefl〜V refnを、それぞれ前記各出力
反転電圧VTI〜VTnと等しく設定しておけばよい。
In this case, the reference voltages Vrefl to V refn applied to each of the comparators 30C1 to 30Cn may be set equal to each of the output inversion voltages VTI to VTn.

又、本実施例ではモード切換部30をn個のインバータ
回路と、NAND回路とで構成したが、インバータ回路
に代えてバッファ回路とするとともに、NAND回路に
代えてOR回路としてもよい。
Further, in this embodiment, the mode switching unit 30 is configured with n inverter circuits and a NAND circuit, but the inverter circuit may be replaced with a buffer circuit, and the NAND circuit may be replaced with an OR circuit.

又、本実施例ではテストモード指定部31をn個のEx
OR回路で構成したが、テストモート指定部31をA/
D変換器とデコーダ回路とで構成し、アナログのテスト
モード切換信号VINをA/D変換器によりデジタル値
に変換し、その変換結果をデコーダ回路によりデコード
してモード指定信号T1〜Tnを出力させるようにして
もよい。
Further, in this embodiment, the test mode specifying section 31 is
Although it is configured with an OR circuit, the test mote designation section 31 is
Consisting of a D converter and a decoder circuit, the analog test mode switching signal VIN is converted to a digital value by an A/D converter, and the conversion result is decoded by the decoder circuit to output mode designation signals T1 to Tn. You can do it like this.

又、本実施例ではテストモート設定回路20によるテス
トモード設定をテストモード切換信号VINの電圧値に
基づいて行うようにしたが、電流値に基づいてテストモ
ード設定を行うように構成してもよい。
Further, in this embodiment, the test mode setting by the test mode setting circuit 20 is performed based on the voltage value of the test mode switching signal VIN, but the test mode setting may be performed based on the current value. .

又、本実施例ではシステムオンチップ12を実装したパ
ッケージL S I 1.0に実施したが、複数■6 のチップを実装したパッケージLSIに実施してもよい
Further, in this embodiment, the present invention is implemented in a package LSI 1.0 in which the system-on-chip 12 is mounted, but it may be implemented in a package LSI in which a plurality of chips are mounted.

更に、本実施例ではパッケージLSIに実施したが、シ
ステムオンチップ12においてもチップ外周寄りに設け
た複数のパッドのうち、1つのパッドのみをテストパッ
ドとするとともに、それ以外の全てのパッドを実動作の
ために使用するように構成すれば、そのチップサイズに
対する搭載可能な機能の比率を上昇させることができ、
コストパフォーマンスを向上させることができる。
Furthermore, although this was applied to a packaged LSI in this embodiment, in the system-on-chip 12 as well, only one pad is used as a test pad among the plurality of pads provided near the outer periphery of the chip, and all other pads are used as test pads. By configuring it to be used for operation, it is possible to increase the ratio of functions that can be mounted to the chip size.
Cost performance can be improved.

[発明の効果] 以上詳述したように、本発明によれば半導体集積回路装
置のテストを行う場合、1つのテスト端子で複数のテス
トモードを設定できるとともに、テスト端子の削減によ
りコストパフォーマンスを向上することができる優れた
効果がある。
[Effects of the Invention] As detailed above, according to the present invention, when testing a semiconductor integrated circuit device, multiple test modes can be set with one test terminal, and cost performance is improved by reducing the number of test terminals. There are excellent effects that can be achieved.

又、レベル判定回路におけるしきい値を細分化してレベ
ル判定回路の数を増加させることにより、テストモード
数を増加させることができる。
Furthermore, the number of test modes can be increased by increasing the number of level determination circuits by subdividing the threshold values in the level determination circuits.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の原理説明図、 第2図は一実施例の構成を示すブロック回路図、第3図
はテストモード設定回路の一例を示す論理回路図、 第4図はインバータ回路を示す電気回路図、第5図は各
インバータ回路の動作説明図、第6図はテストモード設
定回路の動作説明図、第7図はテストモード設定回路の
別個を示す論理回路図である。 図において、 1は機能ブロック回路群、 2は端子、 3はテスト端子、 4はテストモード設定回路である。
Fig. 1 is a diagram explaining the principle of the present invention, Fig. 2 is a block circuit diagram showing the configuration of an embodiment, Fig. 3 is a logic circuit diagram showing an example of a test mode setting circuit, and Fig. 4 shows an inverter circuit. FIG. 5 is a diagram explaining the operation of each inverter circuit, FIG. 6 is a diagram explaining the operation of the test mode setting circuit, and FIG. 7 is a logic circuit diagram showing the separate test mode setting circuit. In the figure, 1 is a functional block circuit group, 2 is a terminal, 3 is a test terminal, and 4 is a test mode setting circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、種々の機能ブロック回路からなる機能ブロック回路
群(1)と複数の端子(2)とを備えて構成されるとと
もに、機能ブロック回路群(1)の機能ブロック回路に
ついて種々のテストモードが用意された半導体集積回路
装置において、前記複数の端子(2)のうち、1つの端
子をこの半導体集積回路装置をテストモードと実動作モ
ードとに切り換えるためのテスト端子(3)とするとと
もに、前記テスト端子(3)に印加される信号レベルに
基づいて複数用意されたテストモードのうちいずれか1
つのテストモードを設定するテストモード設定回路(4
)を設けたことを特徴とする半導体集積回路装置。 2、前記テストモード設定回路(4)は、それぞれ異な
るしきい値を有し、前記テスト端子(3)に印加される
信号レベルに対して大か小かの出力信号を出力する複数
のレベル判定回路(30A1〜30An)を備えたモー
ド切換部(30)と、複数のレベル判定回路(30A1
〜30An)の出力信号に基づいて複数用意されたテス
トモードのうちいずれか1つのテストモードを指定する
信号を出力するテストモード指定部(31)とからなる
ことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
[Claims] 1. Regarding the functional block circuit of the functional block circuit group (1), which is configured to include a functional block circuit group (1) consisting of various functional block circuits and a plurality of terminals (2). In a semiconductor integrated circuit device provided with various test modes, one terminal among the plurality of terminals (2) is a test terminal (3) for switching the semiconductor integrated circuit device between a test mode and an actual operation mode. At the same time, one of the plurality of test modes is selected based on the signal level applied to the test terminal (3).
Test mode setting circuit (4
) A semiconductor integrated circuit device. 2. The test mode setting circuit (4) has a plurality of level judgments each having a different threshold value and outputting an output signal that is higher or lower than the signal level applied to the test terminal (3). A mode switching unit (30) equipped with circuits (30A1 to 30An) and a plurality of level determination circuits (30A1
2. The test mode designating section (31) outputs a signal designating any one of the plurality of test modes prepared based on the output signal of the test mode (30An). Semiconductor integrated circuit device.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100900921B1 (en) * 2001-09-14 2009-06-03 후지쯔 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤 Semiconductor device

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