JPH0499966A - サンプリング装置 - Google Patents
サンプリング装置Info
- Publication number
- JPH0499966A JPH0499966A JP2218479A JP21847990A JPH0499966A JP H0499966 A JPH0499966 A JP H0499966A JP 2218479 A JP2218479 A JP 2218479A JP 21847990 A JP21847990 A JP 21847990A JP H0499966 A JPH0499966 A JP H0499966A
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- Japan
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- diode bridge
- signal
- delay
- strobe
- membranes
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- Pending
Links
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 8
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2211/00—Indexing scheme relating to digital stores characterized by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C2211/56—Indexing scheme relating to G11C11/56 and sub-groups for features not covered by these groups
- G11C2211/561—Multilevel memory cell aspects
- G11C2211/5614—Multilevel memory cell comprising negative resistance, quantum tunneling or resonance tunneling elements
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、サンプリングオシロスコープなどの高周波機
器に用いて好適なサンプリング装置に関し、さらに詳し
くはストローブパルス発生手段の発振を防止したサンプ
リング装置に関する。
器に用いて好適なサンプリング装置に関し、さらに詳し
くはストローブパルス発生手段の発振を防止したサンプ
リング装置に関する。
〈従来の技術〉
被測定波形である高周波数信号のある周期毎から集めて
きたデータをつないで低い周波数で再合成する装置とし
てサンプラかある。サンプラに用いられるダイオードブ
リッジはネットワークアナライザやウニイブホームアナ
ライザなどの高周波機器において重要なデバイスであり
、その測定周波数帯域はブリッジのゲーティング時間に
より決定される。
きたデータをつないで低い周波数で再合成する装置とし
てサンプラかある。サンプラに用いられるダイオードブ
リッジはネットワークアナライザやウニイブホームアナ
ライザなどの高周波機器において重要なデバイスであり
、その測定周波数帯域はブリッジのゲーティング時間に
より決定される。
ダイオードブリッジのゲーティングにはストロブパルス
と呼ばれるインパルスが用いられ、従来高周波用として
はステップリカバリーダイオードや食性抵抗素子（エサ
キダイオード、ＲＴＤ・・・共鳴トンネルダイオード）
がこのストローブパルスの発生器に利用されている。
と呼ばれるインパルスが用いられ、従来高周波用として
はステップリカバリーダイオードや食性抵抗素子（エサ
キダイオード、ＲＴＤ・・・共鳴トンネルダイオード）
がこのストローブパルスの発生器に利用されている。
〈発明が解決しようとする課題〉
上記従来のストローブパルス発生装置において。
負性抵抗素子としてＲＴＤまなはエサキダイオドを用い
た場合、ステップ状のストローブパルスは立上がってダ
イオードブリッジを開とし、さらにショート端で逆相反
射してダイオードブリッジを閉とする。この間がゲーテ
ィング時間となるが反射したパルスが更に戻りストロー
ブパルス発生手段に帰る。このときにストローブ発生手
段か初期状態に戻っていない場合、ストローブ発生手段
が発振してしまうという問題があった。
た場合、ステップ状のストローブパルスは立上がってダ
イオードブリッジを開とし、さらにショート端で逆相反
射してダイオードブリッジを閉とする。この間がゲーテ
ィング時間となるが反射したパルスが更に戻りストロー
ブパルス発生手段に帰る。このときにストローブ発生手
段か初期状態に戻っていない場合、ストローブ発生手段
が発振してしまうという問題があった。
本発明は上記従来技術の問題を解決するために成された
もので、ストローブ発生手段か発振しないサンプリング
装置を提供することを目的とするものである。
もので、ストローブ発生手段か発振しないサンプリング
装置を提供することを目的とするものである。
く課題を解決するための手段〉
上記従来技術の問題を解決する為の本発明の構成は、サ
ンプル信号が入力するダイオードブリッジと、そのダイ
オードブリッジを伝送線を介して伝送されるストローブ
パルスで開とし、そのストローブパルスがショート端で
逆相反射してくる信号によって閉として入力信号のサン
プリングを行うサンプリング装置において、前記ストロ
ーブパルスの発生手段とダイオードブリッジ間の伝送線
にストローブパルス発生コマンドパルスの幅よりも長時
間の遅延時間を発生させる遅延手段を設けたことを特徴
とするものである。
ンプル信号が入力するダイオードブリッジと、そのダイ
オードブリッジを伝送線を介して伝送されるストローブ
パルスで開とし、そのストローブパルスがショート端で
逆相反射してくる信号によって閉として入力信号のサン
プリングを行うサンプリング装置において、前記ストロ
ーブパルスの発生手段とダイオードブリッジ間の伝送線
にストローブパルス発生コマンドパルスの幅よりも長時
間の遅延時間を発生させる遅延手段を設けたことを特徴
とするものである。
く作用〉
ストローブパルスの発生手段とダイオードブリッジ間の
伝送線にストローブパルス発生コマンドパルスのパルス
幅よりも長時間の遅延時間を発生させる遅延手段を設け
ているので逆相の反射波が帰る前に初期状態に戻る。
伝送線にストローブパルス発生コマンドパルスのパルス
幅よりも長時間の遅延時間を発生させる遅延手段を設け
ているので逆相の反射波が帰る前に初期状態に戻る。
〈実施例〉
以下１図面に従い本発明を説明する。
図は本発明の一実施例を示すサンプリング装置の回路図
を示すものである。半導体基板上にダイオードブリッジ
３０．負性抵抗素子３．抵抗Ｒ１〜Ｒ６およびコンデン
サＣ，，Ｃ２がモノリシックに形成されている。Ｓ、〜
Ｓ１．の部分は導電性薄膜（金を成膜）で形成されてお
り、そのうちＳ＋ 、Ｓ３はコモンラインに接続される
。また。
を示すものである。半導体基板上にダイオードブリッジ
３０．負性抵抗素子３．抵抗Ｒ１〜Ｒ６およびコンデン
サＣ，，Ｃ２がモノリシックに形成されている。Ｓ、〜
Ｓ１．の部分は導電性薄膜（金を成膜）で形成されてお
り、そのうちＳ＋ 、Ｓ３はコモンラインに接続される
。また。
Ｓ２．ＳＳ、Ｓ８の薄膜の幅は他の薄膜の１／１０程度
に形成されている。
に形成されている。
図において、入力端子２０に入力した高周波信号は薄膜
Ｓ２．ＳＳを介してダイオードブリッジに入力する。ま
たストローブ信号はコイルし、。
Ｓ２．ＳＳを介してダイオードブリッジに入力する。ま
たストローブ信号はコイルし、。
Ｌ２に接続された端子２１．２２に入力され、１０ｎＨ
程度のコイルＬ、、Ｌ２に並列に接続された負性抵抗素
子３を介して薄膜３１ ｏ 、３７およびＳ＋ ＋ 、
ＳＳを通り、０．５ｐＦ程度のコンデンサＣ，，Ｃ２を
介してそれぞれダイオードブリッジ３０に入力し、ダイ
オードブリッジを開とする。また、このストローブ信号
は薄膜Ｓｄ＋ Ｓｅ２の短絡終端ｅｌ＋８２で逆相反射
してダイオードブリッジ３０を閉とする。従ってダイオ
ードブリッジ３０のゲーテインク時間はダイオードブリ
ッジ３０から薄膜Ｓ４＋Ｓ６の短絡終端までの距離を往
復する時間となる。
程度のコイルＬ、、Ｌ２に並列に接続された負性抵抗素
子３を介して薄膜３１ ｏ 、３７およびＳ＋ ＋ 、
ＳＳを通り、０．５ｐＦ程度のコンデンサＣ，，Ｃ２を
介してそれぞれダイオードブリッジ３０に入力し、ダイ
オードブリッジを開とする。また、このストローブ信号
は薄膜Ｓｄ＋ Ｓｅ２の短絡終端ｅｌ＋８２で逆相反射
してダイオードブリッジ３０を閉とする。従ってダイオ
ードブリッジ３０のゲーテインク時間はダイオードブリ
ッジ３０から薄膜Ｓ４＋Ｓ６の短絡終端までの距離を往
復する時間となる。
ダイオードブリッジ３０を通過したサンプリング信号は
薄膜Ｓ８にホールドされて抵抗Ｒ１，Ｒ２を介して出力
端子２３．２４から出力する。なお コイルＬ＋ 、Ｌ
２は負性抵抗素子３が久イツチングする際に定電流源と
して機能するものであり、スイッチング電圧を高めてい
る。ダイオードブリッジ３０へのバイアス電圧は抵抗Ｒ
３、Ｒ４を介して端子２５．２６から入力されている。
薄膜Ｓ８にホールドされて抵抗Ｒ１，Ｒ２を介して出力
端子２３．２４から出力する。なお コイルＬ＋ 、Ｌ
２は負性抵抗素子３が久イツチングする際に定電流源と
して機能するものであり、スイッチング電圧を高めてい
る。ダイオードブリッジ３０へのバイアス電圧は抵抗Ｒ
３、Ｒ４を介して端子２５．２６から入力されている。
上記構成によれば高周波信号が伝送する伝送線Ｓ２．Ｓ
Ｓは薄膜Ｓｔ 、Ｓ４，８３ 、Ｓｓに挟まれ、Ｓ８は
薄膜Ｓ７ 、ＳＳに挟まれてコプレーナウニイブガイド
（ＣＰＷ）を構成しており、ストレージパルスが伝送す
る薄膜ｓ、 ０ 、８？ 、 ｓａおよびＩ ＋ ＋
３９ ＋ ３６はコプレーナストリップライン（ＣＰＳ
）と見なすことができる。そしてＳ２．・３５．ＳＳの
薄膜の幅は他の薄膜の１／１０程度となっているので薄
膜８８部におけるコプレーナストリップラインの不整合
は事実上無視することができる。その結果コプレーナウ
ェイブガイド、コプレーナストリップラインは共にイン
ピダンス不整合を持たないことになり、高周波信号も損
失なしに通過することができる。なお１本実施例では抵
抗１００ΩのＲ１、Ｒ２を並列に設けて５０Ωの終端抵
抗とし、コプレーナウニイブガイドとコブシーナス１〜
リツプラインも共に５０Ωインピーダンス系で整合させ
ている。
Ｓは薄膜Ｓｔ 、Ｓ４，８３ 、Ｓｓに挟まれ、Ｓ８は
薄膜Ｓ７ 、ＳＳに挟まれてコプレーナウニイブガイド
（ＣＰＷ）を構成しており、ストレージパルスが伝送す
る薄膜ｓ、 ０ 、８？ 、 ｓａおよびＩ ＋ ＋
３９ ＋ ３６はコプレーナストリップライン（ＣＰＳ
）と見なすことができる。そしてＳ２．・３５．ＳＳの
薄膜の幅は他の薄膜の１／１０程度となっているので薄
膜８８部におけるコプレーナストリップラインの不整合
は事実上無視することができる。その結果コプレーナウ
ェイブガイド、コプレーナストリップラインは共にイン
ピダンス不整合を持たないことになり、高周波信号も損
失なしに通過することができる。なお１本実施例では抵
抗１００ΩのＲ１、Ｒ２を並列に設けて５０Ωの終端抵
抗とし、コプレーナウニイブガイドとコブシーナス１〜
リツプラインも共に５０Ωインピーダンス系で整合させ
ている。
ところで、この様な回路においてストローブパルス発生
コマンドパルスは所定の幅を有しているが、パルスが立
上がってから立ち下がるまでの間に短絡終端ｅ＋＋６２
で逆相反射した信号か帰って来ると先に述べた様にスト
ローブパルス発生手段が発振する。従って本発明におい
ては薄膜Ｓ。
コマンドパルスは所定の幅を有しているが、パルスが立
上がってから立ち下がるまでの間に短絡終端ｅ＋＋６２
で逆相反射した信号か帰って来ると先に述べた様にスト
ローブパルス発生手段が発振する。従って本発明におい
ては薄膜Ｓ。
０とＳ＋＋に遅延手段２２ａ、２２ｂを設けて逆相反射
信号を遅延させている。
信号を遅延させている。
本出願人の実験では薄膜Ｓ、。とＳｌ、の長さを２ｍｍ
から２ｃｍにすることにより逆相反射の時間を５０ｐｓ
から５００ｐｓに遅延させることかできた。
から２ｃｍにすることにより逆相反射の時間を５０ｐｓ
から５００ｐｓに遅延させることかできた。
なお１本実施例においては半導体基板上にモノリシック
に形成した例について説明したが１本例に限ることなく
部品の組付は方法は任意である。
に形成した例について説明したが１本例に限ることなく
部品の組付は方法は任意である。
〈発明の効果〉
以上実施例とともに具体的に説明した様に本発明によれ
ば、ストローブパルスの発生手段とダイオードブリッジ
間の伝送線にストローブパルスのパルス幅よりも長時間
の遅延時間を発生させる遅延手段を設けたので、ストロ
ーブパルスのパルス幅に自由度を持たせることができ、
また逆相反射に起因するストローブパルス発生手段の発
振を防止することができる。
ば、ストローブパルスの発生手段とダイオードブリッジ
間の伝送線にストローブパルスのパルス幅よりも長時間
の遅延時間を発生させる遅延手段を設けたので、ストロ
ーブパルスのパルス幅に自由度を持たせることができ、
また逆相反射に起因するストローブパルス発生手段の発
振を防止することができる。
図は本発明のストローブパルス発生手段の一実施例を示
す回路図である。 ３・・・負性抵抗素子、２２ａ、２２ｂ・・・遅延手段
。 ３０・・・ダイオードブリッジ。
す回路図である。 ３・・・負性抵抗素子、２２ａ、２２ｂ・・・遅延手段
。 ３０・・・ダイオードブリッジ。
Claims (1)
- サンプル信号が入力するダイオードブリッジと，その
ダイオードブリッジを伝送線を介して伝送されるストロ
ーブパルスで開とし，そのストローブパルスがショート
端で逆相反射してくる信号によって閉として入力信号の
サンプリングを行うサンプリング装置において，前記ス
トローブパルスの発生手段とダイオードブリッジ間の伝
送線にストローブパルス発生コマンドパルスの幅よりも
長時間の遅延時間を発生させる遅延手段を設けたことを
特徴とするサンプリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2218479A JPH0499966A (ja) | 1990-08-20 | 1990-08-20 | サンプリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2218479A JPH0499966A (ja) | 1990-08-20 | 1990-08-20 | サンプリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0499966A true JPH0499966A (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=16720577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2218479A Pending JPH0499966A (ja) | 1990-08-20 | 1990-08-20 | サンプリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0499966A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002534890A (ja) * | 1999-01-06 | 2002-10-15 | レイセオン・カンパニー | 共鳴トンネルダイオードブリッジを用いたアナログ信号量子化装置 |
-
1990
- 1990-08-20 JP JP2218479A patent/JPH0499966A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002534890A (ja) * | 1999-01-06 | 2002-10-15 | レイセオン・カンパニー | 共鳴トンネルダイオードブリッジを用いたアナログ信号量子化装置 |
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