JPH0499081A - Connecting structure between semiconductor laser package and package for modulator - Google Patents

Connecting structure between semiconductor laser package and package for modulator

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JPH0499081A
JPH0499081A JP7239490A JP7239490A JPH0499081A JP H0499081 A JPH0499081 A JP H0499081A JP 7239490 A JP7239490 A JP 7239490A JP 7239490 A JP7239490 A JP 7239490A JP H0499081 A JPH0499081 A JP H0499081A
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JP
Japan
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package
modulator
semiconductor laser
isolator
laser
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JP7239490A
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Japanese (ja)
Inventor
Takeo Iwama
岩間 武夫
Saburo No
野 三郎
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To make the title connecting structure perfectly airtight and, at the same time, to efficiently couple the structure with the polarizing direction of a semiconductor laser module by connecting a package for mounting a modulator to a semiconductor laser package by laser-welding through an isolator. CONSTITUTION:Glass windows 22 and 23 are respectively installed to the front and rear faces of a package 2 for modulator incorporating an LN modulator 23. Then the package 2 is inserted into a flange 4 provided with a hole 41 into which the front face of the package 2 can be inserted. A glass window 11 through which laser light is outputted is provided to the front face of a semiconductor package 1. The window in the front face of the package 1 and the front face of an isolator holder 3 housing an isolator 31 are faced to each other and laser-welded. After the rear face of the isolator 31 is positioned to the surface of the flange 4 where the package 2 is not inserted, the rear face of the isolator 31 is laser-welded to the flange 4 by the section encircled by the dotted line.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 変調器用パッケージと半導体レーザパ・ンケージとの接
続に関し、 気密機構を完全にすると共に、半導体レーダモジュール
の偏波方向と効率良く結合可能とする事を目的とし、 変調器を搭載するパッケージをフランジとアイソレータ
を介して、半導体レーザパッケージとレーザ溶接により
接続する構成にする。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding the connection between the modulator package and the semiconductor laser package, the purpose is to complete the airtight mechanism and to enable efficient coupling with the polarization direction of the semiconductor radar module. A package equipped with a modulator is connected to a semiconductor laser package by laser welding via a flange and an isolator.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は、光通信システムの高速化・長距離化が進展す
るに伴い、半導体レーザの高速変調時の波長スペクトル
の広がり(チャーピング)が大きな問題となっている。
DISCLOSURE OF THE INVENTION As optical communication systems become faster and longer distances, broadening of the wavelength spectrum (chirping) during high-speed modulation of semiconductor lasers has become a major problem.

そこで、半導体レーザは発光したままにし、外部変調に
より変調を行う技術が考えられている。
Therefore, a technique has been considered in which the semiconductor laser continues to emit light and is modulated by external modulation.

外部変調を行う手段として、リチュウム拡散ニオブ酸す
チュウム導波路による導波路型変調器(以下LN変調器
と略す)がある。
As means for performing external modulation, there is a waveguide type modulator (hereinafter abbreviated as LN modulator) using a lithium-diffused niobium oxide waveguide.

このLN変調器と、半導体レーザを収容したパッケージ
はそれぞれ気密封入してあり、これらのパッケージの気
密を維持し、簡易に接続でき、且つ小型化する要望があ
る。
The LN modulator and the package housing the semiconductor laser are each hermetically sealed, and there is a demand for these packages to maintain airtightness, be easily connectable, and to be miniaturized.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第3図に従来の半導体レーザパッケージlの構成を示す
FIG. 3 shows the configuration of a conventional semiconductor laser package l.

半導体レーザ13を搭載した基板にレーザ光を平行光に
すにレンズ12を有するレンズホルダをレーザ溶接する
A lens holder having a lens 12 for converting laser light into parallel light is laser welded to a substrate on which a semiconductor laser 13 is mounted.

そして、窓11により気密封入される。Then, it is hermetically sealed by the window 11.

窓11からの光はアイソレータ31に入力される。Light from window 11 is input to isolator 31.

アイソレータ31の出力はレンズと光ファイバを収容し
たステンレスホルダ32に入力される。
The output of the isolator 31 is input to a stainless steel holder 32 that houses a lens and an optical fiber.

ステンレスホルダ32は半導体レーザパッケージ■前面
に設けた孔との間でレーザ溶接を行ない接続する。
The stainless steel holder 32 is connected to a hole provided on the front surface of the semiconductor laser package by laser welding.

又、ステンレスホルダ32からの光ファイバの先端には
光コネクタ34が設けられている。
Further, an optical connector 34 is provided at the tip of the optical fiber from the stainless steel holder 32.

第4図に従来の変調器用パッケージの構成が示されてい
る。
FIG. 4 shows the configuration of a conventional modulator package.

光コネクタ35に一端を接続された光ファイバの間にメ
タライズ部有し、そのメタライズ部を半田でステンレス
ホルダ33と接続する。
A metallized portion is provided between the optical fibers whose one end is connected to the optical connector 35, and the metallized portion is connected to the stainless steel holder 33 with solder.

ステンレスホルダ33は、変調器用パッケージ2に銀ろ
う又は金錫等により固定する。
The stainless steel holder 33 is fixed to the modulator package 2 with silver solder, gold tin, or the like.

接続後光ファイバの先端にルビービズ37を設け、この
ルビービーズ37とLN変調器24の端部とLN変調器
24の上端部に設けられたやとい38とを接着剤により
接続する。
After the connection, a ruby bead 37 is provided at the tip of the optical fiber, and the ruby bead 37, the end of the LN modulator 24, and the gutter 38 provided at the upper end of the LN modulator 24 are connected with an adhesive.

従来の全体構成を第5図に示す。FIG. 5 shows the conventional overall configuration.

第3図に示した半導体レーザパッケージ1の光コネクタ
34と、第4図に示した変調器用パッケージ2の一旦に
設けられた光コネクタ35を接続する事で、半導体レー
ザパツケ−21と、LN変調器用パッケージ2の接続を
行っていた。
By connecting the optical connector 34 of the semiconductor laser package 1 shown in FIG. 3 and the optical connector 35 provided at once in the modulator package 2 shown in FIG. I was connecting package 2.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

従来の構成では、LN変調器24と光フアイバ間はルビ
ービーズにより接着剤を用いて、接続を行っているため
、温度変動及び経年変化に対する気密の信較性が問題と
なる。
In the conventional configuration, the connection between the LN modulator 24 and the optical fiber is made using ruby beads using an adhesive, which poses a problem of airtight reliability against temperature fluctuations and aging.

更に、光ファイバを用いて半導体レーザパッケジ1と変
調器用パッケージ2の接続を行っているので大型化する
問題がある。
Furthermore, since the semiconductor laser package 1 and the modulator package 2 are connected using an optical fiber, there is a problem of an increase in size.

また、光フアイバ間を光コネクタで接続するため偏波面
の位置等が制度良く調整出来ない等の問題が生じていた
Furthermore, since the optical fibers are connected by optical connectors, there have been problems such as the inability to precisely adjust the position of the plane of polarization.

従って、本発明は、変調器用パッケージ2内に於いて、
光ファイバを用いずに、LN変調器24と半導体レーザ
13を光結合し温度や経年変化に結合効率や偏波面が変
化しない用にする事を目的とする。
Therefore, in the present invention, in the modulator package 2,
The purpose is to optically couple the LN modulator 24 and the semiconductor laser 13 without using an optical fiber so that the coupling efficiency and polarization plane do not change due to changes in temperature or aging.

〔問題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明の原理構成を第1図に示す。 The basic configuration of the present invention is shown in FIG.

本発明は、LN変調器24を内蔵した変調器用パッケー
ジ2前面及び後面にガラス窓22.23を設ける。
In the present invention, glass windows 22 and 23 are provided on the front and rear surfaces of the modulator package 2 containing the LN modulator 24.

さらに、この変調器用パッケージ2の前面が嵌合可能と
なる孔41を有するフランジ4に挿入する。
Furthermore, the front surface of this modulator package 2 is inserted into the flange 4 having a hole 41 into which it can be fitted.

半導体レーザパッケージ1の前面にレーザ光を出力する
ガラス窓11を設ける。
A glass window 11 for outputting laser light is provided on the front surface of the semiconductor laser package 1.

半導体レーザパッケージ1の前面の窓11と、アイソレ
ータ31を収容したアイソレータホルダ3の前面を対向
させレーザ溶接する。
The front window 11 of the semiconductor laser package 1 and the front surface of the isolator holder 3 containing the isolator 31 are faced to each other and laser welded.

アイソレータ31後面とフランジ4の変調器用パッケー
ジ2が嵌合されていない面を位置合わせ調整を行った後
に、点線の部分でレーザ溶接構造とする。
After alignment adjustment is performed between the rear surface of the isolator 31 and the surface of the flange 4 where the modulator package 2 is not fitted, a laser welded structure is formed at the dotted line portion.

〔作用〕[Effect]

本発明はLN変調器24を収容した変調器用パッケージ
2の前面及び後面にレーザ光を入出力するためのガラス
窓22.23を設は気密封入機構とし、この変調用パッ
ケージ2をフランジ4に挿入固定することで、光ファイ
バを用いずに、アイソレータ31と接続する事ができる
In the present invention, glass windows 22 and 23 for inputting and outputting laser light are provided on the front and rear surfaces of the modulator package 2 housing the LN modulator 24, and the modulation package 2 is inserted into the flange 4. By fixing it, it is possible to connect to the isolator 31 without using an optical fiber.

さらに、フランジ4を任意の位置に位置調整した後にレ
ーザ溶接を行うので結合効率の向上及び偏波面による損
失を小さくすることが出来る。
Furthermore, since laser welding is performed after adjusting the flange 4 to an arbitrary position, it is possible to improve coupling efficiency and reduce loss due to the plane of polarization.

又、半導体レーザパッケージ1側も窓11を設けた構成
とすることで、アイソレータホルダ3とレーザ溶接する
ことができ、全体として光ファイバを用いない構造とす
るとにより、構成が簡易化され、且つ小型かすることが
できる。
Furthermore, by providing a window 11 on the semiconductor laser package 1 side, laser welding can be performed with the isolator holder 3, and the structure as a whole does not use optical fibers, which simplifies the structure and reduces the size. can be done.

〔実施例〕〔Example〕

以下図面を用いて本発明の実施例を示す。 Embodiments of the present invention will be described below using the drawings.

第2図a及びbは本発明の実施例を示す図である。Figures 2a and 2b show an embodiment of the invention.

第2図aは本発明の実施例を上面から見た図であり、第
2図すは本発明の実施例の側断面を示す図である。
FIG. 2a is a top view of the embodiment of the present invention, and FIG. 2A is a side sectional view of the embodiment of the present invention.

半導体レーザパッケージ1は、内部に半導体レーザ13
と半導体レーザのレーザ光を平行光にするレンズ12を
設ける。
The semiconductor laser package 1 has a semiconductor laser 13 inside.
A lens 12 is provided to convert the laser beam of the semiconductor laser into parallel light.

半導体レーザパッケージ1の前面には孔が明けられその
部分はサファイヤガラスからなる窓11を銀ろう又は、
金錫により内部を気密封入する様固定される。
A hole is made in the front side of the semiconductor laser package 1, and a window 11 made of sapphire glass is covered with silver solder or
It is fixed with gold and tin so that the inside is hermetically sealed.

アイソレータ3は、内部にアイソレータ31を設ける孔
を有する様にし、その孔は入射する光軸に対して斜めに
なる様にしである。
The isolator 3 has a hole in which the isolator 31 is provided, and the hole is oblique to the incident optical axis.

変調器用パッケージ2は、その前面と後面に孔が明けら
れその部分はサファイヤガラスからなる窓21及び23
が銀ろう又は、金錫により内部を気密封入する様固定さ
れる。
The modulator package 2 has windows 21 and 23 with holes formed on its front and rear surfaces and made of sapphire glass.
is fixed with silver solder or gold tin to airtightly seal the inside.

変調器用パッケージ2の低面部には、その中央にLN変
調器と温度係数が等しい5US16で構成した台座28
が設けられ、この台座28上にLN変調器24を設ける
と共に、前面側には半導体レーザかさの発光モードをL
N変調器の伝搬モードに変換するレンズ25を設け、後
面側には伝送路と結合するためのレンズ26を設ける。
At the center of the lower surface of the modulator package 2 is a pedestal 28 made of 5US16 having the same temperature coefficient as the LN modulator.
An LN modulator 24 is provided on the pedestal 28, and an LN modulator 24 is provided on the front side to control the light emission mode of the semiconductor laser umbrella.
A lens 25 for converting into the propagation mode of the N modulator is provided, and a lens 26 for coupling with the transmission path is provided on the rear side.

このレンズ25及び26は金属のホルダに収容されてお
りレーザ溶接で変調器用パッケージ2に固定する。
The lenses 25 and 26 are housed in a metal holder and fixed to the modulator package 2 by laser welding.

変調器用パッケージ2の上面部には、蓋27をし、蓋2
7は変調器用パッケージ2の上部とレーザ溶接又は、パ
ラレルシーム溶接により気密封入固定を行う。
A lid 27 is placed on the top surface of the modulator package 2.
7 is hermetically sealed and fixed to the upper part of the modulator package 2 by laser welding or parallel seam welding.

変調器用パッケージ2の側面部には、アース用箔29を
設ける構成としている。
A grounding foil 29 is provided on the side surface of the modulator package 2.

変調器用パッケージ2は、フランジ4の孔41に嵌合さ
れる。
The modulator package 2 is fitted into the hole 41 of the flange 4 .

この嵌合部はレーザ溶接により接続される。This fitting part is connected by laser welding.

アイソレータホルダ3と半導体レーザパッケージ1はレ
ーザによりより溶接される。
The isolator holder 3 and the semiconductor laser package 1 are welded together using a laser.

フランジ4の変調器用パッケージ2が挿入嵌合され内側
の面と、アイソレータ4を光結合位置調整及び偏波結合
位置調整を行いレーザにより溶接を行う。
The modulator package 2 of the flange 4 is inserted and fitted, and the inner surface of the isolator 4 is welded with a laser after adjusting the optical coupling position and the polarization coupling position.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本願発明は、変調器用パッケージをフランジとアイソレ
ータを介して、半導体レーザパッケージとレーザ溶接に
より接続する構成にすることで、LN変調器と半導体レ
ーザ間は接着剤を用いず空間により接続をう構成とする
ために、温度変動及び経年変化に対する信軌性が向上す
る。
The present invention has a configuration in which the modulator package is connected to the semiconductor laser package through a flange and an isolator by laser welding, so that the connection between the LN modulator and the semiconductor laser is achieved through space without using adhesive. As a result, reliability against temperature fluctuations and aging changes is improved.

更に、光ファイバを用い無い構成としているので、小型
化することが可能となる。
Furthermore, since the configuration does not use optical fibers, it is possible to downsize the device.

更に、フランジ4を用いて接続を行う為、偏波面の位置
等が制度良く調整出来る。
Furthermore, since the connection is made using the flange 4, the position of the plane of polarization, etc. can be adjusted with good accuracy.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の原理構成を示す図、 第2図は本発明の実施例を示す図、 第3図は従来の半導体レーザパッケージを示す図、 第4図は従来の変調器用パッケージを示す図である。 図中1は半導体レーザパッケージ、2は変調器用パッケ
ージ、22,23.11は窓、3はアイソレータ手 続 補 正 書 (方式) 事件の表示 平成02年特許願第072394号 発明の名称 明細書の第10頁第11行目乃至第12行の「示す図で
あてる。」を「示す図、第5図は従来の構成を示す図で
ある。Jに補正する。 事件との関係  特許出願人 住所 神奈川県用崎市中原区上小田中 名称 (522)富士通株式会社 代表者 関 澤  義 4、代理人 郵便番号 211 住所 神奈川県用崎市中原区上小田中 5@地 1015番地
Fig. 1 is a diagram showing the principle configuration of the present invention, Fig. 2 is a diagram showing an embodiment of the invention, Fig. 3 is a diagram showing a conventional semiconductor laser package, and Fig. 4 is a diagram showing a conventional modulator package. It is a diagram. In the figure, 1 is a semiconductor laser package, 2 is a modulator package, 22, 23, and 11 are windows, and 3 is an isolator procedure amendment (method).Indication of the case 1990 Patent Application No. 072394 No. 10 of the title specification of the invention In the 11th and 12th lines of the page, "I will use the diagram to show." should be changed to "Diagram to show." Figure 5 is a diagram showing the conventional configuration. Amended to J. Relationship to the case Patent applicant's address Kanagawa Prefecture Kamiodanaka, Nakahara-ku, Yozaki-shi Name (522) Fujitsu Ltd. Representative: Yoshi Sekizawa 4, Agent Postal code: 211 Address 5 @ 1015 Kamiodanaka, Nakahara-ku, Yozaki-shi, Kanagawa Prefecture

Claims (1)

【特許請求の範囲】 半導体レーザを気密封入した半導体レーザパッケージ(
1)と、 光導波路により構成された変調器を気密封入した変調器
用パッケージ(2)の接続する構造に於いて、 該半導体レーザパッケージ(1)は、前面に半導体レー
ザ光を出力するためのガラス窓(11)を設け、該前面
の該窓(11)と対向す位置に、アイソレータを収容し
たアイソレータホルダ(3)を当接し、レーザ溶接し、 該変調器用パッケージ(2)の入出力側は変調用の光と
変調した光を入出力するための窓(22、23)を設け
ると共に、該変調器用パッケージ(2)が嵌合可能な孔
(41)を有するフランジ(4)に、該変調器用パッケ
ージ(2)を嵌合させ嵌合部をレーザ溶接し、 該フランジ(4)と接続された該変調器用パッケージ(
2)を該アイソレータホルダ(3)の光出力側にレーザ
溶接したことを特徴とする半導体レーザパッケージと変
調器用パッケージの接続構造。
[Claims] A semiconductor laser package in which a semiconductor laser is hermetically sealed (
1) and a modulator package (2) in which a modulator constituted by an optical waveguide is hermetically sealed, the semiconductor laser package (1) has a glass plate on the front surface for outputting semiconductor laser light. A window (11) is provided, and an isolator holder (3) containing an isolator is brought into contact with a position facing the window (11) on the front surface and laser welded, and the input/output side of the modulator package (2) is In addition to providing windows (22, 23) for inputting and outputting modulated light and modulated light, a flange (4) having a hole (41) into which the modulator package (2) can be fitted is provided with windows (22, 23) for inputting and outputting modulated light. The modulator package (2) is fitted and the fitted part is laser welded, and the modulator package (4) connected to the flange (4) is fitted.
2) is laser welded to the optical output side of the isolator holder (3). A connection structure for a semiconductor laser package and a modulator package.
JP7239490A 1990-03-20 1990-03-20 Connecting structure between semiconductor laser package and package for modulator Pending JPH0499081A (en)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999042879A1 (en) * 1998-02-21 1999-08-26 Integrated Optical Components Limited Laser modulators
US7502567B2 (en) * 2004-06-15 2009-03-10 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. Electroabsorption-modulated Fabry-Perot laser and methods of making the same
US7734189B2 (en) * 2006-11-30 2010-06-08 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. Parallel channel optical communication using modulator array and shared laser
US7747174B2 (en) 2004-09-08 2010-06-29 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. Multi-channel fabry-perot laser transmitters and methods of generating multiple modulated optical signals

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