JPH0488601A - サーミスタの特性測定方法 - Google Patents

サーミスタの特性測定方法

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JPH0488601A
JPH0488601A JP20465190A JP20465190A JPH0488601A JP H0488601 A JPH0488601 A JP H0488601A JP 20465190 A JP20465190 A JP 20465190A JP 20465190 A JP20465190 A JP 20465190A JP H0488601 A JPH0488601 A JP H0488601A
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JP
Japan
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thermistor
heat
coefficient
temperature
heat capacity
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JP20465190A
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Masao Nakada
昌男 中田
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Sanyo Electric Co Ltd
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Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野] 本発明は、サーミスタの放熱係数、熱容量を測定するサ
ーミスタの特性測定方法に関する。
〔従来の技術〕
従来、サーミスタについては、周囲温度に対する抵抗値
の変化の特性、すなわち温度−抵抗値の特性のみが測定
され、放熱係数、熱容量は測定されていない。
一方、固体の熱容量については、「物理学実験法」((
察岩波書店、 1955年6月8日改訂第3刷発行)の
P、107〜109に記載されているように、通常、比
熱に質量を乗算して測定される。
また、固体の放熱係数については、「新物理学講座、C
篇・物理学の展開4コ(ダイヤモンド社、 1968年
8月15日発行)のP、21〜22に記載されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来はサーミスタの放熱係数、熱容量を測定する方法が
なく、サーミスタの十分な特性測定が行えない問題点が
ある。
そして、サーミスタの過渡特性を利用して電気、電子回
路を設計する際は、サーミスタの放熱係数、熱容量が分
からないため、適切な設計が行えない。
本発明は、サーミスタの放熱係数、熱容量の測定が行え
るサーミスタの特性測定方法を提供することを目的とす
る。
〔課題を解決するための手段〕
前記目的を達成するために、本発明のサーミスタの特性
測定方法においては、測定対象のサーミスタの温度基こ
対する抵抗値の変化を測定して温度−抵抗特性曲線を求
め、 前記特性曲線から前記サーミスタの抵抗値の温度係数B
を求め、 前記サーミスタと抵抗との直列回路に直流電圧を印加し
、前記サーミスタの自己発熱に基づく前記直列回路の過
渡電流の変化を測定して前記直流電圧の印加開始からt
l 、 t2 (tl(t2 )後の前記過渡電流の実
測値Itl 、 xtsを求め、下記の微分方程式に基
づく前記t+ 、 t2の過渡電流の計算値It+ 、
 Itsが前記実測値It+ 、 It!にほぼ等しく
なるように、前記微分方程式の放熱係数G、熱容量Cを
種々変化させてr記計算値1t+ 、 Ibをくり前記
計算値It+ 、 ItRが前記実測値1t+、It2
にほぼ等しくなるときの前記放熱係数G、[記熱容量C
を前記サーミスタの放熱係数、熱容量とする。
〔作用〕
前記のように構成された本発明の測定方法の場合、温度
係数B及び放熱係数G、熱容量Cを含むサーミスタの過
渡特性の微分方程式を利用し、この方程式に実測された
温度係数Bを代入して放熱係数G、熱容量Cを変数とす
る式が形成される。
そして、前記式から求める電流の計算値)j+ 、 t
ttがほぼ実測値Iti 、 Ittに等しくなるとき
の放熱係数G、熱容量Cにより、サーミスタの実際の放
熱係数、熱容量が求められ測定される。
〔実施例〕
l実施例について、111図ないし第4図を参照して説
明する。
まず、サーミスタの過渡特性として、「半導体工学コ(
(株)合波書店、 1962年IO月30日第2刷発行
)のP、84には、過渡的な時間−温度特性の微分方程
式として、つぎの(1)式の微分方程式が記載そして、
(1)式の左辺は時間dtにサーミスタに供給される電
気的ジュール熱の量を示し、右辺は第1項が時間dtに
サーミスタの温度を熱の放散に抗して保持するための熱
量を示し、@2項がサーミスタの温度をdT上昇するた
めの熱量を示す。
また、サーミスタの抵抗値Rは、前記「半導体工学」の
p、taに記載されているよう憂こ、つぎの(2)式の
温度Tの関数で示される。
□=□。。B(1/T−1/To )        
 (2)式そして、抵抗値Rが周囲温度によって変化す
るため、周囲温度を種々に変化させて抵抗値Rを測定し
、温度−抵抗特性を求めると、この特性は、前記「半導
体工学」のP、18に記載されているように、横軸を絶
対温度の逆数(1/T)、縦軸を抵抗値Rの対数とした
場合、第2図に示すように直線になる。
この第2図の直線の傾きが、(2)式の温度係数Bの2
.f303倍< Log to = 2.303−= 
)に相当する。
そして、温度係数Bを測定してその値を(1)式に代入
し、放熱係数G、熱容量Cを適当に設定するこ、所定の
直流電圧を印加したときの印加開始から秒単位の所定時
間後の過渡電流が(1)式から計算で求まる。
さらに、過渡電流の計算値が実測値に等しくなる放熱係
数G、熱容量Cを検出することにより、このときのG、
Cがサーミスタの実際の放熱係数、熱容量として求まる
そこで、この実施例においては、つぎに説明する第1図
のステップ1〜6の処理により、サーミスタの放熱係数
、熱容量を求める。
(1)ステップl 測定対象のサーミスタを恒温槽にセットし、周囲温度を
種々変化させながら各温度のときのす;ミスタの抵抗値
Rを発熱しない微少電流を直流してミリオームメータ等
で測定し、第2図のような温度−抵抗特性を求める。
なお、温度を変更する毎に槽内温度が安定化するまで放
置してから測定を行う。
また、温度−抵抗特性が例えば第4図の実線aのように
曲線になるときは、この曲線の必要な温度範囲を同図の
直線b1. bg 、 bsのような折線で分割して近
似し、この近似を温度−抵抗特性として求める。
(II)ステップ2 ステップIで求めた特性のグラフからa度T+ 、Tt
のときの抵抗値R,、R,を読取って訂記(2)式tζ
代入し、この代入で得られたつぎの(3)式を解き、(
4)式に示す温度係数Bを求める。
B (L/Tffi−1/T、) Rt=R+ e               (3)
式B=I:’oge(Rt/L )) / (1/Tt
−1/T+ )   (4)式なお、温度−抵抗特性の
グラフが1114図のような折線近似グラフのときは、
そのグラフの折線毎(直@ b+、 bs、 b層毎〕
に(4)式の係数Bz求める。
(11Dステツプ8 過渡電流特性の実測値It+、Itaを求めるため、−
定温度(常温)の恒温槽内において、第3図に示すよう
に測定対象のサーミスタ(1)と抵抗(2)との直列回
路をスイッチ(3)を介して所定電圧の直流電源(4)
に接続する。
そして、スイッチ(3)をオンしてサーミスタ(1)。
抵抗(2)の直列回路に直流電圧を印加すると、サーミ
スタ(1)に自己発熱が生じ、この発熱に基づく抵抗値
Rの変動により、前記直列回路を流れる電流が過渡変動
する。
この過渡変動の電流(過渡電流)の実測値It+ 。
It!とじて電圧印加開始直後の8秒後の電流is、比
較的遅れた60秒の電流Inを求めるため、スイッチ(
3)のオン直後からの抵抗(2)の両端間の電圧降下を
ストレージ型のオシロスコープ(5)によす測定し、こ
の測定結果からIs、ISを求める。
怜ステップ4 (1)式からIsに相当する計算値Isを求めて熱容量
Cを決定するため、最初に(1)式のG、cを仮設定す
る。
この仮設定においては、C=Cとし、Cは例えばサーミ
スタの質量m(ダラム)とTる。
そして、G=0.C=mとし、かつ、温度係数Bはステ
ップ2で求めた値として(1)式を公知の数値解析法で
解き、8秒後の過渡電流の計算値Ilを算出して求める
さらに、L−Isの演算により、計算値I、Tが実測値
Isにほぼ等しいか否かを判定し、ム’<ISであれば
Cを単位量ΔCだけ少なくして再びIn゛を求め、「〉
1、であればCをΔGだけ大きくして再び!、゛を求め
る。
そして、■、中XSになるまでCを変えてIn゛を求め
ることをくり返し、にキIsに達したときに、そのとき
のCを熱容量の決定値として保持してステップ4を終了
する。
Mステップ5 (1)式から計算値Is及び−に相当する計算値−1°
を求めて放熱係数Gを決定するため、最初に(1)式の
a、CをG=0.1.C=C(ステップ4の決定値)に
仮設定する・ そして、ステシブ4と同様にして8秒後の計算値1魯°
及び60秒後の計算値11・′を算出して求める。
さらに、Ise’Inの演算により、計算値−′が実測
値ム。にほぼ等しいか否かを測定し、藩(L@であれば
Gを単位量ΔGだけ少なくして再びIs’ + Inを
求め、Igo ) I・・であればGをΔGだけ大きく
して再びIs、Is拳°を求める。
そして、■、、′キ11.になるまでGを変えてis”
、f番・。
を求めることをくり返しs l″0中Igoに達したと
きに、そのときのGを放熱係数の決定値として保持して
ステップ5を終了する。
(vl)ステップ6 ステツプ4,5で決定したG、Cが適当か否かを判定す
るため、ステップ5の終了時のIs’がIsにほぼ等し
いか否かを判別する。
そして、■、中Isであればステップ4.5で決定した
G、Cを最適な放熱係数、熱容量として決定し、ステッ
プ6を終了する。
また、1.1中Isでなければステップ4と同様にCを
ニー〇可変し、ステップ5のIs’ 、 Iao’の算
出からの処理を1m+:Imになるまでくり返してG、
Cを可変し、I、Iキエ3に達したときのG、Cを最適
な放熱係数、熱容量として決定し、ステップ6を終了す
る。
そして、ステップ6が終了すると、測定対象のサーミス
タの放熱係数、熱容量が、測定と(1)式に基づく計算
との組合せにより、精度よく求められて測定される。
なお、前記ステップ1〜6の測定、計算等は、手動処理
又はマイクロコンピュータ等を用いり自動処理で行うこ
とができるがとくに、自動処理で行ったときは自動測定
が行える利点もある。
また、サーミスタが負温度係数特性のときは、第2図の
ように温度−抵抗特性の傾き(=B)が正になるが、ポ
ジスタと呼ばれる正温度係数特性のときは、第4図のよ
うに温度−抵抗特性の傾き(=B)が負になる。
そして、前記傾き(−B)が負になるときは、ステップ
4〜6でのG、Cの増減は前述と逆にすればよい。
つぎに、第4図の実線aの温度−抵抗特性を有するポジ
スタの測定結果fこついて説明する。
第4図の実線aは例えばカラーテレビジョン受像機の自
動3A磁回路fこ用いられるポジスタの特性を示し、実
際の温度−抵抗特性が実IJaの曲線になるため、測定
に際しては同図の直線b+、 bt 、 bsの折線近
似を温度−抵抗特性とする。
そして、ステップL、2の処理により、直@b+、bx
、baの各折線での温度係数Bを求めると、っぎのよう
になった。
822.6K>T≧298にの直線トのときEl−、,
1426844,8K)T≧822.6にの直線す、の
ときB =−7136T≧844.8 Kの直線b8の
ときB=−2340さらに、第3図の抵抗(2)を1Ω
とし、直流電源(4)の電圧をDClooVとすると、
ステしブ8の処理により、実測値1a+Isoは、Is
=106mA、Iso’+8.1mAとなった。
そしで、ステ・ンブ4〜6の計算等をくり返すことによ
り、最適なG、Cの値は、それぞれつぎのようになり、
精度のよい放熱係数、熱容量の測定が行えた。
G −0,006watt / degC=6.Oju
ム/dog 〔発明の効果〕 本発明は、以上説明したように構成されているため、以
下に記載する効果を奏する。
サーミスタの過渡特性の微分方程式を利用し、この式か
ら求まる過渡電流の計算値It+’、 It1’,It
2’が実測値It+ + IFにほぼ等しくなる放熱係
数G、熱容量Cを求め、このG、Cをサーミスタの放熱
係数、熱容量としたため、従来は行えなかったサーミス
タの放熱係数、熱容量の測定が比較的簡単な測定機!!
を用いて容易に行える。
【図面の簡単な説明】
第1図ないし第4図は本発明のサーミスタの特性測定方
法の1実施例を示し、第1図はフローチャート、第2図
、第4図はそれぞれ温度−抵抗特性図、第3図は過渡電
流の測定説明図である。 (1)・・・サーミスタ、(2)・・・抵抗、(4)・
・・直流電源。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)測定対象のサーミスタの温度に対する抵抗値の変
    化を測定して温度−抵抗特性を求め、 前記特性から前記サーミスタの抵抗値の温度係数Bを求
    め、 前記サーミスタと抵抗との直列回路に直流電圧を印加し
    、前記サーミスタの自己発熱に基づく前記直列回路の過
    渡電流の変化を測定して前記直流電圧の印加開始からt
    ^1,t^2(t^1<t^2)後の前記過渡電流の実
    測値It^1,It^2を求め、 下記の微分方程式に基づく前記t^1,t^2の過渡電
    流の計算値It^1^’,It^2^’が前記実測値I
    t^1,It^2にほぼ等しくなるように、前記微分方
    程式の放熱係数G,熱容量Cを種々変化させて前記計算
    値It^1^’,It^2^’をくり返し算出し、 (V^2)/(Ro)e^−^B^(^1^/^T^−
    ^1^/^T^o^)dt=G(T−To)dt+Cd
    T(T:温度,V:印加電圧,Ro:基準温度Toでの
    サーミスタの抵抗値) 前記計算値It^1^’,It^2^’が前記実測値I
    t^1,It^2にほぼ等しくなるときの前記放熱係数
    G,前記熱容量Cを前記サーミスタの放熱係数,熱容量
    とすることを特徴とするサーミスタの特性測定方法。
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