JPH0487291A - Magnetron device - Google Patents

Magnetron device

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JPH0487291A
JPH0487291A JP20149090A JP20149090A JPH0487291A JP H0487291 A JPH0487291 A JP H0487291A JP 20149090 A JP20149090 A JP 20149090A JP 20149090 A JP20149090 A JP 20149090A JP H0487291 A JPH0487291 A JP H0487291A
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JP
Japan
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magnetron
heater
high frequency
input power
winding
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JP20149090A
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Japanese (ja)
Inventor
Tatsuya Nakagawa
達也 中川
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Toshiba Corp
Toshiba AVE Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba AVE Co Ltd
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  • Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To extend the life of a magnetron by connecting a reactance element changing the heater input to the magnetron to a heater winding in the opposite direction to the control direction of the input power of the magnetron via the variable high frequency. CONSTITUTION:A reactance element 21 changing the heater input to a magnetron 20 is connected to a heater winding 13 in the opposite direction to the control direction of the input power of the magnetron 20 via the variable high frequency. The high frequency is changed low by a switching element 5 to increase the input power of the magnetron 20, for example. The reactance of the reactance element 21 is increased, the synthetic impedance of a heater circuit is increased, and the heater current is decreased. The increasing tendency of the heater temperature due to an increase of the anode current is suppressed. The input power of the magnetron 20 can be changed stably and widely, and the life of the magnetron 20 can be extended.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的コ (産業上の利用分野) この発明は、インバータ電源てマグネトロンを駆動する
マグネトロン装置に関し、電子レンジ等に用いられるも
のである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Objective of the Invention (Industrial Application Field) The present invention relates to a magnetron device that drives a magnetron using an inverter power source, and is used in microwave ovens and the like.

(従来・の技術) 電子レンジ等に用いられるマグネトロンは、その寿命を
決める要因の一つにヒータ温度Tfがあり、このヒータ
温度Tfを一定にするため、通常、ヒータ電圧Ef又は
ヒータ電流Ifを一定の値に制御することか行われてい
る。
(Conventional technology) One of the factors that determines the lifespan of magnetrons used in microwave ovens and the like is the heater temperature Tf, and in order to keep the heater temperature Tf constant, the heater voltage Ef or heater current If is usually adjusted. It is being controlled to a constant value.

ところて、マグネトロンのヒータ温度Tfは、ヒータ電
圧Ef又はヒータ電流Ifが一定の値に制御されても、
入力電力制御のためにアノード電流1bが可変されると
、そのアノード電流1bの値により変化し、第5図中の
す、c特性線で示すように、アノード電流rbの値が大
になると、ヒータ温度Tfは高くなる。このため、アノ
ード電流1bが犬になる最大入力電力点でヒータ温度T
fが最適温度になるようにヒータ電流Ifを調整すると
、最小入力電力点でヒータ電流Ifが足りなくなる。こ
のことから、結局、最大入力電力点と最小入力電力点で
の各ヒータ温度Tfが、マグネトロンの寿命から決まる
最高ヒータ温度TfMAXとエミッション特性から決ま
る最低ヒータ温度TfMINとを満すようにヒータ電流
Ifの値を一定に決定することが行われている。
However, even if the heater voltage Ef or the heater current If is controlled to a constant value, the magnetron heater temperature Tf is
When the anode current 1b is varied for input power control, it changes depending on the value of the anode current 1b, and as the value of the anode current rb becomes large, as shown by the characteristic lines S and C in FIG. The heater temperature Tf becomes higher. Therefore, at the maximum input power point where the anode current 1b becomes high, the heater temperature T
If the heater current If is adjusted so that f becomes the optimum temperature, the heater current If becomes insufficient at the minimum input power point. From this, the heater current If is set such that each heater temperature Tf at the maximum input power point and the minimum input power point satisfies the maximum heater temperature TfMAX determined from the life of the magnetron and the minimum heater temperature TfMIN determined from the emission characteristics. The value of is determined to be constant.

(発明が解決しようとする課題) しかし、電子レンジの大8力化及び解凍性能の向上等を
狙った小出力化の要求からくるマグネトロンに対する広
い動作電力範囲を考えたとき、ヒータ電流1fの値を一
定としてもその広い動作電力の全範囲でヒータ温度Tf
を、最高ヒータ温度TfMAXと最低ヒータ温度TfM
INの間に抑えることは難しい。このため、マグネトロ
ンへの入力電力の可変範囲を広くすることが難しく、ま
た、ヒータ温度Tfが最高ヒータ温度Tfk4AXと最
低ヒータ温度TfMINの範囲を満すことができても、
ヒータ温度Tfの変化幅が最大変化幅になることを考え
ると最適な動作範囲とは云えず、マグネトロンが短寿命
化し易いという問題かある。
(Problem to be solved by the invention) However, when considering the wide operating power range for magnetrons due to the demand for smaller outputs aimed at increasing the 8-power microwave oven and improving defrosting performance, etc., the value of heater current 1f Even if Tf is constant, the heater temperature Tf remains constant over the entire operating power range.
, the maximum heater temperature TfMAX and the minimum heater temperature TfM
It is difficult to suppress during IN. For this reason, it is difficult to widen the variable range of the input power to the magnetron, and even if the heater temperature Tf can satisfy the range between the maximum heater temperature Tfk4AX and the minimum heater temperature TfMIN,
Considering that the range of change in heater temperature Tf is the maximum range of change, this cannot be said to be the optimal operating range, and there is a problem that the life of the magnetron is likely to be shortened.

この他、マグネトロンのアノード電圧Ebの安定性を利
用してヒータ加熱電力の定電力化を行うようにしたマグ
ネトロン駆動電源があるが、このようなマグネトロン駆
動電源では、マグネトロンのフェライトマグネットの熱
減磁によりアノード電圧Ebが低下する現象かあり、ヒ
ータ電流Ifの値も変化する。このため、このようなマ
グネトロン駆動電源を用いた場合も、広範囲な電力可変
を安定に行うことは難しいという問題かある。
In addition, there is a magnetron drive power supply that uses the stability of the magnetron's anode voltage Eb to make the heater heating power constant. This causes a phenomenon in which the anode voltage Eb decreases, and the value of the heater current If also changes. Therefore, even when such a magnetron drive power source is used, there is a problem in that it is difficult to stably vary the power over a wide range.

そこで、この発明は、マグネトロンへの入力電力を安定
して広く可変することかでき、これとともにマグネトロ
ンを長寿命化することのできるマグネトロン装置を提供
することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a magnetron device that can stably and widely vary the input power to the magnetron, and can also extend the life of the magnetron.

[発明の構成] (課題を解決するための手段) この発明は上記課題を解決するために、入力直流電圧を
スイッチング素子て周期的にスイッチングした高周波を
高周波トランスの1次巻線に供給し、当該高周波トラン
スにおける2次巻線から発生する2次側高周波を整流し
た電圧をアノード電圧としてマグネトロンに印加しヒー
タ巻線から発生するヒータ電圧を当該マグネトロンのヒ
ータに印加し、前記スイッチング素子で変換する高周波
の周波数を可変することにより前記マグネトロンへの入
力電力を制御するインバータを備えたマグネトロン装置
であって、前記高周波の周波数の可変による前記マグネ
トロンの入力電力の制御方向とは逆方向に前記マグネト
ロンへのヒータ入力を可変するリアクタンス素子を前記
ヒータ巻線に接続してなることを要旨とする。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) In order to solve the above problems, the present invention supplies a high frequency wave obtained by periodically switching the input DC voltage using a switching element to the primary winding of a high frequency transformer, A voltage obtained by rectifying the secondary side high frequency generated from the secondary winding in the high frequency transformer is applied to the magnetron as an anode voltage, and a heater voltage generated from the heater winding is applied to the heater of the magnetron and converted by the switching element. A magnetron device comprising an inverter that controls the input power to the magnetron by varying the frequency of the high frequency, the magnetron being supplied to the magnetron in a direction opposite to the direction in which the input power of the magnetron is controlled by varying the frequency of the high frequency. The gist is that a reactance element for varying the heater input is connected to the heater winding.

(作用) スイッチング素子で変換される高周波の周波数を、例え
ば低く可変してマグネトロンへの入力電力を大になるよ
うに制御すると、リアクタンス素子のリアクタンスが大
になりヒータ回路の合成インピーダンスが増してヒータ
電流が小になる。
(Function) If the frequency of the high frequency converted by the switching element is varied low, for example, and the input power to the magnetron is controlled to be large, the reactance of the reactance element increases, the combined impedance of the heater circuit increases, and the heater circuit The current becomes smaller.

これにより、アノード電流の増大にょるヒータ温度の増
大傾向が抑えられる。このように、マグネトロンのヒー
タ温度は人力電力の変化に余り依存しなくなり、アノー
ド電流の変化によるヒータ温度の変化幅か小さくなって
入力電力の可変範囲を安定して広くすることが可能とな
る。また、ヒータ温度の変化幅が小さくなることがらマ
グネトロンの長寿命化が可能となる。
This suppresses the tendency for the heater temperature to increase due to an increase in the anode current. In this way, the magnetron heater temperature becomes less dependent on changes in human power, and the width of change in heater temperature due to changes in anode current becomes smaller, making it possible to stably widen the variable range of input power. Furthermore, since the range of change in heater temperature is reduced, the life of the magnetron can be extended.

(実施例) 以下、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。(Example) Embodiments of the present invention will be described below based on the drawings.

第1図ないし第5図は、この発明の一実施例を示す図で
ある。
1 to 5 are diagrams showing one embodiment of the present invention.

この実施例は、1石式準Eクラスインバータを用いたマ
グネトロン装置に適用されている。
This embodiment is applied to a magnetron device using a single-stone quasi-E class inverter.

まず、マグネトロン駆動電源の構成を説明すると、第1
図において、1は商用交流電源であり、この商用交流電
源1からの交流電圧か整流ブリッジ2で整流されたのち
、チョークコイル3及び平滑コンデンサ4て平滑されて
入力直流電圧が得られるようになっている。5はI G
BT (1n5ulated  G ate B jp
olar  T ransistor )からなるスイ
ツチング素子であり、スイッチング素子5のコレクタ・
エミッタ間に並列にフリーホイーリングダイオード6及
び共振コンデンサ7が接続されて共振型スイッチング回
路が構成されている。
First, to explain the configuration of the magnetron drive power source, the first
In the figure, 1 is a commercial AC power supply, and after the AC voltage from this commercial AC power supply 1 is rectified by a rectifier bridge 2, it is smoothed by a choke coil 3 and a smoothing capacitor 4 to obtain an input DC voltage. ing. 5 is IG
BT (1n5ulated Gate B jp
polar transformer), and the collector of the switching element 5
A freewheeling diode 6 and a resonant capacitor 7 are connected in parallel between the emitters to form a resonant switching circuit.

10は高周波トランスであり、1次巻線11.2次巻線
12及びヒータ巻線13が備えられている。人力直流電
圧か高周波トランス10の1次巻線11を介してスイッ
チング素子5のコレクタに供給されている。14は制御
回路であり、この制御回路14からの駆動信号によりス
イッチング素子5がオン・オフされ、入力直流電圧が周
期的にスイッチングされて高周波に変換される。このと
き、共振型スイッチング回路を構成するスイッチング素
子5のコレクタ・エミッタ間に正弦波状の共振電圧が現
われ、この正弦波状の高周波が高周波トランス]0の1
次巻線11に供給されるようになっている。また、2次
巻線12には、倍電圧コンデンサ15と高電圧整流ダイ
オード16.17て構成された倍電圧整流回路が接続さ
れている。この倍電圧整流回路で高周波トランス10の
2次巻線12に発生する高周波電圧が倍電圧整流されて
直流高電圧が得られ、この直流高電圧かマグネトロン2
0のアノード18とカソード19(以下、ヒータという
ときもカソードと同符号を用いる)との間にアノード電
圧Ebとして印加されるようになっている。なお、マグ
ネトロン20はアノード18側がアースされている。
10 is a high frequency transformer, and is provided with a primary winding 11, a secondary winding 12, and a heater winding 13. The human-powered DC voltage is supplied to the collector of the switching element 5 via the primary winding 11 of the high-frequency transformer 10. 14 is a control circuit, and the switching element 5 is turned on and off by a drive signal from the control circuit 14, and the input DC voltage is periodically switched and converted to a high frequency. At this time, a sinusoidal resonant voltage appears between the collector and emitter of the switching element 5 constituting the resonant switching circuit, and this sinusoidal high frequency is the high frequency transformer]
It is supplied to the next winding 11. Further, a voltage doubler rectifier circuit including a voltage doubler capacitor 15 and high voltage rectifier diodes 16 and 17 is connected to the secondary winding 12. This voltage doubler rectifier circuit doubles and rectifies the high frequency voltage generated in the secondary winding 12 of the high frequency transformer 10 to obtain a DC high voltage.
The anode voltage Eb is applied between the anode 18 of zero and the cathode 19 (hereinafter, the same reference numeral as the cathode will be used even when referred to as a heater). Note that the magnetron 20 is grounded on the anode 18 side.

また、高周波トランス10のヒータ巻線13に発生する
ヒータ電圧が、マグネトロン20のヒータ19に供給さ
れ、このヒータ巻線13に、容量性リアクタンス素子と
してのキャパシタンス素子21が直列に接続されている
Further, the heater voltage generated in the heater winding 13 of the high frequency transformer 10 is supplied to the heater 19 of the magnetron 20, and a capacitance element 21 as a capacitive reactance element is connected in series to the heater winding 13.

上述のようにして、マグネトロン20及びこれを駆動す
るためのインバータ電源を備えたマグネトロン装置が構
成されている。
As described above, a magnetron device including the magnetron 20 and an inverter power source for driving the magnetron is configured.

上述のように構成されたマグネトロン装置は、制御回路
14からの駆動信号の周波数を可変してスイッチング素
子5のスイッチング周期を変え、変換される高周波の周
波数を可変することによりマグネトロン20への入力電
力が制御されるようになっている。第2図は、このマグ
ネトロン20への入力電力の所要変化幅とこれに対する
動作周波数範囲との関係を示している。マグネトロン2
0への人力電力の値は、周波数の可変方向に対し、逆比
例するように変化する。即ち、例えば周波数を低くする
と、入力電力の値は大になるように変化する。
The magnetron device configured as described above changes the input power to the magnetron 20 by varying the frequency of the drive signal from the control circuit 14 to change the switching period of the switching element 5, and by varying the frequency of the high frequency wave to be converted. is now under control. FIG. 2 shows the relationship between the required range of change in the input power to the magnetron 20 and the operating frequency range. magnetron 2
The value of human power to 0 changes inversely proportional to the direction of frequency variation. That is, for example, when the frequency is lowered, the input power value changes to become larger.

この実施例は、上述の周波数の可変により入力電力を所
要範囲で大きく変化させても、ヒータ巻線13へのキャ
パシタンス素子21の直列接続によりヒータ温度Tfの
変化幅を小さく抑えようとするものである。第3図は、
周波数の変化に対するヒータ19の抵抗とキャパシタン
ス素子21の容量との合成インピーダンスの変化を示し
ている。
This embodiment attempts to suppress the range of change in heater temperature Tf by connecting the capacitance element 21 in series to the heater winding 13 even if the input power is greatly changed within the required range by varying the frequency described above. be. Figure 3 shows
It shows a change in the combined impedance of the resistance of the heater 19 and the capacitance of the capacitance element 21 with respect to a change in frequency.

例えば、周波数を低く可変して人力電力の値を大になる
ようにすると、合成インピーダンスが大になり、ヒータ
電流Ifか小になってヒータ温度Tfの増大傾向が抑え
られる。第4図は、この入力電力とヒータ電流Ifとの
関係を示している。
For example, if the frequency is varied low to increase the value of human power, the combined impedance becomes large, the heater current If becomes small, and the tendency of the heater temperature Tf to increase is suppressed. FIG. 4 shows the relationship between this input power and heater current If.

このように、周波数の変化に逆比例するようにヒータ1
9の合成インピーダンスが変化することにより、入力電
力の変化に伴なうアノード電流1bトヒータ電流Ifの
変化を考えるとヒータ温度Tfは入力電力の変化に余り
依存しなくなり(第5図中、a特性)、ヒータ温度Tf
の変化幅が小さくなって入力電力の可変範囲を安定して
広くすることが可能となる。
In this way, the heater 1
By changing the composite impedance of 9, the heater temperature Tf becomes less dependent on the change in input power (in Figure 5, the a characteristic ), heater temperature Tf
The range of change in the input power becomes smaller, making it possible to stably widen the variable range of input power.

次いで、第6図及び第7図には、この発明の他の実施例
を示す。
Next, FIGS. 6 and 7 show another embodiment of the present invention.

この実施例は、インバータ電源におけるスイッチング回
路がトランジスタからなる2個のスイッチング素子22
.23及びフリーホイーリングダイオード24.25等
によりハーフブリッジ方式となっている。26.27は
各スイッチング素子22.23を駆動するためのドライ
バである。
In this embodiment, the switching circuit in the inverter power supply includes two switching elements 22 each consisting of a transistor.
.. 23 and freewheeling diodes 24, 25, etc., it is a half-bridge system. 26 and 27 are drivers for driving each switching element 22 and 23.

第7図は、動作周波数とマグネトロン2oへの入力電力
との関係を示している。この実施例では、成る動作周波
数範囲では周波数の増加に対して入力電力が単調増加す
る容量性範囲と、他の成る動作周波数範囲では周波数の
増加に対し入力電力が単調減少する誘導性範囲とがある
。このため、この実施例では、前記一実施例の場合と同
様に入力電力の変化に対するヒータ温度Tfの変化幅を
小さくするため、ヒータ巻線13に直列接続するりアク
タンス素子28は、容量性範囲を動作範囲とした場合に
は誘導性リアクタンス素子であるインダクタンス素子が
用いられ、誘導性範囲を動作範囲とした場合には容量性
リアクタンス素子であるキャパシタンス素子が用いられ
ている。
FIG. 7 shows the relationship between the operating frequency and the input power to the magnetron 2o. In this embodiment, there is a capacitive range in which the input power monotonically increases with increasing frequency in the operating frequency range, and an inductive range in which the input power monotonically decreases with increasing frequency in the other operating frequency range. be. Therefore, in this embodiment, in order to reduce the range of change in the heater temperature Tf with respect to changes in input power, as in the case of the previous embodiment, the actance element 28 connected in series with the heater winding 13 has a capacitive range. When the operating range is set as the operating range, an inductance element that is an inductive reactance element is used, and when the operating range is set as the inductive range, a capacitance element that is a capacitive reactance element is used.

[発明の効果] 以上説明したように、この発明によれば、高周波の周波
数の可変によるマグネトロンへの入力電力の制御方向と
は逆方向にマグネトロンへのヒタ入力を可変するリアク
タンス素子をヒータ巻線に接続したため、入力電力の変
化に伴うアノード電流の変化に対しヒータ温度の変化幅
が小さくなって入力電力を安定して広く可変することが
でき、またヒータ温度の変化幅が小さくなることがらマ
グネトロンの長寿命化を達成することができる。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, a reactance element that varies the heat input to the magnetron in the opposite direction to the direction in which the input power to the magnetron is controlled by varying the high frequency is connected to the heater winding. Since the input power is connected to the magnetron, the range of change in heater temperature is reduced in response to changes in the anode current due to changes in input power, making it possible to stably vary the input power over a wide range. It is possible to achieve a longer service life.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図ないし第5図はこの発明に係るマグネトロン装置
の一実施例を示すもので、第1図は回路図、第2図は動
作周波数とマグネトロンへの入力電力との関係を示す特
性図、第3図は周波数の変化に対するヒータ回路の合成
インピーダンスの変化を示す特性図、第4図は人力電力
の変化に対するヒータ電流の変化を示す特性図、第5図
はアノード電流の変化に対するヒータ電流の変化とヒー
タ温度の変化を示す特性図、第6図はこの発明の他の実
施例を示す回路図、第7図は上記能の実施例における動
作周波数とマクネトロンへの入力電力との関係を示す特
性図である。 5.22.23ニスイツチング素了、 ]0 高周波トランス、   11:1次巻線、12:
2次巻線、   13.ヒータ巻線、18ニアノード、
   19.ヒータ、20・マグネトロン、 2〕 キャパシタンス素子(容量性リアクタンス素子)
、 28:リアクタンス素子。
1 to 5 show an embodiment of a magnetron device according to the present invention, in which FIG. 1 is a circuit diagram, and FIG. 2 is a characteristic diagram showing the relationship between operating frequency and input power to the magnetron. Figure 3 is a characteristic diagram showing changes in the combined impedance of the heater circuit with respect to changes in frequency, Figure 4 is a characteristic diagram showing changes in heater current with respect to changes in human power, and Figure 5 is a characteristic diagram showing changes in heater current with respect to changes in anode current. Fig. 6 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention, and Fig. 7 shows the relationship between the operating frequency and the input power to the McNetron in the embodiment of the above function. It is a characteristic diagram. 5.22.23 Niswitching completed, ]0 High frequency transformer, 11: Primary winding, 12:
Secondary winding, 13. Heater winding, 18 near nodes,
19. Heater, 20・Magnetron, 2] Capacitance element (capacitive reactance element)
, 28: Reactance element.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 入力直流電圧をスイッチング素子で周期的にスイッチン
グした高周波を高周波トランスの1次巻線に供給し、当
該高周波トランスにおける2次巻線から発生する2次側
高周波を整流した電圧をアノード電圧としてマグネトロ
ンに印加しヒータ巻線から発生するヒータ電圧を当該マ
グネトロンのヒータに印加し、前記スイッチング素子で
変換する高周波の周波数を可変することにより前記マグ
ネトロンへの入力電力を制御するインバータを備えたマ
グネトロン装置であって、 前記高周波の周波数の可変による前記マグネトロンの入
力電力の制御方向とは逆方向に前記マグネトロンへのヒ
ータ入力を可変するリアクタンス素子を前記ヒータ巻線
に接続してなることを特徴とするマグネトロン装置。
[Claims] A voltage obtained by supplying a high frequency wave obtained by periodically switching an input DC voltage using a switching element to the primary winding of a high frequency transformer, and rectifying the secondary side high frequency wave generated from the secondary winding of the high frequency transformer. is applied to the magnetron as an anode voltage, a heater voltage generated from a heater winding is applied to the heater of the magnetron, and the inverter controls the input power to the magnetron by varying the frequency of the high frequency wave converted by the switching element. A magnetron device comprising: a reactance element connected to the heater winding to vary a heater input to the magnetron in a direction opposite to a direction in which input power to the magnetron is controlled by varying the frequency of the high frequency. A magnetron device featuring:
JP20149090A 1990-07-31 1990-07-31 Magnetron device Pending JPH0487291A (en)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63170881A (en) * 1987-01-09 1988-07-14 株式会社日立製作所 Electric source for magnetron
JPH0357193A (en) * 1989-07-25 1991-03-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd High frequency heating device

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