JPH0486514A - 光学式変位計 - Google Patents

光学式変位計

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JPH0486514A
JPH0486514A JP20111290A JP20111290A JPH0486514A JP H0486514 A JPH0486514 A JP H0486514A JP 20111290 A JP20111290 A JP 20111290A JP 20111290 A JP20111290 A JP 20111290A JP H0486514 A JPH0486514 A JP H0486514A
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JP
Japan
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light
polarized light
sample
polarization
beam splitter
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Pending
Application number
JP20111290A
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English (en)
Inventor
Eiichi Sato
榮一 佐藤
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Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Optical Co Ltd
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Publication date
Application filed by Olympus Optical Co Ltd filed Critical Olympus Optical Co Ltd
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Publication of JPH0486514A publication Critical patent/JPH0486514A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、例えば試料の表面形状を測定するのに用い
るに好適な光学式変位計に関する。
〔従来の技術〕
従来の光学式変位計として、例えは第5図に示すような
ものかある。この光学式変位計は、Y、Fainman
、 E、Lenz、and J、Shamir:0pt
ical protilometera new me
thod for high 5ensitivity
、 App、OPt、21゜17、 Septembe
r(1982) 3200〜3207、において開示さ
れたもので、平行光の測定光束をビームスプリッタlを
経て対物レンズ2により試料3に投射するようにしてい
る。試料3ての反射光は、対物レンズ2を経てビームス
プリッタ1て反射させた後、アパーチャ4およびレンズ
5を経てビームスプリッタ6に入射させて2光束に分離
し、その−方をフーリエ変換フィルタ7aを経て受光素
子8aて受光し、他方をフーリエ変換フィルタ7bを経
て受光素子8bで受光するようにして、これら受光素子
8aおよび8bから試料3の変位に応じて第6図に示す
ように変化する出力を得るようにしている。これら受光
素子8aおよび8bの出力は、差動増幅器9に供給して
第7図に示すような差動出力を得、この差動出力に基づ
いて試料3の変位を測定するようにしている。
また、他の光学式変位計として、例えば米国特許第3.
788.741号明細書および同第3.719.421
号明細書には、第5図に示すフーリエ変換フィルタ7a
、 7bに代えてそれぞれピンホールを設けたものが開
示されている。
〔発明か解決しようとする課題〕
しかしながら、上述した従来の光学式変位計にあっては
、試料3からの戻り光をレンズ5て収束してビームスプ
リッタ6で2光束に分離し、それらの収束光をそれぞれ
フーリエ変換フィルタやピンホールを介して受光素子8
aおよび8bで受光するようにしているため、高精度の
測定を行うためには、各収束光路中に配置するフーリエ
変換フィルタやピンホールを同一構成で、しかも所定の
位置に正確に配置する必要がある。このため、フーリエ
変換フィルタやピンホールの素子の選択や、その光学的
位置調整が極めて面倒となり、コスト高になるという問
題がある。
この発明は、このような従来の問題点に着目してなされ
たもので、簡単かつ安価にてき、しかも高精度の測定か
できるよう適切に構成した光学式変位計を提供すること
を目的とする。
〔課題を解決するための手段および作用〕上記目的を達
成するため、この発明では、光源と、この光源からの直
線偏光からP偏光成分およびS偏光成分を取り出す手段
と、これらP偏光成分およびS偏光成分の光をそれらの
収束位置を異ならせて試料に投射する複屈折光学系と、
この複屈折光学系の像側焦点位置に配置した微小開口手
段と、前記試料で反射され、前記複屈折光学系および微
小開口手段を経たそれぞれの偏光成分の戻り光を分離す
る手段と、その分離されたそれぞれの偏光成分の戻り光
を受光する2個の受光素子とを具え、これら2個の受光
素子の出力に基づいて前記試料の変位を測定するよう構
成する。
〔実施例〕
第1図はこの発明の第1実施例を示すものである。この
実施例では、半導体レーザ11からの直線偏光を、コリ
メータレンズ12により平行光とじた後、偏光ビームス
プリッタ13に入射させてP偏光成分とS偏光成分とを
分離して取り出す。偏光ビームスプリッタ13を透過し
たP偏光は、ファラディ回転子14により偏光面を右4
5°回転させ、さらに172波長板15により偏光面を
右45°回転させてS偏光に変換し、これをミラー16
を経て偏光ビームスプリッタ17で反射させるようにす
る。
また、偏光ビームスプリッタ13て反射されたS偏光は
、ミラー18て反射させた後、ファラディ回転子19に
より偏光面を右45°回転させ、さらに1/2波長板2
0により偏光面を右45°回転させてP偏光に変換し、
これを偏光ビームスプリッタ17に入射させて、該偏光
ビームスプリッタ17を透過させるようにする。
偏光ビームスプリッタ17から得られるP偏光およびS
偏光は、偏光面を調整するための偏光回転子21、集光
レンズ22、ピンホール23および複屈折光学系24を
経て試料25に投射する。なお、ピンホール23は複屈
折光学系24の像側焦点位置に配置すると共に、複屈折
光学系24は平板またはレンズ状の複屈折をもつ結晶材
料よりなる一枚または複数枚の光学素子をもって構成す
る。
ここで、試料25に投射される光のうち、偏光面か複屈
折光学系24の結晶の光軸と平行な光をP偏光とすると
、このP偏光はfoに焦点を結び、このP偏光と直交す
る偏光面を有するS偏光はf。
に焦点を結ぶことになり、P偏光およびS偏光てそれら
の収束位置か異なることになる。
試料25て反射されるP偏光およびS偏光の戻り光は、
複屈折光学系24を経てピンホール23に入射させ、こ
のピンホール23を透過するそれぞれの偏光を集光レン
ズ22および偏光回転子21を経て偏光ビームスプリッ
タ17に入射させて、戻り光のP偏光とS偏光とを分離
し、S偏光をミラー16.1/2波長板15およびファ
ラディ回転子14を経て偏光ビームスプリッタ13に入
射させる。なお、172波長板15に入射する戻り光の
S偏光は、該1/2波長板15を透過することにより偏
光面か右45°回転するが、次のファラディ回転子14
においては戻り光は左45°回転するので、偏光ビーム
スプリッタ13にはS偏光のまま入射することになる。
また、偏光ビームスプリッタ17で分離された戻り光の
P偏光は、1/2波長板20、ファラディ回転子19お
よびミラー18を経て同様の作用によりP偏光のまま偏
光ビームスプリッタ13に入射させ、この偏光ビームス
プリッタ13から得られる戻り光のP偏光およびS偏光
を偏光ビームスプリッタ26で分離してそれぞれ受光素
子27および28で受光する。
ここで、受光素子27から得られる戻り光のP偏光の信
号強度は、第2図に符号El)で示すように、試料25
の表面が焦点位置f。に位置するとき最大となり、焦点
位置f。から離れるに従って減少する。同様に、受光素
子28から得られる戻り光のS偏光の信号強度は、第2
図に符号Esで示すように、試料25の表面が焦点位置
f、に位置するとき最大となり、焦点位置f、から離れ
るに従って減少し、試料250表面がfoとf、どの中
間に位置するとき、EpとEsとが等しくなる。
そこで、この実施例では受光素子27.28の出力Ep
、 Esを差動増幅器29に供給して、試料250表面
の変位に応じて第3図に示すように変化する(EsHp
)の差動信号を得ると共に、Ep、 Esを加算器30
に供給して(1:p+Es)の加算信号を得、これら差
動信号および加算信号を割り算器31に供給して、(E
s−El))/(El)+Es)を演算することにより
、試料表面の反射率をキャンセルした変位信号を得るよ
うにする。
このように、この実施例によれば、P偏光およびS偏光
を2重焦点を有する複屈折光学系24により試料25に
投射し、それらの反射光を複屈折光学系24およびピン
ホール23を経て平行光として取り出した後、偏光ビー
ムスプリッタ26て分離して受光素子27および28で
受光するようにしたので、各光学素子の位置調整を容易
にてき、したかって簡単かつ安価にできると共に、高精
度の測定を行うことかできる。
第4図はこの発明の第2実施例を示すものである。この
実施例は、第1実施例のピンホール23に代えて偏波面
保存ファイバ32を用い、これにより半導体レーザ11
や受光素子27.28等を有する信号処理部と、複屈折
光学系24を有するヘッド部とを分離したもので、その
他の構成は第1実施例と同様である。このように構成す
れば、第1実施例の効果に加え、複屈折光学系24を有
するヘッド部を小型、軽量にてき、しかも任意の位置に
配置することかできる。また、信号処理部とヘッド部と
を離して配置できるので、信号処理部からの熱によるヘ
ッド部の温度ドリフトを小さくてきると共に、信号処理
部を電気的ノイズを受けない位置に配置できるのて、よ
り精度の高い測定を行うことができる。
なお、この発明は上述した実施例にのみ限定されるもの
てはなく、幾多の変形または変更か可能である。例えば
、上述した実施例では、偏光回転子21を用いて、複屈
折光学系24あるいは偏波面保存ファイバ32に対して
入射光の偏光面を調整するようにしたか、この偏光回転
子21は省略することもできる。また、上述した実施例
では、試料25での反射光か半導体レーザ11に戻るの
を防止するために、ファラディ回転子および172波長
板を用いて、往路においては偏光ビームスプリッタ13
て分離されたPおよびS偏光を逆転して偏光ビームスプ
リッタ17に入射させ、復路においては偏光ビームスプ
リッタ17で分離されたPおよびS偏光を逆転させるこ
となく偏光ビームスプリッタ13に入射させるようにし
たが、半導体レーザUへの戻り光による影響か無視てき
る場合には、ファラディ回転子および1/2波長板を用
いることなく、往路においては偏光ビームスプリッタ1
3て分離されたPおよびS偏光を逆転させることなくミ
ラー等を介して偏光ビームスプリッタ17に入射させて
同一面から出射させるようにし、復路においては偏光ビ
ームスプリッタ13および17間のPおよびS偏光の各
光路中にハーフミラ−を配置して戻り光のPおよびS偏
光をそれぞれ反射させて受光したり、あるいは偏光ビー
ムスプリッタ17と集光レンズ22との間にハーフミラ
−を配置して戻り光を反射させ、その反射光を偏光ビー
ムスプリッタに入射させてPおよびS偏光をそれぞれ分
離して受光するように構成することもできる。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、光源からの直線偏光
からP偏光成分およびS偏光成分を取り出してこれらを
複屈折光学系により収束位置を異ならせて試料に投射し
、それらの反射光を複屈折光学系およびこの複屈折光学
系の像側焦点位置に配置した微小開口を経て取り出した
後、その各偏光成分を分離してそれぞれ受光素子で受光
するようにしたので、各光学素子の位置調整を容易にで
き、したかって簡単かつ安価にてきると共に、高精度の
測定を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の第1実施例を示す図、第2図および
第3図はその動作を説明するための図、 第4図は二の発明の第2実施例を示す図、第5図、第6
図および第7図は従来の技術を説明するための図である
。 11・・・半導体レーザ   12・・・コリメータレ
ンズ13、17.26・・・偏光ビームスプリッタ14
.19・・・ファラディ回転子 15.20・・・1/2波長板  16.18・・・ミ
ラー21・・・偏光回転子    22・・・集光レン
ズ23・・・ピンホール    24・・・複屈折光学
系25・・・試料       27.28・・・受光
素子29・・・差動増幅器    30・・・加算器3
1・・・割り算器     32・・・偏波面保存ファ
イバ寥式濃476υ(tL1 第4図 第5図 第6図 第7図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、光源と、この光源からの直線偏光からP偏光成分お
    よびS偏光成分を取り出す手段と、これらP偏光成分お
    よびS偏光成分の光をそれらの収束位置を異ならせて試
    料に投射する複屈折光学系と、この複屈折光学系の像側
    焦点位置に配置した微小開口手段と、前記試料で反射さ
    れ、前記複屈折光学系および微小開口手段を経たそれぞ
    れの偏光成分の戻り光を分離する手段と、その分離され
    たそれぞれの偏光成分の戻り光を受光する2個の受光素
    子とを具え、これら2個の受光素子の出力に基づいて前
    記試料の変位を測定するよう構成したことを特徴とする
    光学式変位計。
JP20111290A 1990-07-31 1990-07-31 光学式変位計 Pending JPH0486514A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010271208A (ja) * 2009-05-22 2010-12-02 Mitsutoyo Corp 変位計
WO2015087575A1 (ja) * 2013-12-09 2015-06-18 パナソニック デバイスSunx株式会社 変位センサ

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JP2010271208A (ja) * 2009-05-22 2010-12-02 Mitsutoyo Corp 変位計
WO2015087575A1 (ja) * 2013-12-09 2015-06-18 パナソニック デバイスSunx株式会社 変位センサ
JP2015114109A (ja) * 2013-12-09 2015-06-22 パナソニック デバイスSunx株式会社 変位センサ

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