JPH0481300B2 - - Google Patents

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JPH0481300B2
JPH0481300B2 JP61019319A JP1931986A JPH0481300B2 JP H0481300 B2 JPH0481300 B2 JP H0481300B2 JP 61019319 A JP61019319 A JP 61019319A JP 1931986 A JP1931986 A JP 1931986A JP H0481300 B2 JPH0481300 B2 JP H0481300B2
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JP
Japan
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blanking
ion beam
objective lens
plate
voltage
Prior art date
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JP61019319A
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Japanese (ja)
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JPS62177849A (en
Inventor
Hiroshi Sawaragi
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Jeol Ltd
Original Assignee
Nihon Denshi KK
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Publication date
Application filed by Nihon Denshi KK filed Critical Nihon Denshi KK
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は集束イオンビーム装置に関し、更に詳
しくはイオンプローブを任意のプローブ径、プロ
ーブ電流密度に設定してもブランキング時にイオ
ンビームのビーム描画位置のずれが生じないよう
にした集束イオンビーム装置に関する。
Detailed Description of the Invention (Industrial Field of Application) The present invention relates to a focused ion beam device, and more specifically, the present invention relates to a focused ion beam device, and more specifically, even if the ion probe is set to an arbitrary probe diameter and probe current density, the ion beam is not drawn by the ion beam during blanking. The present invention relates to a focused ion beam device that prevents positional deviation from occurring.

(従来の技術) 集束イオンビーム装置は、発生したイオンを加
速、集束して試料を照射し、イオン注入を行つた
り試料表面に溝を形成せしめる等の微細加工を行
う装置である。第4図は2段集束形の集束イオン
ビーム装置の従来構成例を示す図である。引出し
電極1と液体金属2との間に5KV程度の電圧を
印加すると、液体金属2の先端からイオンが発生
する。発生したイオンビームBiは加速管3によ
り加速された後、集束レンズ4によつて細く絞ら
れ、質量分離器5によつて質量の異なるイオンが
分離される。質量分離器5によつて不要のイオン
が除去されたイオンビームBiは、対物レンズ6
によつて集束された後、偏向器7で2次元方向に
偏向され試料8を照射する。イオンビームの照射
を受けると、試料8表面にはビームの走査方向に
沿つてイオン注入がなされ、或いはスパツタリン
グ効果により200Å程度の溝が形成される。
(Prior Art) A focused ion beam device is a device that accelerates and focuses generated ions to irradiate a sample to perform ion implantation or microfabrication such as forming grooves on the sample surface. FIG. 4 is a diagram showing an example of a conventional configuration of a two-stage focused focused ion beam device. When a voltage of about 5 KV is applied between the extraction electrode 1 and the liquid metal 2, ions are generated from the tip of the liquid metal 2. The generated ion beam Bi is accelerated by an accelerating tube 3, then narrowed by a focusing lens 4, and ions of different masses are separated by a mass separator 5. The ion beam Bi from which unnecessary ions have been removed by the mass separator 5 is passed through the objective lens 6.
After being focused by a deflector 7, it is deflected in a two-dimensional direction to irradiate a sample 8. When irradiated with an ion beam, grooves of about 200 Å are formed on the surface of the sample 8 by ion implantation along the scanning direction of the beam or by sputtering effect.

このように、一般の集束レンズビーム装置は集
束レンズ(コンデンサレンズともいう)及び対物
レンズによる2段集束系から成つている。そし
て、イオンビームBiのクロスオーバ位置(第4
図のa点)に質量分離器(EXBマスフイルタと
もいう)5及びビームブランカ9が配置されてい
る。そして、集束レンズ4及び対物レンズ6の位
置は固定である。従つて、2段集束系といつても
集束レンズ4及び対物レンズ6の強度は或る一定
値で使用される。集束レンズ4及び対物レンズ6
の強度をそれぞれ変化させることによつて(但
し、イオン源位置、試料面の位置は不変)、イオ
ンビームの条件(例えばビーム径を細く絞つた
り、或いはビーム径を太くして且つ大電流ビーム
とする等)を変えることができるものの、常にビ
ームブランカ9(或いは質量分離器5の中心)の
位置にイオンビームBiのクロスオーバを結ばな
ければならないという制約がある。
As described above, a general focusing lens beam device consists of a two-stage focusing system including a focusing lens (also called a condenser lens) and an objective lens. Then, the crossover position of the ion beam Bi (fourth
A mass separator (also referred to as an EXB mass filter) 5 and a beam blanker 9 are arranged at point a in the figure. The positions of the focusing lens 4 and the objective lens 6 are fixed. Therefore, even in the case of a two-stage focusing system, the intensities of the focusing lens 4 and the objective lens 6 are used at a certain constant value. Focusing lens 4 and objective lens 6
By changing the intensity of the ion beam (however, the ion source position and sample surface position remain unchanged), the ion beam conditions (for example, narrowing down the beam diameter, or widening the beam diameter and increasing the current beam) can be adjusted. However, there is a restriction that the crossover of the ion beam Bi must always be connected to the position of the beam blanker 9 (or the center of the mass separator 5).

ビームブランカ9の位置にイオンビームBiの
クロスオーバを結ばなければならない理由を、第
5図を用いて説明する。図において、9aはブラ
ンキングプレート、9bはイオンビームの通過を
阻止するためのブランキングアパーチヤである。
ブランキングプレート9aに電圧を印加してか
ら、イオンビームBiが図の矢印方向に曲げられ、
ブランキングアパーチヤ9bによつてイオンビー
ムがカツトされて完全にイオンビームがオフにな
るまでには時間的に遅れがある。この遅れ時間中
にもイオンビームは試料8上に到達している。図
のBi′が遅れ時間中に試料8上に到達するイオン
ビームを示している。
The reason why the ion beam Bi crossover must be connected to the position of the beam blanker 9 will be explained using FIG. In the figure, 9a is a blanking plate, and 9b is a blanking aperture for blocking passage of the ion beam.
After applying a voltage to the blanking plate 9a, the ion beam Bi is bent in the direction of the arrow in the figure.
There is a time delay until the ion beam is completely turned off after it is cut by the blanking aperture 9b. The ion beam reaches the sample 8 even during this delay time. Bi′ in the figure indicates the ion beam that reaches the sample 8 during the delay time.

ブランキング開始時におけるイオンビームの偏
向中心はビームブランカ9の中心位置(図のa
点)にある。そこで、この点aを下段レンズ(対
物レンズ)6の物点にすると、物点位置が不変で
あるため、試料8上でのイオンビーム到達位置F
は不変である。従つて、図のイオンビームBi′(ビ
ームが完全にオフになるまでに到達する分)だけ
ビームが余分に試料8上に依然到達することには
変わりないが、到達位置Fは動かないので高精度
な描画が可能になる。
The center of deflection of the ion beam at the start of blanking is the center position of the beam blanker 9 (a in the figure).
point). Therefore, if this point a is made the object point of the lower lens (objective lens) 6, since the object point position remains unchanged, the ion beam arrival position F on the sample 8
remains unchanged. Therefore, the beam will still reach the sample 8 by an additional amount of the ion beam Bi' shown in the figure (the amount reached before the beam is completely turned off), but the arrival position F will not move, so the height will be lower. Accurate drawing becomes possible.

ここで、ビームブランカ9の位置から、イオン
ビームのクロスオーバ即ち対物レンズの物点位置
がずれた事態を想定すると、イオンビームの偏向
中心と対物レンズ6の物点位置が一致しなくな
る。従つて、ビームブランキングが開始されてか
らビームが完全にオフになるまでの間に試料8上
のビーム位置がずれてしまい、高精度描画が不可
能になる。
Here, assuming a situation where the crossover of the ion beam, that is, the object point position of the objective lens deviates from the position of the beam blanker 9, the deflection center of the ion beam and the object point position of the objective lens 6 will not match. Therefore, the beam position on the sample 8 shifts from the start of beam blanking until the beam is completely turned off, making it impossible to perform highly accurate drawing.

そこで前述したように、ビームブランカ9の位
置にイオンビームのクロスオーバを結ぶようにし
て、イオンビームの偏向中心と対物レンズ6の物
点が重なるようにしている。
Therefore, as described above, the ion beam crossover is connected to the position of the beam blanker 9 so that the center of deflection of the ion beam and the object point of the objective lens 6 overlap.

(発明が解決しようとする問題点) 集束レンズ及び対物レンズの強度を変えること
により、倍率(角度倍率を含む)が変わる他、レ
ンズ収差も変化する。従つて、これにより、イオ
ンビームの集束状態を変化させ、所望のプローブ
電流密度やプローブ径等を得ることができる。
(Problems to be Solved by the Invention) By changing the strength of the focusing lens and the objective lens, not only the magnification (including angular magnification) changes, but also the lens aberration. Therefore, it is possible to change the focusing state of the ion beam and obtain a desired probe current density, probe diameter, etc.

しかしながら、対物レンズの強度を変えること
は、イオンビームの偏向中心と対物レンズの物点
位置(イオンビームのクロスオーバ)との不一致
を招くので、この状態でビームブランキングを行
うと、試料上のビーム位置がずれて、正確なビー
ム描画が不可能になつてしまう。
However, changing the intensity of the objective lens causes a mismatch between the center of deflection of the ion beam and the object point position of the objective lens (ion beam crossover), so if beam blanking is performed in this state, The beam position will shift, making accurate beam drawing impossible.

このような不具合を除去するために、機械的に
ブームブランカ9のブランキンブプレート9aを
移動させることが考えられるが、このような構成
は装置を極めて複雑化してしまい実用的ではな
い。
In order to eliminate such a problem, it is conceivable to mechanically move the blanking plate 9a of the boom blanker 9, but such a configuration would make the device extremely complicated and would be impractical.

本発明はこのような点に鑑みてなれたものであ
つて、その目的は、前記2つのレンズ強度を変え
ても、ビームブランキング時にビーム描画位置が
ずれることがない集束イオンビーム装置を実現す
ることにある。
The present invention was developed in view of these points, and its purpose is to realize a focused ion beam device in which the beam drawing position does not shift during beam blanking even if the strengths of the two lenses are changed. There is a particular thing.

(問題点を解決するための手段) 前記した問題点を解決する本発明は、発生した
イオンを加速、集束して試料上に照射する2段集
束形の集束イオンビーム装置において、集束レン
ズと対物レンズの間に設けられた上下2段のブラ
ンキングプレートと、イオンビームのクロスオー
バと一致した前記対物レンズの物点位置に前記ブ
ランキングプレートの仮想偏向中心を一致させ得
るような、前記対物レンズへの各印加電圧とそれ
に対応した各ブランキングプレートへの印加電圧
の関係が格納された記憶手段と、前記各ブランキ
ングプレートへの印加電圧を設定するプレート電
圧設定手段と、前記対物レンズへの実際の印加電
圧に応じた各ブランキングプレートへの印加電圧
を前記記憶手段から求め、この値に実際の各ブラ
ンキングプレートへの印加電圧が一致するよう
に、前記プレート電圧設定手段を制御する制御手
段と、を具備したことを特徴とするものである。
(Means for Solving the Problems) The present invention solves the above-mentioned problems in a two-stage focusing type focused ion beam device that accelerates and focuses generated ions and irradiates them onto a sample. an upper and lower blanking plate provided between the lenses; and an objective lens that allows a virtual deflection center of the blanking plate to coincide with an object point position of the objective lens that coincides with crossover of the ion beam. storage means storing the relationship between each voltage applied to the blanking plate and the corresponding voltage applied to each blanking plate; plate voltage setting means for setting the voltage applied to each blanking plate; Control for determining the voltage applied to each blanking plate according to the actual applied voltage from the storage means, and controlling the plate voltage setting means so that the actual voltage applied to each blanking plate matches this value. It is characterized by comprising means.

(作用) 制御手段は、対物レンズへの実際の印加電圧に
応じた各ブランキングプレートへの印加電圧を記
憶手段から求め、この値に実際の各ブランキング
プレートへの印加電圧が一致するように、プレー
ト電圧設定手段を制御する。これにより、対物レ
ンズの強度が変化しても、対物レンズの物点位置
にブランキングプレートの仮想偏向中心が移動
し、ビームブランキング時に試料上のビーム描画
位置がずれることはない。
(Function) The control means obtains the voltage applied to each blanking plate from the storage means in accordance with the actual voltage applied to the objective lens, and adjusts the voltage applied to each blanking plate so that the actual voltage applied to each blanking plate matches this value. , controlling the plate voltage setting means. As a result, even if the intensity of the objective lens changes, the virtual deflection center of the blanking plate moves to the object point position of the objective lens, and the beam drawing position on the sample does not shift during beam blanking.

(実施例) 以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に
説明する。
(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図は、本発明の一実施例を示す要部構成図
である。図において、21は第1のブランキング
プレート、22は第2のブランキングプレート
で、これら上下2段のブランキングプレート2
1,22は図示されていない集束レンズと対物レ
ンズとの間に配されている。且つ、これら第1及
び第2のブランキングプレート21,22は互い
に所定の距離だけ離れて配されている。
FIG. 1 is a block diagram of main parts showing an embodiment of the present invention. In the figure, 21 is a first blanking plate, 22 is a second blanking plate, and these two upper and lower blanking plates 2
1 and 22 are arranged between a focusing lens and an objective lens (not shown). Moreover, these first and second blanking plates 21 and 22 are arranged apart from each other by a predetermined distance.

23は第1のブランキングプレート21に電圧
を印加する第1のアンプ、24は第2のブランキ
ングプレート22に電圧を印加する第2のアン
プ、25は第1のアンプ23にブランキング信号
を可変して与える第1のリンク回路、26は第2
のアンプ24に同じくブランキング信号を可変し
て与える第2のリンク回路である。ブランキング
信号は、図に示すようにハイレベル時にブランキ
ングオン、ローレベル時にブランキングオフとす
るパルス信号である。その振幅レベルとしては、
例えば50V程度が用いられる。第1のアンプ23
の出力は第1のブランキングプレート21の一方
のプレート21aに印加され、対向するプレート
21bにはアンプ23の出力がインバータ27に
より反転された電圧が印加されている。反転電圧
としては、例えば、プレート21aに印加する電
圧が+50Vの場合、その反転値−50Vが用いられ
る。同様にして、第2のアンプ24の出力は第2
のブランキングプレート22の一方のプレート2
2aに印加され、対向するプレート22bにはア
ンプ24の出力がインバータ28により反転され
た電圧が印加されている。第1図には示されてい
ないが、対物レンズの物点位置にブランキングプ
レート21,22による可動偏向中心を一致させ
るためのデータを格納するRAM等の記憶手段が
設けられている。この記憶手段の格納データは、
具体的には、対物レンズへの各印加電圧とそれに
対応した各ブランキングプレート21,22への
印加電圧の関係を示すデータである。各ブランキ
ングプレート21,22への印加電圧を設定する
第1、第2のリンク回路から成るプレート電圧設
定手段は、手動にて調整してもよいが、本願発明
では、図示しない制御手段により調整される。こ
の制御手段は、対物レンズへの実際の印加電圧に
応じた各ブランキングプレートへの印加電圧を前
記記憶手段から求め、この値に実際の各ブランキ
ングプレート21,22への印加電圧が一致する
ように、前記プレート電圧設定手段を制御するも
のである。尚、上記以外の構成は第4図、第5図
と同様である。
23 is a first amplifier that applies a voltage to the first blanking plate 21; 24 is a second amplifier that applies a voltage to the second blanking plate 22; 25 is a blanking signal that applies a blanking signal to the first amplifier 23; The first link circuit provides variable power, and 26 is the second link circuit.
This is a second link circuit that similarly provides a variable blanking signal to the amplifier 24 of the same. As shown in the figure, the blanking signal is a pulse signal that turns blanking on when it is at a high level and turns off blanking when it is at a low level. The amplitude level is
For example, about 50V is used. first amplifier 23
The output of the amplifier 23 is applied to one plate 21a of the first blanking plate 21, and a voltage obtained by inverting the output of the amplifier 23 by an inverter 27 is applied to the opposing plate 21b. As the inversion voltage, for example, when the voltage applied to the plate 21a is +50V, the inversion value -50V is used. Similarly, the output of the second amplifier 24 is
One plate 2 of the blanking plates 22 of
2a, and a voltage obtained by inverting the output of the amplifier 24 by an inverter 28 is applied to the opposing plate 22b. Although not shown in FIG. 1, storage means such as a RAM is provided for storing data for aligning the center of movable deflection by the blanking plates 21 and 22 with the object point position of the objective lens. The data stored in this storage means is
Specifically, it is data showing the relationship between each voltage applied to the objective lens and the corresponding voltage applied to each blanking plate 21, 22. Although the plate voltage setting means consisting of the first and second link circuits that set the voltage applied to each blanking plate 21, 22 may be adjusted manually, in the present invention, the adjustment is performed by a control means (not shown). be done. This control means determines from the storage means the voltage applied to each blanking plate according to the actual voltage applied to the objective lens, and the actual voltage applied to each blanking plate 21, 22 matches this value. Thus, the plate voltage setting means is controlled. Note that the configuration other than the above is the same as that in FIGS. 4 and 5.

次に、このように構成された装置の動作を説明
する。
Next, the operation of the device configured in this way will be explained.

今、第1及び第2のブランキングプレート2
1,22に印加する電圧をそれぞれV1,V2とす
る。ここで、V1=V2とすると、イオンビームBi
は各ブランキングプレート21,22により偏向
され第2図の実線で示すような軌跡を辿る。即
ち、イオンビームはまず第1のブランキングプレ
ート21によつて偏向される。この偏向ビームは
更に第2のブランキングプレート22によつて同
一の割合の偏向を受けて図に示すような軌跡を辿
る。ここで、第2の折点Kからビーム軌跡に沿つ
て逆方向に伸ばした直線が光軸Zと交わる点をa
とすると、最終的なイオンビームBiはこのa点
から出射されたように直進する。このa点が仮想
偏向中心点であり、V1=V2の場合には、仮想偏
向中心点aは上下2段のブランキングプレート2
1,22の丁度中間位置にくる。
Now, the first and second blanking plates 2
Let the voltages applied to terminals 1 and 22 be V1 and V2, respectively. Here, if V1=V2, the ion beam Bi
is deflected by each blanking plate 21, 22 and follows a trajectory as shown by the solid line in FIG. That is, the ion beam is first deflected by the first blanking plate 21. This deflected beam is further deflected at the same rate by the second blanking plate 22 and follows a trajectory as shown in the figure. Here, the point where a straight line extending from the second bending point K in the opposite direction along the beam trajectory intersects with the optical axis Z is defined as a.
Then, the final ion beam Bi travels straight as if it were emitted from this point a. This point a is the virtual deflection center point, and when V1=V2, the virtual deflection center point a is the upper and lower blanking plate 2.
It comes to the exact middle position between 1 and 22.

次に第1及び第2のブランキングプレート2
1,22に印加する電圧V1,V2を異ならしめる
と、各ブランキングプレートでの偏向量が異なる
結果、仮想偏向中心点位置aは上下2段のブラン
キングプレート間の範囲内で第3図に示すように
移動する。イは第1のブランキングプレート21
に印加する電圧V1が第2のブランキングプレー
ト22に印加する電圧V2よりも小さい場合(V1
>V2)を、ロはV1がV2よりも大きい場合(V1
>V2)をそれぞれ示す。印加電圧が大きい方が
イオンビームが大きく偏向していることがわか
る。このように、上下2段のブランキングプレー
トを設けて、これらプレートに印加する電圧を変
えることにより、あたかも1個のブランキングプ
レートの位置を上下に移動させるのと同様の効果
を得ることができる。そこで、本発明では、制御
手段は、対物レンズへの実際の印加電圧に応じた
各ブランキングプレート21,22への印加電圧
を記憶手段から求め、この値に実際の各ブランキ
ングプレート21,22への印加電圧が一致する
ように、プレート電圧設定手段を制御している。
これにより、対物レンズの強度を変化させても、
対物レンズの物点位置にブランキングプレートの
仮想偏向中心が自動的に移動するので、ビームラ
ンキング時に試料上のビーム描画位置がずれるこ
とはなく、高精度の描画が可能になる。
Next, the first and second blanking plates 2
When the voltages V1 and V2 applied to terminals 1 and 22 are made different, the amount of deflection at each blanking plate is different, and as a result, the virtual deflection center position a is as shown in Fig. 3 within the range between the upper and lower two blanking plates. Move as shown. A is the first blanking plate 21
When the voltage V1 applied to the second blanking plate 22 is smaller than the voltage V2 applied to the second blanking plate 22 (V1
>V2), and b is when V1 is larger than V2 (V1
>V2) are shown respectively. It can be seen that the larger the applied voltage, the more the ion beam is deflected. In this way, by providing upper and lower blanking plates and changing the voltage applied to these plates, it is possible to obtain the same effect as if the position of one blanking plate was moved up and down. . Therefore, in the present invention, the control means determines the voltage applied to each blanking plate 21, 22 according to the actual applied voltage to the objective lens from the storage means, and applies this value to the actual voltage applied to each blanking plate 21, 22. The plate voltage setting means is controlled so that the voltages applied to the plates match.
As a result, even if the intensity of the objective lens is changed,
Since the virtual deflection center of the blanking plate automatically moves to the object point position of the objective lens, the beam drawing position on the sample does not shift during beam ranking, making it possible to draw with high precision.

尚、このブランキングプレートの仮想偏向中心
とビームのクロスオーバ位置が一致したかどうか
は、ブランキングプレート21,22に弱いウオ
ブラ(WOBBLER)信号を入力することにより
チエツクすることができる。つまり、上下のブラ
ンキングプレート21,22に加えられる電圧の
比と同じ電圧を比を持たせたウオブラ信号を各プ
レートに印加することによりチエツクすることが
できる。(但し、この印加電圧はブランキングア
パーチヤによつてビームがカツトされない範囲と
する)。
Note that whether or not the virtual deflection center of the blanking plate coincides with the beam crossover position can be checked by inputting a weak WOBBLER signal to the blanking plates 21 and 22. In other words, the check can be made by applying to each plate a wobbler signal having the same voltage ratio as the voltage applied to the upper and lower blanking plates 21 and 22. (However, this applied voltage is within a range where the beam is not cut by the blanking aperture).

(発明の効果) 以上詳細に説明したように、本発明によれば、
2段集束形の集束イオンビーム装置に上下2段の
ブランキングプレートを設け、対物レンズへの実
際の印加電圧に応じた各ブランキングプレートへ
の印加電圧を記憶手段から求め、この値に実際の
各ブランキングプレートへの印加電圧が一致する
ように、プレート電圧設定手段を制御するので、
対物レンズの強度が変化しても、新たな対物レン
ズの物点位置にブランキングプレートの仮想偏向
中心が自動的に移動し、ビームブランキング時に
試料上のビーム描画位置がずれることはない。従
つて、対物レンズの動作条件を変えても不具合が
生じないので、プローブ径、プローブ電流密度等
の制御が可能になり、実用上の効果が極めて大き
い。
(Effects of the Invention) As explained in detail above, according to the present invention,
A two-stage focused focused ion beam device is equipped with two upper and lower blanking plates, and the voltage applied to each blanking plate corresponding to the actual voltage applied to the objective lens is determined from the storage means, and the actual value is added to this value. Since the plate voltage setting means is controlled so that the voltage applied to each blanking plate matches,
Even if the intensity of the objective lens changes, the virtual deflection center of the blanking plate automatically moves to the new object point position of the objective lens, and the beam drawing position on the sample does not shift during beam blanking. Therefore, no problem occurs even if the operating conditions of the objective lens are changed, so it is possible to control the probe diameter, probe current density, etc., which is extremely effective in practical use.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例を示す要部構成図、
第2図,第3図はイオンビームの軌跡を示す図、
第4図は集束イオンビーム装置の従来構成例を示
す図、第5図はイオンビームの軌跡を示す図であ
る。 1……引出し電極、2……液体金属、3……加
速管、4……集束レンズ、5……質量分離器、6
……対物レンズ、7……偏向器、8……試料、9
……ビームブランカ、9a……ブランキングプレ
ート、9b……ブランキングアパーチヤ、23,
24……アンプ、25,26……リンク回路、2
7,28……インバータ。
FIG. 1 is a main part configuration diagram showing an embodiment of the present invention,
Figures 2 and 3 are diagrams showing the trajectory of the ion beam;
FIG. 4 is a diagram showing an example of the conventional configuration of a focused ion beam device, and FIG. 5 is a diagram showing the trajectory of the ion beam. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Extraction electrode, 2... Liquid metal, 3... Accelerator tube, 4... Focusing lens, 5... Mass separator, 6
...Objective lens, 7...Deflector, 8...Sample, 9
...Beam blanker, 9a...Blanking plate, 9b...Blanking aperture, 23,
24...Amplifier, 25, 26...Link circuit, 2
7, 28...Inverter.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 発生したイオンを加速、集束して試料上に照
射する2段集束形の集束イオンビーム装置におい
て、 集束レンズと対物レンズとの間に設けられた上
下2段のブランキングプレートと、 イオンビームのクロスオーバと一致した前記対
物レンズの物点位置に前記ブランキングプレート
の仮想偏向中心を一致させ得るような、前記対物
レンズへの各印加電圧とそれに対応した各ブラン
キングプレートへの印加電圧の関係が格納された
記憶手段と、 前記各ブランキングプレートへの印加電圧を設
定するプレート電圧設定手段と、 前記対物レンズへの実際の印加電圧に応じた各
ブランキングプレートへの印加電圧を前記記憶手
段から求め、この値に実際の各ブランキングプレ
ートへの印加電圧が一致するように、前記プレー
ト電圧設定手段を制御する制御手段と、 を具備したことを特徴とする集束イオンビーム装
置。
[Claims] 1. In a two-stage focused focused ion beam device that accelerates and focuses generated ions and irradiates them onto a sample, two stages of blanking, upper and lower, are provided between a focusing lens and an objective lens. each applied voltage to the objective lens and each corresponding blanking plate such that a virtual deflection center of the blanking plate can be aligned with the object point position of the objective lens that coincides with the crossover of the ion beam; a storage means storing a relationship between voltages applied to each of the blanking plates; a plate voltage setting means for setting the voltage applied to each of the blanking plates; A focused ion system characterized by comprising: control means for determining the applied voltage from the storage means and controlling the plate voltage setting means so that the actual voltage applied to each blanking plate matches this value. Beam device.
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