JPH0478091A - Bloch line memory element - Google Patents

Bloch line memory element

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Publication number
JPH0478091A
JPH0478091A JP2183931A JP18393190A JPH0478091A JP H0478091 A JPH0478091 A JP H0478091A JP 2183931 A JP2183931 A JP 2183931A JP 18393190 A JP18393190 A JP 18393190A JP H0478091 A JPH0478091 A JP H0478091A
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JP
Japan
Prior art keywords
group
shape
bloch line
line memory
edge parts
Prior art date
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Pending
Application number
JP2183931A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuhisa Fujimoto
和久 藤本
Yoji Maruyama
洋治 丸山
Makoto Suzuki
良 鈴木
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0478091A publication Critical patent/JPH0478091A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To enlarge the common margins of transfer margins at the both edge parts of a group for fitting a stripe magnetic domain, and to enable the revolutionary transfer corresponding to a Bloch line of the same transfer condition by reducing the difference of the shapes of the both edge parts of the group, and reducing the difference of the transfer margins at the both edge parts. CONSTITUTION:The shapes of the edge parts of the mask patterns 12 and 13 of the group are corrected so that the shape of the edge part of the group carved on a strong magnetic substance film can be the same with that of the other edge part in order to fit the stripe magnetic domain. That is, when the mask patterns 12 and 13 are shaped like a recessed shape at the edge parts in a length direction 21 which are shaped like a triangle, the inclination of the edge parts to the triangular shape is suppressed by a phosphate etching. And also, when the mask patterns 12 and 13 are shaped like a recessed shape at the edge parts in a length direction 22 which are shaped like a square, the edge parts are close to the triangular shapes, and the difference of the shapes of the both edge parts of the group can be reduced. Thus, the common margins of the transfer margins corresponding to the Bloch line at the two edge parts of the stripe magnetic domain can be enlarged, and the revolutionary transfer on the same transfer condition can be attained.

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野] 本発明は固体磁性メモリに係り、特に大容量ファイルメ
モリを実現させる上で好適なブロッホラインメモリ素子
に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a solid-state magnetic memory, and particularly to a Bloch line memory element suitable for realizing a large-capacity file memory.

[従来の技術1 ブロッホラインメモリ素子では、膜面に垂直な方向を磁
化容易軸とする磁性ガーネット膜中に並列に配列させた
ストライプ磁区の磁壁中に存在させたブロッホライン対
の有無を情報のtr 1 uLL 01+に対応させて
情報を記、憶する。ブロッホラインメモリ素子に関して
は、特開昭59−101092号に基礎的な構成が記載
されている。ストライプ磁区の配列に関しては、例えば
、アイ・イー・イー・イー、トランザクション オン 
マグネチソクス、エム ニー ジー22、ナンバー5(
1986年)第784頁から第789頁(IEEE丁r
ansaction  on  Magnetics、
Vol+MAG−22,〜o、5.(1986)pp7
84〜pp789)において論しられている。これにつ
いて第5図により説明する。
[Conventional technology 1] In a Bloch line memory element, the presence or absence of Bloch line pairs present in the domain walls of striped magnetic domains arranged in parallel in a magnetic garnet film with the axis of easy magnetization perpendicular to the film surface is used to determine the presence or absence of Bloch line pairs. Information is stored in association with tr 1 uLL 01+. Regarding the Bloch line memory element, the basic structure is described in Japanese Patent Laid-Open No. 101092/1983. Regarding the arrangement of striped magnetic domains, for example, I.E.E., transaction on
Magnetic Sox, M.N.G.22, Number 5 (
1986) pp. 784-789 (IEEE
analysis on magnetics,
Vol+MAG-22,~o,5. (1986) pp7
84-pp789). This will be explained with reference to FIG.

第5図はブロッホラインメモリの記憶部を構成するスト
ライプ磁区の一部の斜視図を示している。
FIG. 5 shows a perspective view of a portion of striped magnetic domains that constitute the storage section of the Bloch line memory.

図に示すように、磁性ガーネット膜にその膜厚と同じ深
さのグループ200と呼ばれる溝を形成する。そうする
と、グループ200とストライプ磁区1との静磁気的な
相互作用により、ストライプ磁区1はグループ200の
周りに固定される。このグループ200を並列に多数本
形成することにより、ストライプ磁区を配列できる。こ
のグループは、磁性ガーネット膜の上に5in2膜から
形成した細長い矩形状のグループのマスクパターンを作
り、グループパターンの部分にイオン打ち込みにより歪
を与え、その部分を熱りん酸で選択的にエツチングする
ことにより形成される。
As shown in the figure, grooves called groups 200 are formed in the magnetic garnet film to have the same depth as the film thickness. Then, the stripe magnetic domains 1 are fixed around the group 200 due to the magnetostatic interaction between the group 200 and the stripe magnetic domains 1. By forming a large number of these groups 200 in parallel, striped magnetic domains can be arranged. This group creates a mask pattern of elongated rectangular groups formed from a 5in2 film on a magnetic garnet film, applies distortion to the group pattern part by ion implantation, and selectively etches the part with hot phosphoric acid. It is formed by

また、特開昭63−225989に記載されているよう
に、ブロッホライン対の転送特性をよくするために、グ
ループパターンの長手方向を磁性ガーネット膜の結晶方
位[1■2■]、[■]及び[1■2■]、[■]。
In addition, as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-225989, in order to improve the transfer characteristics of Bloch line pairs, the longitudinal direction of the group pattern is aligned with the crystal orientation of the magnetic garnet film [1■2■], [■] and [1■2■], [■].

[■2■]、[■1コ及び[■2■]、[■11,[2
11]及び[21,1]のいずれかと平行になるように
する必要がある。
[■2■], [■1 and [■2■], [■11, [2
11] and [21, 1].

【発明が解決しようとする課題] 上記従来技術において、グループのマスクパターンを第
6図に示すように矩形状にすると、イオン打ち込みとり
ん酸エツチングを繰り返して形成されたグループは、そ
の端部形状が第7図に示すように両端部で異なる。これ
は、磁性ガーネット膜(7)(100)面、(010)
面、及び(001)面が他の面に比へてエツチング速度
が早いためてあり、磁性ガーネット膜の結晶方位 [■■2]、[1■1]、[211]方向に平行な長手
方向21の端部ては三角形状、 [1■2■]、[■]
、 [■2■]、[■11、[211]方向に平行な長
手方向22の端部では四角形状になる。このようにグル
ープの端部形状が異なると、グループ端部とストライプ
磁区端部間に働く静磁気的な力が両端部で異なってくる
ため磁壁の動きも両端部で異なってくる。ブロッホライ
ン対の転送は磁壁の動き方に大きく影響されるため、ス
トライプ磁区の両端部においてブロッホライン対の転送
マージンが異なり、共通マージンがなくなる。そのため
に、同一の転送条件で周回転送が8来ない。
[Problems to be Solved by the Invention] In the above prior art, when the mask pattern of the group is made into a rectangular shape as shown in FIG. 6, the end shape of the group formed by repeating ion implantation and phosphoric acid etching is are different at both ends as shown in FIG. This is a magnetic garnet film (7) (100) plane, (010)
This is because the etching speed of the plane and (001) plane is faster than other planes, and the longitudinal direction parallel to the crystal orientations [■■2], [1■1], and [211] of the magnetic garnet film. The ends of 21 are triangular, [1■2■], [■]
, [■2■], [■11, and the ends in the longitudinal direction 22 parallel to the [211] directions have a rectangular shape. When the end shapes of the groups are different in this way, the magnetostatic force acting between the group end and the striped magnetic domain end becomes different at both ends, and the movement of the domain wall also becomes different at both ends. Since the transfer of the Bloch line pair is greatly influenced by the movement of the domain wall, the transfer margin of the Bloch line pair differs at both ends of the striped magnetic domain, and there is no common margin. Therefore, 8 round transfers do not occur under the same transfer conditions.

本発明の目的は、ストライプ磁区の2つの端部における
ブロッホライン対の転送マージンの共通マージンを広げ
、同一の転送条件での周回転送を可能にすることにある
An object of the present invention is to widen the common transfer margin of the Bloch line pair at the two ends of a striped magnetic domain, and to enable circular transfer under the same transfer conditions.

[課題を解決するための手段] 」二記目的は、基板面上に(1,11,)面が膜面とな
るように形成された磁性ガーネット膜中に、長手方向が
上記磁性カーネット膜の結晶方位[1■2■]、[■]
及び[■■2]、[1■1コ及び[:1.21−]、 
[2]1コ及び[21,1]のいずれかと平行になるよ
うに配置したストライプ磁区の磁壁中に存在させたブロ
ッホライン対を情報の担体とするブロッホラインメモリ
素子において、上記ストライプ磁区を固定するために磁
性ガーネット膜に掘るグループのマスクパターンの端部
形状を、上記磁性ガーネッ[2111方向の端部におい
て凹形状にすること、または、上記磁性ガーネット膜の
結晶方位[11においで矩形状にすること、または、上
記磁性ガーネット膜の結晶方位[1■2■]、[■コ、
 [■2■]、[■11,[2]1コ方向の端部におい
て矩形状、[11,2]、 [■2■]、[■1]、 
[211]方向の端部において凹形状にすることによっ
て達成される。
[Means for Solving the Problems] The second object is to form a magnetic garnet film whose longitudinal direction is in a magnetic garnet film formed on a substrate surface so that the (1, 11,) plane is the film surface. Crystal orientation [1■2■], [■]
and [■■2], [1■1co and [:1.21-],
[2] In a Bloch line memory element in which the information carrier is a Bloch line pair existing in the domain wall of a striped magnetic domain arranged parallel to either [1,1] or [21,1], the striped magnetic domain is fixed. The end shape of the mask pattern of the group to be dug in the magnetic garnet film is made concave at the end in the direction [2111], or rectangular in the crystal orientation [11] of the magnetic garnet film. Or, the crystal orientation of the magnetic garnet film [1■2■], [■co,
[■2■], [■11, [2] Rectangular shape at the end in the 1 direction, [11,2], [■2■], [■1],
This is achieved by creating a concave shape at the end in the [211] direction.

[作用1 グループのマスクパターンの端部形状が両端部で同し場
合、イオン打ち込みとりん酸エツチングを繰り返して形
成されたグループは、その端部形状が前述した第7図に
示すように、両端部で異なる。これは、磁性ガーネット
膜の結晶方位によって膜のエツチング速度が異なるため
てあり、磁性カーネノ[〜膜の結晶方位[1■2■]、
[■]、 [■2■]、[■LL [211]方向に平
行な長手方向21の端部ては三角形状、[1■2■]、
[■]、[■2■]、[■1コ、[211]方向に平行
な長手方向22の端部では四角形状に近づく。
[Effect 1 When the end shape of the mask pattern of a group is the same at both ends, the end shape of the group formed by repeating ion implantation and phosphoric acid etching will be the same at both ends as shown in FIG. It varies by department. This is because the etching rate of the magnetic garnet film differs depending on the crystal orientation of the film.
[■], [■2■], [■LL The end in the longitudinal direction 21 parallel to the [211] direction is triangular, [1■2■],
At the ends of the longitudinal direction 22 parallel to the [■], [■2■], [■1co], and [211] directions, the shape approaches a square.

したかって、端部が三角形状になる長手方向21の端部
においてマスクパターンを凹形状にすると、りん酸エツ
チングにより端部が三角形状になろうとするのを抑える
ことができる。また、端部が四角形状になる長手方向2
2の端部においてマスクパターンを凸形状にすると、端
部は三角形状に近づく。これにより、グループの両端部
の形状の差を小さくできる。
Therefore, if the mask pattern is made concave at the ends in the longitudinal direction 21 where the ends become triangular, it is possible to prevent the ends from becoming triangular due to phosphoric acid etching. In addition, the longitudinal direction 2 where the end part is square shaped
If the mask pattern is made into a convex shape at the end of 2, the end becomes close to a triangular shape. This makes it possible to reduce the difference in shape between both ends of the group.

【実施例] 以下、本発明の実施例を第1図、第2図、第3図により
説明する。
[Example] Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to FIGS. 1, 2, and 3.

第2図はブロッホラインメモリ素子の機能部を示す図で
ある。ストライプ磁区1は、厚さ0.4mmのガドリニ
ウム・ガリウム・ガーネット基板上に液相成長させた厚
さ5μmのCaGe系磁性ガーネット膜に存在し、スト
ライプ磁区固定用グループ200の周りに固定される。
FIG. 2 is a diagram showing the functional parts of a Bloch line memory element. The striped magnetic domains 1 exist in a 5 μm thick CaGe-based magnetic garnet film grown in a liquid phase on a 0.4 mm thick gadolinium gallium garnet substrate, and are fixed around the striped magnetic domain fixing group 200.

ガイド用グループ201は情報の書き込み及び読み出し
の時のストライプ磁区を引き伸ばすときにガイドの役目
を果たす。ガード用グループ202は外部から機能部内
に不要な磁区が侵入するのを防ぐ。これら200.20
1.202のグループハ、磁性カーネジ1〜膜上にSコ
02から形成したグループのマスクパターンを作り、グ
ループパターンの部分にイオン打ち込みにより歪を与え
、その歪の入った部分を熱りん酸により選択的にエツチ
ングすることにより形成する。
The guide group 201 serves as a guide when stretching the stripe magnetic domain when writing and reading information. The guard group 202 prevents unnecessary magnetic domains from entering the functional section from the outside. These 200.20
1.202 Group C: A group mask pattern made of Sco02 is made on the magnetic car screw 1~ film, strain is applied to the group pattern portion by ion implantation, and the strained portion is heated with hot phosphoric acid. Formed by selective etching.

磁壁2中に存在するブロッホライン7は、情報の担体で
あるブロッホライン対8を安定に保つためのダミーのブ
ロッホラインである。磁壁2中に存在する情報の担体で
あるブロッホライン対8は、磁性体パターン6が作るポ
テンシャルウェルによって固定される。磁性体パターン
6ば、磁性ガーネット膜に掘ったグループをポリイミド
樹脂で平坦化した後、その上にスパッタ法によりCo−
Pt膜を300人〜400人被着し、ホトリソグラフィ
法により所望のパターン形状にした。
The Bloch line 7 existing in the domain wall 2 is a dummy Bloch line for keeping the Bloch line pair 8, which is an information carrier, stable. Bloch line pairs 8, which are information carriers present in the domain wall 2, are fixed by potential wells created by the magnetic pattern 6. For the magnetic pattern 6, after flattening the groups dug in the magnetic garnet film with polyimide resin, Co-
300 to 400 Pt films were deposited and formed into a desired pattern shape by photolithography.

第1図は、ストライプ磁区固定用グループのマスクパタ
ーンの形状を示している。磁性ガーネット膜では結晶方
位によって膜のエツチング速度が異なり、(100)面
、(010)面、及び(001)面が他の面に比べてエ
ツチング速度が大きい。そのため、イオン打ち込みとり
ん酸エツチングを繰り返してグループを形成すると、そ
の端部形状は磁性ガーネット膜の結晶方位[l ■2■
]、[■]、 [■2■]、[■1]、[211F方向
に平行な長手方向21の端部では三角形状、[■■2]
、[1■1コ、[211]方向に平行な長手方向22の
端部では四角形状に近づこうとする。したがって、マス
クパターン■2■]、[■.13のように、端部が三角
形状になる長手方向21の端部においてマスクパターン
を凹形状にすることで、りん酸エツチングにより端部が
三角形状になろうとするのを抑えることができる。
FIG. 1 shows the shape of a mask pattern of a stripe magnetic domain fixing group. In a magnetic garnet film, the etching rate of the film differs depending on the crystal orientation, and the etching rate of the (100) plane, (010) plane, and (001) plane is higher than that of other planes. Therefore, when a group is formed by repeating ion implantation and phosphoric acid etching, the shape of the end will be the same as the crystal orientation of the magnetic garnet film [l 2
], [■], [■2■], [■1], [triangular shape at the end in the longitudinal direction 21 parallel to the 211F direction, [■■2]
, [1*1co] At the end in the longitudinal direction 22 parallel to the [211] direction, the shape approaches a square shape. Therefore, mask patterns ■2■], [■. By making the mask pattern concave at the ends in the longitudinal direction 21 where the ends become triangular, as shown in 13, it is possible to prevent the ends from becoming triangular due to phosphoric acid etching.

また、端部が四角形状になる長手方向22の端部におい
てマスクパターンを凸形状にすると、端部は三角形状に
近づく。
Furthermore, if the mask pattern is made convex at the ends in the longitudinal direction 22 where the ends are square, the ends approach a triangular shape.

これにより、イオン打ち込みとりん酸エツチングを繰り
返して形成したグループの形状は第3図に示すようにな
り、両端部での形状の差が小さくなる。この両端部の差
を小さくすることは、第4図に示すマスクパターンによ
っても可能である。
As a result, the shape of the group formed by repeating ion implantation and phosphoric acid etching becomes as shown in FIG. 3, and the difference in shape between both ends becomes small. It is also possible to reduce this difference between both ends by using the mask pattern shown in FIG.

すなわち、マスクパターン14のように長手方向21の
端部を大きな凹形状にすることにより、第2図のマスク
パターンに比べて端部が三角形状になりにくくなり、四
角形状に近づく。そのため、長手方向22の端部が四角
形状のままでも両端部の形状の差は小さくなる。また逆
に、マスクパターン15のように長手方向22の端部を
大きな凸形状にすることにより、この端部の形状が長手
方向21の端部の三角形状に近つく。そのため、長手方
向21の端部が四角形状のままでも両端部の形状の差は
小さくなる。
That is, by forming the end portions in the longitudinal direction 21 into a large concave shape as in the mask pattern 14, the end portions are less likely to have a triangular shape than the mask pattern shown in FIG. 2, and become closer to a quadrangular shape. Therefore, even if the ends in the longitudinal direction 22 remain square, the difference in shape between both ends becomes small. Conversely, by making the end portion in the longitudinal direction 22 a large convex shape as in the mask pattern 15, the shape of this end portion approaches the triangular shape of the end portion in the longitudinal direction 21. Therefore, even if the ends in the longitudinal direction 21 remain square, the difference in shape between both ends becomes small.

本実施例によれば、ストライプ磁区固定用グループ20
0の両端部の形状の差が小さくなり、両端部の転送マー
ジンの差が小さくなる。それにより、両端部の転送の共
通マージンが拡がり、同一の転送条件でブロッホライン
対の周回転送か可能となる。
According to this embodiment, the stripe magnetic domain fixing group 20
The difference in shape between both ends of 0 becomes smaller, and the difference in transfer margin between both ends becomes smaller. As a result, the common margin for transfer at both ends is expanded, and it becomes possible to carry out circular transfer of a pair of Bloch lines under the same transfer conditions.

[発明の効果1 本発明によれば、ストライプ磁区固定用グルブの両端部
の形状の差が小さくなり、両端部の転送マージンの差が
小さくなる。それにより1両端部の転送の共通マージン
が拡がり、同一の転送条件でブロッホライン対の周回転
送が可能となる。
[Advantageous Effects of the Invention 1] According to the present invention, the difference in shape between both ends of the groove for fixing striped magnetic domains is reduced, and the difference in transfer margin between both ends is reduced. As a result, the common margin for transfer at both ends of one is expanded, and circular transfer of a pair of Bloch lines becomes possible under the same transfer conditions.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図、第4図は本発明の実施例のグループ形成用マス
クパターンの平面図、第2図は本発明の実施例のブロッ
ホラインメモリ装置の要部平面図、第3図は本発明の実
施例によるグループ形状を示す平面図、第5図はブロッ
ホラインメモリ素子の原理的構成を示す斜視図、第6図
は従来のグループ形成用マスクパターンの形状を示す平
面図、第7図は従来のマスクパターンによるグループ形
状の平面図である。 符号の説明 1・・ストライプ磁区、2・・・磁壁、3・・磁性カー
ネット膜、4・・・非磁性基板、5・・・磁化方向、6
・・・磁性体パターン、7・・・ブロッホライン、8・
・ブロッホライン対、11〜15・・・グループのマス
クパターン、21.22・・・グループの長手方向、1
01゜102・・・グループ形状、200・・・磁区固
定用グループ、201・・ガイド用グループ、202・
・ガーゝ用′f″−″′              
  2■ 1 口 (久) (b)
1 and 4 are plan views of group forming mask patterns according to embodiments of the present invention, FIG. 2 is a plan view of essential parts of a Bloch line memory device according to an embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 5 is a perspective view showing the basic structure of a Bloch line memory element; FIG. 6 is a plan view showing the shape of a conventional group forming mask pattern; FIG. 7 is a conventional pattern. FIG. 3 is a plan view of a group shape based on a mask pattern. Explanation of symbols 1...Stripe magnetic domain, 2...Domain wall, 3...Magnetic Carnet film, 4...Nonmagnetic substrate, 5...Magnetization direction, 6
...Magnetic material pattern, 7...Bloch line, 8.
・Bloch line pair, 11 to 15...Mask pattern of group, 21.22...Longitudinal direction of group, 1
01゜102... Group shape, 200... Magnetic domain fixing group, 201... Guide group, 202...
・'f''-''' for Gara
2■ 1 mouth (kyu) (b)

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、基板面上に、(111)面が膜面となるように形成
された強磁性体膜中に多数本配列したストライプ磁区の
磁壁中に存在させたブロッホライン対を情報の担体とす
るメモリ素子において、上記ストライプ磁区を固定する
ために強磁性体膜に掘るグループの端部形状が該グルー
プの両端部で同一形状になるように、該グループのマス
クパターンの端部形状を補正しことを特徴とするブロッ
ホラインメモリ素子。 2、特許請求の範囲第1項において、長手方向が上記強
磁性体膜の結晶方位[11■]及び[■■2]、[1■
1]及び[■2■]、[■11]及び[2■■]のいず
れかと平行になるように配置したストライプ磁区の磁壁
中に存在させたブロッホライン対を情報の担体とするブ
ロッホラインメモリ素子において、上記ストライプ磁区
を固定するために強磁性体膜に掘るグループのマスクパ
ターンの端部形状が、上記強磁性体膜の結晶方位[11
■]、[1■1]、[■11]方向の端部において凸形
状、[■■2]、[■2■]、[2■■]方向の端部に
おいて凹形状であることを特徴とするブロッホラインメ
モリ素子。3、特許請求の範囲第1項において、長手方
向が上記強磁性体膜の結晶方位[11■]及び[■■2
]、[1■1]及び[■2■]、[■11]及び[2■
■]のいずれかと平行になるように配置したストライプ
磁区の磁壁中に存在させたブロッホライン対を情報の担
体とするブロッホラインメモリ素子において、上記スト
ライプ磁区を固定するために強磁性体膜に掘るグループ
のマスクパターンの端部形状が、上記強磁性体膜の結晶
方位[11■]、[1■1]、[■11]方向の端部に
おいて凸形状、[■■2]、[■2■]、[2■■]方
向の端部において矩形状であることを特徴とするブロッ
ホラインメモリ素子。 4、特許請求の範囲第1項において、長手方向が上記強
磁性体膜の結晶方位[11■]及び[■■2]、[1■
1]及び[■2■]、[■11]及び[2■■]のいず
れかと平行になるように配置したストライプ磁区の磁壁
中に存在させたブロッホライン対を情報の担体とするブ
ロッホラインメモリ素子において、上記ストライプ磁区
を固定するために強磁性体膜に掘るグループのマスクパ
ターンの端部形状が、上記強磁性体膜の結晶方位[11
■]、[1■1]、[■11]方向の端部において矩形
状、[■■2]、[■2■]、[2■■]方向の端部に
おいて凹形状であることを特徴とするブロッホラインメ
モリ素子。5、上記請求項2ないし4記載の素子におい
て、上記強磁性体膜は磁性ガーネット膜であることを特
徴とするブロッホラインメモリ素子。
[Claims] 1. A ferromagnetic film formed on a substrate surface so that the (111) plane is the film surface, and a large number of Bloch line pairs are arranged in the domain walls of striped magnetic domains. In a memory element serving as an information carrier, the edges of the mask pattern of the group are etched into the ferromagnetic film to fix the striped magnetic domain so that the edge shape of the group is the same at both ends of the group. A Bloch line memory element characterized by shape correction. 2. In claim 1, the longitudinal direction is the crystal orientation of the ferromagnetic film [11■], [■■2], [1■
1], [■2■], [■11], and [2■■] Bloch line memory in which Bloch line pairs existing in the domain walls of striped magnetic domains arranged in parallel with any one of [■2■], [■11], and [2■■] serve as information carriers. In the element, the shape of the end of the group mask pattern dug into the ferromagnetic film to fix the striped magnetic domain is aligned with the crystal orientation [11
■], [1■1], and [■11] directions have a convex shape, and [■■2], [■2■], and [2■■] directions have a concave shape. Bloch line memory element. 3. In claim 1, the longitudinal direction is the crystal orientation of the ferromagnetic film [11■] and [■■2
], [1■1] and [■2■], [■11] and [2■
■] In a Bloch line memory element in which the information carrier is a Bloch line pair existing in the domain wall of a striped magnetic domain arranged parallel to one of the striped magnetic domains, a ferromagnetic film is dug in order to fix the striped magnetic domain. The end shape of the mask pattern of the group is convex at the end in the crystal orientation [11■], [1■1], [■11] direction of the ferromagnetic film, [■■2], [■2 A Bloch line memory element characterized by having a rectangular shape at the ends in the [2] and [2■■] directions. 4. In claim 1, the longitudinal direction is the crystal orientation of the ferromagnetic film [11■], [■■2], [1■
1], [■2■], [■11], and [2■■] Bloch line memory in which Bloch line pairs existing in the domain walls of striped magnetic domains arranged in parallel with any one of [■11] and [2■■] serve as information carriers. In the element, the shape of the end of the group mask pattern dug into the ferromagnetic film to fix the striped magnetic domain is aligned with the crystal orientation [11
It is characterized by having a rectangular shape at the ends in the [■■2], [■2■], and [2■■] directions, and a concave shape at the ends in the [■■2], [■2■], and [2■■] directions. Bloch line memory element. 5. The Bloch line memory device according to claim 2, wherein the ferromagnetic film is a magnetic garnet film.
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