JPH0473797A - Liquid crystal driving circuit and semiconductor integrated circuit - Google Patents

Liquid crystal driving circuit and semiconductor integrated circuit

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JPH0473797A
JPH0473797A JP18775990A JP18775990A JPH0473797A JP H0473797 A JPH0473797 A JP H0473797A JP 18775990 A JP18775990 A JP 18775990A JP 18775990 A JP18775990 A JP 18775990A JP H0473797 A JPH0473797 A JP H0473797A
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Yoshifumi Sakaguchi
芳文 坂口
Kyoji Ito
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Hitachi Ltd
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Abstract

PURPOSE:To check the occurrence of a through current in the case of changing a clock signal by controlling the actions of 1st and 2nd circuits which control to switch level voltage with a control signal having a specified logical value so that the level voltage of both circuits may be temporarily in a non-selective state. CONSTITUTION:Driving buffers DBUF1-DBUF110 are provided for respective output terminals S1-S110. In the P channel type MOSFET P1 and P2 and N channel type MOSFET N1and N2 of the respective buffers DBUF1-FBUF110,the through current is surely prevented from occurring when the switching state of the P channel type MOSFET and the N channel type MOSFET is inverted, because what should be turned on it turned on after what should be turned off is turned off by the level inversion of a frame switching signal FRM.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、液晶駆動回路、ことにドツトマトリクス型の
液晶ディスプレイの信号電極を駆動する液晶駆動回路に
関し、例えば液晶ディスプレイの信号電極に表示信号を
供給するための多数の出力端子を有する半導体集積回路
化された液晶駆動回路に適用して有効な技術に関するも
のである。
Detailed Description of the Invention [Field of Industrial Application] The present invention relates to a liquid crystal drive circuit, particularly a liquid crystal drive circuit that drives signal electrodes of a dot matrix type liquid crystal display. The present invention relates to a technique that is effective when applied to a liquid crystal drive circuit formed into a semiconductor integrated circuit and having a large number of output terminals for supplying the same.

〔従来の技術〕 液晶表示素子がマトリクス配置されたドツトマトリクス
型の液晶ディスプレイは、複数本の走査電極とこれに交
差的配置を採る複数本の信号電極を持ち、順番に走査電
極に走査電圧が与えられるとき、これに同期して信号電
極に表示信号が与えられることによって表示が行われる
。この表示駆動においては、液晶表示素子の劣化防止の
ために所謂交流駆動が行われる。即ち、信号電極に表示
信号を与えるための液晶駆動回路において、液晶表示素
子を駆動するためのレベル電圧を表示フレーム毎に高レ
ベル側と低レベル側との間で交互に切り換え、そのとき
のレベル電圧の点灯レベル又は非点灯レベルを表示デー
タに基づいて選択して、信号電極に供給する。例えば第
6図に示されるように、高レベル側のレベル電圧が20
Vと24V、低レベル側のレベル電圧がOvと4vとす
ると、フレーム切り替え信号FRMがハイレベルにされ
る期間では、ナントゲートNAI、NA2の動作が選択
可能にされ、このとき表示データDATA1が点灯を意
味するときはレベルシフト回路LS2の相補出力信号に
よってナントゲ−1−N A 1の出力がローレベルに
され、これによって表示信号出力端子S1にはI〕チャ
ンネル型MO3FETP1を介して2.4 Vの電圧が
供給される。表示データが非点灯を意味するときは表示
信号出力端子S1にはPチャンネル型MO8F1ΣT 
P 2を介して20Vの電圧が供給される。一方フレー
ム切り替え信号FRMがローレベルにされる期間では、
ノアゲートNRI、NR2の動作が選択可能にされ、表
示データDATA1が点灯を指示するときはレベルシフ
ト回路LS2の相補出力信号によってノアゲートNRI
の出力がローレベルにされ、これによって表示信号出力
端子S1にはNチャンネル型MO3FETN2を介して
Ovの電圧が供給される。表示データが非点灯を指示す
るときは表示信号出力端子S1にはNチャンネル型MO
5FETNIを介して4vの電圧が供給される。尚、こ
のとき液晶ディスプレイのコモン電極には4■と20V
との間の中間レベルが順番に与えられるようになってい
る。
[Prior Art] A dot-matrix type liquid crystal display in which liquid crystal display elements are arranged in a matrix has a plurality of scanning electrodes and a plurality of signal electrodes that are arranged intersectingly with the scanning electrodes, and a scanning voltage is sequentially applied to the scanning electrodes. When the signal is applied, a display signal is applied to the signal electrode in synchronization with this, thereby performing display. In this display drive, so-called AC drive is performed to prevent deterioration of the liquid crystal display element. That is, in a liquid crystal drive circuit for applying a display signal to a signal electrode, the level voltage for driving the liquid crystal display element is alternately switched between a high level side and a low level side for each display frame, and the level at that time is changed. The lighting level or non-lighting level of the voltage is selected based on the display data and is supplied to the signal electrode. For example, as shown in Figure 6, the level voltage on the high level side is 20
V and 24V, and the level voltage on the low level side is Ov and 4V, the operation of the Nant gates NAI and NA2 can be selected during the period when the frame switching signal FRM is set to high level, and at this time, the display data DATA1 lights up. When this means, the complementary output signal of the level shift circuit LS2 makes the output of the Nant game 1-N A 1 low level, and thereby the display signal output terminal S1 receives 2.4 V via the I] channel type MO3FETP1. voltage is supplied. When the display data means non-lighting, the display signal output terminal S1 is a P-channel type MO8F1ΣT.
A voltage of 20V is supplied via P2. On the other hand, during the period when the frame switching signal FRM is at low level,
When the operations of the NOR gates NRI and NR2 are made selectable and the display data DATA1 instructs lighting, the NOR gates NRI and NR2 are switched on by the complementary output signal of the level shift circuit LS2.
The output of is set to a low level, whereby a voltage of Ov is supplied to the display signal output terminal S1 via the N-channel type MO3FETN2. When the display data instructs non-lighting, the display signal output terminal S1 is connected to an N-channel MO
A voltage of 4v is supplied via 5FETNI. At this time, 4■ and 20V are applied to the common electrode of the liquid crystal display.
Intermediate levels between are given in order.

尚、液晶駆動回路について記載された文献の例としては
昭和60年12月25日オーム社発行の[マイクロコン
ピュータハンドブック」第412頁及び第413頁があ
る。
An example of a document describing the liquid crystal drive circuit is "Microcomputer Handbook" published by Ohm Publishing, December 25, 1985, pages 412 and 413.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

本発明者は第6図に示されるような液晶駆動回路の電力
消費について検討したところ、フレーム切り替え信号F
RMのレベル反転時に特に大きな電力が消費されること
を見出した。これは、フレーム切り替え信号FRMがレ
ベル反転されると、MO5FETPI、P2.N1.N
2によって選択されるべきレベル電圧は、相対的に高レ
ベル側の24V又は20Vと相対的に低レベル側のOv
又は4vとの間で変化されるが、それに対するM○5F
ETPl又はP2とMO3FETNI又はN2の過渡応
答期間には高レベル側から低レベル側のレベル電源に向
けて貫通電流を生じ、しかもこのような貫通電流は並列
された全ての出力端子に対応するバッファ回路で同時的
に発生し得るからである。さらに1系統のフレーム切り
替え信号FRMだけで全ての出力端子に対応する多数の
ノアゲートやナントゲートの動作を制御しているため、
フレーム切り替え信号RRMの駆動端から離れるほど同
信号FRMの変化が信号遅延で緩慢になり、貫通電流は
一層増大する。特に、バッテリー駆動されるようなラッ
プトツブ型パーソナルコンピュータや電子手帳等におい
ては充電されれたバッテリーの寿命を著しく低下させ、
その使い勝手を悪化させることが予想される。
The inventor studied the power consumption of a liquid crystal drive circuit as shown in FIG. 6, and found that the frame switching signal F
It has been found that a particularly large amount of power is consumed when the RM level is inverted. When the level of the frame switching signal FRM is inverted, MO5FETPI, P2. N1. N
The level voltage to be selected by 2 is 24V or 20V on the relatively high level side and Ov on the relatively low level side.
or 4v, but M○5F for that
During the transient response period of ETPl or P2 and MO3FETNI or N2, a through current is generated from the high level side to the low level side level power supply, and this through current is caused by the buffer circuit corresponding to all the parallel output terminals. This is because they can occur simultaneously. Furthermore, since only one frame switching signal FRM controls the operation of numerous NOR gates and Nant gates corresponding to all output terminals,
The further away from the drive end of the frame switching signal RRM, the slower the change in the signal FRM becomes due to signal delay, and the through current increases further. In particular, in battery-powered laptop-type personal computers, electronic notebooks, etc., the lifespan of the charged battery is significantly reduced.
It is expected that the usability will deteriorate.

本発明の目的は、液晶駆動回路を交流駆動するためのク
ロック信号の変化時に発生する貫通電流の発生を著しく
低減することができる液晶駆動回路を提供することにあ
る。
An object of the present invention is to provide a liquid crystal drive circuit that can significantly reduce the generation of through current that occurs when a clock signal for AC driving the liquid crystal drive circuit changes.

本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は本明細
書の記述並びに添付図面から明らかになるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば下記の通りである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、液晶表示素子を駆動するためのレベルミ圧を
クロック信号のレベル変化に応じて高レベル側と低レベ
ル側との間で交互に選択させる第1回路及び第2回路を
同タロツク信号のレベル変化に応じて双方共に一時的に
非選択状態にするための位相制御を行ってそれら第1回
路及び第2回路の動作制御信号を生成する信号生成手段
を設けるものである。
In other words, the first circuit and the second circuit alternately select the level pressure for driving the liquid crystal display element between the high level side and the low level side according to the level change of the clock signal, depending on the level change of the clock signal. A signal generating means is provided for generating operation control signals for the first circuit and the second circuit by performing phase control to temporarily bring both circuits into a non-selected state.

また、それとは別の若しくは類似の信号生成手段として
、第1回路及び第2回路に対し前記クロック信号のレベ
ル変化に応して相互に一方の非選択制御状態への変化後
に他方の選択制御状態への変化を許容するように、第1
及び第2回路のための位相制御された切り替え制御信号
をクロック信号に基づいて生成する構成を採用すること
もできる。
In addition, as another or similar signal generation means, the first circuit and the second circuit may be mutually changed to one non-selected control state and then changed to the other selected control state in response to a level change of the clock signal. The first
It is also possible to adopt a configuration in which a phase-controlled switching control signal for the second circuit is generated based on the clock signal.

これらの手段において、位相制御のための信号遅延とし
て、多数並列された第1回路の制御信号を例えばその終
端から第2回路のための制御信号ラインの基端側にフィ
ードバックさせる折り返し配線と、同様に多数並列され
た第2回路の制御信号を例えばその終端から第1回路の
ための制御信号ラインの基端側にフィードバックさせる
ための折り返し配線を採用することができる。例えば、
第1回路の制御端子に結合される制御信号配線と、第2
回路の制御端子に結合される制御信号配線とを、相互に
他方の配線の駆動端側論理ゲートに折り返し接続し、そ
の折り返し経路の信号によって相互に一方の状態変化を
他方で検出可能にすることにより、夫々の論理ゲートで
相互に一方の非選択状態への変化後に他方の選択状態へ
の変化を許容させるようにすることができる。
In these means, as a signal delay for phase control, the control signal of a large number of parallel first circuits is fed back from the terminal end to the base end side of the control signal line for the second circuit, for example, by folding wiring, and the like. It is possible to employ folded wiring for feeding back the control signals of a large number of parallel second circuits to the base end of the control signal line for the first circuit, for example, from the terminal end thereof. for example,
a control signal wiring coupled to a control terminal of the first circuit;
A control signal wiring coupled to a control terminal of a circuit is connected back to the drive end side logic gate of the other wiring, and a change in state of one can be detected by the other by a signal on the looped back route. Accordingly, each logic gate can mutually allow one to change to a non-selected state and then the other to change to a selected state.

また、位相制御のための信号遅延としてゲートの論理動
作若しくは動作遅延を利用する場合には、当該ゲートの
出力を第1回路及び第2回路の制御入力とする。
Further, when using the logic operation or operation delay of a gate as a signal delay for phase control, the output of the gate is used as the control input of the first circuit and the second circuit.

これら液晶駆動回路は半導体集積回路化することができ
ると共に、その場合には、外部端子から一方のポートを
介して供給される表示データを記憶するデュアルポート
型のバッファメモリと、バッファメモリの他方のポート
からから読出される表示データを保持して前記液晶駆動
回路に所定のタイミングで出力するラッチ回路とを含め
ることができる。
These liquid crystal drive circuits can be implemented as semiconductor integrated circuits, and in that case, a dual-port buffer memory that stores display data supplied from an external terminal through one port, and a dual-port buffer memory that stores display data supplied from an external terminal through one port, and a A latch circuit that holds display data read from the port and outputs it to the liquid crystal drive circuit at a predetermined timing can be included.

〔作 用〕[For production]

上記した手段よれば、液晶表示素子の交流的駆動に用い
られる高レベル側のレベル電圧と低レベル側のレベル電
圧との切り替えに際して、双方のレベル電圧は共に一時
的に非選択状態に制御され、これにより、レベル電圧切
り替えの過渡応答時に、高レベル側から低レベル側への
貫通電流の発生を抑制する。
According to the above means, when switching between a high level voltage and a low level voltage used for AC driving of a liquid crystal display element, both level voltages are temporarily controlled to a non-selected state, This suppresses the generation of through current from the high level side to the low level side during a transient response of level voltage switching.

折り返しされた配線の遅延を利用して第1回路と第2回
路のための選択制御信号に所定の位相差を得ることは、
ゲートの論理動作や動作遅延遅延を利用する場合に比べ
て遅延時間に対する動作マージンの設定が不要になると
共に回路素子数の低減に寄与し、容易に且つ高い信頼性
をもって前記貫通電流の発生を抑止する。
Obtaining a predetermined phase difference between the selection control signals for the first circuit and the second circuit by using the delay of the folded wiring is as follows:
Compared to the case of using gate logic operation or operation delay delay, it becomes unnecessary to set an operation margin for delay time, contributes to a reduction in the number of circuit elements, and suppresses the occurrence of the through current with ease and high reliability. do.

〔実 施 例〕〔Example〕

第5図には本発明の一実施例に係る液晶駆動回路を適用
した液晶表示システムの一例が示されている。
FIG. 5 shows an example of a liquid crystal display system to which a liquid crystal drive circuit according to an embodiment of the present invention is applied.

同図において1は、ドツトマトリクス型の液晶ディスプ
レイであり、複数個の液晶表示素子がマトリクス配置さ
れ、同図の横方向に配置された複数本の走査電極と、こ
れに交差的配置を採る複数本の信号電極とを持ち、順番
に走査電極に走査電圧が与えられるとき、これに同期し
て信号電極に表示信号が与えられることによって表示が
行われる。
In the figure, reference numeral 1 denotes a dot matrix type liquid crystal display, in which a plurality of liquid crystal display elements are arranged in a matrix, a plurality of scanning electrodes are arranged in the horizontal direction of the figure, and a plurality of scanning electrodes are arranged in a crosswise manner. When a scanning voltage is sequentially applied to the scanning electrodes, display is performed by applying a display signal to the signal electrodes in synchronization with this.

第5図において2は、その液晶ディスプレイlの走査電
極に操作電圧を与えるための半導体集積回路化されたコ
モンドライバ、3はその液晶ディスプレイ1の信号電極
に表示信号を与えるための半導体集積回路化されたセグ
メント(・ライバである。前記コモンドライバ2はフレ
ーム切り替え信号FRMとライン同期信号LSYなどを
セグメントドライバ3に与えて走査電極の駆動に信号電
極の駆動を同期させる。前記コモンドライバ2及びセグ
メントドライバ3は共通バス4に接続されたプロセッサ
5によって表示制御される。
In FIG. 5, 2 is a common driver implemented as a semiconductor integrated circuit for applying an operating voltage to the scanning electrode of the liquid crystal display 1, and 3 is a common driver implemented as a semiconductor integrated circuit for applying a display signal to the signal electrode of the liquid crystal display 1. The common driver 2 provides a frame switching signal FRM, a line synchronization signal LSY, etc. to the segment driver 3 to synchronize the drive of the signal electrode with the drive of the scan electrode.The common driver 2 and the segment The display of the driver 3 is controlled by a processor 5 connected to a common bus 4.

前記セグメン1〜ドライバ3は、デュアルポートを持つ
フレームバッファメモリ10と、少なくとも入力段と出
力段の直列2段で構成されたデータラッチ回路11と、
本発明に係る液晶駆動回路12とを含んで構成される。
The segments 1 to driver 3 each include a frame buffer memory 10 having dual ports, and a data latch circuit 11 composed of at least two stages in series, an input stage and an output stage.
The liquid crystal drive circuit 12 according to the present invention is included.

前記フレームバッファメモリ10は、プロセッサ5など
のアクセス制御により共通バス側から表示データが供給
されるポートと、データラッチ回路11の入力端子に接
続するポートを持ち、双方のポートに対するデータの入
出力制御はプロセッサ5が行う。
The frame buffer memory 10 has a port to which display data is supplied from the common bus side under access control of the processor 5, etc., and a port connected to the input terminal of the data latch circuit 11, and controls input/output of data to both ports. is performed by the processor 5.

第1図には前記液晶駆動回路12の一例が示される。FIG. 1 shows an example of the liquid crystal drive circuit 12. As shown in FIG.

この液晶駆動回路12は、液晶表示素子を駆動するため
のレベル電圧を表示フレーム毎に高レベル側Vl、V3
と低レベル側V2.V4との間で交互に切り換え、その
ときのレベル電圧の点灯レベル又は非点灯レベルを表示
データDATA1〜DATA1]、Oに基づいて選択し
て、信号電極に供給するようにして、表示電極を交流的
に駆動するものである。
This liquid crystal drive circuit 12 sets level voltages for driving the liquid crystal display elements to high level sides Vl and V3 for each display frame.
and low level side V2. V4, and the lighting level or non-lighting level of the level voltage at that time is selected based on the display data DATA1 to DATA1], O, and is supplied to the signal electrode. It is driven by

第1図において81〜5110は、液晶ディスプレイl
の信号電極に供給すべき並列化された表示信号を出力す
るための複数個の出力端子である。
In FIG. 1, 81 to 5110 are liquid crystal displays l.
These are a plurality of output terminals for outputting parallelized display signals to be supplied to the signal electrodes.

個々の出力端子81〜5110毎に駆動バッファD B
 U F 1〜DBUFIIOが設けられている。
Drive buffer D B for each output terminal 81 to 5110
UF1 to DBUFIIO are provided.

第1図では代表的に初段の駆動バッファDBUF1の構
成が詳細に示されているが、その他も同様である。個々
の出力端子81〜5iloには、液晶表示素子を点灯並
びに非点灯駆動するための高レベル側のレベル電圧Vl
、V3と低レベル側のレベル電圧V2.V4を夫々供給
するための高レベル側選択スイッチ素子の一例としての
Pチャンネル型MO8FETPI、P2及び低レベル側
選択スイッチ素子の一例としてのNチャンネル型MO3
FETNI、N2が接続される。
Although FIG. 1 typically shows the configuration of the first-stage drive buffer DBUF1 in detail, the rest is the same. The individual output terminals 81 to 5ilo are supplied with a high level voltage Vl for driving the liquid crystal display element to turn on or off.
, V3 and the lower level side level voltage V2. P-channel type MO8FETPI, P2 as an example of a high-level side selection switch element for supplying V4, and N-channel type MO3 as an example of a low-level side selection switch element.
FETNI and N2 are connected.

前記MO3FETPI、P2のスイッチ制御は高レベル
側選択制御ゲートの一例としての2人力型ナントゲート
NAI、NA2が行い、また、MO3FETNI、N2
のスイッチ制御は低レベル側選択制御ゲートの一例とし
ての2人力型ノアゲートNRI、NR2が行う。ナント
ゲートNAI。
Switch control of the MO3FETPI and P2 is performed by two-manual type Nantes gates NAI and NA2, which are an example of high-level side selection control gates, and MO3FETNI and N2
The switch control is performed by two-manual NOR gates NRI and NR2, which are examples of low-level side selection control gates. Nantes Gate NAI.

NA2の一方の入力には信号線20を介して信号FRM
−NAが与えられ、ノアゲートNRI、NR2の一方の
入力には信号線21を介して信号FRM−NRが与えら
れる。また、ゲートNAI。
The signal FRM is connected to one input of NA2 via the signal line 20.
-NA is applied, and a signal FRM-NR is applied via the signal line 21 to one input of the NOR gates NRI and NR2. Also, gate NAI.

NRIの他方の入力にはレベルシフタLS2の正転出力
が与えられ、ゲートNA2.NR2の他方の入力にはレ
ベルシフタLS2の反転出力が与えられる。レベルシフ
タLS2は表示データDATA1をレベル変換し、相補
的な正転レベルと反転レベルを出力する。例えば点灯を
意味する論理1の表示データDATAIが5vであると
すると、レベルシフタLS2は24Vの正転レベルとO
vの反転レベルを出力し、また、非点灯を意味する論理
Oの表示データDATA1がOvであるとすると、レベ
ルシフタLS2はOvの正転レベルと24、 Vの反転
レベルを出力する。
The other input of NRI is given the normal output of the level shifter LS2, and the gate NA2. The other input of NR2 is given the inverted output of level shifter LS2. The level shifter LS2 level-converts the display data DATA1 and outputs a complementary normal level and an inverted level. For example, if the display data DATAI of logic 1, which means lighting, is 5V, the level shifter LS2 is set to the normal rotation level of 24V and the output voltage of 24V.
If the display data DATA1 of logic O, which means non-lighting, is Ov, the level shifter LS2 outputs the normal level of Ov and the inverted level of 24,V.

前記信号FRM−NA、FRM−NRはフレーム切り替
え信号FRMを入力するタイミング発生回路TOから出
力される。信号FRM−NA及びFRM −N Rは双
方共に到達レベルは一致され、その到達レベルはフレー
ム切り替え信号FRMの変化に同期して交互にハイレベ
ルとローレベルに変化される。信号FRM−NA及びF
RM−NRがハイレベルのときは、ナントゲートNAI
又はNA2が表示データDATA1の点灯又は非点灯指
示に応じて選択的にローレベルを出力し、MO8FET
P1又はP2によりレベル電圧V1又は■3を端子S1
に供給する。このときノアゲートNRI及びNR2は共
にローレベルを出力して低レベル側レベル電圧V2.V
4を一切選択しない。
The signals FRM-NA and FRM-NR are output from the timing generation circuit TO which inputs the frame switching signal FRM. The reached levels of both the signals FRM-NA and FRM-NR are the same, and the reached levels are alternately changed to high and low levels in synchronization with changes in the frame switching signal FRM. Signal FRM-NA and F
When RM-NR is high level, Nant Gate NAI
Alternatively, NA2 selectively outputs a low level in response to the lighting or non-lighting instruction of display data DATA1, and MO8FET
Level voltage V1 or ■3 is set to terminal S1 by P1 or P2.
supply to. At this time, the NOR gates NRI and NR2 both output low level, and the low level side level voltage V2. V
Do not select 4 at all.

また、信号FRM−NA及びFRM−NRがローレベル
のときは、ノアゲートNRI又はNR2が表示データD
ATAIの点灯又は非点灯指示に応して選択的にハイレ
ベルを出力し、MO3FETN1又はN2によりレベル
電圧v2又は■4を端子S1に供給する。このときナン
トゲートNAI及びNA2は共にハイレベルを出力して
高レベル側レベル電圧Vl、V3を一切選択しない。
Furthermore, when the signals FRM-NA and FRM-NR are at low level, the NOR gate NRI or NR2 is connected to the display data D.
It selectively outputs a high level in response to an instruction to turn on or off ATAI, and supplies level voltage v2 or ■4 to terminal S1 by MO3FETN1 or N2. At this time, the Nant gates NAI and NA2 both output high level and do not select the high level side level voltages V1 and V3 at all.

このように、各駆動バッファDBUFI〜DBUF11
oのゲートNAI、NA2.NRI、NR2は、フレー
ム切り替え信号FRMのレベルに応じてレベル電圧を交
互に高レベル側と低レベル側との間で切り換え選択させ
ると共に、選択されるべきレベル電圧の点灯レベル又は
非点灯レベルを表示データに基づいて選択させる。
In this way, each drive buffer DBUFI to DBUF11
o gates NAI, NA2. NRI and NR2 alternately switch and select the level voltage between the high level side and the low level side according to the level of the frame switching signal FRM, and display the lighting level or non-lighting level of the level voltage to be selected. Let them choose based on data.

このとき、前記タイミング発生回路TG及び信号FRM
−NA、FRM−NRの伝達経路は、フレーム切り替え
信号FRMの変化に同期して全ての駆動バッファDBU
FI〜DBUFIIOに含まれる選択制御ゲートNAI
、NA2.NRI。
At this time, the timing generation circuit TG and the signal FRM
-NA, FRM-NR transmission path connects all drive buffers DBU in synchronization with changes in frame switching signal FRM.
Selection control gate NAI included in FI to DBUFIIO
, NA2. N.R.I.

NR2を、−時的にレベル電圧を非選択状態に制御する
ようになっている。
The level voltage of NR2 is temporarily controlled to a non-selected state.

すなわち、前記信号線20の基端には2人力ナンドゲー
トとインバータで構成されたアンドゲートAND1の出
力端子が結合され、また、前記信号線21の基端には2
人カッアゲートとインバータで構成されたオアゲートO
RIの出力端子が結合されていて、信号線20の終端は
折り返し信号線22に結合されて、偶数段のインバータ
から成る波形成型回路DN20を経由してオアゲートO
R1の一方の入力に結合され、また、信号線21の終端
は折り返し信号線23に結合されて、偶数段のインバー
タから成る遅延回路若しくは波形成型回路DNIOを経
由してアンドゲートAND 1の一方の入力に結合され
る。アンドゲートA N i)1及びオアゲート○R1
の他方の入力には、フレーム切り替え信号FRMを内部
動作に適したレベルに変換するレベルシックLSIの出
力が与えられる。
That is, the base end of the signal line 20 is connected to the output terminal of an AND gate AND1 composed of a two-man NAND gate and an inverter, and the base end of the signal line 21 is connected to
OR gate O consisting of a human gate and an inverter
The output terminal of the RI is coupled, and the terminal end of the signal line 20 is coupled to a folded signal line 22, which is connected to an OR gate O via a waveform type circuit DN20 consisting of an even number of stages of inverters.
The terminal end of the signal line 21 is connected to the folded signal line 23, and the terminal of the signal line 21 is connected to one input of the AND gate AND1 via a delay circuit or waveforming circuit DNIO consisting of an even number of stages of inverters. Combined with the input. AND GATE A N i) 1 and OR GATE ○R1
The output of a level thick LSI that converts the frame switching signal FRM to a level suitable for internal operation is given to the other input of the FRM.

この駆動回路の作用を第4図をも参照しながら説明する
The operation of this drive circuit will be explained with reference to FIG. 4 as well.

時刻し1よりも前の状態において信号FRM−NR及び
FRM−NAはローレベルに到達されており、この状態
では表示データDATA1に応じてMO8FETN1又
はN2がオン動作され、低レベル側レベル電圧v2又は
■4を出力可能になっている。
In the state before time 1, the signals FRM-NR and FRM-NA have reached the low level, and in this state, MO8FETN1 or N2 is turned on according to the display data DATA1, and the low level side level voltage v2 or ■It is possible to output 4.

時刻t1にフレーム切り替え信号FRMがローレベルか
らハイレベルに変化されると、オアゲートORIはその
出力信号FRM−NRをレベル反転し、この変化は信号
線21を介して駆動バッファDBUFIからDBUFI
IOへ伝達される。
When the frame switching signal FRM is changed from a low level to a high level at time t1, the OR gate ORI inverts the level of its output signal FRM-NR, and this change is transmitted from the drive buffer DBUFI to the DBUFI via the signal line 21.
Transferred to IO.

この信号変化は、夫々の駆動バッファDBUFI〜DB
UF110に含まれるノアゲートNRI。
This signal change corresponds to each drive buffer DBUFI~DB.
Noah Gate NRI included in UF110.

NR2の入力ゲート容量や配線の寄生容量そして配線抵
抗などの影響によって遅延しながら終端の駆動バッファ
DBUF110に向けて伝達され、この状態が折り返し
配線23を通して波形成型回路DNIOで検出されて初
めて反対側のアンドゲートAND1の出力信号FRM−
NAがレベル反転される(時刻t2)。このように、フ
レーム切り替え信号FRMがハイレベルに反転されると
きは、駆動バッファDBUF1〜DBUF1.10に含
まれる全てのMO3FETNI及びN2がカット・オフ
されるまで、全てのMOSFETPI及びP2はカット
・オフ状態を維持する。
It is transmitted to the drive buffer DBUF110 at the end with a delay due to the influence of the input gate capacitance of NR2, the parasitic capacitance of the wiring, the wiring resistance, etc., and it is not until this state is detected by the waveforming circuit DNIO through the folded wiring 23 that it is transmitted to the opposite side. Output signal FRM- of AND gate AND1
The level of NA is inverted (time t2). In this way, when the frame switching signal FRM is inverted to high level, all MOSFETs PI and P2 are cut off until all MO3FETNI and N2 included in drive buffers DBUF1 to DBUF1.10 are cut off. maintain the condition.

双方の信号FRM−NR及びFRM−NAがハイレベル
に到達された状態では、表示データDATAIに応じて
MOSFETPI又はP2がオン動作され、高レベル側
レベル電圧■1又は■3を出力可能になっている。
When both signals FRM-NR and FRM-NA reach a high level, MOSFET PI or P2 is turned on according to display data DATAI, and it becomes possible to output high-level side level voltage ■1 or ■3. There is.

次いで、時刻t3にフレーム切り替え信号FRMがハイ
レベルからローレベルに変化されると、アンドゲートA
ND1はその出力信号FRM−NAをレベル反転し、こ
の変化は信号線20を介して駆動バッファDBUF1か
らDBUFIIOへ伝達される。この信号変化は、夫々
の駆動バッファD F3 U F 1〜DBUFIIO
に含まれるナントゲートNAI、NA2の入力ゲート容
量や配線の寄生容量そして配線抵抗などの影響によって
遅延しながら終端の駆動バッファDBUFIIOに向け
て伝達され、この状態が折り返し配線22を通して波形
成型回路DN20で検出されて初めて反対側のオアゲー
トORIの出力信号FRM−NRがレベル反転される(
時刻t4)。このように、フレーム切り替え信号FRM
がローレベルに反転されるときは、駆動バッファDBU
FI〜DBUF110に含まれる全てのMOSFETP
I及びP2がカット・オフされるまで、全てのMO5F
ETNI及びN2はカット・オフ状態を維持する。
Next, when the frame switching signal FRM is changed from high level to low level at time t3, AND gate A
ND1 inverts the level of its output signal FRM-NA, and this change is transmitted via signal line 20 from drive buffer DBUF1 to DBUFIIO. This signal change is caused by the respective drive buffers D F3 UF 1 to DBUFIIO
The state is transmitted to the drive buffer DBUFIIO at the end with a delay due to the influence of the input gate capacitance of the Nant gates NAI and NA2 included in the circuit, the parasitic capacitance of the wiring, and the wiring resistance, and this state is transmitted to the waveforming circuit DN20 through the folded wiring 22. Only after detection, the level of the output signal FRM-NR of the OR gate ORI on the opposite side is inverted (
Time t4). In this way, the frame switching signal FRM
When DBU is inverted to low level, the drive buffer DBU
All MOSFETs included in FI~DBUF110
All MO5F until I and P2 are cut off
ETNI and N2 remain cut off.

したがって、フレーム切り替え信号FRMのレベル反転
に応答してMO5FETPI、P2.N1、N2のスイ
ッチ状態が変化されるとき、Pチャンネル型MO8FE
TPI、P2とNチャンネル型MO,5FETNI、N
2は絶対同時にオン状態を採らず、その過渡応答時に高
レベル側レベル電圧から低レベル側レベル電圧に向けて
貫通電流が流れることを確実に阻止する。例えば時刻t
3までの1フレームの最後の表示データDATA1がハ
イレベルであるとすると、時刻t3の直前においてはM
O8FETPIがオン状態にされていて端子S1には2
4Vのレベル電圧が供給されている、この状態でフレー
ム切り替え信号FRMがレベル反転されると、今度はM
O8FETN2が選択され、出力端子S1にOvのレベ
ル電圧が供給されることになる。このときMO8FET
PIがカット・オフするまでMO8FETN2はターン
・オンしないから、24Vから0■に向けて貫通ずる電
流は一切生しない。
Therefore, in response to the level inversion of the frame switching signal FRM, MO5FETPI, P2. When the switch states of N1 and N2 are changed, the P-channel type MO8FE
TPI, P2 and N-channel type MO, 5FETNI, N
2 never assume the ON state at the same time, and reliably prevents a through current from flowing from the high level side level voltage to the low level side level voltage during the transient response. For example, time t
Assuming that the last display data DATA1 of one frame up to 3 is at a high level, immediately before time t3, M
O8FETPI is turned on and terminal S1 has 2
When the level of the frame switching signal FRM is inverted in this state where a level voltage of 4V is supplied, this time M
O8FETN2 is selected and a level voltage of Ov is supplied to the output terminal S1. At this time MO8FET
Since MO8FETN2 does not turn on until PI is cut off, no current flows through it from 24V to 0■.

上記実施例によれば以下の効果を得る。According to the above embodiment, the following effects are obtained.

(1)各駆動バッファDBUP1〜DBUFIIOのP
チャンネル型MO8FETPI、P2とNチャンネル型
MO8FETNI、N2は、フレーム切り替え信号FR
Mのレベル反転によってターン・オンすべきものがター
ン・オフした後にターン・オンすべきものがターン・オ
ンするから、Pチャンネル型MO8FETとNチャンネ
ル型MO8FETのスイッチ状態の反転時に貫通電流が
発生するのを確実に防止することができる。
(1) P of each drive buffer DBUP1 to DBUFIIO
Channel type MO8FETPI, P2 and N-channel type MO8FETNI, N2 are frame switching signals FR.
By reversing the level of M, things that should be turned on are turned off, and then those that should be turned on are turned on, so it is possible to prevent through current from occurring when the switch states of the P-channel type MO8FET and the N-channel type MO8FET are reversed. This can be reliably prevented.

(2)特に、並列出力信号数が多く、且つ動作電圧が比
較的高い半導体集積回路化されたセグメントドライバ全
体の無駄な電力消費を抑えることができ、バッテリー駆
動される表示装置に最適となる。
(2) In particular, wasteful power consumption of the entire segment driver, which is a semiconductor integrated circuit with a large number of parallel output signals and a relatively high operating voltage, can be suppressed, making it ideal for battery-powered display devices.

(3)ターン・オフすべきものがターン・オフした状態
をターン・オンすべきMOSFETの制御にフィードバ
ックする手段として信号FRM−NAやFRAM−NR
の折り返し配線22.23を利用することにより、その
折り返し信号の伝達時間を専らゲート遅延で代替するよ
うな場合に比べて遅延量に動作マージンを確保しなくて
もよく、設計の簡単化、プロセスばらつきによる影響の
排除、そして動作の信頼性保証という効果を得る。
(3) Signals FRM-NA and FRAM-NR are used as a means to feed back the turned-off state of something that should be turned off to the control of the MOSFET that should be turned on.
By using the return wiring 22 and 23, there is no need to secure an operating margin for the amount of delay compared to the case where the transmission time of the return signal is replaced exclusively with gate delay, which simplifies the design and process. This has the effect of eliminating the influence of variations and guaranteeing operational reliability.

第2図には液晶駆動回路の別の例が示される。FIG. 2 shows another example of a liquid crystal drive circuit.

同図の例は、上記実施例のように信号FRM−NA、F
RM−NRそれ自体を配線で折り返す代わりに、最終段
の駆動バッファDBUFIIOに含まれるノアゲートN
RI、NR2の出力を2人力とするノアゲートNR3と
、該駆動バッファDBUFIIOに含まれるナントゲー
トNAI、NA2の出力を2人力とするナントゲートN
A3とを設け、そのノアゲートNR3の出力をアンドゲ
ートANDIの入力にフィードバックすると共に、ナン
トゲートNA3の出力をオアゲートORIの入力にフィ
ードバックする。この構成においても、信号FRM−N
AとFRM−NRは第4図と同様のタイミングを持って
変化され、貫通電流の発生を防止する。
The example in the figure uses the signals FRM-NA and FRM-NA as in the above embodiment.
Instead of wrapping the RM-NR itself with wiring, the NOR gate N included in the final stage drive buffer DBUFIIO
A NOR gate NR3 that requires the output of RI and NR2 to be powered by two people, and a Nant gate N that requires the output of the Nant gates NAI and NA2 included in the drive buffer DBUFIIO to be powered by two people.
A3 is provided, and the output of the NOR gate NR3 is fed back to the input of the AND gate ANDI, and the output of the NAND gate NA3 is fed back to the input of the OR gate ORI. In this configuration as well, the signal FRM-N
A and FRM-NR are changed with the same timing as in FIG. 4 to prevent the generation of through current.

第3図には液晶駆動回路のさらに別の例が示される。FIG. 3 shows yet another example of the liquid crystal drive circuit.

同図の例は、レベルシフタLSIから出力される1系統
の信号FRM−Cを各駆動バッファDBUFI〜DBU
FIIOに含まれるナントゲートNAI、NA2及びノ
アゲートNRI、NR2に供給する例であり、このとき
夫々のナントゲートNAI、NA2及びノアゲートNR
I、NR2は3人力型とされ、各ナントゲートNAI、
NA2の追加された入力には前記前記ノアゲートNR3
の出力が共通接続され、また、各ノアゲートNR1、N
R2の追加された入力には前記前記ナントゲートNA3
の出力が共通接続される。この例においても、各駆動バ
ッファDBUF1〜DBUF110(7)Pチャンネル
型MO8FETPI、P2とNチャンネル型MO8FE
TNI、N2は、フレーム切り替え信号FRMのレベル
反転によってターン・オフすべきものがターン・オフし
た後に、ターン・オンすべきものがターン・オンするが
ら、Pチャンネル型MO8FETとNチャンネル型M0
5FETのスイッチ状態の反転時に貫通電流が発生する
のを確実に防止することができる。
In the example shown in the figure, one system of signal FRM-C output from the level shifter LSI is sent to each drive buffer DBUFI to DBU.
This is an example of supplying to the Nant gates NAI, NA2 and Noah gates NRI, NR2 included in FIIO.
I, NR2 are three-man powered, and each Nantes gate NAI,
The added input of NA2 is the NOR gate NR3.
The outputs of the NOR gates NR1, N
The added input of R2 has the said Nantes gate NA3.
The outputs of are connected in common. In this example as well, each drive buffer DBUF1 to DBUF110 (7) P channel type MO8FETPI, P2 and N channel type MO8FE
TNI and N2 turn off what should be turned off by the level inversion of the frame switching signal FRM, and then turn on what should be turned on.
It is possible to reliably prevent a through current from occurring when the switch state of the 5FET is reversed.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づいて
具体的に説明したが1本発明はそれに限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可
能であることはいうまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described above based on examples, it goes without saying that the present invention is not limited thereto and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. .

例えばMO5FETPI、P2並びにN4.N2をスイ
ッチ制御する選択制御ゲートはナントゲートとノアゲー
トに限定されず、適宜変更することができ、要はフレー
ム切り替え信号FRM及び表示データに基づいて交流的
に液晶表示素子を駆動可能な論理を持てばよい。また、
駆動バッファの数や表示信号の出力端子数も適宜変更す
ることができる。また、第1図の構成において、波形成
型回路DNIO,DN20は省略することもできる。ま
た、第2図の構成にいて、ノアゲートNR3やナントゲ
ートNA3の入力に結合される駆動バッファは最終段の
ものに限定されず、遅延時間を管理し得るその他のゲー
トを当該ノアゲートNR3やナンドゲ−1−N A 3
の入力又は出力側に介在させればどの位置であってもよ
い。
For example MO5FETPI, P2 and N4. The selection control gate that switches and controls N2 is not limited to the Nant gate and the Norr gate, and can be changed as appropriate.The key is to have logic that can drive the liquid crystal display element in an alternating current manner based on the frame switching signal FRM and display data. Bye. Also,
The number of drive buffers and the number of display signal output terminals can also be changed as appropriate. Furthermore, in the configuration of FIG. 1, the waveforming circuits DNIO and DN20 can be omitted. Furthermore, in the configuration shown in FIG. 2, the drive buffer coupled to the input of the NOR gate NR3 and the NAND gate NA3 is not limited to the one at the final stage, and other gates that can manage the delay time are connected to the NOR gate NR3 and the NAND gate 1-N A 3
It may be placed at any position as long as it is interposed on the input or output side of the input or output side.

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体集積回路化さ
れた専用のセグメントドライバに適用した場合について
説明したが、本発明はそれに限定さ九ず、液晶駆動回路
を内蔵する1チツプ型のマイクロコンピュータなどにも
適用することもできる。本発明は少なくとも液晶表示素
子を交流的に駆動する条件のものに適用することができ
る。
In the above explanation, the invention made by the present inventor was mainly applied to a dedicated segment driver implemented in a semiconductor integrated circuit, which is the background field of application, but the present invention is not limited thereto. The present invention can also be applied to a single-chip microcomputer with a built-in liquid crystal drive circuit. The present invention can be applied at least to conditions where a liquid crystal display element is driven in an alternating current manner.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本願に開示される発明のうち代表的なものによって得ら
れる効果を簡単に説明すれば下記の通りである。
A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、液晶表示素子の交流的駆動に用いられる高レ
ベル側のレベル電圧と低レベル側のレベル電圧との切り
替えに際して、レベル電圧を切り替え制御する第1回路
及び第2回路の動作を、夫々のために位相制御された制
御信号又は動作遅延や論理動作による所定の論理値を持
った制御信号によって、双方のレベル電圧を共に一時的
に非選択状態に制御することにより、レベル電圧切り替
えの過渡応答時に、高レベル側から低レベル側への貫通
電流の発生を抑制することができるという効果がある。
That is, when switching between a high-level level voltage and a low-level level voltage used for alternating current driving of a liquid crystal display element, the operations of the first circuit and the second circuit for controlling the switching of the level voltage are controlled, respectively. By temporarily controlling both level voltages to a non-selected state using a control signal that is phase-controlled or a control signal that has a predetermined logical value based on an operation delay or logic operation, it is possible to This has the effect of suppressing the generation of through current from the high level side to the low level side.

折り返しされた配線の遅延を利用して第1回路と第2回
路のための選択制御信号に所定の位相差を得ることによ
り、ゲートの論理動作や動作遅延遅延を利用する場合に
比べて遅延時間に対する動作マージンの設定が不要にな
ると共に回路素子数の低減に寄与し、容易に且つ高い信
頼性をもって前記貫通電流の発生を抑止することができ
る。
By using the delay of the folded wiring to obtain a predetermined phase difference between the selection control signals for the first circuit and the second circuit, the delay time is reduced compared to the case where the logic operation of the gate or the operation delay is used. This eliminates the need to set an operating margin for the current, contributes to a reduction in the number of circuit elements, and makes it possible to easily and reliably prevent the occurrence of the through current.

また、並列出力信号数が多く、且つ動作電圧が比較的高
い半導体集積回路化された液晶駆動回路全体の無駄な電
力消費を抑えることができ、バッテリー駆動されるよう
な液晶表示装置に最適化することができる。
In addition, it is possible to suppress wasteful power consumption of the entire liquid crystal drive circuit, which is a semiconductor integrated circuit with a large number of parallel output signals and a relatively high operating voltage, and is optimized for battery-powered liquid crystal display devices. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例に係る液晶駆動回路の回路図
、 第2図は液晶駆動回路の別の実施例回路図、第3図は液
晶駆動回路のさらに別の実施例回路図、 第4図は第1図に示される液晶駆動回路の動作説明用タ
イミングチャート、 第5図は液晶駆動回路を適用した半導体集積回路化され
たセグメントドライバ並びにそれを適用した表示システ
ムのブロック図で、 第6図は従来の液晶駆動回路の一例部分回路図である。 1・・液晶ディスプレイ、2・・・コモンドライバ、3
・・・セグメントドライバ、10山フレームバツフアメ
モリ、11・・・データラッチ回路、12・・・液晶駆
動回路、Vl、V3・・・高レベル側レベル電圧、V2
.V4・・・低レベル側レベル電圧、DATAI〜DA
TA110−・・表示データ、81〜5110・・・表
示信号出力端子、DBUFI〜DBUFIIO・・・駆
動バッファ、PL、P2・・・Pチャンネル型MO8F
ET (高レベル側選択スイッチ素子)、Nl、N2・
・・Nチャンネル型MO5FET (低レベル側選択ス
イッチ素子)、NAI、NA2  ・ナントゲート(高
レベル側選択ゲート)、NR1゜NR2・・・ノアゲー
ト(低レベル側選択ゲート)、TG・・・タイミング発
生回路、FRM・・・フレーム切り替え信号、FRM−
NA、FRM−NR・・・信号、NR3・・・ノアゲー
ト、NA3・・・ナントゲート。
FIG. 1 is a circuit diagram of a liquid crystal drive circuit according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram of another embodiment of the liquid crystal drive circuit, and FIG. 3 is a circuit diagram of yet another embodiment of the liquid crystal drive circuit. FIG. 4 is a timing chart for explaining the operation of the liquid crystal drive circuit shown in FIG. 1, and FIG. 5 is a block diagram of a segment driver implemented as a semiconductor integrated circuit to which the liquid crystal drive circuit is applied, and a display system to which the same is applied. FIG. 6 is a partial circuit diagram of an example of a conventional liquid crystal drive circuit. 1...Liquid crystal display, 2...Common driver, 3
...Segment driver, 10-mount frame buffer memory, 11...Data latch circuit, 12...Liquid crystal drive circuit, Vl, V3...High level side level voltage, V2
.. V4...Low level side level voltage, DATAI~DA
TA110--Display data, 81-5110--Display signal output terminal, DBUFI-DBUFIIO--Drive buffer, PL, P2--P channel type MO8F
ET (high level side selection switch element), Nl, N2・
・・N-channel type MO5FET (low level side selection switch element), NAI, NA2 ・Nant gate (high level side selection gate), NR1゜NR2...Nor gate (low level side selection gate), TG...timing generation Circuit, FRM...Frame switching signal, FRM-
NA, FRM-NR...signal, NR3...Nor gate, NA3...Nant gate.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、液晶表示素子を駆動するためのレベル電圧をクロッ
ク信号のレベル変化に応じて高レベル側と低レベル側と
の間で交互に選択すると共に、選択されるべきレベル電
圧の点灯レベル又は非点灯レベルを表示データに基づい
て選択して、マトリクス型液晶ディスプレイの信号電極
に供給すべき表示信号を並列的に出力する液晶駆動回路
であって、 高レベル側のレベル電圧を選択制御する第1回路と、 低レベル側のレベル電圧を選択制御する第2回路と、 前記クロック信号のレベル変化に応じて前記第1回路及
び第2回路を双方共に一時的に非選択状態にするための
位相制御を行って第1回路及び第2回路の動作制御信号
を生成する信号生成手段と、 を含んで成る液晶駆動回路。 2、マトリクス型液晶ディスプレイの信号電極に供給す
べき並列化された信号を出力するための複数個の出力端
子と、 液晶表示素子を点灯並びに非点灯駆動するための高レベ
ル側のレベル電圧と低レベル側のレベル電圧を夫々個々
の出力端子に供給するための高レベル側選択スイッチ素
子及び低レベル側選択スイッチ素子と、 前記スイッチ素子に対し、クロック信号のレベルに応じ
て前記レベル電圧を交互に高レベル側と低レベル側との
間で切り換え選択させると共に、選択されるべきレベル
電圧の点灯レベル又は非点灯レベルを表示データに基づ
いて選択させる高レベル側選択制御ゲート及び低レベル
側選択制御ゲートと、 前記高レベル側選択制御ゲート及び低レベル側選択制御
ゲートに対し、前記クロック信号のレベル変化に応じて
、相互に一方の非選択制御状態への変化後に他方の選択
制御状態への変化を許容するように、双方の選択制御ゲ
ートのための位相制御された切り替え制御信号をクロッ
ク信号に基づいて生成する信号生成手段と、を含んで成
る液晶駆動回路。 3、前記信号生成手段は、 高レベル側選択制御ゲートの制御端子に結合される第1
配線と、 低レベル側選択制御ゲートの制御端子に結合される第2
配線と、 第1配線を第2配線の駆動端側に折り返し延在させる第
1折り返し配線と、 第2配線を第1配線の駆動端側に折り返し延在させる第
2折り返し配線と、 前記クロック信号と第2折り返し配線からの信号とを入
力すると共に出力を第1配線に与える第1ゲート回路と
、 前記クロック信号と第1折り返し配線からの信号とを入
力すると共に出力を第2配線に与える第2ゲート回路と
、 を含んで成る請求項2記載の液晶駆動回路。 4、液晶表示素子を駆動するためのレベル電圧をクロッ
ク信号のレベル変化に応じて高レベル側と低レベル側と
の間で交互に選択すると共に、選択されるべきレベル電
圧の点灯レベル又は非点灯レベルを表示データに基づい
て選択して、マトリクス型液晶ディスプレイの信号電極
に供給すべき表示信号を並列的に出力する液晶駆動回路
であって、 高レベル側のレベル電圧を選択制御する第1回路と、 低レベル側のレベル電圧を選択制御する第2回路と、 第1回路の非選択制御状態への変化をその出力に基づい
て検出する第1検出回路と、 第2回路の非選択制御状態への変化をその出力に基づい
て検出する第2検出回路と、 前記第1検出回路の検出結果に基づいて第2回路を選択
制御状態に反転する第1論理回路と、前記第2検出回路
の検出結果に基づいて第1回路を選択制御状態に反転す
る第2論理回路と、を含んで成る液晶駆動回路。 5、液晶表示素子を駆動するためのレベル電圧をクロッ
ク信号のレベル変化に応じて高レベル側と低レベル側と
の間で交互に選択すると共に、選択されるべきレベル電
圧の点灯レベル又は非点灯レベルを表示データに基づい
て選択して、マトリクス型液晶ディスプレイの信号電極
に供給すべき表示信号を並列的に出力する液晶駆動回路
であって、 高レベル側のレベル電圧を選択制御する第1回路と、 低レベル側のレベル電圧を選択制御する第2回路と、 第1回路の非選択制御状態への出力変化を検出して第2
回路を選択制御状態に反転する第3論理回路と、 第2回路の非選択制御状態への出力変化を検出して第1
回路を選択制御状態に反転する第4論理回路と、 を含んで成る液晶駆動回路。 6、前記表示データを入力するための外部端子と、前記
外部端子から一方のポートを介して供給される表示デー
タを記憶するデュアルポート型のバッファメモリと、 バッファメモリの他方のポートからから読出される表示
データを保持して所定のタイミングで出力するラッチ回
路と、 ラッチ回路の出力を受ける請求項1乃至5の何れか1項
記載の液晶駆動回路と、 を含んで成る半導体集積回路。
[Claims] 1. Alternately selecting the level voltage for driving the liquid crystal display element between the high level side and the low level side according to the level change of the clock signal, and selecting the level voltage to be selected. A liquid crystal drive circuit that selects a lighting level or a non-lighting level based on display data and outputs display signals to be supplied to signal electrodes of a matrix type liquid crystal display in parallel, a first circuit for selective control; a second circuit for selectively controlling a level voltage on the low level side; and a temporary non-selection state of both the first circuit and the second circuit in response to a level change of the clock signal. A liquid crystal drive circuit comprising: signal generation means for performing phase control to generate operation control signals for the first circuit and the second circuit. 2. Multiple output terminals for outputting parallel signals to be supplied to the signal electrodes of the matrix type liquid crystal display, and high level side level voltage and low level voltage for driving the liquid crystal display element to turn on and off. a high level side selection switch element and a low level side selection switch element for supplying level side level voltages to respective output terminals; and a high level side selection switch element and a low level side selection switch element for supplying level side level voltages to respective output terminals; A high level side selection control gate and a low level side selection control gate that switch and select between the high level side and the low level side, and select the lighting level or non-lighting level of the level voltage to be selected based on display data. and causing the high level side selection control gate and the low level side selection control gate to mutually change one of them to a non-selected control state and then change to the other selected control state in accordance with a level change of the clock signal. a signal generating means for generating a phase-controlled switching control signal for both selection control gates based on a clock signal to allow the selection control gate. 3. The signal generation means includes a first signal generator coupled to a control terminal of a high level side selection control gate.
a second wire coupled to the control terminal of the low level side selection control gate;
wiring; a first folded wiring for folding back and extending the first wiring towards the driving end side of the second wiring; a second folding wiring for folding and extending the second wiring towards the driving end side of the first wiring; and the clock signal. a first gate circuit that inputs the clock signal and the signal from the second folded wiring and provides an output to the first wiring; and a first gate circuit that receives the clock signal and the signal from the first folded wiring and provides an output to the second wiring. 3. The liquid crystal drive circuit according to claim 2, comprising: a two-gate circuit. 4. Alternately select the level voltage for driving the liquid crystal display element between the high level side and the low level side according to the level change of the clock signal, and set the lighting level or non-lighting level of the level voltage to be selected. A liquid crystal drive circuit that selects a level based on display data and outputs display signals to be supplied to signal electrodes of a matrix type liquid crystal display in parallel, the first circuit selectively controlling a level voltage on the high level side. a second circuit that selectively controls a level voltage on the low level side; a first detection circuit that detects a change to a non-selected control state of the first circuit based on its output; and a non-selected control state of the second circuit. a second detection circuit that detects a change in the state based on its output; a first logic circuit that inverts the second circuit to a selected control state based on the detection result of the first detection circuit; a second logic circuit that inverts the first circuit to a selected control state based on a detection result. 5. Alternately select the level voltage for driving the liquid crystal display element between the high level side and the low level side according to the level change of the clock signal, and select the lighting level or non-lighting level of the level voltage to be selected. A liquid crystal drive circuit that selects a level based on display data and outputs display signals to be supplied to signal electrodes of a matrix liquid crystal display in parallel, the first circuit selectively controlling a level voltage on the high level side. a second circuit that selectively controls the level voltage on the low level side; and a second circuit that detects the output change to the non-selected control state of the first circuit.
a third logic circuit that inverts the circuit to a selected control state; and a first logic circuit that detects a change in the output of the second circuit to a non-selected control state.
A liquid crystal drive circuit comprising: a fourth logic circuit that inverts the circuit to a selected control state; 6. an external terminal for inputting the display data; a dual-port buffer memory for storing display data supplied from the external terminal through one port; and a dual-port buffer memory for storing display data supplied from the external terminal through the other port; 6. A semiconductor integrated circuit comprising: a latch circuit that holds display data and outputs it at a predetermined timing; and a liquid crystal drive circuit according to claim 1, which receives an output of the latch circuit.
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