JPH0467875A

JPH0467875A - 放射線照射野限定装置

Info

Publication number: JPH0467875A
Application number: JP2179455A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Kikuchi; 宏菊地
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1990-07-09
Filing date: 1990-07-09
Publication date: 1992-03-03
Anticipated expiration: 2010-07-12
Also published as: JPH0763512B2; US5144647A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕この発明は、放射線治療や放射線による非破壊検査を行
う装置における放射線照射野を限定する放射線照射野限
定装置に係り、特に放射線じゃへい材（リーフ）の間隙
からの放射線の漏洩を防止すると共に放射線照射野を正
確に形成する放射線照射野限定装置に関するものである
。

〔従来の技術〕

放射線照射野限定機構を示すものとして医療用線形電子
加速装置（以下ライナックと呼ぶ）を、また発生する放
射線としてＸ線を例にとり以下に従来例を説明する。

第９図は、−船釣なライナックの構成図であり、図にお
いて、（１）は固定架台、（２）は固定架台〈１）に支
持された回転自在な回転架台、（３）は放射線治療を受
ける患者、（４）は患者（３）を載置する天板、（５）
は天板（４）を支持する治療台である。

（６）は回転架台（２）の回転中心軸線、（７）は発生
Ｘ線の線束中心軸線、（８）は発生Ｘ！！である。

（９）は回転中心軸線（６）と線束中心軸線（７）の交
点であり、通常は治療患部を位置づけるための治療中心
即ちアイソセンタと呼ばれている。　（１０）はアイソ
センタ（９）を通りかつ回転中心軸線り６）および線束
中心軸線の各々と直交する照射野中心軸線、（１１）は
Ｘ線（８）を発生するためのターゲットと呼ばれる線源
である。　（１２ａ）、　（１２ｂ）は照射野の大きさ
を限定する放射線じゃへい部材であり、鉛などの重金属
からなり、ブロックと呼ばれている、　（１３）は同様
にブロックと呼ばれる放射線じゃへい部材であり、ブロ
ック（１２ａ）、　（１２ｂ）と直交する方向の照射野
の大きさを限定している。

第１０図はＸ線発生部分および照射野構成部分を示す構
成図であり、（１４）はＸ　！！　（８）の最大広がり
を限定するためのブライスリコリメータ、（１５）は照
射野内でのＸ線（８）の分布を均一にするための平坦化
フィルタ、（１６）はＸ線量を実時間でモニタするため
の線量モニタである。（１７）は線源（１１）と等価な
位置に配置された鏡（ミラー）であり、Ｘ線照射野を視
認するための光源（後述する）からの光をＸ線（８）と
同じ広がりに導いている。

（１８）は電子線の加速管、〈１９）は加速管（１８）
に連結され内部を真空に保持されたビームダクト、（２
０）はビームダクト（１９）に設けられた偏向用電磁石
である。（２１）は加速管（１８）で加速された電子線
であり、ビームターゲット（１９）を通過し、偏向電磁
石（２０）で偏向され、ターゲット（１１）に導かれて
いる。

（２２）はｉ　（１７）に対向配置された光源である。

Ｌは回転中心軸線（６）上の照射野であり、放射線じゃ
へい材（１２ａ）、　（１２ｂ）により限定されており
、アイソセンタ（９）を含みかつ線束中心軸線（７）に
直交する平面（以下、アイソセンタ平面と呼ぶ）に線源
（１１）または光′＃、（２２）から投影されている。

第１１図は第】０図の装置を側面から見た構成図であり
、（１２）は（１２ａ）、　（１２ｂ）に対応し、（１
３ａ）（１３ｂ）は（１３）に対応している。

Ｗは照射野中心軸線（１０）上の照射野であり、照射野
（Ｌ）と同様に放射線じゃへい部材（１３ａ）（１３ｂ
）により投影されている。

第１２図は照射野（Ｌ）、（Ｗ）を線源（１１）側から
見た説明図であり、（２３）は照射野（Ｌ）、（Ｗ）で
囲まれた矩形領域、（２４）は患者（３）の体内の被治
療患部（腫瘍など）である。

第１３図は第１２図の矩形照射野（２３）を患部（２４
）の形状にほぼ沿うように限定した状態を示す説明図で
あり、ブロック（１３ａ）、　（１３ｂ）を複数の放射
線じゃへい材により構成した場合の概念を示している。

（２５ａ）〜（３０ａ）　、　（２５ｂ）〜（３０ｂ）
はそれぞれリーフ（このような複数リーフの構成を以下
マルチリーフと呼ぶ）である。リーフ（２５ａ）、　（
２５ｂ）は照射野中心軸線（１０）上の照射野（−１）
を決める中心リーフであり、その外側に番号順に他のリ
ーフ（２６ｇ）、　（２６ｂ）　・・（３０ａ）、　（
３０ｂ）が配列しである。

尚、中心リーフ（２５ａ）、（２５ｂ）を中心として対
称位置のリーフは、リーフ（２６ａ）〜（３０ａ）　、
　（２６ｂ）〜（３０ｂ）と同様なので符号が省略され
ている。従って、第１３図の場合、リーフの数は１１対
になる。

勿論、この１１対は単なる一例であり、その数は制限さ
れない。

第１４図は第１３図のマルチリーフの構成例を示す説明
図であり、第１１図のブロック（１３ａ）　。

（１３ｂ）をマルチリーフに置き代えた場合を示してい
る。各リーフ＜２５ｇ）〜（３０ｇ）に相対するリーフ
（２５ｂ）〜（３０ｂ）は、ここでは図示しない、第１
４図の場合、各リーフ（２５ａ）〜（３０ａ）の断面は
矩形としである。

第１５図は第１４図同様のマルチリーフの構成例を示す
説明図であり、各リーフ（２５ａ）〜（３０ａ）の断面
は第１４図のものとは異なっている。第１５図において
、各々のリーフ（２５ａ）〜（３０ａ）の断面は線源（
１１）を頂点とする円錐の母線に沿って切りとられ、台
形をなしているが、隣接するリーフの間隙を通るＸ線を
しゃへいするためツメ（３１）が突設されている６第１６図は各リーフの構成を示す原理図であり、（３２
）、　＜３３）はそれぞれ線源（１１）を頂点とする円
錐面にある母線である。各母線（３２）、　（３３）で
挟まれたハツチ領域を第１５図に示した各リーフ（２５
ａ）〜（３０ａ）に置き代え、更に第１５図と同様にツ
メ（３１）を付加し、また隣接リーフのツメが通過する
部分を削ることにより第１５図に示したリーフ（２５ａ
）〜（３０ａ）が構成される。

第１７図および第１８図は、それぞれ、マルチリーフに
より形成される照射野りを示す説明図である。第１７図
は、リーフ（２６ａ）、　（２７ａ）を例にとり、第１
４図と同様に構成した場合を示している。

光源（２２）　（第１０図参照）により投影される照射
野は、第１３図のようにリーフ（２６ａ）がリーフ＜２
７ａ）より回転軸線（６）に対して遠いときは、す−フ
（２７ａ）の下端で限定されてＬａとなり、逆に近いと
きは、リーフ（２６ａ）の上端で限定されてＬｂになる
。第１８図は第１５図と同様に構成した場合を示してい
る。この場合も、光の照射野は、第１７図の場合と同様
に、リーフ（２６ａ）がリーフ（２７ａ）より回転軸線
（６）から遠いときＬｃとなり、逆に近いときＬ　ｄと
なる。

次に動作について説明する。

第９図において、ターゲット（線源＞　（１１）から発
生された治療用Ｘ線（８）は、天板（４）の上に横臥し
た患者（３）に照射され、放射線治療が施される。この
とき、患者（３）の周囲の任意の位置から照射できるよ
うに、ターゲット（１１）は、回転架台（２）により回
転軸線（６）の周囲を３６０°以上にわたり回転自在に
なっている。一方、患者（３）は、天板（４）により前
後左右に移動自在であり、また天板（４）は治療台（５
）により上下動自在になっている。従って、患者（３）
の被照射患部（２４）は、アイソセンタ（９）を含む領
域に位置決め可能であり、照射治療を施すことができる
。

Ｘ線発生と照射野の決定は、第１０図および第１１図に
示したように、以下のようになる。加速管〈１８）によ
り高エネルギー（例えば、３　ＭｅＶ〜２゜Ｍｅｎ）　
　に加速された電子ビーム（２Ｉ）は真空のビームダク
ト（１９）を通り、患者（３）の方向に向かうように偏
向電磁石（２０）により偏向され、線源（１１）に入射
する。

線源（１１）はＸ線を発生する金属がらなり、電子ビー
ム（２１）の進行方向に強いＸ　ａ　（８）を発生する
。

発生されたＸ線（８）は、前方に指向性を有するが、プ
ライマリコリメータ（１４）　（第１０図参照）が配置
されているため、プライマリコリメータ（１４）により
照射野外の不要なＸ線が吸収され、除去される。即ち、
このＸ線（８）は線源（１１）を点線源として放射状に
広がるが、プライマリコリメータ（１４）により線源（
１１）を頂点とする円錐台の形状にくり抜かれ、この領
域のみを通過するようになる。

般に、プライマリコリメータ（１４）の円錐台による照
射野は、装置の規定する最大寸法を与える。

また、Ｘ線（８）は、指向性を有するため、平坦化フィ
ルタフ１５）によりＸ線強度分布が均一化され、Ｘ線（
８）が発生している間、線量モニタ（Ｉ６）により強度
が実時間でモニタされる。更に、Ｘ線（８）は、ブｏ　
ツク（１２ａ）、　（１２ｂ）および（１３ａ）、　（
１３ｂ）により、患部（２４）に沿うように、第１２図
に示したような照射野領域（２３）に絞られて照射され
る。

この照射野は鏡（１１）を介した光照射により目視視認
される。即ち、ミラー（１７）に対して線源（１１）と
等価な位置に置かれた光源（２２）により、光による照
射野が患者り３）の皮膚面に投影され、照射野の大きさ
が目視視認される。その結果、照射野の寸法り、、Ｗが
判明する。

以」−は矩形照射野を形成する場合であるが、この場合
、第１２図に示すように、患部（２４）以外の正常組織
にもＸ線が照射されるため、正常組織が放射線障害を受
ける心配がある。

このため、近年は、第１３図に示したようなマルチリー
フによる照射野を形成し、正常組織に対する保護を行う
工夫がなされている。即ち、第１１図のブロック（１３
ａ）　、　　（１３ｂ）の代わりに、第１３図のように
リーフ　（３１ａ）〜（３６ａ）　、　（３１ｂ）　〜
（３６ｂ）をマルチリーフとして構成し、各リーフの相
互位置を独立に変えることにより、それぞれのリーフに
対応してＷ方向の照射野をｗＩ　・・　とし、Ｌ方向は
ブロック（１２ａ）、　（１２ｂ）で限定している。こ
れにより、高精度の放射線治療を施すことができる。

第１３図のような照射野を形成する意図で、従来、第１
４図または第１５図に示すようなマルチリーフが構成さ
れている。即ち、ブロック（１３ａ）（１３ｂ）の位置
（通常は、線源（１１）とアイソセンタ（９）のほぼ中
間に位置する）にブロック（１３ａ）　。

＜＋３ｂ）の代わりにこのマルチリーフが設置される。

第１４図の場合は第１０図と同様の視点から見たマルチ
リーフの図であるが、各リーフの断面は矩形をなすよう
にしである。マルチリーフは般に照射野中心軸線（１ｏ
）の照射野（ｗ、）を決定する必要があるため、中心リ
ーフ対（３１ｍ）、　（３１ｂ）とソ（’ｌ　Ｍ　側ノ
リ７　群（３２ａ）〜（３６ｍ）　、　（３２ｂ）〜（
３６ｂ）から構成される。従って、奇数対であることが
多い。

第１４図の場合、隣合うリーフの面を持つ平面内に線源
（１１）は含まれないので、このリーフ間隙を通過する
線源（１１）からの直接透過Ｘ線は存在しない、従って
、照射野外に対するＸ線の直接漏洩の心配はなく、また
リーフ形状も直方体なので加工も容易であり、安価に製
作することができる。

しかし、第１４図のマルチリーフにより構成されるＬ方
向照射野は、第１７図に示したようになる。即ち、前述
のように、Ｗ方向の照射野により、異なった寸法（Ｌａ
またはＬｂ）に見える。

また、Ｘ線はリーフ（２６ａ）、　（２６ｂ）のエツジ
部に対して斜方向には多少透過するので、各照射野Ｌａ
、Ｌｂはボケな（半影の大きい）Ｘ線照射野となる。照
射野の中心近傍ではＬａとＬｂの差は小さいが、マルチ
リーフの外側ではＬａとＬｂの差は１ｃｍ程度に拡大す
ることがある。

一方、第１５図（例えば、特公昭６２−７１０号公報参
照）の場合は、隣合うリーフ面は線源（１１）を頂点と
する円錐の外面に沿って構成されている。

このときの各リーフ（２５ａ）〜（３０ａ）の様子は第
１６図に示しである。

第１６図において、線源（１１）を頂点とした円錐面の
母線（３２）と、同様の別の円錐面の母線（３３）との
間の領域に断面を有するリーフ（斜線部）により両円錐
面間の一部となるリーフを与える。次に、母線を順次変
えて同様にリーフを取り出して順次並べることにより、
隣合うリーフは相互に干渉することなく面をすべらせて
駆動することができる。

このようにしてマルチリーフを構成するが、この場合、
隣合うリーフ面は常に線源（１１）を向いているので、
両リーフ間に間隙が少しでもあると、Ｘ線（８〉はこの
間隙を通り抜け、減衰せずに患者（３）に到達すること
になる。従って、照射野外にＸ線の直接漏洩が生じるこ
とになり、治療上の障害となる。

従って、この種のマルチリーフでは、リーフ間隙の漏洩
を防ぐため、第１５図のようにツメ（３１）を形成し、
第１５図に示したようなリーフ断面としている。この場
合のし方向の照射野は、第１８図に示したように、Ｗ方
向の照射野に関連して、前述のように異なった寸法ＣＬ
ｃまたはＬｄ）となる。通常、このＬｃとＬｄの差は３
〜４Ｉとなる。この場合、リーフ間隙部はリーフの他の
部分に比べてリーフ厚が薄いためＸ線のしゃへい能力が
低く、かつリーフの製造コストが高くなる。以上が従来
のマルチリーフの放射線照射野限定装置による放射線治
療の状態である。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来のマルチリーフによる放射線照射野限定装置は以上
のように構成されているので、第１４図の場合には照射
野の端部でＬａとＬｂの差が大きくなり、治療計画はこ
れを見ないで実施する必要があるため治療計画が困難と
なる。

また、第１５図の場合にはＬｃとＬｄの差が、小さいと
はいえ、どのリーフにも同様に生じるので、同様に治療
計画の立案を困難にする６更に、第１５図の場合、照射
野外に生じる不要な線状の漏洩が避けられず、またリー
フ形状が複雑なため製造コストが高価になるという問題
点があった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、リーフ間隙を通してのＸ線の直接透過による
漏洩を防止できると共に、隣接するリーフの相対的位置
による視認照射野の差（ＬｃとＬｄとの差）を従来より
小さくすることができ、更に、リーフの断面形状を単純
化することにより製造コストを安価にすることができる
放射線照射野限定装置を得ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る放射線照射野限定装置は、マルチリーフ
の相互に隣接するリーフ面により形成される円錐面の頂
点（仮想線源）を放射線の線源とはずれた位置に設定し
たものである。

〔作　用〕

この発明においては、マルチリーフの相互に隣接するリ
ーフ面により一部形成される円錐面の頂点即ち仮想線源
を、放射線の線源とは異なる位置に配置し、リーフ間隙
を直接通過する放射線を除去すると共に照射野のボケを
軽減させる。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明による実施例の装置の全体を示すライナッ
クの構成図であり、（１）〜（１１）＜１２ａ）、　（
１２ｂ）、は前述と同様のものである。（３４）は第９
図のブロック（１３）に対応するマルチリーフである。

第２図はＸ線発生と照射野を決める機構を示す構成図で
あり、第１０図に対応している。

第３図はマルチリーフ（３４）を拡大して示す構成図で
あり、（３５）はマルチリーフ（３４）により形成され
る円錐頂点即ち仮想線源、（３６ａ）〜（３６ａ）はマ
ルチリーフ（３４）を構成するリーフである。（：１６
ａ）は照射野中心軸線（７）上の照射野を決める中心リ
ーフである。

なお、リーフの枚数は制限されるものではなく、中心リ
ーフ（３６ａ）の両側に所要枚数だけ設けることができ
る（ここでは（３６ａ）〜（３９ａ）のみ示しである）
。また。図示してないが、第１３図と同様に、Ｗ方向の
照射野を形成するため、各リーフ（３６ａ）〜（３９ａ
）に相対するリーフが存在し、各リーフにより照射野Ｗ
ｌ　・・　を独立に定めることができるようになってい
る。

（４０１）〜（４２１）は隣接する各リーフの面により
形成される仮想線源（３５）を頂点とした円錐面の母線
、（４３ｘ）〜（４５ｘ）はリーフ（３６ａ）〜（３９
ａ）の相互に隣接する面に達するｘｉである。第４図〜
第７図はマルチリーフ（３４）のそれぞれ異なる実施例
を示す構成図である。

第４図において、（３５ａ）は母線（４０１りを含む円
錐頂点即ち仮想線源であり、（３５ｂ）、　＜３５ｃ）
はそれぞれ母線（４０り、　（４２ｆ）を含む円錐の仮
想線源である。以下同様に図示しないが、他のリーフの
円錐面母線に対応する仮想線源が存在するものとする。

この場合、各仮想線源（３５ａ）〜（３５ｃ）はＸ線の
線束中心軸線（７）の線上に存在する例を示したもので
ある。

第５図において（４６）はターゲット（１１）を通りか
つ回転架台（１）の回転中心軸線（６）に平行な軸線（
仮想ターゲット軸線と呼ぶ）である。この場合、仮想タ
ーゲット軸線（４６）上には線束中心軸線（７）に対し
て対称に仮想線源（３５）が形成される。

第６図は仮想ターゲット軸線（４６）上に各母線（４０
ｆ）〜（４２７りが分散して存在する例を示している。

第７図において、中心リーフ（３６ａ）の板状の面は円
錐面を構成せず、線束中心軸線（７）と平行な線（４７
）を形成している。この線（４７）は、仮想ターゲット
軸線（４６）に直交する平面に含まれている。

従って、この場合、中心リーフ（３６ａ）の断面は長方
形をなしている。一方、中心リーフ（３６ａ）以外のリ
ーフ（３７ａ）〜（３９ａ）は、第３図〜第６図と同様
に、仮想線源（３５）または（３５ａ）〜（３５ｃ）を
頂点とする円錐面内の一部の面に含まれている。

第８図は隣接するリーフ（３７ａ）、　（３８ａ）の相
互位置により視認照射野に差が生じる状況を示す説明図
であり、第１８ａ図、第１８ｂ図に対応している。

以下、この発明の一実施例の動作にってい説明する。

第１図において、Ｘ線（８）は線源（１１）から発生し
、ブロック（１２ａ）、　（１２ｂ）およびマルチリー
フ（３４）により照射野が限定されて患者（３）の放射
線治療に供される。このとき、第２図のようにＸ線（８
）の照射野が限定される。また、マルチリーフ（３４）
の各リーフ（３６ａ）〜（３９ａ）の形状は第１６図に
示す通りで、円錐面の頂点が線源（１１）ではなく、仮
想線源（３５）または（３５ａ）〜（３５ｃ）となった
ものである。

第３図において、リーフ（３６ａ）〜（３９ａ）の相互
に隣接する而は円錐面の１部を形成するが、その円錐面
の頂点は仮想線源（３５）にあり、線源り１１）とは有
意な値だけ離れた位置にある。

もし、仮想線源（３５）に正規の正規源（１１）がある
と既に述べたようにＸＪＥ規（８）はリーフ間隙を直接
透過し、照射野外の漏洩Ｘ線となり治療の障害になる。

しかし、この発明においては、仮想線源（３５）と線源
（１１）とは異なる位置になるように構成され°ている
ので、照射野外のＸ線漏洩を防止することができる。

即ち、リーフ（３６ａ）および（３７ａ）の間隙で形成
される母線（４０１）に達するＸ線（４３ｘ）は、この
間隙を直線的に通過できないように構成されている。

他のｆ線（４Ｈり、　（４２１）に達するＸ線（４４ｘ
）、　（４５ｘ）にっていも同様である。

いま、リーフ間隙を０．１　ｍｍとし、中心のリーフ（
３６ａ）の下端（線源（１１）から遠い方の面）が線源
（１１）から５０ｃｍ離れた位置にあり、リーフ（３６
ａ）の線束中心軸線（７）方向の厚さを７０ｍｍとし、
仮想線源（３５）を線束中心軸線（７）上で線源（１１
）から６０ｍｍ離れた点に設定すると、リーフ間隙をＸ
線（８）が直接通過することを防止することができる。

実際の設計では、線源（１１）と仮想線源（３５）との
距離をやや余裕をもたせた数値に設計するが、その値は
、リーフ相互位置における視認照射野のずれの大きさと
の兼合いで決定される。

上記」法例での視認照射野の差は、第８図に示したよう
に、Ｌ　ｅとＩ−ｆの差として表され、アイソセンタ〈
９）の平面において０２１程度となる。

この場合、リーフ間寸法は、線源（１１）とアイソセン
タ（９）との間隔が１ｍ程度の現実に稼動している装置
に対して適用できる数値である。また、通常、Ｘ線照射
野の光による視認誤差ＩＩを許容する医療界の通例から
すれば、上記視認誤差０．２　ＩＮＳは十分小さい値で
ある。従って、仮想線源（３５）を更に線源（１１）か
ら、離すことができる。但し、外側のリーフはど視認、
誤差が大きくなるので、その最大値が許容誤差内となる
ように仮想線源（３５）の位置を設定すればよい。

次に、上記のようなリーフ間隙をＸ線（８）が直接通過
することのないシステムにおいて、間隙を散乱して通過
する漏洩Ｘ線について検討する。

この漏洩に対しては、通常、ストリーミングと呼ばれる
漏洩の考え方が適用できる。この考え方によると、リー
フ間隙が０．１ｍｍ（実際には、この値以下にすること
が可能である）と非常に小さいため、散乱による漏洩Ｘ
線は、問題となる値にならず、放射線じゃへい材として
のリーフ内を通過して減衰する量と同程度になる。通過
リーフの厚さは、Ｘ線（８）がリーフを通過することに
よる減衰が１／１００以下になるように設計されている
。

以上のようにマルチリーフ（３４）を設計することによ
り、第１４図で問題となった隣接リーフの相互位置によ
る視認照射野の差を許容値以下に十分小さく抑制するこ
とができる。また、第１５図で問題となったリーフ間隙
におけるＸ線（８）の直接通過を阻止するためのツメ（
３１）を不要とすることができる。従って、構造が簡羊
で製作が容易になり、経済的である。またツメ部を直接
透過するＸ線（８）の不十分な減衰とは異なり、確実に
じゃへいできるため、照射野以外への漏洩も許容レベル
に押さえられる。更に、第１４図、第１５図で共通の問
題となったＸ線の照射野辺縁部でのボケ（半影）は、リ
ーフ面がＸ線（８）の線束面に近似していることから、
大幅に軽減される。従って、半影の小さな治療が可能と
なり、治療計画の容易さ、治療精度の改善という治療面
における大きな効果を有している。

一方、既に述べたように、第３図のマルチリーフの場合
は中心リーフ（３６ａ）から外側のリーフにいくほど視
認照射野の差（第８図のＬｅとＬｆの差）が大きくなる
。しがし、第４図のように母線（４０４り、　（４１Ｎ
）、　（４２ｆ）に対して異なる仮想線源（３５ａ）、
　（３５ｂ）、　（３５ｃ）を定め、その基準として視
認照射野の差を許容誤差以内に十分小さくかつ各リーフ
についてほぼ同じような値に設定すれば、患部（２４）
のどの位置でも同じ半影のＸ線による治療が可能になる
。この場合、ＬｅとＬｆの差の程度により仮想線源を同
じとするリーフがあってもよい。

また、従来の第１１図に示したブロック（１３ａ）（１
３ｂ）は、照射野を限定するために、常に線源（１１）
を頂点とする円錐の母線となるように開閉されているの
に対し、第３図および第４図においては、母線の頂点が
線源（１１）と異なる位置に設定している。しかし、第
３図および第４図の害施例では、Ｗ方向の照射野がボケ
を持つようになる。

そこで、第５図のように仮想ターゲット軸線（４６χ上
に仮想線源（３５）を設定すると、仮想線源（３５）お
よび線源（１１）は、Ｗ方向に関して重なるように配置
される。従って、第５図の実施例によればＷ方向の照射
野に対するボケも抑制し得る効果が得られる。

第６図の実施例は、第５図と同様であるが、仮想線源（
３５ａ）、　＜３５ｂ）、　（３５ｃ）を仮想ターゲッ
ト軸線（４６）上に分散配置しているので、どのリーフ
における視認照射野の差もほぼ同等の値にする効果を有
する。この場合も、ＬｅとＬｆの程度の差により、仮想
線源が同じ位置となるリーフが存在してもよい。

第７図は最も実用的な実施例を示し、最も内側の中心リ
ーフ（３６ａ）の断面が長方形であってもＬｅとＬｆの
差は十分に小さい。この場合、リーフの加工を容易にす
るため、リーフ面を円錐面（曲面）でなく、平面にする
ことができるという大きな効果が得られる。更に、視認
照射野の差が許容される値以下である場合は、中心リー
フ（３６ａ）のみでなく、その両側に近接するリーフも
同様にリーフ断面を長方形にすることができる。第７図
のようなリーフ形状は、第３図〜第６図のいずれの実施
例に対しても適用することができる。

なお、上記実施例ではライナックによるＸ線泊療の例に
ついて説明したが、Ｘ線を発生する他の放射線発生装置
（コバルト６ｏ装置、ベータトロン、マイクロトロン、
シンクロトロンなど）であっても、同様に適用すること
ができ、エネルギーがＩ　ＭｅＶ以下のＸｌｊｌ発生装
置においても適用可能である。

また、放射線はＸ線のみでなく、他の放射線（電子線、
γ線、中性子線、陽子線、粒子線）に対しても適用可能
であり、放射線じゃへい材は適用する放射線に有効な材
料（Ｘ線に対する重金属、電子線に対する軽い金属、中
性子線に対するパラフィンやアクリルなど）に対してこ
の発明により考えられた機構が適用でき、同様の効果を
奏する。

また、上記実施例では医療用を例にして示したが、医療
用１）ｌ外の放射線の分布、即ち放射線による非破壊検
査において、検査部位の散乱線による像の半影を避ける
ため照射野をマルチリーフにより絞る場合も同様の効果
を奏する。

更に、第２図ではマルチリーフ（３４）を第１０図のブ
ロック（１３）に置き替えたが、ブロック（＋２ｎ）　
。

（１２ｂ）の代替として使用してもよい。

〔発明の効果〕

この発明は、以上説明したとおり、複数のリーフを設け
、これらのリーフの板状の面により形成される仮想線源
を、放射線の線源から有意な値だけずらした点に設定し
たので、簡単な形状でリーフ間隙を通過する照射野外の
漏洩Ｘ線を阻止することができる。従って、隣接リーフ
の相互位置による視認照射野の差を許容値以下に抑える
ことができると共に、製作および放射線し勺へい計画が
容易となり、高精度の照射が可能な放射線照射野限定装
置を安価に提供することができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例が適用されるライナックを
示す構成図、第２図はこの発明の一実施例における放射
線発生部と照射野を示す構成図、第３図はこの発明によ
るマルチリーフを示す構成図、第４図〜第７図はこの発
明によるマルチリーフのそれぞれ異なる他の実施例を示
す構成図、第８図はこの発明によるマルチリーフの互い
に隣接するリーフの相互位置による視認照射野の差を示
す説明図、第９図は一最的なライナックを示す構成図、
第１０図は従来の放射線照射野限定装置の放射線発生部
と照射野を示す構成図、第１１図は第１０図の装置を側
面から見た構成図、第１２図は第１０図の従来装置によ
る照射野と患部の関連を示す説明図、第１３図は従来の
マルチリーフによる照射野と患部の関連を示す説明図、
第１４図は従来のマルチリーフを示す構成図、第１５図
は従来のマルチリーフの他の例を示す構成図、第１６図
は第１５図のマルチリーフの構成を示す原理図、第１７
図および第１８図はそれぞれ第１４図および第１５図の
マルチリーフの互いに隣接するり一フの相互位置による
視認照射野の差を示す説明図である。図において、（８）はＸ線、（１０）は照射野中心軸線
、り１１）は線源、（１４）はマルチリーフ、（３５）
。（３５ａ）、　（３５ｂ）　　（３５ｃ）は仮想線源、
（３６ａ）〜（３９ａ）はリーフである。なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims

【特許請求の範囲】

点状の線源から発生する放射線を複数の板状のリーフを
介して照射し、前記放射線の円錐面に沿つて、前記リー
フの相互位置を独立に変えることにより、前記放射線の
照射野を限定する装置において、前記リーフの板状の面
により形成される仮想線源を前記線源から有意な値だけ
ずらした点に設定したことを特徴とする放射線照射野限
定装置。