JPH0466022B2 - - Google Patents

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JPH0466022B2
JPH0466022B2 JP58018881A JP1888183A JPH0466022B2 JP H0466022 B2 JPH0466022 B2 JP H0466022B2 JP 58018881 A JP58018881 A JP 58018881A JP 1888183 A JP1888183 A JP 1888183A JP H0466022 B2 JPH0466022 B2 JP H0466022B2
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JP
Japan
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photosensitive
memory layer
image forming
conductive
memory
Prior art date
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JP58018881A
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Japanese (ja)
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JPS59146059A (en
Inventor
Hiroshi Komon
Junichi Hanna
Minoru Uchiumi
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Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
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Publication of JPS59146059A publication Critical patent/JPS59146059A/en
Publication of JPH0466022B2 publication Critical patent/JPH0466022B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664Dyes

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、持続導電性ないしはメモリー型画像
形成方法ならびにこれに用いる画像形成材料に関
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a continuous conductive or memory type image forming method and an image forming material used therein.

持続導電性画像形成方法は、或種の感光材料に
露光するとその露光部に持続性のある(すなわち
メモリー効果を有する)導電性像が形成される現
象を利用したものであり、得られた持続導電性像
(潜像)は、一般に静電写真法に使用される各種
現像法により可視化することができる。この方法
に使用される感光材料としては各種のものが提案
されているが、代表的なものとして導電性基板上
に、有機光導電性物質およびメモリー効果付与剤
を含む感光メモリー層を形成してなるものが知ら
れている(たとえば米国特許第3879201号、同第
3997342号各明細書など)。有機光導電性物質とし
ては、ポリビニルカルバゾールのような高分子光
導電体、もしくはオキサジアゾールのような低分
子量光導電体を電気絶縁性バインダーへ分散した
ものが用いられ、メモリー効果付与剤としては、
各種のプロトン供与体が知られている。
The persistent conductive image forming method utilizes the phenomenon that when a certain type of photosensitive material is exposed to light, a persistent conductive image (that is, has a memory effect) is formed in the exposed area. The conductive image (latent image) can be visualized by various developing methods commonly used in electrostatography. Various types of photosensitive materials have been proposed for use in this method, but a typical one is to form a photosensitive memory layer containing an organic photoconductive substance and a memory effect imparting agent on a conductive substrate. are known (for example, U.S. Pat. No. 3,879,201;
No. 3997342, each specification, etc.). As the organic photoconductive substance, a polymeric photoconductor such as polyvinylcarbazole or a low molecular weight photoconductor such as oxadiazole dispersed in an electrically insulating binder is used, and as a memory effect imparting agent, ,
Various proton donors are known.

上述した持続導電性を利用した画像形成材料の
欠点は、所望の持続導電性像を得るために必要な
露光量が数10mJ〜100mJ/cm2程度とかなり大
きいことである。
A drawback of the above-mentioned image forming materials utilizing sustained conductivity is that the amount of exposure required to obtain a desired sustained conductivity image is quite large, on the order of several tens of mJ to 100 mJ/cm 2 .

この様な持続導電性画像形成材料の持つ欠点を
除き、露光感度を改善するために、本発明者らは
既にいくつかの技術を開発している。たとえば、
特願昭52−167010号の明細書には、感光メモリー
層の露光前にコロナ帯電を行う方法を;特開昭56
−17358号公報には感光メモリー層と積層して比
較的薄いメモリー効果を有さない光導電層を形成
した画像形成材料を;また特願昭57−5233号の明
細書には、感光メモリー層に電圧を印加しつつ露
光を行う方法を、それぞれ開示している。これら
の技術によつて、それなりに露光感度の改善効果
が得られるが未だ充分なものとは云い難く、ある
いは操作上の制約を受ける欠点がある。
The present inventors have already developed several techniques in order to eliminate the drawbacks of such persistently conductive image forming materials and to improve the exposure sensitivity. for example,
The specification of Japanese Patent Application No. 52-167010 describes a method of corona charging before exposing the photosensitive memory layer;
- Japanese Patent Application No. 17358 discloses an image forming material in which a photoconductive layer is laminated with a photosensitive memory layer to form a relatively thin photoconductive layer that does not have a memory effect; Each of these discloses a method of performing exposure while applying a voltage to. Although these techniques can improve the exposure sensitivity to a certain extent, they are still far from sufficient or have the disadvantage of being subject to operational constraints.

本発明は、上述した事情に鑑み、より一層露光
感度の改善された持続導電性画像形成材料ならび
にこれを用いる画像形成方法を提供することを主
要な目的とする。
In view of the above-mentioned circumstances, the main object of the present invention is to provide a sustained conductive image forming material with further improved exposure sensitivity and an image forming method using the same.

本発明者らは、上述の目的で研究した結果、カ
ルバゾール環を構造内に含むアリールメタン系色
素は、メモリー効果付与剤として機能するだけで
なく、光導電性物質との組合せにおいて0.1m
J/cm2程度と従来のメモリー機能を有する感光体
(画像形成材料)に比べて約100倍もの大幅に増大
された光感度を示す感光メモリー層を与えるこ
と、ならびにこのような高感度での持続導電性画
像の形成には感光メモリー層と導電性基板との相
互作用による導電性基板から感光メモリー層への
ホール注入効果が関係し、特に表面抵抗率が102
〜106Ω/cm2の範囲にある導電性基板を用いる場
合に高いホール注入効果が得られることが見出さ
れた。
As a result of research for the above-mentioned purpose, the present inventors have found that arylmethane dyes containing a carbazole ring in their structure not only function as memory effect imparting agents, but also have a 0.1 m
To provide a photosensitive memory layer that exhibits a significantly increased photosensitivity of approximately 100 times as much as J/cm 2 compared to a conventional photoreceptor (image forming material) having a memory function, and to The formation of a persistent conductive image involves the hole injection effect from the conductive substrate to the photosensitive memory layer due to the interaction between the photosensitive memory layer and the conductive substrate, especially when the surface resistivity is 10 2
It has been found that a high hole injection effect can be obtained when using a conductive substrate in the range of ~10 6 Ω/cm 2 .

本発明のメモリー機能を有する画像形成材料
は、上述の知見に基づくものであり、より詳しく
は、表面抵抗率が102〜106Ω/□である導電性基
板上に、有機光導電性物質および下式(1)で表わさ
れるアリールメタン系色素からなるメモリー効果
付与剤を含む感光メモリー層を設けてなることを
特徴とするものである。
The image forming material having a memory function of the present invention is based on the above-mentioned findings, and more specifically, an organic photoconductive material is coated on a conductive substrate having a surface resistivity of 10 2 to 10 6 Ω/□. and a photosensitive memory layer containing a memory effect imparting agent consisting of an arylmethane dye represented by the following formula (1).

(式中、基R1、R2、R3の少なくとも一つは、下
式(2)または(3)で表わされるパラ位をN置換したフ
エニル基であり、 (式(2)、(3)中、R4〜R8は、それぞれ、アルキル
基、アリール基または水素) 基R1、R2、R3の二つまでは、アルキル基、ア
リール基、アラルキル基または水素であり得、
X-はアニオンを表わす。) また、本発明の画像形成方法は、上記画像形成
材料の感光メモリー層にパターン露光を行い、露
光部にホールの注入された持続導電性画像を形成
することを特徴とするものである。
(In the formula, at least one of the groups R 1 , R 2 , and R 3 is a phenyl group substituted with N at the para position represented by the following formula (2) or (3), (In formulas (2) and (3), R 4 to R 8 are an alkyl group, an aryl group, or hydrogen, respectively) Up to two groups R 1 , R 2 , and R 3 are an alkyl group, an aryl group, or an aralkyl group. or can be hydrogen;
X - represents an anion. ) Further, the image forming method of the present invention is characterized in that the photosensitive memory layer of the image forming material is subjected to pattern exposure to form a sustained conductive image in which holes are injected into the exposed areas.

本発明により光感度で持続導電性画像が得られ
る理由は必ずしも明らかではないが、以下のよう
に推定される。すなわち、有機光導電物質および
メモリー効果付与剤を含む感光メモリー層は、ホ
ールの易動度(mobility)の大なp型半導体であ
る。
Although the reason why a sustained conductive image with photosensitivity can be obtained according to the present invention is not necessarily clear, it is presumed as follows. That is, the photosensitive memory layer containing the organic photoconductive material and the memory effect imparting agent is a p-type semiconductor with high hole mobility.

この感光メモリー層には、一般に導電性基板か
らホールが注入されるが、注入されたホールのう
ち移動距離(レンジ=易動度×寿命×電圧(たと
えば、一般的な導電性部の検出法としての負のコ
ロナ帯電により与えられる))が感光メモリー層
の膜厚よりも大なるもののみが表面に現われ導電
性の付与、すなわち負のコロナ帯電の相殺に使用
され、受容電位の低下に寄与する。ここでメモリ
ー効果付与剤の吸収波長域の光を照射すると、メ
モリー効果付与剤と導電性基板との相互作用の物
理的、化学的変化に伴なつて導電性基板からのホ
ール注入効率が増大し、露光部では、コロナ帯電
による感光メモリー層の受容電位が、このホール
注入効率の増大に伴つて見かけ上減少する。この
光照射によるホール注入効率の増大した状態は、
暗所では比較的長時間持続し、いわゆるメモリー
効果を示すが、この状態は可逆的であり、熱エネ
ルギー等により光照射前のホール注入効率にもど
り、メモリー消去が行なわれる。本発明の場合、
アリールメタン系色素からなるメモリー効果付与
剤の使用により、露光時のホール注入効率の変化
率が著しく増大していることが、高い光感度の一
因と考えられる。また、導電性基板の表面抵抗率
が過大であると効率的なホール注入が行われず、
また過小であると、露光部以外においても感光メ
モリー層の受容電位の低下が起り、所望のコント
ラストが得られなくなる。これが、アリールメタ
ン系色素からなるメモリー効果付与剤との組合せ
において、特定の表面抵抗率を有する導電性基板
が優れた結果を与える理由と考えられる。
Holes are generally injected into this photosensitive memory layer from a conductive substrate. Only those that are larger than the film thickness of the photosensitive memory layer (given by the negative corona charge)) appear on the surface and are used to impart conductivity, that is, to offset the negative corona charge, contributing to a reduction in the acceptance potential. . When irradiated with light in the absorption wavelength range of the memory effect imparting agent, the hole injection efficiency from the conductive substrate increases due to physical and chemical changes in the interaction between the memory effect imparting agent and the conductive substrate. In the exposed area, the acceptance potential of the photosensitive memory layer due to corona charging appears to decrease as the hole injection efficiency increases. This state of increased hole injection efficiency due to light irradiation is
In the dark, it lasts for a relatively long time and exhibits a so-called memory effect, but this state is reversible, and the hole injection efficiency before light irradiation is restored by thermal energy or the like, and the memory is erased. In the case of the present invention,
The use of a memory effect imparting agent consisting of an arylmethane dye significantly increases the rate of change in hole injection efficiency during exposure, which is considered to be one reason for the high photosensitivity. In addition, if the surface resistivity of the conductive substrate is too high, efficient hole injection will not take place.
If it is too small, the acceptance potential of the photosensitive memory layer will decrease even in areas other than the exposed areas, making it impossible to obtain the desired contrast. This is considered to be the reason why a conductive substrate having a specific surface resistivity gives excellent results in combination with a memory effect imparting agent consisting of an arylmethane dye.

以下、本発明を更に詳細に説明する。以下の記
載において、組成を表わす「部」は特に断らない
限り重量基準とする。
The present invention will be explained in more detail below. In the following description, "parts" representing compositions are based on weight unless otherwise specified.

本発明の画像形成材料は、一例を第1図に示す
ように導電性基板1上に、感光メモリー層2を形
成してなる。
An example of the image forming material of the present invention is formed by forming a photosensitive memory layer 2 on a conductive substrate 1, as shown in FIG.

前述したように導電性基板1は、単なる電極と
して作用するものではなく、画像形成材料を構成
する機能要素の一つとして重要な役割を果し、感
光メモリー層にホール注入が可能でかつ適度な帯
電能を感光メモリー層に与えるために102
106Ω/□の表面抵抗率を有することが必要であ
る。
As mentioned above, the conductive substrate 1 does not act simply as an electrode, but also plays an important role as one of the functional elements constituting the image forming material, and is capable of injecting holes into the photosensitive memory layer and with a moderate amount of heat. 10 2 ~ to give charging ability to the photosensitive memory layer
It is necessary to have a surface resistivity of 10 6 Ω/□.

この意味でAu、Ag等の高導電材料は不適当で
ある。また、通常、静電写真材料に最も一般的に
用いられる導電性基板材料であるAlは表面に酸
化により不働態膜が形成され、ホール注入に対す
るバリアー層として作用するので不都合である。
導電性基板1としては、好ましくは、第2図に示
すように、ガラスあるいはポリエステル、ポリカ
ーボネートなどの透明プラスチツクのシートない
しは基板1a上に、導電性材料の膜2aを形成し
たものが用いられる。導電性材料としては、Zn、
Ti、Fe、Sn、Cu、In等の金属ないし半導体元
素、あるいは、SnO2、In2O3、ZnO、TiO、WO、
V2O5等の酸化物半導体等の102〜106Ω/□の表面
抵抗率を安定に与える材料が単独であるいは二種
以上の複合材料として好適に使用される。なかで
も酸化物半導体が好ましく用いられ、特に抵抗率
が104Ω/□程度のIn2O3−SnO2複合薄膜は好まし
い導電膜材料である。
In this sense, highly conductive materials such as Au and Ag are unsuitable. Furthermore, Al, which is the conductive substrate material most commonly used in electrostatic photographic materials, is disadvantageous because a passive film is formed on the surface by oxidation and acts as a barrier layer against hole injection.
As the conductive substrate 1, as shown in FIG. 2, it is preferable to use a sheet or substrate 1a of glass or transparent plastic such as polyester or polycarbonate, on which a film 2a of a conductive material is formed. As conductive materials, Zn,
Metal or semiconductor elements such as Ti, Fe, Sn, Cu, In, or SnO 2 , In 2 O 3 , ZnO, TiO, WO,
Materials such as oxide semiconductors such as V 2 O 5 that stably provide a surface resistivity of 10 2 to 10 6 Ω/□ are preferably used alone or as a composite material of two or more kinds. Among these, oxide semiconductors are preferably used, and in particular, an In 2 O 3 -SnO 2 composite thin film with a resistivity of about 10 4 Ω/□ is a preferred conductive film material.

感光メモリー層2は、有機光導電性物質および
メモリー効果付与剤を含む。有機光導電性物質に
は、前述した様に高分子光導電体自体、或いは低
分子光導電体の絶縁性バインダー中への分散物が
ある。高分子光導電体としては、前述したポリビ
ニルカルバゾール以外にも、ビニル基の代りに、
アリル基、アクリロキシアルキル基等のエチレン
性不飽和基が含まれたN−置換カルバゾールの重
合体であるポリN−エチレン性不飽和基置換カル
バゾール類、ポリN−アクリルフエノチアジン、
ポリN−(β−アクリロキシ)フエノチアジン等
のポリN−エチレン性不飽和基置換フエノチアジ
ン類、ポリビニルピレン等が用いられる。なかで
も、ポリN−エチレン性不飽和基置換カルバゾー
ル類、特にポリビニルカルバゾールが好ましく用
いられる。
The photosensitive memory layer 2 contains an organic photoconductive substance and a memory effect imparting agent. Organic photoconductive materials include, as mentioned above, polymeric photoconductors themselves or dispersions of low molecular photoconductors in insulating binders. In addition to the above-mentioned polyvinylcarbazole, in place of the vinyl group, polymer photoconductors include
Poly N-ethylenically unsaturated group-substituted carbazoles, which are polymers of N-substituted carbazole containing ethylenically unsaturated groups such as allyl groups and acryloxyalkyl groups, poly N-acrylphenothiazines,
PolyN-ethylenically unsaturated group-substituted phenothiazines such as polyN-(β-acryloxy)phenothiazine, polyvinylpyrene, and the like are used. Among these, poly N-ethylenically unsaturated group-substituted carbazoles, particularly polyvinyl carbazole, are preferably used.

また低分子量光導電体としては、アルキルアミ
ノフエニル基等で置換された、オキサジアゾール
類、トリフエニルメタン誘導体類などが用いられ
る。これらの低分子量光導電体は、その1部に対
して、たとえば1〜10部程度の、たとえばシリコ
ーン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体樹脂、
飽和もしくは不飽和ポリエステル樹脂、ポリビニ
ルアセタール樹脂などの電気絶縁性のバインダー
樹脂と組み合わせることにより皮膜形成性の有機
光導電性物質として用いられる。
Further, as the low molecular weight photoconductor, oxadiazoles, triphenylmethane derivatives, etc. substituted with an alkylaminophenyl group or the like are used. These low molecular weight photoconductors contain, for example, about 1 to 10 parts of silicone resin, styrene-butadiene copolymer resin,
When combined with an electrically insulating binder resin such as saturated or unsaturated polyester resin or polyvinyl acetal resin, it can be used as a film-forming organic photoconductive substance.

一方、メモリー効果付与剤としては、以下の構
造式(1)を有するアリールメタン系色素が用いられ
る。
On the other hand, as the memory effect imparting agent, an arylmethane dye having the following structural formula (1) is used.

前述したように上記式中、基R1、R2、R3の少
なくとも一つは、下式(2)または(3)で表わされるパ
ラ位をN置換したフエニル基であり、 (式(2)、(3)中、R4〜R8は、それぞれ、アルキル
基、アリール基または水素) 基R1、R2、R3の二つまでは、アルキル基、ア
リール基、アラルキル基または水素であり得る。
As mentioned above, in the above formula, at least one of the groups R 1 , R 2 , and R 3 is a phenyl group substituted with N at the para position represented by the following formula (2) or (3), (In formulas (2) and (3), R 4 to R 8 are an alkyl group, an aryl group, or hydrogen, respectively.) Up to two groups R 1 , R 2 , and R 3 are an alkyl group, an aryl group, or an aralkyl group. or hydrogen.

また、X-は一般にアニオンを示し、たとえば
Cl-、Br-、I-等のハロゲンイオン;BF4 -
PF6 -、SbF6 -、AsF6 -等の共有結合は錯陰イオ
ン;MnXm-(Mは金属、Xはハロゲン、mおよ
びnは整数)などが挙げられる。なかでもBF4 -
PF6 -、SbF6 -などの共有結合性の錯陰イオンが光
メモリーの応答性が高い感光メモリー層を与える
ので好ましい。また同様の理由により、R1およ
びR2がN−エチル置換カルバゾール基でR3がフ
エニル基であるアリールメタン系色素、あるいは
R1、R2がp−ジメチルアミノフエニル基でR3
フエニル基であるアリールメタン系色素が特に好
ましく用いられる。
Also, X - generally indicates an anion, e.g.
Halogen ions such as Cl - , Br - , I - ; BF 4 - ,
Covalent bonds such as PF 6 - , SbF 6 - , AsF 6 -, etc. are complex anions; examples include MnXm - (M is a metal, X is a halogen, m and n are integers). Among them, BF 4 - ,
Covalent complex anions such as PF 6 - and SbF 6 - are preferred because they provide a photosensitive memory layer with high photomemory responsiveness. For the same reason, arylmethane dyes in which R 1 and R 2 are N-ethyl-substituted carbazole groups and R 3 is a phenyl group, or
Arylmethane dyes in which R 1 and R 2 are p-dimethylaminophenyl groups and R 3 is a phenyl group are particularly preferably used.

これらのメモリー効果付与剤は、有機光導電性
物質中の光導電体1モル(光導電体が重合体の場
合は、その重合単位1モル)あたり、0.0001〜
0.01モル混合し、混合物を、必要に応じて溶剤で
希釈して導電性基板にワイヤバー、ドクターブレ
ード等で塗布することにより感光メモリー層を形
成し、本発明の画像形成材料を得る。感光メモリ
ー層の膜厚は、1〜20μ程度が望ましい。
These memory effect imparting agents are used in an amount of 0.0001 to 1 mole of photoconductor (or 1 mole of polymerized units when the photoconductor is a polymer) in the organic photoconductive material.
The image forming material of the present invention is obtained by mixing 0.01 mol of the mixture, diluting the mixture with a solvent if necessary, and applying the mixture to a conductive substrate using a wire bar, doctor blade, etc. to form a photosensitive memory layer. The thickness of the photosensitive memory layer is preferably about 1 to 20 microns.

なお、感光メモリー層2は、それ自体、複数の
層に分割することができる。この際、第3図に示
すように、上記の感光メモリー層と同様な組成を
有する層2a上に比較的薄い厚さを有しメモリー
効果を有さない光導電層2bを設ける層構成が好
ましく用いられる。
Note that the photosensitive memory layer 2 itself can be divided into a plurality of layers. In this case, as shown in FIG. 3, it is preferable to have a layer structure in which a photoconductive layer 2b having a relatively thin thickness and having no memory effect is provided on a layer 2a having a composition similar to that of the photosensitive memory layer. used.

次にこのようにして得られた画像形成材料を用
いて行う、本発明の画像形成方法について説明す
る。
Next, the image forming method of the present invention using the image forming material thus obtained will be described.

本発明の方法にしたがい、持続導電性画像を得
るためには、第1図に対応して第3図に示すよう
に、画像形成材料の感光メモリー層2に、光源3
から透過原稿4を介して光照射することによりパ
ターン露光を行えばよい。導電性基板1が透明で
ある場合、感光メモリー層2への露光は導電性基
板1を介して行うこともできる(図示せず)。光
源3としては、白色ランプ、キセノンランプ、ハ
ロゲンランプ等の連続スペクトル光源を用いるこ
とができるほか、メモリー効果付与剤であるカル
バゾール環を構造内に含むアリールメタン系色素
が可視域に光吸収(感度)を有するため、可視域
の単色光も使用可能である。このような単色光の
代表としては、たとえばArレーザー(514nm)、
ルビーレーザー(488nm)、ダイレーザー、He−
Neレーザー(633nm)のどのレーザー光が挙げ
られ、この場合、単位面積あたりのエネルギー密
度が大であるレーザーの特徴を利用してビーム走
査により直接パターン露光を行うことができる。
In order to obtain a sustained conductive image according to the method of the invention, a light source 3 is applied to the photosensitive memory layer 2 of the imaging material, as shown in FIG. 3 corresponding to FIG.
Pattern exposure may be performed by irradiating light through the transparent original 4. If the conductive substrate 1 is transparent, the exposure of the photosensitive memory layer 2 can also be performed through the conductive substrate 1 (not shown). As the light source 3, a continuous spectrum light source such as a white lamp, a xenon lamp, or a halogen lamp can be used.In addition, an arylmethane dye containing a carbazole ring, which is a memory effect imparting agent, in its structure absorbs light in the visible range (sensitivity ), monochromatic light in the visible range can also be used. Representative examples of such monochromatic light include Ar laser (514nm),
Ruby laser (488nm), dye laser, He-
Ne laser (633 nm) is an example of laser light. In this case, direct pattern exposure can be performed by beam scanning by utilizing the laser's characteristic of high energy density per unit area.

上述したように本発明の画像形成材料は増感剤
の添加なしでも0.05〜0.1mJ/cm2程度の露光量
で良好なメモリー効果が得られ、得られる導電性
画像は1〜3時間安定に持続する。また、さらに
感度を上げるためには、パターン露光の前にあら
かじめ逆帯電(正帯電)を行えばよい。これによ
つて感度がさらに20%程度向上する。この場合、
逆帯電を行つた後、一旦、電位をゼロまで戻して
もよいし、または逆帯電したままで露光を行なつ
てもよい。更に特願昭57−5233号明細書に記載し
たように、感光メモリー層に負極を接触させて電
圧の印加下に露光を行つてもよい。
As mentioned above, the image forming material of the present invention can obtain a good memory effect at an exposure dose of about 0.05 to 0.1 mJ/cm 2 even without the addition of a sensitizer, and the resulting conductive image remains stable for 1 to 3 hours. last. Further, in order to further increase the sensitivity, reverse charging (positive charging) may be performed in advance before pattern exposure. This further improves the sensitivity by about 20%. in this case,
After performing reverse charging, the potential may be returned to zero, or exposure may be performed with the reversely charged state. Furthermore, as described in Japanese Patent Application No. 57-5233, exposure may be carried out by bringing a negative electrode into contact with the photosensitive memory layer and applying a voltage.

上述のようにして得られた持続導電性画像は一
般に潜像であるが、これを静電写真ないし静電印
刷マスターとして利用することにより可視像が得
られる。すなわち、持続導電性画像の形成された
感光メモリー属に負のコロナ放電を行い、非露光
部に反転静電潜像を形成し、以後、トナー粉末の
付着による現像、紙等への転写を代表とするゼロ
グラフイーの各種現像法をそのまま適用すること
ができる。また、本発明法により、一旦、持続導
電性画像が得られると、以後、帯電現像−転写を
繰り返すことにより多数枚の複写物が得られる。
The sustained conductive image obtained as described above is generally a latent image, but a visible image can be obtained by utilizing it as an electrostatic photograph or an electrostatic printing master. In other words, a negative corona discharge is applied to the photosensitive memory on which the persistently conductive image has been formed to form a reversed electrostatic latent image in the non-exposed area, which is then developed by adhering toner powder and transferred to paper, etc. Various xerographic development methods can be applied as they are. Furthermore, once a sustained conductive image is obtained by the method of the present invention, a large number of copies can be obtained by repeating charging development and transfer.

またメモリー機能を生かした方法として導電性
画像と現像とを切り離すことができるため、部分
焼付の可能な印刷版としての応用も期待できる。
その他の現像方法として、露光部と非露光部との
導電性の差を利用して、電着現像、電解現像、電
気泳動現像等の方法を利用することもできる。
In addition, since the conductive image and development can be separated as a method that takes advantage of the memory function, it is also expected to be applied as a printing plate that allows partial printing.
As other developing methods, methods such as electrodeposition development, electrolytic development, and electrophoretic development can also be used by utilizing the difference in conductivity between exposed areas and non-exposed areas.

さらに、本発明の画像形成材料の特徴として、
メモリー消去が容易であることが挙げられる。メ
モリー消去の方法としては、持続導電性画像形成
後の感光メモリー層に逆帯電(正帯電)を行う方
法、あるいは100〜150℃の熱板、熱ローラー等に
よつて感光メモリー層を加熱する方法等がある。
Furthermore, the image forming material of the present invention has the following characteristics:
One of the advantages is that the memory can be easily erased. Methods for erasing the memory include a method of reversely charging (positively charging) the photosensitive memory layer after the formation of a sustained conductive image, or a method of heating the photosensitive memory layer using a hot plate, heated roller, etc. at 100 to 150°C. etc.

特に、加熱によるメモリー消去に際しては、温
度120〜150℃の条件を用いれば、わずか1〜5秒
で完全なメモリー消去が可能である。
In particular, when erasing the memory by heating, if a temperature of 120 to 150° C. is used, complete memory erasure can be achieved in just 1 to 5 seconds.

以下の実施例によつて、本発明を更に具体的に
説明する。
The present invention will be explained in more detail with reference to the following examples.

実施例 1 9,9′−ジエチル−3,3′−ジカルバジルフ
エニルメチルテトラフルオロボレート(メモリ
ー付与剤) 2mg ポリビニルカルバゾール(光導電性物質;高砂
染料(株)製ツビコール) 1g CHCl3 25g 上記組成を有する混合溶液を暗所で作成し、
In2O3−SnO2を蒸着したポリエステルフイルム
(表面抵抗率104Ω/□、帝人(株)製、透明導電性フ
イルム)にワイヤバーを用いて塗布し、50℃で約
1時間通風乾燥し、膜厚約10μmの感光メモリー
層を有する画像形成材料(感光材料)を形成し
た。
Example 1 9,9'-diethyl-3,3'-dicarbasyl phenylmethyltetrafluoroborate (memory imparting agent) 2 mg Polyvinylcarbazole (photoconductive substance; Tubicol manufactured by Takasago Dye Co., Ltd.) 1 g CHCl 3 25 g Above Create a mixed solution with the composition in the dark,
In 2 O 3 −SnO 2 was applied to a polyester film (surface resistivity 10 4 Ω/□, manufactured by Teijin Ltd., transparent conductive film) using a wire bar, and dried with ventilation at 50°C for about 1 hour. An image forming material (photosensitive material) having a photosensitive memory layer with a film thickness of about 10 μm was formed.

この画像形成材料について、完全に乾燥を行な
うために、さらに1日自然放置を行ない、その
後、本発明の画像形成法に準じて以下の様な測定
を行なつた。
This image forming material was allowed to stand for another day in order to dry completely, and then the following measurements were carried out according to the image forming method of the present invention.

すなわち、露光は干渉フイルターとハロゲンラ
ンプを用いて633nm、0.1mw/cm2の光を照射し
て、感光メモリー層全面の導電化処理を行なつ
た。
That is, the exposure was performed by irradiating light of 633 nm and 0.1 mw/cm 2 using an interference filter and a halogen lamp to make the entire surface of the photosensitive memory layer conductive.

露光前後の表面電位をコロナ帯電器(回転式ペ
ーパーアナライザー、河口電気(株)製)で測定し
た。
The surface potential before and after exposure was measured with a corona charger (rotary paper analyzer, manufactured by Kawaguchi Electric Co., Ltd.).

その結果、露光前では、700V(−)電荷受容性
の感光体が0.1mJ/cm2の露光量を与えた後では、
140V(−)の電荷受容性となり、画像として考え
た場合、未露光部と露光部との間に、560Vのコ
ントラスト電位が得られた。このようにして得ら
れた電荷受容性の低下状態は、暗状態で安定で、
3時間後でも、200V(−)までしか回復せず、こ
の階段でも500Vのコントラスト電位が得られた。
As a result, before exposure, after a photoreceptor with 700V (-) charge acceptability was given an exposure dose of 0.1mJ/ cm2 ,
The charge acceptance was 140 V (-), and when considered as an image, a contrast potential of 560 V was obtained between the unexposed area and the exposed area. The state of reduced charge acceptance obtained in this way is stable in the dark state,
Even after 3 hours, the voltage recovered to only 200V (-), and a contrast potential of 500V was obtained even on this staircase.

別途、上記画像形成材料の感光メモリー層にパ
ターンフイルムを介して密着露光を行い、その
後、コロナ帯電し、(−6kv)正極性の電子写真
湿式トナーにより現像して感光材料表面の非露光
部にトナー像を得た。その場合の解像度は15本/
mmであつた。
Separately, the photosensitive memory layer of the above-mentioned image forming material is subjected to contact exposure through a pattern film, and then corona charged and developed with (-6kv) positive polarity electrophotographic wet toner to cover the unexposed areas on the surface of the photosensitive material. A toner image was obtained. In that case, the resolution is 15 lines/
It was warm in mm.

実施例 2 実施例1で用いたものと同様の感光材料におい
て、露光前にあらかじめ、正帯電を行ない、その
後に露光、もしくは一度、負帯電で表面電荷をキ
ヤンセルした後に露光した場合、露光部の電荷受
容性は70V(−)(未露光部=700V(−))となり、
増感効果が得られた。
Example 2 In a photosensitive material similar to that used in Example 1, if the material is positively charged before exposure and then exposed, or once the surface charge is canceled by negative charging and then exposed, the exposed area The charge acceptance is 70V(-) (unexposed area = 700V(-)),
A sensitizing effect was obtained.

実施例 3 実施例1で用いたものと同様の感光材料におい
て、露光により、電荷受容性が70V(−)まで低
下したものを、正帯電(+6kv)で5分継続した
場合、また140℃の熱ローラーに3秒通した場合、
電荷受容性は、露光前の700Vまで回転し、メモ
リーの消去が行なわれた。
Example 3 A photosensitive material similar to that used in Example 1 whose charge acceptance decreased to 70 V (-) due to exposure was positively charged (+6 kv) for 5 minutes, and when exposed to light at 140°C. When passed through a heated roller for 3 seconds,
The charge acceptor was rotated to 700V before exposure and memory erase was performed.

比較例 実施例1で用いた感光材料において、導電性基
板を、In2O3−SnO2を蒸着したポリエステルフイ
ルムに代えて、Al蒸着マイラーフイルムにした
結果、露光を行なつた後の電荷受容性の低下は認
められず、メモリー効果が起こらなかつた。
Comparative Example In the photosensitive material used in Example 1, the conductive substrate was replaced with an Al-deposited Mylar film instead of the In 2 O 3 -SnO 2- deposited polyester film. As a result, the charge reception after exposure was improved. No decrease in sexual performance was observed, and no memory effects occurred.

実施例 4 実施例1で用いた感光材料において、光源をハ
ロゲンランプの代りに、He−Neレーザー633nm
を用いて、ビーム操作により直接光記録を行なつ
た。その結果、露光量500erg/cm2で画像形成が可
能であつた。
Example 4 In the photosensitive material used in Example 1, the light source was a He-Ne laser of 633 nm instead of a halogen lamp.
Direct optical recording was performed using beam manipulation. As a result, it was possible to form an image with an exposure amount of 500 erg/cm 2 .

実施例 5 9,9′−ジエチル−3,3′−ジカルバジルフ
エニルメチルヘキサフルオロホスフアイド 4mg ポリビニルカルバゾール 1g CHCl3 25g 上記組成を有する混合溶液を実施例1で用いた
ものと同様の導電性基板上に、ギヤツプ巾4mil
のドクターブレードを用いて塗布し、完全乾燥し
て、膜厚15μmの感光メモリー層を形成した。得
られた感光材料の感光メモリー層に500nm、0.1
mw/cm2の強度の光を0.1mJ/cm2照射した後、
負極性の電子写真湿式トナーに浸し、アルミ板を
対陰極に用いて、感光基板(導電性基板)との間
に100Vの直流電圧を印加した結果、露光部にト
ナーが付着し、電着が行なわれることが確認され
た。
Example 5 9,9'-diethyl-3,3'-dicarbasylphenylmethylhexafluorophosphide 4 mg Polyvinylcarbazole 1 g CHCl 3 25 g A mixed solution having the above composition had the same conductivity as that used in Example 1. On the board, gap width 4mil
The film was applied using a doctor blade and completely dried to form a photosensitive memory layer with a thickness of 15 μm. 500 nm, 0.1 on the photosensitive memory layer of the obtained photosensitive material
After irradiating light with an intensity of mw/cm 2 at 0.1 mJ/cm 2 ,
As a result of applying a DC voltage of 100V between the electrophotographic wet toner of negative polarity and the photosensitive substrate (conductive substrate) using an aluminum plate as an anticathode, the toner adheres to the exposed area and electrodeposition occurs. It has been confirmed that this will be done.

実施例 6 1,2−P−ジメチルアミノ−3−フエニルメタ
ン、テトラフルオロボレート(マラカイトグリー
ン−4−フツ化ホウ酸塩) 3mg ポリビニルカルバゾール 1g CHCl3 25g 上記組成を有する混合溶液を、表面抵抗率
104Ω/□程度のNiO基板上にギヤツプ巾4milの
ドクタープレードを用いて塗布し、完全乾燥し
て、膜厚10μmの感光メモリー層を形成した。得
られた感光材料の感光メモリー層に640nm、0.1
mw/cm2の光を0.5mJ/cm2パターン露光を行な
つた。
Example 6 1,2-P-dimethylamino-3-phenylmethane, tetrafluoroborate (malachite green-4-fluoroborate) 3 mg Polyvinylcarbazole 1 g CHCl 3 25 g A mixed solution having the above composition was tested for surface resistivity.
It was coated on a NiO substrate of approximately 10 4 Ω/□ using a doctor blade with a gap width of 4 mil, and was completely dried to form a photosensitive memory layer with a thickness of 10 μm. 640nm, 0.1 to the photosensitive memory layer of the obtained photosensitive material
A 0.5 mJ/cm 2 pattern exposure was performed using mw/cm 2 light.

3時間保存後(−)帯電を行なつて、トナー現
像を行なつた結果、15本/mmの画像形成が得られ
た。
After storage for 3 hours, it was charged (-) and developed with toner. As a result, an image formation rate of 15 lines/mm was obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図〜第3図は、それぞれ本発明の実施例に
かかる画像形成材料の厚み方向部断面図、第4図
は本発明の画像形成方法におけるパターン露光工
程を説明するための画像形成材料の厚み方向断面
図である。 1……導電性基板(1a……透明基板、1b…
…導電性膜)、2……感光メモリー層、3……光
源、4……透過原稿。
1 to 3 are cross-sectional views in the thickness direction of image forming materials according to embodiments of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view of the image forming material for explaining the pattern exposure step in the image forming method of the present invention. It is a sectional view in the thickness direction. 1... Conductive substrate (1a... Transparent substrate, 1b...
... conductive film), 2 ... photosensitive memory layer, 3 ... light source, 4 ... transparent original.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 ホール注入が可能な表面抵抗率が102
106Ω/□である導電性基板上に、有機光導電性
物質および下式(1)で表わされるアリールメタン系
色素からなるメモリー効果付与剤を含む感光メモ
リー層を設けてなることを特徴とするメモリー機
能を有する画像形成材料。 (式中、基R1、R2、R3の少なくとも一つは、下
式(2)または(3)で表わされるパラ位をN置換したフ
エニル基であり、 (式(2)、(3)中、R4〜R8は、それぞれ、アルキル
基、アリール基または水素) 基R1、R2、R3の二つまでは、アルキル基、ア
リール基、アラルキル基または水素であり得、
X-はアニオンを表わす。 2 導電性基板が導電性金属酸化物皮膜を有する
上記第1項の画像形成材料。 3 感光メモリー層が複数の層からなり、その一
層にメモリー効果付与剤を含む上記第1項または
第2項の画像形成材料。 4 表面抵抗率が102〜106Ω/□である導電性基
板上に、有機光導電性物質および下式(1)で表わさ
れるアリールメタン系色素からなるメモリー効果
付与剤を含む感光メモリー層を設けてなる画像形
成材料の感光メモリー層にパターン露光を行い露
光部にホールの注入された持続導電性画像を形成
することを特徴とする、メモリー型画像形成方
法。 (式中、基R1、R2、R3の少なくとも一つは、下
式(2)または(3)で表わされるパラ位をN置換したフ
エニル基であり、 (式(2)、(3)中、R4〜R8は、それぞれ、アルキル
基、アリール基または水素) 基R1、R2、R3の二つまでは、アルキル基、ア
リール基、アラルキル基または水素であり得、
X-はアニオンを表わす。) 5 パターン露光後の感光メモリー層に負帯電を
行い、非露光部に負帯電画像を形成する上記第4
項の方法。 6 負帯電後にトナー現像を行う上記第5項の方
法。 7 パターン露光後、感光メモリー層の正帯電あ
るいは加熱により持続導電性画像の消去を行う上
記第4項ないし第6項のいずれかの方法。 8 パターン露光前に感光メモリー層の正帯電を
行う上記第4項ないし第7項のいずれかの方法。
[Claims] 1. Surface resistivity that allows hole injection is 10 2 ~
A photosensitive memory layer containing a memory effect imparting agent consisting of an organic photoconductive substance and an arylmethane dye represented by the following formula (1) is provided on a conductive substrate having a resistance of 10 6 Ω/□. An image forming material that has a memory function. (In the formula, at least one of the groups R 1 , R 2 , and R 3 is a phenyl group substituted with N at the para position represented by the following formula (2) or (3), (In formulas (2) and (3), R 4 to R 8 are an alkyl group, an aryl group, or hydrogen, respectively) Up to two groups R 1 , R 2 , and R 3 are an alkyl group, an aryl group, or an aralkyl group. or can be hydrogen;
X - represents an anion. 2. The image forming material according to item 1 above, wherein the conductive substrate has a conductive metal oxide film. 3. The image forming material according to item 1 or 2 above, wherein the photosensitive memory layer is composed of a plurality of layers, and one of the layers contains a memory effect imparting agent. 4 A photosensitive memory layer containing a memory effect imparting agent consisting of an organic photoconductive substance and an arylmethane dye represented by the following formula (1) on a conductive substrate having a surface resistivity of 10 2 to 10 6 Ω/□. 1. A memory-type image forming method, which comprises performing pattern exposure on a photosensitive memory layer of an image forming material provided with the above to form a sustained conductive image in which holes are injected into exposed areas. (In the formula, at least one of the groups R 1 , R 2 , and R 3 is a phenyl group substituted with N at the para position represented by the following formula (2) or (3), (In formulas (2) and (3), R 4 to R 8 are an alkyl group, an aryl group, or hydrogen, respectively) Up to two groups R 1 , R 2 , and R 3 are an alkyl group, an aryl group, or an aralkyl group. or can be hydrogen;
X - represents an anion. ) 5 The fourth step of negatively charging the photosensitive memory layer after pattern exposure and forming a negatively charged image in the non-exposed area.
Section method. 6. The method of item 5 above, in which toner development is performed after negative charging. 7. The method according to any one of items 4 to 6 above, wherein after pattern exposure, the persistent conductive image is erased by positively charging or heating the photosensitive memory layer. 8. The method according to any one of items 4 to 7 above, wherein the photosensitive memory layer is positively charged before pattern exposure.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5240800A (en) * 1991-07-29 1993-08-31 Eastman Kodak Company Near-infrared radiation sensitive photoelectrographic master and imaging method

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5617357A (en) * 1979-07-20 1981-02-19 Fuji Photo Film Co Ltd Electrophotographic material with lasting electrical conductivity
JPS5633652A (en) * 1979-08-24 1981-04-04 Xerox Corp Image forming member

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5617357A (en) * 1979-07-20 1981-02-19 Fuji Photo Film Co Ltd Electrophotographic material with lasting electrical conductivity
JPS5633652A (en) * 1979-08-24 1981-04-04 Xerox Corp Image forming member

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