JPH0465157A - Lead frame for power transistor and manufacture thereof - Google Patents
Lead frame for power transistor and manufacture thereofInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、プレス加工によって製造するパワートランジ
スタ用リードフレームとその製造方法に関するものであ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Industrial Application Field> The present invention relates to a power transistor lead frame manufactured by press working and a manufacturing method thereof.
〈従来の技術〉
従来、ヒートシンク部を有するパワートランジスタ用リ
ードフレームは、順送り金型を用いプレス加工によって
製造されている。<Prior Art> Conventionally, a lead frame for a power transistor having a heat sink portion has been manufactured by press working using a progressive die.
このヒートシンク部の外周部の一部分あるいはヒートシ
ンク部内の丸形または丸形以外の抜き孔には、モールド
との密着性および耐湿性を与えるためコイニング加工が
施される。 コイニング加工はヒートシンク部の表面ま
たは裏面のみに行う場合と表裏両面側から行う場合があ
る。A portion of the outer periphery of the heat sink portion or a round or non-round hole in the heat sink portion is subjected to coining processing to provide adhesiveness with the mold and moisture resistance. The coining process may be performed only on the front or back side of the heat sink portion, or may be performed on both the front and back sides.
また、ヒートシンク部の一部分に溝加工を施す場合があ
る。Additionally, grooves may be formed in a portion of the heat sink portion.
〈発明が解決しようとする課題〉
従来技術では、ヒートシンク部の一部分に直接圧縮力を
与えることにより、前記コイニング加工または溝加工を
行うため、ヒートシンク部には大きな応力が伝わること
になっていた。<Problems to be Solved by the Invention> In the prior art, the coining or grooving is performed by directly applying a compressive force to a portion of the heat sink, which results in a large stress being transmitted to the heat sink.
従って、この力によりヒートシンク部全体が変形させら
れ、平坦度が悪（なるという問題点が生じていた。Therefore, the entire heat sink portion is deformed by this force, resulting in a problem of poor flatness.
このため、加工を十分に行うことが困難になり、本来の
目的であるモールドとの密着性および耐湿性にも限界が
あった。This makes it difficult to perform sufficient processing, and there are limits to the original objectives of adhesion to the mold and moisture resistance.
本発明の目的は、前記した従来技術の欠点を解消し、ヒ
ートシンク部の平坦度を確保しながら、モールドとの密
着性、耐湿性を大きく向上させることができるパワート
ランジスタ用リードフレームとその製造方法を提供する
ことにある。An object of the present invention is to provide a lead frame for a power transistor and a method for manufacturing the same, which can eliminate the drawbacks of the prior art described above and greatly improve adhesion with a mold and moisture resistance while ensuring flatness of a heat sink portion. Our goal is to provide the following.
く課題を解決するための手段〉
上記目的を達成するために本発明によれば、ヒートシン
ク部を有し、順送り金型を用いプレス加工によって製造
されるトランジスタ用リードフレームにおいて、前記ヒ
ートシンク部がせん断加工と圧縮加工による突起を有す
ることを特徴とするパワートランジスタ用リードフレー
ムが提供される。Means for Solving the Problems> In order to achieve the above object, the present invention provides a transistor lead frame having a heat sink portion and manufactured by press working using a progressive die, in which the heat sink portion is sheared. A lead frame for a power transistor characterized by having protrusions formed by processing and compression processing is provided.
また、本発明によれば、前記パワートランジスタ用リー
ドフレームの製造に際し、前記ヒートシンク部の形状抜
きをしたのち、せん断加工を前記ヒートシンク部の所定
の部分にその厚さ方向の中間まで行い、続いて、前記せ
ん断加工により形成された突起の先端を圧縮加工するこ
とを特徴とするパワートランジスタ用リードフレームの
製造方法が提供される。Further, according to the present invention, when manufacturing the power transistor lead frame, after cutting out the shape of the heat sink portion, shearing is performed on a predetermined portion of the heat sink portion up to the middle in the thickness direction, and then , there is provided a method for manufacturing a lead frame for a power transistor, characterized in that the tip of the protrusion formed by the shearing process is compressed.
以下に本発明をさらに詳細に説明する。The present invention will be explained in more detail below.
本発明のパワートランジスタ用リードフレームは、ヒー
トシンク部を有し、順送り金型を用いプレス加工によっ
て製造されるものである。The lead frame for a power transistor of the present invention has a heat sink portion and is manufactured by press working using a progressive die.
本発明において用いる順送り金型の形状は、特に限定せ
ず公知のものを用いることができる。The shape of the progressive mold used in the present invention is not particularly limited, and any known shape can be used.
本発明のリードフレームは、ヒートシンク部の外周部の
一部分あるいはヒートシンク部内の丸形または丸形以外
の抜き孔、さらにはヒートシンク部の一部分にモールド
との密着性および耐湿性を与えるために形成される突起
に特徴を有する。The lead frame of the present invention is formed to provide mold adhesion and moisture resistance to a part of the outer periphery of the heat sink part, a round or non-round hole in the heat sink part, and a part of the heat sink part. It has a characteristic protrusion.
第３図は、本発明の一実施例を示すパワートランジスタ
用リードフレームのヒートシンク部２を示す平面図であ
る。 第３図ではヒートシンク部２の周囲の一部に突起
部２ａを有する例で、突起部２ａの先端２ｂの断面形状
は第４図に示すようにつぶし加工されている。FIG. 3 is a plan view showing a heat sink portion 2 of a lead frame for a power transistor showing an embodiment of the present invention. FIG. 3 shows an example in which a protrusion 2a is provided on a part of the periphery of the heat sink portion 2, and the cross-sectional shape of the tip 2b of the protrusion 2a is crushed as shown in FIG.
第７図および第８図は、ヒートシンク部２内の一部分に
突起部２ａを有する例を示し、突起部２ａの先端２ｂの
断面は第８図に示すようにつぶし加工されている。7 and 8 show an example in which a portion of the heat sink portion 2 has a protrusion 2a, and the cross section of the tip 2b of the protrusion 2a is crushed as shown in FIG.
上記のばかヒートシンク部内の丸形または丸形以外の抜
き孔部分に、先端をつぶし加工した突起部を形成したも
のも挙げることができる（図示せず）。There may also be one in which a protrusion with a crushed tip is formed in the round or non-round hole in the heat sink part (not shown).
このように先端をつぶし加工した突起部をヒートシンク
部に有することにより、モールドの密着性および耐湿性
を向上させることができる。By providing the heat sink with a protrusion whose tip is crushed in this way, it is possible to improve the adhesion and moisture resistance of the mold.
つぎに、本発明のパワートランジスタ用リードフレーム
の製造方法について説明する。Next, a method for manufacturing a lead frame for a power transistor according to the present invention will be explained.
常法によりヒートシンク部の形状抜きをしたのち、せん
断加工と圧縮加工を併用して突起を形成する。After cutting out the shape of the heat sink part using a conventional method, protrusions are formed using a combination of shearing and compression processing.
第１図および第２図は、ヒートシンク部２の周囲の一部
に突起を形成する場合の一例を示す。FIGS. 1 and 2 show an example in which a protrusion is formed in a part of the periphery of the heat sink portion 2. FIG.
まず、第１図に示すように形状抜きしたヒートシンク部
２の周囲の一部分に、せん断加工パンチ１およびダイ３
を用いて前記ヒートシンク部２の厚さ方向の中間（第１
図では厚さの半分）までせん断加工を行い突起部２ａを
形成する。First, as shown in FIG. 1, a shearing punch 1 and a die 3
is used to locate the middle (first
Shearing is performed to half the thickness in the figure) to form the protrusion 2a.
続いて、前記突起部２ａを有するヒートシンク部２に対
し、第２図に示すようにつぶし加工量はパンチ４および
つぶし加工ダイ５を用いて前記突起部２ａへ圧縮力を与
え、先端２ｂをつぶし加工する。Next, as shown in FIG. 2, the heat sink portion 2 having the protrusion 2a is crushed by applying a compressive force to the protrusion 2a using a punch 4 and a crushing die 5 to crush the tip 2b. Process.
このようにして断面形状が第４図に示すような突起を容
易に形成することができ、ヒートシンク部２の平坦度を
保持することができる。In this way, a protrusion having a cross-sectional shape as shown in FIG. 4 can be easily formed, and the flatness of the heat sink portion 2 can be maintained.
突起部２ａを形成するせん断加工の加工量およびその後
に行うつぶし加工の加工量は限定せず、任意に選定する
ことができる。The amount of shearing for forming the protrusion 2a and the amount of crushing performed thereafter are not limited and can be arbitrarily selected.
第５〜８図は、ヒートシンク部内の一部分に溝６を形成
する場合の一例を示す。5 to 8 show an example in which the groove 6 is formed in a portion of the heat sink portion.
まず、第５図および第６図に示すように形状抜きしたヒ
ートシンク部２の一部分に、せん断加工を途中まで行い
、溝６を形成する。 このとき、溝６の裏面には突起部
２ａが形成される。First, as shown in FIGS. 5 and 6, a groove 6 is formed by shearing a part of the heat sink portion 2 that has been cut out. At this time, a protrusion 2a is formed on the back surface of the groove 6.
続いて、前記突起部２ａを有するヒートシンク部２に対
し、つぶし加工量はパンチおよびつぶし加工ダイを用い
て前記突起部２ａへ圧縮力を与え、先端２ｂをつぶし加
工する（第７図および第８図参照）。Next, the heat sink portion 2 having the protrusion 2a is crushed by applying compressive force to the protrusion 2a using a punch and a crushing die to crush the tip 2b (see FIGS. 7 and 8). (see figure).
〈実施例〉 以下に本発明を実施例に基づき具体的に説明する。<Example> The present invention will be specifically explained below based on Examples.
（実施例１）
第１図に示すように形状抜きしたヒートシンク部２の周
囲の一部分に、せん断加工により突起部２ａを形成し、
続いて第２図に示すように突起部２ａの先端をつぶし加
工し、第３図−および第４図に示すように突起を形成し
た。 各部の寸法は下記の通りである。(Example 1) As shown in FIG. 1, a protrusion 2a is formed in a part of the periphery of the heat sink part 2 cut out by shearing,
Subsequently, as shown in FIG. 2, the tip of the projection 2a was crushed to form a projection as shown in FIGS. 3 and 4. The dimensions of each part are as follows.
ヒートシンク部の厚さ
（１，２〜２．０ｍｍ）または（１，４ｍｍ）せん断加
工の加工量
（０，５−１，０ｍｍ）または（０゜７ｍｍ）つぶし加
工の加工量
（０，１−０，５＋＊ｍ）または（０，２ｍｍ）加工後
のヒートシンク部の平坦度は１０ＬＬｍ以下であり、は
とんど変形は無かった。Thickness of heat sink part (1.2-2.0mm) or (1.4mm) Shearing amount (0.5-1.0mm) or (0°7mm) Crushing amount (0.1- The flatness of the heat sink portion after processing (0.5+*m) or (0.2 mm) was 10LLm or less, and there was almost no deformation.
上記突起をヒートシンク部に形成したパワートランジス
タ用リードフレームを用い、チップを搭載し、エポキシ
樹脂でモールディングしたのち、下記によりモールドの
密着性、耐湿性の評価を行った。A chip was mounted using a power transistor lead frame in which the above protrusions were formed on the heat sink portion, and after molding with epoxy resin, the adhesion and moisture resistance of the mold were evaluated as follows.
（評価方法）
ＰＣＴ試験による（ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｃｏｏｋｅｒ
ｔｅｓｔ）１２１℃、２気圧の水蒸気圧内に２４時間か
ら１００時間入れておき、
■樹脂の外観チエツク−クラックがない■ジー１間リー
ク電流試験→１０す’Ａ以内で合格
■樹脂を破壊し、内部へ水分の浸入がないかチエツク
〈発明の効果〉
本発明は以上説明したように構成されているので、本発
明の製造方法によれば、ヒートシンク部自体にかかる圧
縮応力が小さいのでヒートシンク部が反る、曲るという
変形をしない。(Evaluation method) By PCT test (pressure cooker
test) Place it in a water vapor pressure of 121℃ and 2 atmospheres for 24 to 100 hours. ■ Check the appearance of the resin - there are no cracks. ■ Leak current test between G and 1 → Pass within 10 A. ■ Destroy the resin. , check for moisture infiltration into the interior. <Effects of the Invention> Since the present invention is constructed as described above, according to the manufacturing method of the present invention, the compressive stress applied to the heat sink part itself is small, so that the heat sink part Does not warp or bend.
そのため平坦度が良好となり、グイボンディング性が向
上するという効果を奏する。 また、樹脂モールド時の
ヒートシンク部裏面へのモールド流れについても防止す
ることができる。Therefore, the flatness becomes good, and the effect of improving the bonding property is achieved. Furthermore, it is possible to prevent the mold from flowing toward the back surface of the heat sink portion during resin molding.
また、本発明のリードフレームはヒートシンク部に形成
される突起の形状が複雑となるため、モールドの密着性
、耐湿性が向上する。Further, in the lead frame of the present invention, since the shape of the protrusion formed on the heat sink portion is complicated, mold adhesion and moisture resistance are improved.
第１図は、ヒートシンク部の周囲の一部にせん断加工を
半分まで施したときのヒートシンク部の断面図である。
第２図は、第１図のヒートシンク部の突起部につぶし加
工を施したときのヒートシンク部の断面図である。
第３図は、本発明のパワートランジスタ用リードフレー
ムのヒートシンク部の一実施例を示す平面図である。
第４図は、第３図のＴＶ−ＴＶ線でみた断面図である。
第５図は、本発明のパワートランジスタ用リードフレー
ムのヒートシンク部内の一部分にせん断加工を半分まで
施したときのヒートシンク部の形状の他の例を示す平面
図である。
第６図は、第５図のＶｌ−ＶＩ線でみた断面図である。
第７図は、第５図のヒートシンク部の突起部につぶし加
工を施したときのヒートシンク部の平面図である。
第８図は、第７図の■−■線でみた断面図である。
符号の説明
ｌ・・・せん断加工パンチ、
２・・・リードフレームのヒートシンク部、２ａ・・・
突起部、
２ｂ・・・先端、
３・・・せん断加工グイ、
４・・・つぶし加工受はパンチ、
５・・・つぶし加工グイ、
６・・・溝
ＦＩＧ、５
ＦＩＧ、７
ＦＩＧ、８FIG. 1 is a cross-sectional view of the heat sink part when a part of the periphery of the heat sink part has been sheared to half. FIG. 2 is a cross-sectional view of the heat sink portion when the projections of the heat sink portion shown in FIG. 1 are crushed. FIG. 3 is a plan view showing an embodiment of the heat sink portion of the power transistor lead frame of the present invention. FIG. 4 is a sectional view taken along the TV--TV line in FIG. 3. FIG. 5 is a plan view showing another example of the shape of the heat sink portion when a portion of the heat sink portion of the lead frame for a power transistor according to the present invention is sheared to half. FIG. 6 is a sectional view taken along the line Vl-VI in FIG. 5. FIG. 7 is a plan view of the heat sink portion when the projections of the heat sink portion shown in FIG. 5 are crushed. FIG. 8 is a sectional view taken along the line ■--■ in FIG. 7. Explanation of symbols 1... Shear processing punch, 2... Heat sink portion of lead frame, 2a...
Protrusion, 2b...Tip, 3...Shear processing goo, 4...Crushing processing receiver is a punch, 5...Crushing processing goo, 6...Groove FIG, 5 FIG, 7 FIG, 8
Claims (2)
加工によって製造されるトランジスタ用リードフレーム
において、 前記ヒートシンク部がせん断加工と圧縮加工による突起
を有することを特徴とするパワートランジスタ用リード
フレーム。(1) A lead frame for a power transistor having a heat sink portion and manufactured by press working using a progressive die, wherein the heat sink portion has a protrusion formed by shear processing and compression processing.
ームの製造に際し、 前記ヒートシンク部の形状抜きをしたのち、せん断加工
を前記ヒートシンク部の所定の部分にその厚さ方向の中
間まで行い、 続いて、前記せん断加工により形成された突起の先端を
圧縮加工することを特徴とするパワートランジスタ用リ
ードフレームの製造方法。(2) When manufacturing the lead frame for a power transistor according to claim 1, after cutting out the shape of the heat sink portion, shearing is performed on a predetermined portion of the heat sink portion up to the middle in the thickness direction, and then, A method for manufacturing a lead frame for a power transistor, characterized in that the tip of the protrusion formed by the shearing process is compressed.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17782090A JPH0465157A (en) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | Lead frame for power transistor and manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17782090A JPH0465157A (en) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | Lead frame for power transistor and manufacture thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0465157A true JPH0465157A (en) | 1992-03-02 |
Family
ID=16037675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17782090A Pending JPH0465157A (en) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | Lead frame for power transistor and manufacture thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0465157A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006339568A (en) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Nippon Inter Electronics Corp | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2008034601A (en) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Sanyo Electric Co Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2011139108A (en) * | 2011-04-14 | 2011-07-14 | Sanyo Electric Co Ltd | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
-
1990
- 1990-07-05 JP JP17782090A patent/JPH0465157A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006339568A (en) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Nippon Inter Electronics Corp | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2008034601A (en) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | Sanyo Electric Co Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2011139108A (en) * | 2011-04-14 | 2011-07-14 | Sanyo Electric Co Ltd | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
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