JPH0461490B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸ線マスクや真空窓に使用される滑ら
かな炭化ケイ素膜を有する構造体に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to structures having smooth silicon carbide films used in X-ray masks and vacuum windows.
Ｘ線マスクは、Ｘ線リングラフイ近接印刷にお
いて重要な構造体である。一般に、軟Ｘ線点源か
らのＸ線は重元素マスクによつてさえぎられる。
このマスクはＸ線を比較的透過する平らな膜、つ
まりペリクルの上に支持されたパターン吸収層よ
り成る。現在、パターン吸収層を支持するペリク
ルは、Ｘ線をほとんど減衰せず、またパターン吸
収層内の応力によつて引き起される歪を最小限に
抑えるために力学的に安定している薄い無機材料
より成る。通常、このペリクルはシリコンに膨張
係数が近くて堅くてさらに平らなリングを横切る
ように張り渡たされている。この張り渡たしによ
つて、基板が平らとなると共に堅くなるので基板
は曲がつたり折れたりしない。マスクの製造にと
つて重要な要素は、寸法の安定性、吸収ライン・
エツジ輪郭、そして欠陥密度である。また、Ｘ線
マスク製造には、ウエーハ処理で使用される工程
と同様の数多くの工程が必要である。ウエーハ処
理におけるように、これらの処理工程はＸ線マス
ク内の欠陥密度を高める一因となる。従つて、欠
陥密度は依然として極めて重大な問題である。 The X-ray mask is an important structure in X-ray phosphorographic proximity printing. Generally, x-rays from a soft x-ray point source are blocked by a heavy element mask.
The mask consists of a patterned absorbing layer supported on a flat membrane, or pellicle, that is relatively transparent to X-rays. Currently, the pellicle supporting the patterned absorbing layer is a thin inorganic material that provides little attenuation of X-rays and is mechanically stable to minimize stress-induced distortion within the patterned absorbing layer. Consists of materials. Typically, the pellicle is stretched across a rigid, more flat ring with a coefficient of expansion similar to that of silicon. This stretching makes the substrate flat and stiff so that it does not bend or break. Important factors in mask manufacturing are dimensional stability, absorption lines and
Edge contour and defect density. Additionally, X-ray mask manufacturing requires numerous steps similar to those used in wafer processing. As in wafer processing, these processing steps contribute to increasing defect density within the x-ray mask. Therefore, defect density remains a very important issue.
現在利用できるペリクルは、犠牲シリコン基板
の上に窒化ホウ素とポリイミドの層を順次形成す
ることによつて作つている。窒化ホウ素は一般
に、適当な化学蒸着法においてアンモニアとジボ
ランの反応によつて形成される。典型的に、小さ
な欠陥をふさぐために、液体源からの窒化ホウ素
上で、ろ過したポリイミドの層が回転される。し
かし、ポリイミド表面上にはなお多くの欠陥が残
る。 Currently available pellicles are made by sequentially forming layers of boron nitride and polyimide on a sacrificial silicon substrate. Boron nitride is generally formed by the reaction of ammonia and diborane in a suitable chemical vapor deposition process. Typically, a layer of filtered polyimide is rolled over boron nitride from a liquid source to plug small defects. However, many defects still remain on the polyimide surface.
最近、窒化ホウ素に加えて、Ｘ線ペリクルを形
成するために化学蒸着法（CVD）によつてシリ
コン上に炭化ケイ素が形成されるようになつて来
た。この膜は化学的に不活性であつてすぐれた力
学的安定度と強度を有し、窒化ホウ素よりはるか
に強い。さらに、炭化ケイ素の膨張率はシリコン
の膨張率に極めて近づけることができる。炭化ケ
イ素が理想的なマスク支持材料となるのはこれら
の特性による。しかしながら、炭化ケイ素を化学
蒸着法によつて作ることには幾つかの本質的な欠
点がある。炭化ケイ素を直接ウエーハ表面に形成
すると、膜は多数の欠陥を生ずる傾向がある。ま
た、シリコンへの直接的な被着の場合、膜の滑ら
かさを最適にするために必要な被着パラメータ
は、膜中の応力を最適にするのに必要な条件とは
必ずしも一致しない。 Recently, in addition to boron nitride, silicon carbide has been formed on silicon by chemical vapor deposition (CVD) to form X-ray pellicles. This film is chemically inert and has excellent mechanical stability and strength, much stronger than boron nitride. Furthermore, the expansion rate of silicon carbide can be made very close to that of silicon. These properties make silicon carbide an ideal mask support material. However, there are some inherent drawbacks to making silicon carbide by chemical vapor deposition. When silicon carbide is formed directly on the wafer surface, the film tends to have a large number of defects. Also, for direct deposition on silicon, the deposition parameters required to optimize film smoothness do not necessarily correspond to the conditions required to optimize stress in the film.
さらにまた、例えば電子ビームで処理される液
晶表示装置において使用される真空窓では、シリ
コン・ウエーハの上に直接炭化ケイ素膜を被着す
る必要があるので、やはり滑らかな炭化ケイ素表
面が必要となる。それに加えて、炭化ケイ素膜は
電子ビーム衝撃から生ずる電子を停止するのに十
分なほど厚いと同時に横方向の熱損失が小さくな
るのに十分なほど薄くなければならない。15キロ
電子ボルトないし20キロ電子ボルトの範囲内の電
子を停止するためには、一般に２ミクロンの厚さ
の炭化シリコン膜を必要とする。しかし、この厚
さに被着すると、炭化ケイ素膜の表面の荒さは大
きくなり、この荒い炭化ケイ素表面上での液晶分
子を正しく整列させることは困難となる。 Furthermore, vacuum windows used, for example in liquid crystal display devices processed with electron beams, require the deposition of a silicon carbide film directly onto a silicon wafer, so a smooth silicon carbide surface is still required. . In addition, the silicon carbide film must be thick enough to stop the electrons resulting from electron beam bombardment, while being thin enough so that lateral heat losses are small. Stopping electrons in the 15 to 20 kiloelectron volt range typically requires a 2 micron thick silicon carbide film. However, when deposited to this thickness, the surface roughness of the silicon carbide film becomes large, and it becomes difficult to properly align liquid crystal molecules on this rough silicon carbide surface.
従つて、Ｘ線マスクと真空窓を製造するために
炭化ケイ素膜を使用することによつて生ずる前記
の欠点を軽減するために新規なマスク構造体が開
発された。本発明はこの構造体とその構造体のた
めの製造方法を提供するものである。 Accordingly, new mask structures have been developed to alleviate the aforementioned drawbacks caused by the use of silicon carbide films to fabricate x-ray masks and vacuum windows. The present invention provides this structure and a manufacturing method for the structure.
本発明は炭化ケイ素膜を被着する前に、シリコ
ン・ウエーハの上に直接成長させた中間アモルフ
アス層を使用する。中間層を使用しない従来のペ
リクル構造とは異なり、この中間膜のアモルフア
ス構造は炭化ケイ素のエピタキシーを乱し、炭化
ケイ素を非常に細かな粒状にし、それによつて極
めて滑らかな表面を作る。この独特の構造を利用
するペリクルの欠陥密度は大幅に低下し、それに
よつてこの構造体は高品質のマスクと真空窓の製
造にとつて受け入れられるものとなる。以下図面
を用いて本発明を説明する。 The present invention uses an intermediate amorphous layer grown directly on the silicon wafer before depositing the silicon carbide film. Unlike conventional pellicle structures that do not use an interlayer, the amorphous structure of this interlayer disrupts the epitaxy of the silicon carbide, causing it to form very fine grains, thereby creating an extremely smooth surface. The defect density of pellicles utilizing this unique structure is significantly reduced, thereby making the structure acceptable for high quality mask and vacuum window manufacturing. The present invention will be explained below using the drawings.
第１図は、非常に滑らかな炭化ケイ素表面を必
要とするＸ線マスクまたはその他の部品を作るの
に使用することができる、本発明の一実施例によ
る多層構造体の断面図である。本発明によれば、
中間のアモルフアス層Ｂをシリコン基板Ａ（他の
配向も利用することもできるけれども、典型的に
＜100＞配向）の上で成長させ、次に炭化ケイ素
の膜Ｃをその上に形成させる。アモルフアス中間
層Ｂに使用する材料およびその厚さを選択するこ
とによつて、炭化ケイ素の上膜Ｃの膜特性をいろ
いろな特性に改善することができる。アモルフア
ス中間層Ｂはまたシリコン基板Ａと炭化ケイ素の
上膜Ｃの間で応力を取り除く媒体としても機能す
る。基板Ａがシリコンである場合には、層Ｂは典
型的にSiO2であり、これは通常の酸化技術によ
つて約1000オングストロームの厚さまで成長させ
る。ただし、その厚さは200オングストロームか
ら10000オングストロームもの値まで変えること
ができる。酸化物層Ｂの熱膨張係数はシリコン基
板Ａの熱膨張係数よりかなり小さい。従つて、エ
ツチング中にシリコン基板に間違いなく張力が加
わるよう、後述するように、シリコンよりわずか
に大きな熱膨張率で炭化ケイ素を被着させる。シ
リコン基板をあらかじめ酸化することによつて炭
化シリコン被着におけるエピタキシヤル的性質は
かなり失われ、それによつて、シリコンの上に直
接炭化ケイ素層を形成する場合に比較し、炭化ケ
イ素上膜の滑らかさをかなり向上することができ
る。アモルフアス中間層Ｂに適当な他の材料は、
窒化ケイ素、窒化ホウ素、および炭化ホウ素であ
り、厚さは約100オングストロームから約10000オ
ングストロームまでの範囲である。 FIG. 1 is a cross-sectional view of a multilayer structure according to one embodiment of the present invention that can be used to make x-ray masks or other components requiring a very smooth silicon carbide surface. According to the invention,
An intermediate amorphous layer B is grown on a silicon substrate A (typically <100> orientation, although other orientations may be used), and a silicon carbide film C is then formed thereon. By selecting the material used for the amorphous intermediate layer B and its thickness, the film properties of the silicon carbide upper film C can be improved to various properties. The amorphous intermediate layer B also functions as a stress relief medium between the silicon substrate A and the silicon carbide overcoat C. If substrate A is silicon, layer B is typically SiO2 , grown by conventional oxidation techniques to a thickness of about 1000 angstroms. However, its thickness can vary from 200 angstroms to as much as 10,000 angstroms. The coefficient of thermal expansion of oxide layer B is significantly smaller than that of silicon substrate A. Therefore, to ensure that the silicon substrate is under tension during etching, silicon carbide is deposited with a slightly higher coefficient of thermal expansion than silicon, as described below. By pre-oxidizing the silicon substrate, the epitaxial nature of the silicon carbide deposition is significantly lost, thereby resulting in a smoother silicon carbide overlayer compared to forming the silicon carbide layer directly on the silicon. can be significantly improved. Other suitable materials for the amorphous interlayer B are:
silicon nitride, boron nitride, and boron carbide, with thicknesses ranging from about 100 angstroms to about 10,000 angstroms.
炭化ケイ素の上膜は通常の化学蒸着技術によつ
て被着される。例えば、1969年に発行された、
Physics of Thin Films，Vol.5の237〜314頁に、
1973年に発行されたA.Rev.Mater.Sci.3の頁317〜
326に、1973年のJournal of Vadum Science
and Technology10号に記載されている。 The silicon carbide overcoat is deposited by conventional chemical vapor deposition techniques. For example, published in 1969,
Physics of Thin Films, Vol. 5, pages 237-314,
A.Rev.Mater.Sci.3 published in 1973, page 317~
326, 1973 Journal of Vadum Science
and Technology No. 10.
典型的に、メタン線を標準的な水平反応器に加
え、シランとの反応によつて1000ないし1150℃の
温度でシリコン基板上に炭化ケイ素の膜を形成す
る。他の炭化水素ももちろん使用することができ
る。しかしながら、市販されているメタンの純度
がかなり高いので、メタンは好ましい反応性ガス
である。メタンに対するシランの比および被着温
度を変えることによつて、残留応力は広範囲にわ
たつて調節することができる。Ｘ線マスクにとつ
て適当な膜を得るため、シランに対するメタンの
比は一般に約10：１より大きい値に保つ。約1000
オングストロームの熱酸化物を基板上に形成した
とき、上記の方法によつて形成される炭化ケイ素
膜は酸化に耐え、標準的なプラズマ法によつては
エツチングすることができなく、比較的小孔（ピ
ンホール）が少なく、良好な透明度を示し、そし
て一般に良好な視覚的品質を示す。さらに、上記
の方法（工程）によつて作られた炭化ケイ素膜は
極めて滑らかであり、その平均表面荒さはシリコ
ン基板に直接炭化ケイ素を被着させた場合に比較
して少なくとも７分の１に減つている。典型的
に、上記の方法を利用して、わずか100オングス
トローム（二乗平均の平方根）の表面滑らかさが
得られた。 Typically, a methane wire is added to a standard horizontal reactor and reacts with silane to form a film of silicon carbide on a silicon substrate at a temperature of 1000 to 1150°C. Other hydrocarbons can of course also be used. However, since the purity of commercially available methane is fairly high, methane is the preferred reactive gas. By varying the silane to methane ratio and the deposition temperature, the residual stress can be adjusted over a wide range. To obtain a film suitable for x-ray masks, the ratio of methane to silane is generally kept greater than about 10:1. Approximately 1000
When a thermal oxide of angstroms is formed on a substrate, the silicon carbide film formed by the above method resists oxidation, cannot be etched by standard plasma methods, and has relatively small pores. (pinholes), exhibits good clarity, and generally exhibits good visual quality. Furthermore, the silicon carbide film produced by the above method (process) is extremely smooth, with an average surface roughness that is at least one-seventh that of silicon carbide deposited directly on a silicon substrate. It's decreasing. Typically, surface smoothness of no more than 100 angstroms (root mean square) has been obtained using the above method.
前記のように作つた多層構造体を用いて、窒化
ホウ素Ｘ線マスクに使用される通常の技術と同様
のやり方でＸ線マスクを形成することができる。
例えば、炭化ケイ素Ｘ線マスクを作る典型的な方
法が第２図に示されている。シリコン基板100の
上面にパデイング層１３０を化学蒸着法（CVD）
によつて形成する。典型的に、層１３０は二酸化
ケイ素（SiO2）膜または窒化ケイ素（Si3N4）膜
より成る。次にパデイング層１３０の上に炭化ケ
イ素層１４０をCVDにより形成する。パデイン
グ層１３０の厚さは通常約1500オングストローム
であり、炭化ケイ素膜１４０は通常10000ないし
30000オングストロームの範囲にある。通常の方
法によつてシリコン基板１００の底面の選択した
部分に支持板１４３を結合する。一般に、Pyrex
という商品名で知られているマスキング・プレー
トを使用する。次にウエツト・エツチング技術を
利用して領域１４５内のシリコン基板１００を除
去する。炭化ケイ素（SiC）層１４０の上にはス
ピニングのような通常の方法を用いてポリイミド
層１５０を形成し、金属層１６０をポリイミド層
１５０の上に形成する。典型的に、金属層１６０
は金または金の合金を蒸着またはスパツタするこ
とによつて形成する。電子ビーム技術によつて金
属層１６０に望みのパターンの構造を形成し、ポ
リイミド層１５０の表面部分を露出させる。この
パターンを形成した金属層１６０と露出されたポ
リイミド層１５０の部分上にスピニングによつ
て、ポリイミドより成る被覆層１７０を形成す
る。この層１７０は主として保護被膜である。 The multilayer structure made as described above can be used to form an x-ray mask in a manner similar to conventional techniques used for boron nitride x-ray masks.
For example, a typical method for making a silicon carbide x-ray mask is shown in FIG. A padding layer 130 is deposited on the top surface of the silicon substrate 100 by chemical vapor deposition (CVD).
formed by Typically, layer 130 comprises a silicon dioxide (SiO 2 ) film or a silicon nitride (Si 3 N 4 ) film. Next, a silicon carbide layer 140 is formed on the padding layer 130 by CVD. The padding layer 130 is typically about 1500 angstroms thick, and the silicon carbide film 140 is typically about 10,000 angstroms thick.
In the range of 30000 angstroms. Support plate 143 is bonded to a selected portion of the bottom surface of silicon substrate 100 using conventional methods. In general, Pyrex
Use a masking plate known by the trade name . Next, silicon substrate 100 within region 145 is removed using wet etching techniques. A polyimide layer 150 is formed on the silicon carbide (SiC) layer 140 using a conventional method such as spinning, and a metal layer 160 is formed on the polyimide layer 150. Typically, metal layer 160
is formed by vapor depositing or sputtering gold or a gold alloy. A desired pattern structure is formed in the metal layer 160 by electron beam technology, and the surface portion of the polyimide layer 150 is exposed. A covering layer 170 made of polyimide is formed on the patterned metal layer 160 and the exposed portion of the polyimide layer 150 by spinning. This layer 170 is primarily a protective coating.
第３図は、本発明の他の実施例によるＸ線マス
ク用構造体およびそれを使用したＸ線マスク多層
構造の断面図である。パデイング層１３０の上に
無機中間層１３５と炭化ケイ素層１４０ａの層を
追加して形成することにより、さらに滑らかな炭
化ケイ素表面を得ることができる。無機中間層１
３５と炭化ケイ素層１４０ａとを交互に複数個、
例えば５つまたは７つ形成すると、炭化ケイ素膜
表面の滑らかさを大幅に改善することができる。
互いに隣接する炭化ケイ素層の間に無機中間層を
形成することによつて、無機中間層の上に形成さ
れる炭化ケイ素層のエピタキシヤル成長を制限す
る。最良の結果を得るため、無機中間層１３５は
典型的にCVDにより約1000オングストロームの
厚さに形成した窒化ケイ素より成る。なお、この
厚さはわずか200オングストロームから0.35ミク
ロンもの値まで変えることができる。無機中間層
１３５に適当な他の材料は二酸化ケイ素、窒化ホ
ウ素、そして炭化ホウ素であり、その厚さは約
500オングストロームから約3500オングストロー
ムまでの範囲である。次に、通常の方法によつて
シリコン基板１００の底面の選択した部分に支持
板１４３を結合する。次にウエツト・エツチング
技術によつて領域１４５内のシリコン基板１００
を除去する。炭化ケイ素層１４０ａの上には通常
の方法、例えばスピニング、でポリイミド層１５
０を形成する。その後、電子ビーム技術によつて
パターン化された層１６０を作り、ポリイミド層
１５０のある表面部分を露出させる。次にこのパ
ターンの形成された金属層１６０とポリイミド層
１５０の露出表面部分の上にスピニングによつて
被膜層１７０を形成する。 FIG. 3 is a sectional view of an X-ray mask structure and an X-ray mask multilayer structure using the structure according to another embodiment of the present invention. By additionally forming an inorganic intermediate layer 135 and a silicon carbide layer 140a on the padding layer 130, an even smoother silicon carbide surface can be obtained. Inorganic intermediate layer 1
35 and a plurality of silicon carbide layers 140a alternately,
For example, if five or seven are formed, the smoothness of the silicon carbide film surface can be greatly improved.
Forming an inorganic interlayer between adjacent silicon carbide layers limits the epitaxial growth of the silicon carbide layer formed on the inorganic interlayer. For best results, inorganic interlayer 135 typically comprises silicon nitride formed by CVD to a thickness of about 1000 Angstroms. Note that this thickness can vary from as little as 200 angstroms to as much as 0.35 microns. Other suitable materials for the inorganic interlayer 135 are silicon dioxide, boron nitride, and boron carbide, the thickness of which is approximately
It ranges from 500 angstroms to about 3500 angstroms. Next, support plate 143 is bonded to a selected portion of the bottom surface of silicon substrate 100 using a conventional method. Next, the silicon substrate 100 within the region 145 is etched using a wet etching technique.
remove. A polyimide layer 15 is formed on the silicon carbide layer 140a by a conventional method, for example, by spinning.
form 0. A patterned layer 160 is then created by electron beam techniques to expose certain surface portions of the polyimide layer 150. Next, a coating layer 170 is formed by spinning over the exposed surface portions of the patterned metal layer 160 and polyimide layer 150.
上記の方法によつて形成した多層炭化ケイ素膜
は従来の窒化ホウ素膜より強く、粒界でのき裂の
広がりは非常に少ない。そして、この膜は極めて
滑らかである。その結果、この膜はこのような特
性を必要とする真空窓にも特に良好である。本発
明によるSiCの平均表面荒さは、Si基板の上に直
接形成した単一SiC膜に比較して少なくとも７分
の１まで低下した。さらに多くの互い違いの層
（例えば、５つまたは７つの炭化ケイ素と窒化ケ
イ素の互い違いの層）を有する多層SiC構造体の
表面の滑らかさはさらに高い。 The multilayer silicon carbide film formed by the above method is stronger than the conventional boron nitride film, and the propagation of cracks at grain boundaries is extremely small. And this film is extremely smooth. As a result, this membrane is also particularly good for vacuum windows requiring such properties. The average surface roughness of SiC according to the present invention was reduced by at least 7 times compared to a single SiC film formed directly on a Si substrate. The surface smoothness of multilayer SiC structures with more alternating layers (eg, 5 or 7 alternating layers of silicon carbide and silicon nitride) is even higher.
第４図は真空システムにおいて使用する多層窓
構造体を示す。この構造体は、前述した多層炭化
ケイ素Ｘ線マスクを作るために使用する方法と同
様にして形成することができる。支持板１４３を
シリコン基板１００の底面の選択した部分に結合
し、窒化ケイ素層１３０をシリコン基板１００の
上に形成する。ウエツト・エツチング技術を利用
して領域１４５の上のシリコン基板１００を除去
する。窒化ケイ素層１３０の上には炭化ケイ素層
１４０を形成し、次に炭化ケイ素層１４０の上に
窒化ケイ素の中間層１３５を形成する。次に炭化
ケイ素層１４０を窒化ケイ素層１３５の上に形成
する。 FIG. 4 shows a multilayer window structure for use in a vacuum system. This structure can be formed in a manner similar to the method used to make the multilayer silicon carbide x-ray mask described above. A support plate 143 is bonded to a selected portion of the bottom surface of the silicon substrate 100 and a silicon nitride layer 130 is formed over the silicon substrate 100. The silicon substrate 100 above region 145 is removed using a wet etching technique. A silicon carbide layer 140 is formed over the silicon nitride layer 130, and then an intermediate layer 135 of silicon nitride is formed over the silicon carbide layer 140. A silicon carbide layer 140 is then formed over the silicon nitride layer 135.
第１図は本発明の一実施例によるＸ線マスク用
構造体の断面図、第２図は第１図の構造体を使用
したＸ線マスクの断面図、第３図は本発明の他の
実施例によるＸ線マスク用構造体およびそれを使
用したＸ線マスクの断面図、第４図は本発明の実
施例による窓構造体の断面図である。
Ａ，１００……シリコン基板、１３０……パデ
イング層（アモルフアス層）、１４０，１４０ａ
……炭化ケイ素層、１３５……無機中間層、１５
０……ポリイミド層、１６０……金属パターン
層、１７０……保護層。
FIG. 1 is a cross-sectional view of an X-ray mask structure according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of an X-ray mask using the structure shown in FIG. 1, and FIG. A sectional view of an X-ray mask structure according to an embodiment and an X-ray mask using the structure, and FIG. 4 is a sectional view of a window structure according to an embodiment of the present invention. A, 100...Silicon substrate, 130...Padding layer (amorphous layer), 140, 140a
...Silicon carbide layer, 135 ...Inorganic intermediate layer, 15
0...Polyimide layer, 160...Metal pattern layer, 170...Protective layer.
Claims (1)
り成り、前記構造体はアモルフアス層と、前記ア
モルフアス層上に形成された炭化ケイ素層とより
成るＸ線マスク用構造体。 ２ 前記アモルフアス層は酸化ケイ素である特許
請求の範囲第１項記載の化物であるＸ線マスク用
構造体。 ３ 前記構造体は第１アモルフアス層と、前記第
１アモルフアス層上に形成された第１炭化ケイ素
層と、前記第１炭化ケイ素層上に形成された第２
アモルフアス層と、前記第２アモルフアス層上に
形成された第２炭化ケイ素層とより成る特許請求
の範囲第１項記載のＸ線マスク用構造体。 ４ 前記第１アモルフアス層は酸化ケイ素であ
り、前記第２アモルフアス層は窒化ケイ素である
特許請求の範囲第３項記載のＸ線マスク用構造
体。[Scope of Claims] 1. An X-ray mask structure comprising a substrate and a structure formed on the substrate, the structure comprising an amorphous layer and a silicon carbide layer formed on the amorphous layer. body. 2. The compound X-ray mask structure according to claim 1, wherein the amorphous layer is silicon oxide. 3 The structure includes a first amorphous layer, a first silicon carbide layer formed on the first amorphous layer, and a second silicon carbide layer formed on the first silicon carbide layer.
The X-ray mask structure according to claim 1, comprising an amorphous layer and a second silicon carbide layer formed on the second amorphous layer. 4. The X-ray mask structure according to claim 3, wherein the first amorphous layer is silicon oxide and the second amorphous layer is silicon nitride.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US57964084A | 1984-02-13 | 1984-02-13 | |
| US579640 | 1984-02-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60180123A JPS60180123A (en) | 1985-09-13 |
| JPH0461490B2 true JPH0461490B2 (en) | 1992-10-01 |
Family
ID=24317736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60021578A Granted JPS60180123A (en) | 1984-02-13 | 1985-02-05 | Structural body for x-ray mask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60180123A (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6249623A (en) * | 1985-07-19 | 1987-03-04 | Nec Corp | X-ray exposure mask |
| JP2757939B2 (en) * | 1988-03-08 | 1998-05-25 | 富士通株式会社 | X-ray mask |
| JPH02197115A (en) * | 1989-01-26 | 1990-08-03 | Fujitsu Ltd | Manufacture of x-ray exposure mask |
| JPH02262324A (en) * | 1989-03-31 | 1990-10-25 | Hoya Corp | X-ray transmitting film and its manufacture |
-
1985
- 1985-02-05 JP JP60021578A patent/JPS60180123A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60180123A (en) | 1985-09-13 |
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