JPH0456883A - Charge image information transfer device - Google Patents

Charge image information transfer device

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Publication number
JPH0456883A
JPH0456883A JP16535190A JP16535190A JPH0456883A JP H0456883 A JPH0456883 A JP H0456883A JP 16535190 A JP16535190 A JP 16535190A JP 16535190 A JP16535190 A JP 16535190A JP H0456883 A JPH0456883 A JP H0456883A
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JP
Japan
Prior art keywords
charge image
electric field
image forming
image information
transfer
Prior art date
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Pending
Application number
JP16535190A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Ryoyu Takanashi
高梨 稜雄
Shintaro Nakagaki
中垣 新太郎
Tsutae Asakura
浅倉 伝
Masato Furuya
正人 古屋
Takehisa Koyama
剛久 小山
Yuji Uchiyama
裕治 内山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Victor Company of Japan Ltd
Original Assignee
Victor Company of Japan Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Victor Company of Japan Ltd filed Critical Victor Company of Japan Ltd
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Priority to US07/718,670 priority patent/US5237345A/en
Publication of JPH0456883A publication Critical patent/JPH0456883A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To achieve the transfer of charge image information which ensures accuracy and high resolution by allowing the electric field of the charge image to be reacted with a light modulating body, while exceeding the threshold of the light modulating body in a condition where the interval between the charge image forming body and the light modulating body is less than the prescribed distance. CONSTITUTION:The charge image with respect to the charge image forming body 10 is formed in the condition for which the potential is suppressed. The transfer of the charge image information is carried out while making the charge image forming body 10 approach to the light modulating body 28. Since the electric field of the charge image is low, the electric field reaches the threshold of a light modulating layer 30, in a position where both of them are very close to each other. Thus, the electric field before diffusion acts on the light modulating layer 30, and the transfer of the charge image information can is carried out to show high resolution. Thus, the transfer of the charge image information, which ensures the accuracy and high resolution, can be achieved.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、電荷像形成体に光変調体を近接又は接触させ
ることによって、電荷像形成体に形成された電荷像に対
応する情報を光変調体に転写記録する電荷像情報転写装
置に関するものである。
Detailed Description of the Invention [Industrial Field of Application] The present invention allows information corresponding to a charge image formed on a charge image forming body to be optically transmitted by bringing a light modulator close to or in contact with a charge image forming body. The present invention relates to a charge image information transfer device that transfers and records onto a modulator.

[従来の技術] 電荷像形成体に形成された電荷像情報を光変調体に記録
する電荷像情報転写装置としては、例えば特願平1−1
64590号として特許出願されたものなど種々のもの
がある。第6図には、かかる電荷像情報転写装置の従来
例が示されている。
[Prior Art] As a charge image information transfer device for recording charge image information formed on a charge image forming body onto a light modulating body, for example, Japanese Patent Application No. 1996-1
There are various types, including one for which a patent application has been filed as No. 64590. FIG. 6 shows a conventional example of such a charge image information transfer device.

電荷像形成体10は、例えば電極12と電荷保持層14
とが積層された構成となっており、記録ヘッド16によ
って電荷像が形成されるようになっている。記録ヘッド
16は、電極18と光導電層20とが積層された構成と
なっており、光導電層20が電荷保持層14に対向する
ように配置される。そして、電極12.18間には駆動
用の電圧22が印加される。
The charge image forming body 10 includes, for example, an electrode 12 and a charge retention layer 14.
The recording head 16 forms a charge image. The recording head 16 has a structure in which an electrode 18 and a photoconductive layer 20 are laminated, and the photoconductive layer 20 is arranged to face the charge retention layer 14 . A driving voltage 22 is applied between the electrodes 12 and 18.

かかる状態で被写体24の光学像を光学系26を介して
光導電層20に投射すると、光導電層20では、そのイ
ンピーダンス分布が投射光学像に応じて変化するように
なる。そして、電荷保持層14と光導電層20とのギャ
ップ間で気中放電が生じて、電荷保持層14に被写体2
4に対応する電荷像が形成されるようになる。
When an optical image of the subject 24 is projected onto the photoconductive layer 20 via the optical system 26 in this state, the impedance distribution of the photoconductive layer 20 changes in accordance with the projected optical image. Then, an air discharge occurs between the gap between the charge retention layer 14 and the photoconductive layer 20, and the object 2 is exposed to the charge retention layer 14.
A charge image corresponding to 4 is now formed.

以上のようにして電荷像形成体10に形成された電荷像
は、同図iB)に示すようにして光変調体28の光変調
層30に転写される。すなわち、電極12.32間がシ
ョートされた状態で、電荷像形成体10と光変調体28
との相対的な接近1例えば矢印FAで示す光変調体28
の移動が行なわれる。
The charge image formed on the charge image forming body 10 as described above is transferred to the light modulating layer 30 of the light modulating body 28 as shown in FIG. That is, with the electrodes 12 and 32 short-circuited, the charge image forming member 10 and the light modulator 28
1. For example, the light modulator 28 indicated by the arrow FA
movement will be carried out.

そして、光変調層30に作用する電荷像の電界が、光変
調層30における光透過率の変化のしきい値を越えた時
点で、光変調層30に電荷像が転写されることになる。
Then, when the electric field of the charge image acting on the light modulation layer 30 exceeds a threshold value for a change in light transmittance in the light modulation layer 30, the charge image is transferred to the light modulation layer 30.

すなわち、光変調層30の光透過率の分布が電荷像に対
応して変化する。なお、転写が行なわれた光変調層30
に光を照射すれば、その光透過重分布に対応した強度分
布となり、これによって転写像の読出しが可能である。
That is, the distribution of light transmittance of the light modulating layer 30 changes in accordance with the charge image. Note that the light modulation layer 30 that has been transferred
When irradiated with light, the intensity distribution corresponds to the light transmission weight distribution, and thereby the transferred image can be read out.

[発明が解決しようとする課題] ところで、電荷像の電気力線は電荷から発散するように
伸びるため、電荷像による電界も電荷像形成体IOと光
変調体28との間隔ないし距離が大きくなるに対応して
拡散した状態となる。すなわち、電荷像形成体IOと光
変調体28との間隔が大きいときは、結果的に像がぼけ
て解像度が劣化した状態となる6従って、電荷像に忠実
な高解像度の転写を行なうためには、電荷像形成体10
と光変調体28との間隔がある程度以下の状態で、電荷
像による電界が光変調体28のしきい値を越えるように
する必要がある。
[Problems to be Solved by the Invention] Incidentally, since the lines of electric force of the charge image extend to diverge from the charge, the electric field due to the charge image also increases the distance or distance between the charge image forming body IO and the light modulator 28. It becomes a diffused state in response to . That is, when the distance between the charge image forming member IO and the light modulator 28 is large, the image becomes blurred and the resolution deteriorates.6 Therefore, in order to perform high-resolution transfer faithful to the charge image, it is necessary to is the charge image forming body 10
It is necessary to make the electric field due to the charge image exceed the threshold value of the light modulator 28 while the distance between the light modulator 28 and the light modulator 28 is below a certain level.

しかしながら、上述した従来の技術では、かかる点に対
する配慮が欠けていたため、高解像度の良好な電荷像の
転写を行なうことができないという不都合があった。
However, the above-mentioned conventional technology lacks consideration to this point, and therefore has the disadvantage that it is not possible to transfer a good charge image with high resolution.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、忠実で高
解像度の電荷像情報の転写を行なうことができる電荷像
情報転写装置を提供することを、その目的とするもので
ある。
The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a charge image information transfer device capable of transferring charge image information with high fidelity and high resolution.

[課題を解決するための手段] 本発明は、あらかじめ電荷像が形成された電荷像形成体
に光変調体を近接又は接触させて、前記電荷像を光変調
体に転写する電荷像情報転写装置において、前記電荷像
形成体と光変調体とが所望の間隔以下となった状態で光
変調体のしきい値を越えて電荷像の電界を光変調体に作
用させる手段を備えたことを特徴とするものである。
[Means for Solving the Problems] The present invention provides a charge image information transfer device that transfers the charge image to the light modulator by bringing a light modulator close to or in contact with a charge image forming member on which a charge image has been formed in advance. characterized by comprising means for causing the electric field of the charge image to act on the light modulator in a state where the distance between the charge image forming member and the light modulator exceeds a threshold value of the light modulator in a state where the distance between the charge image forming member and the light modulator is equal to or less than a desired distance. That is.

[作用] 本発明によれば、光変調体には、所望の間隔以下の状態
でそのしきい値を越えた電界が作用するようになり、電
荷像の電界が分散した状態では電荷像情報の転写が行な
われない、電荷像情報の転写は、その電界の分散のない
位置で行なわれるため、転写情報は高解像度となる。
[Function] According to the present invention, an electric field exceeding the threshold value acts on the light modulator when the distance is below a desired distance, and when the electric field of the charge image is dispersed, the charge image information is Since the transfer of charge image information, where no transfer is performed, is performed at a position where the electric field is not dispersed, the transferred information has a high resolution.

[実施例] 以下、本発明にかかる電荷像情報転写装置の実施例につ
いて、添付図面を参照しながら説明する。なお、上述し
た従来例と同様又は相当する構成部分については、同一
の符号を用いることとする。
[Embodiments] Hereinafter, embodiments of the charge image information transfer device according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Note that the same reference numerals are used for components that are similar or equivalent to those of the conventional example described above.

〈第1実施例〉 最初に、第1図を参照しながら、本発明の第1実施例に
ついて説明する。この実施例の基本構成は、第6図に示
した従来例と同様である6しかし、本実施例では、電荷
像形成体IOに対する電荷像の形成が、その電位を抑制
した状態で行なわれる。すなわち、第6図fA)に示す
駆動用電圧22として、前記従来例よりも低い値が設定
される。このようにして形成された電荷像による電界は
、従来よりも低いものとなる。
<First Embodiment> First, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The basic configuration of this embodiment is the same as that of the conventional example shown in FIG. 6. However, in this embodiment, a charge image is formed on the charge image forming member IO while suppressing its potential. That is, the drive voltage 22 shown in FIG. 6fA) is set to a lower value than in the conventional example. The electric field due to the charge image formed in this way is lower than that of the conventional one.

電荷像情報の転写は、上述した従来例と同様に、電荷像
形成体10と光変調体28とを第1図FA)に示すよう
に接近させて行なわれる。この場合において、本実施例
では、電荷像の電界が低いために、同図fB)に示すよ
うな非常に接近した位置で電荷像の電界が光変調層30
のしきい値に達するようになる。このため、光変調層3
0には、拡散前の電界が作用するようになり、解像度の
高い電荷像情報の転写が行なわれることとなる。
Transfer of the charge image information is carried out by bringing the charge image forming member 10 and the light modulator 28 close to each other as shown in FIG. 1FA), as in the conventional example described above. In this case, in this embodiment, since the electric field of the charge image is low, the electric field of the charge image is applied to the light modulating layer 30 at a very close position as shown in fB) in the same figure.
reaches the threshold of . For this reason, the light modulating layer 3
0, the electric field before diffusion comes to act, and transfer of charge image information with high resolution is performed.

く第2実施例〉 次に、第2図を参照しながら、本発明の第2実施例につ
いて説明する。この第2実施例では、同図fAlに示す
ように、転写用電源40がスイッチ42を介して電極1
2.32間に接続された構成となっている。この転写用
電源40は、後述する同図(B)の時点でバイアス電圧
が電極12゜32間に印加されたときに、光変調層30
にしきい値程度となる電界が生ずるような出力設定とな
っている。
Second Embodiment Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this second embodiment, as shown in FIG.
It has a configuration in which it is connected between 2.32 and 32. This transfer power source 40 is configured so that when a bias voltage is applied between the electrodes 12 and 32 at the time shown in FIG.
The output settings are such that an electric field approximately equal to the threshold value is generated.

電荷像形成体10の電荷保持層14には、上述した第1
実施例よりも更に低い電圧、すなわち電荷像の電界のみ
では、電荷像形成体10と光変調体28とが接触した状
態であっても光変調層30のしきい値を越えない電界と
なるように電荷像の形成か行なわれる。最初、電荷像形
成体10と光変調体28とが接近しつつあるときは、同
図(A)に示すようにスイッチ42はrOF FJの状
態にある。
The charge retention layer 14 of the charge image forming body 10 includes the above-mentioned first layer.
With a voltage even lower than in the example, that is, with only the electric field of the charge image, the electric field does not exceed the threshold of the light modulation layer 30 even when the charge image forming body 10 and the light modulation body 28 are in contact with each other. Formation of a charge image takes place. Initially, when the charge image forming body 10 and the light modulating body 28 are approaching, the switch 42 is in the rOF FJ state as shown in FIG.

そして、電荷像形成体10と光変調体28とが転写を行
なうべき所望の間隔ないし接触状態となった時点で、ス
イッチ42がroFFJからrONJに切換えられる。
Then, when the charge image forming member 10 and the light modulator 28 reach a desired distance or contact state for transfer, the switch 42 is switched from roFFJ to rONJ.

すると、光変調層30には、電荷像による電界と、転写
用電源40のバイアス電圧による電界とが重量されて印
加されるようになる。上述したように、バイアス電圧に
よる電界は、光変調層30のしきい値に相当しているの
で、光変調層30には、電荷像による電界が良好に作用
してその転写が行なわれることとなる。
Then, the electric field due to the charge image and the electric field due to the bias voltage of the transfer power source 40 are applied to the light modulating layer 30 in a weighted manner. As mentioned above, the electric field due to the bias voltage corresponds to the threshold value of the light modulation layer 30, so the electric field due to the charge image acts well on the light modulation layer 30, and the transfer is performed. Become.

この第2実施例によれば、上述した第1実施例の効果の
他に、当初の電荷形成を非常に低い駆動用電圧の印加で
行なっても電荷像情報の転写を良好に行なうことができ
るという効果がある。
According to the second embodiment, in addition to the effects of the first embodiment described above, charge image information can be transferred well even if the initial charge formation is performed by applying a very low driving voltage. There is an effect.

なお、以上のような第2実施例の変形として、次のよう
なものもある。まず、所望転写間隔でしきい値以上の電
界が光変調層30に作用するように、電荷像形成体10
に電荷像を形成する0次に、電荷像による電界を打ち消
すような逆バイアスを印加しつつ、電荷像形成体10と
光変調体28との接近を行なう、そして、両者が所望の
間隔となったときに、かかる逆バイアスによる電界を除
去するようにすれば、電荷像による電界が光変調層30
に作用することになり、同様に高解像度の転写を行なう
ことができる。
It should be noted that the following modifications of the second embodiment as described above are also available. First, the charge image forming body 10 is heated so that an electric field equal to or higher than a threshold value acts on the light modulation layer 30 at a desired transfer interval.
Next, while applying a reverse bias that cancels out the electric field caused by the charge image, the charge image forming member 10 and the light modulator 28 are brought close to each other, and the distance between the two is set to a desired distance. If the electric field due to the reverse bias is removed when the electric field is removed, the electric field due to the charge image will be
Similarly, high-resolution transfer can be performed.

〈第3実施例〉 次に、第3図を参照しながら、本発明の第3実施例につ
いて説明する。この第3実施例では、同図(Al に示
すように、転写用電源50.52が互いに逆極性となる
ように並列に接続されている。
<Third Embodiment> Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this third embodiment, as shown in the figure (Al), the transfer power sources 50 and 52 are connected in parallel so that they have opposite polarities.

これらの転写用電源50.52は、スイッチ54を介し
て電極12.32間に接続されている。転写用電源50
は、電荷像による電界がしきい値を越えて光変調層30
に作用しないようにするためのものであり、転写用電源
52は、電荷像による電界がしきい値を越えて光変調層
30に作用するようにするためのものである。
These transfer power sources 50 and 52 are connected between the electrodes 12 and 32 via a switch 54. Transfer power source 50
When the electric field due to the charge image exceeds the threshold value, the light modulating layer 30
The transfer power source 52 is provided to prevent the electric field caused by the charge image from acting on the light modulation layer 30 in a manner that exceeds a threshold value.

最初、電荷像形成体10と光変調体28とが接近しつつ
あるときは、同図fAl に示すようにスイッチ54は
転写用電源50側に切換えられる。
Initially, when the charge image forming body 10 and the light modulating body 28 are approaching, the switch 54 is switched to the transfer power source 50 side, as shown in FIG.

これによって、転写用電源50による電圧が電極12.
32間に印加され、光変調層30は逆にバイアスされる
。このため、電荷像による電界は逆バイアス電圧に打ち
消されるようになり、電荷像情報の転写は行なわれない
This causes the voltage from the transfer power source 50 to be applied to the electrodes 12.
32, and the light modulating layer 30 is reversely biased. Therefore, the electric field caused by the charge image is canceled by the reverse bias voltage, and the charge image information is not transferred.

そして、電荷像形成体10と光変調体28とが転写を行
なうべき所望の間隔ないし接触状態となった時点で、ス
イッチ54は転写用電源52側に切換えられる。すると
、光変調層30には、電荷像による電界と、転写用電源
52による順バイアス電圧による電界とが重畳されて印
加されるようになる。このため、光変調層30には、電
荷像による電界がしきい値を越えて良好に作用し、その
情報の転写が行なわれることとなる。
Then, when the charge image forming body 10 and the light modulating body 28 reach a desired distance or contact state for performing transfer, the switch 54 is switched to the transfer power source 52 side. Then, the electric field due to the charge image and the electric field due to the forward bias voltage from the transfer power source 52 are applied to the light modulation layer 30 in a superimposed manner. Therefore, the electric field caused by the charge image acts on the light modulation layer 30 well beyond the threshold value, and the information is transferred.

この第3実施例によれば、前記第1実施例の効果の他に
、電荷像形成体10における電荷像形成時の電圧がどの
ような値であっても、転写用電源50.52によるバイ
アス電圧の値を適宜設定することで良好な電荷像情報の
転写を行なうことができるという効果がある。
According to the third embodiment, in addition to the effects of the first embodiment, the bias caused by the transfer power source 50. By appropriately setting the voltage value, there is an effect that good charge image information can be transferred.

〈第4実施例〉 次に、第4図を参照しながら、本発明の第4実施例につ
いて説明する。この第4実施例では、電荷像形成体60
が全体としてドラム状に形成されており、その外側に電
荷保持層62.内側に電極64が各々形成されている。
<Fourth Example> Next, a fourth example of the present invention will be described with reference to FIG. In this fourth embodiment, the charge image forming body 60
is formed into a drum shape as a whole, and a charge retention layer 62. is formed on the outside thereof. Electrodes 64 are each formed inside.

また、電極3264間には、交流if源66が接続され
ている。光変調体28は、矢印FB方向に送られるよう
になっており、電荷像形成体60は、矢印FC方向に回
転するようになっている。そして、これらの送り又は回
転に同期して、パルス状のバイアス電圧が交流電源66
から出力されるようになっている。
Further, an AC if source 66 is connected between the electrodes 3264. The light modulator 28 is configured to be sent in the direction of the arrow FB, and the charge image forming body 60 is configured to rotate in the direction of the arrow FC. Then, in synchronization with these feeds or rotations, a pulsed bias voltage is applied to the AC power source 66.
It is designed to be output from.

この第4実施例では、光変調体28と電荷像形成体60
との最近接部の間隔が、所望の転写間隔に設定されてい
る。そして、前記交流電源66の出力電圧によって光変
調層30に作用する電界は、かかる最近接位置でしきい
値程度となるように設定されている。
In this fourth embodiment, a light modulator 28 and a charge image forming member 60
The interval between the closest portion and the transfer interval is set to a desired transfer interval. The electric field acting on the light modulation layer 30 due to the output voltage of the AC power source 66 is set to be approximately equal to a threshold value at the closest position.

従って、光変調体28の送り、ないし電荷像形成体60
の回転に伴って、かかる最接近位置でのみ電荷像情報の
転写が行なわれることとなり、上述した実施例と同様に
解像度の高い転写を行なうことができる。
Therefore, the feeding of the light modulator 28 or the charge image forming member 60
As the image information rotates, the charge image information is transferred only at the closest position, and transfer with high resolution can be performed as in the above-described embodiment.

く第5実施例〉 次に、第5図を参照しながら、本発明の第5実施例につ
いて説明する。この第5実施例では、電荷像形成体70
は、電荷保持層62と電極64との間に光導電層72が
形成された構成となっている。そして、光導電層72に
は、光変調体28と電荷像形成体70との最接近位置に
おいてレーザ装置74からレーザ光が照射されるように
なっている。レーザ光は、スポット光の走査又は線状光
として照射される6また、電極32.64間には、転写
用電源76が接続されている。
Fifth Embodiment> Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this fifth embodiment, the charge image forming body 70
has a structure in which a photoconductive layer 72 is formed between a charge retention layer 62 and an electrode 64. The photoconductive layer 72 is irradiated with a laser beam from a laser device 74 at a position where the light modulator 28 and the charge image forming body 70 are closest to each other. The laser light is irradiated as a scanning spot light or a linear light.A transfer power source 76 is connected between the electrodes 32 and 64.

この実施例によれば、転写用電源76によるバイアス電
圧が印加された状態でレーザ光が照射される。すると、
光変調体28と電荷像形成体70との最接近位置でのみ
光導電層72のインピーダンスが低下し、その部分では
非照射部分よりも大きなバイアス電圧による電界が作用
するようになる。すなわち、光変調層30では、レーザ
光の照射された最接近部分で、そのしきい値以上の電界
がかかるようになり、前記第4実施例と同様にして高解
像度の電荷像情報転写が可能となる。
According to this embodiment, the laser beam is irradiated while the bias voltage from the transfer power source 76 is applied. Then,
The impedance of the photoconductive layer 72 decreases only at the closest position between the light modulator 28 and the charge image forming body 70, and an electric field due to a bias voltage that is larger than that in the non-irradiated portion acts on that portion. That is, in the light modulation layer 30, an electric field equal to or higher than the threshold value is applied at the closest portion irradiated with the laser beam, and high-resolution charge image information transfer is possible in the same manner as in the fourth embodiment. becomes.

〈他の実施例〉 なお、本発明は、何ら上記実施例に限定されるものでは
な(、例えば、以下のものも含まれる。
<Other Examples> Note that the present invention is not limited to the above embodiments (for example, the following examples are also included).

(11電荷像形成体の電荷保持層としては、例えば、シ
リコン樹脂の高抵抗材料などのように電荷が表面に保持
されるもの、樹脂層表面近傍に高導電微粒子が埋設され
て内部に電荷が保持されるものが用いられる。あるいは
、第6図(A)において、光導電層20表面にも電荷が
形成されるので、光導電層を電荷像形成体として用いる
ようにしてもよい。
(For example, the charge retention layer of the charge image forming body may be one in which charges are retained on the surface, such as a high-resistance material such as silicone resin, or one in which highly conductive fine particles are embedded near the surface of the resin layer to retain charges inside.) Alternatively, in FIG. 6(A), since charges are also formed on the surface of the photoconductive layer 20, the photoconductive layer may be used as a charge image forming body.

(2)更に、第7図に示すような電荷像形成手法。(2) Furthermore, a charge image forming method as shown in FIG.

形成材料であってもよい、まず、同図fA)に示すもの
は、記録ヘッド16の光導電層20に電極80を対向配
置して被写体24の投射を行なうもので、電荷像は光導
電層20表面に形成される。
First, the one shown in FIG. 20 surface.

この光導電層20が電荷像形成体として用いられる。This photoconductive layer 20 is used as a charge image forming body.

次に、同図(B)に示すものは、電荷像形成体82が光
導電層20表面に電荷保持層884が形成された構成と
なっている。この例では、電荷保持層84表面に電荷像
が形成される。また、同図+C1に示すものは、記録ヘ
ッド16の光導電層20上にコロナ帯電器86で一様帯
電を行なった後、被写体24の光学像による露光を行な
って電荷像を形成するものである。
Next, in the case shown in FIG. 2B, the charge image forming member 82 has a structure in which a charge retention layer 884 is formed on the surface of the photoconductive layer 20. In this example, a charge image is formed on the surface of the charge retention layer 84. In addition, the one shown at +C1 in the same figure uniformly charges the photoconductive layer 20 of the recording head 16 with a corona charger 86, and then exposes it to an optical image of the subject 24 to form a charge image. be.

(3)次に、光変調体の光変調層としては、例えば、高
分子一液晶複合膜、PLZTなどが用いられる。
(3) Next, as the light modulation layer of the light modulator, for example, a polymer-liquid crystal composite film, PLZT, or the like is used.

(4)前記実施例では、形成される電荷像がプラスの電
荷の場合であるが、マイナスの場合でも同様に本発明は
適用される。
(4) In the above embodiment, the charge image formed is a positive charge, but the present invention is similarly applicable even when the charge image is a negative charge.

その他、同様の作用を奏する範囲内で、種々設計変更可
能である。
In addition, various design changes can be made within the range of achieving the same effect.

[発明の効果] 以上説明したように、本発明にかかる電荷像情報転写装
置によれば、電荷像形成体と光変調体とが所望の間隔以
下となった状態で光変調体のしきい値を越えて電荷像の
電界が光変調層に作用するようにしたので、忠実で高解
像度の電荷像情報の転写を行なうことができるという効
果がある。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the charge image information transfer device according to the present invention, the threshold value of the light modulator is Since the electric field of the charge image is made to act on the light modulation layer beyond 200 nm, there is an effect that the charge image information can be transferred with high fidelity and high resolution.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明にかかる電荷像情報転写装置の第1実施
例を示す説明図、第2図は本発明の第2実施例を示す説
明図、第3図は本発明の第3実施例を示す説明図、第4
図は本発明の第4実施例を示す説明図、第5図は本発明
の第5実施例を示す説明図、第6図は従来例を示す説明
図、第7図は種々の電荷像形成手法を示す説明図である
。 10.60.70・・・電荷像形成体、12゜32.6
4・・・電極、14.62−・・電荷保持層。 28−・・光変調体、30・・・光変調層、40.50
゜52.66.76−・−転写用電源、42.54・−
スイッチ、20.72・・・光導電層、74−・・レー
ザ装置。 特許出願人  日本ビクター株式会社
FIG. 1 is an explanatory diagram showing a first embodiment of a charge image information transfer device according to the invention, FIG. 2 is an explanatory diagram showing a second embodiment of the invention, and FIG. 3 is an explanatory diagram showing a third embodiment of the invention. Explanatory diagram showing 4th
The figure is an explanatory diagram showing the fourth embodiment of the present invention, Fig. 5 is an explanatory diagram showing the fifth embodiment of the present invention, Fig. 6 is an explanatory diagram showing the conventional example, and Fig. 7 is an explanatory diagram showing various charge image formations. It is an explanatory diagram showing a method. 10.60.70... Charge image forming body, 12°32.6
4... Electrode, 14.62-... Charge retention layer. 28-... Light modulator, 30... Light modulating layer, 40.50
゜52.66.76-・-Transfer power supply, 42.54・-
Switch, 20.72... Photoconductive layer, 74-... Laser device. Patent applicant: Victor Japan Co., Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】  あらかじめ電荷像が形成された電荷像形成体に光変調
体を近接又は接触させて、前記電荷像を光変調体に転写
する電荷像情報転写装置において、 前記電荷像形成体と光変調体とが所望の間隔以下となっ
た状態で光変調体のしきい値を越えて電荷像の電界を光
変調体に作用させる手段を備えたことを特徴とする電荷
像情報転写装置。
[Scope of Claims] A charge image information transfer device in which a light modulator is brought close to or in contact with a charge image forming member on which a charge image has been formed in advance to transfer the charge image to the light modulator, comprising the steps of: A charge image information transfer device comprising means for causing an electric field of a charge image to act on the light modulator in a state where the distance between the light modulator and the light modulator exceeds a threshold value of the light modulator. .
JP16535190A 1990-06-22 1990-06-22 Charge image information transfer device Pending JPH0456883A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008050830A (en) * 2006-08-24 2008-03-06 Ykk Ap株式会社 Fittings

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JP2008050830A (en) * 2006-08-24 2008-03-06 Ykk Ap株式会社 Fittings

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