JPH0456405B2 - - Google Patents

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JPH0456405B2
JPH0456405B2 JP58165080A JP16508083A JPH0456405B2 JP H0456405 B2 JPH0456405 B2 JP H0456405B2 JP 58165080 A JP58165080 A JP 58165080A JP 16508083 A JP16508083 A JP 16508083A JP H0456405 B2 JPH0456405 B2 JP H0456405B2
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JP
Japan
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transparent conductive
film
organic polymer
thickness
surface resistance
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JP58165080A
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Japanese (ja)
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Toshiaki Yatabe
Masao Suzuki
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Teijin Ltd
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Teijin Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 (利用分野) 本発明は透明導電性積層体に関する。更に詳し
くは基板上に形成された酸化インジウムを主成分
とする透明導電層上に有機重合体からなる厚さ
0.5μm以下の膜を積層してなる透明導電性積層体
に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Application) The present invention relates to a transparent conductive laminate. More specifically, it is a thin film made of an organic polymer on a transparent conductive layer mainly composed of indium oxide formed on a substrate.
The present invention relates to a transparent conductive laminate formed by laminating films of 0.5 μm or less.

透明導電層の用途は光導電体や螢光体等の半導
体材料と接触して使用したり、液晶等の有機電子
材料と接触して使用したり、また最近ではエレク
トロクロミズムの電極として使用したり、更に光
化学反応の補助電極として使用したり、最近益々
その応用範囲は増加する傾向にある。
Transparent conductive layers are used in contact with semiconductor materials such as photoconductors and phosphors, in contact with organic electronic materials such as liquid crystals, and recently as electrodes in electrochromism. In recent years, its range of applications has been increasing, including its use as an auxiliary electrode for photochemical reactions.

特に最近ではオプエレクトロニクス用途に記録
表示デバイス必須の電極材料として用いられてい
る。
Particularly recently, it has been used as an essential electrode material for recording and display devices in op-electronics applications.

(従来技術) 酸化インジウム(In2O3)系は適量の酸化スズ
(SnO2)をドープしたインジウム−スズ合金、あ
るいは酸化インジウム酸化スズ混合酸化物
(ITO)を出発物質とした蒸着法あるいはスパツ
タリング法等で形成される。
(Prior art) Indium oxide (In 2 O 3 ) systems are produced by vapor deposition or sputtering using an indium-tin alloy doped with an appropriate amount of tin oxide (SnO 2 ) or indium oxide/tin oxide mixed oxide (ITO) as a starting material. Formed by law, etc.

また酸化スズ(SnO2)系は適量の酸化アンチ
モン(Sb2O3)をドープし、主に塩化物(塩化ス
ズ溶液)等のスプレー法等で基板温度400℃〜500
℃の高温の状態で作成される。
In addition, tin oxide (SnO 2 ) systems are doped with an appropriate amount of antimony oxide (Sb 2 O 3 ), and the substrate temperature is increased to 400°C to 500°C mainly by spraying with chloride (tin chloride solution).
Created at high temperatures of ℃.

(問題点) しかるに酸化インジウムを主成分とする透明導
電膜は酸やアルカリに対する化学的耐久性がな
く、水溶液系電解質中での使用可能電位範囲が狭
い点及び使用環境条件の変化により抵抗値がドリ
フトする点等が大きな欠点である。
(Problems) However, transparent conductive films containing indium oxide as a main component have no chemical durability against acids and alkalis, and their resistance value increases due to the narrow potential range in which they can be used in aqueous electrolytes and changes in usage environmental conditions. A major drawback is that it drifts.

ここでいう使用環境条件とは透明導電膜が部品
として使用されている電気製品等の使用される室
内環境をいう。電気製品は一般に−10℃から+60
℃位の温度環境の変化、あるいは相対湿度50%か
ら95%程度の湿度環境の変化においても連続で長
時間安定に誤動作なく作動する事が要求される。
この様な環境条件の変化に対応して抵抗値が変動
(ドリフト)する様な透明導電膜はおのずからそ
の使用範囲が限定される結果となつていた。
The usage environment conditions here refer to the indoor environment in which an electrical product or the like in which the transparent conductive film is used as a component is used. Electrical products generally range from -10℃ to +60℃
It is required to operate continuously and stably for a long period of time without malfunctions, even when the temperature environment changes by about 30 degrees Fahrenheit or the humidity environment changes from about 50% to 95% relative humidity.
A transparent conductive film whose resistance value fluctuates (drifts) in response to changes in environmental conditions naturally has a limited range of use.

また酸化スズ系の膜は上記の安定性において酸
化インジウム系の膜よりもすぐれているが、まだ
完全とは言えない。更に酸化スズ系の膜の場合、
基板温度を400℃〜500℃まで高温にする必要があ
り、かつ得られる導電性も酸化インジウム系の膜
に比較すると1桁近く悪く、又、透明度の悪いの
が現状である。
Furthermore, although the tin oxide film is superior to the indium oxide film in terms of the above-mentioned stability, it cannot be said to be perfect yet. Furthermore, in the case of tin oxide-based films,
It is necessary to raise the substrate temperature to 400° C. to 500° C., and the conductivity obtained is approximately an order of magnitude worse than that of indium oxide films, and the transparency is also poor.

(手段) かかる問題点を克服するために本発明者らは鋭
意検討した結果、基板上に形成された酸化インジ
ウムを主成分とする透明導電層上に有機重合体か
らなる厚さ0.5μm以下の膜を積層すると、透明導
電膜の特性、特に透明性、導電性を何ら損う事な
く著しく環境安定性が向上し、使用される環境の
変化(温度変化、湿度変化)によつても殆んどそ
の抵抗値の変化がなく、また同一環境条件下(例
えば温度40℃、相対湿度80%)での経時安定性も
良好となり、透明導電膜の抵抗値のドリフトを殆
んどなくすことが可能となつた。
(Means) In order to overcome such problems, the present inventors have made extensive studies and found that a transparent conductive layer with a thickness of 0.5 μm or less made of an organic polymer is formed on a transparent conductive layer mainly composed of indium oxide formed on a substrate. By laminating films, the environmental stability is significantly improved without any loss in the properties of the transparent conductive film, especially its transparency and conductivity, and it is virtually unaffected by changes in the environment in which it is used (temperature changes, humidity changes). There is no change in resistance value, and stability over time under the same environmental conditions (e.g. temperature 40°C, relative humidity 80%) is good, making it possible to almost eliminate drift in the resistance value of the transparent conductive film. It became.

また、特に耐環境安定性の向上を目的とする場
合には酸素の透明係数において5×10-10c.c.・
cm/cm2・sec・cmHgより小さい有機重合体から形
成された膜を使用すると著しい効果が見出され、
透明性に優れかつ安定な抵抗を示す透明導電性積
層体が得られる事を見出し本発明に到達したもの
である。
In addition, especially when the purpose is to improve environmental stability, the oxygen transparency coefficient is 5 × 10 -10 cc・
A remarkable effect was found when using a membrane formed from an organic polymer smaller than cm/ cm2・sec・cmHg.
The present invention was achieved by discovering that a transparent conductive laminate having excellent transparency and stable resistance can be obtained.

すなわち本発明は、 (1) 基板上に形成された酸化インジウムを主成分
とする透明導電層上に有機重合体からなる厚さ
0.5μm以下の膜を積層してなる透明導電性積層
体、特に (2) 当該有機重合体が酸素の透過係数が5×
10-10c.c.・cm/cm2・sec・cmHgより小さいとこ
ろの有機重合体である上記第1項記載の積層体
である。
That is, the present invention provides: (1) a transparent conductive layer mainly composed of indium oxide formed on a substrate;
A transparent conductive laminate formed by laminating films of 0.5 μm or less, especially (2) the organic polymer has an oxygen permeability coefficient of 5×
The laminate according to item 1 above, which is an organic polymer having an Hg of less than 10 -10 cc·cm/cm 2 ·sec·cmHg.

本発明における基板とは、石英ガラス、アルカ
リガラス等の無機質の基板、又は紙、パルプ等の
天然繊維材料、あるいは通常のシート、フイル
ム、成型体、繊維等の有機質基板が目的に応じて
選ばれる。
The substrate in the present invention may be an inorganic substrate such as quartz glass or alkali glass, a natural fiber material such as paper or pulp, or an organic substrate such as a normal sheet, film, molded body, or fiber, depending on the purpose. .

有機質基板の代表的な素材としては、例えばポ
リエチレンテレフタレートフイルム、ポリエチレ
ンナフタレートフイルム、ポリアミドフイルム、
ポリイミドフイルム、ポリサルホンフイルム、ポ
リエーテルサルホンフイルム、ポリエーテルイミ
ドフイルム、ポリアリレートフイルム、ポリエー
テルエーテルケトンフイルム、ポリカーボネート
フイルム等の熱可塑性樹脂等が好ましく用いられ
る。
Typical materials for organic substrates include polyethylene terephthalate film, polyethylene naphthalate film, polyamide film,
Thermoplastic resins such as polyimide film, polysulfone film, polyether sulfone film, polyetherimide film, polyarylate film, polyether ether ketone film, and polycarbonate film are preferably used.

また本発明における酸化インジウムを主成分と
する透明導電層とはIn2O3単独またはIn2O3に数%
のSnO2を含有した従来よく知られた透明導電層、
またはIn2O3を主成分としたカドミウム(Cd)、
アンチモン(Sb)等の不純物を微量添加した透
明導電層である。かかる透明導電層は従来よく知
られている真空蒸着法、スパツタリング法、イオ
ンプレーテイング法あるいは反応性蒸着、リアク
テイブスパツタリング法等で簡便に形成せしめる
ことができる。
In addition, the transparent conductive layer containing indium oxide as a main component in the present invention refers to In 2 O 3 alone or a few percent of In 2 O 3
A conventionally well-known transparent conductive layer containing SnO2 ,
or cadmium (Cd) whose main component is In 2 O 3 ,
A transparent conductive layer containing a small amount of impurities such as antimony (Sb). Such a transparent conductive layer can be easily formed by conventionally well-known vacuum deposition methods, sputtering methods, ion plating methods, reactive vapor deposition methods, reactive sputtering methods, and the like.

真空蒸着法について述べるならば、例えだ数%
のSnO2を含有するIn2O3を蒸発源とし、真空槽内
において10-4〜10-6Torr程度の真空度で、抵抗
加熱あるいは電子ビームを用いた蒸発法により
SnO2を含有したIn2O3の低酸化状態の薄膜を基板
上にうる事ができる。かかる薄膜を熱処理等適当
な酸化処理を行う事によつてIn2O3を主成分とす
る透明導電膜を得る事ができる。かかるIn2O3
主成分とする透明導電膜の膜厚は、用途によつて
種々の膜厚を選ぶことができる。また膜厚と酸化
度を制御することにより、任意の透過率と抵抗値
を有する透明導電膜を形成することができる。
If we talk about the vacuum evaporation method, for example, a few percent
In 2 O 3 containing SnO 2 of
A thin film of In 2 O 3 containing SnO 2 in a low oxidation state can be deposited on a substrate. By subjecting such a thin film to an appropriate oxidation treatment such as heat treatment, a transparent conductive film containing In 2 O 3 as a main component can be obtained. The thickness of the transparent conductive film containing In 2 O 3 as a main component can be selected from various thicknesses depending on the application. Moreover, by controlling the film thickness and degree of oxidation, a transparent conductive film having arbitrary transmittance and resistance value can be formed.

Sn2O2を適当量ドーピングしたIn2O3は比抵抗
としても8×10-4Ωcm〜2×10-3Ωcm程度の抵抗
値を示す事が知られている。これらから例えば膜
厚200ÅのIn2O3を主成分とする透明導電膜は400
Ω/口から1000Ω/口程度の範囲の表面抵抗を有
する。又、例えば厚さ50μのポリエステルフイル
ム上に形成された場合、可視光透過率は550nmに
おいて80%から86%程度の範囲の可視光透過率を
有する事となる。
It is known that In 2 O 3 doped with an appropriate amount of Sn 2 O 2 exhibits a specific resistance value of about 8×10 −4 Ωcm to 2×10 −3 Ωcm. For example, a transparent conductive film whose main component is In 2 O 3 with a thickness of 200 Å is 400 Å.
It has a surface resistance ranging from Ω/mouth to approximately 1000Ω/mouth. For example, when it is formed on a polyester film with a thickness of 50 μm, the visible light transmittance will be in the range of about 80% to 86% at 550 nm.

また本発明でいう酸化インジウムIn2O3は化合
物そのものを特定している訳ではなく、InxOy
(0≦x2、0≦y≦3)の総称として用いてい
る。であるから本発明でいう酸化インジウム
In2O3はインジウムの低級酸化物、非化学量論的
化合物等も包括的に含んだ総称を意味するものと
する。酸化スズSn2O2も上記と同様スズと酸素の
化合物の総称である。
Furthermore, indium oxide In 2 O 3 as used in the present invention does not specify the compound itself, but InxOy
It is used as a general term for (0≦x2, 0≦y≦3). Therefore, indium oxide in the present invention
In 2 O 3 is a generic term that comprehensively includes lower oxides of indium, non-stoichiometric compounds, and the like. Similarly to the above, tin oxide Sn 2 O 2 is a general term for compounds of tin and oxygen.

かかるIn2O3を主成分とする透明導電膜上に積
層される有機重合体からなる膜は適当な溶剤、特
に有機溶剤に可溶であり、均一で透明な塗工膜を
与える有機重合体から形成する事ができる。例え
ばポリメチルメタアクリレート、ポリエチルメタ
アクリレートの様なアクリレート樹脂、ポリアク
リロニトリル、ポリメタアクリロニトリルの様な
アクリル樹脂、フツ化ビニル・ヘキサフルオロプ
ロピレン共重合体の様なフツ素樹脂、塩化ビニ
ル、酢酸ビニル等のビニル樹脂、ポリビニルアル
コール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、フエノ
キシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル
樹脂、ポリウレタン樹脂等の樹脂及びそれらの混
合物、共重合体等が好ましく用いられる。
The organic polymer film laminated on the transparent conductive film containing In 2 O 3 as a main component is an organic polymer that is soluble in a suitable solvent, especially an organic solvent, and provides a uniform and transparent coating film. It can be formed from For example, acrylate resins such as polymethyl methacrylate and polyethyl methacrylate, acrylic resins such as polyacrylonitrile and polymethacrylonitrile, fluororesins such as vinyl fluoride/hexafluoropropylene copolymer, vinyl chloride, and vinyl acetate. Resins such as vinyl resins, polyvinyl alcohol resins, polyvinyl butyral resins, phenoxy resins, polycarbonate resins, polyester resins, polyurethane resins, and mixtures and copolymers thereof are preferably used.

特にIn2O3を主成分とする透明導電膜の環境安
定性(抵抗値の温度、経時ドリフトが少い事)が
要求される場合には、有機重合体からなる膜が酸
素の透過係数において、5×10-10c.c.・cm/cm2
sec・cm8Hgより小さい特性を有する有機重合体
から形成された有機重合体膜を用いる事が好まし
い。
In particular, when environmental stability (low temperature and temporal drift of resistance value) is required for a transparent conductive film containing In 2 O 3 as the main component, a film made of an organic polymer has a low oxygen permeability coefficient. , 5×10 -10 cc・cm/cm 2
It is preferred to use an organic polymer membrane formed from an organic polymer having a property of less than sec.cm 8 Hg.

この要求を満す有機重合体としては、例えばポ
リスチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビ
ニルブチラール樹脂、スチレン・アクリロニトリ
ル共重合体樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリメチルメ
タアクリレート樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビニ
リデン・アクリロニトリル共重合体、ポリアクリ
ロニトリル樹脂、ポリメタアクリロニトリル樹
脂、ポリビニルアルコール樹脂等がある。有機重
合体の酸素透過能については、例えば大沢文夫著
「膜の機能」共立化学ライブラリー昭和52年刊行
p.176〜p.178の表等によつて決定できる。ポリア
クリロニトリル系樹脂及びポリメタアクリロニト
リル系樹脂が特に透過能が低い。
Examples of organic polymers that meet this requirement include polystyrene resin, polycarbonate resin, polyvinyl butyral resin, styrene/acrylonitrile copolymer resin, vinyl acetate resin, polymethyl methacrylate resin, vinyl chloride resin, and vinylidene chloride/acrylonitrile copolymer resin. Examples include polyacrylonitrile resin, polymethacrylonitrile resin, and polyvinyl alcohol resin. Regarding the oxygen permeability of organic polymers, for example, see Fumio Osawa's ``Function of Membranes,'' Kyoritsu Kagaku Library, published in 1978.
This can be determined using the table etc. on pages 176 to 178. Polyacrylonitrile resins and polymethacrylonitrile resins have particularly low permeability.

有機重合体からなる膜が、どの様な効果で
In2O3を主成分とする透明導電膜の安定化に寄与
しているのか明確ではないが、酸素の透過をある
程度制御する事によりIn2O3を主成分とする透明
導電膜の酸化状態、表面状態を一定に保ち安定化
させるものと考えられる。
What kind of effects does a film made of organic polymer have?
It is not clear whether this contributes to the stabilization of the transparent conductive film whose main component is In 2 O 3 , but by controlling the permeation of oxygen to some extent, the oxidation state of the transparent conductive film whose main component is In 2 O 3 can be improved. It is thought that this keeps the surface condition constant and stabilizes it.

有機重合体からなる膜の膜厚は厚い方が安定化
の効果は大きい。しかし、厚くなるほど透明導電
膜の特性である表面抵抗が大きくなり、透明導電
膜の使用目的を満たさない。
The thicker the film made of organic polymer, the greater the stabilizing effect. However, the thicker the transparent conductive film is, the higher the surface resistance, which is a characteristic of the transparent conductive film, does not meet the intended use of the transparent conductive film.

この2つの効果のバランスする所で有機重合体
の膜厚は決められる。好ましくは0.5μm以下、特
に好ましくは0.3μm以下である。特に導電性に対
する要求が高い場合には0.1μm以下が最も好まし
く用いられる。
The film thickness of the organic polymer is determined by balancing these two effects. The thickness is preferably 0.5 μm or less, particularly preferably 0.3 μm or less. In particular, when the demand for conductivity is high, a thickness of 0.1 μm or less is most preferably used.

又、有機重合体の膜厚の下限はその安定化効果
が発揮される限り特に限定されるものではない
が、効果の下限として50Å以上好ましくは100Å
以上の膜厚が必要である。
Further, the lower limit of the film thickness of the organic polymer is not particularly limited as long as its stabilizing effect is exhibited, but the lower limit of the effect is 50 Å or more, preferably 100 Å.
A film thickness greater than or equal to that is required.

この場合同じ程度の安定化効果を期待する場合
には酸素透過能の低い有機重合体を用いた方が膜
厚は薄くする事が可能である。この様に本発明に
様いる有機重合体膜は、その酸素透過能及びその
膜厚を適宜選択する事によりIn2O3を主成分とす
る透明導電膜の安定性、導電性を適宜コントロー
ルする事が可能である。
In this case, if the same level of stabilizing effect is expected, the film thickness can be made thinner by using an organic polymer with a lower oxygen permeability. In this way, the organic polymer film according to the present invention can appropriately control the stability and conductivity of the transparent conductive film containing In 2 O 3 as the main component by appropriately selecting its oxygen permeability and film thickness. things are possible.

有機重合体からなる膜の形状法としては適当な
樹脂を選択し、かかる樹脂を溶解しうる溶剤に適
当な濃度に溶解せしめ塗工し、しかるのち溶剤を
蒸発せしめて膜を形成する方法が簡便である。具
体的にはバーコータ、ドクターナイフ等を用いる
方法、スピンコート、スプレー等の方法、グラビ
アロールコータ、マイヤーバーコータ、リバース
ロールコータ等の装置を用いて塗工する方法があ
り、サンプルの形態等で適宜方法を選択すれば良
い。
A simple method for forming a film made of an organic polymer is to select an appropriate resin, dissolve it in a solvent that can dissolve the resin at an appropriate concentration, apply it, and then evaporate the solvent to form a film. It is. Specifically, there are methods using a bar coater, doctor knife, etc., methods such as spin coating, spraying, etc., and coating methods using equipment such as a gravure roll coater, Meyer bar coater, reverse roll coater, etc. Depending on the shape of the sample, etc. It is sufficient to select an appropriate method.

かくの如く積層する有機重合体からなる膜の特
性と膜厚を制御する事により望ましい環境安定性
と透過率、表示抵抗を有する透明導電性積層体が
得られる。
By controlling the properties and thickness of the organic polymer films laminated in this manner, a transparent conductive laminate having desirable environmental stability, transmittance, and display resistance can be obtained.

すなわち本発明の (1) 基板上に形成された酸化インジウムを主成分
とする透明導電層上に有機重合体からなる厚さ
0.5μm以下の膜を積層してなる透明導電性積層
体、更には (2) 有機重合体からなる膜が、酸素の透過係数に
おいて5×10-10c.c.・cm/cm2・sec・cmHgより
小さい有機重合体から形成された厚さ0.5μm以
下の膜である第1項記載の積層体は、酸化イン
ジウムを主成分とする透明導電層の特性を何ら
損うことなく環境安定性と経時安定性に優れた
透明導電性積層体を与えるものである。
That is, in the present invention (1) a transparent conductive layer formed on a substrate and made of an organic polymer on a transparent conductive layer containing indium oxide as a main component;
A transparent conductive laminate made of layers of 0.5 μm or less, and (2) a film made of an organic polymer, has an oxygen permeability coefficient of 5×10 -10 cc・cm/cm 2・sec・cmHg. The laminate described in item 1, which is a film with a thickness of 0.5 μm or less formed from a small organic polymer, has environmental stability and stability over time without impairing the properties of the transparent conductive layer whose main component is indium oxide. This provides a transparent conductive laminate with excellent properties.

以下に実施例をあげて本発明を具体的に説明す
る。
The present invention will be specifically explained below with reference to Examples.

有機重合体膜の膜厚測定法 有機重合体の塗布された試料を10cm×10cmの大
きさに切断し、更に2cm×2cm位に裁断し、かか
る有機重合体を溶かし得る溶剤10〜20mlを添加し
ガラス容器中で有機重合体を30分間溶出させる。
超音波洗浄器で10分間更に完全に溶出させる。残
つた基板例えばPETフイルムを溶済で洗浄しな
がら溶液からとりだし、容器を静置し蒸発乾固さ
せる。乾固残査を用いてFT−NMR法で有機重
合体量を求め、面積で換算することにより、厚さ
を求める。
Method for measuring film thickness of organic polymer film Cut the sample coated with organic polymer into a size of 10 cm x 10 cm, then further cut into about 2 cm x 2 cm, and add 10 to 20 ml of a solvent capable of dissolving the organic polymer. Elute the organic polymer in a glass container for 30 minutes.
Further elute completely in an ultrasonic cleaner for 10 minutes. The remaining substrate, such as a PET film, is removed from the solution while being washed with a solution, and the container is left to stand and evaporated to dryness. The amount of organic polymer is determined by FT-NMR method using the dry residue, and the thickness is determined by converting it into area.

実施例 1 厚さ75μのポリエチレンテレフタレートフイル
ムを基板としスパツタリング法によつて基板上に
Sn2O2を数%含むIn2O3を主成分とした透明導電
層を形成した。このスパツタリング条件は次表の
通りである。
Example 1 A polyethylene terephthalate film with a thickness of 75 μm was used as a substrate and was deposited on the substrate by sputtering method.
A transparent conductive layer was formed whose main component was In 2 O 3 containing several percent of Sn 2 O 2 . The sputtering conditions are shown in the table below.

ターゲツト:In2O3;93mol%、Sn2O2;7mol
% ガ ス:Ar;90%、O2;10% 圧 力:5×10-3Torr 出 力:300W 基板 温度:40℃ この様にして形成された透明導電膜は膜厚400
Å、表面抵抗350Ω/口、550nmにおける可視光
線透過率80%である。この透明導電膜上にポリア
クリロニトリルから形成された膜厚500Åのポリ
アクリロニトリル薄膜層を積層した。
Target: In 2 O 3 ; 93 mol%, Sn 2 O 2 ; 7 mol
% Gas: Ar; 90%, O 2 ; 10% Pressure: 5×10 -3 Torr Output: 300W Substrate temperature: 40°C The transparent conductive film formed in this way has a film thickness of 400
Å, surface resistance 350Ω/hole, visible light transmittance 80% at 550nm. A polyacrylonitrile thin film layer with a thickness of 500 Å made of polyacrylonitrile was laminated on this transparent conductive film.

ポリアクリロニトリル薄膜層はポリアクリロニ
トリルを1重量%溶解せしめたN・N′ジメチル
ホルムアミド溶液をバーコータで塗工し、しかる
のち130℃で2分間乾燥して得た。
The polyacrylonitrile thin film layer was obtained by applying an N.N' dimethylformamide solution in which 1% by weight of polyacrylonitrile was dissolved using a bar coater, and then drying at 130°C for 2 minutes.

ポリアクリロニトリルを積層した透明導電性積
層体の表面抵抗は400Ω/口、可視光線透過率は
82%であつた。
The surface resistance of the transparent conductive laminate made of polyacrylonitrile is 400Ω/hole, and the visible light transmittance is
It was 82%.

得られた積層体を90℃のオーブル中に入れ100
時間後の表面抵抗を測定したが、表面抵抗の変化
率は初期値の10%以内であつた。
Place the obtained laminate in a 90°C oven for 100°C.
The surface resistance was measured after a period of time, and the rate of change in surface resistance was within 10% of the initial value.

実施例 2 実施例1で用いたSn2O2を含有するIn2O3透明
導電膜上に厚さ700Åのポリメタアクリロニトリ
ル薄膜層を形成した。ポリメタアクリロニトリル
薄膜層はポリメタアクリロニトリルを0.8重量%
溶解せしめたシクロヘキサノン1部、メチルエチ
ルケトン1部の混合溶媒をバーコータで塗工し、
しかる後130℃で2分間乾燥せしめて得た。得ら
れたポリメタアクリロニトリルを積層した透明導
電性積層体の表面抵抗は430Ω/口、可視光線透
過率は81%であつた。
Example 2 A polymethacrylonitrile thin film layer with a thickness of 700 Å was formed on the In 2 O 3 transparent conductive film containing Sn 2 O 2 used in Example 1. Polymethacrylonitrile thin film layer contains 0.8% by weight of polymethacrylonitrile
Coat a mixed solvent of 1 part of dissolved cyclohexanone and 1 part of methyl ethyl ketone with a bar coater,
Thereafter, it was dried at 130°C for 2 minutes. The resulting transparent conductive laminate in which polymethacrylonitrile was laminated had a surface resistance of 430 Ω/hole and a visible light transmittance of 81%.

得られた積層体を90℃のオーブン中に入れ100
時間後の抵抗測定したが、表面抵抗の変化率は初
期値の10%以内であつた。
Place the obtained laminate in an oven at 90℃ for 100 minutes.
The resistance was measured after a period of time, and the rate of change in surface resistance was within 10% of the initial value.

比較例 1 ポリエチレンテレフタレートフイルム上に実施
例1と同様にしてSnO2を数%含むIn2O3を主成分
とした透明導電層構成体を形成し、それを90℃の
オーブン中に入れ100時間後の表面抵抗を測定し
た。表面抵抗の変化率は初期値から50%以上も変
動した。
Comparative Example 1 A transparent conductive layer composition mainly composed of In 2 O 3 containing several percent of SnO 2 was formed on a polyethylene terephthalate film in the same manner as in Example 1, and then placed in an oven at 90°C for 100 hours. The subsequent surface resistance was measured. The rate of change in surface resistance varied by more than 50% from the initial value.

比較例 2 実施例1と同様にしてポリエチレンテレフタレ
ートフイルム上にSnO2を数%含むIn2O3を主成分
とした透明導電層を形成し、その上に厚さ800Å
のジメチルシロキサン縮合体から形成された薄膜
層を積層し透明導電性積層体を得た。
Comparative Example 2 A transparent conductive layer mainly composed of In 2 O 3 containing several percent of SnO 2 was formed on a polyethylene terephthalate film in the same manner as in Example 1, and a transparent conductive layer with a thickness of 800 Å was formed on the polyethylene terephthalate film.
A transparent conductive laminate was obtained by laminating thin film layers formed from dimethylsiloxane condensates.

得られた透明導電性積層体の表面抵抗は420
Ω/口であつた。得られた積層体を90℃のオーブ
ンに入れ100時間後の表面抵抗を測定した。表面
抵抗の変化率は初期値の50%以上も変動した。
The surface resistance of the obtained transparent conductive laminate was 420
Ω/It was hot with my mouth. The obtained laminate was placed in an oven at 90°C and the surface resistance was measured after 100 hours. The rate of change in surface resistance varied by more than 50% of its initial value.

実施例 3 厚さ75μmのポリエチレンテレフタレートフイ
ルムを基板としスパツタリング法によつて基板上
にSnO2を含有するIn2O3を主成分とした透明導電
層を形成した。このスパツタリング条件は次表の
通りである。
Example 3 Using a polyethylene terephthalate film having a thickness of 75 μm as a substrate, a transparent conductive layer mainly composed of In 2 O 3 containing SnO 2 was formed on the substrate by a sputtering method. The sputtering conditions are shown in the table below.

ターゲツト:In 95重量%、Sn5重量% ガ ス:Ar;80%、O220% 圧 力:5×13-3Torr 出 力:400W 基板 温度:40℃ この様にして形成された透明導電膜は膜厚230
Å、表面抵抗470Ω/口、可視光線透過率84%で
あつた。得られた透明導電膜上に厚さ700Åのポ
リメチルメタアクレートからなる薄膜を形成し
た。
Target: In 95% by weight, Sn 5% by weight Gas: Ar; 80%, O 2 20% Pressure: 5×13 -3 Torr Output: 400W Substrate temperature: 40℃ Transparent conductive film formed in this way is film thickness 230
Å, surface resistance was 470Ω/mouth, and visible light transmittance was 84%. A thin film made of polymethyl methacrylate with a thickness of 700 Å was formed on the obtained transparent conductive film.

厚さ700Åのポリメチルメタアクレート層は、
ポリメチルメタアクリレートを1.5重量%含有せ
しめたトルエン1部、メチルエチルケトン0.5部
からなる溶剤を透明導電膜上にスピンコーテイン
グし、しかるのち120℃で2分間乾燥せしめて得
た。
The 700 Å thick polymethyl methacrylate layer is
A transparent conductive film was spin-coated with a solvent consisting of 1 part of toluene and 0.5 parts of methyl ethyl ketone containing 1.5% by weight of polymethyl methacrylate, and then dried at 120° C. for 2 minutes.

得られた透明導電性積層体の表面抵抗は500
Ω/口、可視光線透過率85%であつた。
The surface resistance of the obtained transparent conductive laminate was 500
Ω/mouth, visible light transmittance was 85%.

かかる透明導電性積層体を90℃のオーブンに入
れ100時間後の表面抵抗を測定したが、初期値に
対する変化率は20%以内にとどまつた。又、温度
22℃、湿度45%の雰囲気に1年間放置した後表面
抵抗を測定したが表面抵抗の変化率は初期値の15
%以内であつた。
The surface resistance of the transparent conductive laminate was measured after 100 hours by placing it in an oven at 90°C, and the rate of change from the initial value remained within 20%. Also, temperature
The surface resistance was measured after being left in an atmosphere of 22℃ and 45% humidity for one year, but the rate of change in surface resistance was 15% from the initial value.
It was within %.

比較例 3 実施例3と同様にして形成したポリエチレンテ
レフタレートフイルムを基板とSnO2を含有する
In2O3を主成分とする透明導電層とからなる構成
体を実施例3と同様の方法で評価した。
Comparative Example 3 A polyethylene terephthalate film formed in the same manner as in Example 3 containing a substrate and SnO 2
A structure comprising a transparent conductive layer containing In 2 O 3 as a main component was evaluated in the same manner as in Example 3.

90℃での熱処理100時間後の表面抵抗の変化率
は70%以上であり、室内放置1年間の表面抵抗の
変化率は50%程度であつた。
The rate of change in surface resistance after 100 hours of heat treatment at 90°C was over 70%, and the rate of change in surface resistance after being left indoors for one year was approximately 50%.

実施例 4 厚さ75μのポリエチレンテレフタレートフイル
ムを基板とし、スパツタリング法によつて基板上
にSnO2を数%含有するIn2O3を主成分とした透明
導電層を形成した。このスパツタリング条件は以
下の通りである。
Example 4 A polyethylene terephthalate film having a thickness of 75 μm was used as a substrate, and a transparent conductive layer mainly composed of In 2 O 3 containing several percent of SnO 2 was formed on the substrate by a sputtering method. The sputtering conditions are as follows.

ターゲツト:In2O3;93mol%、Sn2O2;7mol
% ガ ス:Ar;95%、O2;5% 圧 力:5×10-3Torr 出 力:250W 基板 温度:30℃ この様にして形成された透明導電膜は膜厚220
Å、表面抵抗440Ω/口、可視光線透過率85%で
あつた。
Target: In 2 O 3 ; 93 mol%, Sn 2 O 2 ; 7 mol
% Gas: Ar; 95%, O 2 ; 5% Pressure: 5×10 -3 Torr Output: 250W Substrate temperature: 30℃ The transparent conductive film formed in this way has a thickness of 220 mm.
Å, surface resistance of 440Ω/hole, and visible light transmittance of 85%.

かかる透明導電膜上にアクリロニトリル−スチ
レン共重合体(モル比 アクリロニトリル/スチ
レン=26/74)からなる厚さ800Åの薄膜層を積層
した。
A thin film layer having a thickness of 800 Å made of acrylonitrile-styrene copolymer (molar ratio acrylonitrile/styrene = 26/74) was laminated on the transparent conductive film.

アクリロニトリル−スチレン共重合体からなる
膜は、アクリロニトリル−スチレン共重合体を
0.8wt%溶解せしめた混合溶媒(シクロヘキサノ
ン2部、メチルエチルケトン1部、トルエン1部
からなる)溶液をバーコータで塗工し、しかるの
ち120℃で2分間乾燥せしめて得た。
A membrane made of acrylonitrile-styrene copolymer is made of acrylonitrile-styrene copolymer.
A solution of a mixed solvent (consisting of 2 parts of cyclohexanone, 1 part of methyl ethyl ketone, and 1 part of toluene) in which 0.8 wt% was dissolved was coated using a bar coater, and then dried at 120° C. for 2 minutes to obtain a sample.

かかる透明導電性積層体の表面抵抗は510Ω/
口、可視光透過率は86%であつた。
The surface resistance of such a transparent conductive laminate is 510Ω/
The visible light transmittance was 86%.

得られた透明導電性積層体を60℃で湿度95%に
保たれたチヤンバー中に入れ200時間後の表面抵
抗を測定したが、表面抵抗の変化率は15%以下で
あつた。
The obtained transparent conductive laminate was placed in a chamber maintained at 60° C. and 95% humidity, and the surface resistance was measured after 200 hours, and the rate of change in surface resistance was 15% or less.

比較例 4 アクリロニトリル−スチレン共重合体の膜を用
いるかわりにポリ(4−メチルペンテン−1)か
らなる厚さ800Åの層を積層する以外は実施例4
と同様にして透明導電性構成体を得た。ポリ(4
−メチルペンテン−1)からなる厚さ800Åの層
はポリ(4−メチルペンテン−1)を0.8重量%
溶解せしめたシクロヘキセン溶液をバーコータで
塗工後120℃で3分間乾燥せしめて得た。得られ
た透明導電性積層体の表面抵抗は470Ω/口、可
視光透過率は86%であつた。
Comparative Example 4 Example 4 except that an 800 Å thick layer of poly(4-methylpentene-1) was laminated instead of using the acrylonitrile-styrene copolymer film.
A transparent conductive structure was obtained in the same manner as above. poly(4
-Methylpentene-1) 800 Å thick layer contains 0.8% by weight of poly(4-methylpentene-1)
The dissolved cyclohexene solution was coated with a bar coater and dried at 120° C. for 3 minutes to obtain a coating. The surface resistance of the obtained transparent conductive laminate was 470Ω/hole, and the visible light transmittance was 86%.

かかる透明導電性積層体を実施例4と同様の方
法で評価した結果、表面抵抗の変化率は80%であ
つた。
As a result of evaluating this transparent conductive laminate in the same manner as in Example 4, the rate of change in surface resistance was 80%.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 基板上に形成された酸化インジウムを主成分
とする透明導電層上に、酸素の透過係数が5×
10-10c.c.・cm/cm2・sec・cmHgより小さいところ
の有機重合体からなる厚さ50Å以上、0.5μm以下
の膜を積層してなる透明導電性積層体。
1 A transparent conductive layer mainly composed of indium oxide formed on a substrate has an oxygen permeability coefficient of 5×
10 -10 A transparent conductive laminate made of layers of organic polymer films with a thickness of 50 Å or more and 0.5 μm or less at a temperature smaller than 2 sec cmHg.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59198607A (en) * 1983-04-27 1984-11-10 三菱マテリアル株式会社 Transparent conductive film having protective film

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