JPH0453764A - イオン流制御記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、プリンタやファクシミリ等に使用されるイ
オン流制御記録装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種のイオン流制御記録装置としては、特開昭
６１−２４３４６６号公報や米国特許第４゜１６０．２
５７号公報等に示すようなものがある。

これは、第７図に示すように、平板状の誘電体基板１０
０の片面に複数の第１の電極１０１，１０１・・・を傾
斜した状態で互いに平行に設けるとともに、誘電体基板
１００の他面に複数の第２の電極＋０２．１０２・・・
を第１の電極１０１．１０１・・・と交差するように互
いに平行に設け、第１の電極１０１．１０１・・・には
、第８図に示すように、第２の電極１０２．１０２・・
・と交差する位置にイオン生成用の開口１０３．１０３
・・・を形成する。そして、誘電体基板１００の第１の
電極１０ＬＩＯ１・・・側の面を静電潜像受容体１０４
に対向させて配置し、第１の電極１０１，１０１・・・
と第２の電極１０２．１０２・・・との間に画像情報に
応して選択的に交流高電圧を印加することにより、イオ
ン生成用開口１０３．１０３・・・に誘電体基板１００
の表面に沿った沿面放電を発生させ、この沿面放電によ
って生成したイオンを静電潜像受容体Ｉ０４の表面に静
電的に付着させて、画像情報に応した静電潜像を形成す
るように構成されている。

また、この種のイオン流制御記録装置としては、特開昭
５９−１９０８５４号公報に示すようなものがある。こ
れは、第９図に示すように、静電潜像受容体１１０の近
傍に配設されるイオン発生器Ｉｌｌと、このイオン発生
器１１１に隣接して設けられるイオン流制御スリット１
１２の一側に配設される複数の制御電極１１３．１１３
・・・と、各制御電極１１３．１１３・・・に画像情報
に応じた電圧を印加する制御回路１１４とで構成されて
いる。

上記イオン発生器１１１は、放電ワイヤ１１５及びこれ
を取り囲むシールド１１６からなり、放電ワイヤ１１５
に高電圧を印加することによってコロナ放電を生起させ
、このコロナ放電によってイオンを発生させるものであ
る。そし、て、このコロナ放電によって発生したイオン
を、シールドｌ１６の上部に開口されたノズル１１７か
ら導入される圧縮空気によって、シールド１１６の下部
に開口されたイオン流制御スリット１１２から、イオン
の噴流として排出する。

その際、上記イオン流制御スリット１１２には、制御電
極１１３．１１３・・・が図面に垂直な方向に沿って所
定数の画素密度で多数配列されており、これらの制御電
極１１３．１１３・・・に制御回路１１４によって画像
情報に応じた電圧を印加する。

そして、上記制御電極１１３とシールド＋１６との間に
選択的に形成される電界によって、イオン流の通過を画
像情報に応じて阻止又は許容することにより、静電潜像
受容体１１０の表面に画像情報に応じた静電潜像をイオ
ン流によって形成するように構成されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、上記従来技術の場合には、次のような問題点を
有している。すなわち、前者のイオン流制御記録装置の
場合には、誘電体基板１００の表裏両面に第１の電極１
０１，１０１・・・と第２の電極１０２．１０２・・・
を積層形成するとともに、第１の電極１０１，１０１・
・・にイオン生成用の開口１０３．１０３・・・を多数
開口しなければならず、構造が複雑であって製造が困難
であり、コスト高になるという問題点があった。また、
誘電体基板１００の表面にイオン生成用の開口１０３．
１０３・・・をマトリクス状に形成し、これらのイオン
生成用の開口１０３．１０３・・・が形成された側を静
電潜像受容体１０４に対向させて配置するように構成さ
れており、しかも第１の電極１０１．１０１・・・と第
２の電極１０２．１０２・・・を制御回路に接続するた
めのコネクタ等の部材を誘電体基板１００の周囲に取り
付ける必要があり、静電潜像受容体１０４上に占めるイ
オン流制御記録装置のスペースが大きくなり、装置が大
型化するという問題点があった。

また、後者のイオン流制御記録装置の場合には、イオン
発生器１１１で発生したイオン流がイオン流制御スリッ
トｌ１２を通過するのを、イオン流制御スリットｌ１２
に設けられた制御電極１１３．１１３・・・によって制
御するように構成されているため、イオン流がイオン流
制御スリット１１２を通過する際に、シールド１１６等
に衝突して電荷を失いやすく、イオンの出力効率が低く
高速記録に適さないという問題点があった。さらに、イ
オン流制御スリット１１２からイオンの噴流を排出する
ための圧縮空気の供給手段等が必要となり、装置全体と
しての装備が多くなり、コスト高になるという問題点も
あった。

〔課題を解決するための手段〕

そこで、この発明は、上記従来技術の問題点を解決する
ためになされたもので、その目的とするところは、装置
の構成が簡単であって製造が容易であり、低コストにて
供給できるとともに、装置の小型化が可能であり、しか
もイオンを効率良く発生させることができ高速記録が可
能なイオン流制御記録装置を提供することにある。

すなわち、この発明は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板
上に画素密度に応じて設けられた第一の電極部材と、前
記第一の電極部材上に第一の電極部材の一部領域を除い
て被覆された絶縁性部材と、前記絶縁性部材上に設けら
れ、前記一部領域との間に放電空間を形成する第二の電
極部材と、前記第二の電極部材上に絶縁性部材を介して
設けられた第三の電極部材とを有する記録ヘッドと、前
記記録ヘッドの放電空間に対向して配置された静電潜像
受容体と、前記第一の電極部材と第二の電極部材との間
に画像情報に応じて高電圧を印加する電圧印加手段とを
具備するとともに、前記第三の電極部材を接地状態ある
いは所定の電位に保持するように構成されている。

上記電圧印加手段は、例えば抵抗を介して各第−の電極
部材に接続するようにしてもよい。

〔作用〕

この発明においては、記録ヘッドが、絶縁性基板と、前
記絶縁性基板上に画素密度に応じて設けられた第一の電
極部材と、前記第一の電極部材上に第一の電極部材の一
部領域を除いて被覆された絶縁性部材と、前記絶縁性部
材上に設けられ、前記一部領域との間に放電空間を形成
する第二の電極部材と、前記第二の電極部材上に絶縁性
部材を介して設けられた第三の電極部材とを有するよう
に構成されている。そのため、記録ヘッドは、構造が簡
単であり、絶縁性基板上に電極部材と絶縁性部材とを積
層することによって容易に製造することができる。また
、電極部材にイオン放出用の開口を設けたりする必要が
ないので、この点からも製造が容易となる。更に、上記
記録ヘッドは、絶縁性基板上に電極部材と絶縁性部材と
を積層した状態で、しかも第一の電極部材と第二の電極
部材との間に形成される放電領域が静電潜像受容体と対
向するように配置されるので、記録ヘッドは、静電潜像
受容体上に占めるスペースがその厚さ分だけでよいため
、装置の大幅な小型化が可能となる。また、記録ヘッド
は、その放電領域が静電潜像受容体と対向するように配
置され、しかもこの放電領域で発生する放電によって生
起されるイオン流は、スリット等を通過することなく、
直接静電潜像受容体上に向けて放出されるので、イオン
流を効率良く取り出すことができ、静電潜像受容体上を
短時間に所定の電位に帯電させることが要求される高速
記録にも対応することが可能となる。

更にまた、イオン流を噴出させるための圧縮空気を供給
する手段は不要であるため、装置の構成を簡略化するこ
とができる。

また、第一の電極部材との間に電圧が印加されることに
より放電を発生させる第二の電極部材には、絶縁性部材
を介して接地状態あるいは所定の電位に保持された第三
の電極部材が設けられているため、静電潜像を形成しな
いときに第一の電極部材と第二の電極部材との間に印加
する電圧を、弱い放電が発生する程度に設定し、その際
に発生する微弱なイオン流を、第二の電極部材と第三の
電極部材との間に形成される電界によって、第三の電極
側に偏向させてイオン流の放出を防止できる。そのため
、静電潜像を形成しないときでも、弱い放電を発生させ
ておくことができるので、単独の第一の電極部材に放電
を発生させ、単独のドツトの静電潜像を記録する際にも
放電を安定させて発生させることができ、ドツト形成の
安定性が向上する。

〔実施例〕

以下にこの発明を図示の実施例に基づいて説明する。

第１図及び第２図はこの発明に係るイオン流制御記録装
置の一実施例を示すものである。図において、■は記録
ヘッドを示すものであり、この記録ヘッドｌは、例えば
厚さ１〜２　ｍｍの平面長方形状の絶縁性基板２を備え
ている。この絶縁性基板２は、例えばアルミナやジルコ
ニア等のセラミクス、ベークライトやガラスエポキシの
ような合成樹脂、あるいはガラスやマイカ等の無機材料
などによって形成される。

上記絶縁性基板２の表面には、第１図及び第３図に示す
ように、第１の電極としての個別電極３．３・・・が多
数設けられており、これらの個別電極３．３・・・は、
例えばニッケル、タングステン、プラチす等の導電性材
料によって形成される。また、これらの個別電極３．３
・・・は、第３図に示すように、絶縁性基板２の幅方向
に沿って直線状に設けられているとともに、絶縁性基板
２の長手方向に沿って所定の間隔で互いに平行に配列さ
れている。上記個別電極３．３・・・は、例えば３００
〜４００ｄｐｉの記録密度に対応して配列される。さら
に、個別電極３．３・・・の先端は、絶縁性基板２の先
端と一致するように形成されている。

上記個別電極３．３・・・の表面には、絶縁性フィルム
４が積層されており、この絶縁性フィルム４としては、
例えば厚さが２５〜５０μｍのポリイミドフィルム等が
用いられる。この絶縁性フィルムの先端は、絶縁性基板
２の先端よりも手前側に位置しており、個別電極３．３
・・・の先端部３ａ。

３ａ・・・が露出するようになっている。

また、上記絶縁性フィルム４の表面には、第２の電極と
しての単一の放電電極５が積層されており、この放電電
極５としては、例えば厚さが５０〜２００μｍのステン
レス等の金属からなる導電性材料か用いられる。この放
電電極５の先端は、絶縁性基板２の先端よりも０．０５
〜１．　　Ｏ＋ｎｍ程度たけ手前側に位置するとともに
、絶縁性フィルム４の先端より０．０１〜ｌ、　　Ｏｗ
＋程度突出するように配置されている。こうすることに
よって、個別電極３．３・・・と放電電極５の先端部と
の間には、放電用の空間６が形成されてい・る。

さらに、上記放電電極５の表面には、絶縁性フィルム７
が積層されており、この絶縁性フィルム７としては、例
えば厚さが５０〜７５μｍのポリイミドフィルム等が用
いられる。この絶縁性フィルム７は、前記絶縁性フィル
ム４よりも厚く形成されており、個別電極３．３・・・
と放電電極５間の距離が放電電極５と次に述べる制御電
極８との距離よりも短くなるように設定されている。ま
た、この絶縁性フィルム７の先端は、放電電極５の先端
部と一致するようになっている。

また、上記絶縁性フィルム７の表面には、第三の電極と
しての単一の制御電極８が積層されており、この制御電
極８としては、例えば厚さが５〜１０ｍ＋のステンレス
等の金属からなる導電性材料が用いられる。この制御電
極８の先端は、絶縁性基板２の先端と一致するように配
置されている。

そして、上記記録ヘッド１の各個別電極３．３・・・に
は、第２図に示すように、画像情報に応じて−１００〜
−３００ｖのパルス電圧を印加するパルス電源９が接続
されている。このパルス電源９は、第４図に示すように
、静電潜像の記録を行う場合には、個別電極３．３・・
・にパルス電圧を印加せず、すなわち個別電極３．３・
・・をＯＶに保持し、静電潜像の記録を行わない場合に
は、個別電極３．３・・・に−１００〜−３００Ｖのパ
ルス電圧を印加するように構成されている。また、各個
別電極３．３・・・には、１〜２００ＭΩの抵抗１０、
ｌＯ・・・が直列に接続されており、これらの抵抗１Ｏ
１ｌＯ・・・は、放電時の放電強度を制御し、同時に各
所で起こる放電の強度を均一化するためのものである。

また、放電電極５には、−５００〜＝１５００Ｖの直流
の高電圧を印加する直流電源１１が接続されており、放
電電極５には、直流電源１１によって画像情報の有無に
関わりなく、常時−５００〜−１５００Ｖの直流の高電
圧が印加されている。

この放電電極５に常時印加される電圧は、それ単独で個
別電極３．３・・・との間に放電が発生するが、制御電
極８との間では放電が発生しない値に設定されている。

すなわち、静電潜像の記録を行う場合には、個別電極３
．３・・・にパルス電源７によって電圧が印加されない
ため、個別電極３．３・・・と放電電極５との間には、
直流電源１１の直流の高電圧（−５００〜−１５００Ｖ
）がそのまま印加され、個別電極３．３・・・と放電電
極５との間に放電が発生する。その際、放電電極５と制
御電極′８との間にも、直流電源１１によって−５００
〜−１５００Ｖの直流の高電圧が印加されるが、制御電
極８は、個別電極３．３・・・よりも離れた位置に配置
されているため、放電電極５と制御電極８との間には、
放電が発生しない。

それに対して、静電潜像の記録を行わない場合には、個
別電極３．３・・・にパルス電源９によって−１００〜
−３００Ｖのパルス電圧が印加されるため、個別電極３
．３・・・と放電電極５との間には、直流電源１１の電
圧（−５００〜−１５００Ｖ）からパルス電源７の電圧
（−１００〜−３００Ｖ）を引いた電圧（−２００〜−
１４００Ｖ）Ｌか印加されず、個別電極３．３・・・と
放電電極５との間の放電強度が低下し、発生イオン量が
減る。

これと同時に、個別電極３．３・・・と制御電極８との
間には、電界Ｅｌが発生ずるため、少量ながら発生した
イオンＩは、この電界Ｅｌによって偏向され、制御電極
８に当たって電荷を失う。従って、記録ヘッドｌからは
、イオン流Ｓが放出されない。

さらに、制御電極８は、そのままアースに接続されてい
る。

一方、上記記録ヘッドｌの放電用空間６と対向する位置
には、第２図に示すように、静電潜像受容体としての誘
電体ドラム１２が回転可能に配置されている。上記誘電
体ドラム１２は、アルミニウム等からなる金属性ドラム
１３と、その表面に形成された誘電体層１４とから構成
されている。

そして、この誘電体ドラム１２には、直流電源１５によ
って＋５００〜＋２０００Ｖの直流の高電圧が印加され
ている。

上記記録ヘッドｌは、絶縁性基板２の先端が誘電体ドラ
ム２の表面から０．Ｏ１〜１０ＩＩｆｆｌだけ離れた位
置に配置される。

なお、第２図中、１６は絶縁性基板２の先端面に設けら
れた電極を示しており、この電極１６は、記録ヘッドｌ
と誘電体ドラム１２間に電界を形成するためのものであ
り、アースに接続されている。

以上の構成において、この実施例に係るイオン流制御記
録装置では、次のようにしてイオン流が発生され、この
発生したイオン流によって静電潜像の記録が行われる。

すなわち、誘電体ドラム１２を所定のプロセススピード
で回転させた状態で、記録ヘッド１の放電電極５に直流
電源１１によって常時−５００〜−１５００Ｖの直流の
高電圧を印加するとともに、個別電極３．３・・・にパ
ルス電源９によって画像情報に応じて−１００〜−３０
０Ｖのパルス電圧を印加する。

こうすることによって、第４図に示すように、パルス電
圧が印加されない個別電極３．３・・・、すなわちＯＶ
に保持された個別電極３．３・・・は、放電電極５との
電位差が放電電極５に印加される直流電圧（−５００〜
−１５００Ｖ）の値と等しくなるため、個別電極３．３
・・・と放電電極５との間には、第５図に示すように、
放電電極５のエツジから個別電極３．３・・・表面の長
手方向に沿った放電Ｒが発生する。そして、この放電Ｒ
によって空気中の分子が帯電されて正極性及び負極性の
イオン■が生起される。しかし、放電電極５と誘電体ド
ラム１２との間には、誘電体ドラム１２側を正極性とし
た直流の高電圧が印加されているため、放電電極５と誘
電体ドラム１２との間には、誘電体ドラム１２から放電
電極５に向かう電界Ｅ２が形成されている。そのため、
正極性のイオンＩは、この電界Ｅ２によって放電電極５
側に引き戻され、放電電極５に衝突して電荷を失う。そ
れに対して、負極性のイオンＩは、上記電界によってイ
オン流Ｓとして誘電体ドラム１２側に運ばれ、誘電体ド
ラム１２の表面に静電的に付着して静電潜像を形成する
。

その際、上記各個別電極３．３・・・には、１〜２００
ＭΩの抵抗ｌ０１ｌＯ・・・が直列に接続されているた
め、個別電極３．３・・・と放電電極５との間で放電が
発生すると、個別電極３．３・・・に電流が流れて抵抗
１０、ｌＯ・・・によって電圧降下が生じる。そのため
、個別電極３．３・・・に印加される電圧が低下して放
電が抑制されるが、放電が低下すると個別電極３．３・
・・に流れる電流が減少し、抵抗１０．１０・・・によ
って生じる電圧降下が小さくなるため、個別電極３．３
・・・に印加される電圧が上昇して放電が加速される。

このように、各個別電極３．３・・・に抵抗１Ｏ１ＩＯ
・・・を直列に接続することによって、各個別電極３．
３・・・と放電電極５との間で発生する放電の強度が制
御されるため、同時に各所で起こる放電の強度を均一化
することができる。

一方、静電潜像を行わない場合には、個別電極３．３・
・・にパルス電源９によって−１００〜−３００Ｖのパ
ルス電圧が印加されるため、個別電極３．３・・・と放
電電極５との間には、直流電源１１の電圧（−５００〜
−１５００Ｖ）からパルス電＃ｊ７の電圧（−１００〜
−３００Ｖ）を引いた電圧（−２００〜−１４００Ｖ）
Ｌか印加されず、個別電極３．３・・・と放電電極５と
の間には強度の弱い放電しか発生せず、発生イオン量が
減る。これと同時に、第６図に示すように、個別電極３
．３・・・と制御電極８との間には、電界Ｅ１が発生す
るため、少量ながら発生したイオンＩは、この電界Ｅｌ
によって偏向され、制御電極８に当たって電荷を失う。

従って、記録ヘッド１からは、イオン流Ｓが放出されな
い。

このように、記録ヘッド１が、絶縁性基板２と、この絶
縁性基板２上に画素密度に応じて設けられた個別電極３
．３・・・と、この個別電極３．３・・・上にその一部
領域を除いて被覆された絶縁性フィルム４と、この絶縁
性フィルム４上に設けられ、前記一部類域との間に放電
空間６を形成する単一の放電電極５と、この放電電極５
上に絶縁性フィルム７を介して設けられた制御電極８と
を有するように構成されているので、記録ヘッドｌは、
構造か簡単であり、絶縁性基板２上に個別電極３．３・
・、放電電極５及び制御電極８と絶縁性フィルム４．７
とを積層することによって容易に製造することができ、
低コストにて供給することができる。

また、個別電極３．３・・・及び放電電極５にイオン放
出用の開口を設けたりする必要がないので、この点から
も製造が容易となる。また、上記記録ヘッドｌは、絶縁
性基板２上に個別電極３．３・・・及び放電電極５と絶
縁性フィルム４とを積層した状態で、しかも個別電極３
．３・・・と放電電極５との間に形成される放電領域６
が誘電体ドラムｌＯと対向するように配置されるので、
記録ヘッドｌが誘電体ドラム１０上に占めるスペースは
小さなもので済み、装置の小型化が可能となる。さらに
、記録ヘッド１は、その放電領域６が誘電体ドラム１０
と対向するように配置され、しかもこの放電領域６で発
生する放電Ｒによって生起されるイオン流Ｓは、スリッ
ト等を通過することなく、直接誘電体ドラム１０上に向
けて放出されるので、イオン流Ｓを効率良く取り出すこ
とができ、高速記録にも対応することが可能となる。

また更に、イオン流を噴出させるための圧縮空気を供給
する手段は不要であるため、装置の構成を簡略化するこ
とができる。

また、個別電極３．３・・・との間に電圧が印加される
ことにより放電を発生させる放電電極５には、絶縁性フ
ィルム７を介して接地状態に保持された制御電極８が設
けられているため、静電潜像を形成しないときに個別電
極３．３・・・と放電電極５との間に印加する電圧を、
弱い放電が発生する程度に設定し、その際に発生する微
弱なイオン流Ｓを、放電電極５と制御電極８との間に形
成される電界によって５．制御電極８側に偏向させてイ
オン流Ｓの放出を防止できる。そのため、静電潜像を形
成しないときでも、弱い放電を発生させておくことがで
きるので、単独の個別電極３に放電を発生させ、単独の
ドツトの静電潜像を記録する際にも放電を安定させて発
生させることができ、ドツト形成の安定性が向上する。

実験例 本発明者等は、第２図に示すようなイオン流制御記録装
置を実際に試作し、その発生するイオン量を評価するた
め、Ａ４版の記録用紙に相当する静電潜像の記録を行う
実験を行った。

その結果、Ａ４版の記録用紙相当で２０〜４０枚／分の
記録が可能なことがわかった。また、単独のドツトの静
電潜像を記録する際にも、単独のドツト形成が鮮明に行
うことができた。

比較例 第７図に示す原理を用いた記録装置は、Δ４版の記録紙
相当で４０〜５０枚／分の記録が可能であることが知ら
れ、第９図に示す原理を用いた記録装置は、本発明者ら
の実験により、実用的にＡ４版の記録紙相当で１０〜２
０枚／分の記録が可能であることが分かっている。

この結果から明らかなように、本発明の実施例の装置は
、Ａ４版の記録用紙相当での記録枚数が第７図に示す従
来の装置に比べて少ないものの、第９図に示す従来の装
置よりはかなり多く、本発明の実施例の装置は、装置の
構成が簡単であること、装置のスペースが小さくて済む
こと等を考慮すれば、十分な記録性能を有することがわ
かった。

〔発明の効果〕

この発明は以上の構成及び作用よりなるもので、装置の
製造が容易であって低コストにて供給できるとともに、
装置の小型化が可能であり、しかもイオンを効率良く発
生させることができ高速記録が可能なイオン流制御記録
装置を提供することができる。また、単独のドツトの静
電潜像を記録する際にも放電を安定させて発生させるこ
とができ、ドツト形成の安定性が向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係るイオン流制御記録装置の一実施
例を示す斜視図、第２図は同イオン流制御記録装置を示
す断面図、第３図は個別電極の形状を示す正面図、第４
図は個別電極の放電状態を示す説明図、第５図及び第６
図はイオン流制御記録装置の使用状態をそれぞれ示す断
面構成図、第７図及び第８図は従来のイオン流制御記録
装置を示す断面図及び平面図、第９図は従来の他のイオ
ン流制御記録装置を示す断面図である。 〔符号の説明〕 ｌ・・・記録ヘッド ２・・・絶縁性基板 ３・・・個別電極 ４．７・・・絶縁性フィルム ５・・・放電電極 ８・・・制御電極 ９・・・パルス電源 １０・・・抵抗 １１・・・直流電源 １２・・・誘電体ドラム 特　許　出　願　人　　富士ゼロックス株式会社代　理
　人　弁理士　　中村　智廣（外１名）１　記録ヘッド ２　絶縁性基板 ５　放電電極 ８　制御＄ｉ梧 ９　パルス電源 誘電体ドラム 第 図 第 図 第 図 弔 図 第 図 第 図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に画素密度に応
   じて設けられた第一の電極部材と、前記第一の電極部材
   上に第一の電極部材の一部領域を除いて被覆された絶縁
   性部材と、前記絶縁性部材上に設けられ、前記一部領域
   との間に放電空間を形成する第二の電極部材と、前記第
   二の電極部材上に絶縁性部材を介して設けられた第三の
   電極部材とを有する記録ヘッドと、前記記録ヘッドの放
   電空間に対向して配置された静電潜像受容体と、前記第
   一の電極部材と第二の電極部材との間に画像情報に応じ
   て高電圧を印加する電圧印加手段とを具備するとともに
   、前記第三の電極部材を接地状態あるいは所定の電位に
   保持したことを特徴とするイオン流制御記録装置。
2. （２）前記電圧印加手段が抵抗を介して電極部材に接続
   されていることを特徴とする請求項第１項記載のイオン
   流制御記録装置。